POLARISATION DU TRANSISTOR NPN

Philippe ROUX 2004

POLARISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE NPN

1) DROITE DE CHARGE ET POINT DE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR
On considre le montage de la figure 1 qui utilise un transistor NPN au silicium de type 2N1613
dont on donne les caractristiques 25C . Ce transistor est aliment par une tension continue VCC gale
15 V avec dans le collecteur RC = 820 et dans lmetteur une rsistance RE = 180 .
Caractristiques de sortie

IC en mA
20

Caractristique de transfert
VCE = 7.5 V

IB en A

180

= 94

VCC
15
R C + RE

160

Droite de charge

140
120

10
P repos

100

P repos

7.5 mA

80
60

40
20

IB en A
200

150

100

50

5
0,45

80 A

7.5 V

10

15
VCC

+ VCC = +15 V

0,5

820

0,55
0,6

P repos

0,65

0.625 V

150

100

50

Caractristique dentre

VBE en V

RC
IC
C

IB

VBE

0,7
200
IB en A

20
VCE en V

180

IE

VCE

E
RE

Figure 1 : caractristiques du transistor et schma du montage.

Le point de fonctionnement ou de repos du transistor se trouve sur la droite de charge statique du
transistor. Celle-ci reprsente la relation entre VCE et IC pour le circuit extrieur au transistor :
1
VCE VCC (R C RE )I C
avec : I E IC (1
) IC
La droite de charge est trace dans le rseau de sortie compte-tenu des points remarquables : 15 mA (pour
VCE = 0 V) et 15V (pour IC = 0 mA).
1

On choisi sur la droite de charge un point de repos Prepos tel que : VCE repos = 7.5 V. Dans le rseau de
caractristiques, on en dduit :

La caractristique de transfert : IC = f(IB) pour VCE gal 7.5 V constant qui indique le gain
en courant du transistor : HFE = = IC repos / IB repos = 94.

La valeur des courants : IC repos = 7.5 mA et IB repos = 80 A.

La valeur de la tension VBE repos = 0.625 V.

2) POLARISATIONS CLASSIQUES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE NPN

Il existe deux mthodes classiques pour polariser le transistor cest--dire fixer le courant IC repos.
2.1) POLARISATION EN COURANT
IC

+ VCC = +15 V

820

RC

RB
7.5 mA

2
K
1

1.99 V

IB
80 A

IE

VBE
0.625 V

80 A

180

1.36 V

RE

Figure 2 : polarisation en courant

Cette technique (figure 2 et K en 1) fait appel un gnrateur de courant pour fixer IB repos = 80 A.
La ralisation pratique de ce gnrateur de courant (K en 2) fait appel la rsistance RB de valeur
convenable reliant VCC la base B du transistor.
Dtermination de la valeur de RB :
RB =

VCC VBM
=162 k
I B repos

soit RB norm. = 150 k

2.2) POLARISATION EN TENSION

+ VCC = +15 V

820
R1

1.99 V

IC
80 A

2
K

IP

7.5 mA

IB

IE

VBE
0.625 V

R1

RC

VBM

1.36 V

180

RE

1.99 V

Figure 3 : polarisation en tension

Thoriquement, cette polarisation (figure 3) met en oeuvre un gnrateur de tension de 1.99 V (K en 1). La
ralisation pratique de ce gnrateur (K en 2) seffectue laide dun pont diviseur R1 R2 de la tension VCC
dalimentation.
Le calcul des rsistances de polarisation R1 et R2 est obtenu par le choix d'un courant de pont IP tel que :
10 IB repos IP 20 IB repos
En choisissant ici : Ip = 1 mA on obtient : R1 =

VCC VBM
I P + I Brepos

R2 =

VBM
IP

R1 = 12 k, R2 = 1.99 k, valeurs normalises : 10 k et 1.8 k.

REMARQUE IMPORTANTE :
En pratique, pour polariser le transistor, la connaissance des rseaux de caractristiques du
transistor nest pas ncessaire. En effet, il faut donner aux rsistances de polarisation, une valeur
normalise voisine de la valeur calcule, ce qui rend inutile une valeur prcise de la tension VBE.
Aussi, pour dterminer une polarisation, il suffit de connatre :
IC repos
La valeur du gain en courant du transistor bipolaire pour avoir I B repos =

Prendre systmatiquement VBE = 0.6V afin de calculer la tension VBM.

3) COMPARAISON DES POLARISATIONS EN COURANT ET EN TENSION VIS A VIS DES

VARIATIONS DE TEMPERATURE
3.1) EFFETS DE LA TEMPERATURE SUR LE TRANSISTOR
Les caractristiques d'un transistor sont sensibles la temprature qui modifie simultanment :

La caractristique dentre (jonction passante) selon la loi :

Le gain en courant avec :

1
= 0.6%. C1
T

VBE
2.5 mV.C1
T

Par exemple, pour une temprature voluant de 25 125 C, on obtient avec le transistor choisi :
Temprature
VBE (V)

25C

125C

T = 100C

0.625

0.375

VBE = - 0.25 V

94

150

= 56

Les variations de VBE et de avec la temprature provoquent un dplacement important et nfaste du

point de repos sur la droite de charge.
Une solution technique simple pour combattre ces effets consiste placer une rsistance RE de valeur
convenable entre lmetteur du transistor et la masse.
3.2 COMPARAISON VIS A VIS DES VARIATIONS DE LA TEMPERATURE
Pour comparer les deux polarisations prcdentes, lorsque la temprature volue de 25 125 C,
on recherche, sur la droite de charge, la variation IC = IC (125C) - IC (25 ) du courant de repos de
collecteur. La variation de courant IC, qui dpend la fois de VBE et , est obtenue en crivant une
diffrentielle totale :
dIC = (

IC
I
)ct . dVBE + ( C )VBEct . d
VBE

IC = SV .VBE + S . (1)

SV: coefficient de stabilit pour les variations de VBE

S : coefficient de stabilit pour des variations de

Pour simplifier lanalyse, on effectue cette tude avec le schma commun de la figure 4 qui est
obtenu par application du thorme de Thvenin entre la base et la masse. Le tableau donne les rsultats
correspondants : Eth et Rth

+ VCC = +15 V

RC

820
R1

1.99 V

IC
80 A

2
IP

IB

IE

VBE
0.625 V

R1

7.5 mA

VBM

1.36 V

180

RE

1.99 V

Figure 4 : schma dtude commune 25 C

Polarisation en courant
Polarisation en tension

VCC

Tension Eth
VCC = 15 V
R2
= 2.12 V
R1 + R2

Rsistance Rth
RB = 162 k
R1 // R2 = 1.7 k

Avant dappliquer lquation (1), il faut dterminer lexpression du courant IC en fonction de VBE
, du gain en courant qui varient avec T et des lments du montage. On en dduit ensuite, avec les
drives partielles, les expressions des coefficients de stabilit SV (en mS) et S (en A) :

IC =

E Th V BE
R Th + ( + 1)R E

SV=

R Th + ( + 1)R E

S=

(E Th V BE ) (R Th + R E )
R Th + ( + 1)R E

Rsultats de lquation (1) pour = 100 C :

Polar en courant

Polar. en tension

S ()

72.68

7.9

SV (mS)

- 0.524
4.23

-5
1.7

IC (mA)

Le tableau des rsultats indique que la polarisation en tension assure la drive en temprature la plus
faible du courant de repos de collecteur. Elle sera donc choisie lorsque la plage de variation de la
temprature du montage est importante.

4) AUTRE MODE DE POLARISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE NPN

+ VCC = +15 V

820

RC

80 A

RP
IB

IC
C

1.99 V

7.5 mA

VCE
7.5 V

IE

VBE
0.625 V

180

RE

Figure 5 : polarisation par rtroaction

Il existe une autre possibilit de polarisation du transistor en utilisant une rsistance collecteur-base Rp
(figure 5) reliant la collecteur et la base du transistor. Sachant que la rsistance RP est parcourue par le
courant de base :

RP =

VCE

VBE

repos

IB

= 85.9 k soit 82 k normalise

repos

IC =

Sachant que :

repos

(VCC VBE )
(2)
RP + ( + 1)( RC + RE )

On obtient les coefficients de stabilit en temprature du montage :

Sv =

RP + ( RC + RE )( + 1)

S =

(VCC VBE ).( RP + RC + RE )

2
[RP + (RC + RE )( + 1)]

titre de comparaison avec les polarisations prcdentes, pour une variation de temprature de 25 C
100 C, on obtient ici : Sv = -5.2 mS et S = 38.2 A soit une drive en temprature du courant de repos de
collecteur : IC = 2.26 mA.
Cette polarisation est donc moins performante que la polarisation en tension. Cependant, ce montage a
lavantage de procurer une assez bonne stabilit en temprature (rle de la rsistance RC dans lquation
(2)) mme en labsence de la rsistance RE, contrairement aux polarisations prcdentes.

5) POLARISATION DANS LES CIRCUITS INTEGRES : MIROIR DE COURANT SIMPLE

+ VCC
RC

R
Iref

IB1+IB2

IC1

IC2
T2

T1
VBE2

VBE1

Figure 7 : montage miroir de courant simple

Les circuits intgrs offrent la possibilit de raliser des transistors rigoureusement identiques
obissant la loi habituelle :
V
IC = I SBC exp( BE ) (2)
UT
o UT = 25 mV 25C et ISBC est le courant inverse de saturation de la jonction base-collecteur.
Le montage de la figure 7 est utilis pour polariser le transistor T1 dans un circuit intgr o les
polarisations classiques ne sont pas utilisables. La polarisation de T1 est alors assure par T2
(rigoureusement identique T1) mont en diode par un court-circuit collecteur base.
Sachant que, dune part les tensions VBE1 et VBE2 sont gales et que dautre part les transistors identiques
sont caractriss par un mme courant ISBC, on en dduit que les courants IC1 et IC2 sont aussi gaux. Dans
ces conditions, on montre que :
1
IC 1 = I ref
I ref
2
1+

Le courant de collecteur de T1 recopie le courant Iref do le nom du montage : miroir de courant . La

stabilit en temprature de ce montage est excellente.