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37353038
37353038
applique
re
1 STI
Gnie lectronique
Marie-Claude Didier
Lyce les Iris, Lormont
Jacques Lafargue
Lyce Gustave Eiffel, Bordeaux
Thierry Lecourieux
Lyce Richelieu, Rueil-Malmaison
Grard Montastier
Lyce Dorian, Paris
AVANT-PROPOS
Destine aux lves de 1re STI, Gnie lectronique, cette nouvelle dition tient
compte des amnagements de programme parus au BO du 20 dcembre 2001.
Il propose un cours vitant toute inflation, construit autour dapproches exprimentales et des savoir-faire que llve doit acqurir. La rubrique LEssentiel
rsume les connaissances retenir. Des exercices nombreux, varis, progressifs,
prsents dans le cours (applications avec solutions) ou en fin de chapitre (QCM,
exercices rsolus, exercices avec rsultats et exercices rsoudre) permettent
llve de contrler et de consolider ses acquisitions.
Avec ce manuel, llve dispose en effet dun outil pour dcouvrir et travailler
la physique applique ses trois niveaux :
le niveau des connaissances scientifiques : dfinitions, lois, thormes, ordres
de grandeur, units ;
le niveau des savoir-faire exprimentaux : utilisation des appareils de mesure
classiques, protocoles exprimentaux, mthodes de mesure ;
le niveau des savoir-faire thoriques : utilisation des lois, des thormes, des
formules, des mthodes de raisonnement et des techniques de calcul.
Les auteurs
SOMMAIRE
Lois gnrales de llectricit
en continu
1. Circuit lectrique, intensit,
tension ....................................................
1. Circuit lectrique ........................
2. Intensit du courant lectrique ...
3. Loi des noeuds ............................
4. Diffrence de potentiel ou
tension lectrique .......................
5. Loi des mailles ............................
6. Puissances mises en jeu
dans un circuit ............................
2. Loi dOhm pour un diple passif ...
1. Quappelle-t-on rsistor ? .......
2. Loi dOhm pour un rsistor
linaire ............................................
3. Rsistivit et conductivit ......
4. Rsistor non linaire .................
5. Rsistor command ...................
6. Associations de rsistors
linaires ..........................................
lectromagntisme
7
7
8
11
12
14
15
21
21
21
24
25
26
26
33
33
53
53
54
56
65
34
39
41
45
46
58
59
65
66
70
72
79
79
81
84
86
109
109
111
113
115
116
Rgimes variables
10. Grandeurs priodiques ................ 123
1. Valeur instantane ..................... 123
2. Grandeur priodique ................ 124
3. Frquence dune grandeur
priodique ..................................... 124
4. Valeur moyenne dune grandeur
priodique ..................................... 125
5. Valeur efficace dune grandeur
priodique ..................................... 127
6. Gnralisation .............................. 129
11. Rgimes transitoires ...................... 137
1. Diples linaires passifs .......... 137
2. Charge et dcharge dun
condensateur travers une
rsistance ....................................... 138
3
3. tablissement et annulation
dun courant dans une bobine ... 143
4. Charge et dcharge dun
condensateur dans un circuit
inductif ........................................... 146
12. Rgimes sinusodaux ....................
1. Quest-ce quun rgime
sinusodal ? ...................................
2. Expression dune grandeur
sinusodale ....................................
3. Valeur moyenne ..........................
4. Valeur efficace .............................
5. Comment reprsenter une
grandeur sinusodale ? .............
6. Dphasage entre deux
grandeurs sinusodales
de mme frquence ...................
13. Diples linaires lmentaires
en rgime sinusodal .....................
1. Objectif de ltude ......................
2. Conducteur ohmique ................
3. Bobine parfaite ............................
4. Condensateur parfait ................
14. Associations de diples Rsonance ..........................................
1. Objectif de ltude ......................
2. Diple R, L, C srie ....................
3. Diple R, L, C parallle ............
153
153
154
155
156
156
160
165
165
166
169
172
179
179
180
184
215
227
215
218
220
227
229
233
241
241
245
246
249
259
259
260
263
17
DIODES
ET
TRANSISTORS
Jonction
P
215
fonctions de llectronique
R = 100
+
1.3.2. Exploitation
Les deux caractristiques prcdentes peuvent tre regroupes en une seule (fig. 17.8).
La caractristique obtenue en polarisation directe montre que le diple nest pas
linaire (la caractristique i(u) nest pas une
droite). Pour une tension infrieure 0,6 V
environ, lintensit du courant qui traverse
la diode est nulle : elle est bloque. Au-del
de cette tension, appele tension de seuil us,
elle se met conduire ; lintensit du courant qui la traverse augmente trs rapidement alors que la tension ses bornes augmente trs peu : la diode est passante.
0,6
u (V)
Polarisation inverse
Ralisons le montage de la figure 17.6. Lintensit du courant est mesure avec un
microampremtre.
Remarque : La rsistance de 68 k protge
le microampremtre dans le cas o la diode
utilise serait branche lenvers ou courtcircuite.
Lalimentation rglable permet de relever
la caractristique i(u). Nous obtenons la
caractristique de la figure 17.7.
+
A
u
i
u (V)
1
i (mA)
200
100
us
0,6 V
u (V)
fonctions de llectronique
1.3.3. Modlisation
Lobservation de la caractristique de la figure 17.8 permet de dfinir deux
modles simples de la diode de redressement : lun tient compte de la tension
de seuil us (fig. 17.9), lautre nglige cette tension de seuil (fig. 17.10). Ce second
modle est le modle quivalent dune diode idale ; il est suffisant dans de nombreuses applications.
i
K
0 us
us
u = vA vK
A
i= 0
i> 0
u<0
u = us > 0
i= 0
A
0
u<0
Diode bloque <=> interrupteur ouvert
i> 0
u=0
Diode passante <=> interrupteur ferm
2.1. Prsentation
Cette diode peut tre traverse par un courant en inverse
et, si lon reste dans le domaine des puissances compatibles avec la puissance maximale fixe par le constructeur, le claquage de la jonction nest pas destructif : il y
a reconstitution de la jonction aprs suppression de la
tension inverse applique. Trs souvent les orientations
choisies sont inverses par rapport celles prises pour
la diode de redressement. Son symbole est lgrement
diffrent de celui dune telle diode (fig. 17.11).
218
uz
A
Dz
iz K
Inverseur
A
i
0 10 V
5,6 V
u
E
2
0
V
u (V)
1V
1
40 mA
2.2.2. Observations
Dans le sens direct, nous retrouvons une caractristique semblable celle de
la diode de redressement : elle est passante pour une tension u suprieure la
tension de seuil us de lordre de 0,7 V (la rsistance R = 100 limite lintensit
du courant direct moins de 100 mA).
Dans le sens inverse, la diode est bloque jusqu 5,6 V environ. Ds que cette
tension est atteinte, lintensit du courant qui la traverse crot brutalement : la
rsistance de 100 permet de limiter lintensit du courant inverse 44 mA.
5,6 V est appele tension Zner, elle est symbolise par Vz .
Les constructeurs proposent des diodes Zner dont les tensions peuvent tre
comprises entre 2,4 V et 270 V.
2.2.3. Modlisation
Le modle quivalent dune diode Zner idale est donn figure 17.14.
Polarisation inverse :
Pour Vz < u < 0 :
Dz <=> interrupteur ouvert
A
i= 0
u
Pour u = Vz :
Dz <=> rcepteur parfait de tension
Vz
A
i< 0
Polarisation directe :
Dz <=> interrupteur ferm
i
Vz
A
0
i> 0
u=0
fonctions de llectronique
3. transistor bipolaire
3.1. Quappelle-t-on transistor bipolaire ?
Un transistor bipolaire est un semi-conducteur comportant deux jonctions PN.
Suivant lorientation de ces jonctions, on obtient deux types de transistors : les
transistors PNP et les transistors NPN. Il y a donc trois parties : P, N, P pour un
transistor PNP et N, P, N pour un transistor NPN. Un nom est donn chacune
de ces parties : base pour la partie centrale, metteur et collecteur pour les deux
autres parties (fig. 17.15). Sur le symbole dun transistor (fig. 17.16), une flche
est porte par lmetteur : elle indique le sens passant de la jonction base-metteur ; le sens de la flche permet didentifier le type du transistor.
metteur
P N
IC
Collecteur
IC
C
Base
IB
Transistor PNP
VBE
metteur
N P
Collecteur
Base
Transistor NPN
C
VCE
IB
VCE
VBE
E
IE
IE
Transistor PNP :
toutes les grandeurs
sont ngatives.
Transistor NPN :
toutes les grandeurs
sont positives.
Conventions de reprsentation
Nous choisissons les mmes conventions
pour les deux types de transistors. La reprsentation sous la forme dun quadriple est
la plus courante (fig. 17.17) : IB et VBE sont
des grandeurs dentre, IC et VCE sont des
grandeurs de sortie.
chaque instant nous pouvons appliquer
la loi des nuds : IE = IC + IB.
IC
IB
vCE
vBE
Entre
Sortie
3.2. Caractristiques
statiques dun transistor
Les caractristiques statiques dun transistor forment un rseau constitu :
des caractristiques dentre VBE(IB) traces tension VCE constante ;
des caractristiques de transfert IC(IB) traces tension VCE constante ;
des caractristiques de sortie IC(VCE) traces intensit IB constante.
Les jonctions tant trs sensibles la temprature, pour relever ces caractristiques
temprature pratiquement constante il faut des intensits et des tensions trs
faibles afin que la puissance dissipe dans le transistor reste ngligeable.
220
3.2.1. Montage
Prenons lexemple du transistor NPN de rfrence 2N1711. Le montage de la
figure 17.18 permet un relev de ses caractristiques.
Nous obtenons le rseau de caracIC
Caractristiques de sortie
tristiques de la figure 17.19.
V = 10 V
I = 800 A
CE
I = 600 A
B
I = 400 A
B
100 mA
IC
A
A
IB
5V
IB = 200 A
Caractristiques
de transfert en
courant
IB = 0 A
IB 1 mA
15 V
VCE
0, 15 V
4,7 k
100 k
V
V
Caractristique
dentre
0,5 V
VBE
3.2.2. Observations
Pour une intensit IB du courant de base nulle, aucun courant ne traverse le
collecteur : IC = 0, le transistor est bloqu.
Pour une intensit IB du courant de base non nulle, un courant traverse le collecteur : IC 0, le transistor est passant.
Pour une intensit IB du courant de base constante, lintensit IC du courant
traversant le collecteur augmente trs lgrement avec la tension VCE .
En maintenant la tension VCE constante, lintensit IC augmente en mme temps
que lintensit du courant de base.
fonctions de llectronique
222
Lessentiel
Diode de redressement
Symbole et orientations
Anode
Cathode
u = vA vK
i= 0
A
0
u<0
Diode bloque <=> interrupteur ouvert
u=0
Diode passante <=> interrupteur ferm
uz
Diode Zner
i> 0
Symbole et orientations
Dz
iz K
Modlisation
Vz
Polarisation inverse
i= 0
Polarisation directe
Dz <=> interrupteur ferm
i> 0
u=0
i< 0
Transistors bipolaires
IC
IC
C
Symboles et orientations
C
VCE
VCE
IB
IB
B : base
B
B
T
T
C : collecteur
VBE
VBE
E : metteur
E
E
chaque instant :
IE
IE
IE = IC + IB
Transistor PNP : toutes les
Pour un transistor NPN Transistor NPN : toutes les
grandeurs sont ngatives.
grandeurs sont positives.
passant, VBE 0,6 V.
Pour un transistor PNP passant, VBE 0,6 V.
En fonctionnement linaire : IC = I B avec : coefficient d'amplification
en courant.
223
fonctions de llectronique
Figure 17.21
0 A 30 mA 60 mA 90 mA.
E1
E2
D2
E
RC
I0
uC
VCC
IC
C
R
IB
VBB
Figure 17.22
R 12,0
R 12,0
la question ne se pose pas, D2 est toujours passante
la question ne se pose pas, D2 est toujours bloque.
R1
iz
Dz
Figure 17.23
224
i2
R2
RB
B
E
IE
Figure 17.24
0V
9V
15 V
rponse impossible donner sans
connatre IC .
Exercice rsolu
7. La tension Zner de la diode du montage de la figure 17.23, suppose parfaite,
est Uz = 12,0 V. On donne R1 = 1,0 k.
1 On a mesur u = 6,0 V lorsque
E = 16,0 V. En dduire la valeur de R2.
2 On rgle E la valeur E = 35,0 V. Calculer les intensits i1, i2 et iz des courants.
3 Pour quelle valeur minimale de E la
tension u atteint-elle 12,0 V ?
4 Tracer la caractristique de transfert
en tension u = f (E) du montage. On donne
^
e = 50,0 V.
5 Tracer les courbes i1 (E), i2 (E) et iz (E).
^ la diode
6 Quelle puissance maximale P
Zner doit-elle pouvoir dissiper ?
600
E u = 0,375 E.
1 000 + 600
On en dduit la caractristique de transfert en tension du montage (fig. 17.25).
sion) ; u =
u (V)
12
5
10
E (V)
32
Figure 17.25
Solution
1 Lintensit i du courant a pour expres16 6
Eu
sion : i =
qui donne i =
A
3
1 10
R1
i = 0,01 A.
Comme la tension u est infrieure la
tension Zner, la diode est bloque :
6
u
iz = 0 ; i1 = i2 et R2 = , soit R2 =
0,01
i1
R2 = 600 .
2 Supposons que la diode Zner conduise. On a alors :
u = Uz = 12,0 V et iz > 0 ;
35 12
Eu
i1 =
A
, soit i1 =
3
10
R1
i1 = 23 mA ;
u
; i = 12 A i2 = 20 mA.
i2 =
R2 2
600
Comme i1 = i2 + iz , on en dduit iz = 3 mA.
Lhypothse de dpart est justifie.
3 La valeur minimale de E correspond
iz = 0 avec i2 = i1 = 20 mA.
La relation E = R 1 i 1 + u donne :
E = (103 20 103 + 12) V E = 32,0 V.
4 Pour E 32 V, la diode Zner conduit
et u = Uz = 12,0 V.
i1
i2
20
18
iz
32
50 E (V)
Figure 17.26
6 Lintensit maximale du courant qui traverse la diode est obtenue pour E = 50,0 V.
On a alors iz = z = (50 32) mA, soit
z = 18 mA.
^=U
On en dduit : P
z z ;
^
^ = 0,216 W.
3
P = (12 32 10 ) W P
225
fonctions de llectronique
I2
VCC
IC
u2
R2
C
IB
B
I3
E
u1
R1
Dz
IE
Figure 17.27
Rsultats
1 u1 = 9,4 V ; VCE = 6,6 V ; IE = 47 mA ;
IB 0,465 mA ; I2 = 12 mA ; Iz 11,5 mA.
2 R1 min 62 .
3 R2 min = 145 .
Exercices rsoudre
9. Dans le montage de la figure 17.28, la
i2
i1
I0
E
Figure 17.28
iR
is
iB
ue
iz
RB
Dz
Figure 17.29
us
RC