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ECOLE POLYTECHNIQUE Yvan Bonnassieux

PHY 568 Microelectronique


Promotion X2003

Introduction
llectronique analogique

yvan.bonnassieux@polytechnique.fr
Sommaire
Modle hybride du transistor MOS

Montage source commune (transconductance)

Montage Drain Commun (suiveur en tension)

Montage Grille Commune (Convoyeur de courant)

Montages composites

Montages Amplificateurs

Plots dEntre/Sortie

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Modle hybride du transistor MOS

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Equations d'tats

2 zones de fonctionnement :
zone rsistive (VDS < (VGS-VT))
zone ''de pincement'' (pinch-off rgion ou zone de saturation) VDS > (VGS-VT))

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Equations d'tats
nCox W
(VGS Vt )2
zone ''de pincement'' (pinch-off
rgion ou zone de saturation) ID =
2 L
VDS > (VGS-VT))
Pour la zone rsistive W
I D = n Cox (VGS Vt )VDS
(VDS < (VGS-VT)) L

ID courant circulant dans le canal


L dessine n mobilit globale des lectrons
Cox capacit par unit de surface de l'oxyde
L relle W et L largeur et longueur du canal
VGS la tension grille-source
Vt la tension de seuil.

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Reprsentation Quadriple Simplifi
Dans la zone de fonctionnement sature
Tension grille-source: grandeur dentre du quadriple.
Courant drain-source la grandeur de sortie.

Pas de courant de grille : impdance d'entre infinie, commande en tension


''pure''.

Fonction ''transconducteur''
transconducteur :
courant drain command par le carr de la tension grille-source VGS..

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Capacits parasites du MOS

CGS = CGS
0
+ CGS
I

CoGS CIGS CIGD CoGD

CSB CDB CGD = CGD


0
+ CGD
I

CGS capacit Grille-Source


CGD capacit Drain-Source
CSB capacit Source-Substrat
Souvent ngligeables
CDB capacit Drain-Substrat

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Modle petits signaux
Point de fonctionnement : Polarisation statique

VDS 0 = VDD Rd I D 0

ID0 R2
VGS 0 = VDD
R1 + R2

VDS0
Dterminer : - Le gain de transduction
- La plage dynamique
ID0
Attention aux pertes gnres par la polarisation

VGS0
Superposition de signaux dynamiques
Capacits de dcouplage

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Modle petits signaux
les modles petits signaux tant variationnels:
Grandeurs lectriques continues considres comme nulles.
remplaces par des masses virtuelles

Paramtres incrmentaux
Lquation dtat permet de calculer par drivation les paramtres incrmentaux ''petits signaux''

W
I D n C ox L
V DS Zone Rsistive
Transconductance gm = =
V GS n C ox W
(V G S V t ) = W
n C ox ID Zone Sature
L L

Conductance de sortie g DS = VDS =I D


I D

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Modle petits signaux
Paramtres Additionnels
Limitation de la bande passante prise en compte des capacits CGS & CGD

gm
Permettent de dfinir la frquence de coupure : fc =
2 (CGS + CGD )

Schma quivalent petits signaux

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Montage source commune
(transconductance)

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Montage Source Commune
la source est prise comme rfrence commune lentre et la sortie

DD

RL

Schma quivalent petits signaux


(on nglige les capacits basses frquences)
Rs

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Montage Source Commune
Caractristique du quadriple

Impdance dentre Rin=

Impdance de sortie Rout =1/gDS || RL RL

Gain en tension

= g m (1 / g D S RL ) g m RL
vout
Av =
vin

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Montage Source Commune
Rponse en frquence ( effet MILLER)

Impossible de ngliger les capacits grille-drain CGD et grille-source CGS

1
in

out
1
in

out
Prise en compte de CGD via une capacit ramene sur lentre :capacit Miller : CMi

CMi=( 1 + gmRL) CGD

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Montage Source Commune
Rponse en frquence ( effet MILLER)
Exemple
Impdance totale d'entre :
z

gm =1 mA/V, RL = 20k, RS = 1k
CGS = 2.5 pF, CGD = 0.5 pF
Zin = 1/j(CGS + CMI)

V1
vin

vout
Gain en tension :
z

vout =g mRL Zin = g mRL


vin RS + Zin 1+ jRS (CGS +CM i )

Pulsation de coupure 0

0 = 1 / RS [CG S + (1 + g m RL )CGD ]

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Montage Source Commune
Caractristiques globales

''Source Commune'' configuration Transconductrice.

Grande impdance d'entre: entre en tension

Grande impdance de sortie: sortie en courant

montage inverseur

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Montage Drain Commun
(suiveur en tension)

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Montage Drain Commun
le drain qui est commun lentre et la sortie

DD

Schma quivalent petits signaux

Rs
RL
in

out

vin

vout
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Montage Drain Commun
Caractristique du quadriple
(basse frquence)

Impdance dentre :
Rin= pas de courant dans la grille
Impdance de sortie :

Rout = 1/gm//RL 1/gm impdance basse signal de sortie plutt en tension.


Gain en tension :
V out 1
= 1
Vin 1 + 1
g m RL

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Montage Drain Commun
Caractristiques globales
Le montage ''drain Commun''
Commun est une configuration ''Suiveur de Tension''.
Tension

''la source suit la grille'' en tension

gain en tension unit : vout/vin 1

grande impdance d'entre

faible impdance de sortie ~ 1/gm

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Montage Grille Commune
(Convoyeur de courant)

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Montage Source Commune
la grille est commune lentre et la sortie et relie la masse

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Montage Source Commune
Schma quivalent petits signaux
Approche basses frquences ( on ngliges les capacits)
1/GDS suppose infinie

Qui peut tre mis sous la forme

RS S D

gmV1 gmV1
RL
G G

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Montage Source Commune
Caractristique du quadriple
RS S
(basse frquence) D

gmV1

vin

vout
gmV1

V1
Impdance dentre : RL
G G
Rin = 1/gm
Impdance de sortie :
1 + g m RS
Rout =
g DS
Gain en courant :

Ai = 1
Gain en tension :
g m RL
Av =
1 + g m RS

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Montage Drain Commun
Caractristiques globales

Le montage 'Source Commune''


Commune est une configuration Convoyeur de courant''.
courant

gain en courant unit: iout/iin = 1 non-inverseur


faible impdance d'entre ~1/gm
trs grande impdance de sortie : 1/gDS

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Montages composites

Sources de courant.
Etage amplificateur
Offset de tension
Etage de sortie

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Miroirs de courant

Objectif courant constant et indpendant des paramtres du circuit et des tensions.


.
plusieurs utilisations possibles :

Sources de courants
polarisation statique de transistors
charge active (synthse de rsistances virtuelles de valeur leve)
changement de point d'attache d'un signal

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Miroirs de courant Miroir de courant lmentaire

2 transistors MOS (Q1 et Q2) identiques.


mme tension grille-source mme courant de drain.
Si I1=Id'entre:
Impdance ref
alors I2= I1=Iref, charge sur le drain de Q2.
z

Impdance dentre : 1
Impdance de sortie: Rin =
gm
z

1
Impdance de sortie : Rout =
Gain en courant unit:
z

g DS

Gain en courant : Ai 1

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Dcaleur de tension

montages dcaleurs de tension


adaptation de niveau de tension entre deux
2 transistors MOS Q1 et Q2 parfaitement appairs
et fonctionnent en rgime satur.

Equations dtats :
ID1=ID2
V1=VGS1+V2 et V2=VGS2
Ce qui donne en mode satur
nCox W1
(V1 V2 Vt )2 = nCox W2 (V2 Vt )2
2 L1 2 L2

1
Dans le cas ou (W2/L2)= (W1/L1) on obtient : V2 = V1
2

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Paire diffrentielle
Objectifs
Amplifier la diffrence entre 2 signaux
Ne pas amplifier la valeur moyenne des 2 mmes signaux

2 transistors sources couples (M1, M2)

1 source de courant I0 (M3, M4, R)

2 rsistances RL de charge sur les drains

2 entres (Vi1, Vi2) grilles de (M1, M2).

2 sorties (Vo1, Vo2) drains de (M1, M2).

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Paire diffrentielle
Mode diffrentiel et Mode Commun

vid = vi1 vi 2 Diffrentiel vod = vo1 vo 2


vi1 + vi 2 vo1 + vo 2
vic = Commun voc =
2 2

Equation en gain de la paire diffrentielle

Objectif
vod = Add vid + Adc vic Nuisible

voc = Acd vid + Acc vic


Taux de Rjection en Mode Commun (Common Mode Rejection Ratio)

Add
TRMC = 20 log10 ( ) 60 dB
Adc
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Paire diffrentielle
Gain en Mode diffrentiel ADD

M1 et M2 identique Montage symtrique

I0 constant masse virtuelle

Nglige:
rsistance Drain-Source 1/gDS
les capacits parasites.
On obtient
g m RL
vod 1 = vid
2 Soit globalement

vod
Add = = g m RL
vid

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Paire diffrentielle
Gain en Mode Commun ADC
Tension vi2=0
Grille de M2 est connecte la masse
vi1=vic.

Impossible de ngliger la rsistance parallle de la


source de courant Rss.

voc g m RL
gain en Mode Commun. Acc = =
vic 1+ 2 g m Rss

rsistance Rss grande, le gain en mode commun est faible.

Taux de rjection en mode commun : TRMC = 20 log10 (1 + 2 g m Rss )

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Paire diffrentielle
Utilisation dune charge active

gain dune paire diffrentielle % rsistance de drain


augmentation par un miroir de courant
(transistors M5 et M6)
M5
gain en mode diffrentiel :
M6

g m5 (W5 / L5 )
Add = =
g m1 (W1 / L1 )

gain en commun :

g m1
Acc =
g m1 (1 + 2 g m1 Rss )

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Montages Amplificateurs

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Amplificateur Simple

montage source commune


remplacer la rsistance de drain.
par un transistor NMOS.

caractristique de transfert en tension

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Amplificateur Simple
On se place dans le cadre des 2 Transistors en mode saturs
W1 W
I D1 = nCox (V1 Vt ) 2 = I D 2 = nCox 2 (VDD V2 Vt ) 2
2 L1 2 L2

ce qui donne pour la tension de sortie :


W1 L1
V2 = VDD Vt (V1 Vt )
W2 L2

Soit un gain dynamique en tension :

dV2 W1 L1
Av = =
dV1 W2 L2

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Amplificateur Simple
Approche Petit signaux
La loi des nuds en sortie :

V2 V
-Gm2V2 g m1V1 + g m 2V2 + + 2 =0
1 g ds1 1 g ds 2
V1 gm1V1 1/gDS2 V2
1/gDS1 Soit le gain en tension

V2 g m1
Av = =
V1 g m2 + g sd 1 + g sd 2

Rsistance de sortie

1
Rs =
g m 2 + g ds1 + g ds 2

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Inverseur CMOS

caractristique
de transfert
en tension

Montage petits signaux


GmpV1

Gain en tension
V1 gmnV1 1/gDSn V2
V2 g + g mp 1/gDSn
Av = = mn
V1 g DSn + g DSp

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Amplificateur Oprationnel
Objectifs :
Amplifier avec un gain important une diffrence de tension.
Avoir une impdance de sortie la plus faible possible
Avoir une impdance dentre la plus grande possible

Une structure en plusieurs tages

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Amplificateur Oprationnel
Exemple simplifi de structure

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Amplificateur Oprationnel
Caractristique dun amplificateur oprationnel rel

Par exemple pour le LF356 de National Semiconductor :


TRMC :100 dB
Impdance dentre : 1012

Bande Passante

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Plots dEntre/Sortie

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Plots dEntre/Sortie

Rles des plots dEntre/Sortie :


Interfaage entre lextrieur et le cur du circuit (interfaage mcanique et lectrique).
Protger le circuit contre les charges lectrostatiques.
Intgrer certaines fonctions de base : sortie bidirectionnelle, 3 tats, test ( JTAG), ...

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Plots dEntre/Sortie

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Plots dEntre/Sortie
Protection lectrique

Interface lectrique
buffer

Structure globale dun plot de sortie

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Plots dEntre/Sortie

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