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INTRODUCTION
LLECTRONIQUE
ANALOGIQUE
Tahar Neffati
INTRODUCTION
LLECTRONIQUE
ANALOGIQUE
Cours et exercices corrigs
Tahar Neffati
Matre de confrences
lUniversit de Cergy-Pontoise et au CNAM
DU MME AUTEUR
lectricit gnrale Analyse et synthse des circuits,
Dunod, 2003.
lectronique de A Z,
Dunod, 2006.
Exercices et problmes rsolus de traitement du signal analogique,
Ellipses, 2004.
Traitement du signal analogique,
Ellipses, 1999.
1.4 La jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
11
17
20
23
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
26
44
44
60
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
71
88
3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
88
90
92
99
107
111
iv
116
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
120
139
140
149
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
159
173
173
177
179
183
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
201
216
216
220
225
228
236
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
241
INDEX
251
Chapitre 1
1.1.1 Historique
Lutilisation de semi-conducteur sous forme cristalline remonte au dbut du sicle
dernier. On constata que la galne (sulfure de plomb polycristallin) jouait le rle
dune diode lorsquon ralisait un contact entre une pointe mtallique et un de ses
cristaux. Les redresseurs loxyde de cuivre, puis au silicium ont t galement utiliss, grce leur caractre unidirectionnel.
Vers 1942-1945, on fabrique le premier monocristal de germanium.
Lquipe de la Bell, forme de Shockley, Bardeen et Brattain cre, en 1947, le
premier transistor bipolaire jonctions. En 1952, ce dernier publie la thorie du transistor effet de champ ; Dacey et Ross ralisent le premier lment en 1953, avec du
germanium.
Puis le silicium prend peu peu lavantage sur le germanium, grce sa gamme
de temprature dutilisation plus large et son traitement plus facile.
En 1962, partir de la thorie labore deux ans auparavant par Kahng et Attala
(Bell), Hofstein et Heiman (RCA) ralisent le premier transistor MOS.
Vers la mme poque, en 1959, Texas brevte le circuit intgr et Fairchild, en
1960, met au point le procd planar. Lre du circuit intgr est commence !
Les corps simples semi-conducteurs sont obtenus dans le groupe IV de la classification priodique des lments (voir le tableau 1.1). Ce sont le germanium, et surtout
le silicium.
Tableau 1.1 Classification priodique de Mendeleiev
III
IV
(Bore)
(Carbone)
(Azote)
13
30
14
15
16
Al
Si
(Aluminium)
(Silicium)
(Phosphore)
(Soufre)
31
32
Zn
Ga
(Zinc)
(Gallium)
48
V
7
49
33
34
Ge
(Germanium)
50
As
Se
(Arsenic)
(Slnium)
51
Cd
In
Sn
Sb
(Cadmium)
(Indium)
(Etain)
(Antimoine)
Les corps simples semi-conducteurs ont la caractristique principale dtre ttravalent, cest--dire que leur couche extrieure comporte 4 lectrons. Ils cristallisent
dans le systme du carbone (diamant) qui est le systme cubique prsent la
figure 1.1. Chaque atome est au centre dun ttradre rgulier dont les 4 sommets
sont occups par les atomes voisins les plus proches.
Les liaisons entre atomes sont des liaisons de valence, trs stables, chaque atome
mettant un lectron priphrique en commun avec chaque proche voisin. Leur couche
priphrique se trouve ainsi complte huit lectrons, ce qui est une configuration
trs stable.
Au zro absolu, il ny a pas dagitation thermique et tous les lectrons priphriques participent aux liaisons covalentes ; aucun nest donc libre pour participer la
conduction lectrique : le corps est isolant.
Lorsquon lve la temprature, lagitation thermique permet quelques lectrons
de se librer de la liaison covalente, et dtre mobiles dans le cristal. Figure 1.2 (b).
Noyau atomique
(a)
Electron de conduction
(b)
Figure 1.2 Liaison de covalence en (a) et cration dune paire lectron trou en (b).
b) Notion de trou
On voit que la perte de llectron a provoqu un site vacant, ou trou, dans le cristal.
Latome considr est ionis positivement, mais lensemble du cristal reste lectriquement neutre.
Le trou cr va participer la conduction lectrique. En effet, supposons que le
tion de la force F .
F = q E
Mais de plus, sous laction du champ lectrique et de la temprature, un lectron de
liaison voisin du trou va pouvoir le combler, laissant sa place un nouveau trou qui
pourra son tour tre combl par un autre lectron, etc. (Voir la figure 1.3). Tout se
passe donc comme si le trou progresse dans le sens du champ lectrique, et participe
la conduction dans le semi-conducteur, au mme titre que llectron libre.
On dfinit donc le trou comme un nouveau porteur de charge positive. Cela est
bien sr fictif, et seul est rel le dplacement des lectrons de valence, mais le phnomne mis en jeu est fondamentalement diffrent de celui utilis par les lectrons
de conduction.
saut
position
finale du
trou
E
Figure 1.3 Progression dun trou sous leffet dun champ lectrique.
a) Semi-conducteur de type N
Supposons par exemple que dans un semi-conducteur trs pur, on introduise volontairement un corps pentavalent (mtallode : phosphore, arsenic, antimoine) dans une
proportion (taux de dopage) dun atome dimpuret pour 105 108 atomes de semiconducteurs. On a alors, dans le cristal, la situation schmatise en figure 1.4.
Electron en surplus
As
Llectron en surplus nentrant pas dans une liaison covalente nest que faiblement li latome pentavalent. la temprature ambiante, il est libre dans le semiconducteur ( cause de lagitation thermique) et participe la conduction. Il en est
pratiquement ainsi de tous les lectrons en excs venant de limpuret pentavalente.
Le semi-conducteur extrinsque ainsi constitu est dit de type N. Limpuret dans ce
cas est appele donneur.
Remarque. La neutralit globale du semi-conducteur est bien sr conserve,
chaque lectron libre dans le cristal, correspondant un ion positif dimpuret dans
le mme cristal.
b) Semi-conducteur de type P
Ga
Figure 1.5 Effet du dopage pour augmenter le nombre des trous libres.
Noyau
n=1
n=2
n=3
Figure 1.6 Atome isol de silicium.
bande interdite
bande autorise
Atome isol
123 123
niveau
d'nergie
des lectrons
couche n3
couche n2
couche n1
Distance entre
atomes voisins
fFD =
1 + exp
1
,
W WF
kT
avec :
K T = 26 103 eV 300 K
Dans le cas de lisolant, le niveau de Fermi se trouve dans une bande interdite, et la
largeur de cette bande est trop grande (6 7 eV pour le diamant par exemple) pour
tre franchie par un nombre apprciable dlectrons temprature ambiante. Cest le
cas de la figure 1.7. Si lon applique un champ lectrique, lnergie des lectrons ne
peut tre accrue : le matriau est isolant.
b) Cas dun conducteur
v p = m p E
Pour les lectrons on a :
vn = mn E et pour les trous on a :
m est la mobilit des porteurs de charges, plus faible pour les trous que pour les
lectrons.
10
Pour le silicium : mn = 0,14m p = 0,05 en m2 /Vs
Valeurs numriques.
Pour le germanium : mn = 0,38m p = 0,17 en m2 /Vs
Remarque. Le mouvement moyen des porteurs de charges est uniforme (vitesse
constante) et non pas uniformment acclr (cas de llectron dans le vide),
cause des collisions avec les atomes du cristal.
Jn = qn
vn = qnmn E = sn E
J = +q p
v = q pm E = s E
p
J = Jn + J p = sn + s p E = s E
Cette expression reprsente la loi dOhm gnralis. La quantit : s est la conductivit du semi-conducteur.
s = sn + s p
Pour un semi-conducteur extrinsque, le terme d aux porteurs majoritaires est
prpondrant, et leffet des porteurs minoritaires tant ngligeable.
Lorsque, dans un cristal, les lectrons et les trous ne sont pas uniformment rpartis,
ou si la temprature nest pas uniforme, lnergie cintique des porteurs par unit de
volume nest pas uniforme. Il apparat alors un phnomne de diffusion des porteurs,
des rgions de forte concentration aux rgions de faible concentration, ou des rgions
haute temprature vers celles basse temprature. Les courants de diffusion des
porteurs valent :
Jn = q Dn grad n et J p = q D p grad p
Dn , D p sont respectivement les coefficients de diffusion des lectrons et des trous.
On a :
KT
KT
et D p = m p
Dn = mn
q
q
Si lon a, dans un cristal, un champ lectrique appliqu avec diffusion, les densits
de courants deviennent :
Jn = q nmn E + Dn grad n
et J p = q pm p E D p grad p
Valeurs numriques. Pour le silicium on a : Dn = 0,003 m2 /s ; D p = 0,001 m2 /s.
1.4 La jonction PN
11
Des transitions dun tat lautre se produisent sans cesse mme sil y a un quilibre
thermodynamique dans un semi-conducteur, cet quilibre traduit le rsultat global de
gnrations et recombinaisons dans les diffrentes bandes dnergie.
lquilibre, il y a autant de cration que de disparitions de porteurs. Si, localement, pour une raison quelconque (clairement, bombardement ionisant...) le nombre
de disparitions va scarter du nombre de crations, un retour lquilibre seffectue
selon une loi exponentielle :
n n 0 = (n n 0 ) et/tn
pour t=t0
tn est la dure de vie des lectrons dans le cristal. Cest le temps moyen dexistence dun lectron en excs. Cette dure de vie dpend des impurets, des dfauts
cristallins...
Ordre de grandeur. 109 s < tn < 103 s
La concentration des porteurs le long de laxe de diffusion volue exponentiellement
n n 0 = (n x=0 n 0 ) ex/L n et p p0 = ( px=0 p0 ) ex/L p
Avec :
L n = Dn tn et L p = D p t p
Ln et LP sont la longueur de diffusion des lectrons et celle des trous. Un champ
lectrique superpos augmenterait ou diminuerait ces longueurs de diffusion, selon
quil acclrerait ou freinerait les porteurs.
1.4 LA JONCTION PN
Une jonction est constitue par la transition, dans un mme monocristal de semiconducteur, entre deux zones dont lune est de type N et lautre de type P. On se
limitera ici au cas de la transition brusque, avec une surface de sparation des deux
zones qui est plane. Figure 1.8 (a).
Les porteurs majoritaires de la zone P diffusent vers la rgion N, o ils sont beaucoup
moins nombreux. De mme, les lectrons de la rgion N diffusent vers la zone P. Ce
phnomne de diffusion sarrte avant que la rpartition des trous et des lectrons
dans tout le cristal ne soit homogne. Un autre phnomne intervient.
Dans la zone P, au voisinage de la jonction, les trous et les lectrons sont en grande
quantit. Ces deux types de porteurs ont donc une forte probabilit de recombinaison, si bien que la concentration en porteurs mobiles dans la zone P au voisinage
12
Zone de transition
(a)
(b)
Les charges des porteurs fixes (ions dimpurets) ny sont plus compenses par
celles des porteurs mobiles. On trouve donc, dans la zone de transition :
en zone P une rgion charge ngativement par les atomes accepteurs ioniss ;
en zone N une rgion charge positivement par les atomes donneurs ioniss.
b) quilibre et conduction des porteurs minoritaires
1.4 La jonction PN
13
DC + = 0 et E int = grad C
Pour franchir la barrire de potentiel Vb dfinie ci-dessus, on doit fournir aux trous
+q diffusant de la rgion P vers la rgion N, et aux lectrons q diffusant de N vers P
lnergie suivante :
DWb = q Vb
Lnergie ncessaire sera fournie par lagitation thermique. la temprature T , la
probabilit pour un porteur dacqurir lnergie DWb est dfinie par la loi de Fermi
dans lapproximation de Boltzmann, soit :
PW >DWb = e
DWb
kT
qVb
= e kT
qVb
kT
14
REGION N
zone de
transition
Potentiel lectrostatique
interne
Vb
0, 7 V
-x p
Champ lectrique
interne E int
+x n
E0
I S = I D = f (T j, Vb ) = I0 e kT
Remarque. Lexistence dun potentiel interne pour une jonction isole ne signifie
nullement quune tension externe est mesurable aux bornes de la jonction PN.
Soit le dispositif de la figure 1.10, constitu dune jonction PN aux bornes de laquelle
on applique une tension extrieure V = V p Vn positive. Cela revient faire passer
la diffrence de potentiel entre les extrmits de la zone de transition de Vb Vb V .
1.4 La jonction PN
15
-IND
IPD
-INS
IPS
Le courant de diffusion des majoritaires va donc se trouver augment, la probabilit g de diffusion, et donc le courant associ est maintenant proportionnel g, par
contre, le courant de saturation d aux minoritaires se trouve pratiquement inchang
si la temprature de la jonction ne varie pas.
g = e
q(Vb V )
kT
b) Relation courant-tension
Pour V = 0, on a :
I D = I S = I0 e kT
Pour V > 0, I S garde la mme valeur et ID augmente pour prendre la valeur :
I D = I 0 e
q(Vb V )
kT
qVb
+qV
= I0 e kT e kT
Is
qV
Soit :
Le courant total vaut donc :
I D = I S e kT
qV
I = I S e kT 1
Cest une quation fondamentale dans la thorie des diodes et des transistors.
Valeurs numriques.
Do :
kT
= 26 mV
q
I = I S e39V
q
39 V1 T 300 K
kT
V
1 = I S e 0,002 6 1
donc :
V = 0,1 Volt, le courant est : I = I S e3,9 1 = I S (49,4 1) = 48,4 I S
qV
qV
16
Le courant de saturation I S est la somme des courants dus aux porteurs minoritaires
(trous dans la rgion N et lectrons dans la rgion P) : I S = I P S + I N S
Ces courants sont proportionnels aux concentrations de minoritaires, donc ils sont
proportionnels aussi n i2 , qui ne dpendent que du matriau et de la temprature.
Valeurs numriques. Pour une jonction de 1 mm2 de section, ayant N D = 1022 m3 ,
on a, 300 K :
I S = 2 104 A pour le germanium
et
-IND
IPD
-INS
IPS
-I
Pour |V | > 0,1, le courant de diffusion des majoritaires devient ngligeable devant
le courant de saturation des minoritaires.
Exemple numrique. Pour une valeur V = 0,1 Volt, on a :
I = I S e390,1 1 I S 300 K.
Le courant de saturation est atteint 2 % prs.
Conclusion. En polarisation inverse, ds que |V | > 0,1 V, la jonction PN est bloque
et nest plus traverse que par le courant de saturation Is d aux porteurs minoritaires,
et traversant la jonction dans le sens N vers P.
Ce courant inverse est indpendant de la tension applique et ne dpend que de la
temprature. Il reste trs faible devant les courants directs ( 109 A pour Si).
17
Cathode
Anode
Anode
(a)
(b)
Cathode
T1
0,20
T2 > T 1
0,15
0,10
0,05
V(volt)
0,00
-0,05
-0,10
-0,4
-0,2
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
18
Pour les faibles tensions directes (V < 0,5 volt), le courant suit la loi :
qV
I = Is e 2kT 1
Pour les courants moyens on a :
qV
I = I S e nkT 1 , avec 1 < n < 1,5
Pour les forts courants (fortes injections) le courant est plus faible galement que
le courant thorique.
Le coefficient n est le coefficient de non-idalit de la diode. Certains auteurs lappellent coefficient didalit.
La reprsentation graphique du modle idal dune diode jonction PN est reprsente la figure 1.14 (a). Il sagit dun interrupteur ferm en polarisation directe (b)
et ouvert en polarisation inverse (c).
En direct, la diode est considre comme un court-circuit : VD = 0 pour I D 0.
En inverse, la diode est considre comme un circuit ouvert : I D = 0 pour VD 0.
Ce modle est le plus simple, mais le moins prcis. Il est utilis pour des estimations rapides et pour des analyses de circuits complexes.
19
ID
VD
Anode
K ferm
(a)
Cathode
Anode
K ouvert
VD
VD
(b)
(c)
Cathode
Figure 1.14 Caractristique I D = f (VD ) dune diode idale (a), modlise en polarisation
directe (b) et en polarisation inverse (c).
c) Le modle seuil
VD
Anode
K ferm V0
Cathode
Anode
K ouvert
V0
Cathode
V0
(a)
VD
VD
(b)
(c)
Figure 1.15 Caractristique I D = f (VD ) dune diode seuil (a), modlise en polarisation
directe (b) et en polarisation inverse (c).
d) Le modle linaris
20
ID
ID
V0
VD
VD
(a)
Anode
K ferm V0
V0
Cathode
RD
VD
VD
(b)
(c)
Figure 1.16 Caractristique I D = f (VD ) dune diode linarise (a), modlise en polarisation
directe (b) et en polarisation inverse (c).
DVD
DI D
Ce dernier modle reprsente une trs bonne approximation linaire de la caractristique dune diode relle. Il est plus prcis que le deuxime, mais plus complexe.
d I = I S e kT
q
dV
kT
21
I (ampre)
0,20
0,15
0,10
0,05
I
0,00
V (volt)
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
V
Figure 1.17 Dtermination de la rsistance dynamique autour dun point.
qVo
e kT 1
d I I0
v=
On crit :
q
kT
dI
d V ou encore d V =
kT
q I0
kT
i
q I0
Valeurs numriques :
Soit :
rd =
26
, I0 en mA et rd en Ohm
I0
22
Capacit de diffusion
K .TF
q Io
=
,
kT
Rd
avec Cdiff C j
Rd
Cd
23
b) Polarisation inverse
dQ
, avec |V | > 0, soit :
d |V |
C j (V0 ) =
C j0
1+
V0
Vb
C j (V0 ) =
C j0
1
V0 3
1+
Vb
En polarisation inverse, pour le silicium, on peut ngliger le courant inverse. La
capacit de diffusion est galement ngligeable devant la capacit de transition. Cest-dire quen polarisation inverse, le schma quivalent se rsume une capacit,
gale C j .
Le courant i et la tension v en rgime dynamique sont donc relis par la relation :
i = Cj
dv
dt
1.7.2 Avalanche
Leffet davalanche est le mode de claquage le plus courant dans les diodes et dans
les transistors.
24
Lorsquune forte tension inverse est applique aux bornes de la jonction, le champ
lectrique interne peut tre tel que lnergie cintique acquise par les porteurs minoritaires soit suffisante pour crer des paires lectrons-trous dans la zone de transition.
Ces nouveaux porteurs, aprs acclration par le champ interne peuvent leur tour
crer de nouvelles paires lectrons-trous, do le nom davalanche donn au phnomne. Le courant peut alors augmenter rapidement, et provoquer la destruction de la
jonction par effet joule.
VZ
cathode
_V
Z
VD
V0
ID
(a)
anode
(b)
Figure 1.19 Caractristique courant-tension (a) et symboles dune diode Zner (b).
On conoit des diodes Zener spciales pour obtenir, contrler et garantir les paramtres souhaits :
25
IS
Vb = 0,6 0,7 volt pour le silicium. Vb est la barrire de potentiel, entre la zone
N et la zone P.
Modle idal
En direct la diode est considre comme un court-circuit : VD = 0 pour I D 0.
En inverse, la diode est considre comme un circuit ouvert : I D = 0 pour
VD 0.
Modle seuil
En direct, on rajoute une force contre lectromotrice V0 : VD = V0 pour I D 0.
En inverse, la diode est considre comme un circuit ouvert : I D = 0 pour
VD V0 .
Modle linaris
En direct, on rajoute V0 et une rsistance dynamique moyenne r D : VD = V0 +r D I D
pourI D 0.
En inverse, la diode est considre comme un circuit ouvert : I D = 0 pour
VD V0 .
La rsistance r D est linverse de la pente de la tangente la courbe I = f (V ) au
point (V0 , I0 ).
rd =
kT
q I0
avec :
kT
= 26 mV 300 K .
q
K .TF
q Io
=
,
kT
Rd
avec Cdiff C j
26
Diode Zener
En polarisation inverse, au-del dune certaine tension, un courant inverse important peut se manifester cest leffet Zener.
On conoit des diodes Zener spciales pour obtenir, contrler et garantir les paramtres souhaits :
EXERCICES
Exercice 1.1 Application du modle linaris dune diode
On fait une approximation de la caractristique dune diode par la courbe
donne la figure 1.20 (a). Cette diode est utilise dans le circuit de la
figure 1.20 (b).
1. Tracer la droite de charge du circuit et dterminer le point de fonctionnement de la diode. On donne R = 50 V et E = 12 V.
2. Comment varie la droite de charge si la tension E varie dune quantit gale 2 V ? En dduire la rsistance dynamique au point de repos
choisi.
3. On laisse la tension continue E = 12 V laquelle on superpose une
tension alternative basse frquence v B F damplitude gale 100 mV ? Calculer la tension alternative de sortie VS .
ID (mA)
2R
25
E
0,6 0,8
(a)
2R
VD (v)
(b)
VS
Exercices
27
Solution
E
2R
E=
2R + 2R
2
et
RTH =
2R 2R
=R
2R + 2R
La diode se trouve donc en srie avec une rsistance totale gale 2R et alimente
par une tension de Thvenin gale E/2. Lquation lectrique devient :
E TH = VD + RTH I
soit :
E
= VD + 2R I
2
Application numrique.
E
,0
2
E
et 0,
4R
E
E
= 6 V;
= 30 mA
2
4R
6
VD
+
100 100
et :
0 mA = a 0,6 + b
28
I (mA)
Point de fonctionnement
60
R
E
2
Droite de charge
R
VS
0,6
V (v)
soit :
6 1 = VD + 2R I
0,6
V (v)
Exercices
29
D
2R
VS
rD
E
2
VS
R
50
vB F =
100 mV = 46,3 mV
R + rD + R
108
30
D
1
e(t)
2
(a)
V
R
e(t)
R V
R
(b)
Solution
Exercices
31
E
E Max
Ueff = =
2
2
On en dduit :
Le taux dondulation devient :
Ueff
t=
U=
Soit : t2 =
avec :
2
2
2
Ueff
= U=
+ Ueff
2
Ueff
p2
1
=
1 = 0,23, on trouve : t = 0,48 ou 48 %
2
U=
8
U=
2
Ueff
On en dduit :
Ueff =
t=
Soit :
t2 =
E
E Max
=
2
2
Ueff
U=
2
2
2
avec : Ueff
= U=
+ Ueff
2
Ueff
p2
1 = 1,46, on trouve : t = 1,21 ou 121 %.
1
=
2
U=
4
32
u()
u()
u()
(a)
(b)
(c)
Figure 1.25 Reprsentation dun signal redress double alternance (a), simple alternance (b) et
simple alternance suivi dun filtrage RC (c).
DV
ET
E (2RC T )
=E
=
2
2RC
2RC
ET
2T
1
=
RC
2RC T
3 2RC T
E
2RC
2T
2
1
= 2,9 %
Application numrique. t =
3 2 20 T T
39 3
V
D
(a)
(b)
U
0
D
(d)
(c)
R
U
0
D
V
S
U
0
+ '
U
0
(e)
Figure 1.26 Diffrents circuits tudier.
V
S
+
V
Exercices
33
10 V
-0,6 V
-10 V
-10 V
(a)
(b)
Figure 1.27 Allure de la tension dentre et de sortie pour les montages (a) et (b).
En ce qui concerne le montage de la figure 1.26 (b), la diode tant monte en inverse
par rapport au premier cas. Le rsonnement reste valable. Pour les tensions ngatives,
la diode limite la tension 0,6 V et pour les tensions positives, toute la tension est
applique sur la diode.
Suivant le sens de la diode, on obtient soit un crteur 0,6, soit un baseur 0,6 V.
2. Cas des montages de la figure 1.26 (c) et (d)
Lorsque la tension dentre est positive mais infrieure U0 + 0,6 V, la diode ne
conduit pas (diode non passante), la chute de tension sur la rsistance R est ngligeable. On retrouve pratiquement toute la tension dentre aux bornes de la diode.
34
Ds que lentre dpasse U0 + 0,6 V, le courant devient important et la chute de tension sur la rsistance R augmente, VD reste pratiquement fige la valeur U0 + 0,6 V.
Pour une tension dentre ngative, aucun courant ne circule dans la diode ce qui se
traduit par labsence de chute de tension sur R. Toute la tension dentre se trouve
applique sur la diode.
10 V
10 V
5,6 V
t
-5,6 V
-10 V
-10 V
(c)
(d)
Figure 1.28 Allure de la tension dentre et de sortie pour les montages (c) et (d).
En ce qui concerne le montage de la figure 1.26 (d), la diode tant monte en inverse
par rapport au premier cas. Le rsonnement reste valable. Pour les tensions ngatives,
la diode limite la tension (U0 + 0,6 V) et pour les tensions positives, toute la
tension se trouve applique sur la diode.
Les montages prcdents sont des limiteurs de tensions.
3. Cas du montage de la figure 1.26 (e)
Le cas du montage de la figure 1.26 (e) combine les deux montages prcdents des
figures 1.26 (c) et (d). On obtient ainsi un circuit qui crte et base lentre deux
niveaux quelconques, le premier niveau est situ U0 + 0,6 V et lautre est situ
(U0 + 0,6 V).
10 V
5,6 V
t
-5,6 V
-10 V
(e)
Figure 1.29 Allure de la tension dentre et de sortie pour le montage (e).
Exercices
35
Exercice 1.4
D
e
VD
VC
D
e
(a)
VC1
VC
V D2
C1
D1
(b)
D2
VD1 C2
VC2
(c)
Solution
VD(t)
e(t)
T/4
t E
T/2
e(t)
-E
T/2
VD(t)
-2E
3T/4
-E
VC(t)
(a)
(b)
Figure 1.31 Allure de la tension dentre, de VD et de VC pour les montages (a) et (b).
36
Si on met la diode dans le sens inverse (figure 1.30 (b)), entre les temps 0 et T /2, la
diode reste bloque, le condensateur ne se charge pas. Entre T /2 et 3T /4, la diode
conduit et le condensateur se charge jusqu atteindre la valeur E. Puis la diode se
bloque dfinitivement comme pour le premier montage et garde sa charge.
Les montages ainsi raliss reprsentent des dtecteurs de crtes lorsque la tension
considre est celle qui se trouve aux bornes du condensateur. Lorsquon choisit de
prendre la tension aux bornes de la diode, on obtient un verrouillage de cette tension
au-dessous (a) ou au-dessus (b) de zro.
2. Cas du montage de la figure 1.30 (c)
On suppose que le condensateur est initialement dcharg. Dans le cas du montage
de la figure 1.30 (c), on combine deux circuits analogues ceux utiliss pour le montage a et le montage b. En effet, le circuit form par la diode D1 et le condensateur
C1 permet de verrouiller la tension aux bornes de la diode au-dessus de zro.
Le condensateur C1 se charge donc : VC1 (t) = E
La tension aux bornes de D1 est :
2E
VD1(t)
E
e(t)
T/2
3T/4
-E
VC1(t)
Figure 1.32 Principe de la multiplication de la tension par deux.
Exercices
37
4
1
3
(a)
R1
E1
R
2
E2
R3
E3
R4
E4
(b)
Solution
38
I1 =
E E1
;
R1
I2 =
E E2
;
R2
I =
E E1 E E2
+
R1
R2
Pour le point de coordonnes (1 mA, 1 V), on utilise ces valeurs dans lquation
prcdente :
103 =
1 0 1 E2
1 E2
+
= 103 +
,
3
10
R2
R2
on en dduit :
E2 = 1 V
Pour le point de coordonnes (4 mA, 2 V), on utilise ces valeurs dans lquation
prcdente :
4 103 =
20 21
1
+
= 2 103 +
,
103
R2
R2
on en dduit :
R2 = 500 V
3. Calcul de E3 et R3
Pour une tension 2 V E 3 V, la caractristique courant-tension devient une
droite qui passe par le point de coordonnes (4 mA, 2 V) et le point de coordonnes
(9 mA, 2 V). Autrement dit, ds que la tension E dpasse la valeur de E 2 , la diode
D3 devient passante et un courant I3 circule dans cette diode.
Les expressions des courants qui circulent sont : I = I1 + I2 + I3 .
Avec :
I1 =
Soit :
E E1
;
R1
I =
I2 =
E E2
;
R2
I3 =
E E3
R3
E E1 E E2 E E3
+
+
R1
R2
R3
Pour le point de coordonnes (4 mA, 2 V), on utilise ces valeurs dans lquation
prcdente :
4 103 =
2 0 2 1 2 E3
+
+
,
103
500
R3
on en dduit :
E3 = 2 V
Pour le point de coordonnes (9 mA, 3 V), on utilise ces valeurs dans lquation
prcdente :
9 103 =
30 31 32
1
+
+
= 7 103 + ,
3
10
500
R3
R3
on en dduit :
R3 = 500 V
4. Calcul de E4 et R4
Pour une tension 3 V E 4 V, la caractristique courant-tension devient une
droite qui passe par le point de coordonnes (9 mA, 3 V) et le point de coordonnes
(16 mA, 4 V). Autrement dit, ds que la tension E dpasse la valeur deE 3 , la diode
D4 devient passante et un courant I4 circule dans cette diode.
Exercices
39
I =
E E1 E E2 E E3 E E4
+
+
+
R1
R2
R3
R4
Pour le point de coordonnes (9 mA, 3 V), on utilise ces valeurs dans lquation
prcdente :
9 103 =
3 0 3 1 3 2 3 E4
+
,
+
+
103
500
500
R4
on en dduit :
E3 = 3 V
Pour le point de coordonnes (16 mA, 4 V), on utilise ces valeurs dans lquation
prcdente :
40 41 42 43
1
+
= 18 103 +
,
+
+
16 103 =
3
10
500
500
R4
R4
on en dduit :
R4 = 500 V
v(t) = V cos(t)
Solution
40
e VT 1 +
Soit
cos2 (vt) =
cos (2vt) + 1
2
V2
4VT2
Exercice 1.7
Exercices
41
IU
IZ
RU
Solution
On en dduit
IU =
UU
UZ
10
=
=
= 50 103 = 50 mA
RU
RU
200
RS =
E min U Z
15 10
=
= 90,90 V
I Z + IU
(5 + 50) 103
En ralit, il faut prendre une valeur normalise, mais pour cet exercice on garde cette
valeur pour les autres questions.
2. Calcul des valeurs limites de I et de I Z
Le courant maximal dlivr par la source de tension E est Imax :
Imax =
E max U Z
20 10
= 110 mA
=
RS
90,90
42
E min U Z
15 10
=
= 55 mA
RS
90,90
Or, le courant dutilisation varie entre la valeur min IU min et la valeur max IU max :
UU
10
=
= 5 103 = 5 mA
RU max
2 103
UU
10
=
=
= 50 103 = 50 mA
RU min
200
IU min =
IU max
On en dduit
RS
IU
IZ
RZ
VZ
RU
IU = I I Z ;
UU = R Z I Z + VZ
Exercices
On en dduit
43
E = R S IU + R S I Z + UU ;
RS
E = R S IU + 1 +
RZ
Ce qui donne
IZ =
UU
UU VZ
RZ
RS
VZ
RZ
si E est une constante, toute variation de la charge RU (ce qui revient une variation
du courant IU ), saccompagne dune variation de la tension de sortie UU . Lexpression prcdente scrit :
RS
RS
VZ
E R S IU = 1 +
UU
RZ
RZ
0 R S d IU =
Ce qui donne
RS
1+
RZ
dUU 0
Finalement, on trouve :
RS R Z
20 90,9
dUU
=
=
l=
= 16,5 V = ri
d IU E=cte
RS + R Z
110,9
Le signe signifie que les variations du courant et de la tension sont en sens
inverse. Lorsque lune augmente, lautre diminue et vice versa.
Avec ri qui reprsente la rsistance interne du rgulateur.
si I S est une constante, toute variation de la tension E saccompagne dune variation
de la tension de sortie UU . Lexpression prcdente scrit :
RS
RS
VZ + R S IU
E = 1+
UU
RZ
RZ
Ce qui donne
d IU =
RS
1+
RZ
dUU 0 + 0
Finalement, on trouve
RZ
20
dUU
=
=
= 0,18.
d E IU =cte
RS + R Z
90,90 + 20
Chapitre 2
Les transistors
(+)
B
N P
E
(0)
(++) (0)
C S
G
E
Bipolaire
(+)
G
(0)
S
(++)
D
SiO2
C
B
(+)
D
(0)
S
D
G
S
enrichissement
J-FET
P
substrat
D
G
S
(++)
D
SiO2
P
substrat
enrichissement - appauvrissement
1444444444244444444443
1444444444244444444443
MOS-FET
Transistors FET
45
une zone N, une zone P et une zone N, pour un transistor NPN, (ou bien une
zone P, une zone N et une zone P, pour un transistor PNP).
Les transistors unipolaires dans lesquels un seul type de porteurs de charge est
responsable du passage du courant. Ce sont les transistors effet de champ ou
transistors F.E.T. (Field Effect Transistors). Ces transistors se rpartissent euxmmes en deux groupes : les JFET et les MOS.FET. Les MOS.FET se subdivisent encore en MOS.FET enrichissement et MOS.FET enrichissementappauvrissement.
Base
Base
Coll ecteur
Emetteur
Emetteur
Coll ecteur
C
B
C
B
E
(a)
E
(b)
46
2 Les transistors
a) Dfinitions
La couche intermdiaire est appele base. Cette couche est trs mince et est
lgrement dope. Les porteurs majoritaires sont donc en quantit assez faible.
Lune des deux autres zones est appele metteur. Il sagit de la zone la plus
dope du transistor. Son rle consiste injecter des porteurs (lectrons dans le
cas dun transistor NPN) dans la base.
La dernire zone qui est de mme type que lmetteur est appele collecteur.
Son dopage est plus faible que celui de lmetteur et sa gomtrie est diffrente.
Le rle principal du collecteur est de recueillir les porteurs.
Ltude sera mene sur un transistor bipolaire de type NPN qui est le plus utilis et
le plus facile raliser. Le fonctionnement dun transistor de type PNP se dduit en
changeant les rles des lectrons ainsi que des trous et en inversant les signes des
tensions dalimentation et des courants.
Le transistor non polaris
Prenons le cas de trois zones NPN mises cte cte mais lectriquement isoles
lune de lautre, nous aurons la situation de la figure 2.3 (a). Supposons maintenant
que ces zones ne sont plus isoles lune de lautre, les lectrons libres diffusent
travers les deux jonctions ce qui donne deux zones de dpltion (figure 2.3 (b)). Ces
zones de transition reprsentes en hachur sont dpourvues de porteurs majoritaires
et la barrire de potentiel pour chacune delles est denviron 0,6 0,7 volt.
Or, puisque les trois rgions dopes nont pas la mme concentration, la zone de
dpltion pntre peu dans lmetteur qui est fortement dop mais profondment
dans la base qui est trs peu dope. Du ct du collecteur, la pntration de la zone
de dpltion sera moyenne.
Zone de dpltion
Emetteur Base Collecteur
-------------
++-------++-------++-------(a)
----------
------------------(b)
47
Parmi les diffrentes faons de polariser un transistor de type NPN, une seulement,
prsente un intrt primordial. Si nous polarisons la jonction metteur-base en direct
et la jonction collecteur-base en inverse, nous obtenons la configuration visible sur la
figure 2.4.
Em ette ur
Ba se
Co llec teur
N
Flu x
d' lect rons
V EE
+
V CC
En premier lieu, supposons que seule la jonction BC soit polarise et quelle le soit
en inverse. Elle est traverse par un courant trs faible d aux porteurs minoritaires
appel IC B0 .
Polarisons maintenant la jonction base-metteur en direct. Les lectrons qui sont
majoritaires dans la rgion de lmetteur (type N) diffusent en grande quantit travers la jonction metteur-base, polarise en direct, crant ainsi un courant metteur
I E . Les lectrons de lmetteur traversent en majorit la base et arrivent jusquau
collecteur. Ainsi lmetteur injecte ou met des porteurs majoritaires et le
collecteur les collecte.
Nous appelons a la proportion des lectrons dans le cas du transistor NPN mis
par lmetteur, qui parviennent jusquau collecteur ; a est gnralement proche de
lunit. Le courant total devient :
IC = aI E + IC B0 aI E I E
lquilibre, nous navons pas de variation de charges lintrieur du transistor.
En choisissant les sens des courants conformment la convention des rseaux (tout
courant qui arrive un nud est positif et tout courant qui en sort est ngatif), nous
pouvons crire la loi de Kirchhoff :
I E + I B + IC = 0,
En liminant I E on obtient :
IC = a(I B + IC ) + IC B0
48
2 Les transistors
Do :
IC =
aCC
1
IB +
IC B0
1 aCC
1 aCC
b=
On pose :
aCC
1 aCC
1
IC B0 bCC I B
1a
Cette dernire relation caractrise leffet transistor : en injectant un courant I B trs
faible dans la base, nous commandons un courant de collecteur IC beaucoup plus
intense. b varie dans de grandes proportions dun transistor lautre. En effet, b
dpend surtout de la diffrence de dopage entre lmetteur et la base ainsi que de
celle-ci. Mais une temprature fixe, b reste peu prs constant pour un transistor
donn et pour une large variation du courant IC .
Soit :
IC = bCC I B +
Gnralement, le transistor qui est un composant trois bornes est utilis en tant que
quadriple amplificateur. Dans la plupart des applications, une des bornes est commune lentre et la sortie. On a donc trois possibilits de montage de transistor :
le montage metteur commun, le montage base commune et le montage collecteur
commun. Ltude sera aborde dans un premier temps en courant continu : cest le
rgime statique, ou de polarisation.
Parmi les trois montages fondamentaux, le montage dit en metteur commun est
de loin le plus utilis. Avec cette configuration, les grandeurs dentre sont le courant de base I B et le potentiel de celle-ci par rapport celui de lmetteur VB E . Les
variables de sortie sont le courant collecteur IC et le potentiel entre le collecteur et
lmetteur VC E .
Caractristique dentre IB = f(VBE ) UCE = Cte
Ds que la tension entre collecteur et metteur dpasse 0,7 volt, la jonction basecollecteur devient polarise en inverse et le transistor est en fonctionnement normal.
La caractristique dentre est une caractristique de diode en direct allure exponentielle.
qVB E
qVB E
I B = IS e K T 1 IS e K T
Le rseau dentre I B = f (VB E ) se rduit dans la pratique une seule courbe, toutes
les courbes tant confondues.
Caractristiques de transfert IC = f(IB ) VCE = Cte
aCC
1
IB +
IC B0
1 aCC
1 aCC
49
1
IC B0
1 aCC
Le courant IC E0 peut tre mesur en dconnectant la base (I B = 0) avec une tension VC E positive de sorte que les jonctions soient normalement polarises. Cest un
courant de lordre dune centaine de mA. Ce courant est donc gnralement ngligeable devant IC qui est de lordre du mA.
La caractristique IC = f (I B ) ne passe pas par lorigine, mais par IC E0 , qui est trs
proche de lorigine. Elle prsente une lgre courbure pour des courants du collecteur
trs faibles et tend vers une droite ds que le courant IC dpasse quelques centaines
de mA.
En ralit, le gain en courant bCC croit lgrement avec la tension VC E car la largeur de la zone de dpltion de la jonction base - collecteur augmente aussi. Dautre
part, le gain en courant augmente avec le courant IC avant de baisser de nouveau pour
des courants de collecteur assez levs.
Avec :
IC E0 =
IC
IB
BVCE0
VCE
VBE
Figure 2.5 Rseau de caractristiques dun transistor bipolaire NPN.
Ds que la tension VC E devient suffisamment positive pour que les deux jonctions
soient normalement polarises, on a :
IC = bCC I B + IC E0
Si le gain en courant tait rigoureusement constant, les caractristiques seraient des
droites horizontales et quidistantes pour des intervalles DI B gaux. En ralit on
50
2 Les transistors
retrouve les dfauts des caractristiques de transfert. Pour une tension entre le collecteur et metteur gale une constante, il y a une courbure de la caractristique de
transfert et les caractristiques de sortie ne sont pas rigoureusement quidistantes. De
plus, elles montent lgrement avec la tension VC E , ce qui traduit la lgre croissance
de b avec VC E .
En effet lorsque la tension VC E augmente, tant donn que VB E est faible, VC B suivra sensiblement les mmes variations. Or une augmentation de la tension collecteurbase modifie les dimensions de la zone de charge despace et rduit par consquent
lpaisseur de la base, ce qui aura comme effet une diminution des recombinaisons
des porteurs dans la base. Ceci se traduit par une augmentation apparente de a et
de b avec VC E . Ce phnomne a t signal par Eurly en 1952 et porte son nom.
Les caractristiques IC = f (VC E ) sont limites par deux zones proches des axes
quil nest pas possible dutiliser (figure 2.5) :
une zone (ou caractristique) de saturation qui est proche de laxe des courants
IC . Cette zone correspond au cas ou les deux jonctions sont polarises en direct ;
une zone (ou caractristique) de blocage qui est proche de laxe des tensions
Les caractristiques VB E = f (VC E ) I B = Cte prsentent peu dintrt et se prsentent sous forme de droites pratiquement horizontales. La tension base-metteur
ne dpend pratiquement pas de la tension entre collecteur et metteur ds que cette
tension dpasse 1 volt.
d) Limites dutilisation dun transistor
Le transistor tant constitu de deux jonctions, il est possible de dterminer les limites
dutilisation de celui-ci partir de celle de la diode. Cest--dire le courant maximum
dans une jonction ainsi que la tension inverse maximale quon peut utiliser sans avoir
de claquage.
Tensions de claquage
Nous avons vu lexistence des courants de fuites IC E0 (en base commune et metteur
ouvert) et IC B0 (en metteur commun et base ouverte). Si on augmente exagrment
les tensions, les courants de fuites augmentent par effet avalanche et peuvent tre la
cause de la destruction de transistor par chauffement. Ces tensions ne pas dpasser
sont donnes par le constructeur et sont gnralement notes BVC E0 et BVC B0 (BV
est labrviation de Breakdown Voltage).
51
Courant maximum
Le courant maximum du collecteur doit rester infrieur une certaine valeur ICmax
sous peine de destruction du transistor.
Puissance maximum
La puissance dissipe par un transistor au repos est donne par la formule suivante :
P = VB E I B + VC E IC VC E IC < Pmax
Cette puissance est limite cause de lchauffement du transistor. La temprature
maximale de la jonction ne doit pas dpasser 200 C dans le cas du silicium.
IC
I B = const
I Cmax
P max
IB = 0
VCEmax
VCE
Mis part le cas particulier dun amplificateur continu, un transistor sert gnralement amplifier un petit signal de forme quelconque variable dans le temps. Or pour
pouvoir remplir son rle, le transistor doit tre polaris correctement et en plus le
transistor doit pouvoir rcuprer de lnergie. Cette nergie provient gnralement
dune source de tension continue.
Polariser un transistor cest lui fixer un ensemble de valeurs caractrisant son tat
de fonctionnement. Or ltat dun transistor sera dfini par la connaissance de trois
courants IC , I E et I B dune part, et de trois tensions VC E , VC B et VB E dautre part.
52
2 Les transistors
et
VC E + VE B + VBC = 0
Il ny a donc que 4 paramtres indpendants, mais le problme qui se pose est le suivant : comment et suivant quels critres doit-on choisir un point de fonctionnement ?
Quel est le montage le mieux adapt ? Quelles sont alors les valeurs des composants ?
b) Polarisation dun transistor
RB
VBE0
VCE0
+
_ VCC
Figure 2.7 Polarisation dun transistor NPN par deux sources de tension.
IC = f (VC E , I B )
VB E = f (VC E , I B )
Les deux autres quations seront donnes par le circuit dentre et par le circuit de
sortie :
Lquation donne par le circuit dentre est lquation dune droite appele la
droite dattaque statique du transistor.
Le transistor nous permet de disposer de deux quations :
VB B = R B I B0 + VB E0
Cette droite permet de fixer le courant I B0 du transistor. Le point de fonctionnement
lentre (I B0 , VB E0 ) doit satisfaire la fois lquation du transistor et lquation
du circuit dentre ce qui nous permet de placer ce point lintersection des deux
caractristiques.
53
IC
VCC
RC
Droite de charge statique
I C0
IB
VBB
RB
IB = IB0
IB = 0
0
I B0
VCE0
VCC
VCE
VBE0
VBB
VBE
Le circuit de sortie fournit aussi lquation dune droite appele la droite de charge
statique :
VCC = RC IC0 + VC E0
Lintersection de cette droite avec la caractristique IC = f (VC E ) pour le courant
I B0 dtermin dj par le circuit dentre, donne le point de fonctionnement en sortie
(IC0 , VC E0 ).
54
2 Les transistors
IC
IB
IC
R1
RB
RC
IB
+
_ VCC
VBE
VCE
VBE
R2
VCE
RC
+
_ VCC
RE
IE
(a)
(b)
Figure 2.9 Polarisation dun transistor NPN par rsistance de base (a) et par pont rsistif et
rsistance dmetteur.
Pour le montage rsistance de base de la figure 2.9 (a), on peut crire les quations
des mailles dentre et de sortie :
VCC VB E
; VC E = VCC RC IC
IB =
RB
On utilise dans les deux cas, la droite de commande statique et la droite de charge
statique. Le courant de collecteur au point de fonctionnement de ce montage est
donn par :
VCC VB E0
IC0 bI B0 = b
RB
Les dispersions de b sont grandes (par exemple b varie entre 50 et 300 pour le transistor 2N2222). En plus, b dpend de la temprature. Le point de fonctionnement est
donc instable ce qui reprsente le principal inconvnient de ce montage.
b) Polarisation par pont rsistif et rsistance dmetteur
ET H =
R2
R2
VCC = kVCC avec : k =
R1 + R2
R1 + R2
RT H =
R1 R2
R1 + R2
55
IC0
RC
RTH=R B
+ I B0
ETH=VBB _
VCE0
VBE0
+
_ VCC
RE
Figure 2.10 Transformation par Thvenin de la polarisation par pont rsistif et rsistance
dmetteur.
et
VC E0 = VCC IC O RC I E0 R E
IC0
,
b
I E0 = IC0 + IC B0 IC0
kVCC VB E0
et VC E0 VCC (RC + R E ) IC0
RT H + bR E
Contrairement la polarisation par une seule rsistance de base, pour cette polarisation, le courant IC0 dpend dautant moins de b et de ses variations que la rsistance
quivalente RT H est petite par rapport bR E . Il en est de mme pour la tension VC E0
qui dpend du courant IC0 .
Pour stabiliser le point de fonctionnement, on prend :
Dunod La photocopie non autorise est un dlit
Il vient :
IC0 b
RT H bR E
Remarque. Les circuits de polarisation du transistor sont les mmes pour les
trois montages fondamentaux (metteur commun, collecteur commun et base commune).
56
2 Les transistors
h11
iC
h21IB
h12S
h22
iC C
B iB
rBE
S ve=vBE
gmBE
ou
iB
S
E
(a)
E
(b)
Figure 2.11 Schma quivalent dun transistor en basses frquences en utilisant les paramtres
h (a) et en utilisant les paramtres universelles (b).
h 11
v B E
=
iB
vC E =0
ve = v B E = h 11 i B + h 12 v S = h 11 i B + h 12 vC E
i 2 = i C = h 21 i B + h 22 v S = h 21 i B + h 22 vC E
v B E
i C
; h 12 =
; h 21 =
;
i C E i B =0
i B vC E =0
h 22
i C
=
vC E i B =0
Mais les paramtres universels sont plus signifiants en changeant juste les noms des
paramtres hybrides : figure 2.11 (b).
r B E = h 11 = rsistance dentre entre base et metteur sortie ferme.
m = h 12 = coefficient de raction interne, souvent ngligeable (m = 0).
b = h 21 = gain en courant sortie ferme.
gm = pente ou transconductance sortie ferme.
r = rC E = 1/h 22 = rsistance de sortie entre ferme.
rBB
57
CBC
B iB
iC C
iB
ve=vBE
vBE
rBE
gmvBE
ou
iB
CBE
vS
E
Figure 2.12 Schma quivalent dun transistor bipolaire en hautes frquences.
Schma de Giacoletto
Le comportement du transistor en hautes frquences peut tre dcrit par son schma
quivalent en hautes frquences propos par Giacoletto (figure 2.12). Cest en effet
le schma quivalent de la figure 2.11 complt par les trois lments : C B E , C B C
et r B B .
C
RBB
B
Dans ce schma hautes frquences (HF) des transistors bipolaires, figurent les
capacits des 2 jonctions PN :
jonction polarise en direct Base-Emetteur ;
jonction polarise en inverse Base-Collecteur.
Ainsi que la rsistance de basse r B B . B tant la base dun transistor interne idal :
la capacit C B C est la capacit parasite dune jonction PN en inverse, cette capa-
cit est faible et varie en fonction de la tension VBC ses bornes. Sa valeur de
quelques pF est gnralement donne par le fabricant ;
la capacit C B E est (normalement) celle dune jonction polarise en direct. Elle
dpend du courant qui la travers et peut atteindre une valeur de quelques dizaines
quelques centaines de picofarad. La valeur de cette capacit nest pas en gnrale fournie directement par le fabricant mais sa valeur se rduit de celle de la
frquence de transition f T .
58
2 Les transistors
en Ohm ;
r est la rsistance interne en sortie : r
26 mV
I B0
100
en Ohm.
IC0
DIC
Par dfinition, le gain en courant b ou (h 21 ) est : b =
DI B VC E = cte
Si la tension VC E est constante en continu, il faut faire figurer un court-circuit sur
le schma quivalent de la figure 2.14 (a).
Or, en raison du court-circuit le collecteur et lmetteur sont confondus et les
2 condensateurs C B E et C B C se trouvent en parallles (figure 2.14 (b)).
La capacit totale est : C T = C B E + C B C .
En gnral, C B C C B E et C T C B E
Sachant que i c = gm v B E , on peut donc exprimer v B E en fonction de i B :
B
rBB
iB B
CBC
rBB
iB B
iB
rBE
iB
CBE
iB
rBE
CT
iB
(a)
(b)
Figure 2.14 Schma quivalent avec court-circuit (a) et mme schma quivalent simplifi (b).
vB E
= i B r B E //
1
jC T v
=
r B E
gm r B E
iB b =
1 + jr B E C T v
1 + jr B E C T v
On pose : b0 = gm r B E avec : b0 =
v = 0.
fb =
IC
qui reprsente le gain en courant statique
IB
1
2pr B E C T
59
f b est la frquence de coupure 3 dB du gain en courant b que lon peut se reprsenter par un diagramme en utilisant des chelles logarithmiques.
log()
log(0)
fT
log(f)
On dfinit la frquence de transition f T telle qua cette frquence, le gain en courant vaut 1. La variation de b tant du premier ordre, il vient :
f T b0 f b
Cette frquence de transition figure dans les documentations. En gnral, il est donn
la valeur de f T pour 1 point de polarisation donn par exemple, le constructeur donne
pour IC = 10 mA et VC E = 5 V, une frquence de transition f T = 300 MHz. Plus
souvent, on donne la variation de f T avec IC pour une valeur de VC E .
On peut remarquer que f T et C B E sont lis par une relation permettant de dterminer la valeur de la seconde partir de la valeur de la premire :
bo
f T = (gm r B E )
fb
2pr B E C T
gm
gm
2pC T
2p(C B E + C B C )
gm
2pC B E
|VC E | = 10 V
C B E < 400 nF
f T > 3 MHz
60
2 Les transistors
Remarque. Dans les documents des fabricants de composants, il est trs rare de
trouver les capacits parasites du schma de Giacolletto notes C B E et C B C .
On trouve souvent C B E not Cib condensateur dentre (in) pour le montage base
commune et C B C not Cob condensateur de sortie (out) du montage base commune.
On trouve galement quelques fois C B C not C I C condensateur dentre pour le
montage collecteur commun.
D
G
G
S
a) Principe de fonctionnement
Considrons un transistor effet de champ jonction canal N (J.FET) tout fait schmatique, constitu dun barreau cylindrique de semi-conducteur de type N entour
dune zone de semi-conducteur de type P. Les extrmits de la zone centrale N sont
relies lune au drain, lautre la source. La zone P est relie la grille (figure 2.17).
Si toutes les lectrodes sont au mme potentiel, la zone N centrale et la zone P
priphrique forment une jonction PN non polarise et, au voisinage de la jonction,
il existe une zone de dpltion dpourvue de porteurs de charges : figure 2.17 (a).
Si la grille est au mme potentiel que la source (UG S = 0), et que lon porte le drain
un potentiel positif par rapport la source (U DS > 0), les lectrons sont attirs de la
source vers le drain, ils se dplacent dans la zone N en vitant la zone de dpltion et
en empruntant une sorte de canal constitu par la zone N au voisinage de laxe du
61
pincement
canal
G
G
P
S
(a)
(b)
(c)
Ici, avec UG S = 0,
U DS = U P + 0 = U P (U DS > 0)
UG S
1
Up
2
62
2 Les transistors
b) Rseau de caractristiques
U GS = 0 V
9
8
zne
rsistive
zne de pincement
DS = c
ste
>U
Avalanche
U GS = -0,5 V
6
5
4
U GS = - 1 V
3
2
U GS = - 1,5 V
1
GS
-3
-2 -1
UP
-U p -1
Up
39
40
41
U DS (Volt)
63
Substrat
Substrat
Substrat
(a1)
(b1)
(c1)
D
G
Substrat
S
(a2)
D
Substrat
S
(b2)
Substrat
S
(c2)
Figure 2.19 Symboles dun MOSFET appauvrissement canal N (a1 ) et canal P (a2 ),
enrichissement (b1 ) et (b2 ) et appauvrissement - enrichissement (c1 ) et (c2 ).
64
2 Les transistors
D
N
SiO 2
SiO 2
P
N N
SiO 2
can al
P
G
substrat
N
can al
N
S
S
V.M OS
(a)
(b)
(c)
Lallure des caractristiques dun VMOS est donne figure 2.21. En comparant avec les caractristiques du transistor effet de champ jonction JFET de la
figure 2.18, remarquez que la tension UG S est toujours positive, ce qui est caractristique dun MOS enrichissement. La tension seuil est 1,4 V pour lchantillon
tudi, le constructeur donne la valeur minimum : 0,8 V et la valeur typique : 1,7 V.
I D (A)
I D(A)
U GS = 10 V
UGS = 9 V
8V
7V
6V
5V
4V
3V
0,2
0,2
0
UGS (Volt)
2V
0
10
20
UDS (Volt)
Lordre de grandeur du courant I D est 10 fois plus lev, non pas parce que cest
un transistor MOS mais parce que cest un transistor de puissance, un VMOS. (Le
65
Dans la zone de pincement dun transistor effet de champ, on dfinit la transconductance ou pente gm et La rsistance drain - source rds :
La pente gm
gm =
DI D
DUG S
U DS =cte
UG S
1
Up
2
Pour un JFET, on a :
I D = I DSs
En drivant on obtient :
d ID
2I DSs
gm =
=
dUG S
Up
UG S
1
Up
2I DSs
Cette pente est maximale lorsque UG S = 0, elle est alors gale : gmo =
Up
ID
UG S
Do :
gm = gmo 1
= gmo
Up
I DSs
La rsistance drain-source rds
66
2 Les transistors
Courant de grille
iD
G iG= 0
ve
gmvGS
rds
vS
S
Figure 2.22 Schma quivalent dun transistor effet de champ.
Pour un JFET la diode grille - canal est polarise en inverse et le courant dans
une diode polarise en inverse est de lordre dune dizaine de nano-ampres 25 C.
Cependant, il augmente rapidement (loi exponentielle) avec la temprature.
Pour un MOS le courant traversant la couche isolante de silice est minime et ce
sont les courants de fuite dans lair ou travers le botier ou encore dans le dispositif de protection destin viter la destruction de la couche de silice par claquage
dilectrique si elle est soumise une forte tension lectrostatique, qui interviennent
le plus.
67
Dune part, la jonction grille-drain au niveau du drain est polarise plus ngativement
que la jonction grille-source au niveau de la source. La limite pour laquelle la jonction
grille-canal nest plus polarise en inverse est celle pour laquelle la jonction grillesource est dbloque ce qui se produit pour UG S = 0. La caractristique UG S = 0
limite la zone de rsistive sur la gauche.
Dautre part, comme UG D > UG S , le pincement intervient au niveau du drain
lorsque UG D = U P et U DS = U P + UG S . La limite entre la zone rsistive et la zone
de pincement est la parabole I D = f (UG S ) dcale de U P .
Avec UDS ngatif, on a UGD < UGS
Dune part, la limite pour laquelle la jonction grille-canal nest plus polarise en
inverse est celle pour laquelle la jonction grille - drain est dbloque ce qui se produit
pour UG D = 0 soit :
U DS = U DG + UG S = UG D + UG S = 0 + UG S = UG S .
Dautre part, le pincement intervient au niveau de la source, lorsque UG S = U P . La
caractristique UG S = U P dans le quadrant ngatif limite la zone rsistive. Cest
encore la parabole I D = f (UG S ) mais inverse. Rien ne permet, en effet, de distinguer la source du drain en ce qui concerne la morphologie dun JFET. Les zones de
semi-conducteurs dops sont de mme dimension et on aurait trs bien pu appeler
drain ce quon a appel source et inversement.
I D (mA)
I D (mA)
dblocage
jonction. G-S
U GS = 0
-0,5 V
1
5
pinceme nt drain
-1
U GS = -0,5 V
0, 8
U GS = - 1 V
-3
U GS = -1,8 V
1
-1
-2
-1
pinceme nt
source
-2,8
-2
dblocage jonction
G-D
-3
-0,5
-1,8
-1
-1,5
-1,8
U DS (Volt)
0, 1
-1,8
0,2
-1,5
-1
-4
-5
-0,5
0
-1
-6
(a)
(b)
U DS (Volt)
68
2 Les transistors
On voit que les caractristiques ne sont pas linaires dans toute la zone rsistive
ainsi dlimite dans le quadrant positif et dans le quadrant ngatif. On les utilise
gnralement au voisinage immdiat de lorigine, de part et dautre de celle-ci.
b) Variation de la rsistance drain-source dans la zone rsistive
Les caractristiques peuvent tre assimiles des portions de droites sur une plage
denviron 100 mV de part et dautre de lorigine. La pente de la tangente aux caractristiques est linverse de la rsistance drain-source rds une composante alternative :
id
1
=
rds
u ds
Le constructeur indique gnralement la valeur minimale rdson de la rsistance drain
source que lon obtient pour UG S = 0 autour de U DS = 0. La rsistance rds , dans
cette zone rsistive varie donc de rdson linfini lorsque UG S passe de zro U P .
Comment varie rds entre ces deux valeurs extrmes ?
La loi de variation de I D dans la zone rsistive est la suivante :
2
2
UG D
UG S
UG S
UG D
I D = I DSs 2
Up
UP
UP
UP
Cette formule nest pas retenir, mais on pourra remarquer sa symtrie traduisant la
symtrie de morphologie du FET, symtrie qui apparat du fait que les tensions sont
prises partir de la grille. De plus, si on cherche les limites de la zone de pincement
en faisant UG D = U P (quadrant positif) ou UG S = U P (quadrant ngatif), on retrouve
les formules donnant I D en fonction de UG S dans la zone de pincement (quation de
la parabole).
Dans la zone rsistive, en faisant le changement de variables :
UG D = UG S + U S D = UG S U DS
On trouve :
2I DSs
ID =
UP
I D = gm U DS
En drivant :
I DSS 2
UG S
1
U DS 2 U DS
UP
UP
I DSS 2
2 U DS
UP
1
id
2I DSs
=
= gm
U Ds
rds
u ds
U P2
Autour de U DS = 0, on trouve :
rds
1
gm
69
1
gm0
500
rdson
100
UP
-3
-2
-1
U GS (volt)
Applications. En premier lieu, ils constituent les interrupteurs commands en tension. Si UG S > U P ils prsentent une rsistance infinie, comme un interrupteur ouvert
( off ), et si UG S = 0, ils prsentent une rsistance faible rdson , comme un interrupteur ferm ( on ). rdson peut descendre jusqu 50 V ou moins pour des FET prvus
pour fonctionner comme interrupteurs commands cest--dire en commutation.
Cette proprit trouve de nombreuses applications : dcoupage, modulation ou multiplexage. Lorsque le FET fonctionne ainsi en commutation, on passe trs rapidement
dune extrmit lautre de la courbe rds = f (UG S ). Lorsquil fonctionne en rsistance variable, on nutilise gnralement quune portion de cette courbe, on va en
voir un exemple.
Exemple : Attnuateur variable. On connat le montage potentiomtrique (attnuateur ou diviseur de tension). Il peut tre ralis avec une rsistance variable rds . Celleci est commande en tension par la tension continue UGC . Les tensions dentre et de
sortie sont alternatives pures, et U DS = 0. Il faut limiter la tension dentre pour que
la tension de sortie reste infrieure une centaine de mV, et ne soit pas dforme.
70
2 Les transistors
ve
ve
vS
ve
rDS
vS
uGS
rDS
vS
ID
UG S
do :
gm = gmo 1
= gmo
Up
I DSs
La rsistance drain-source rds : par dfinition, cette rsistance est donne par :
DU DS
1
rds =
; autour de U DS = 0, on trouve : rds
DI D UG S =cte
gm
Exercices
71
EXERCICES
Exercice 2.1
I C1
B
I B = I B1
IC2
T1
I E1
IB2
T2
E
Dunod La photocopie non autorise est un dlit
Solution
I B2 = I E1 = IC1 + I B1 = b1 I B1 + I B1
IC = b2 I B2 = b2 (b1 + 1) I B1 b1 b2 I B1 = b1 b2 I B
b b1 b2
72
2 Les transistors
iC1
iB1
1IB1
rBE1
iB2
vBE
C iC2
rCE1
2IB2
rCE2
vCE
rBE2
E
Figure 2.27 Schma quivalent du transistor Darlington constitu de deux transistors NPN.
i B2 = i B1 + b1 i B1 +
vC E i B2r B E2
rC E1
Exercices
73
vB E
r B1 i B + b1r B E2 i B
=
= r B1 + b1r B E2
iB
iB
Cette rsistance est plus leve que la rsistance dun seul transistor.
Rsistance de sortie
rCE1
2IB2
IB2
rCE2
vCE
rBE2
Figure 2.28 Schma quivalent simplifi qui sert pour dterminer la rsistance de sortie.
Il vient
i C = b2 i B2 +
vC E
vC E
,i B2 =
rC E2
r B E2 + rC E1
1
1
1 + b2
b2
1
1
+
+
rC E1 + r B E2 rC E2
rC E1 rC E2
rC E
rC E1
rC E2
rC E1
b2
//rC E2 = rC E1
b2
+ rC E2
b2
74
2 Les transistors
26 103
26 103
=
= 13 103 = 13 kV
I B01
2 106
r B E2
26 103
26 103
26 103
=
=
= 433 V
I B02
b1 I B01
30 2 106
b
3 000
=
0,115 S
rBE
26 000
=
=
16,6 103 V = 16,6 kV
IC02
b1 b2 I B01
30 100 2 106
rC E1
16,6 106
rC E2
16,6 103
b2
100
rC E1
=
8,3 103 V = 8,3 kV
6
16,6
10
+ rC E2
+ rC E2
b2
100
rC E1
rC E2
rC E
Exercice 2.2
collecteur
DVC E0
V
C = C E0
Db
b
Exercices
75
RC
I1
R1
I B0
R2
IC0
VCE0
+
_ VCC
VBE0
Solution
VB E0
0,7
IC0
, VC E0 VB E0 = I1 R1
I2 = I1 I B0 =
=
= 0,233 mA, I B0 =
3
R2
3 10
b
VCC = RC (b + 1) I B0 + I2 + R1 [I B0 + I2 ] + R2 I2
VCC = (RC + R1 + R2 ) I2 + (b + 1) RC + R1 I B0
On utilise les valeurs de lapplication numrique pour dterminer la valeur de I B0 :
12 = 33 103 0,233 103 + 101 3 103 + 27 103 I B0
On en dduit :
I B0 =
12 7,689
= 13,06 106 A = 13,06 mA
330 103
Le courant I1 devient :
76
2 Les transistors
2. Taux de stabilisation
Le courant I2 qui passe dans la rsistance R2 reste une constante :
I2 = I1 I B0 =
VB E0
0,7
=
= 0,233 mA
R2
3 103
On refait le mme calcul pour une valeur de b = 200, on obtient en utilisant les
valeurs de lapplication numrique pour dterminer la valeur de I B0 :
12 = 33 103 0,233 103 + 201 3 103 + 27 103 I B02
On en dduit :
I B02 =
12 7,689
= 13,06 106 A = 6,84 mA
630 103
= 6,99 %
100
Db
1,33
100
150
b
0,186
DVC E0
0,186 150
7,25
V
=
= 3,84 %
C = C E0 =
100
Db
7,25
100
150
b
On remarque que la stabilisation est bonne. Pour stabiliser IC0 et VC E0 , il faut
donc choisir :
R1 bRC
Exercices
77
RB2
RC
RB1
RE
Solution
2
IC0
2
= 2 103 = 2 kV
103
78
2 Les transistors
IC(mA)
1,71
12
VCE(V)
E T H = VCC
R B1 + R B2
R B1 + R B2
b
E T H = 12
R B1
R B1 R B2
103
= 2,7 V
R B1 + R B2
R B1 + R B2
100
101 R B2
104
= 2,7 V
104 + R B2
104 + R B2
9,7
On trouve donc : (12 2,7) 104 = 2,8 R B2 soit : R B2 =
104 = 34,6 kV.
2,8
Lquation de la droite de charge est : VCC = RC IC0 + VC E0 + R E IC0
La droite passe par point de coordonnes : (VC E = VCC = 12 V, IC = 0 mA),
VCC
12
=
= 1,76 mA .
et le point de coordonnes : VC E = 0, IC =
RC + R E
7 103
12
Soit :
R B1 + R B2
R B1 + R B2
b
10
IC0
10 34,6
= 12
=
103
+ 0,7 + 2 103 IC0
10 + 34,6
10 + 34,6
300
E T H = VCC
ET H
Exercices
79
2,69 0,7
0,982
2 025,86
RD
VDD=30 V
RG
RS
80
2 Les transistors
Solution
2IDSS
,
UP
soit : U P =
2IDSS
24 103
=
= 3 V
gm0
8 103
Or,
UG S
1
UP
2
= R S 24 10
1,5
1
3
2
1,5 V
1,5 4
= 250 V
2 =
24
103
1,5
24 103 1
3
UG S
1
UP
2
= 24 10
1,5
1
3
2
= 24 103
1
= 6 mA
4
Exercices
81
10,5
VDD= 30
VDS(V)
82
2 Les transistors
V CC
I1
R1
RC1
RE2
I B1
T1
R2
T2
RE1
RC2
I C2
-VCC
Figure 2.34 Amplificateur transistors NPN et PNP.
Solution
VC2 = 0
VCC VEC2
VCC VEC2
12 10
=
= 500 V
I E2
IC2
4 103
VCC VC1
12 9,28
=
= 0,272 mA
RC1
10 103
Exercices
83
4 mA
IC2
= 0,272 mA +
= 0,312 mA
b
100
0,3766 mA
I E1
=
= 3,729 mA
b1 + 1
101
100 30 kV
R1 R2
bR E1
=
= 60 kV
=
R1 + R2
50
50
En plus, le potentiel de la base est nul (VB1 = 0 volt), or ce potentiel est obtenu en
appliquant le thorme de superposition :
Enfin sachant que : R B = R1 //R2 =
VB1 = 0 =
R2
R1
VCC +
(VCC )
R1 + R2
R1 + R2
R2
R1
VCC =
VCC ce qui donne : R1 = R2 .
R1 + R2
R1 + R2
R12
R1
R1 R2
= 60 kV, on en dduit :
=
=
Puisque,
R1 + R2
2R1 2
2
Soit :
R1 = R2 = 120 kV
Exercice 2.6
84
2 Les transistors
I C2
I1
I1
RU
R1
T1
RU
R1
+
_ VCC
T2
T1
T2
VBE1 VBE2
VBE1 VBE2
I E2
I E1
I C2
I E1
(a)
+
_ VCC
RE2
I E2
(b)
Figure 2.35 Miroir de courant sans rsistance RE (a) et avec rsistance RE (b).
Solution
I1 = IC1 + I B1 + I B2 = IC1 + 2I B = (b + 2) I B
IC2 = bI B1 = bI B
Or,
On en dduit :
IC2 =
b
100
I1 =
I1 0,98I1
b+2
102
Le courant IC2 est pratiquement identique au courant I1 . Cest cette proprit qui
justifie le nom donn ce circuit : miroir de courant.
2. Calcul de la valeur de R1 et de la valeur maximale de RU
Puisque le courant IC2 est : IC2 = 30 mA I1 , on peut crire : I1 R = VCC VB E
Soit :
R1 =
VCC VB E
12 0,7
=
376,666 kV
I1
30 106
Cette valeur est trs leve et prend beaucoup de place (surface) dans un circuit intgr.
Il va de soi que la rsistance RU ne peut pas prendre nimporte quelle valeur. La
valeur limite est impose par la tension dalimentation et la tension de saturation du
transistor T2 .
RU max =
VCC VC E(saturation)
12 0,3
=
390 kV
I1
30 106
Exercices
85
On peut crire :
IC = bI B = bI S e
Or,
Avec :
VB E
VT
KT
26 mV la temprature ambiante T = 300 K
q
IC1
IC2
VB E1 = VT ln
; VB E2 = VT ln
bI S
bI S
VT =
On en dduit :
Or,
VB E1 = VB E2 + R E I E2 VB E2 + R E IC2
On dtermine :
R E2 =
I1 IC1 =
IC1
bI S
VT ln
IC2
IC2
bI S
VT
=
ln
IC2
IC1
IC2
VCC VB E
12 0,7
=
1,13 mA
R1
10 103
Exercice 2.7
86
2 Les transistors
RG2
VDD=10 V
RG1
RS
Figure 2.36 Polarisation dun JFET canal N par deux rsistances de grilles.
Solution
VDD= 10
et
(0 V, 10 mA)
VDS(V)
Exercices
87
VG S
1
VP
=
ID
I DSS
=
5
0,707.
10
VG S = V P (1 0,707) = 1,172 V.
RG1
100 103
VD D =
10
RG1 + RG2
100 103 + RG2
On en dduit donc :
RG2 =
61,72
103 = 161,233 kV.
0,3 828
Chapitre 3
Les amplificateurs
3.1 INTRODUCTION
3.1.1 Gnralits
Dans beaucoup de domaines, on veut obtenir partir dun signal dentre de faible
amplitude ou de faible puissance (issu par exemple dun capteur ou dune antenne),
un signal de mme forme capable de dlivrer un rcepteur (haut parleur, moteur)
une tension ou un courant de mme forme (une rplique exacte) et damplitude plus
grande. La puissance dlivre par le signal de sortie est aussi plus importante que
celle dlivre par le signal dentre.
Le dispositif de liaison qui permet ce gain (en tension, en courant ou en puissance)
est un amplificateur. Les amplificateurs lectroniques sont utiliss dans plusieurs circuits lectroniques (instrumentation, radio et tlvision, sonorisation, contrle...)
La structure gnrale dun circuit damplification est donne la figure 3.1.
source de tension
continue
signal dentre
e(t)
amplificateur
signal de
sortie s(t)
Charge
La source de tension continue (alimentation) fourni la puissance ncessaire lamplificateur pour polariser les composants (point de repos) : montages transistors,
amplificateurs oprationnels ou amplificateurs spcifiques. Le signal dentre est souvent un signal bas niveau et le signal de sortie est un signal haut niveau. Lamplification ne concerne souvent que le signal alternatif (point de fonctionnement qui se
dplace autour de sa position de repos).
3.1 Introduction
89
Lamplification est linaire si le gain de lamplificateur reste constant lorsque lamplitude de lentre varie. On parle de saturation si, lorsque lentre augmente mais la
sortie reste constante.
Lamplificateur le plus simple et le plus lmentaire est constitu dun transistor (bipolaire, FET ou MOSFET) polaris par une source de tension continue, est
attaqu son entre par le signal alternatif amplifier. Les grandeurs lectriques le
rgissant peuvent tre considres comme la superposition de grandeurs continues et
alternatives.
Or, le transistor est un lment non linaire et il faut linariser les caractristiques
du transistor, pour cela, on pratique ce quon appelle lamplification petits signaux :
on polarise lentre avec un niveau continu et le signal amplifier se superpose ce
niveau.
En sortie, on doit dduire le niveau continu, pour ne garder que le niveau alternatif,
rsultant de lamplification petit signal.
VCE
VCC
IC0+DIC
RC
IB0+DIB
VCE0
temps
RB
VCE0+DVCE
VBE0+DVBE
(a)
VBE0
temps
VBE
(b)
Figure 3.2 Principe dune amplification transistor (a) et caractristique non linaire de la
tension de sortie en fonction de la tension dentre (b).
90
3 Les amplificateurs
b) Hypothses
Afin de faciliter ltude des amplificateurs transistor, nous adoptons les hypothses
de travail suivantes :
le signal alternatif amplifier est de faible amplitude par rapport au signal
continu de polarisation ;
le fonctionnement du circuit est linaire ce qui nous permet dappliquer le tho-
rme de superposition ;
les condensateurs utiliss dans le montage se comportent dune part comme des
91
du composant actif qui est mis en commun entre lentre et la sortie. Ainsi, on parle
damplificateur metteur commun, plaque commune ou drain commun. Ces
noms renseignent aussi sur le type de technologie utilise. Par exemple, un amplificateur metteur commun utilise un transistor bipolaire, celui plaque commune un
tube tandis quun amplificateur drain commun utilise un MOSFET ou un JFET.
92
3 Les amplificateurs
Rg
vg(t)
v1(t)
Re
RU
vg (t)
Re + R g
RU + R S
RS
Re
RU vs(t)
AVv1
R2
Rg
RC
C1
ve
93
vS
R1
V CC
CE
RE
On note :
RE
1 + jR E C E v
ZE =
et
R P = R1 //R2 =
R1 R2
R1 + R2
a) Schma quivalent
R P = R1 //R2 =
Une tude dtaille de ce montage sera prsente au 3.4. Pour le moment, on peut
supposer que r g = 0.
Si, r g = 0, on obtient : Rq = r B E et ve = e
Rg
iB B
iB
rBE
ve
R2
iB
R1
vS
RC
ZE
(a)
iB
Rq
RC
ZE
(b)
vS
94
3 Les amplificateurs
b) Gain en tension
v S = bi B RC
vs
bi B RC
bRC
=
=
ve
Rq i B + (b + 1)i B Z E
r B E + (b + 1)Z E
Ye =
On en dduit :
iP iB
1
1
+
=
+
ve ve
R P r B E + Z E (b + 1)
Z e = Re = R P // r B E + Z E (b + 1)
d) Impdance de sortie
Les ordres de grandeurs montrent que lamplification, limpdance dentre et limpdance de sortie deviennent :
AV =
vs
bi B RC
bRC
bRC
RC
=
=
ve
r B E i B + (b + 1)i B R E
r B E + (b + 1)R E
r B E + (b + 1)R E
RE
Z e = Re = R P // (r B E + Z E (b + 1)) = R P // (r B E + R E (b + 1)) R P
v S
Z S = RS =
= RC //r RC
i S ve =0
95
Les condensateurs sont considrs comme des courts-circuits. Les ordres de grandeurs montrent que lamplification, limpdance dentre et limpdance de sortie
deviennent :
vs
bi B RC
bRC
AV =
=
=
gm RC
ve
r B E i B + (b + 1)i B Z E
rBE
Z e = Re = R P // (r B E + Z E (b + 1)) R P //r B E r B E
v S
Z S = RS =
= RC //r = RC
i S ve =0
gm 38IC0
La pente gm est :
IC
R2
C1
ve
C2
R1
RE
RU v
Le schma quivalent est donn la figure 3.7. On remarque que lentre et la sortie
ne sont pas spares. La charge influe sur limpdance dentre et limpdance interne
du gnrateur dattaque influe sur limpdance de sortie.
96
3 Les amplificateurs
Rg
eg
rBE
iB B
R2
R1
ve
iS
RE
iB
vS
b) Gain en tension
v S = (b + 1)i B R E
vS
(b + 1)R E
Le gain vide dun collecteur commun est : A V =
=
ve
r B E + (b + 1)R E
On remarque que la sortie et lentre sont en phase et que le gain est lgrement
infrieur 1.
c) Impdance dentre
Ye =
On en dduit :
iP iB
1
1
+
=
+
ve ve
R P r B E + R E (b + 1)
Z e = Re = R P // (r B E + R E (b + 1))
On calcule le rapport : Y S = G S =
IS
VS
rBE
iB B
Rg
R2
97
R1
iS
iB
RE
vS
I S = (b + 1) I B +
On en dduit :
YS = G S =
VS
RE
et
IB =
VS
Rq
IS
1
b+1
=
+
VS
RE
Rq
Souvent, si r g = 0, on a :
GS =
IS
1
b+1
b
=
+
= gm
VS
RE
rBE
rBE
1
VS
rBE
IS
b
gm
Le montage collecteur commun prsente donc les caractristiques suivantes :
La rsistance de sortie devient : R S =
Il est vident que ce montage ne sert pas pour amplifier un signal, mais il est utilis
comme adaptateur dimpdance.
Situ en amont dun vrai montage amplificateur, il permet daugmenter son impdance dentre, situ en aval dun vrai montage amplificateur, il permet de linterfacer
avec une faible charge, et ceci, sans modifier le gain en tension de ltage.
98
3 Les amplificateurs
Re =
Ve
rBE ;
ie
RS =
VS
VC
=
=
Ve
VE
VS
RC ;
iC
Ai =
iC
1
ie
et
A P = A V Ai A V
VCC
IC
R2
C1
RC
C3
vS
R1
C2
RE
ve
99
Rg
R2
RC
C1
ve
vS
R1
RE
V CC
CE
On suppose que le transistor est polaris correctement et on commence par dterminer les droites de charge.
En continu, lquation qui relie le courant IC la tension VC E est donne par la loi
dohm :
VCC
VC E
VCC = RC IC + VC E + R E IC soit : IC =
RC + R E
RC + R E
Il sagit dune droite de pente ngative (1/ (RC + R E )), appele droite de charge
statique. Cette droite est le lieu de tous les points de fonctionnement du montage.
Pour un courant de base I B0 impose par le circuit form par : VCC , R1 et R2 , le
point de fonctionnement N est le point qui se trouve lintersection entre la droite
de charge statique et la caractristique de sortie du transistor donne pour I B0 .
b) Droite de charge dynamique
100
3 Les amplificateurs
Il sagit dune droite de pente ngative 1/ RC //RU appele droite de charge dynamique. Cette droite doit passer par le point de fonctionnement du montage.
VCC
IC
IC
R2
RC
C1
ve
R1
RE
VCC
RC+RE
IC0
C2
CE
RU
variation de IC
pour IB =IB0
vS
VCE0
VCEMax
(a)
VCC
VCE
(b)
Figure 3.11 Montage metteur commun dcoupl (a) et caractristiques de sortie (b).
et
R P = R1 //R2 =
R1 R2
R1 + R2
e = e = ve
Rg
iB B
R2
R P Rg
R P + Rg
iB
iB
rBE
ve
Rq
=
R1
Rq = Rq
+ rBE
vS
RC
ZE
(a)
iB
Rq
RC
et
ZE
(b)
vS
101
bRC
RE
1 + j RE CE v
bRC
1 + j RE CE v
vs
=
Rq
e
Rq + (b + 1) R E
1 + ( j R E C E v)
Rq + (b + 1) R E
v
1+ j
bRC
v1
=
v
Rq + (b + 1) R E
1+ j
v2
Rq + (b + 1)
1
RE CE
et
Rq + (b + 1) R E
1
v2 = 2p f 2 =
R C
R
E E
q
(b + 1) R E
v2 = v1 1 +
Rq
f
ve
R P + Rg
Rq + (b + 1)R E
1+ j
f2
1+ j
avec : f 2 > f 1
f
vs
f1
Le gain peut donc se mettre sous la forme : A V =
= Am
f
ve
1+ j
f2
1+ j
102
3 Les amplificateurs
G(dB)
AM
Am
20dB/dec
f0
f1
log(f)
f2
0
-180 (ou +180)
f1
f0
f2
log(f)
gm 38IC0
103
Soit un circuit complexe, et une impdance Z entre les nuds (1) et (2) de ce circuit.
Vue du nud (1), limpdance Z qui est parcourue par le courant i est quivalente
une impdance Z 1 , situe entre ce nud (1) et la masse et dont la valeur est :
v2
1
Z
v1 v2
v1
v1
i=
; Z1 =
; i = v1
=
Z
v2
Z
Z
1
v2
v1
1
v1
(1)
i
(1)
v1
(2)
v1
v2
(2)
Z1
Z2
v2
De mme, pour le nud (2), Z est quivalente une impdance Z 2 situe entre ce
nud (2) et la masse dont la valeur est :
Z
Z2 =
v1
1
v2
b) Effet Miller (proprement dit)
104
3 Les amplificateurs
C
(1)
(2)
Av
v1
v2
Si A V est un rel ngatif, A V = |A V | on a : C1 = C 1 + |A V |
Av
v 1 C1
C2
v2
Rg
CBC
iB B
CBE
rBE
RP
ve
rBB
105
gmv
RC
vS
"
rBB
CBC
iB B
CBE
rBE
gmv
RC
vS
CBC
CBE
gmv
RC
vS
106
3 Les amplificateurs
gmv
RC
C2
vS
1
Avec :
C1 = C B C
et C2 = C B C 1 v
s
v
Pour dterminer une valeur approche de la frquence de coupure haute, on
approche le rapport v S /ve par sa valeur en basses frquences. Cest--dire lorsquon
nglige les condensateurs :
vS
gm RC
v
On pose :
vS
1
v
C T = C B E + C1 C B E + C B C (1 + gm RC )
C2 C B C
1
1+
gm R C
lentre,
f Ce =
2prC T
2pr [C B E + C B C (1 + gm RC )]
1
la sortie,
f Cs =
1
2prRC C B C 1 +
gm R C
La frquence de coupure haute ( 3 dB) du montage est la plus petite des deux
frquences de coupure ci-dessus.
Remarque. En gnral, les valeurs numriques sont telles que :
C2 C B C ;
f Ce f Cs si bien que, f C H f Ce
107
G(dB)
AM
20dB/dec
40dB/dec
log(f)
f Cs
f Ce
Figure 3.23 Courbe asymptotique du gain en hautes frquences dun montage en metteur
commun.
RD
Rg C1
C2
VDD
eg
RG
RS
CS
RU
vS
108
3 Les amplificateurs
eg
e eg RG
gmuGS
rDS
RD
RU vS
109
eg
RG
C2
RS
VDD
RU
vS
a) Schma quivalent
Le drain qui tant reli la borne positive (+) de lalimentation, se trouve la masse
en alternatif. On obtient le schma quivalent suivant :
Rg
iD
uGS
eg
RG
gmuGS
rDS
RS
RU vS
110
3 Les amplificateurs
is
= G S + gds + gm G S + gm
u sd
is
gm
d) Gain en charge
Lamplificateur se met sous la forme dun quadriple avec une impdance dentre
Z e , une impdance de sortie Z S et une source de tension commande en tension
A V 0 u G S . Le gain en charge devient :
AV =
vS
uGS
RU
Ze
=
AV 0
uGS
eg
RU + Z S
Z e + Rg
AV =
RU
Ze
gm R S
RU + Z S
Z e + Rg
1 + gm R S
Impdance de sortie :
Z S = RD
Amplification en tension vide : A V =
VS
= gm R D
Ve
111
VDD
ID
RD
C2
vS
C1
RS
ve
VCC
IC
VCC
RC+RE
RC
R2
vS
ve
IC0
IC
RE
R1
VCE0
(a)
VCC
VCE
(b)
Figure 3.29 Montage en classe A : metteur commun non dcoupl (a) et Droite de charge
statique et point de fonctionnement (b).
112
3 Les amplificateurs
VC2 E0
V2
+ S
RC
2RC
Le premier terme est une constante, seul le deuxime terme contient le signal utile
(information). La puissance utile qui est dissipe dans RC est donc :
PU =
VS2
2RC
VCC VC E0
RC
VS2
VS2
2RC
Le rendement est donn par : h =
=
VCC VC E0
2VCC VC E0
RC
Le rendement est maximal lorsque la tension de sortie atteint la valeur maximale :
VS = VCC /2. Dans ce cas, la polarisation est gale aussi VC E0 = VCC /2 :
2
2
VS(max)
VCC /2
1
=
= = 0,25 = 25 %
hmax =
2
2
4
VCC
VCC
113
Z e bRU
et hMax =
PUtile
p
= 78,5 %
Pfournie
4
VCC
iC1
T1
ve
T2
RU
VCC
RU
IC1
point AB
vS
point B
iC2
VCC
VCE1
_V
CC
(a)
(b)
Figure 3.30 Montage simple dun amplificateur en classe B (a) et Droite de charge dynamique
du transistor T1 et point de polarisation (b).
114
3 Les amplificateurs
VCC
distorsion de
croisement
VS
t
_V
CC
Figure 3.31 Mise en vidence de la distorsion de croisement.
ve
T2
RU
vS
iC2
_V
CC
115
ve
EB
vCE=vS
ic
icmax
t
(a)
(b)
116
3 Les amplificateurs
3.7.2 Caractristiques
Une structure diffrentielle permet cette amplification, mais permet aussi :
+
+
Ve
Ve
VS
Ve-
+
-
+ +
A Ve
A- V -e
3.7.3 Dfinitions
La tension de sortie peut tre rfrence la masse ou ne pas ltre, on dit alors que la
sortie est flottante. De mme lentre peut tre diffrentielle ou rfrence par rapport
la masse.
La diffrence de potentiels en sortie est : U S = AC VC + A D U D
AC : gain en mode commun et VC = Ve+ + Ve /2 : tension dentre en mode
commun.
A D : gain en mode diffrentiel et U D = Ve+ Ve : tension dentre en mode
diffrentiel.
117
IC
IC
RC
RC
B1
B2
T2
T1
VCC
R2
IE
T3
RE
R1
VEE
118
3 Les amplificateurs
Sortie rfrence :
U S = VC2
Ve+ = Ve = Vc :
mode commun
Vs =
TRMC
Impdance dentre
Sortie flottante :
U S = VC1 VC2
TRMC
R c gm
Vc
1 + 2R E gm
Acr
Ve+ = Ve = U D /2
mode diffrentiel
Vs = +
R c gm
UD
2
ADR
R E gm
Us =
Rc Dgm
Vc
1 + 2R E gm
Acr
2
2R E gm
Dgm
Us = R c gm U D
AD
119
Base commune
gm R C
Amplification vide A V =
1 + gm Z E
Rsistance dentre
Collecteur commun
RC
Av
gm R C A v 1
rBE
Z e = Re
= R P // (r B E + R E (b + 1))
Re =
Ve
rBE
ie
RS =
VS
RC
iC
Z e = Re
= R P // (r B E + R E (b + 1))
RS =
VS
rBE
1
IS
b
gm
Z e bRU
et hmax =
PUtile
p
= 78,5 %
Pfournie
4
PUtile
peut atteindre les 90 % et mme plus.
Pfournie
Sortie rfrence
VS = VC2
Ve+ = Ve = Vc :
mode commun
Vs =
R c gm
Vc
1 + 2R E gm
Acr
Sortie flottante
U S = VC1 VC2
Us =
Rc Dgm
Vc
1 + 2R E gm
Acr
Ve+ = Ve = U D /2 :
mode diffrentiel
Vs = +
R c gm
UD
2
ADR
Us = R c gm U D
AD
120
3 Les amplificateurs
EXERCICES
Exercice 3.1
RC
C3
VCC
C2
RE
Rg
eg
RU
vS
Solution
+ VB E0 + R E IC0
R1 + R2
R1 + R2
b
400
10
IC0
15 =
103
+ 0,7 + 103 IC0
50
50
100
On dduit la tension VC E0 :
soit :
soit :
IC0 = 2,13 mA
Exercices
121
2. Schma quivalent
Le schma quivalent sobtient en faisant les remarques suivantes :
les condensateurs sont remplacs par des courts-circuits ;
le schma quivalent du transistor ne compte pas les condensateurs interlectrodes.
La rsistance de la jonction base-metteur est note r B E et rC E est la rsistance vue
entre le collecteur et lmetteur. La valeur de cette dernire rsistance est trs leve.
rCE
ie
Rg
ve R E
eg
iB
iB
RC
rBE
RU
vS
Rg
eg
iB
ve
RE
rBE ve
v RC
RU
vS
RU //RC
ve = i B r B E
et
vS =
v
RU //RC + rC E
RU //RC
ve = (bi B rC E ) + v soit : v S =
(ve (bi B rC E ))
RU //RC + rC E
RU //RC
b rC E
vS =
ve +
ve
rBE
RU //RC + rC E
122
3 Les amplificateurs
.
.
.RC
ve
rC E
rBE
rC E
rBE
rBE
Sachant que la valeur approche de la rsistance de la jonction r B E est :
rBE
26 mV
26 mV
=
b
I B0
IC0
ce qui donne :
1
IC0 RC 38 IC0 RC
26 103
Lexpression du gain est identique celle trouve pour un metteur commun, mais la
tension de sortie et la tension dentre sont en phase.
b) Rsistance dentre
On commence par transformer le gnrateur de courant bi B et la rsistance rC E
en un gnrateur quivalent de tension. Lorsquon applique une tension dentre
entre lmetteur et la masse, en sortie ouverte, le schma quivalent est celui de la
figure 3.39 (a).
AV
ie
ve
iB.rCE
rCE C
iB
RE
ve
RC
rBE
ie
iB
rBE
RE
iq Rq
(a)
(b)
bi B .rC E
r C E + RC
et
Rq = rC E + RC
Exercices
123
r B E (rC E + RC )
brC E
Re R E //r B E //
b
b
Lordre de grandeur de la rsistance dentre est de quelques dizaines dohm. Ce
montage ne peut tre utilis que pour avoir une adaptation dimpdance et sert pour
la haute frquence. Dans ce cas le gain total en tenant compte de la rsistance Rg
devient :
Re
A V (total) 38 IC0 RC //RU
Re + R g
c) Rsistance de sortie
On commence par transformer le schma quivalent en court-circuitant la source eg
et en dconnectant la charge RU . Le schma est donn la figure 3.40.
iB.rCE
rCE
iB
Rg
RE
RC
rBE
iS
vS
La tension v peut scrire de diffrentes faons, ce qui nous permet de dterminer les
diffrents courants qui circulent dans R E et dans Rg .
v = r B E .i B = R E .i E = Rg .i g
Ce qui donne :
iE =
rBE
.i B
RE
et
ig =
rBE
.i B
Rg
124
3 Les amplificateurs
iq iB.rCE
Rq
rCE
iS
vS
RC
r B E //R E //Rg
rBE
Exercice 3.2
Exercices
125
RC
T2 C 2
T1
Rg
v
I C2
R E1
R1
R U vS
RE
R E2
CE
Charge
Gnrateur
Solution
IC02
RC
IB01
ETH
RTH
VCE01
RE1+ RE2
VCE02
RE
ET H =
R1
50 103
VCC =
12 = 4 V
R1 + R2
50 103 + 100 103
126
RT H =
3 Les amplificateurs
R1 R2
50 103 100 103
=
= 33,33 103 = 33,33 kV ;
R1 + R2
50 103 + 100 103
R E1 + R E2 = 1,5 kV
On applique la loi des mailles lentre : E T H = RT H
IC0
+VB E01 +(R E1 + R E2 )IC0
b
On en dduit :
IC01 =
4 0,7
E T H VB E01
=
103 = 1,755 mA
0,33 + 1,5
RT H /b + (R E1 + R E2 )
VE2
6V
=
= 2 103 = 2 mA
RE
3 103
(VCC , 0 mA)
Exercices
127
VCC
12
=
103 = 2,66 mA
R E1 + R E2 + RC
0,5 + 1 + 3
En alternatif, on a :
vC E = RC //RU 1 + R E1 i C
Avec :
ICmax =
Il sagit dune droite qui passe par le point de repos (point de fonctionnement) et qui
a une pente ngative. On a :
tg (a1 ) =
RC //RU 1 + R E1
=
1
1
RC + R E1
RC //bR E + R E1
Lapproximation faite est justifie puisque la rsistance dutilisation du premier transistor, nest autre que la rsistance dentre du deuxime transistor. Cette rsistance
est de lordre de bR E .
La droite de charge dynamique coupe laxe des abscisses en un point dtermin de la
faon suivante :
tg (a1 ) =
On en dduit X :
1
1
1,75 103
=
=
RC + R E1
3,5 103
X
I (mA)
2,66
1,75
1
3,43
X = 6,12
VCE (V)
12
Figure 3.44 Droite de charge statique et droite de charge dynamique du premier transistor.
On remarque que le signal de sortie ne doit pas avoir une amplitude qui dpasser :
VSmax = Inf (X , VC E0 VC Esat ) = VC E0 VC Esat = 3,43 0,3 = 3,13 V
Pour le deuxime transistor, on a : VCC = R E IC02 + VC E2
128
3 Les amplificateurs
La droite de charge statique passe donc par les deux points de coordonnes :
(0 V , ICmax ) ;
(VCC , 0 mA)
VCC
12
=
103 = 4 mA
RE
3
vC E = R E //RU i C
Avec :
ICmax =
En alternatif, on a :
Il sagit dune droite qui passe par le point de repos (point de fonctionnement) et qui
a une pente ngative. On a :
tg (a2 ) =
1
RU //R E
1
1
2 103
=
=
R E //RU
1,5 103
X
On en dduit X :
I (mA)
4
2
6
X=3
VCE (V)
12
Figure 3.45 Droite de charge statique et droite de charge dynamique du deuxime transistor.
On remarque que le signal de sortie ne doit pas avoir une amplitude qui dpasse :
VSmax = Inf (X , VC E0 VC Esat ) = X = 3 V
Or, ce montage namplifie pas. Lamplitude du signal de sortie du premier montage
ne doit pas dpasser elle aussi 3 V.
Exercices
129
26 103
26 103
26 103
=
b =
100 = 1,48 kV
I B01
IC01
1,75 103
Rentre = 33,33 103 // 51,48 103 = 20,2 kV
La rsistance vue par la charge est la rsistance de sortie. Cette rsistance reprsente
aussi la rsistance de sortie du deuxime montage.
Or, ce dernier est un collecteur commun dont la rsistance de sortie est :
Rsortie
1
1
1
=
= 13 V
gm2
38 IC02
38 2 103
AV 1
RC //RU 1
RC
3 103
=
= 6
R E1
R E1
0,5 103
Le deuxime montage est un collecteur commun, son gain est pratiquement gal 1.
Le gain total devient donc :
A V = A V 1 A V 2 A V 1 = 6
Le gain composite est donn en tenant compte de la charge RU et de la rsistance
interne du gnrateur Rg .
Rentre
RU
AV
Rg + Rentre
RU + Rsortie
20 103
3 103
4,8
=
(6)
5 103 + 20 103
3 103 + 13
A V composite =
A V composite
130
3 Les amplificateurs
v
;
v0
Q=
RP
= RCv0
Lv0
RB2
RP
Cl1
Cl2
ve
RB1
vS
RE
CE
Exercices
131
Solution
G parallle =
RS
Rsrie
et
2
X srie
Bparallle =
XS
(a)
|Bparallle |
G paralllee
1
X srie
Gp
Bp
(b)
|X srie |
Lv0
30 106 2p 106
= 37,68
=
=
Rsrie
rS
5
Or, le coefficient de qualit de la bobine reste le mme lorsquon utilise la configuration parallle, il vient :
|Bparallle |
Rparallle
1
= Rparallle
= 37,68
=
Q L = Q srie = Q parallle =
G parallle
|X srie |
Lv0
On en dduit : Rparallle = Q L Lv0 = 37,68 30 106 2p 106 = 7,1 kV.
2. Calcul de la capacit C du condensateur
Lamplificateur slectif doit fonctionner une seule frquence (en ralit, il sagit
dune bande troite de frquence). La rsonance doit donc tre la frquence f 0 .
Or, la rsonance dun circuit bouchon est obtenue lorsque la partie imaginaire de
ladmittance quivalente est nulle.
1
1
Yq = G P + jCv +
= G P + j Cv
j Lv
Lv
1
1
= 0, soit : f = f 0 =
Lv
2p LC
1
1
=
= 845 1012 = 845 pF.
On en dduit : C =
4p2 30 106 1012
4p2 L f 02
la frquence de rsonance on a : Cv
132
3 Les amplificateurs
IC0
VCE0
RE
On remarque, que le collecteur est reli directement VCC (bobine remplace par
un court-circuit) et on transforme le circuit de polarisation en entre en utilisant le
modle de Thvenin quivalent.
ET H =
R B1
100 103
VCC =
12 = 6 V
R B1 + R B2
100 103 + 100 103
RT H =
R B1 R B2
100 103 100 103
=
= 50 103 = 50 kV
R B1 + R B2
100 103 + 100 103
IC0
+ VB E0 + R E IC0
b
E T H VB E0
6 0,7
103 = 0,504 mA
=
0,5 + 10
RT H /b + R E
Le potentiel du collecteur du transistor est : VC = VCC = 12 V
Le potentiel de lmetteur du transistor est :
0,504 103
3
VE = E T H RT H I B0 VB E0 = 6 50 10
0,7 = 5,04 V
100
On en dduit : IC0 =
Exercices
133
ve
RTH
gmve
rBE
rCE
RP
vS
Or,
Soit :
100
100
=
200 kV
IC0
0,504 103
rC E //R P =
Finalement, on trouve :
A V 38IC0 rC E //R P = 38 0,504 103 6,86 103 = 131
ve
RTH
rBE
C
gmve
RP
vS
La valeur de la rsistance rC E est leve devant R P , nous pouvons ngliger son effet
et nous pouvons dduire le gain en tension du montage :
AV =
vS
gm Z = gm
ve
R
P
1
1 + j R P Cv
Lv
134
3 Les amplificateurs
vS
gm
ve
R
RP
= gm
P
v
v0
1
1 + jQ
1 + jQ x
v0
v
x
vS
|gm R P |
A V max
=
2
1
ve
1 + j Q x
1
2
1+ Q x
x
x
1
2
1+ Q x
= 2,
x
soit :
1
x
x
2
=1
ou bien :
1
x
x
=
1
Q
1 1 + 4Q 2
x=
2Q
Il va de soi quon ne garde que les valeurs positives :
f C1
+1 + 1 + 4Q 2
x1 =
1,01335
=
f0
2Q
f C2
1 + 1 + 4Q 2
=
x2 =
0,9868
f0
2Q
Finalement, on trouve les deux frquences de coupures :
f C1 = 1,01335 MHZ
et
f C2 = 0,9868 MHZ
Exercices
135
Exercice 3.4
Amplificateur Bootstrap
Rg
Cl1
RB2
R
eg
RB1
Cl2
RE
RU
vS
Solution
R B1
100 103
VCC =
12 = 6 V
R B1 + R B2
100 103 + 100 103
RT H =
R B1 R B2
100 103 100 103
=
= 50 103 = 50 kV
R B1 + R B2
100 103 + 100 103
136
3 Les amplificateurs
V CC
V CC
I C0
I C0
RB2
I B0
I B0
R TH
RE
R B1
RE
E TH
(a)
(b)
E T H VB E0
6 0,7
103 = 1,325 mA
=
RT H + R
1+3
+ RE
b
La diffrence de potentiel entre le collecteur et lmetteur est :
On en dduit : IC0 =
ie B
Rg
C
IB
rBE
rCE
e
eg
RTH
RE
RU
vS
Exercices
137
et r B E i B = R i = R (i e i B )
rBE
+ r B E + Rq1 (b + 1) i B
eg = Rg i e + r B E i B + Rq1 (b + 1) i B = Rg + Rg
R
Lamplification devient :
Rq1 (b + 1)
1
vS
1
=
=
rBE
rBE = 1 + k
ve
+ Rq1 (b + 1)
Rg + r B E + Rg
Rg + r B E + Rg
R
R
1+
Rq1 (b + 1)
Application numrique :
26 103
26 103
26 103
=
b=
100 = 1,923 kV
I B0
IC0
1,325 103
= RT H //R E //RU = 50//3//3 103 = 1,456 103 V
rBE
Rq1
1,923
rBE
6,923 + 5
Rg + r B E + Rg
50 0,0483
R =
k=
Rq1 (b + 1)
1,456 101
Lamplification devient :
1
1
vS
=
=
0,954
ve
1+k
1 + 0,0483
Impdance dentre
Sachant que : Rq2 = R//r B E = 10//1,923 103 = 1,61 kV et r B E i B = Rq2 i e
e = Rq2 i e + Rq1 (b + 1) i B = Rq2 i e + Rq1 (b + 1)
Rq2
ie
rBE
138
3 Les amplificateurs
Impdance de sortie
eg
rBE
Rq1
IB
vS
C
Figure 3.54 Schma quivalent simplifi en petits signaux.
Z S = 1,456 103 // 6,61 103 = 1,19 103 = 1,19 kV.
Chapitre 4
Diodes et transistors
en commutation
4.1 GNRALITS
Mis part le cas assez exceptionnel de la sinusode, les signaux utiliss en lectronique comportent souvent une variation assez brusque.
Du circuit de balayage linaire pour oscilloscope ou pour tlviseur, au circuit qui
fournit un signal dhorloge ncessaire dans la quasi-totalit des montages logiques, en
passant par les gnrateurs de signaux en marche descaliers, les composants actifs
(transistors, amplificateurs oprationnels) doivent passer dun tat correspondant
une tension de sortie nulle un tat pour laquelle la tension de sortie est diffrente de
zro et dont la valeur sera dtermine pralablement.
Cest pour tenir compte de la limitation intrinsque commuter instantanment
quon va prsenter les phnomnes qui sont lorigine des diffrents temps de commutation et ce pour les deux composants de base : la diode et le transistor bipolaire.
Il va de soi que cette tude doit servir non seulement pour comprendre les limitations physiques des composants lors de la gnration des signaux, mais aussi au
moment de traitement de ces signaux tel que lamplification dune impulsion.
La commutation lectronique dans les composants semi-conducteurs sagit essentiellement dinterruptions ou de rtablissement des courants qui peuvent tre commands des instants arbitraires ou priodiques. Les composants utiliss en commutation sont de divers types : diodes, transistors bipolaires, transistors effet de champ,
transistors MOS ou thyristors. Les principales caractristiques sont :
la rapidit, autrement dit la frquence maximale laquelle on peut considrer la
commutation acceptable ;
la tension et la puissance maximale que le composant peut supporter sans dt-
rioration.
140
S
1
1
m = C T 0
m
0
VR
VR
1
1
V0
V0
141
Anode
-
Cathode
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
CT0
VC
-3 -2 -1
VR
On rappelle que la tension inverse applique ne doit pas dpasser la valeur VC qui
correspond la tension de claquage de la diode polarise en inverse. Le schma quivalent peut tre reprsent par une rsistance R R de trs grande valeur en parallle
une capacit C T . Le tout est en srie avec la rsistance du semi-conducteur r S comme
indiqu la figure 4.3.
142
RR
rS
CT
Figure 4.3 Schma quivalent de la jonction polarise en inverse.
Remarques.
La valeur de R R est de lordre de quelques centaines de kilo-ohms.
La valeur de C T est de lordre de la dizaine (voire quelques dizaines) de picofarads et r S ne dpasse pas quelques units.
Le fait que la capacit varie avec la tension peut tre exploit pour la ralisation
de diodes dites varicap qui sont des diodes capacit variables.
143
RF
1
KT
q
IF
Les ordres de grandeurs sont quelques dizaines dohms jusqu quelques kV.
C D est la capacit de diffusion gale :
CD = t IF
Les ordres de grandeurs sont quelques dizaines de picofarads jusqu quelques
centaines de nanofarads.
t est la dure de vie moyenne des minoritaires. Sa valeur varie en fonction des
matriaux utiliss, du dopage, des imperfections et de la temprature.
Remarque. Les constructeurs donnent souvent le temps de recouvrement direct
t f r (forward recovery time).
t f r = 2,2 t
Puisque C D est souvent trs suprieure C T , on peut lgitimement supposer que
la charge est stocke dans C D ; elle peut tre estime :
Q S = t IF
ID
D
VD
geable et nous pouvons utiliser les schmas quivalents avec la capacit de transition et la capacit de diffusion.
144
Nous supposons par la suite que la diode fonctionne en rgime de faible injection.
Dans ce cas et en polarisation directe, le produit pn dans la zone de charge despace
est suprieur n i2 : il y a un excdent de recombinaisons. En polarisation inverse ce
produit devient infrieur n i2 : il y a excdent de gnrations.
n et p sont respectivement les nombres volumiques dlectrons et des trous avec :
n i = n 0 = p0 qui reprsente le nombre volumique des lectrons ou des trous dans le
cas dun semi-conducteur intrinsque.
On tudie lvolution dans le temps du courant parcourant la diode ainsi que de la
tension apparaissant aux bornes de cette diode (figure 4.6).
VE(t)
+VE+
t0
-VE-
t2
VD(t)
0,6
t1
t0
-VE-
t2 t3
80%
tr
tS
ID(t)
IF
t
-0,1IR
-IR
t0
t1
t2 t3
-0,9IR
tS
tti
trr
Figure 4.6 Allures du courant et de la tension dans une jonction PN en rgime transitoire.
par des trous allant du matriau P dans le matriau N et des lectrons allant du
matriau N dans le matriau P. Il se produit un excs de porteurs minoritaires au
145
Daprs ltude prcdente, il sensuit que la frquence laquelle une diode pourra
fonctionner correctement en rgime de commutation est limite par tr et surtout par
trr temps pendant lequel la diode continue conduire au lieu dtre bloque.
146
Afin destimer les diffrents temps, on va dterminer une quation qui tient compte
de lvolution de la charge stocke. Cest lquation de la conservation de la charge
lectrique. On a vu, quen rgime de faible injection et en polarisation directe, il y
a excdent de recombinaison. Les charges injectes vont se recombiner et le semiconducteur aura tendance revenir lquilibre.
Lexcs de charges apportes va diminuer dautant plus vite que le nombre de porteurs libres susceptibles de se recombiner avec ces charges est important. La vitesse
de recombinaison est proportionnelle la charge prsente et lquation de la conservation de la charge lectrique sera donne par :
i(t) =
Q(t)
d Q(t)
+a
T
dt
Pendant le temps de dsaturation, la charge totale existante dans les rgions neutres
passe sous linfluence du courant inverse I R , de sa valeur initiale qui est : Q = T0 I F
une valeur nulle. En supposant que la tension aux bornes de la diode reste constante,
le courant dans la diode devient :
I R =
d Q(t)
Q(t)
+ a0
T0
dt
t
0 T0
147
T0 est appel temps caractristique des minoritaires dans la rgion neutre. Ce temps
fait intervenir la dure de vie t ainsi que le temps de transit des porteurs dans la
zone neutre.
Le temps de palier ou de plateau ts croit avec le courant direct I F . Il croit aussi si
le courant inverse impos par le circuit dcrot en valeur absolue.
Une bonne approximation consiste remplacer a0 T0 par la dure de vie des porteurs minoritaires. Cette quantit t dpend du semi-conducteur, du dopage, des
imperfections et de la temprature.
Temps de tranage
Rappelons quau moment o la charge accumule sous forme de minoritaires sannule, la diode se bloque et son schma quivalent devient une grande rsistance R R
mise en parallle avec une capacit de transition C T . La valeur de la rsistance srie
r S est trs faible par rapport la rsistance du gnrateur R. Le courant inverse I R
existe tant que la capacit C T nest pas charge.
linstant t1 , le courant dans la diode est donn par :
VE
VE 0,6 V
si VE 0,6 V
R
R
La rsistance R R qui se trouve en parallle sur le condensateur est trs grande et
par consquent on peut ngliger son effet.
ID =
VE R I D = VD avec : I D = C T
d VD
dt
RC T
d VD
+ VD = VE
dt
ID =
148
Temps de monte tr
et
T2 > trr
conducteur. La charge stocke en direct dans une telle diode est trs faible ce
qui donne un temps de dsaturation trs faible.
149
RB
IB
VCE
D C
RC
VCC
VE(t)
IB = 0
(a)
(b)
VCC
Figure 4.8 Montage de polarisation (a) et rseau de caractristiques dun transistor NPN (b).
150
-VE
+VE+-0,6
RB
IB(t)
t
t0
t3
t2
t3 t5
--0,6)
(VE
RB
VBE(t)
0,6
t 0 t 1 t2
-VE
Icsat
0,9ICsat
t5
IC(t)
0,1ICsat
t 0 t 1 t2
t3 t4 t5
151
temps est la somme du temps ncessaire pour que I B charge C T et le temps ncessaire pour que les porteurs minoritaires ayant franchi la jonction du ct metteur,
arrivent la jonction du ct collecteur.
partir de linstant t1 et jusqu linstant t2 , le courant collecteur passe du
dixime aux neuf diximes de sa valeur finale. Lintervalle (t1 , t2 ) est appel
temps de monte du courant collecteur tr (rise time). Cet intervalle de temps
correspond au passage progressif de la jonction base-collecteur dune polarisation inverse pour devenir polarise en direct.
Remarque. On appelle temps denclenchement ou de fermeture ton , le temps :
ton = td + tr
Pendant lintervalle de temps (t2 , t3 ), le transistor fonctionne en rgime de satu-
152
RBB
B
RBC
CBE
VE(t)
RBE
gmVBE
RCharge
Ce schma se simplifie considrablement si on admet un fonctionnement par commande en courant et que la charge est trs faible pour pouvoir utiliser le rgime de
court-circuit. Dans ce cas les paramtres RC B , C B B et r ninterviennent pas. Sachant
ainsi que R B B est trs faible devant R B , le schma quivalent devient celui donn
la figure 4.11.
IB
RB
IB
I
VE(t)
CBE
IB
RBE
I
IB(t)
CBE
IB
RBE
VB
a) Temps de monte
Cas dune impulsion provoquant juste la saturation
153
2,2b
2p f T
Les cas prcdemment envisags taient ceux pour lesquels I B prenait des valeurs
telles que le produit bI B permettait juste la saturation. Mais il peut aussi arriver
quon dsire surexciter le transistor ce qui permet comme on va le voir de diminuer
le temps de monte. Dans ce cas seule une portion de lexponentielle se trouve dcrite
et le temps de monte est bien plus court que celui tudi auparavant.
Prenons un exemple simple illustr par la figure 4.12. On suppose b gale 100,
et on nglige la tension de saturation VC E(sat) . Le courant de saturation est donn par :
IC(sat) =
VCC
= 10 mA
RC
IC
RC = 1 k
IB RB = 10 k
VE(t)
C
E
VCC = 10 V
VCE
154
IC = bI B 1 e t = 30 1 e R B E C B E mA
IC atteint la valeur IC(sat) = 10 mA en un temps t donn par :
30
tr = R B E C B E ln
= 0,4R B E C B E
30 10
On constate quil ny a absolument pas lieu ici de dfinir un temps de monte qui
passe de 10 % 90 % dune valeur correspondant un rgime permanent. Cependant,
on peut toujours calculer la variation entre 10 % et 90 %. Nous reprsentons la
figure 4.13 les deux cas tudis : cest--dire le cas dune surexcitation de transistor
avec I B = 0,1 mA et le cas o I B = I B(sat) .
Conclusion. Plus le gain forc est faible (taux de saturation le plus lev) plus le
temps de monte est rapide. Dans le cas gnral et en prenant la dfinition classique
du temps de monte (passage de 10 % 90 %), on obtient :
k 0,1
k 0,1
b
ln
tr = t ln
=
k 0,9
2p f T
k 0,9
k est le degr ou le taux de saturation du transistor (overdrive factor) dont la valeur
est donne par :
bI B
k=
IC(sat)
30 mA
155
IC
10 mA
0,4
= RBECBE
2,2
b) Temps de descente t f
156
IC
IC(sat)= e-t/
Courbe rsultante
t
IC(sat)= -IBR(1-e-t/)
Figure 4.14 Amlioration du temps de descente.
On prend le cas tudi de la figure 4.8 (a) et on suppose que le courant I B est :
I B = I B(sat) = 0,1 mA, le courant IC devient : IC = IC(sat) = 10 mA.
On a vu que le temps de descente est gal au temps de monte :
tr = td = 2,2 t = 2,2 R B E C B E
On examine le gain apport sur le temps de chute si on injecte un courant inverse
de 0,1 mA. On va chercher le temps au bout duquel le courant collecteur sannule.
Lquation prcdente devient :
t
t
IC = IC(sat) e t bI B R 1 e t mA
Soit en remplaant par les valeurs numriques :
t
t
0 = 10 mA e t 100 (0,1 mA ) 1 e t
157
IC
tS
Pour bloquer le transistor, il faut donc retirer tous les porteurs minoritaires injects
par lmetteur et par le collecteur. Lexpression pour ts sera donne par :
b
bI B F
tS =
ln
2p f T
IC(sat)
On remarque que t S augmente avec le courant direct I B F inject la base, or laugmentation de I B F permettait de rduire le temps de monte tr . Plusieurs solutions
peuvent tre proposes et nous allons citer trois :
on utilise une surexcitation pour diminuer le temps de monte et une excitation
158
bI B F
IC(sat)
Exercices
159
EXERCICES
Exercice 4.1
Diode en commutation
VD
R2 VR2
Solution
160
R1
IR D
0,6 V
10 V
R2 VR2
R1
20 V
IF D
10 V
R2 VR2
R2
1
VE+ + VE =
(+20 + 10) = + 300 mV
R1 + R2
100
Exercices
161
VE(t)
+20
t0
-10
t2
VD(t)
0,6
- 10
300 mV
t1
t0
V R2 ( t )
t2 t3
tS
194 mV
t
t0
t1
t2 t 3
-106 mV
tS
162
Soit : t S =
74,2 109 C
= 3,6 106 S
206 103
VD(t)
0,6
- 20
400 mV
t1
t0
t2 t3
tS
V R2 ( t )
194 mV
t
t0
t1
t2 t 3
-206 mV
tS=3,6 S
Figure 4.20 Allures de VD et de VR2 en tenant compte de la deuxime question.
R2
1
VE+ + VE =
(+ 20 + 20) = + 400 mV
R1 + R2
100
D
VD
I
R VR VE(t)
D
VD R
VR
(a)
(b)
Figure 4.21 Schma de polarisation de la diode en rgime transitoire.
Exercices
163
Donner les schmas quivalents en inverse juste avant et aprs la commutation. Expliquer le phnomne prcdent et calculer le paramtre quon
peut dduire.
2. On rajoute un condensateur daide au blocage : figure 4.21 (b). On
dsigne par t la dure de vie des porteurs minoritaires (t = 0,5 mS).
Donner lexpression de la charge stocke par la diode en fonctionnement
direct ainsi que la charge stocke par le condensateur C.
3. Au moment de la transition, Donner lexpression de la variation de
charges que subit le condensateur C. Trouver la condition ncessaire pour
vacuer instantanment toutes les charges accumules dans la jonction de
la diode.
0,6
0,5
VD(t)
t
t0
-10 V
Figure 4.22 Allure de VD (t) au moment de la commutation.
Solution
rS
CD
CT
VJ
VD
+20 0,6
VE+ VD
=
= 194 mA
R
100
164
CD
IR
CT
VJ
VD
Figure 4.24 Schma quivalent de la jonction polarise en inverse juste aprs t0 .
Lvolution dans le temps de la tension VD montre un lger dcrochement. linstant, t = t0 , la tension bascule et passe 10 V. Mais la jonction a accumul des
charges dans les condensateurs et ces charges doivent tre vacues sous leffet du
courant inverse I R .
Juste aprs t0 , en polarisation inverse, on a un courant inverse qui est cr, I R :
IR =
10 VD
VE VD
=
106 mA
R
100
DVD
0,1V
=
103 = 0,5 V
IF + IR
194 + 106
20 0,6
t = 0,194 t = 97 109 C
R
Exercices
165
Exercice 4.3
70 109
= 2,33 109 F
30
Transistor en commutation
On donne le montage de la figure 4.25 (a). La tension VE (t) est une tension carre qui commute entre +VE et 0 V. On suppose que b = 100
et on nglige la tension de saturation entre collecteur et metteur :
VC E(sat) = 0 V, la tension la saturation entre base et metteur est :
VB E(sat) = 0,6 V, R B = 10 kV, RC = 1 kV et VCC = 10 V.
1. On utilise une impulsion +VE qui provoque juste la saturation. Calculer
lamplitude de cette tension et montrer que le courant I B est :
I B = I B(sat) 1 et/t avec : t = R B C B
En dduire que le temps de monte du courant IC est :
tr = 2,2 t = 2,2 R B C B
2. On utilise maintenant une impulsion : +VE = 4VE(sat) . Calculer le temps
tr que laisse le courant IC pour atteindre la valeur : IC = 0,9IC(sat) .
166
et
b = 100.
VCC
IC
RC
RB
IB
VCE(t)
IB
I B(t)
VE(t)
RB
CBE
(a)
(b)
Figure 4.25 Montage de commutation (a) et schma quivalent du ct
base-metteur (b).
Solution
VCC
+VE VB E(sat)
IC(sat)
=
=
RB
b
b RC
Application numrique.
I B(sat) =
+VE 0,6
10
=
= 104 A,
4
10
100 103
Exercices
167
0,9 IC(sat)
0,1 IC(sat)
= 0,9 = et1 /t et 1
= 0,1 = et2 /t
IC(sat)
IC(sat)
et1 /t
0,9
= 9 = t /t = e(t1 +t2 )/t = e(t2 t1 )/t = etr /t
0,1
e 2
VE+ VB E(sat)
6,4 0,6
=
= 5,8 104 A = 5,8 I B(sat)
RB
104
Ce courant est beaucoup plus lev que le courant ncessaire pour avoir juste la saturation. La relation IC = bI B reste valable tant que le courant collecteur na pas
atteint le courant de saturation. Il en rsulte :
IC = bI B 1 et/t avec : I B = 5,8 104 A et t = R B E C B E
168
IC
58 mA
10 mA
0,16
= RBECBE
2,2
Figure 4.26 Variation du courant en fonction du temps dans les deux cas.
9 103
= 0,845 = etr /t
4
100 5,8 10
1
R B E C B E
Exercices
169
b
fT
. On en dduit donc : t =
b
2p f T
Le temps de monte devient dans le cas dune saturation :
On sait aussi que : f b =
tr = 2,2t =
2,2b
2,2 100
=
= 110 nS
2p f T
2p 300 106
Exercice 4.4
b
100
= 0,167
= 8,35 nS
2p f T
2p 300 106
iC(t)
RC 15 mA
RB
iB
VCE(t)
vE(t)
t
(a)
T1
(b)
T2
On suppose que b = 100 et on nglige la tension de saturation entre collecteur et metteur : VC E(sat) = 0 V, On donne : VCC = 15 V et VB E = 0,6 V.
1. Tracer la variation de la tension entre collecteur et metteur vC E (t). En
dduire la valeur de la rsistance RC et la valeur limite de la rsistance R B
qui permet davoir juste la saturation.
2. Exprimer en fonction des lments du circuit lexpression de la puissance instantane p(t) dissipe par le transistor. Expliquer pourquoi on peut
ngliger la puissance dissipe par la jonction base-metteur.
3. Donner lexpression de lnergie dissipe par le transistor durant la
priode T. En dduire la puissance moyenne dissipe si le transistor
fonctionne en commutation la frquence f.
170
Solution
15 V
iC(t)
15 mA
t
satur
T1
bloqu
T2
satur
et i C (t) =
T1
RC
T2
On sait aussi que :
IC(MAX) = IC(sat) =
VCC VC E(sat)
VCC
=
= 15 mA
RC
RC
VCC
15
=
= 1 kV
IC(sat)
15 103
15 103
IC(sat)
=
= 15 105 A
b
100
Exercices
171
10 0,6
= 15 105 A,
RB
soit :
RB =
9,4
103 = 62,66 kV
15
Cette valeur de la rsistance constitue une limite suprieure ne pas dpasser. Sinon
on ne peut plus obtenir la saturation.
2. Expressions des puissances instantanes
tudions le cas du passage entre bloqu et satur. On fait un changement de lorigine
des temps.
La puissance instantane p1 (t) est donc :
2
t
VCC
t2
t
VCC
t
2
1
=
p1 (t) = VCC
T1
RC
T1
RC T1
T1
La puissance instantane p2 (t) est donc :
2
VCC
t
t
t2
VCC
t
VCC 1
2
=
p2 (t) =
RC
T2
T2
RC T2
T2
3. nergie dissipe et puissance moyenne
La puissance instantane dissipe par le transistor est donne par :
W =
p(t)dt = W1 + W2 =
0
T1
T2
p1 (t)dt +
0
p2 (t)dt
0
172
2 dt
RC T1
RC
T1
T1
T1
0
0
0
Le calcul de lintgrale donne :
V2
W1 = CC
RC
T1
t2
t
2
T1
T1
dt =
2
VCC
T1
6RC
2 dt
W2 =
RC T2
RC
T2
T2
T2
0
0
0
Le calcul de lintgrale donne :
V2
W2 = CC
RC
0
T2
t2
t
2
T2
T2
dt =
2
VCC
T2
6RC
2
VCC
V2
V2
T1 + CC T2 = CC (T1 + T2 )
6RC
6RC
6RC
Chapitre 5
Lamplificateur oprationnel
tage
diffrentiel
tage
amplificateur
Amplificateur
de sortie
VS
V+
174
5 Lamplificateur oprationnel
Lamplificateur oprationnel se prsente, en gnral, sous la forme dun amplificateur entre diffrentielle et sortie unique (figure 5.2).
VS
V+
V+
VS
+ V cc
Sortie
entre
"+ "
- V cc
Am pli op
entre
"-"
Lamplificateur oprationnel est un composant de llectronique qui rsulte de lintgration de plusieurs tages amplificateurs dans un mme botier. Il comporte gnralement deux entres, appeles respectivement entres inverseuse () et non inverseuse (+), et une seule sortie.
Du point de vue fonctionnel, la tension est proportionnelle la diffrence de potentiel qui existe entre les deux bornes dentre, ce qui sexprime par la relation :
VS = A d V + V
Ad est appel amplification diffrentielle. En pratique la valeur de ce coefficient
multiplicatif est de plusieurs centaines de milliers.
Si lune des entres sert de rfrence de potentiel, la sortie est en phase (si
V = rfrence) ou en opposition de phase (si V + = rfrence). Le signe qui
peut affecter le gain indique une opposition de phase entre la sortie et lentre.
175
Remarque. Afin de permettre lobtention des tensions de sortie positive et ngative, lalimentation en nergie de lamplificateur oprationnel seffectue souvent
de faon symtrique (+VCC et VCC ).
Souvent, ltude des applications de lamplificateur se fait trs simplement partir
dun modle idalis. En cas de ncessit, des corrections peuvent ensuite tre apportes afin de tenir compte des caractristiques relles de lamplificateur oprationnel.
Il sagit dune paire diffrentielle (T1 et T2 ) alimente par une source de courant qui
dlivre un courant constant 2I C0 . La paire diffrentielle est charge par un miroir de
courant (T3 , T4 ). La sortie se trouve au collecteur 2 du transistor n 2 qui est reli
la base B5 du second tage.
Au repos, les courants collecteurs sont identiques IC1 = IC2 = IC0 = IC3 . Le
courant qui circule dans le transistor T4 est gal IC4 = IC0 I B5 . Ce courant
est trs proche du IC3 et on peut considrer ces deux courants comme identiques :
IC3 = IC4 .
Si on injecte maintenant une tension diffrentielle uD , les courants deviennent :
gm1 u D
gm2 u D
gm1 u D
IC1 = IC0 +
; IC2 = IC0
; IC4 = IC1 = IC0 I B5 +
2
2
2
gm2 u D
gm1 u D
IC0 + I B5
= I B5 gm1 u D
2
2
Pour la dernire formule, on a suppos que les deux branches de la paire diffrentielle
sont identiques avec gm1 = gm2 = gm . Le premier tage agit comme une source de
courant commande en tension avec un coefficient de transfert gal gm .
b) Deuxime tage
Le second tage est un montage metteur commun en Darlington qui agit comme une
source de tension commande en courant. Le coefficient de transfert est rm .
v S = v6 = rm I B5
c) Troisime tage
Le troisime tage est ltage de sortie qui est un montage en push-pull . Les transistors T7 et T8 sont deux transistors complmentaires de type NPN et PNP. Ces deux
176
5 Lamplificateur oprationnel
transistors fonctionnent alternativement en collecteur commun, adaptateur dimpdance dont lamplification en tension est pratiquement lunit. Il sagit dune source
de tension commande en tension.
La paire diffrentielle dentre est rarement constitue dun seul transistor de
chaque ct, la structure dun amplificateur oprationnel du type 741 qui est donne
la figure 5.4, montre que chaque branche de la paire diffrentielle est forme dun
transistor NPN et dun transistor PNP.
Etag e n 1
Etag e n 2
Etag e n 3
VCC
Sou rces d e cou rants
T9
T1 0
T7
en tre -
T1
en tre +
CC
T2
CC
T'2
T'1
I B5
T3
T5
T6
T4
T8
RB
-V CC
177
+ Vcc
I
V
I+
V+
ZS
Ze
VS
Ad e
Vcc
Figure 5.5 Amplificateur oprationnel sous forme dun quadriple.
Ze ;
178
5 Lamplificateur oprationnel
R1
IB2
I=0
IB1
(a)
R1
IB1
VS
IB2
R1//R2
VS
(b)
179
Cette tension de sortie est une tension de dcalage offset qui est dautant plus
grande que R2 et (ou) IB2 sont levs. Pour remdier cet inconvnient et en supposant que les deux courants dentres IB1 et IB2 sont gaux, on peut ajouter entre la
masse et lentre + une rsistance de valeur gale la mise en parallle de R1 et
de R2 .
5.3.1 Amplification
On peut calculer lordre de grandeur du gain diffrentiel AD de lamplificateur oprationnel. Pour cela il faut connatre le schma exact de la structure interne. Ce gain
est assez lev puisque les transistors sont chargs par des charges actives constitues de transistors. Les rsistances qui interviennent dans le calcul du gain sont en
ralit les rsistances internes des transistors et sont de ce fait assez leves. Ce gain
est de lordre de 106 . Le constructeur donne aussi le rapport de rjection en mode
commun souvent exprim en dcibel (dB).
La rsistance dentre diffrentielle est la rsistance vue du ct entre. Cette rsistance est forme par la mise en srie de deux rsistances correspondant chacune
une branche de la paire diffrentielle. Vues les valeurs des courants de polarisation
dentre qui sont trs faibles, la rsistance dentre dun transistor est donne par la
formule approche 26 mV/I B est assez leve. Le constructeur donne la valeur de la
rsistance dentre diffrentielle (par exemple : rd = 2 MV). Une capacit parasite
se trouve aussi lentre et sa valeur est de lordre du picofarad.
Enfin la rsistance de sortie de lamplificateur oprationnel qui est la rsistance de
sortie du dernier tage peut aussi tre calcule puisquil sagit dun montage pushpull qui joue le rle dun super collecteur commun. Cette rsistance de sortie est
de lordre de dizaines dohms.
180
5 Lamplificateur oprationnel
avec compensation
sans compensation
gain avec
contre raction
fC
f1
f2
fT f3
f
f
/2
3
2
dphasage
Figure 5.7 Rponse en frquences sans et avec compensation.
181
1,0
0,9
0,1
0
t
tr
tS
Figure 5.8 Rponse indicielle dun filtre.
le temps de monte tr rise time . Cest le temps pour que la tension de sortie
Dans le cas de lamplificateur oprationnel, grce au condensateur de compensation on a un filtre du premier ordre. Le temps de monte devient :
tr =
2,2
= 2,2 RC
2p f C0
182
5 Lamplificateur oprationnel
t
VS
t
0
-5
Figure 5.9 Rponse indicielle en grands signaux : cas dun montage inverseur.
La paire diffrentielle dentre est alimente par la source de courant qui dlivre un
courant constant gal 2I C . Le courant dans chaque branche ne peut dpasser donc
le courant dlivr par la source. La valeur maximum de la tension diffrentielle UDM
de UD fixe la limite au-del de laquelle le fonctionnement de la paire diffrentielle
nest plus linaire.
Si la tension diffrentielle dpasse U DM , le gnrateur de courant qui attaque le
second tage, a une valeur constante gale 2IC qui charge ou dcharge le condensateur de compensation CC .
La vitesse de charge ou de dcharge du condensateur de compensation courant
constant dtermine le slew rate : S R = 2IC /CC = 0,67 V/mS pour lamplificateur oprationnel 741.
Ve
VS
183
Une caractristique importante de lamplificateur est le rapport de ces amplifications appel rapport ou taux de rjection en mode commun (RRMC). En pratique,
on exprime souvent ce rapport en dcibels soit :
Ad
R R MC = 20 log
, lordre de grandeur est 100 dB.
Amc
184
5 Lamplificateur oprationnel
R2
R1
Z0
Zi
A0
VS
Ve
V E = R1 I1
VS = R2 I2
AV =
R2
R1
185
que VS = A0 . On obtient :
Ve = R1 I1 +
soit :
VS = R2 I2 +
V = A
S
0
VS
R1
1
VS
Ve = R1 I1 +
=
VS 1
+
A0
R2
A0
A0
A A0
R2
et : A =
A + A0 1
R1
tant donn les ordres de grandeur respectifs de A qui est de lordre de 10 100 et
de A0 qui de lordre de 106 , cette dernire valeur a assez peu dinfluence sur lamplification relle.
Avec : A V =
VS
Ve
=
+
R1
R1
R2
Do en utilisant la notation prcdente, on obtient :
Ve
1
1
1
R1
1
=
=
+
1+
AV
VS
A
A A0 A0
Zi
On constate que linfluence de limpdance diffrentielle dentre est dautant plus
faible que R1 est petit devant Z i et que lamplification en boucle ouverte A0 est grande.
R1 //R2
Z 0 + R1 //R2
AV =
VS
R2
=1+
VE
R1
186
5 Lamplificateur oprationnel
R2
R1
VS
Ve
Figure 5.12 Montage non inverseur.
V =
R2
R1
V1 +
V2 = k1 V1 + k2 V2
R1 + R2
R1 + R2
V est la somme pondre des tensions V 1 et V 2 avec des coefficients de pondration k1 et k2 qui sont positifs.
187
R1
R2
V'
V1
V2
a) Montage additionneur
R1
V1
V2
VS
R2
b) Montage soustracteur
188
5 Lamplificateur oprationnel
R
R'
R1
V2
VS
R2
V1
Ve
d VS
Ve (t)
I =
= C
R
dt
t
VS
Ve (t) dt
VS (t) =
RC
189
G (dB)
pente 20 dB/dcade
log()
1
RC
G (dB)
20 log(R'/R)
pente 20 dB/dcade
log()
1
R'C
1
RC
190
5 Lamplificateur oprationnel
R
C
Ve
VS
La mthode la plus simple, a priori, pour raliser un filtre, consiste remplacer les
rsistances du montage amplificateur inverseur par des impdances de faon
obtenir une amplification fonction de la frquence.
Vs
Z2
=
Ve
Z1
Dune manire gnrale, si lon place deux quadriples (ayant une mme rfrence
des potentiels pour lentre et la sortie) lun dans le circuit dentre et lautre dans le
circuit de retour comme indique la figure 5.20. On obtient partir des paramtres
Y de chaque quadriple :
I = Y21A Ve
et
I = Y21B VS ,
do :
VS
Y21A
=
Ve
Y21B
191
QB
Ve
QA
Vs
VA = 0 =
Y1
VS Y5 + VB Y3
Y2 + Y5
Y4
Y3
B
Ve
UB
Y2
Y5
A
UA
VS
192
5 Lamplificateur oprationnel
Cette formule est tout fait gnrale et on peut fixer les admittances suivant le
type de la fonction de transfert raliser. Si on dsire par exemple un filtre passe
bas du second ordre dont la fonction de transfert scrit sous la forme suivante une
constante multiplicatrice prs :
H ( p) =
ap 2
1
+ bp + c
1
1
1
, Y3 = G 3 =
, Y4 = G 4 =
, Y2 = jC2 v
R1
R3
R4
et Y5 = jC5 v
Ve
R1
1 + jC5 v
1
R3 R4
+ R3 + R4
R1
+ j 2 R3 R4 C2 C5 v2
Cette expression est celle dun filtre passe bas du second ordre ayant :
une amplification dans la bande passante (basses frquences) gale :
AV 0 =
R4
;
R1
;
2p R3 R4
C2 C5
v0
R3 R4
un coefficient damortissement : m =
C5
+ R3 + R4 .
2
R1
une frquence caractristique : f 0 =
Cette structure ncessite trs peu de composants. On utilise une source de tension
commande en tension et on suppose que le gain k est positif. Nous pouvons par
193
exemple choisir k gal lunit ce qui aura comme avantage une augmentation de la
frquence limite utilisable par lamplificateur oprationnel.
Dans le montage ci-dessous lamplificateur de gain k a une impdance dentre
infinie. Il est ralis par exemple avec un amplificateur oprationnel mont en amplificateur non inverseur (figure 5.22).
Y1
Y3
Y2
B
UB
Ve
UA
Y4
VS
Les tensions au nud A et au nud B se calculent comme dans le montage prcdent laide du thorme de Millman ou en utilisant les lois des nuds.
En notant U A et U B les tensions par rapport la masse du nud A et du nud B,
puisque lamplificateur a un gain K et une impdance dentre infinie, il advient :
VS
au nud B : Y1 (Ve U B ) + Y2
U B + Y3 (VS U B ) = 0 ;
k
VS
VS
au nud A : Y2 U B
+ Y4 0
= 0.
k
k
Dont il rsulte :
Y1 Y2
VS
=k
Ve
Y1 Y2 + Y2 Y4 + Y2 Y3 (1 k) + Y3 Y4 + Y1 Y4
et
Le signal utile dentre est ve , le comparateur doit prsenter une impdance dentre trs leve (infinie). Le signal utile de sortie est le signal vS , le comparateur
prsente donc une impdance de sortie trs faible (nulle). E constitue la tension de
rfrence et souvent on a X = Y .
194
5 Lamplificateur oprationnel
a) Comparateur simple
Un amplificateur oprationnel qui fonctionne en boucle ouverte (figure 5.23), constitue une bonne approximation de comparateur mais dans un domaine de frquence
assez limite. Des circuits intgrs spcifiques ont t dvelopps et certains peuvent
travailler mme des frquences de quelques dizaines de MHz.
Ve
+
Vref
VS
Ve
R1
R2
VS
Vref
On note Vsat
et Vsat
, les tensions de saturation de lamplificateur oprationnel. Ces
tensions sont lgrement infrieures aux tensions de lalimentation.
Les tensions sur les entres et + sont supposes identiques puisquon
suppose lamplificateur oprationnel comme tant idal. Cette tension sera dtermine en appliquant le thorme de superposition et sera note soit V + si la sortie est
+
195
+
Si la tension de sortie est VS = Vsat
, cest le cas si la tension dentre Ve < V + ,
R1
R2
+
VSat
+
Vrf
R1 + R2
R1 + R2
gale Vsat
. Dans ce cas, la tension qui existe sur lentre + volue rapidement et devient gale la valeur donne par la formule suivante :
V =
R1
R2
VSat
+
Vrf
R1 + R2
R1 + R2
On remarque sur la figure 5.25 (a), qui donne la tension de sortie en fonction de la
tension dentre, que le passage bas vers haut est diffrent du passage haut vers
bas . Ce phnomne est connu sous lappellation de cycle dhystrisis.
Le point A qui est le centre du cycle est donn par la formule suivante :
Ve =
V+ + V
R2
Vrf
=
2
R1 + R2
Pour une tension de rfrence nulle (figure 5.25 (b)), le point A devient le point
dintersection des deux axes et le trigger est centr et symtrique.
Vs
Vs
V e
Ve
Ve
196
5 Lamplificateur oprationnel
Ve
R1
R2
VS
= +VCC et Vsat
= VCC . La tension dentre Ve est la diffrence de potenVsat
tiel aux bornes dun condensateur aliment par une source VCC travers une
rsistance R.
Si lon prend comme origine des temps le moment o VS passe +VCC par
exemple, Ve suit alors la loi dvolution suivante (en supposant que Ve (t = 0)) :
t
Ve (t) = VCC 1 exp
RC
Comme Ve est une tension croissante, elle va franchir le seuil de commutation V +
linstant t1 . En consquence la tension de sortie change de signe et le condensateur
tend se charger VCC . Ve suit alors la loi dvolution suivante :
t t1
+ V+
Ve (t) = VCC + V + 1 exp
RC
Le seuil de commutation qui est le reflet de la tension de sortie est maintenant gal
V . Comme Ve est dcroissante, il sera franchi linstant t2 tel que :
R1
t2 t1
+ V = VCC
Ve (t2 ) = VCC + V 1 exp
RC
R1 + R2
197
+Vcc
R1
R1 + R2
t
-V cc
R1
R1 + R
2
-V cc
Ve
= IS e
R
qV D
KT
qVS
1 = IS e K T 1
Avec I S qui est le courant de saturation de la diode et non pas le courant de sortie.
198
5 Lamplificateur oprationnel
Vd
R
Ve
Vs
kT
,
q
on peut ngliger le terme 1 devant le terme exponentiel et on obtient une tension
de sortie qui sera donne par la formule suivante :
On suppose maintenant que la tension Vs est suffisamment ngative : |VS | >
KT
VS =
ln
q
Ve
R IS
199
R2
D1
I1
R1
D2
V 'S
Ve
VS
Vd
R1
Ve
Vs
(V0 = 0,6 V pour une diode au silicium), le montage fonctionne en amplificateur de gain R2 /R1 .
Lorsque la diode conduit en inverse, elle est assimilable une source de tension
constante. Comme VS est gale Vd , alors VS = Vz .
Lorsque la diode conduit en direct, elle est assimilable un court-circuit. VS est
alors pratiquement gale 0.
200
5 Lamplificateur oprationnel
I+
V+
ZS
Ze
VS
Ad e
Vcc
Figure 5.31 Schma quivalent en petits signaux.
Exercices
201
EXERCICES
Exercice 5.1
VS
,
Ve
avec : v1 =
1
RC1
et
v2 =
1
RC2
C2
ve
+
v
Solution
202
5 Lamplificateur oprationnel
VS = V = V + = 0
La sortie est nulle quelle que soit lentre. Ce filtre coupe les hautes frquences.
Lorsque la frquence tend vers zro, les condensateurs se comportent comme des
circuits ouverts. Aucun signal ne passe travers le condensateur C2 et on trouve
donc :
VS = V = V + = 0
La sortie est nulle quelle que soit lentre. Ce filtre coupe les basses frquences.
Conclusion. Puisque ce filtre coupe les basses et les hautes frquences, il sagit donc
dun passe-bande.
2. Fonction de transfert et pulsations caractristiques
Le montage donn est un montage inverseur. Sa fonction de transfert scrit :
H ( jv) =
VS
ZP
=
Ve
ZS
1
R
jC1 v
=
ZP =
1
1 + j RC1 v
R+
jC1 v
R
Avec :
Soit :
et
ZS = R +
1 + j RC2 v
1
=
jC2 v
jC2 v
R
R
jC2 v
1 + j RC1 v
=
H ( jv) =
1 + j RC2 v
1 + j RC1 v 1 + j RC2 v
jC2 v
j RC2 v
=
(1 + j RC1 v) (1 + j RC2 v)
j RC2 v
1 + j (RC1 v + RC2 v) + j 2 R 2 C1 C2 v2
v
j
v
2 2
=
v
v
v
1
+
+j
v1 v2
v1 v2
Exercices
203
|H ( jv)| =
1
v2
v1 v2
v
v2
2
+
v
v
+
v1 v2
2
v2
v1 v2
=0
v1
v
v1 v2
C2
1
=
=
=
= 0,1
v2 v (v1 + v2 )
v1 + v2
C1 + C2
10
Pour tracer les courbes asymptotiques, on sait que la fonction de transfert est :
1
v
2
H ( jv) = j
v2
v
v
v
1
+
+j
v1 v2
v1 v2
H1 ( jv)
H2 ( jv)
Pour tracer la courbe de Bode du gain, on fait ltude en faisant tendre la frquence
vers linfini et vers zro :
v1
v1
v = v0
v
v2
v1
|H ( jv)|
v
|H ( jv)|
v1
v1 + v2
204
5 Lamplificateur oprationnel
Gain (dB)
|H1(j)|
log(f)
|H2(j)|
-10
-20
|H(j)|
-30
-40
0,01
0,1
10
1000
100
Frquence normalise
Figure 5.33 Courbes asymptotiques de Bode.
Exercice 5.2
VS
Ve
3. Y1 , Y3 , Y4 sont les admittances de trois condensateurs identiques de capacit C, Y2 et Y5 sont les admittances de deux rsistances R4 et R5 .
En dduire lexpression de la fonction de transfert H ( jv). Montrer quelle
peut se mettre sous la forme
H ( jv) = A V 0
v2
v20
1
1
v
v
+j
2
v1
v0
= AV 0
v2
v20
1
1
v
v
+ 2 jm
2
v0
v0
Exercices
205
Y1
v2
1
2
v0
v4
1+ 4
v0
Y4
Y3
B
UB
Ve
Y2
Y5
A
UA
VS
Solution
VB Y3 + VS Y5
= V = V+ = 0
Y2 + Y5 + Y4
Y5
VS
Y3
En appliquant le thorme de Millman au nud B, on a :
On en dduit : VB =
VB =
Ve Y1 + VS Y4 + V A Y3
Ve Y1 + VS Y4
=
Y1 + Y2 + Y3 + Y4
Y1 + Y2 + Y3 + Y4
VS
Y1 Y3
=
Ve
Y5 (Y1 + Y2 + Y3 + Y4 ) + Y3 Y4
206
5 Lamplificateur oprationnel
3. Expressions de v0 , v1 et m
La formule prcdente est tout fait gnrale. Puisque Y1 , Y3 , Y4 sont les admittances
de trois condensateurs identiques de capacit C ; Y2 et Y5 sont les admittances de deux
rsistances R2 et R5 .
1
1
On a donc : Y1 = Y3 = Y4 = jCv, Y2 = G 2 =
et Y5 = G 5 =
R2
R5
La fonction de transfert devient :
H ( jv) =
VS
j 2 C 2 v2
j 2 R2 R5 C 2 v2
=
=
1
1
Ve
(3 j R2 Cv + 1) + j 2 R2 R5 C 2 v2
3 jCv +
+ j 2 C 2 v2
R5
R2
v2
v20
Cette expression est celle dun filtre passe haut du second ordre ayant :
une amplification dans la bande passante (hautes frquences) gale : A V 0 = 1 ;
une frquence caractristique : f 0 =
2pC
R2 R5
1
;
2p 3R2 C
R2
v0
=6
.
un coefficient damortissement : m =
2v1
R5
Exercices
207
v2
Ce cas est obtenu si on a lgalit suivante :
1 2
v0
En dveloppant lexpression prcdente, on obtient :
1+
v4
v2
v2
v4
2
+
4m
=
1
+
v40
v20
v20
v40
2
Soit :
on en dduit :
Exercice 5.3
2
2
v
v4
+ 2m
= 1+ 4
v0
v0
v2
v2
2
+
4m
= 0,
v20
v20
2
.
m=
2
A ( jv)
VS
=
Ve
1 + A ( jv) G ( jv)
A0
1+ j
f C0 = 10 Hz.
f C0
Dduire des proprits de la contre raction la bande passante de lamplificateur dans les cas suivants : R2 = 9R1 et R2 = 99R1 .
R2
R1
-
Vs
Ve
208
5 Lamplificateur oprationnel
Solution
R1
VS = A ( jv) = A ( jv) Ve
VS
R1 + R2
VS = A ( jv) Ve A ( jv)
On a donc :
VS
R1
1 + A ( jv)
R1 + R2
R1
VS
R1 + R2
= A ( jv) Ve
VS
A ( jv)
=
Ve
1 + A ( jv) G ( jv)
Avec :
R1
R1 + R2
G ( jv) =
A ( jv) =
1+ j
f C0 = 10 Hz.
f C0
100
= 5 = log 105 = log (A0 ), soit : A0 = 105 .
20
R1
R1
Lorsque R2 = 9R1 , on a : G ( jv) =
=
= 0,1
R1 + R2
R1 + 9R1
La fonction de transfert scrit :
On en dduit :
A0
H ( jv) =
A ( jv)
VS
=
=
Ve
1 + 0,1 A ( jv)
1+ j
1 + 0,1
f
f C0
A0
1+ j
H ( jv) =
VS
=
Ve
10
A0
f
A0
f
1+ j
+
104 + j
f C0 10
10
=
f
f C0
A0
f
A0
1+ j
+
f C0 10
Exercices
209
VS
=
Ve
105
105
=
= 10
2
104
2
f
104 +
10
On en dduit :
1010
102
f C 10 2 108 108 105 Hz
2
2
2
fC
104 +
10
R1
R1
=
= 0,01
R1 + R2
R1 + 99R1
Remarque. On retrouve avec ces deux exemples, ce qui est prvisible, savoir :
gain bande passante = constante = f T = 105 10 = 106 Hz
210
5 Lamplificateur oprationnel
R1
C1
VE
R1 C1
R2
C2
VS
VE
R2
(a)
C2 VS
(b)
Solution
1
jC1 v
Z2
1
VS1
=
=
=
VE
Z1 + Z2
1 + Z 1 Y2
R2
1 + j R2 C 2 v
Z2 =
1+
1
1
1 + j R2 C 2 v
R1 +
jC1 v
R2
Avec : v01 =
1
,
R2 C 1
v02 =
v
v01
2
v
v
1 + 2 jm
v02
v03
j
1
R2 C 1 + R1 C 1 + R2 C 2
et v03 =
1
R1 R2 C 1 C 2
Exercices
211
Cas particulier
R1 = R2 = R
et C1 = C2 = C
VS1
j RCv
=
=
H1 ( jv) =
VE
1 + 3 j RCv (RCv)2
v
v0
v
1 + 3j
v0
v
v0
1
RC
2
3
= 1,5.
2
VS1
j xv
=
=
VE
1 + 3 j x x2
1
1
3+ j x
x
v
qui reprsente la pulsation normalise.
v0
Trac de la courbe du gain en fonction de la frquence
Le module de la fonction de transfert est :
VS1
1
=
|H1 (v)| =
2
VE1
1
9+ x
x
Avec : x =
Ce rsultat montre que pour x = 1, le module est maximal et vaut |H1 |MAX = 1/3.
On a toujours un amortissement. On dtermine les courbes asymptotiques :
x = 1 H (jx) = H
1
1MAX
Le trac de lamplitude en fonction de la frquence est donn la figure 5.37 (a).
Calcul du coefficient de qualit Q 1
212
5 Lamplificateur oprationnel
+3 + 9 + 4
+3 + 9 + 4
x1 =
ce qui donne la pulsation vC1 =
v0
2
2
3 + 9 + 4
3 + 9 + 4
x2 =
ce qui donne la pulsation vC2 =
v0
2
2
v0
1
Le coefficient de qualit est : Q 1 =
=
vC1 vC2
3
Remarque. Ce coefficient de qualit est trs faible pour assurer juste le passage
dune bande passante et couper le reste.
2. tude du deuxime montage
Expression de la fonction de transfert
Lamplificateur oprationnel est suppos idal, on a des courants entrants nuls.
V A = VB = VS2 = Z 2 I S
VE V A = VE VS2 = Z 1 I E
Soit :
VE VS2
VS2
=
Z1
Z2
ce qui donne :
VE
= VS2
Z1
1
1
Z1
Z2
H2 ( jv) =
VS2
Z2
Z 1Z 2
1
=
=
=
VE
Z 1 (Z 2 Z 1 )
Z2 Z1
1 Z 1 Y2
H2 ( jv) =
VS2
=
VE
H2 ( jv) =
1
1
1 + j R2 C 2 v
1 + j R1 C 1 v
.
jC1 v
R2
j R2 C 1 v
1 + jv (R1 C1 + R2 C2 R2 C1 ) + j 2 R1 R2 C1 C2 v2
Il sagit de la fonction de transfert dun filtre passe-bande dont le trac est donn la
figure 5.37 (b) dans le cas particulier R1 = R2 = R et C1 = C2 = C.
VS2
jx
1
=
=
H2 =
2
1
VE2
1 + jx x
1+ j x
x
1
Dont le module est :
|H2 | =
2
1
1+ x
x
Exercices
213
x = 1 H (jx) = H
1
1M AX
Gain (dB)
Gain (dB)
10
10
20
20
30
30
40
0,01
0,1
10
100
40
0,01
0,1
10
100
(a)
(b)
H2 =
VS2
=
VE2
1+j x
1
x
=
1
1
=
1
v
v0
1 + jQ x
1 + jQ
x
v0
v
214
5 Lamplificateur oprationnel
kR1
i1
ie
i+
i
Rg
ve
eg
i4
i2 R1
i3
vS1
R1
iS
RU
vS2
Solution
v S1 v S2 v S2 v +
R1
R1
Lamplificateur oprationnel tant idal, les courants entrants sont nuls : i + = i = 0.
Les courants i 3 et i 4 sont identiques : i 3 = i 4 . On peut donc appliquer le diviseur de
tension :
R
v S2
v+ = v =
R + R1
Le courant dentre i e et le courant i 1 sont identiques : i e = i 1 .
Le courant de sortie est donn par : i S = i 2 i 3 =
v v S1
ve v
v + v S1
=
=
R
k R1
k R1
On peut donc dduire la tension de sortie :
v ve
R1
R1
v
+
= 1+k
v k ve
v S1 = k R1
kR
R
R
R
R
Or,
ie =
ve
v S1 = 1 + k
v S2 k
R
R + R1
R
R + k R1
R1
ve
Soit :
v S1 =
v S2 k
R + R1
R
En utilisant les quations prcdentes, le courant de sortie devient :
R + k R1 (R + R1 ) R1
k
v S2 ve
iS =
R1 . (R + R1 )
R
Exercices
215
Pour obtenir une source de courant commande en tension, la premire quantit entre
parenthses doit tre nulle. Nous obtenons :
k
R + k R1 (R + R1 ) R1
v S2 = 0
i S = ve et
R
R1 (R + R1 )
2ve
R
Le convertisseur tension-courant possde un coefficient de transfert gal :
Y = 2/R. Ce coefficient est indpendant de la rsistance de charge RU .
Soit :
k=2
et i s =
Chapitre 6
Un circuit intgr (CI) est un composant lectronique capable de reproduire une (ou
plusieurs) fonction lectronique plus ou moins complexe, intgrant souvent plusieurs
types de composants lectroniques de base (surtout des transistors, quelques rsistances mais rarement des condensateurs) dans un volume rduit, rendant ainsi le circuit facile mettre en uvre.
Il existe une trs grande varit de ces composants diviss en deux grandes catgories : circuits intgrs analogiques et circuits intgrs numriques.
On a dj prsent le circuit intgr le plus utilis qui est lamplificateur oprationnel. Le but de ce dernier chapitre est de sensibiliser le lecteur quelques circuits
intgrs de base. En effet, la conception de circuits base de composants discrets
devient exceptionnelle et le travail dun technicien consiste faire le bon choix entre
les circuits existants.
217
Ballast
amplificateur
diffrentiel
rfrence
V1
V0
Ve
VS
On trouve aussi une autre distinction, il y a des rgulateurs linaires et des rgulateurs dcoupage. Nous ntudions dans ce chapitre que les rgulateurs fixes et
linaires.
Lexemple le plus simple dun rgulateur srie est celui donn la figure 6.2 :
T
R
VS
DZ
R U VU
218
Dans ce cas, le transistor est directement reli la rfrence de tension qui est
constitue simplement de la tension obtenue aux bornes dune diode Zener. Le transistor T fournit le courant de sortie I RU et absorbe les variations de VU . Cest le transistor appel Ballast . La rsistance R permet de polariser correctement la diode
Zener en fournissant le courant I Z .
Ce type de rgulateur est qualifi de srie, car le transistor T se trouve en srie avec
la charge RU .
La tension dutilisation est : VU = VB E + VZ .
b) Rgulateur srie avec asservissement de la tension de sortie
RZ
+
Ve
DZ
R2
VZ
RU
VU
R3
VU =
R3
VU
R1 + R3
R1 + R3
VZ
R3
219
R3
T
Ve
VZ
RU
DZ
VU
R2
Ve VU
20 12
=
103 = 80 V
Ie
100
R2
VU
R1 + R2
VU =
R1 + R2
(VZ + VB E )
R2
220
6.1.3 Caractristiques
On trouve plusieurs modles de rgulateurs de tensions. Des modles pour les
faibles courants et des modles qui sont plus puissants, capables de dbiter quelques
ampres. On trouve aussi, des rgulateurs qui sont capables de fournir des tensions
positives et dautres qui fournissent des tensions ngatives. Dans tous les cas, il faut
connatre :
la tension de sortie Vout : cest la tension dsire, par exemple + 5 V si on utilise
seuil bas ;
une bascule de type SET/RESET ;
un tage de sortie ;
un transistor NPN qui permet de dcharger un condensateur externe.
221
VCC
8
7
5 k
6
+
_
5 k
SQ
RQ
+
_
2
5 k
1
est donc sensible aux parasites. Elle est relie au comparateur infrieur et se
dclenche sur front descendant avec un seuil de dclenchement gal VCC /3.
Borne 3 : cette borne reprsente la borne de sortie du dernier tage et permet
davoir des courants relativement levs (200 mA).
Borne 4 : cette broche permet de remettre zro la tension de sortie de la bascule
RS de la sortie (sortie ltat bas).
Borne 5 : cette broche est une broche de contrle qui permet dimposer la tension
de rfrence laide dune tension (issue ventuellement dun circuit) externe.
On peut ainsi modifier la frquence et ou la dure des impulsions (modulation
de largeur dimpulsions).
Borne 6 : relie lentre du comparateur suprieur, la tension sur cette broche
est appele tension seuil et, est fournie par des composants externes. Lorsque
cette tension dpasse 2VCC /3, le comparateur suprieur a une sortie ltat haut.
Borne 7 : cette broche permet la dcharge dun condensateur
Broche 8 : elle est relie lalimentation VCC (le circuit fonctionne entre 5 V et
15 V).
222
R1
C1
RAZ
555
7
6
gchette
dure de
ltat haut
3
1
sortie
Au dpart, la sortie Q est ltat haut (Q est ltat bas), le transistor est satur et
le condensateur C1 se trouve dcharg.
Lorsquon applique une impulsion ngative de courte dure sur la gchette (son
niveau de repos est +VCC ), le potentiel de la broche 2 devient lgrement infrieur
VCC /3, le comparateur infrieur bascule, Q passe au niveau bas et Q ltat haut.
Le condensateur C1 commence se charger travers R1 .
VC1 = VCC 1 et/RC
Ds que la tension aux bornes du condensateur dpasse 2VCC /3, le comparateur suprieur bascule la sortie Q passe ltat haut (Q passe ltat bas), le transistor est
satur et le condensateur C1 se trouve dcharg.
La dure du crneau de la sortie est dtermine par la constante de temps
t = R1 C1 . La tension de sortie est approximativement de 2/3VCC .
La largeur de limpulsion est :
W = RC ln (3) = 1,1 RC en secondes
Cette dure reste valable tant quaucune impulsion de remise zro nest applique
sur la borne 4.
223
vgachette(t)
VCC
t
vC1(t)
2VCC
3
t
vS(t)
W
VCC
Figure 6.7 Allures des tensions de la gchette, aux bornes du condensateur C1 et de la tension
de sortie.
R1
7
R2
C1
555
6
2
4
1
3
1
sortie
224
Dans un premier temps, la broche Q est au niveau bas, le transistor est bloqu et
le condensateur C1 (qui tait dcharg) commence se charger travers la rsistance
forme par la somme des deux rsistances : R = R1 + R2 . Le condensateur se charge
jusqu la valeur 2VCC /3.
La constante de temps de charge est donc : t = (R1 + R2 ) C1
Ds que la tension aux bornes du condensateur C1 dpasse lgrement 2VCC /3,
le comparateur suprieur met la bascule au niveau haut, le transistor sature et le
condensateur se dcharge travers la rsistance R2 avec une constante de temps :
t = R 2 C 1
Lorsque la tension aux bornes du condensateur C1 devient lgrement infrieure
VCC /3, le comparateur infrieur met la bascule au niveau bas. Cest alors que le
cycle recommence.
T1 = 0,693 t = 0,693 (R1 + R2 ) C1
T2 = 0,693 t = 0,693 R2 C1
La priode totale du cycle sera donc :
T = T1 + T2 = 0,693 t + t = 0,693 (R1 + 2R2 ) C1
vS(t)
2VCC
3
vC1(t)
VCC
2VCC
3
VCC
1
1,44
1
=
=
T
0,693 (R1 + 2R2 ) C1
(R1 + 2R2 ) C1
225
X
Y
S = K X Y,
Dans cette mthode on applique les proprits des logarithmes et les proprits des
exponentielles puisque :
log (X ) + log (Y ) = log (X Y )
et
exp (log (X Y )) = X Y
226
log
log(X)
sommateur
log
log(XY)
antilog ou exp
XY
log(Y)
Figure 6.11 Principe dun multiplieur utilisant des modules log et exp .
=
= XY
4
4
4
On retrouve des modules sommateurs, des modules de valeurs absolues et des
modules dlvation au carr. Notons que llvation au carr peut tre obtenue par
approximation en utilisant des diodes et des rsistances comme cest le cas pour un
conformateur diodes.
c) Multiplieur transconductance variable
I3 = I X +
X
;
RX
I4 = I X
X
;
RX
I3 I4 =
2X
RX
Et :
I1 = IY +
Y
;
RY
I2 = IY
Y
;
RY
I1 I2 =
2Y
RY
227
V CC
I 10
I9
RC
D1
IX
I8
T7
T8
RX
T 15
I2
I1
T9
IX
I6
T 14
T4
I5
I4
T3
A
I7
D2
I3
RC
T 10
RY
IY
IY
VCC
Figure 6.12 Principe dun multiplieur transconductance variable.
Dautre part, pour la paire diffrentielle T3 , T4 les collecteurs sont relis lalimentation positive par lintermdiaire des diodes D1 et D2 . Il en rsulte les relations
suivantes :
U B E5 + U D1 = U B E6 + U D2 ;
U B E5 U B E6 = U D2 U D1
En ngligeant les courants de base qui passent dans les deux paires diffrentielles T7 ,
T8 et T14 , T15 devant les courants des collecteurs I3 et I4 , on trouve :
I3 = I S e
U D1
UT
I4 = I S e
U D2
UT
I5 = bI S e
U B E5
UT
I6 = bI S e
KT
= 26 mV la temprature ambiante : T = 300 K ;
q
I S est le courant de saturation dune diode :
U B E6 U B E5
U D1 U D2
I5
I4
UT
=e
;
= e UT
I6
I3
UT =
U B E6
UT
228
et
I5
I4
=
I2
2I X
soit :
I5 =
I2 I4
2I X
(I1 I3 + I2 I4 )
(I1 I4 + I2 I3 )
; I10 = I8 + I6 =
2I X
2I X
=
2I X
R X RY
IX
RX
RY
2RC
V A VB = K X Y avec : K =
R X RY I X
ou
La pulsation de ce signal, exprim en radian par seconde est ve , la frquence exprime en Hz est f e , avec : ve = 2p f e .
229
Or, la pulsation reprsente en utilisant le diagramme de Fresnel, la vitesse angulaire avec laquelle tourne le vecteur tension. Il vient donc que la phase instantane
est : we (t) = ve t. Il sagit dune droite dont la pente est proportionnelle la pulsation
(donc la frquence) du signal ve (t). Si la frquence (donc la pulsation) du signal
varie, we (t) ne reprsente plus une pente constante.
Dans certains cas, les signaux utiliss sont transforms en signaux impulsionnels,
ou signaux reconstitus. Dans ce cas, mathmatiquement, on ne peut plus parler de
phases instantanes. Nanmoins, on continue dutiliser la notion de phases instantanes en utilisant uniquement le fondamental de chaque signal dcompos en srie de
Fourier.
vS(t) ve(t)
v(t)
On trouve ce genre de circuit sous forme intgre. Il sagit soit dune PLL qualifie
danalogique (cas du circuit 4 046) soit dune PLL qualifie de numrique (cas du
74 297).
b) Aspect mathmatique
Pour un signal sinusodal, on dfinit la phase instantane w(t) et la pulsation instantane v(t).
d
v(t) = w(t) soit : w(t)=
v(t)dt
dt
Le dphasage instantan w(t) de deux signaux quelconques :
v1 (t) = V1 sin(v1 t + w1 )
w(t) = (v2 v1 )t + w2 w1
et
v2 (t) = V2 sin(v S t + w S )
w(t) = w2 w1 pour v2 = v1
230
v S (t) = VS cos (v S t + w S )
et
= ve (t) v S (t) = 0
dt
dt
Avec ve (t) et v S (t) qui sont les pulsations instantanes. La formule prcdente
montre que les deux signaux sont synchrones. Autrement dit, la phase du signal de
sortie suit les variations de la phase du signal dentre.
Dw = we (t) w2 (t) = constante,
(t)
soit :
(t)
2(t)
2+0
e(t)
2
0
2
0
t
TS
Te=TS
Te
dwe (t)
= ve (t) = 2p f e (t)
dt
t
t
we (t) =
ve (t) dt = 2p
f e (t) dt = we (t) + constante
On sait que :
Soit :
231
v (t)
ve(t)
Comparateur de phase
vS(t)
V (t)
Passe bas
Le comparateur de phase dlivre en temps rel dans une certaine plage, une tension
proportionnelle au dphasage existant entre les deux signaux dentres.
Solution analogique
Le comparateur de phase peut tre de type analogique form par exemple par un
multiplicateur de gain K exprim en V1 suivi du filtre passe bas. La sortie v(t) du
multiplicateur donne :
v (t) = K ve (t) v S (t) = K Ve VS cos (ve t) cos (v S t + w S )
v (t) =
K Ve VS
K Ve VS
cos ((ve + v S )t + w S ) +
cos ((v S ve )t + w S )
2
2
Vmax
232
Le comparateur de phase peut aussi tre de type numrique comme celui donn la
figure 6.17. Il est form dans ce cas par des circuits de mise en forme, un ou exclusif
et un filtre passe-bas.
ve(t)
Mise en
forme
ou
exclusif
vS(t)
Passe - bas
Sortie
Mise en
forme
Les circuits de mise en forme sont souvent des comparateurs sortie collec-
teurs ouverts .
La porte logique est du type ou exclusif qui donne un tat logique haut
lorsque les deux entres prsentent deux tats logiques diffrents.
ve(t)
vS(t)
t
Caractristique du comparateur de phase
sorties des
comparateurs
VDD
V(du filtre)
VDD
sortie
ou exclusif
t
sortie
du filtre
233
Autres solutions
H f1 ( jv) = H f 1 ( p) =
1
,
1 + tp
H f 2 ( jv) = H f2 ( p) =
1 + t2 p
1 + (t1 + t2 ) p
Avec :
t = RC, t1 = R1 C, t2 = R2 C
La caractristique du comparateur de phase par exemple ou exclusif suivi
dun filtrage passe-bas est donc la suivante :
Kp =
VD D
VS
=
en volts/radian
Dw
p
234
peut tre lgrement modifie par lapplication dune tension de commande. Lorsque
lasservissement fonctionne, la frquence du VCO est gale la frquence du signal
dentre ve .
La transmittance K 0 de loscillateur est tel que :
v2 = v S + K 0 v S
K 0 en radian/volt
On trouve plusieurs technologies qui correspondent gnralement diffrentes frquences de travail. On rencontre le principe de multivibrateurs astables, de circuits
accords LC ou de sources de courant commandes en tension qui chargent et
dchargent un condensateur.
Remarque 1. Selon lapplication dsire (dmodulation, synchronisation...), le
signal utile en sortie peut-tre soit la tension de commande du VCO, soit sa sortie.
Remarque 2. Une boucle verrouillage de phase relle peut comporter en plus des
3 blocs prcdemment cits :
un amplificateur qui se charge damplifier la sortie du filtre passe bas ;
un diviseur de frquence situ aprs le VCO, la comparaison des phases se fait
entre lentre ve et la tension v2 divise en frquences par la valeur N.
En labsence du signal dentre, loscillateur dlivre une tension de sortie, elle est
souvent sinusodale la pulsation v S . Cette pulsation est appele pulsation centrale.
Si on injecte lentre un signal sinusodal la pulsation ve , le comparateur dlivre
un signal complexe comprenant diffrentes pulsations. On trouve les frquences :
fe f S , fe + f S
Le filtre passe-bas ne laisse passer que le signal trs basse frquence f e f S .
La frquence du VCO varie et peut rejoindre f e , dans ce cas, il y a accrochage .
Le systme peut se verrouiller rapidement.
La diffrence maximale D f = | f e f S | pour laquelle laccrochage reste toujours
possible est appele bande de capture (capture range).
Plage de poursuite
Plage de capture
fBpoursuite
fBcapture
fHcapture
fHpoursuite
235
Si on suppose la boucle verrouille et si on modifie lentement la valeur de la frquence dentre f e , la phase instantane varie ainsi que la frquence daccord du
VCO. Gnralement lexcursion de la tension la sortie du filtre est limite par la
saturation des circuits, ce qui limite la variation de la frquence du VCO. Le systme dcroche . La bande maximale de frquence dans laquelle la boucle reste
verrouille sappelle bande daccrochage ou gamme de poursuite (lock range).
Remarque. Les plages de capture et de verrouillage peuvent tre diffrentes, cest
le cas du comparateur de phases OU exclusif. Mais elles peuvent aussi tre identiques, cest le cas du comparateur de phases intgration.
b) Analyse linaire
Cette analyse nest valable que lorsque la boucle est verrouille. Supposons que le
systme est accroch, on obtient en sortie du comparateur de phase :
v S = K p Dw
et
v2 = v S + K 0 VS
Si en prenant comme grandeur dentre ve v S , on peut utiliser le schma fonctionnel (en transforme de Laplace) de la figure 6.21.
1/p
Kp
H(p)
Vs
Ko
1 + t2 p
1 + (t1 + t2 ) p
Avec :
K p H ( p)
K p (1 + t2 p)
vs
=
=
Dv
p + K 0 K H ( p)
(t1 + t2 ) p 2 + 2mV0 p + V20
K0 K p
1
1
t2 +
et m =
V0
V0 =
t1 + t2
2
K0 K p
236
Contrairement au filtre simple RC, on peut obtenir un bon amortissement et une large
gamme de poursuite. Ce qui prcde permet de dcrire le fonctionnement de la boucle
tant que laccrochage a lieu. Cest le cas, par exemple, de lutilisation de la boucle en
dmodulation.
Source de
co urant 2
K1
K2
Bascul e
S1
Co nformateur
S2
Amplificateur
S3
237
Soit :
I1
t
C
C
(VM Vm )
I1
et
T2 =
C
(VM Vm )
I2
Si les deux courants I1 et I2 ont la mme valeur, la tension triangulaire est symtrique.
v(t)
pente
VM
I1
C
pente
I2
C
Vm
t
Dunod La photocopie non autorise est un dlit
T1
T2
238
VS
R
R1
Ve
R2
U3
Rn
U1
U2
Un
D1
D2
Dn
VS
U2
pente 3
U1
Ve 1
(a)
Ve 2
pente
1
Ve 3
Ve
(b)
Si on suppose que U1 < U2 < U3 < < Un , pour une tension de sortie comprise
entre U1 et U2 , la diode D1 conduit. En appliquant le thorme de superposition, on
obtient :
R1
R1
Ve +
U1
Vs =
R + R1
R + R1
Le mme raisonnement sapplique pour une tension de sortie comprise entre U2 et
U3 . D2 entre en conduction et la tension de sortie devient :
Vs =
R1 //R2
R2 //R
R1 //R
Ve +
U1 +
U2
R + (R1 //R2 )
R1 + (R2 //R)
R2 + (R1 //R)
On remarque que la pente change (diminue) chaque cassure (figure 6.24 (b)).
pente 1 = 1,
pente 2 =
R1
,
R1 + R
pente 3 =
R1 //R2
R + (R1 //R2 )
239
VCC
R0 i
Ve
VS
R 1i
R '2 i
T 'i
Ti
R '1 i
R '3 i
240
Une boucle verrouillage de phase PLL (Phase Locked Loop) est un systme
boucl qui travaille par asservissement de la phase dun signal alternatif dlivr
par un oscillateur interne sur la phase dun signal de rfrence externe. Une PLL
qualifie danalogique comporte essentiellement les trois lments suivants :
comparateur (ou dtecteur) de phase ;
oscillateur command en tension ;
filtre passe bas.
v (t)
ve(t)
Comparateur de phase
vS(t)
Passe bas
V (t)
So urce de
courant 2
K1
K2
B as cule
S1
C onformateur
S2
Amp lificateur
S3
Exercices
241
EXERCICES
Exercice 6.1
R3
R1
T2
Ve
DZ
VZ
RU
V
VU
R2
Solution
1. Principe de la rgulation
La tension dentre Ve est une tension redresse et filtre. Cette tension ondule donc
autour dune valeur moyenne. Supposons maintenant que la tension dutilisation VU
(qui est plus faible que la tension dentre) varie dans un sens quelconque (augmente
par exemple).
R2
VU .
La tension V de la base du transistor T2 augmente aussi : V =
R1 + R2
Or, puisque le transistor T2 et R3 forment un montage en metteur commun, le courant de collecteur de T2 augmente aussi et par consquent le potentiel du collecteur
de T2 va dcrotre.
Or, la tension VC de T2 est gale aussi la tension de la base du transistor T1 , le
potentiel de lmetteur (qui est le potentiel de la sortie) va baisser. On a donc une
raction ngative (un asservissement).
2. Calcul de la tension de sortie VU
La tension V de la base du transistor T2 est : V =
R2
VU
R1 + R2
242
R2
VU
R1 + R2
On en dduit :
VU =
1,5 + 2,7
R1 + R2
(0,7 + 7,5) = 12,75 V
(VB E + VZ ) =
R2
2,7
VU
12,75
= 255 mA
=
RU
50
12,75
VU
=
= 3,64 mA
R1 + R2
3,5 103
Ve VZ
20 7,5
=
= 12,5 mA
RZ
103
VU2
(12,75)2
= 3,254 watts
=
RU
50
PU
3,254
= 60 %
=
Pe
5,422
Exercices
243
Exercice 6.2
tension
R1
7
R2
555
6
2
R3
3
1
sortie
C
R4
Figure 6.27 Montage dun astable command en tension.
Solution
1. Principe de fonctionnement
La figure 6.27 montre le cas dun temporisateur configur en mode oscillateur
astable command en tension . En effet, la broche 5 est commande par le diviseur
de tension et reoit une tension V5 :
R4
V5 =
VCC
R3 + R4
Le seuil de dclenchement du comparateur suprieur nest plus 2VCC /3 mais V5 .
Dans ce cas, le comparateur infrieur ne se dclenche plus VCC /3 mais V5 /2.
Le condensateur C se charge entre ces deux valeurs comme pour le multivibrateur
astable avec une constante de temps :
t1 = (R1 + R2 ) C
Le condensateur C se dcharge entre V5 et 0, 5 V5 avec une constante de temps t2 :
t2 = R 2 C
On obtient ainsi un signal rectangulaire en sortie.
244
= VCC V5 = VCC
eT1 /t1
VCC
2
2
2
Finalement on a :
VCC V5
VCC V5
T1 /t1
=e
et on en dduit : T1 = t1 ln
VCC 0,5 V5
VCC 0,5 V5
Le condensateur C se dcharge entre V5 et 0,5 V5 avec une constante de temps t2 :
t2 = R 2 C
La dure de ltat bas de limpulsion de sortie est T2 : T2 = 0,693 R2 C
La priode totale du cycle sera donc :
VCC V5
T = T1 + T2 = (R1 + R2 ) C ln
+ 0,693 R2 C1
VCC 0,5 V5
On en dduit la frquence du signal :
f =
1
1
1
=
=
,
T
T1 + T2
t1 ln (a) + 0,693t2
avec : a =
VCC V5
VCC 0,5 V5 1
Exercices
245
103
1
(0,3368) + 0,693 3,33 103
f (max) =
103
1
(0,0488) + 0,693 3,33 103
10,1
1
=
103 = 175,22 Hz
5,707
Et
10,1
1
=
103 = 357,27 Hz
2,799
Exercice 6.3
10
200
Filtre F1
Comp-Phase
P-bas
VCO
f1
f2
f 2
Nu
Nu=180+u
Filtre F3
P-bande
10
f3
Filtre F2
Comp-Phase
P-bas
VCO
f4
f5
f 5
Nd
Nd=180+d
Filtre F4
P-bande
Filtre F5
f6
P-bas
f7
f 7
f8
246
f1
f1
f1
=
=
Nu
180 + u
18u
avec : u [1, . . . , 9]
On en dduit donc : f 1 = [10 (180 + u)] 103 Hz = 18u0 103 Hz = 18u0 kHz.
La frquence dlivre par loscillateur quartz est divise par 10 et se trouve applique lentre du premier multiplieur qui reoit aussi le signal de frquence f 1 .
1
1
On sait que : cos (2p f )cos 2p f = cos 2p f + f + cos 2p f f
2
2
la sortie du multiplieur, on a donc deux signaux de frquences :
2 MHz
= (18u0 + 200) kHz = 20u0 kHz
10
2 MHz
= (18u0 200) kHz = 16u0 kHz
f 2 = f 1
10
f2 = f1 +
la sortie du filtre F3, seule la frquence somme passe. Cette frquence est
ensuite divise par 10 ce qui donne :
f3 =
f2
20u0 kHz
=
= 20u kHz
10
10
La frquence dlivre par loscillateur quartz est divise par 200 et se trouve
applique lentre du deuxime comparateur de phases. Cette frquence qui vaut
10 kHz se trouve accroche par la frquence issue du diviseur de frquence. On a
donc :
10 103 =
f1
f1
f1
=
=
,
Nu
180 + d
18d
avec : d [1, . . . , 9 ]
On en dduit donc : f 4 = [10 (180 + d)] 103 Hz = 18d0 103 Hz = 18d0 kHz.
Exercices
247
f 6 = f 4 + f 3 = 20du kHz
La frquence dlivre par loscillateur quartz se trouve applique directement sur
lentre du troisime multiplieur qui reoit aussi le signal de frquence f 6 .
la sortie de ce multiplieur, on a donc deux signaux de frquences :
f 8 = f 7 = du kHz
et
f 2
Le filtre passe-bas F5 doit laisser passer le signal dont la frquence varie entre :
et
Ce filtre doit couper les frquences f 7 qui sont suprieures 4 000 kHz.
La frquence de coupure peut donc tre lgrement suprieure 99 kHz.
248
Exercice 6.4
On donne le montage de la figure 6.29 qui reprsente un modulateur utilisant un multiplieur analogique. On suppose K = 1 V1 .
1. On suppose que k = 1 en V1 , exprimer le signal de sortie s(t) sous la
forme standard dun signal modul en amplitude :
s(t) = A[1 + m cos(2p f t)] cos(2p f 0 t).
2. Dvelopper lexpression prcdente et en dduire les diffrentes frquences prsentes dans le signal de sortie.
constante = C
V cos(2ft)
sommateur
multiplieur
V0 cos(2f0t)
s(t)
multiplieur
filtre
passe bas
u(t)
Solution
V
et A = K C V0 .
C
Exercices
249
On trouve trois frquences (trois raies). Lune correspond la frquence de la porteuse et les deux autres correspondent lune la frquence latrale suprieure f 0 + f
et lautre la frquence latrale infrieure f 0 f .
3. Expression du signal x(t)
la sortie du multiplieur, on obtient :
x (t) = K AE 0 [1 + m cos (2p f t)] cos2 (2p f 0 t)
Or, on sait que : cos2 (2p f 0 t) =
1 + (4p f 0 t)
1 + (2 2p f 0 t)
=
2
2
x (t) =
250
K AE 0 K AE 0
K AE 0
+
m cos (2p f t)
[1 + m cos (2p f t)] =
2
2
2
Index
A
accepteur, 5
amplificateur, 88
Bootstrap, 135
diffrentiel, 116
drain commun, 109
crteur, 199
en base commune, 98,
120
en classe A, 111
en classe B, 113
en classe C, 115
en collecteur commun,
95
en metteur commun, 92
grille commune, 110
logarithmique, 197
non inverseur, 185, 207
oprationnel, 173
rendement de l, 112
slectif, 130
source commune, 107
amplification diffrentielle,
174
astable, 223
B
bande interdite, 8
barrire de potentiel, 13
boucle verrouillage de
phase, 228
boucle ouverte, 184
C
capacit de diffusion, 22, 143
capacit de transition, 140
charge stocke, 142, 159, 160
D
dtection crte, 35
diffusion des porteurs, 10
diode jonction, 17
relle, 18
diode jonction en petits
signaux, 20
capacit de transition, 23
rsistance dynamique, 20
schma quivalent, 20
diode Schottky, 157
diode Zener, 23, 218, 219
donneur, 5
doubleur de tension, 35, 36
droite
de charge, 27
de charge dynamique, 99
de charge statique, 53, 99
dure de vie, 143, 160
des porteurs, 11
E
baseur, 33
crteur, 33
effet Miller, 103
lectron, 3
metteur commun, 48
F
filtre
actif, 190
de Wienn, 209
passe-bande, 201
passe-bas, 204, 230, 233
frquence
de coupure f b , 58
de transition, 166, 168,
180
de transition f T , 58
G
gnrateur de fonctions, 236
de tensions triangulaires,
236
J
jonction PN, 11, 14, 16
L
limiteur de tensions, 34
M
minuterie, 220
miroir de courants, 83
mobilit, 9
252
Index
N
niveau dnergie
bandes interdites, 7
dun atome isol, 6
niveau de Fermi, 7
O
oscillateur command en
tension, 230, 233
P
plage
de capture, 234
de poursuite, 234
point de fonctionnement, 52
stabilisation du point de
repos, 74, 77
polarisation dun transistor, 52
par pont rsistif, 54
par rsistance de base, 54
puissance dissipe dun
transistor en
commutation, 169
R
redressement, 29, 198
taux dondulation du
double alternance,
30
taux dondulation du
simple alternance,
31
taux dondulation du
simple alternance et
filtrage, 31
rgulateur de tension, 216
srie, 217, 241
shunt, 218
rgulation dune tension par
diode Zener, 40
rendement, 242
rponse indicielle, 181
rsistance variable, 66
S
schma quivalent en hautes
frquences, 56
schma quivalent en petits
signaux, 55, 92,
100, 108, 109
basses frquences, 55
hautes frquences, 56
semi-conducteur, 1
de type N, 5
de type P, 5
extrinsque, 4
intrinsque, 2, 8
source de courant commande
en tension, 213
structure de Rauch, 191
structure de Sallen et Key, 192
synthtiseur de frquence, 245
T
taux de rjection en mode
commun, 117, 183
temporisateur, 220
555 astable command
en tension, 243
temps
dtablissement, 181
de dsaturation, 145,
146, 151
de descente, 151, 155
de monte, 145, 148,
151, 152, 181
de recouvrement inverse,
145
de restitution, 156
de retard, 150, 157
de tranage, 147
tension de pincement, 61
transformation triangulaire/sinusodal,
237
transistor effet de champ, 60
polarisation automatique
dun FET, 79
polarisation dun FET
par pont rsistif, 85
transistor bipolaire, 44, 218,
219
Darlington deux
transistors NPN, 71
gain en courant b, 47
polarisation dun
transistor NPN, 51
transistor MOS-FET, 63
trou, 3
SCIENCES SUP
Tahar Neffati
INTRODUCTION
LLECTRONIQUE
ANALOGIQUE
Concis et efficace, cet ouvrage est destin tout particulirement
aux tudiants des IUT Gnie lectrique et des Licences
professionnelles EEA.
L'tudiant et futur technicien en lectronique trouvera dans cet
ouvrage les notions essentielles :
la diode jonction avec des applications (diode Zner, diodes
lectroluminescentes, photodiodes...) ;
les transistors, tudis en rgime statique puis modliss en
rgime harmonique ;
les diffrents types d'amplification ;
la commutation, qui dtermine la rapidit de chaque circuit
(donc la frquence de travail) ;
lamplificateur oprationnel ;
les circuits intgrs analogiques.
Un chapitre est consacr l'tude des composants et circuits
intgrs spcifiques (opto-coupleurs, rgulateurs de tension,
buffer 555, gnrateurs de fonctions et boucle verrouillage
de phase).
Des exercices corrigs sont proposs la fin de chaque chapitre.
TAHAR NEFFATI
Matre de confrences
luniversit de CergyPontoise et au CNAM.
MATHMATIQUES
PHYSIQUE
CHIMIE
SCIENCES DE LINGNIEUR
INFORMATIQUE
SCIENCES DE LA VIE
SCIENCES DE LA TERRE
LICENCE
MASTER
DOCTORAT
1 2 3 4 5 6 7 8
ISBN 978-2-10-053956-7
www.dunod.com