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PhysiqueSC Bonnaud2003 PDF
PhysiqueSC Bonnaud2003 PDF
Si
Si Si
Si Si
Si n p
trou libre
trou libre
ND NA
-
Octet Si
Si - ee
B -
A tom e dopant
Atome dopant Si
Si np(0)
ionis
i ngativement
onis ngativem ent pn(0)
expVF/VT
Si
Si Si
Si Si
Si expVF/VT npo
pno
n p n
Isolant de grille / oxyde
EC qVD2
qVD1 source grille drain
Eg EC
EC
EF EF
Eg
Eg N+ N+
EV
EV substrat p
Emetteur Base Collecteur
canal n induit par le champ
Juin 2003
Groupe Microlectronique/IETR, Universit de Rennes 1, Campus de Beaulieu, Bt 11B, 35042 Rennes Cedex
Tl : (+33) (0)2.23.23.60.71 Fax : (+33) (0)2.23.23.56.57 email : olivier.bonnaud@univ-rennes1.fr
AVANT-PROPOS
Ce cours, constitu de deux parties, est destin aux tudiants de 1re et 2me anne de SUPELEC
et vient la suite de lenseignement de Mcanique Quantique .
Lobjectif de ce cours est daborder la physique du semiconducteur et des dispositifs
lectroniques afin de comprendre les bases du fonctionnement des composants microlectroniques
qui constituent les briques des circuits intgrs ou des cartes utiliss dans pratiquement tous les
systmes lectroniques daujourdhui (informatique, tlcommunications, lectronique embarque,
etc). La connaissance des principes de base, ces derniers comprenant la physique du solide, la
statistique et la physique du semiconducteur, constitue un atout et une ncessit au niveau
ingnieur. La connaissance du comportement physique des composants et dispositifs lectroniques
permet de mieux apprhender les performances des circuits lectroniques qui sont toujours limites
par les composants qui les constituent. Par ailleurs, il est raisonnable de prvoir que dans le cadre
de leur vie professionnelle, quel que soit le domaine effectif dactivits, les futurs ingnieurs
auront au minimum dialoguer avec les fabricants de circuits intgrs sils nen conoivent ou
fabriquent pas eux-mme ou les quipementiers qui fabriquent des cartes lectroniques. Il faut
donc acqurir la fois le vocabulaire et les principes fondamentaux de cette discipline.
Lapproche physique utilise est inhabituelle puisquil est ncessaire de raisonner avec des
concepts nouveaux et avec des ordres de grandeur des paramtres physiques normment
diffrents. De plus, bien que ramene des concepts de base, la physique utilise est suffisamment
complexe pour essayer en permanence den simplifier lapproche afin daboutir des solutions
analytiquement accessibles. La combinaison des ordres de grandeurs trs diffrents et des
quations comportant de nombreux termes permettent la prise dhypothses simplificatrices
condition den bien connatre les tenants et les aboutissants. Ce document cherche simplifier la
prsentation tout en insistant sur des explications et comparaisons des fins pdagogiques ;
dautres documents, beaucoup plus complets, existent dans la littrature (cf bibliographie) et
permettent dapprofondir cette approche.
La physique du semiconducteur et des dispositifs est donc dune approche, a priori, difficile
mais qui donne habituellement une ouverture desprit fortement apprcie. Un minimum
dinvestissement personnel et une attention particulire aux propos et analogies mis en cours
permettent en gnral aux lves-ingnieurs SUPELEC de bien assimiler cet enseignement.
Olivier BONNAUD
SOMMAIRE
1ERE PARTIE
2EME PARTIE
CHAPITRE I
ELEMENTS DE CRISTALLOGRAPHIE
Ce premier chapitre apporte des informations de base sur la cristallographie qui doivent
permettre de comprendre la structure et ses consquences sur le comportement des lectrons
dans un cristal. En effet, les dispositifs lectroniques que nous tudierons la fin de ce cours,
mettent en jeu le dplacement des lectrons dans un cristal semiconducteur. Il sagit donc de
se dfinir un vocabulaire prcis qui permettra aux spcialistes de dispositifs de se reprer.
Pour de faibles nergies dagitation thermique des atomes, cest--dire aux basses
tempratures (cette notion sera prcise plus loin), un grand nombre datomes peuvent se lier
entre eux tout en respectant les symtries des orbitales. Les atomes tant identiques, dans une
premire approche, la distance inter-atomique tant constante, une structure priodique se
constitue de proche en proche. Cet arrangement constitue le cristal.
Paralllement, pour continuer respecter le principe dexclusion de Pauli, la cration de
nombreuses liaisons chimiques va multiplier le nombre de niveaux dnergie. Intuitivement,
du fait que nous sommes partis de niveaux dnergie discrets dun seul atome, nous allons
successivement ddoubler ces niveaux, qui restent des valeurs trs voisines. Ainsi dans un
cristal de grande dimension, nous allons trouver des regroupements dune quasi-infinit de
niveau dnergie. De la sorte, nous dirons que des bandes dnergie, correspondant des
pseudo-continuum se constituent. Le terme pseudo provient de la non-infinit des atomes et
donc de la non-continuit des tats dnergie.
II Rseaux cristallinx
1) Le cristal
Comme nous venons de lvoquer, le cristal est un arrangement priodique datomes
rpondant un certain nombre de symtries qui sont linversion, la rotation, la rflexion dans
un paralllpipde. Nous dnombrons 7 classes de paralllpipdes ou 7 systmes cristallins.
Le tableau ci-dessous recense ces systmes qui sont diffrentis par leurs angles et par les
dimensions relatives des cots.
Ces systmes sont caractriss par les paramtres du paralllpipde. Suivant les
considrations de translation (suivant la premire diagonale par exemple), nous sommes
amens singulariser 14 types darrangement du point de vue des symtries qui constituent
les 14 rseaux de Bravais. Nous pouvons noter quune forme de base, appele maille, non
lmentaire permet parfois de mieux dcrire les relations de symtrie quune maille dite
lmentaire. Le meilleur exemple sera donn plus loin pour le silicium.
Les 14 rseaux de Bravais sont :
- cubique simple, cubique centr et cubique faces centres,
- ttragonal simple, ttragonal centr,
- orthorhombique simple, orthorhombique centr, orthorhombique faces centres,
orthorhombique deux faces centres,
- trigonal et trigonal hexagonal,
- monoclinique, monoclinique deux faces centres,
- triclinique.
Ces rseaux sont bien sr importants pour reprsenter des cristaux. La figure 1 prsente les
rseaux de base de nombreux cristaux et plus particulirement ceux qui nous intressent,
savoir, le rseau cubique simple, le cubique centr (un atome au centre du cube), et le cubique
faces centres (un atome sur chaque face du cube).
a
a
a
Figure 1 : rseaux cubique simple, cubique centr et cubique faces centres. Ces
rseaux sont les trois rseaux de Bravais base de cubes.
Nous verrons dans la suite quune combinaison de cubes faces centres permet de
reprsenter un rseau ttradrique correspondant celui des principaux semiconducteurs
utiliss en microlectronique.
r
c
r
b
r
a
Figure 2 : Reprsentation dune maille construite sur la base dun paralllpipde
r r r
b , c ,.
dfini par les trois vecteurs non colinaires, a ,
r r r r
- nud : extrmit du vecteur n : n = ua + vb + wc ,
- range : toute droite passant par deux nuds,
- maille : tout paralllpipde construit sur 3 vecteurs non colinaires,
- plan rticulaire : tout plan passant par trois nuds ports par trois vecteurs non
colinaires,
Paralllement un plan rticulaire, il existe par translation dune combinaison linaire des
vecteurs de base, une infinit de plans rticulaires. Ils constituent donc une famille de plans
rticulaires. Cest la raison pour laquelle il sera choisi le reprsentant de cette famille qui se
trouve dans la maille lmentaire porte par les trois vecteurs de base des priodicits.
Lquation dun plan rticulaire peut scrire sous la forme :
t = hx + ky + lz avec h, k, l et t entiers relatifs (1)
Si t = 0, le plan passe par lorigine
Si t = 1, le plan est le premier plus proche de lorigine.
- indices de Miller : le plan rticulaire est dfini par son vecteur directeur qui a les
coordonnes entires suivant les 3 directions de lespace, h, k, l. Par commodit, on
appellera ce plan (h, k, l).
Les nombres entiers relatifs, h, k, et l sont appels indice de Miller.
La figure 3 montre la position du plan appel (2,3,1) qui est reprsent en pratique dans la
r r r
maille lmentaire paralllpipdique dfinie par les vecteurs a , b , c .
z
r1
c
r y
1/3
b1
r
1/2
a
1
x
Figure 3 : exemple de reprsentation dun plan rticulaire dans une maille lmentaire. Le plan dindice (2,3,1)
est reprsent dans la premire maille lmentaire comme indiqu sur la figure. De ramener la famille de plans
la premire maille permet de simplifier normment les reprsentations.
Remarque : le plan rticulaire de la famille (h,k,l), ne peut passer par les points A(h,0,0), B (0,k,0) et C (0,0,l)
que si |h|=|k|=|l|=1. Par exemple, le plan le plus proche de lorigine de la famille repre par les indices de Miller
(2,3,1), coupe les axes des coordonnes respectivement en 1/2, 1/3, 1 mais correspond aussi la famille de plans
parallles celui coupant les axes en A (3,0,0), B (0,2,0), C (0,0,6).
Proprits intressantes :
- le rseau rciproque du rseau rciproque est le rseau direct,
- tant range du rseau rciproque est perpendiculaire la famille des plans rticulaires
de mme indice du rseau direct,
r r r r
r * = ha*+ kb * + lc * plan (h,k,l) (4)
- la relation entre les volumes des mailles est issue du produit mixte et fait apparatre le
coefficient (2)3 :
r r
vo*.vo = (2 )3 (5)
IV Zone de Brillouin
Cette zone se dtermine dans le rseau rciproque. En effet, la zone de Brillouin va
correspondre au domaine dinfluence dun atome sur les autres atomes voisins. Il faudra
raisonner sur les nergies, et donc en fonction des fonctions donde. Intuitivement, plus les
atomes sont loigns de latome considr, moins ils auront dinfluence. Nous allons ainsi
dfinir des zones dinfluence, donc essentiellement avec les plus proches voisins. La notion
mme de fonction donde, rappelle que la quantit de mouvement est trs troitement lie au
terme spatialement dpendant de la fonction donde. Lespace des phases (les vecteurs k) va
en pratique correspondre celui du rseau rciproque (son origine en fait).
Par dfinition, la zone de Brillouin, est la maille de Wigner-Seitz correspondante. Cette
maille est dtermine par les plans mdiateurs entre les plus proches voisins dun atome. Pour
simplifier cette prsentation, nous pouvons prendre lexemple dun rseau bidimensionnel et
carr.
La figure 4 met en vidence la premire zone de Brillouin repre par 1 et la deuxime
zone repre par 2, dlimites dans ce cas par les mdiatrices (des droites).
2
1 2
d
K L
J
Figure 5 : Phnomne de diffraction dans un rseau. Entre deux plans conscutifs, la
diffrence de chemin optique cre des phnomnes dinterfrence dans une direction
donne.
mais permet de dcrire des phnomnes observs, savoir des bandes dnergie accessibles et
interdites.
d
Si
Si
Si Si
Pour reprsenter une suite de ttradres qui font des angles entre eux non droits,
directement, cela complique fortement le dessin. En ralit, il est possible, par le jeu des
priodicits de reconstituer le rseau ttradrique partir dun rseau cubique faces centres.
Pour bien comprendre la construction du rseau nous construisons tout dabord, figure 6, un
rseau cubique faces centres. Dans ce rseau, les atomes occupent les 8 sommets du cube
ainsi que le centre de chacune des 6 faces. Pour les deux faces suprieure et infrieure, nous
avons fait apparatre les diagonales pour mieux les reprer sur la figure. Les 4 atomes au
centre des faces verticales ( mi-hauteur) sont relies par un carr en perspective trac en
pointills.
Figure 6 : rseau cubique faces centres. Nous avons repr la premire diagonale du
cube qui va servir la construction du rseau complet.
Il est alors facile de dtecter le ttradre (visible en bas gauche sur la figure) construit
partir de lorigine du premier cube, de lorigine du deuxime cube et des trois atomes centrs
sur les faces du premier cube, qui sont alors les plus proches voisins. La structure ttradrique
peut tre ainsi construite pas pas partir de ce premier motif. Notons, que nous observons le
dbut dun ttradre quivalent partir du deuxime sommet du premier cube (en bas droite
de la figure).
Une faon simplifier de dcrire ce rseau consiste dire que cest rseau cubique face
centre avec un motif lmentaire comportant deux atomes distants dun quart de la diagonale
principale et dans sa direction.
De cette structure, il est alors possible de reprer les principaux axes cristallographiques
qui seront utiliss en microlectronique.
Un plan rticulaire repr par les indices (1,0,0) sera perpendiculaire au vecteur de
coordonnes (1,0,0) et sera donc parallle la face du cube passant par lorigine et
perpendiculaire au plan du dessin. Cest dans ce plan que seront fabriqus prfrentiellement
les transistors MOS.
Un plan rticulaire repr (1,1,1) passera par les trois sommets du cube les plus proches de
lorigine, comme reprsent figure 8. Ce plan passe aussi par les centres des trois faces
construites sur lorigine.
Figure 8 : Reprage dun plan dindices (1,1,1). Ce plan est relativement dense
puisquil comporte trois sommets du cube et trois atomes au centre des faces. Un
calcul simple montre quil contient en moyenne 4 atomes pour la mme surface.
CHAPITRE II
Ce chapitre est destin apporter des notions utiles la comprhension des comportements des
lectrons dans les cristaux. La priodicit des cristaux implique une rpartition des tats
nergtiques accessibles par les lectrons propres chaque cristal. Cette approche est ncessaire
pour expliquer plus tard le comportement lectrique des dispositifs lectroniques.
h2 2
+ U (x).(x ) = E (x )
2m x2
Dans notre modle trs simplifi, U(x) = 0
h2 2
. = E (x ) (x ) = A exp(ikx) + B exp(ikx)
2m x2
En appelant L la dimension du cristal, nous nous retrouvons dans le cas du modle de puits de
potentiel infini, cest dire que les conditions aux limites sont : (0) = 0 et (L) = 0
h 2 2 2
Donc (x) = A Sinkx avec k = n et En = n avec k = 2mE
L 2m L2 h2
Nous retrouvons bien videmment que lnergie de llectron est quantifie. Dans ce cas, cest en
raison des limites finies du cristal. Notons que si le cristal est suffisamment grand, donc L trs
grand, les tats nergtiques reprsentent un pseudo-continuum. La quantit de mouvement de
llectron est lie k. Ainsi :
h2 2
p = hk k = n E = k (8)
L 2m
Nous pouvons ainsi reprsenter E en E
fonction de k, qui est proportionnel la + +
quantit de mouvement, Figure 10. Nous
dirons que E est reprsent dans lespace des + +
phases (unidimensionnel dans ce cas). Nous
+ +
trouvons ainsi des niveaux dnergie discrets
+ +
situs sur une parabole. Nous pouvons de plus n + n k
L L L L
noter que le changement de k en k donne le
Figure 10 : Energie en fonction de la quantit de
mme rsultat pour le niveau dnergie mouvement (espace des phases). Les niveaux sont
discrets et dpendent de la dimension du cristal. Plus
(mme valeur propre). Ceci sera utile dans la le cristal est grand, plus les tats nergtiques sont
suite. rapprochs.
Bien quintressant comme premire approche, ce modle ne peut traduire avec suffisamment de
fidlit les phnomnes observs en particulier les bandes dnergie autorises et interdites dans le
cristal. Il faut donc tenir compte de la priodicit du potentiel nergtique.
Remarquons que U(x) est rel ce qui signifie que dans le dveloppement en srie les deux
composantes imaginaires conjugues existent simultanment : UG = U-G. Nous pouvons aussi crire
que : U (x ) = U G CosGx (10)
G
3) Mthode de calcul
(x) = CK expiKx vrifie lquation de Schrdinger. En calculant la drive seconde et en
K
0
L
( )
exp i(K K') x .dx = 0 si K K'
Ainsi, en multipliant lquation (12) par exp(-iKx) et en lintgrant entre 0 et L, nous obtenons :
h
( )
2 L L L
( K E ) CK + U C
G
G K G = 0 et K (x ) = C
G
K G expi(K G ) x (13)
A chaque valeur de G, correspond une fonction donde qui dpend de K et que nous noterons
K(x). La forme de cette fonction est la suivante :
Cette expression montre que la fonction donde est le produit de deux exponentielles, la
premire tant priodique en a, la deuxime correspondant la fonction donde de llectron libre.
La fonction priodique correspond la modification apporte la fonction de llectron libre par le
potentiel priodique. Pour mieux comprendre la suite de valeurs de K et G , traons ces valeurs sur
un axe, Figure 11 :
0 K1 K 2 Kn-1Kn
2(n1)
2 0 2 4
2 K
L L L L L
2 0 2
a a G
-G1 0 G1
Figure 11 : reprsentation des diffrentes valeurs de K et G issus dinverses de valeurs
entires.
La priodicit de G est due la priodicit du rseau cristallin alors que la priodicit de K est
due aux dimensions du cristal (ici unidimensionnel).
atome
Figure 12 : Modle de llectron quasi-libre : variation de lnergie potentielle dans le cas
de la mthode des perturbations. Le potentiel varie sinusodalement avec la priode du
rseau.
La fonction donde de llectron libre nest donc pas trop perturbe et partir de lquation (13),
en prenant pour G les deux valeurs, 0 et G1 nous pouvons crire :
(x ) = CK expiK x + CK G1 expi(K G1 ) x (15)
En se rappelant que UG1 = U-G1 = U1, et que et donnent la mme valeur de lnergie,
nous pouvons tablir les deux relations issues de (13) correspondant aux deux composantes de la
fonction donde.
h2
(K E ) CK + U1 CK G1 = 0
= K2
K
2m
avec
(K G1 E ) CK G1 + U1 CK = 0
(16)
h
( )
2
= K G1
2
K G1 2m
Ce systme dquations 2 inconnues, CK et CK-G1, ne donne une solution non nulle que si son
dterminant est nul.
E 2
E 2 K + K G1 E + K K G1 U1 = 0
2
K G1 E U1 = 0
K
En remplaant K et K-G1 en fonction de K2 et (K-G1)2, nous obtenons :
h2
2
2mU1
E+ = 1
2 2m
2 ( 2
) 2 (2 2
K + K G1 K + K G1 + 4 2
) (17)
h
A partir de cette relation (17), nous pouvons analyser les diffrents niveaux dnergie, plus
attentivement les valeurs particulires.
G G h2 2
si K = 1 K G1 = 1 E = K U1 (18)
2 2 2m
Il y a donc un saut dnergie de valeur gale 2U1 avec un dcalage de U1 et +U1 par rapport
au cas de llectron libre.
2
G1 2mU 2
si K << , comme U1 est faible, 2 1 << G1 . Un dveloppement limit permet
2 h
dobtenir : E+ =
h2
2m
(K G1 ) et E =
2 h2 2
2m
K (19)
Ainsi, pour K faible, E- correspond lnergie de llectron libre, pour K proche G1/2, E- se
dcale de -U1.
Pour K faible, G1 K est proche de G1, E+ correspond lnergie de llectron libre et pour K
proche de G1/2, E+ se dcale de +U1. Nous avons la reprsentation donne figure 13.
E
lectron libre
+ +
+ K
a L L a
Figure 13 : Diagramme des phases, E(k), dans le cas dun cristal unidimensionnel de
priodicit a. Pour k = 2/a, nous constatons un saut dnergie, qui loigne le pseudo-
continuum de la courbe de llectron libre. Cela signifie quil y a une bande dnergies non
permises ou bande interdite.
Tout lintrt de cette rsolution rside dans le fait que nous avons dmontr, dans le cas le plus
simple possible, la prsence dune bande dnergies non permises ou bande interdite et qui
correspond la ralit physique dans les cristaux. En gnral, L tant trs grand devant a, les
niveaux dnergie discrets tendent vers un pseudo-continuum dans les zones autorises. Nous
parlons alors de bandes dnergie permises ; notons que ces niveaux dnergie sont accessibles
mais pas forcment occups.
Si nous supposons que lanalyse se situe au niveau des lectrons de valence dun cristal, donc
des lectrons permettant les liaisons chimiques, la bande dnergie permise correspond la
premire zone de Brillouin, zone dinfluence des premiers voisins. Notons que dans notre modle,
nous avons suppos une influence simplifie du premier voisin puisque nous avons pris pour
potentiel, seulement le premier terme dun dveloppement en srie. Cela laisse supposer, que dans
une rsolution plus complte, nous trouverons des formes plus complexes.
IV Conclusion
E E
GaAs Silicium
k
Gap direct Gap indirect ----
----
Eg Eg
Le schma de gauche montre le cas dune transition directe ; ce cas se rencontre pour le GaAs.
Lors de la transition, llectron peut mettre un photon dont la longueur donde est directement lie
la distance nergtique. Ce phnomne est utilis dans tous les composants optiques et metteurs
de lumire (par exemple les diodes lectroluminescentes ou les diodes laser).
Le schma de droite montre le cas dune transition indirecte. Pour un lectron transitant depuis le
bas de la bande de conduction vers le haut de la bande de valence, il faut la fois, une modification
de lnergie et de k. La transition indirecte ncessite donc une modification de la quantit de
mouvement. Cette modification est apporte par un change de quantit de mouvement avec le
rseau sous forme de vibration (phonons). Cette transition est donc progressive avec le rseau
cristallin et lmission de photons est multiple et non contrle, avec des longueurs donde
beaucoup plus grandes que celle correspondant une transition directe. Il ny a donc pas de
possibilit de raliser des composants optiques performants avec ces matriaux. Toutefois nous
verrons que dans le cas du silicium certaines de ses proprits (essentiellement technologiques) lui
ont permis un dveloppement fulgurant en microlectronique sans pour autant bnficier de
proprits optiques intressantes.
CHAPITRE III
Ce chapitre est destin apporter quelques notions de statistique qui seront indispensables la
comprhension des distributions des porteurs de charge dans les dispositifs lectroniques. De plus
amples notions sont disponibles dans les ouvrages indiqus en rfrence.
2) Calcul de la pression
On considre dans le gaz que les molcules sont toutes de masse M et quelles frappent une paroi
avec un choc lastique, donc sans perte dnergie cintique, comme reprsent sur la figure 16.
Cette figure est prsente dans le plan -vx
dincidence dune molcule, cest dire que
vy Force
la composante en z napparat pas. En
exerce
analysant les composantes de vitesse :
avant choc vx, aprs choc - vx paroi
vy
avant choc vy, aprs choc + vy
donc (non chang) vx
La variation de la quantit de mouvement Figure 16 : Reprsentation simplifie dun choc
lastique dune molcule contre une paroi. La
est dans ce cas : p = 2Mvx. composant normale la paroi change de signe.
Pendant le choc, dune dure suppose t, qui correspond en pratique au temps moyen entre
deux chocs successifs de molcules avec la paroi, la molcule applique une force Fx, telle que :
Les expressions sont identiques sur les autres parois. Or P est la mme sur chaque paroi,
autrement dit nous retrouvons les mmes expressions quelles que soient les orientations des parois.
v2
vx2 = vy2 = vz2 mais comme v2 = vx2 + vy2 + vz2 vx2 =
3
P = 1 M.N.v2 (23)
3
Ainsi, nous voyons que la pression est directement relie la vitesse moyenne des particules
normales une paroi et quelle dpend du nombre de particules et de leur masse.
Nous avons suppos que les molcules pouvaient se dplacer suivant les trois dimensions de
lespace gomtrique, elles possdent donc trois degrs de libert. De la formule ci-dessus, il est
habituel de dire que lnergie dans un ensemble de particules animes par une excitation thermique
est de 1 kT par degr de libert.
2
avec c constante.
Cette relation sous-entend quun certain nombre de molcules passent des nergies E1 et E2 E1 et
E2 . Mais les molcules ces niveaux darrive peuvent aussi avoir des collisions et passer au
niveau dnergie de dpart aprs le choc. La probabilit dun tel choc sexprime par :
p' = c.a(E'1 ).a(E'2 )
Puisque nous ne pouvons pas discerner les chocs des niveaux diffrents, les deux relations
expriment le mme phnomne et donc les constantes sont gales. De plus, si la probabilit p tait
diffrente de p cela signifierait que des niveaux dnergie sont privilgis et quau bout dun certain
temps, toutes les molcules se retrouveraient ces niveaux, ce qui est en contradiction avec une
distribution continue. Le processus inverse est donc gal au processus direct.
p = p' a(E1 ).a(E2 ) = a(E'1 ).a(E'2 )
En posant E'1 = E1 E la conservation de lnergie donne E'2 = E2 + E et ainsi :
a(E1 ).a(E2 ) = a(E1 E).a(E2 + E)
soit encore
a(E1 ) a(E2 + E) a(E + E)
= = cte E
a(E1 E) a(E2 ) a(E)
Le terme sous lexponentiel est ngatif afin que la probabilit reste finie quand lnergie tend vers
linfini. est un facteur universel et exp (E) est le facteur de Boltzmann.
( )
+ + +
1 = 2 2
A.exp ( M vx2 + vy2 + vz2 dvx . dvy . dvz = 1
2 A M
3
M 2
A = (27)
2
( )
3
f vx + vy + vz =
M 2
2
(
.exp ( 2 M vx2 + vy2 + vz2
) (28)
Nous pouvons dduire les vitesses quadratiques moyennes en intgrant la vitesse quadratique
multiplie par la fonction de distribution.
( )
+ + +
vx2 = v
2
x f vx + vy + vz dvx . dvy . dvz = 1
M
Nous trouvons alors :
N o .E = 3 N o E= 3
2 2
Ce rsultat li lquation (24) et (25) donne :
Cette relation (30) est la loi de Boltzmann. Cette loi reste valable pour tout systme de particules
dont lensemble des niveaux dnergie est accessible sans condition restrictive. Nous verrons dans
la suite que pour les lectrons, le principe dexclusion de Pauli rajoute une condition qui modifie
notablement cette loi.
avec
f x(vx ) = exp ( M vx2
2kT
( ) f (v ) = exp ( 2MkT ( v ) f (v ) = exp ( 2MkT ( v )
y y
2
y z z
2
z
(
La fonction f vx + vy + vz ) et chacune
des fonctions lmentaires dont elle est le
(2MkT ) 1
2
g(E ) =
2 1
2 4 (E )2 exp E
(kT )3 kT
( ) (32)
NdE
( )
2kT NdE
particules
Remarque : g(E) = 0 pour E = 0 et g(E) tend vers 0 quand E tend vers linfini ; en effet, le terme en exponentiel
lemporte largement sur le terme polynomial quand lnergie E devient suffisamment grande. Si nous calculons la
valeur moyenne de EC par intgration de E.g(E) sur lensemble du domaine, nous retrouvons 3/2 kT.
3) Conclusion
Tout systme de particules :
- comprenant un trs grand nombre de particules indpendantes,
- pour lequel les particules peuvent prendre toutes les nergies (de 0 linfini),
- o la temprature est constante et uniforme,
- non soumis des forces extrieures (influence ngligeable),
possde une distribution dnergie cintique de type Maxwell.
1) Statistique de Fermi-Dirac
Dans un solide ou dans un cristal, les lectrons des couches externes des atomes peuvent se
mouvoir relativement librement dans tout le volume. Nous pouvons alors les traiter comme
constituant un gaz dlectrons libres enferms dans une bote que nous pouvons supposer cubique
de volume V = L3. Le mouvement des lectrons est soumis deux lois :
- le caractre ondulatoire, qui rduit le nombre de niveaux dnergie dans le domaine
quelconque situ entre E et E + E (quantification de lnergie),
- le principe dexclusion de Pauli, qui rduit 2 le nombre maximal dlectrons par niveau
dnergie permis (lectrons de spin diffrent).
( ) () ( )
2
sin n x.sin n y.sin n z.exp i E t
3
Bonnaud) : x, t = 2
L L L L h
avec (
E = n2 + p 2 +q 2 ) 2mL
h
2 2
2
et k 2 = kx2 + k y2 + kz2 = 2mE
h2
()
2
2 3 kz
Le terme en provient de la
L
normalisation de la fonction donde. A partir
de cette expression, nous pouvons calculer le
k
nombre de niveaux dnergie possibles dans
le volume lmentaire correspondant une
ky
variation dk de k. Cela revient chercher le
nombre de niveaux dnergie comprise entre kx
E et E + dE.
Figure 21 : Etats disponibles dans lespace des phases
(ou des k) lis la quantification de lnergie. Chaque
incrment des composantes de k est /L
Le nombre de valeurs de k est dduit du huitime de volume de la sphre de rayon k (Figure 21).
( )( ) ( )
n(k ) = 1 4k 3 / qui est gal au rapport du volume de la sphre de rayon k divis par le
8 3 L
3
volume occup par une seule valeur de k ; deux valeurs successives de k diffrent de /L sur lune
de ses composantes kx, ky ou kz. Cest dire :
() ()
3
L3 L3 2
n(k ) = 1 2 k 3 = 1 2 2mE = n(E )
6 6 h2
Calculons la densit dtats pour laquelle correspondant au nombre dtats dont lnergie est
comprise entre E et E + dE, par unit de volume :
() ()
3
dn(E ) L3 L3 2 3 12 1
s(E ) = = d 1 2 k 3 = 1 2 2m E 3
dE dE 6 6 h 2 2 L
3
2 12
s(E ) = 1 2 2m E
4 h 2
Ces tats sont occups par des lectrons qui peuvent avoir deux spins diffrents. La densit dtats
lectroniques est ainsi :
3
2 12
(E ) = 1 2 2m E (33)
2 h 2
(
a(E1 )
1 a(E1 ) ) (
exp + E1 =
kT
) (
a(E'1 )
1 a(E'1 )
exp + E'1
kT ) ( )
Les expressions ci-dessus doivent tre valables quelles que soient les nergies E1 et E1 pour une
temprature donne. La forme propose est donc constante. Cette constante peut se mettre par
E
commodit sous la forme : A = exp ( F )
kT
EF est appel niveau dnergie de Fermi. Nous donnerons des notions plus physiques de ce niveau
dans la suite.
a(E). E ( )
(1 a(E)) exp + kT = exp + kT
EF ( )
a(E) = 1
E EF (36)
1 + exp
kT
2) Distribution de Fermi-Dirac
Pour obtenir la fonction de distribution des lectrons, il faut multiplier le nombre dtats
possibles par la probabilit doccupation de ces tats.
dN = (E ) .dE.a(E) = g(E).dE
3
2 12
dN = g(E ).dE = 1 2 2m E 1 dE
2 h 2 E EF
1 + exp
kT
3
2m(2 )2 2
( )
1 3
dN = g(E ).dE = 1 E 2. 1 . dE .(kT )2
2 2 h2 kT E EF kT
1 + exp
kT
( )
1
dN = 43 (2mkT )2 E 2.
3
1 .dE
2h kT E EF kT
1 + exp
kT
Le nombre dlectrons par unit de volume, dN ayant leur nergie comprise entre E et E + dE est
donn par la fonction g(E). La distribution correspondante est appele distribution de Fermi-Dirac.
La constante EF est dtermine par la condition de normalisation.
dN = g(E ).dE = N
0
avec N , le nombre total dlectrons libres par unit de volume (densit lectronique qui sera plus
tard exprime en cm-3).
Le calcul de lintgrale dans le cas gnral est complexe mais nous pouvons analyser la cas
simple dun mtal T = 0K . Dans ce cas limite,
Si E < EF alors a(E) = 1 et si E > EF alors a(E) = 0
(kTE ) .dE ( )
1 2
N = 43 (2m)2
3 FF 2
Ainsi,
2
EF = h . 3N 3
(37)
2h 0 2m 8
Ainsi, EF traduit un niveau de remplissage par les lectrons des diffrents niveaux dnergie
accessibles. Une notion de ce niveau est donne par celle dun niveau deau dans un rcipient pour
lequel le liquide se trouve presque coup sr au dessous-du niveau. Sil y a des vaguelettes
linterface air-eau, qui traduiraient une agitation thermique, la probabilit de prsence passe
progressivement de 1 0.
Reprsentons maintenant de faon approche cette fonction lorsque |E - EF| kT
E EF
E EF >>kT a(E) = 1 = exp << 1 (38)
E EF kT
exp
kT
Cette courbe montre que pour des valeurs leves de lnergie situes au dessus de EF, la
probabilit doccupation de Fermi se ramne celle de Boltzmann. Dans lautre situation :
E EF
exp
kT E EF
EF E >>kT 1 a(E) = = exp << 1 (39)
E EF kT
1 + exp
kT
1 1
a(E) Boltzmann Boltzmann 1 - a(E)
exp E EF exp E EF
1/2 kT kT 1/2
0 0
EF E EF E
Figure 23 : approximation de Boltzmann pour des Figure 24 : approximation de Boltzmann pour des
nergies suprieures celle du niveau de Fermi. nergies infrieures celle du niveau de Fermi.
Dans la suite, nous essayerons au maximum de simplifier les calculs partir de ces
approximations, lintgration mettant en oeuvre la relation (36) aboutissant des fonctions tabules.
Les lois tant exponentielles, il suffira de quelques kT dcart dans les nergies pour pouvoir
appliquer avec une prcision suffisante ces approximations.
CHAPITRE IV
I Bandes dnergie
Octet
lectrons lis
Noyau
De faon simplifie, nous pouvons donner une image de la structure par une reprsentation
coplanaire comme propose figure 1, sachant quelle est en gnrale tridimensionnelle et dans ce
cas ttradrique.
Dans cette reprsentation, les atomes mettent en jeu pour chacun dentre eux, quatre lectrons de
leur couche priphrique pour former un octet, structure lectronique la plus stable. Dans ce cas, le
diagramme dnergie laspect reprsent figure 26, la bande de valence tant compltement
pleine et la bande de conduction compltement vide ; tous les lectrons sont impliqus dans les
liaisons chimiques.
Bande de conduction
0 vide
Bande de valence
nergie
Niveaux de cur
On obtient ce mme type de diagramme dnergie pour des matriaux constitus de faon
stchiomtrique partir dlments de la colonne III et de la colonne V du tableau de Mendlev
ou de la colonne II et de la colonne VI. Il sagit par exemple de GaAs, InP, CdS, ZnS, CdTe, etc
Puisque ces matriaux T = 0K nont aucun lectron disponible pour circuler dans le cristal, ces
matriaux sont isolants.
Si la distance nergtique entre la bande de valence et la bande de conduction nest pas trop
grande, par excitation thermique (apport dnergie) certains lectrons pourront quitter la bande de
valence et passer dans la bande de conduction, et donc participer la conduction du matriau. Ces
lectrons quittent un tat li pour passer dans un tat dit quasi-libre (les lectrons restent
lintrieur du matriau). Le matriau sera appel semiconducteur si le gap, ou la distance
nergtique entre la bas de la bande de conduction et le sommet de la bande de valence, nest pas
trop grand, cest--dire infrieur 2,5eV. Cest le cas des matriaux Ge, Si, GaAs, InP. Si le Gap
est suprieur 2,5eV, le matriau est considr lectriquement isolant.
En conclusion, le semiconducteur sera un matriau isolant 0K mais qui pourra conduire des
tempratures voisines de la temprature ambiante.
Pour connatre la distribution des tats nergtiques des lectrons, il faut analyser leffet de ces
collisions.
a) statistique de Fermi-Dirac
Comme cela a t vu dans les chapitres prcdents, nous allons rappeler la probabilit pour un
lectron doccuper un niveau dnergie E.
En considrant la statistique de collision entre les lectrons et les atomes, en supposant qu
lquilibre thermodynamique le processus direct, dpart dun lectron de la bande de valence, vers
la bande de conduction, est gal au processus inverse, retour de la bande de conduction vers la
bande valence, et en tenant compte du fait que les lectrons sont des Fermions qui obissent au
Principe dexclusion de Pauli, nous avons dmontr au chapitre III que la statistique de transfert
sexprime par :
f(E) = 1
( )
(36)
1 + exp E EF
kT
dans laquelle E est le niveau dnergie considr, EF est le niveau particulier appel niveau de
Fermi. EF correspond au niveau statistique moyen occup lquilibre thermodynamique par
lensemble des porteurs. La reprsentation de f(E) est celle donne par la figure 27 (figure 22 du
chapitre III). Si la temprature dcrot, la variation autour de EF est dautant plus abrupte. f(E) tend
trs rapidement vers 1 pour les nergies infrieures EF et trs rapidement vers 0 pour les nergies
suprieures EF. Notons que si E = EF, f(E) = 1/2
f(E)
0K
1/2
T2>T1
0 T1
EF E
b) Approximation de Maxwell-Boltzmann
Nous verrons dans la suite que pour faire des calculs analytiques il est ncessaire de faire des
approximations de la fonction de Fermi que nous rappelons ici.
Analysons le terme en E EF ;
kT
kT
( )
Si E EF > qq kT, exp E EF >>1, f(E) =
1+exp
1
E EF
(exp
1
E E F
exp E EF (38)
) kT ( ) ( )
kT kT
kT
( )
Si EF E > qq kT, exp E EF << 1, f(E) =
1+exp
1
E EF
1exp E EF
( kT ) (
(39) )
kT
On voit ainsi que ds que la diffrence nergtique est de quelques kT par rapport EF, la
fonction de Fermi tend vers 0 ou vers 1 trs rapidement puisque exponentiellement.
En premire approximation (grossire), on dira que tous les niveaux dnergie situs au-
dessous du niveau de Fermi sont remplis alors que tous ceux au-dessus sont vides. Mais attention,
une variation mme apparemment trs faible de la quantit de porteurs libres peut compltement
changer le comportement lectrique du matriau considr. Il faudra donc connatre parfaitement le
nombre absolu dlectrons dans les couches et leur variation relative pour apprhender les
phnomnes de conduction.
Bande de conduction
apport
EC
EF Transfert dun
lectron
EV dficit
Bande de valence
0 1/2 1 f(E)
Densit dtats dnergie
Figure 28 : Influence de la temprature sur la distribution des lectrons dans les bandes de
valence et de conduction. Les lectrons ayant quitt la bande de valence, et donc leur tat
li, atteignent la bande de conduction.
isolant mme la temprature ambiante. Par contre, si Eg est infrieur 2,5 eV, le nombre de
porteurs de charge nest plus vraiment ngligeable et le matriau devient semiconducteur.
II Porteurs de charge
1) Notion de trous
Lagitation thermique a cr un dficit dlectrons dans la bande de valence. En ralit, cette
absence dlectrons va permettre un mcanisme de conduction au niveau de la bande de valence. En
effet, un lectron de cette bande va pouvoir se dplacer vers un emplacement libr par un lectron
voisin qui est parti vers la bande de conduction. On peut aussi dire que llectron qui est parti vers
la bande de conduction a laiss une vacance ou lacune dlectron derrire lui, cette lacune pouvant
tre occupe par un lectron de valence voisin, situ donc dans la mme bande dnergie. Cet
lectron de la bande de valence venant occuper la lacune a lui-mme laiss derrire lui une lacune
en faisant disparatre la premire. Un nouvel lectron de valence peut venir occuper cette nouvelle
lacune et ainsi de suite. La figure 29 donne une ide du mcanisme mis en jeu. On retrouve un
mcanisme similaire celui des pices dun jeu de taquin ou pousse-pousse . On peut noter que
si les lectrons se dplacent de la droite vers la gauche, les lacunes se dplacent de la gauche vers
la droite, cest--dire dans le sens inverse.
dplacement global des lectrons
lacune initiale lacune actuelle
e- 1 +
e - 2 charge positive
lacune intermdiaire
En faisant le bilan, cela revient avoir dplac la lacune dlectron. Labsence dlectron dans
la bande de valence va sappeler un trou et le phnomne sappeler conduction par trous. En
effet, sous laction dun champ lectrique extrieur, llectron va se dplacer dans le sens inverse du
champ lectrique. Ainsi, dans la bande de conduction, les lectrons remontent le champ
lectrique. Dans la bande de valence, le matriau tant globalement neutre, labsence dun
lectron confre la zone de dpart (environnement de la lacune) une charge quivalent positive
qui provient de la non-compensation de la charge du noyau due aux protons. Sous laction du
champ lectrique, les lectrons lis vont avoir tendance se dplacer dans le sens de la remonte du
champ lectrique, en laissant derrire eux une charge positive correspondant la lacune. Ainsi, les
lacunes vont se dplacer dans le sens du champ et correspondent donc au dplacement dune
charge positive dans le mme sens que le champ lectrique.
En conclusion, la conduction par champ lectrique dans le matriau pourra se faire deux
niveaux :
- pour les lectrons de la bande de conduction qui remontent le champ lectrique appliqu,
- par les trous de la bande de valence qui se dplacent dans le mme sens que le champ
lectrique.
Notons que du fait que les charges quivalentes sont de signe oppos, les courants quivalents
rsultants seront dans le mme sens en sajoutant. La figure 6 dcrit trs simplement ce phnomne.
Champ lectrique
Jn
dplacement e-
Bande de conduction
dplacement Jp
+ Bande de valence
Si on analyse le bas de la bande de conduction, la concavit est oriente vers le haut, cest--dire
2E
que est positif. Ainsi, m est positif et dpend du rayon de courbure de la courbe E(k) au point
k 2
considr. Suivant laxe cristallographique considr, la forme de la courbe est diffrente, la
courbure aussi et donc m pourra varier. La figure 31 donne un exemple de diagramme de phase
pour le silicium. Les courbures peuvent tre diffrentes et les masses effectives associes aussi.
2E
Si on analyse le sommet de la bande de valence, est ngatif et la masse effective calcule
k 2
de llectron est alors ngative. En ralit, il faut corriger ce propos en se rappelant le principe
fondamental de la dynamique : Fext=q=m. Changer le signe de m revient tout simplement
changer le signe de la charge lectrique ; autrement dit, le dplacement dun lectron au sommet de
la bande de valence, correspond au dplacement dune charge positive de masse effective
dpendant de lorientation cristallographique du dplacement.
E
Silicium
lectrons de
conduction ----
----
Eg
++++
++++
trous lourds
trous lgers
L <111> <100> X
Vecteurs donde
Figure 31 : Reprsentation schmatique du diagramme des phases pour le silicium. On peut
remarquer que suivant les orientations cristallographiques, les concavits sont diffrentes et
donc les masses effectives. Dans le cas du silicium, le gap, Eg est indirect, cest--dire que le
bas de la bande de conduction et le sommet de la bande de valence ne concident pas
(daprs Chelikowski and Cohen).
Dans le silicium, pour un dplacement des charges lectrons et trous dans la direction <111>, la
masse de llectron au repos tant me, les masses effectives sont les suivantes :
- lectrons : m*n = 0,9 me,
- trous : m*p = 0,5 me,
3) Concentrations des porteurs quasi-libres dans les bandes dnergie. Densits dtats
lectroniques.
Dans le cas de lapproximation parabolique des courbes E(k) au voisinage des extrema, cest--
dire au minimum de la bande de conduction et au maximum de la bande de valence, les densits
dtats nergtiques (densit dlectrons ou de trous) ont dj t calcules dans le cours de
mcanique quantique et sexpriment par les relations suivantes :
3/ 2
2m*
B.C. dNC (E) = 1 2 2C
2 h
(E E )
C
1/ 2
dE (41)
3/ 2
2m*
B.V. dNV (E) = 1 2 2V
2 h
(E E )
V
1/ 2
dE (42)
en se rappelant que lon a fait un changement dorigine pour les nergies, EC pour la bande de
conduction et EV pour la bande de valence, et que le nombre total de places disponibles pour les
lectrons dans les bandes tient compte du fait que sur un mme niveau dnergie on peut placer
deux lectrons de spin diffrents.
Ces densits dtats nergtiques correspondent au nombre total de places disponibles dans
chacune des bandes par unit de volume et par niveau dnergie. Pour connatre le nombre effectif
de porteurs qui occuperont les bandes, il faut tenir compte de la probabilit doccupation de ces
niveaux par les porteurs.
Remarque : sans la simplification de f(E), la rsolution aboutit sur des fonctions elliptiques de Fermi qui ne sont pas
intgrables analytiquement et qui sont tabules. La dmonstration est alors beaucoup plus complexe. Cest ce qui se
passera quand les simplifications ne seront plus acceptables, par exemple lorsque EF devient gal ou suprieur EC.
E EC
En posant x = avec x=0 pour E=EC, lquation ci-dessus devient :
kT
3/ 2
2m* E E
n = 1 2 . 2C exp C F (kT ) x1/ 2 exp( x ).dx
3/ 2
2 h kT 0
( ) ( )
Lintgrale peut aussi scrire : I = u.exp u 2 .2u.du = 2u 2.exp u 2 .du
0 0
On peut remarquer que cette dernire intgrale est aussi le rsultat de lintgration par partie de :
I = exp(u 2 ).du =
0
2
En remplaant ce rsultat dans lexpression de n on obtient :
3/ 2
2m* E E
n = 1 2 . 2C exp C F (kT )
3/ 2
2 h kT 2
3/ 2
kTmC* E E
n = 2. exp C F
2h kT
2
Expression que lon note aussi sous la forme :
E E
n = NC exp C F (43)
kT
avec NC correspondant au nombre total de place par unit de volume effectivement occupes par les
lectrons au niveau dnergie quivalent EC. NC est appel densit dtats lectroniques dans la
bande de conduction et sexprime donc par :
3/ 2
kTmC*
NC = 2 2
(44)
2h
p = NV (E).(1 f(E)).dE
EV 3/ 2
2m*
p = 1 2 . 2V (E E ) 1
( )
1/ 2
2 h
1 dE
1+exp E EF
V
kT
Comme dans lintgration, E < EV et quen gnral EV < EF < EC, on peut simplifier f(E) sous la
forme :
f(E) = 1 1 exp E EF ( )
1 + exp E EF
kT
(
kT
)
et donc
kT
(
)
E E
1 f(E) exp E EF = exp V
E E
exp F V
kT kT
En remplaant 1-f(E) par son expression ainsi que NV(E) nous obtenons :
3/ 2 EV
2m* E E EV E
p = 1 2 . 2V (E E )
1/ 2
exp F V exp .dE
2 h kT
V
kT
En menant le calcul de la mme faon que pour n, nous dduisons lexpression de p, aprs le
E E
changement de variable : x = V
kT
3/ 2
2m* E E
p = 1 2 . 2V (kT ) x1/ 2 exp( x ).dx
3/ 2
exp F V
2 h kT 0
Nous retrouvons ainsi exactement la mme intgrale que prcdemment, et donc nous arrivons au
rsultat suivant :
3/ 2
2m* E E
p = 1 2 2V exp F V (kT )
3/ 2
2 h kT 2
3/ 2
kTmV* E E
p = 2 exp F V
2 h kT
2
Expression que lon note aussi sous la forme :
E E
p = NV exp F V (45)
kT
avec NV correspondant au nombre total de places par unit de volume effectivement occupes par
les trous au niveau dnergie quivalent EV. NV est appel densit dtats lectroniques dans la
bande de valence et sexprime donc par :
3/ 2
kTmV*
NV = 2 (46)
2h
2
On peut remarquer que les densits dtats lectroniques dans les bandes ne dpendent que de la
temprature et de la masse effective des porteurs lectrons ou trous. Comme ces masses effectives
ont toujours le mme ordre de grandeur, cela signifie que NC et NV seront toujours du mme ordre
de grandeur une temprature donne quel que soit le matriau semiconducteur. En pratique, ces
densits dtats on une valeur de quelques 1019cm-3 300K.
Remarque : il ne faut pas confondre densits dtats nergtiques et densits dtats lectroniques, ces dernires tenant
compte de loccupation des niveaux dnergie par les lectrons.
p = n = ni (47)
E
K = p n = ni2 = NC NV exp g et donc p n = ni2 (48)
kT
Notons que cette relation reste toujours valable dans le matriau semiconducteur tant que celui-ci
est lquilibre thermodynamique ; cette relation sera utilise en permanence dans la suite. On peut
donc exprimer la concentration intrinsque par :
E
ni = NC NV exp g (49)
2kT
Dans cette relation on constate que la concentration intrinsque dpend trs fortement de la
temprature. Cest la loi exponentielle qui lemporte largement sachant que les densits dtats ne
dpendent de la temprature quavec une puissance 3/2. Pour avoir des ordres de grandeur, dans le
cas du silicium, T = 0K, ni = 0 cm-3, T = 300K, ni = 1,6.1010 cm-3 et T = 1300K,
ni = 2,5.1017 cm-3. Les variations sont donc trs importantes ce qui explique le trs grand
E
ni2 = NC NV exp g (50)
kT
b) Position du niveau de Fermi dans un matriau intrinsque
Pour dterminer la position du niveau de Fermi on repart des quations (43) et (45) donnant les
concentrations dlectrons et de trous :
E E E E
n = NC exp C F p = NV exp F V
kT kT
puisque p = n, partir de ces deux quations nous obtenons :
E E E E
NC exp C F = NV exp F V
kT kT
N
ln C = 1 (EF + EV + EC EF ) = 1 (EV + EC 2EF ) do
NV kT kT
EV + EC N
EF = + kT ln V (51)
2 N
C
1) Notion de dopage
Dans un cristal semiconducteur, il est possible dintroduire des atomes trangers de valence 3 ou
5 par exemple (colonne III ou V du tableau de Mendlev). Si tout va bien technologiquement (cf.
cours de technologie microlectronique intgre), les atomes vont prendre la place des atomes du
rseau, cest--dire se mettre en site substitutionnel comme reprsent figures 9 et 10. Nous allons
voir que cet apport va transformer considrablement ltat lectronique du monocristal.
Si Si Si
Electron libre
Octet
Si P + e-
Atome dopant Si
ionis positivement
Si Si Si
Si Si Si
Octet
Atome dopant B- e
-
ionis ngativement Si Si
trou libre
Si Si Si
D D+ + e
Du point de vue statistique, si cette raction se produit facilement dans le matriau considr, cest
que lnergie dionisation de latome donneur est relativement faible. En dautres termes, lcart
nergtique entre un lectron li latome donneur et ce mme lectron quasi-libre dans le cristal,
cest--dire situ dans le bas de la bande de conduction, sera relativement faible. On peut alors
exprimer le nombre datomes ioniss ou plus exactement leur concentration, en fonction du nombre
total datomes ou de leur concentration, ND, introduits dans le cristal. Cette concentration tient
compte de la statistique doccupation dun niveau dnergie par un fermion et des changes
possibles entre le niveau de llectron li et celui de la bande de conduction. Cette concentration
datomes donneurs ioniss, ND+ sexprime par :
N D+ = N D 1 (52)
E E
1 + 2 exp F D
kT
ED est le niveau dnergie donneur, cest--dire le niveau dnergie statistique auquel se trouve
llectron li latome dopant. Le facteur pr-exponentiel, 2, est appel facteur de dgnrescence
et provient du choix possible ou non de spins diffrents dans lchange nergtique : dans le cas
dun dpart de latome, le spin de llectron peut tre quelconque, alors que pour le retour, le spin
est impos par le nuage lectronique existant.
Dans le cas dun atome accepteur, nous pouvons mener un raisonnement analogue, et nous
pouvons crire la relation dionisation suivante :
A + e A
Du point de vue statistique, si cette raction se produit facilement dans le matriau considr, cest
que lnergie dionisation de latome accepteur est relativement faible. En dautres termes, lcart
nergtique entre un lectron li latome accepteur et ce mme lectron li au cristal de
semiconducteur, cest--dire situ au sommet de la bande de valence, sera relativement faible. On
peut alors exprimer la concentration des atomes ioniss en fonction de la concentration totale
datome dans le cristal, NA. Cette concentration tient compte de la statistique doccupation dun
niveau dnergie par un fermion et des changes possibles entre le niveau de llectron li et celui
de la bande de valence. Cette concentration datomes donneurs ioniss, NA- sexprime par :
N A = N A 1 (53)
E E
1 + 2 exp A F
kT
EA est le niveau dnergie accepteur, cest--dire le niveau dnergie statistique auquel se trouve
llectron li latome dopant. Le facteur pr-exponentiel, 2, est toujours le facteur de
dgnrescence et provient du choix possible ou non de spins diffrents dans lchange nergtique.
N D+ + pn = nn (54)
En raisonnant temprature ambiante, si llment ajout a effectivement le comportement de
dopant, pratiquement tous les atomes de cet lment sont ioniss, cest--dire ND+ ND. Par
ailleurs, nous avons vu que le produit p.n tait toujours gal au carr de la concentration
intrinsque, ni2, lquilibre thermodynamique. Nous avons donc :
pn . nn = ni2
Lquation de neutralit devient :
ni2
ND + = nn
nn
6474 8 6474 8
charges+ charges
do
nn2 N D.nn ni2 = 0
quation qui admet une solution du type :
N D + N D2 + 4ni2
nn = (55)
2
ni2
Ainsi, si ND>>ni alors : nn = N D et pn = (56)
ND
Pour donner un exemple classique 300K, on suppose une concentration de dopant de 1017cm-3, la
concentration intrinsque tant de 1,6 1010cm-3 et la concentration totale datomes de silicium tant
de 5.1022cm-3 ; ce dernier calcul se fait partir du nombre dAvogadro, de la masse molaire et de la
densit du silicium (2,7g/cm3). La concentration en lectrons est alors de 1017cm-3 et la
concentration en trous de 1,6.103cm-3. On voit bien dans ce cas que le dcalage des concentrations
est norme puisque les lectrons sont cent trillions de fois plus nombreux que les trous alors quils
taient en quantit identique au dpart.
En conclusion, dans un semiconducteur de type n affirm,
- les lectrons sont majoritaires,
- la concentration en lectrons est pratiquement gale la concentration de dopant,
- les trous sont minoritaires.
N A + n p = p p (57)
nous avons vu que le produit p.n tait toujours gal au carr de la concentration intrinsque, ni2,
lquilibre thermodynamique. Nous avons donc :
pn . nn = ni2
Lquation de neutralit devient :
ni2
NA + = pp
pp
6474 8 6474 8
charges charges+
do p 2p N A.p p ni2 = 0
quation qui admet une solution du type :
N A + N A2 + 4ni2
pp = (58)
2
ni2
Ainsi, si NA>>ni alors : pp = N A et np = (59)
NA
d) cas gnral
Dans le cas gnral, les deux types de dopants peuvent exister simultanment dans le matriau.
Cest en fait ce qui se passe en pratique pour des raisons purement technologiques. Le
semiconducteur est toujours globalement neutre et la somme des charges positives est gale celle
des charges ngatives. En faisant le bilan des charges prsentes, il y a des lectrons, des trous et des
ions accepteurs et donneurs.
N A + n = p + N D+ (60)
6474 8 6474 8
charges charges+
Le semiconducteur sera de type n ou de type p , si la temprature considre, la concentration en
donneurs ioniss ou en accepteurs ioniss respectivement est la plus grande (le plus nombreux
lemporte).
(N N A ) + (N N A ) + 4ni2
2
D D
Si ND>NA nn = (61)
2
(N ND ) + (N N D ) + 4ni2
2
A A
Si NA>ND pp = (62)
2
Nous pouvons remarquer que si les concentrations des donneurs et accepteurs sont identiques, le
matriau un comportement intrinsque. Si mathmatiquement ce rsultat est facilement
accessible, physiquement il est quasi impossible puisquil faudrait des prcisions normes sur les
concentrations des atomes dopants pour esprer avoir un comportement intrinsque. Puisque la
concentration datomes de silicium est de 5.1022cm-3, pour avoir un comportement intrinsque il
faut que la diffrence des concentrations soit infrieure ni, cest--dire 1010cm-3. Il faut donc une
prcision ou une puret chimique du silicium suprieure mille milliardimes pour esprer
contrler le procd, ce qui nest jamais atteint !
Il faut se rappeler qu 300K, kT=26meV, et que le niveau de Fermi se dcale donc de 60meV
chaque fois que le dopage est multipli par 10 (nous dirons que la variation est de 60meV par
dcade).
reste dans la bande interdite, cest--dire que le dopage reste infrieur la densit dtats
lectroniques dans les bandes (NC et NV) ; dans le cas contraire, on dit que le semiconducteur est
dgnr.
N D+ = N D 1
E E
1 + 2 exp F D
kT
N A = N A 1
E E
1 + 2 exp A F
kT
N A + n = p + N D+ (60)
La dtermination de EF peut alors se faire graphiquement dans un diagramme semi-
logarithmique pour aller rapidement, sachant quun calcul analytique est toujours possible.
Les quations ci-dessus scrivent aussi : ln[ ] neutralit
NV NC
EF EV p n
ln p = ln NV ND +
kT ND
-
N A
NA
EC EF
ln n = ln NC
kT
ni
E E
ln N D+ = ln N D ln1 + 2exp F D
kT
EV EA Ei EFEDEC
E EF
ln N A = ln N A ln1 + 2exp A Figure 37 : dtermination graphique de la position du
kT niveau de Fermi dans un semiconducteur. En vrifiant
lquation dlectro-neutralit, on dtermine facilement
EF. Les droites inclines ont une pente proportionnelle
Dans ce diagramme, lchelle tant semi- 1/kT
logarithmique, on raisonne comme dans le
cas dun diagramme de Bode (somme des
courbes asymptotiques).
Les pentes des courbes rsultantes dans les domaines o elles varient exponentiellement sont en
1/kT et dpendent donc directement de la temprature. On peut rsoudre lquation de neutralit
directement sur le graphe en cherchant lintersection des courbes de la somme des charges positives
(p et ND+) et de la somme des charges ngatives (n et NA-). Nous constatons aisment que la
position de EF dpendra de la temprature, les pentes variant en 1/kT.
Nous pouvons noter que si le dopage de type N est prpondrant, cest le cas de la figure 37, le
niveau de Fermi se trouve proche de la bande de conduction. Le niveau de Fermi se retrouvera au
niveau ED lorsque la temprature sera gale la temprature de Fermi, TF, situe autour de 100K.
Pour des tempratures leves, plusieurs centaines de degrs Celsius (autour de 1000K), les pentes
diminuant, le niveau de Fermi se dplace vers le milieu de la bande interdite. Lorsque n et p
atteignent la valeur suprieure de ND et NA, le matriau retrouve un comportement intrinsque
(temprature Ti). Cet aspect sera trs important dans la fabrication des circuits intgrs mais aussi
dans les dispositifs fonctionnant trs haute temprature (tte de forage par exemple).
E E
E
Figure 38 : Evolution du nombre de porteurs dans les
bandes dnergie en fonction de la nature du dopage et
de la concentration des porteurs. La premire figure
Bande de conduction B.C. correspond au semiconducteur intrinsque, la deuxime
e-
EC au dopage de type n et la dernire au dopage de type p.
EF e- Lorsque le niveau de Fermi est prs de la bande de
conduction, la concentration des lectrons augmente et
Type n celle des trous diminue. Le phnomne est contraire du
h+
cot de la bande de valence. La distribution des porteurs
h+ dans les bandes obit toujours la statistique de Fermi-
EV
Dirac.
Bande de valence B.V.
0 1/2 1 f(E)
Densit dtats dnergie
2) Gnration-lumineuse
En envoyant des photons dnergie suffisante, au moins gale celle du gap, on peut crer une
paire lectron-trou (cf. cours de mcanique quantique). On peut alors dfinir un terme de
gnration lumineuse par GL, qui est une concentration de porteurs crs par unit de volume et
unit de temps (cm-3.s-1). Nous allons ainsi imposer un excs de porteurs dans le cristal par rapport
lquilibre thermodynamique tant que cette gnration se produira. En stoppant lenvoi de
photons, le matriau aura tendance retourner progressivement lquilibre thermodynamique.
Dans un lment de volume donn, si ce phnomne est seul intervenir, nous pouvons crire :
n = +G p
L (65) = + GL (66)
t t
La figure 40 montre de faon dtaille les diffrents mcanismes possibles. Un pige peut
capturer un lectron de la bande de conduction ou mettre un lectron vers cette bande. Un pige
peut capturer un trou en envoyant un lectron vers la bande de valence ou mettre un trou en
rcuprant un lectron de valence qui laisse un trou derrire lui. Ces changes se font en obissant
la statistique de Fermi-Dirac. Le processus complet de gnration met en jeu une mission dun
trou et une mission dun lectron (transit de la bande de valence vers la bande de conduction) alors
que la recombinaison met en jeu la capture dun lectron puis dun trou (transit de la bande de
conduction vers la bande de valence).
complte entre les bandes de valence et de conduction, le trajet se fera par les niveaux piges
puisque la probabilit de transiter entre les bandes et les piges est sans commune mesure
suprieure la transition directe bande bande. Les niveaux piges vont donc servir de marche-
pied aux porteurs. La position la plus efficace pour les piges pour permettre cette transition sera
situe en milieu de bande interdite ; pour comprendre simplement ceci, 2 marches de moyenne
hauteur sont plus faciles gravir par un tre humain quune trs petite et une trs grande, cette
dernire reprsentant la difficult !
B.C.
e- EC
avant e- e- Et
h+ e-
EV
B.V.
B.C.
e- EC
aprs e- e- Et
h+
EV
B.V.
Figure 40 : Mcanismes de gnration-recombinaison assists par piges. La transition
seffectue via un pige qui change un lectron avec la bande de conduction ou avec la
bande de valence. Dans ce dernier cas llectron se recombine avec un trou ou cre un trou
en quittant la bande de valence. Ces changes sont conditionns par la statistique de Fermi-
Dirac. Pour avoir une probabilit importante de transfert, le niveau pige doit tre situ en
milieu de bande interdite. Pour dterminer le taux de recombinaison gnration, il faut
exprimer les quatre processus prsents, missions et captures des trous et lectrons.
Ainsi, en ne considrant que les piges situs en milieu de bande interdite, qui seront les plus
efficaces, on peut dterminer le taux de recombinaison-gnration rsultant, U, qui traduit la
variation de la concentration de porteurs (lectrons ou trous) par unit de temps ; il faut pour cela
exprimer les quatre processus prsents, missions et captures des trous et lectrons. Nous ne
donnons ici que les rsultats de ce calcul relativement long qui suppose des simplifications
supplmentaires et qui aboutit :
p.n ni2
U = 1 (67)
o
p + n + 2ni
avec o, dure de vie des porteurs,
Cela signifie que la gnration thermique est compense par la recombinaison et donc que le
bilan de la recombinaison-gnration est nul.
pn.N D ni2
U = 1
o
pn + N D + 2ni
comme ND >> pn et ND >> ni
.n2 pn pno
U = 1 pn i ou encore U = (68)
o ND o
Ceci signifie que la disparition des porteurs en excs est proportionnelle lcart des
concentrations par rapport lquilibre thermodynamique. On peut donner un exemple pratique :
ND = 1017 cm-3, o = 10-7 s, ni2 = 2.1020 cm-6, pno = 2.103 cm-3, pn = 1010 cm-3,
alors U = 1017 cm-3.s-1
Dans cette expression, le signe moins (U ngatif) traduit le phnomne de gnration de paires
lectron-trou alors que dans la formule (68) le signe plus (U positif) traduit un phnomne de
recombinaison.
Dans le chapitre suivant, nous allons utiliser et appliquer lensemble de ces rsultats pour
analyser les phnomnes de transport dans un semiconducteur.
CHAPITRE V
e- e-
dplacement
effectif
Figure 41 : Dplacement statistique des lectrons dans le semiconducteur et effet du champ
lectrique sur ces dplacements. Le mouvement erratique est perturb par la prsence du
champ. Le dplacement effectif peut tre de plusieurs ordres de grandeurs plus faible que le
dplacement rel des lectrons.
Vitesse (cm/s)
107
reprsente figure 42. Pour les forts champs Silicium
lectriques, la vitesse sature et tend en pente
106
pratique vers la vitesse thermique.
Lexplication simplifie de cette limite est
que les trajectoires entre chocs sont 105
102 104 106
suffisamment incurves pour prendre la Champ lectrique (kV/cm)
direction du champ mais que lnergie Figure 42 : variation de la vitesse des lectrons dans le
apporte entre ces chocs (et donc sur le libre silicium et le germanium. Pour les champ faible, la
pente correspond la mobilit. Pour les champs forts, la
parcourt moyen) est ngligeable par rapport vitesse tend vers une limite qui est la vitesse thermique.
Il peut tre not que le GaAs prsente une meilleure
lnergie thermique. Pour les trs forts
mobilit (rapport 5 environ) et une survitesse qui est
champs lectriques, nous verrons que dautres exploite dans certains composants trs rapides (HF)
(daprs Jacobini et al., Smith et al., Ruch et al.).
phnomnes interviennent.
Pour les faibles champs lectriques, la courbe relle est linarise et la pente dfinit la mobilit
des lectrons, n.
r r r r
v = n. E v = n.E
Ainsi,
r r
jn = (q).n.()n. E
r r
jn = qnn.E (70)
De faon tout fait analogue, il est possible de dfinir la mobilit des trous (dplacement des
lectrons lis). Lexpression de la densit de courant de trous est alors la suivante en se rappelant
que les trous se dplacent dans le mme sens que le champ lectrique :
r r
j p = qp p.E (71)
Ces deux densits de courant sont en fait des courants de drive dans le champ lectrique. Dans
certains ouvrages, ces densits de courant sont appeles courant de conduction, ce qui est un
plonasme et une terminologie non approprie pour traduire le phnomne. Nous verrons dans ce
chapitre que dautres phnomnes permettent la conduction.
r r
Il peut tre not que nous retrouvons la loi dOhm, j =.E pour chacun des deux types de
porteur. est la conductivit.
On peut donc dfinir une conductivit pour les lectrons, n, et une conductivit pour les trous,
p, comme suit :
n = qnn p = qp p
mobilit (cm2/Vs)
perturbation du rseau cristallin va entraner 300K
une modification de la mobilit. Tout n Silicium
particulirement, lajout datomes dopants 103
cre des distorsions dans le cristal et affecte la
p
mobilit qui diminue lorsque le niveau de
dopage augmente. La figure 43 montre la
102
variation des mobilits des lectrons et des 1014 1015 1016 1017 1018 1019
trous en fonction du niveau de concentration concentration dimpurets (cm-3)
dimpuret ou de dopage, dans le silicium. Figure 43 : Variation de la mobilit des lectrons et des
trous dans le silicium 300K en fonction de la
Notons que cest la quantit totale datomes concentration dimpurets ou de dopants. La mobilit
dopants qui intervient et non pas le dopage dcrot avec le niveau de dopage. Notons que cest la
concentration totale dimpurets dans le cristal qui doit
effectif (aprs compensation ventuelle). intervenir en pratique (daprs Beadle, Plummer, and
Dans un cristal de silicium quasi-pur, 300K, Tsai).
Il peut tre not, que mme pour des trs forts dopages, la rsistivit du semiconducteur, bien
quayant fortement diminu, reste trs suprieure celle dun mtal dont lordre de grandeur est le
.cm.
rsistivit (.cm)
Lcart la linarit en chelle logarithmique 300K
10-2
est due la variation des mobilits en type-p Silicium
fonction du niveau de dopage. Lorsque le 100 type-n
dopage atteint le niveau 1016 cm-3, la
probabilit dune interaction avec un atome 10-2
dopant durant le libre parcourt moyen
10-4
augmente fortement ; en effet, ces niveaux, 1012 1014 1016 1018 1020
on trouve un atome dopant peu prs tous les concentration de dopants (cm-3)
100 atomes du rseau soit autour de 200 , Figure 44 : variation de la rsistivit en fonction du
niveau de dopage pour le silicium 300K. La non-
qui est lordre de grandeur du libre parcourt linarit en chelle logarithmique est due la
moyen. modification des mobilits lorsque le dopage atteint
1016 cm-3 (daprs Beadle, Plummer, and Tsai).
Cette loi est trs gnrale et sapplique aussi bien aux lectrons et trous quaux atomes ou aux
ions (cf. cours de technologie microlectronique intgre, O. Bonnaud)
jn = + qDn dn (75)
dx dx x
Dn est le coefficient de diffusion des Figure 46 : Mouvement des lectrons par mcanisme de
lectrons. Ce coefficient est positif. Par diffusion. La densit de courant est de sens oppos
celui des lectrons.
convention, la densit de courant est de sens
oppos au dplacement des lectrons.
Les lectrons se dplaant vers les x positifs, la charge tant ngative, et le gradient de
concentration tant ngatif, la densit de courant est ngative.
j p = qDp
dp
(76) p jp
dx
Dp est le coefficient de diffusion des trous.
mouvement
Ce coefficient est positif. Par convention, la
des trous
densit de courant est de mme sens que celui dp
du dplacement des trous. Les trous se dp/dx <0
dplaant vers les x positifs, le gradient de
concentration tant ngatif, et la charge tant dx x
positive, la densit de courant rsultante est
Figure 47 : Mouvement des trous par mcanisme de
positive. diffusion. La densit de courant de trous est dans le
mme sens que celui du dplacement des trous.
Les coefficients de diffusion, Dn et Dp, sexpriment en gnral en cm2/s. Dans ces units, elles
sont de lordre de grandeur de lunit, Dn tant toujours un peu suprieur Dp. Nous expliquerons
ce rsultat plus loin dans ce chapitre.
dp
j p = qDp + qp p.E (78)
dx
j = jn + j p (79)
Remarques : ces quations restent valables tant que le matriau semiconducteur reste homogne, et
la temprature constante travers la structure. Elles sont modifies quand le dopage, le gap ou la
temprature varient. Le modle est ici unidimensionnel ; il permet des calculs analytiques pas trop
complexes. Il est bien videmment possible de crer un gradient vectoriel.
IV Relation dEinstein
Il sagit dtablir une relation entre le coefficient de diffusion des porteurs et leur mobilit. Cette
corrlation est intuitive puisque les phnomnes ont une origine commune, la fois thermique et
statistique.
A lquilibre thermodynamique, le courant total, pour un type de porteur, est obligatoirement nul
(sinon nous pourrions crer du courant sans fournir dnergie !). Considrons le courant total
dlectrons exprim par la relation (77) :
E E B.C.
n= NC exp C F dn = 1 dEC EC(x)
kT n kT d
dx
La variation de EC, est directement relie EF
la variation du potentiel lectrostatique
x
(lnergie est le produit de la charge par le
EV(x)
potentiel). B.V.
Nous obtenons ainsi :
q
dEC = qd dn = d Figure 48 : Variation de potentiel dans le matriau. Le
n kT
niveau d Fermi tant constant lquilibre
thermodynamique, toute la variation se retrouve au
niveau des bandes de valence et de conduction. Du
point de vue schmatique, les bandes sont "inclines".
Des deux expressions de dn/n, nous dduisons alors aisment la relation dEinstein :
Dn = kT
n q
On peut appliquer, par analogie, strictement le mme raisonnement pour la densit de courant de
trous, et retrouver la mme formule entre Dp et p.
Dp
Relation dEinstein : Dn = = kT = VT (80)
n p q
VT est le potentiel thermodynamique.
V Equations de continuit
Dans un semiconducteur, hors quilibre thermodynamique, nous pouvons dterminer dans un
modle unidimensionnel, en un point, le taux de variation de la concentration des porteurs
(lectrons et trous) en fonction du temps.
Dans llment de volume dpaisseur dx,
reprsent figure 49, si le flux entrant F(x) est
suprieur au flux sortant F(x+dx), la F(x) F(x+dx)
concentration de porteurs augmente (le
niveau monte dans le rservoir si lapport par
le robinet est suprieur au dbit de la bonde dx
de sortie !). De plus, dans cet lment de
Figure 49 : Principe de variation de concentration dans
volume, il est possible de gnrer des paires un lment de volume dcrivant lquation de
de porteurs par des photons, de taux de continuit.
gnration GL.ou den faire disparatre sur
place par recombinaison, de taux U.
Cest lquivalent de la pluie et de lvaporation, respectivement, quand nous considrons un
rservoir. Ainsi, lexpression gnrale de la variation de flux dune espce donne est la suivante :
t dx
( )
C = dF + GL U (81)
t
( )
n = + 1 dJ n + GL n n po
q dx n
p p pno
= 1 dJ p + GL
t q dx p
En remplaant Jn et Jp par leurs expressions, nous obtenons :
Equation de continuit pour les lectrons
2
n = + Dn n + n (n ) + GL n n po (82)
t x 2 x n
VI Equation de Poisson
Dans un semiconducteur, lquation de Poisson, issue des quations de Maxwell, reste bien
videmment valable. Nous nous limiterons au modle unidimensionnel :
2
concentration de
V charge en C/cm3
= (84)
x 2 r o
permittivit du
Laplacien
en V/cm2 semiconducteur en F/cm
Dans cette quation, est une concentration de charges totales, exprime en coulomb par
centimtre cube. Dans un semiconducteur, dop par les deux types de dopant, la concentration de
charge totale tient compte des porteurs libres et des atomes ou impurets ioniss :
= q(p n + ND+ - NA-) (85)
Dans de nombreux cas, pour aboutir une solution analytique, il faudra simplifier cette
expression en comparant les diffrentes concentrations.
Remarque : Des charges dues des piges peuvent tre incorpores dans cette quation. Dans le cas de piges
lectrons, ils sont neutres ou chargs ngativement lorsquils sont actifs ; les piges trous seront quant eux neutres
ou chargs positivement.
dEFp
j p = p.p. (87)
dx
Il faut remarquer dans ces quations, que le courant est directement proportionnel la mobilit,
la concentration de porteurs mis en jeu, et au gradient de potentiel de Fermi. Ce gradient tient
compte la fois dune possible variation du potentiel lectrostatique crant un champ lectrique
(composante de conduction), mais aussi dun gradient de concentration (composante de drive).
Lavantage de cette formulation est importante pour traiter les semiconducteurs non homognes, les
htro-jonctions, super-rseaux, etc.qui ne pourront pas tre tudier de faon approfondie dans le
cadre de ce cours.
Il faut remarquer, qu lquilibre thermodynamique EFn = EFp, ce qui signifie que les deux
populations sont en quilibre entre elles.
Les quations prsentes dans ce chapitre vont tre toutes mises en uvre pour traiter les
composants de base que sont les diodes et les transistors bipolaires et effet de champ. Comme
nous lavons dj annonc, il sagira de simplifier au maximum leur rsolution et la connaissance
des ordres de grandeurs des diffrentes composantes constituera une approche nouvelle et
ncessaire mais pas toujours facile mettre en uvre.
CHAPITRE VI
I Constitution
1) Ralisation physique et dfinitions
La jonction PN est physiquement la juxtaposition de deux rgions dopes diffremment dans un
mme cristal semiconducteur. La zone frontire de passage de la rgion de type n la rgion de
type p sappelle la jonction mtallurgique. Lorsque le matriau semiconducteur est le mme pour
les deux zones dopes diffremment, par exemple du silicium, cette jonction est appele
homojonction. Quand les matriaux sont diffrents, cest le cas dans des composants base de
composs semiconducteur III-V, on parle dhtrojonction. Dans ce dernier cas, il faut une
compatibilit des rseaux cristallins, paramtres de maille voisins, pour considrer quil y ait
continuit du cristal. Nous nous limiterons dans le cadre de ce cours aux homojonctions.
fonctionnement, autour de la temprature ambiante, tous les atomes dopants sont ioniss et que les
concentrations des porteurs libres dans les zones dopes de type affirm (vraiment n ou vraiment p),
taient quasiment gales aux concentrations des atomes dopants ioniss.
Ainsi, lquilibre thermodynamique,
Rgion n : les lectrons sont les porteurs majoritaires, nno = ND,
les trous sont les porteurs minoritaires, pno = ni2/ND,
les dopants sont ioniss positivement,
Rgion p : les trous sont les porteurs majoritaires, ppo = NA,
les lectrons sont les porteurs minoritaires, npo = ni2/NA,
les dopants sont ioniss ngativement.
n monocristal p
La figure 51 fait apparatre ces n=ND p=NA
concentrations, au moment de la mise en e- e- e- e- e-
h+ h+ h+ h+
+ + + + + h+
contact fictive et met en vidence quune - - - - -
analyse approfondie doit tre effectue au n=ni2/NA
p=ni2/ND
niveau de la jonction mtallurgique. h+ e-
n monocristal p
+ +
e- e- e- - h+ - h+
+ + + - h+
e-
e- - h+ e-
+ + +
e- - -
e- + + h+
+ h+ -
h+ - h+
e- + e- h+
+ -
e- - h+ -
e-
Figure 52 : Mouvement des charges au niveau de la jonction. Les lectrons trs nombreux
en zone n diffusent vers la zone p ou ils sont minoritaires. Les trous de la zone p diffusent
vers la zone n. Les ions immobiles de part et dautre de la jonction ne sont plus compenss
lectriquement par les porteurs libres. Ils crent une zone de charge despace.
En supposant que dans la zone de charge despace, la concentration de porteurs libres est
ngligeable devant la concentration des atomes dopants ioniss, et en appelant xn et xp les abscisses
des limites auxquelles on retrouve le matriau neutre (type n cot n et type p cot p), la neutralit
globale de la structure permet dcrire :
Q+ = q.S.ND+.xn
Q- = -q.S.NA-.xp
en appelant S, la surface de la jonction tudie,
Q+, la charge totale de la zone de charge despace cot n,
Q-, la charge totale de la zone de charge despace cot p,
Comme la charge totale est nulle, Q+ + Q- = 0
cest--dire que :
V = VT ln N A.2N D
ni
La tension calcule, est la tension de diffusion ou tension de contact, non mesurable
extrieurement, que lon donne habituellement sous la forme de sa valeur absolue (ne dpend donc
pas de lorientation choisie pour laxe des x). Cette tension est toujours oriente de la zone n vers la
zone p. Dans le cas de notre calcul, le signe ngatif provient du choix de lorientation initiale de la
zone n vers la zone p.
3) Diagramme dnergie
Lanalyse du diagramme dnergie est en pratique un lment trs pratique et trs puissant pour
comprendre ou prdire le fonctionnement dun dispositif. Nous verrons ceci plus particulirement
dans ltude des transistors.
E p
n
EC
EC- EF qVD
EC
EF
EV
Eg
qVD EF- EV
EV
A lquilibre thermodynamique, le niveau de Fermi est toujours constant ou plat. Cest donc EF
la premire grandeur tracer et qui va servir de rfrence pour les autres niveaux (Figure 53).
Lcart entre les bandes de conduction et de valence reste dans notre modle en permanence gal
au gap. Il suffit donc de tracer la variation de EC travers la structure pour en dduire EV, par
exemple. Puisque nous avons vu quil existait une diffrence de potentiel lquilibre
thermodynamique, lcart entre la position de la bande de conduction de part et dautre (et donc de
la bande de valence) est gal qVD.
Le diagramme de la figure 28 fait apparatre la hauteur de barrire dnergie pour les deux types
de porteurs, qui correspond qVD et qui devront tre franchies par les porteurs.
Intuitivement, si lon souhaite crer un rgime de conduction, il faudra abaisser la barrire
dnergie pour chacun des types de porteur.
Nous verrons plus tard que cette transition se fait suivant une loi exponentielle, et quaprs calcul
complet et complexe, cette approximation est tout fait acceptable. Cette approximation sappelle
lapproximation de Schockley.
La figure 54 fait apparatre la rpartition des charges dans la zone de charge despace appele
aussi zone dserte.
d qN D qN D
Cot n : = = + (x) = + x+cte
dx r o r o r o
puisque (-xn) = 0
(x) = +
qN D
r o
(x+ xn ) (92)
d qN A qN A
Cot p : = = (x) = x+cte
dx r o r o r o
puisque (+xp) = 0
(x) =
qN A
r o
(x x )
p (93)
n p
A partir du profil de charge de la figure 54,
qNDxn/ max qN x /
la figure 55 montre la variation du champ A p
xp = 2 r o 1 VD
qN A
1 + NA
ND
xn = 2 r o 1 VD
qN D N
1+ D
NA
Lextension de la zone de charge despace totale, W, est gale la somme des deux zones en vis-
-vis. W peut tre exprim en fonction de xp et des dopages :
W = x p + xn = x p 1 + xn = x p 1 + N D
xp NA
W = 2 r o N A + N D V D (95)
q N A.N D
Si ND >> NA, xn << xp, alors :
W = 2 r o 1 V D avec W xp et xn W. N A (96)
q NA ND
Ces expressions (56) ci-dessus, montrent quil est possible de faire une valuation rapide de
lextension de la zone de charge despace en ne considrant que la zone la moins dope. Lerreur
est simplement dans le rapport des concentrations de dopants (par exemple 1%). Une valuation
rapide montre quen fonction du niveau de dopage qui varie entre 1014 et 1020 cm-3, W varie
lquilibre thermodynamique entre une centaine dAngstrm et quelques microns.
Notons que si une tension, Vapp, est applique aux bornes de la jonction, la tension aux bornes de
la zone de charge despace devient la somme algbrique de la tension applique et de la tension de
diffusion, VD + Vapp. Pour connatre la nouvelle extension de la zone de charge despace, il suffit
alors de remplacer dans les expressions (95) ou (96) |VD| par |VD| - Vapp, sachant que Vapp sera
ngatif si lon applique une tension positive sur la zone n et ngative sur la zone p (tendance
augmenter le champ lectrique).
lectrique. Mais le champ lectrique, mme de trs grande amplitude, ne draine que des porteurs
minoritaires depuis les couches quasi-neutres (lectrons dans la zone p et trous dans la zone n), qui
sont comme nous lavons vu prcdemment en quantit extrmement plus faible que celle des
majoritaires. Les densits de courants rsultant ne pourront donc qutre trs faibles, toute autre
considration mise part.
En conclusion :
- une diminution du champ lectrique par application dune tension positive sur la zone p,
peut crer un courant important : la jonction est polarise en direct
- une augmentation du champ lectrique par application dune tension positive sur la zone n,
ne cre quun trs faible courant :la jonction est polarise en inverse.
initial
appliqu
n p
- +
VF
Figure 56 : Polarisation directe de la jonction pn. Une tension positive est applique sur la
zone p. Le champ interne la jonction est alors diminu. Le courant peut devenir important
en raison de la possibilit de diffusion des porteurs.
a) Approximation de Boltzmann
Si nous polarisons en direct la jonction, nous favorisons le phnomne de diffusion et donc,
intuitivement, nous augmentons la concentration de porteurs de part et dautre de la jonction. En
effet, un transit important de porteurs impose une augmentation de niveau (telle une rivire au pied
dun barrage lorsque le dbit de celui-ci augmente). Laugmentation ne sera prpondrante que pour
les porteurs minoritaires, la variation de la concentration des porteurs majoritaires ne pouvant tre
que ngligeable dans un rgime de fonctionnement normal (le niveau suprieur du barrage nest pas
modifi sensiblement lorsque les turbines fonctionnent).
Le problme va consister valuer les concentrations de porteurs minoritaires en limite de zone
de charge despace, sous polarisation. Pour cela, nous allons de nouveau partir des quations des
densits de courant (89) et (90) valables lquilibre thermodynamique.
jn = + qDn dn + qn n.E = 0 (89)
dx
dp
j p = qDp + qp p.E = 0 (90)
dx
Analysons par exemple les deux termes intervenant dans lquation de la densit de courant
dlectrons en effectuant une valuation numrique simplifie.
J ndiff = + qDn dn et J ndr = qn n.E
dx
Il suffit de calculer lun des deux termes. Supposons la jonction en silicium telle que :
NA = 1017 cm-3, ND = 1019 cm-3, Dn = 10 cm2/s,
n = 260cm2/Vs, ni2 = 2.1020 cm-6, r = 10-12 F/cm
On dduit des diffrentes relations : VD = 0,96V, W = 0,11m, max = 1,6.104 V/cm.
En supposant que le gradient de concentration soit le gradient moyen entre xn et + xp :
dn/dx # n/x = (ND-npo)/W
mais (ND-npo)/W # ND/W = 10 /1,1.10-5 = 9.1023 cm-4
19
[ ]
n p(0)
VD VF = VT ln dn N D
n
en appelant np(0), la concentration des lectrons en limite de zone de charge despace du cot p
(cela revient dcaler lorigine de laxe des abscisses en x = xp).
n p(0)
VD VF = VT ln et compte tenu de la relation (91) VD = VT ln N D
ND n po
n=ND p=NA
np(0)
pn(0)
x expVF/VT
x expVF/VT
npo=ni2/NA
pno=ni2/ND
Jonction mtallurgique
Figure 57 : Porteurs majoritaires et minoritaires dans la jonction pn sous polarisation
directe. Les concentrations des porteurs minoritaires de lquilibre thermodynamique ont t
multiplies par exp(VF/VT) aux limites de la zone de charge despace.
Ayant dtermin les concentrations aux limites, il faut alors dterminer le profil de concentration
des porteurs dans les zones quasi-neutres. Pour y parvenir, il faut considrer les quations de
continuit pour les lectrons et pour les trous.
Dans un premier temps, nous allons simplifier lapproche en considrant les hypothses
simplificatrices suivantes :
- pas de gnration lumineuse, GL = 0,
- les recombinaisons sont ngligeables, U = 0,
- le champ lectrique est nul lextrieur de la zone de charge despace, cest--dire dans les
zones quasi-neutres, = 0,
- le rgime est stationnaire ; pas de variation en fonction du temps.
Les quations de continuit pour les lectrons et les trous, relations (82) et (83), se simplifient
fortement et deviennent :
2
n = + Dn n = 0 2 n
= 0
t x 2 x2
p p
2
2 p
= + Dp 2 = 0 = 0
t x x 2
Il faut intgrer ces deux dernires quations diffrentielles du second ordre (trs simples !). Pour
cela il faut connatre deux conditions limites pour chacune delles. Nous savons ce qui se passe en
limite de zone de charge despace, il faut donc une autre condition limite pour chacune delle.
Nous allons considrer quau niveau des contacts avec les zones quasi-neutres qui
correspondent aux connexions avec la source de polarisation, donc aux limites extrieures des zones
n et p, la concentration des porteurs minoritaires correspond celle de lquilibre
thermodynamique. Une autre faon de prsenter cette hypothse est de considrer que les contacts
mtalliques avec le semiconducteurs sont infiniment recombinants ; en dautres termes cela signifie
que si le contact est ohmique, les changes entre le mtal, qui contient une concentration de
porteurs trs suprieure au semiconducteur, et les zones n et p sont quasiment instantane.
En appelant Wn et Wp la largeur des zones quasi-neutres, respectivement, comme indiqu sur la
figure 58, nous pouvons trs rapidement intgrer les quations diffrentielles.
d 2n
Ainsi, = 0 dn = cte n(x) = ax + b (quation dune droite).
dx 2 dx
n po n p(0)
n(x) = x + n p(0)
Wp
En modifiant laxe des x de faon approprie, il est possible de la mme manire de dduire le
profil de concentration des trous dans la rgion n (translation de W).
pn(0) pno
p(x) = x + pn(0)
Wn
Connaissant le profil de concentration des deux types de porteurs, il est possible den dduire les
densits de courant, puisque dans les zones quasi-neutres, la composante de drive est nulle (champ
nul) et que seule subsiste la composante de diffusion (Figure 58).
n pn(x) np(x) p
n=ND p=NA
np(0)
pn(0)
expVF/VT
npo=ni2/NA
pno=ni2/ND
-xn +xp x
Wn Wp
Figure 58 : Profils de concentration des porteurs dans la jonction polarise en direct en
considrant les recombinaisons ngligeables dans les zones quasi-neutres. Dans une chelle
linaire, le profil de concentration est linaire. Attention, cette reprsentation est
trompeuse ! puisque pour pouvoir les reprsenter, les niveaux des concentrations sont
supposs tre en chelle logarithmique. Il y a donc superposition de deux chelles
diffrentes, lune logarithmique, lautre linaire !
dp p (0) pno p VF (102)
J p = qD p = q D p n = qD p no exp 1
dx x =0 Wn Wn VT
Le signe ngatif provient de lorientation de laxe des abscisses, les lectrons se dplaant vers
les x positifs, la densit de courant est oriente vers les x ngatifs. Ainsi, il est habituel de donner
les expressions des densits de courant en valeur absolue. Nous rappelons aussi que nous avons
translat les axes pour simplifier lexpression des profils de concentrations des porteurs
minoritaires.
La densit de courant totale est la somme des deux types de courants injects (les porteurs se "
croisent " dans la zone de charge despace). En appelant JF la densit de courant totale :
B B
n
po p VF
J F = J n + J p = q Dn + D p no exp 1
Wp Wn VT
expression qui peut aussi scrire sous la forme :
n2 n2
VF
J F = q Dn i + Dp i exp 1
Wp N A Wn N D V
T
ni2 ni2
VF (103)
IF = qS Dn + Dp exp 1
WpN A W N VT
n D
ou encore
V n2 n2
avec (104)
I F = I exp F 1 I = qS Dn i + Dp i
VT Wp N A Wn N D
Ainsi, la densit de courant (ou le courant total) circulant travers la jonction pn varie
exponentiellement en fonction de la tension applique. Laspect exponentiel provient de la
variation exponentielle des concentrations injectes en limite de zone de charge despace qui
voluent comme la statistique de Boltzmann.
Nous navons fait aucune hypothse particulire sur le signe de la polarisation VF. Si VF est B B B B
ngatif, tout le raisonnement effectu reste valable, mais dans ce cas lexponentielle (dun nombre
ngatif) tend vers 0. Les concentrations en limite de zone de charge despace deviennent infrieures
aux concentrations de lquilibre thermodynamique, et les pentes tant inverses, les densits de
courant sont aussi inverses. Trs rapidement, le courant total tend vers I et lexpression (104) B B
devient :
I F = I
I est appel courant de saturation ; cest le courant inverse de la diode jonction pn sous
B B
n=ND p=NA
npo=ni2/NA
pno=ni2/ND
np(0)
expVF/VT
pn(0)
-xn +xp x
Wn Wp
Figure 59 : Profils de concentrations des porteurs dans la jonction pn polarise en inverse.
Par rapport la polarisation directe, les pentes sont inverses. Il faut se rendre compte dans
cette reprsentation que np(0) et pn(0) sont pratiquement nuls (chelle logarithmique pour les
B B B B
Nous pouvons crire les quations (101) et (102) sous une autre forme qui sera utilise
notamment dans ltude du transistor bipolaire.
ni2 ni2
VF VF
J n = qDn exp 1 = q exp 1
N A.W p VT
GB
VT
ni2 ni2
VF VF
J p = qD p exp 1 = q exp 1
N D.Wn VT GE VT
GE et GB sont appels nombres de Gummel respectivement pour les rgions n et p qui
B B B B
dfinissons par Ln et Lp les longueurs de diffusion des lectrons et des trous respectivement dans les
B B B B
2
Ln = Dn n do Ln = Dn n (104)
2
L p = D p p do Lp = D p p (105)
d 2n n n po d 2u u
2
= 2
2
= 2
dx Ln dx Ln
d2p p pno d 2v v
= =
dx 2 Lp
2 dx 2 Lp
2
Ces quations diffrentielles sintgrent en tenant compte des deux conditions limites dj
rencontres dans la rsolution prcdente, savoir :
n p(0) = n po exp VF et np(Wp) = npo
VT
B B B B B B
u = A.exp x + B.exp + x
Ln Ln
Nous obtenons une expression analogue pour v. Ces expressions se transforment aprs
remplacement de A et B et quelques manipulations par :
Wp x
sh Ln
u = n p(x) n po = n p(0) n po
sh
Wp
Ln
Wn x
sh L p
v = pn(x) pno = pn(0) pno
shWn
Lp
En tenant compte des expressions de np(0) et de pn(0) :
B B B B
Wp x
sh
n p(x) n po = n po Ln expVF 1 (106)
sh
Wp VT
Ln
Wn x
sh
pn(x) pno = pno
Lp expVF 1 (107)
shWn VT
Lp
Le profil de concentration des porteurs est donc dans le cas le plus gnral en fonction
"chanette" qui donnerait dans une chelle linaire laspect de la figure 60. Sur cette figure, le profil
reprsent est trac dans une chelle linaire, pour simplifier la reprsentation. Il faut toujours avoir
lesprit que la variation des valeurs absolues est de plusieurs dcades ; cest ce qui justifie la
combinaison des deux types dchelle.
n pn(x) np(x) p
n=ND p=NA
np(0)
pn(0)
expVF/VT
npo=ni2/NA
pno=ni2/ND
-xn +xp x
Wn Wp
Figure 60 : Profil de concentration de porteurs dans une jonction pn polarise en direct et
pour laquelle les recombinaisons interviennent dans les rgions quasi-neutres. Laspect en
chanette prsent correspond une reprsentation en chelle linaire de la variation.
A partir de ces profils de concentration, nous pouvons calculer les densits de courant de
diffusion comme prcdemment en faisant lhypothse que seule subsiste la composante de drive
pour chaque type de porteur.
J n = qDn dn
dx
[ ]x=0
J p = qD p
dp
dx x=0
n po W V
Jn = qDn coth p exp F 1 (108)
Ln Ln
VT
pno V
Jp = qD p coth Wn exp F 1 (109)
Lp Lp
VT
Expressions qui peuvent tre crites en faisant apparatre les nombres de Gummel GE et GB. B B B B
n2 V
N .Ln Wp
J n = q i exp F 1 GB = A th (110)
GB VT Dn Ln
n2 V
N D.Lp Wn
J p = q i exp F 1 GE = th (111)
GE VT Dp Lp
Pour les relations (108) (111) deux cas limite peuvent se prsenter :
- la longueur de diffusion est grande devant les dimensions de la zone considre,
- la longueur de diffusion est petite devant les dimensions de la zone considre.
Il faut noter que les lois sont exponentielles ; la notion de grand et petit dans ce cas signifie
quun rapport 3 5 dans un sens ou dans lautre est suffisant !
u = A.exp x = n p(x) n po
Ln
expression qui permet de retrouver le profil. Nous retrouvons facilement lexpression de la densit
de courant dlectrons.
Dans le cas de la diode longue, la densit de courant est calcule en x = 0. En effet, puisquil y a
recombinaison dans la couche, les lectrons disparaissent progressivement et sont remplacs par
des trous. La densit de courant totale injecte tant due aux lectrons en x = 0 se retrouve
entirement sous forme dune densit de courant de trous au contact, en x =Wp La pente tant
limage de la densit de courant de diffusion, il est clair sur la figure 62 que la densit de courant
dlectrons diminue quand x augmente et quelle tend vers 0.
La notion de diode courte, diode longue ou ni courte ni longue est appliquer aux deux types de
porteurs. Il est ainsi possible davoir une diode courte pour les lectrons et une diode longue pour
les trous, par exemple. La figure 63 montre cette situation.
Wn Ln 0 Wp x
Figure 63 : profils des concentrations dlectrons et de trous dans le cas du modle diode
courte pour les lectrons et diode longue pour les trous.
Jn
Jp
6) Capacit de la jonction
Nous avons vu prcdemment que lextension de la zone de charge despace sexprimait en
fonction de la tension de diffusion et de la tension applique lorsque celle-ci existe.
La prsence des deux charges de type oppos situes de part et dautre de la jonction
mtallurgique cre un effet quivalent celui de deux plaques dun condensateur dont la distance
correspond lextension de la zone de charge despace, W.
W = 2 r o 1 V V ou encore W = 2 r o 1
VD + VR
q N A D F
q NA
lorsque la tension applique est inverse et pour une zone p moins dope. Nous dfinissons alors la
capacit par unit de surface par :
CS = r o = 1 qN r o
A
1 en F/cm2 (116)
W 2
VD + VR
Cette capacit varie en VR-1/2 ds que VR>> VD. Cette capacit est celle qui apparat dans le
schma lectrique quivalent de la diode jonction pn. Cette variation est exploite dans la
ralisation des diodes "varicap".
lectron prcurseur
+
+
-
e
e-
e- +
e-
Figure 66 : Phnomne dionisation par impact. Llectron prcurseur acclr cre une
paire lectron-trou ( gauche de la figure) qui discrimine par le champ permet une nouvelle
ionisation par le trou acclr partant droite et ainsi de suite. Leffet cumulatif sappelle
avalanche par multiplication (par impact).
b) Effet Zener
Dans le cas o ltendue de la zone de fort champ lectrique est plus faible que dans le cas
prcdent (infrieure 100 ), le champ lectrique peut tre plus lev sans gnrer une ionisation
par impact. Mais lorsque le champ atteint 1MV/cm, il y a alors rupture des liaisons par effet
tunnel entre atomes voisins et donc mission dune paire lectron-trou. Le nombre de paires peut
crotre trs fortement et les courants gnrs aussi. Cest aussi un phnomne cumulatif.
Dans les diodes au silicium la transition effet Zener/effet davalanche se produit pour des
tensions autour de 6V, cette transition dpendant des niveaux de dopage des deux couches n et p.
Les faibles tensions correspondent leffet Zener pur, les fortes lavalanche. Exprimentalement,
les deux effets dpendent diffremment de la temprature.
Remarque : les lectroniciens ont pris lhabitude dappeler diode Zener des diodes qui servent de rfrence de tension
lorsquelles sont suffisamment polarises en inverse. Pour les fortes tensions, ce nest pas en ralit leffet Zener qui
intervient mais leffet davalanche.
1) Diodes varicap
Cest une diode jonction pn pour laquelle
la capacit statique CS en fonction de la
tension inverse est exploite. Cette proprit
est optimise par le choix des dopages. Ces
diodes sont par exemple utilises dans les 1
CS = K.VR 2
oscillateurs pour commander un frquence
partir dune diffrence de potentiel. Diode varicap : schma et loi de variation
IF effet tunnel
E EC
effet tunnel diode classique
pente ngative
EF EV
EC
0 VF
EV
Figure 68 : caractristique lectrique de la diode tunnel.
Sous faible polarisation la conduction est importante.
Quand la barrire dnergie est suffisamment abaisse,
la transition tunnel nest plus possible et la
Figure 67 : Diagramme dnergie lquilibre caractristique prend une forme de diode classique. Le
thermodynamique dune diode tunnel. Les deux zones changement de rgime cre une zone rsistance
sont trs dopes et le niveau de Fermi se retrouve dans dynamique ngative.
les bandes dnergie. A faible polarisation, la
conduction peut se produire par effet tunnel.
3) Photodiodes
La jonction pn est mise en conduction par gnration lumineuse apporte par un faisceau de
photons dnergie suffisante pour crer des porteurs (cf. figure 69). Les paires lectron-trou sont
discrimines par le champ lectrique de la zone de charge despace. Les porteurs sont alors drains
vers le circuit extrieur. La lumire est alors convertie en courant. Lapplication la plus connue est
la cellule photovoltaque. Il faudra bien sr optimiser la capture des photons et la rcupration des
porteurs de charge pour obtenir un rendement de conversion acceptable.
n+
ZCE n-
p+
4) Diodes lectroluminescentes
En choisissant le matriau semiconducteur avec un gap suffisant, la transition entre les deux
zones se fait avec une diffrence nergtique suffisante pour crer un photon dans la gamme des
longueurs donde visible. Linjection dans la base de la diode (la zone la moins dope), cre un
excs de porteurs minoritaires qui se recombinent sous forme radiative. La figure 70 montre le
diagramme dnergie dans cette situation. Il est bien sr utile dutiliser des matriaux gap direct
sil lon souhaite obtenir un rayonnement dans le domaine visible. Cest le domaine privilgi des
semiconducteurs composs III-V. La conception de ces diodes doit aussi tenir compte de lefficacit
dmission (il faut rcuprer au maximum les photons).
n p
EC
q(VD1-VA)
Emetteur
Base
Figure 70 : Injection dlectrons dans la zone p et recombinaisons radiatives des lectrons. Il
faut bien sr contrler la sortie des photons pour obtenir une bonne efficacit.
CHAPITRE VII
LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
I Constitution
n p n
ou
p n p
J1 J2
Figure 71 : Reprsentation trs schmatique dun transistor bipolaire. Les deux types de
structures npn ou pnp sont possibles. La partie centrale est appele la base.
Le fait davoir deux jonctions trs rapproches confre la structure des proprits autres que la
simple juxtaposition de deux jonctions pn tte-bche. Pour cela il faut sassurer quil ny a pas
rupture du rseau cristallin et que la distance entre les jonctions mtallurgiques soit de lordre de
grandeur ou plus faible que la longueur de diffusion des porteurs dans la couche centrale. Cela va
imposer des contraintes technologiques et donner un rle spcifique chacune des zones encadrant
la zone centrale appele la base. En dautres termes, la structure bipolaire nest pas simplement
rversible. En technologie silicium classique, une coupe de la structure peut tre celle reprsente
figure 72.
Emetteur
n+
p Base
p
n Collecteur
Figure 72 : Reprsentation trs schmatique dune coupe dun transistor bipolaire au niveau
des jonctions. La zone en surface est appele metteur et la zone profonde, collecteur,
terminologie qui sera justifi plus loin.
La zone en surface qui sera en gnral trs dope est appele metteur. La zone situe au-
dessous de la base est appele collecteur. Nous justifierons simplement cette terminologie plus loin
dans le chapitre. Emetteur et collecteur sont donc raliss dans un mme cristal et ont le mme type
de dopage, mais pas forcment le mme type de dopant ni le mme niveau de concentration. Les
deux jonctions sont respectivement appeles metteur-base et base-collecteur.
Dans les circuits lectroniques, les C C
symboles utiliss pour les deux types de n p
transistors sont donns figure 73. La flche B NPN B PNP
indique entre la base et lmetteur est p n
n p
oriente dans le sens passant de la jonction pn
E E
correspondante, donc toujours oriente de p
Figure 73 : Reprsentation des transistors npn et pnp.
vers n. La flche entre lmetteur et la base est dans le sens
passant de la jonction metteur-base.
2) Profil de dopage
Compte tenu des contraintes dj voques, le profil de dopage typique dans une technologie de
transistor bipolaire intgr (cf. cours de technologie microlectronique intgre,
http://gmv.spm.univ-rennes1.fr) est celui reprsent figure 74 et correspond :
- un metteur trs dop,
- une base moyennement dope,
- un collecteur constitu de deux zones, la premire faiblement dope la seconde trs dope.
1020
N+
N+
Concentration cm-3
1018
P
Collecteur
Emetteur
1016
Base
N-
1014
0 1 2 4 5 6
Profondeur (x 0,1m)
Figure 74 : Profils de dopage. Les dopages sont trs diffrents dans les diffrentes zones. En
gnral, l metteur est trs dop, la base moins dope et le collecteur dop en deux parties
au moins.
La zone trs dope du collecteur se justifie par la minimisation de la rsistance interne de cette
couche, les performances lectriques du transistor dans ses applications en dpendant trs
fortement. En effet, dans les circuits intgrs base de transistors bipolaires, pour viter les courts-
circuits entre les diffrents transistors et pour isoler les couches entre elles, la structure est assez
complexe et ressemble celle prsente figure 75. Le contact collecteur est "remont" en surface et
ncessite donc une zone daccs trs dope pour minimiser les pertes dans le circuit lectronique du
collecteur.
B E C
p p+
n+
Figure 75 : Reprsentation schmatique dune coupe dun transistor dans un circuit intgr.
Lagencement des zones est li aux besoins disolation lectrique et dinterconnexion des
composants.
Ainsi, la structure est essentiellement tridimensionnelle, mais pour simplifier ltude thorique
et bien comprendre les mcanismes fondamentaux, nous nous limiterons un modle
unidimensionnel dont lorientation est perpendiculaire aux plans parallles des jonctions
mtallurgiques metteur-base et base-collecteur.
n p n
EC qVD2
qVD1
Eg EC
EC
EF EF
Eg
Eg
EV
EV
Emetteur Base Collecteur
Pour simplifier, nous considrons les dopages constants ce qui signifie que les jonctions seront
considres abruptes. Ce diagramme dnergie reprsent figure 76 sera exploit plus loin en
rgime de conduction.
II Principe de fonctionnement
1) Rgime de conduction
En rgime dit "normal" de fonctionnement,
Emetteur
Base
EV
Collecteur
Attention, dans ce cas, les niveaux de Fermi pour les lectrons et les trous ne sont plus
identiques. Nous allons toujours supposer quau niveau des contacts (metteur et collecteur) le
matriau semiconducteur retrouve lquilibre thermodynamique grce aux changes de porteurs
avec le mtal. Cela signifie que les pseudo-niveaux de Fermi se rejoignent. Dans la zone de charge
despace de la jonction metteur-base, linjection cre des excs de porteurs, ce qui laisse supposer
que le niveau EFn est au-dessus du niveau EFp (chacun des niveaux se rapproche de la bande des
porteurs respectifs). Dans le cas de la jonction collecteur-base, cest leffet contraire qui se produit
(dsertion accentue par la polarisation inverse).
La variation des pseudo-niveaux de Fermi se fera essentiellement dans les zones o les porteurs
sont en faible quantit, donc dans les zones o ils sont minoritaires (le courant tant constant, la
diminution de la concentration est compense par la variation du gradient du pseudo-niveau de
Fermi (formules (86) et (87)).
La diffrence entre les deux niveaux de Fermi des majoritaires correspond la polarisation
externe applique. Dans le diagramme de la figure 50, le potentiel (ou lnergie) de lmetteur est
pris comme rfrence. La diffrence totale (entre les deux contacts extrmes) correspond la
somme algbrique des diffrences de potentiel appliques la jonction metteur-base et la
jonction collecteur-base.
Ce diagramme dnergie fait clairement apparatre la diminution de la hauteur de barrire
dnergie pour les lectrons injects dans la base et laugmentation de la chute dnergie pour les
mmes lectrons au niveau de la jonction collecteur-base. Par contre, pour les trous de la base, la
hauteur de barrire a fortement augment. Pratiquement aucun trou de la base ne pourra, a priori,
rejoindre le collecteur.
n=ND p=NA
n=NDC
np(0) champ
pn(0)
pnoC=ni2/NDC
2
npo=ni /NA
pno=ni2/ND
Donc si tout va bien, dans le cas dun transistor npn, le courant collecteur va tre trs voisin du
courant dlectrons inject par lmetteur. La figure 78 donne un aperu du phnomne. Dans la
suite nous allons analyser les principaux phnomnes et paramtres limitant ce transfert.
Sur la figure 78, JpE est la densit de courant injecte dans lmetteur, JnB injecte dans la base
et JnC dans le collecteur. La jonction collecteur-base tant polarise en inverse, la densit de courant
qui la traverse est ngligeable lorsquil ny a pas dinjection JnC. Si cette dernire existe (injection
pilote), le champ lectrique capte (ou happe) tous les lectrons pour les propulser (ou envoyer)
vers le collecteur, qui les collecte (origine du nom !), lmetteur ayant mis ces porteurs.
La densit de courant de trous injecte dans lmetteur ne peut provenir que de la base, puisque
le collecteur ninjecte pas de trous dans la base.
Ainsi, leffet transistor consiste :
- injecter un faible courant dans la base depuis lextrieur qui polarise la jonction metteur-
base,
- injecter des lectrons dans la base depuis lmetteur, la densit de courant tant beaucoup
plus grande que celle des trous injects dans lmetteur,
- rcuprer la majeure partie des lectrons dans le collecteur grce au champ lectrique et donc
piloter un courant fort dans le collecteur.
On appellera gain en courant le rapport entre le courant collecteur et celui inject depuis le
contact de base dans la base.
Cet effet ne sera possible que si la base est suffisamment courte. En effet, la densit de
courant de diffusion, JnB augmente lorsque les dimensions de la base diminue. De plus, si la base est
trop, longue, par rapport la longueur de diffusion des porteurs (ici les lectrons), la densit de
courant disparat dans la base sans atteindre le collecteur. Le courant collecteur (et donc JnC) est
alors quasiment nul.
Pour rsumer, leffet transistor apparat lorsque :
- la jonction metteur-base est dissymtrique, lmetteur tant beaucoup plus dop que la
base,
- lpaisseur de la base est faible par rapport la longueur de diffusion des porteurs dans la
base,
- la jonction metteur-base est polarise en direct,
- la jonction collecteur-base est polarise en inverse.
Remarques : sur la figure 51 nous navons pas fait apparatre explicitement leffet de la polarisation inverse de la
jonction collecteur-base. Cette polarisation a tendance diminuer la concentration en lectrons minoritaires la limite
de la ZCE du cot base. Mais il faut se rappeler que nous combinons sur ce graphe des chelles linaires et
logarithmiques. En fait la pente donne dans une chelle linaire nest pas affecte par cette polarisation qui diminue la
valeur de npo. Que cette concentration soit gale par exemple 104cm-3 ou 10-20cm-3 ne modifie en rien la valeur
effective de la pente qui est par exemple de (1014 104) / WB, soit 1014 / WB.
contact comparer JpE inject. Le modle diode longue a ainsi tendance accrotre la pente du
profil et donc augmenter le courant base sans pour autant augmenter le courant collecteur.
Base
Figure 79 : Reprsentation schmatique des diffrentes densits de courant prenant en
compte les recombinaisons et gnrations dans les diffrentes zones du transistor npn en
rgime normal de conduction. Les densits de courant dmetteur, collecteur et base
correspondent la somme algbrique de ces courants.
Une autre faon de reprsenter les diffrentes densits de courant et la variation de leur
amplitude relative est donne par la figure 80. Il faut tre attentif au fait que les lectrons se
dplacent dans le sens contraire de celui des densits de courant. Au contact dmetteur, la densit
de courant totale est maximale. Les lectrons injects par lmetteur traversent toute la structure
avec des pertes dues essentiellement aux recombinaisons des trous dans lmetteur, des porteurs
dans la jonction metteur-base, des lectrons dans la base. La densit de courant au contact de base
correspond lensemble des flux de trous qui alimentent les recombinaisons et qui sont injects
dans lmetteur. Une petite fraction provient du collecteur et diminue lgrement la densit totale
fournie par le contact de base.
In I ne I nC
I ne- I nC
Emetteur I pe Collecteur
IE I rec I poC I noC IC
IG
Base
IB
Ainsi, pour obtenir un grand gain en courant, il est ncessaire davoir une jonction metteur-
base trs dissymtrique de manire obtenir un rapport dinjection important.
7) Efficacit dinjection
Par dfinition, lefficacit dinjection de la jonction metteur-base est :
I nE
= (120)
I nE + I pE + I rec
cest--dire le rapport du courant inject par lmetteur dans la base au courant total traversant la
jonction metteur-base. Si Irec est ngligeable,
= I nE
I nE + I pE
Or, nous avons vu dans le chapitre sur la diode, que :
n2 V
n2 V
J nE = q iB exp F 1 et J pE = q iE exp F 1
GB VT GE VT
en appelant niE et niB les concentrations intrinsques des porteurs dans lmetteur et la base
respectivement ; nous verrons plus tard pourquoi cette diffrence existe. Dans ces conditions en
appelant toujours GE et GB les nombres de Gummel dans les zones dmetteur et de base :
= 12 (121)
n G
1+ iE2 B
niBGE
IC
Elles sont principalement constitues de la
C
caractristique IC(VCE) avec IB comme IB B
paramtre, et de IC (IB) avec VCE comme
paramtre. Au premier ordre, ces E VCE
VBE
caractristiques ont laspect de la figure 83.
IE
Notons que les constructeurs rajoutent en
gnral les paramtres hybrides associs (h21
Figure 82 : Grandeurs lectriques considrer dans un
et h22 principalement) qui correspondent aux montage en metteur-commun. Lmetteur est la borne
commune.
pentes des caractristiques en basse
frquence. .
Le courant IC est pilot par le courant IB. Le transistor ayant des caractristiques plates en
sortie, il se comporte comme une source de courant, puisque IC ne dpend pas de VCE.
IE
IB3>IB2
pente
IB2>IB1
IB1
IB VCE
Ces caractristiques sont en effet idalises, les caractristiques relles doivent tenir compte des
effets physiques tels que :
- la gnration- recombinaison dans les diffrentes zones,
- le courant inverse de la jonction collecteur-base,
- la modulation des extensions des zones de charge despace qui modifie notamment
lpaisseur de la base effective et donc de linjection dans la base,
- la quantit de porteurs injects par rapport aux porteurs majoritaires dj prsents (dopage),
- linfluence du champ lectrique dans les zones de charge despace,
- la temprature : la puissance dissipe dans les transistors provoque un chauffement
important au niveau des jonctions ; cet chauffement modifie les proprits du matriau
semi-conducteur.
La suite du cours va consister analyser quelques-uns uns de ces effets.
Ce cas est frquemment rencontr dans les transistors bipolaires intgrs puisque lmetteur est
en gnral trs dop, la dure de vie des porteurs minoritaires y est trs faible et donc la longueur de
diffusion souvent du mme ordre de grandeur, voire plus faible, que lpaisseur de lmetteur.
Ainsi, le courant inject est augment (la pente augmente) mais laspect au moins aussi
important vient du fait quune partie du courant inject par lmetteur vers le collecteur disparat sur
le parcours.
En se rappelant que le courant est un courant de diffusion, nous avons :
Wp x
J n = qDn dn
dx x=0
[ ]
avec np (x) n po = (n p(x) n po )
sh
Ln
Wp
sh
Ln
et avec JnE = Jn(x=0) et JnC = Jn(x=WB), on dfinit le facteur de transport dans la base par :
J
T = nC
J nE
Wp x
ch
J n = qDn dn = qDn (n p(x) n po ) Ln 1
dx W
sh p Ln
Ln
J n (WB )
ainsi T = = 1 (122)
J E (0) W
ch B
Ln
En fait, une autre approche pour expliquer ce rsultat est de considrer que les pseudo-niveaux
de Fermi restent constants dans la zone de charge despace, ce qui correspond lapproximation de
Boltzmann. En utilisant lexpression du taux de gnration-recombinaison de la formule (67), nous
obtenons :
p.n ni2
U = 1
o
p + n + 2ni
Nous allons nous situer dans le cas le plus dfavorable pour la recombinaison, savoir une
valeur maximale pour U. Au dnominateur, nous avons la somme de deux termes dont le produit est
constant. Ce dnominateur sera minimal et donc U maximal, lorsque ces deux termes seront gaux.
Ainsi :
V
exp BE 1
V VT
p = n = ni exp BE U = 1 ni2
2VT o V
2ni exp BE + 1
2VT
Ds que la tension applique la jonction, VBE, est suprieure quelques VT,
V
U max = 1 ni exp BE (124)
2 o 2VT
La densit de courant associe cette recombinaison sexprime par le produit du taux de
recombinaison par le volume considr, J rec = qU maxW
qni W V
J rec = exp BE (125)
2 o 2VT
Remarque : W, lextension de la zone de charge despace, varie aussi en fonction de la tension applique (en racine
carr) mais la loi exponentielle est prpondrante dans le comportement de cette densit de courant. Cela est vrifi
exprimentalement.
Base Collecteur
np(0)
WB IC
Effet Early
W
W
Jne IB3
WB Jne
WB IB2
npo
IB1
VCE
Figure 86 : La modification de lextension de la zone de charge despace du cot base,
modifie le gradient de concentration et donc linjection des lectrons (dans ce cas). Cet effet
se traduit sur la caractristique de sortie par une pente positive.
La jonction metteur-base polarise en direct va alors injecter des lectrons en retour dans la
base quils traversent pour atteindre la zone de champ lectrique lev de la jonction collecteur-
base. La conservation du courant total dans la structure impos par le circuit extrieur, fait que le
champ lectrique peut alors tre plus faible, la quantit de porteurs ayant trs fortement augment.
Il y a en fait un phnomne damplification du courant au niveau de la jonction metteur-base.
Le champ lectrique plus faible conduit extrieurement une tension plus faible, appele LVCEo.
Cest cette valeur qui est observe sur la caractristique de sortie du transistor en forte polarisation.
En connectant la base une source de courant extrieure fournissant un courant IB, le
phnomne sentretient pour une tension encore plus faible comme le montre la caractristique
IC(VCE) de la figure 88. Pour augmenter la tenue en tension du transistor, il faut modifier le profil du
champ lectrique de manire augmenter lintgrale (donc la tension) tout en vitant de dpasser la
valeur critique du champ maximal.
IE
Comme le gradient du champ lectrique
est proportionnel la densit de charges (et IB3
donc au dopage) daprs lquation de IB2
Poisson, en diminuant le dopage de la zone la
moins dope, lintgrale est bien augmente IB1 IB=0
comme le montre la figure 89. Le dopage
diminuant, on augmente les dimensions de la LVCE LVCEoLVCBo VCE
zone la moins dope pour permettre Figure 88 : Evolution de la caractristique de sortie
laugmentation de lextension de la zone de pour des fortes tensions. Pour IB=0, le claquage se
produit une tension LVCBo, beaucoup plus grande que
charge despace. la valeur de LVCEo ds que le phnomne sentretient par
injection depuis lmetteur.
Cette zone dope environ 1014cm-3
(dopage trs faible) peut atteindre plusieurs Collecteur
Base
centaines de microns dans le cas des max=c
transistors de puissance haute tension peu dop
NDC-
(quelques milliers de Volts). Afin dviter des NA
trs dop
problmes lis la rsistance srie dune zone
NDC++
trs peu dope, le collecteur est alors
-xB 0 xC- x
constitu de deux zones dopes diffremment.
La dimension de la zone la moins dope est Figure 89 : Profil du champ lectrique de la jonction
collecteur-base pour laquelle le collecteur est constitu
dfinie par les besoins de lutilisation en de deux zones dopes diffremment. La zone
fonctionnement nominal (la zone de charge faiblement dope permet daugmenter la tenue en
tension (intgrale plus grande).
despace atteint la limite du fort dopage).
ni2 exp V = N N A2
A Vinj = VT ln (126)
NA VT ni2
Exemple numrique : ni2 = 2,5.1020cm-6, VT = 26 mV
si NA = 1,6.1018cm-3, Vinj = 0,90 V
si NA = 1,6.1016cm-3, Vinj = 0,78 V
Vbn Vinj
Potentiel appliqu (VBE)
Figure 91 : Variation du gain en courant en fonction du niveau de tension base-metteur
applique. A bas niveau, le phnomne prpondrant est la recombinaison dans la jonction
metteur-base, fort niveau , la forte injection dans la base.
100
NA=4.1017cm-3
Gain en courant ()
80
60 5.1017
40
7.1017
1018
20
0
1018 1019 1020 1021
Dopage dmetteur ND (cm-3)
Figure 92 : Variation du gain dun transistor bipolaire npn en fonction du dopage
dmetteur, le dopage de base tant pris comme paramtre. Le maximum du gain est
toujours obtenu pour des dopages dmetteur voisins de 1020cm-3, cest--dire en dbut de
dgnrescence (daprs O. Bonnaud et al., SSED, 1983).
Compte tenu des variations des paramtres en fonction du dopage tels que la mobilit, la dure
de vie des porteurs et la variation de la largeur de la bande interdite (pour les trs forts dopages), la
figure 65 montre quil existe en gnral un dopage optimal pour lequel le gain est maximal pour un
dopage dmetteur voisin de 1020cm-3. Cette dernire valeur sera en gnral celle choisie dans les
transistors fortement intgrs. Pour ces niveaux de dopage il faut remarquer que lapproximation de
Boltzmann nest plus valable puisque le semiconducteur est dgnr. Toutefois cest un terme
correctif quil faut apporter.
A ce mme niveau de dopage, la relation dEinstein devient aussi une approximation. Il faudrait
utiliser, pour tre plus prcis, un dveloppement limit du rapport Dn/n en fonction du dopage.
Le dopage de la base conditionne la valeur du gain sur la figure 92. Attention, un faible dopage
et donc un fort gain en courant aura des consquences sur dautres grandeurs lectriques telles que
le claquage, leffet Early, la rponse en frquence, etc
En consquence, en fonction de lapplication, cest--dire du cahier des charges, les niveaux de
dopages et les paisseurs des couches seront prdtermines. Il ne sera effectivement pas possible
datteindre simultanment, une forte tension, une forte puissance, un fort gain et une rponse en trs
haute frquence
CHAPITRE VIII
Nous allons tudier dans ce chapitre le transistor MOS. Ce type de transistor apparut rellement
au dbut des annes 1960 bien que son principe ait t propos ds le dbut du 20me sicle. Cest la
matrise technologique des procds appliqus au silicium la place du germanium et plus
particulirement la mise en uvre des oxydes minces de silicium qui a permis le dveloppement
fabuleux de cette technologie.
I Constitution
1) Ralisation physique
La structure Mtal/Isolant/Semiconducteur ou Mtal/Oxyde/Semiconducteur, que lon nomme
plus communment MOS, est base sur la commande par une polarisation sur une lectrode isole
de porteurs libres dans une zone peu dope (a priori). La modulation du nombre de porteurs permet
dtablir un canal de conduction entre deux zones conductrices correspondant des zones
semiconductrices trs dopes.
La figure 93 prsente une coupe schmatique de la structure. Llectrode de commande
sappelle grille, les deux autres source et drain. Cette terminologie sera justifie dans la suite. La
grille est constitue dune couche isolante de trs faible paisseur, en gnral de loxyde de
silicium, SiO2, surmonte dune couche trs conductrice telle quun mtal ou dans le cas des
circuits intgrs du silicium trs dop (cf. cours de technologie microlectronique, O. Bonnaud).
Les zones de semiconducteur de source et drain sont recouvertes dune couche mtallique
permettant dtablir un bon contact lectrique avec les circuits extrieurs.
Isolant de grille / oxyde
N+ N+
substrat p
Pour que sans polarisation de grille le courant circulant entre les deux lectrodes source et drain
soit ngligeable, la zone de canal lquilibre thermodynamique doit tre de type oppos aux zones
de source et drain afin davoir, quel que soit le sens de la polarisation entre ces deux zones, une
jonction polarise en inverse et qui est donc bloquante ; la structure est quivalente deux diodes
tte-bche. Ainsi, si les source et drain sont de type n comme reprsentes figure 93, alors la zone
sous la grille isole est de type p.
Par laction dune polarisation sur le contact de grille par rapport la zone semiconducteur, il se
cre un champ lectrique qui va agir sur la zone semiconductrice sous loxyde. Pour assurer une
conduction, il faut dans lexemple de la figure 93 que des lectrons viennent prendre la place des
trous. Il se cre dans ces conditions un canal induit de type n. Lapplication dune polarisation
positive sur la grille conduira cet effet. Le transistor est nomm dans ces conditions MOS de type
n ou plus simplement NMOS.
Puisque au repos le transistor de la figure 93 ne conduit pas, nous dirons quil est de type
normalement non-conducteur, normally off en anglais.
N+ canal n N+
substrat p
canal n existant au repos
Figure 94 : Coupe schmatique dun transistor NMOS normalement conducteur. La
prsence dune couche dope n de trs faible paisseur sous loxyde de grille permet
dassurer la conduction lorsque aucune tension nest applique sur la grille.
Les figures 93 et 94 concernent des transistors canal n. Nous pouvons remplacer par analogie
le dopage de type n des zones de sources et de drain par un dopage de type p, et le dopage du
substrat de type p par du type n et ventuellement celui du canal en surface par du type p. Nous
crons dans ce cas des transistors PMOS soit normalement non-conducteur, soit normalement
conducteur. Il existe donc 4 types de transistors MOS.
De faon symbolique, une flche apparat entre le substrat et le canal. Cette flche est oriente
dans le sens passant de la jonction pn fictive substrat-canal. Par exemple, dans le cas du NMOS
normally off, la flche est oriente dans le sens substrat-canal.
NMOS N+ N+ D
normalement G
non conducteur substrat p S
NMOS D
N+ canal n N+ G
normalement S
conducteur substrat p
PMOS P+ canal p P+ D
normalement G
substrat n S
non conducteur
PMOS D
P+ canal p P+ G
normalement S
conducteur substrat n
II Principe de fonctionnement
Nous allons analyser le principe de fonctionnement des transistors grille isole en prenant
lexemple dun transistor MOS normalement non-conducteur et en considrant les couches idales.
Nous verrons plus loin en dtail ce que cela signifie.
S G D
A lquilibre thermodynamique, il existe
en permanence une zone de charge despace
entre le drain et la zone de substrat, ainsi N+ N+
quentre la source et le substrat (figure 96).
substrat p
Il faudra tre attentif aux extensions de
ces zones qui doivent bien sr tre infrieures Figure 96 : Transistor NMOS lquilibre
thermodynamique. Les deux diodes prsentent des
la distance entre les jonctions zones de charges despace habituelles.
mtallurgiques pour viter de mettre en court-
circuit les zones de source et de drain.
Remarque : au niveau du substrat, la structure source-substrat-drain (npn) a laspect dun transistor bipolaire. Puisquil
ny a aucune polarisation directe des jonctions source-substrat ou drain- substrat, le substrat qui pourrait jouer le rle de
la base nest pas aliment et ne provoque donc aucune injection ; il ny a donc pas deffet transistor bipolaire, dans ces
conditions.
concentration en trous initiale du substrat : partie fonce du canal entre les deux zones dopes N+
sur la figure 98.
G
Dans ces conditions, nous dirons quil y a S
D
G
Cela revient diminuer le champ S
D
Diffrence de potentiel et rsistance fixes, signifient que le courant traversant le canal, IDS, est
constant VGS donne (I = U/R). La caractristique lectrique est alors horizontale et a lallure de la
figure 103. Nous dirons que le transistor est en rgime de saturation.
Pour un VGS donn, la caractristique de
sortie comprend ainsi trois zones IDS
significatives :
- le rgime ohmique,
VGS>Vth
- le rgime intermdiaire,
- la saturation.
Le point de saturation dpend de la valeur
VDS
de VGS puisquil apparat pour VGS VDS
Figure 103 : Lorsque la tension de drain rend la
= Vth. Cette valeur de VDS sappelle tension diffrence de potentiel entre grille et drain infrieure
de saturation VDSsat. la tension de seuil, le courant sature.
EC EC
EC EC
EF EF EF EF
EV EV
EV EV
2) Rgime daccumulation
Pour ce rgime, une tension est applique sur le mtal par rapport au semiconducteur qui
correspond la tension de grille applique par rapport au substrat.
La chute de potentiel va se rpartir entre loxyde et le semiconducteur prs de linterface.
Loxyde tant suppos idal, il nexiste aucune charge lintrieur, ni statiques, ni en transit.
Daprs lquation de Poisson, le champ lectrique y est constant la variation de potentiel linaire.
Puisquil existe une charge despace possible dans le semiconducteur, le champ peut varier dans
cette zone, le potentiel aussi.
La figure 106 montre de faon qualitative mtal oxyde semiconducteur
la variation du potentiel dans la structure, et
donc la variation du niveau du vide. Vo
Sur cette figure, nous appelons : VG
- -s le potentiel linterface, s
- Vo, la chute de potentiel dans loxyde, -d 0 x
- le potentiel labscisse x.
Figure 106 : variation du potentiel travers la structure.
Lorsque VG est ngatif, lest aussi. Le La variation est linaire dans loxyde. s est le potentiel
linterface. Le potentiel de la grille est gal la
niveau de Fermi dans la zone considre se
somme des potentiels dans loxyde et le
rapproche de la bande de valence. semiconducteur.
Notons la relation : VG = Vo + s.
E E
Comme p = Nv .exp
F V
3) Rgime de dsertion
Dans ces conditions, la tension applique sur le mtal est positive : VG>0, mais pas trop leve.
La courbure des bandes dnergie est change de sens par rapport au cas prcdent. Le potentiel de
surface, s, est positif et donc le niveau de Fermi linterface sloigne de la bande de valence et se
rapproche du milieu de la bande interdite, cest--dire du niveau de Fermi intrinsque. Il y a
appauvrissement de porteurs, en trous dans cet exemple. La zone de charge despace contient
principalement des atomes dopants ioniss E mtal oxyde semiconducteur
(accepteurs dans ce cas). vide
La figure 108 montre le diagramme
VG>0
dnergie dans ces conditions. Il faut analyser EC
la position du niveau de Fermi linterface EC
qs
oxyde-semiconducteur. Dans ce cas, qVG Ei
qp E
|qs| < |qp|, ce qui signifie que le niveau de F
EF EV
Fermi reste dans la partie infrieure de la
bande interdite. La concentration en trous est EV
dsertion
trs infrieure la concentration en dopant et
la concentration en lectrons reste Figure 108 : Diagramme dnergie de la structure en
rgime de dsertion pour un substrat dop p. La
compltement ngligeable. La zone de charge
courbure est dans ce cas vers le bas et le niveau de
despace stend en fonction de la tension Fermi linterface scarte de la bande de valence et se
rapproche du niveau de Fermi intrinsque.
applique sur la grille. Quand la courbure
augmente, lextension augmente.
En appliquant la statistique de Boltzmann, le niveau de Fermi est situ entre la bande de valence
et la bande de conduction :
q q
n = no exp + et p = po exp (127)
kT kT
le changement de signe provenant de lorientation des nergies.
En remplaant les expressions prcdentes dans lquation de Poisson, nous obtenons :
d 2 q q n exp + q
= no po + po exp o kT
dx 2
r o kT
Il est clair que la rsolution de cette quation nest pas triviale. Il faut utiliser un facteur
d d d 2 1 d d . De plus, sachant que le champ drive du
2
dx dx r o
kT
po
kT
dx
Cette quation peut tre alors intgre entre les limites de la zone de charge despace, donc de 0
W.
(W)
[ ]
d = ( )2 W = 2kTpo exp q + q + no exp + q q
2
dx kT kT kT kT
0
r o po (0)
d
or en x = W, = 0 et ==0
dx
d
et en x = 0, = s et = s
dx
2kTpo q s q s q s q s
( )
s
2
=
r o
exp +1 + no 1 exp +
po
+
kT
(128)
kT kT
kT
2kTpo 2kTpo (2kT )2 qpo q
Le terme en peut scrire sous la forme =
r o r o q 2
2 r o kT
qpo q
Le deuxime terme de cette galit contient lexpression qui est homogne
2 r o kT
linverse dune longueur au carr. Nous noterons :
LD = 2 r o kT (129)
qpo q
appele longueur de Debye. Notons que cette longueur a exactement la mme forme que celle dune
extension de zone de charge despace pour laquelle le potentiel serait le potentiel
thermodynamique.
Remarque : dans certains ouvrages, la longueur de Debye est dfinie sans le nombre 2. La diffrence est dans le rapport
racine de 2 et perd en partie son analogie. Nous verrons laspect intressant de notre choix un peu plus loin.
Des expressions (88) et (89) nous pouvons exprimer le champ lectrique linterface oxyde-
semiconducteur, en valeur absolue :
1
q q s q s q s
2
Cette expression du champ lectrique en surface (relation 91) est trs importante car elle va
permettre dvaluer la valeur de la charge en surface en appliquant le thorme de Gauss et en
dduire dans la suite la capacit quivalente vue depuis la grille de la structure MOS.
A partir du thorme de Gauss nous pouvons exprimer la charge par unit de surface :
Qs = r o s Qs = 2 r o kT F( s , no )
qLD po
Nous allons analyser dans la suite en fonction des diffrents rgimes imposs par la tension de
grille lexpression de cette charge.
Remarque : dans la fonction F, le rapport no/po est une valeur trs faible qui correspond au rapport des concentrations
des porteurs minoritaires celui des majoritaires. Si NA = 1016cm-3, po = 1016cm-3 et no = ni2/NA~ 104 cm-3, no/po ~ 10-14.
q s
Le terme exponentiel en facteur dans F, deviendra du mme ordre de grandeur quand sera gal 1014, cest--
kT
dire en pratique pour s = 2 p . Autrement dit no = ni2 = exp 2q p
po N A2 kT
a) Rgime daccumulation
q s
Dans lexpression de Qs, s > 0, Qs > 0, seul le terme en exp subsiste dans F. Ainsi :
kT
q s
Qs = + 2 r o kT exp (133)
qLD 2kT
En appelant ps la concentration en surface, cest--dire linterface oxyde-semiconducteur,
q s
ps = po exp lexpression de la charge devient en remplaant LD par son expression :
kT
Qs = + 2q r o kT ps (134)
q
Cette forme est intressante car elle met en vidence limportance de la concentration en surface
dans lexpression de la charge qui traduit aussi une loi exponentielle en fonction du potentiel de
surface.
q s
Qs = 2 r o qpo 1 (136)
kT
q s
Qs = 2 r o qpo 1 (137)
kT
q s no
Qs = 2 r o kT exp (138)
qLD 2kT po
q s
Sachant que ns = no exp ,
kT
Qs = + 2q r o kT ns (139)
q
Laspect intressant de cette dernire expression est que nous retrouvons exactement le mme
type dexpression que dans la cas de laccumulation (formule 94) mais en changeant le type de
porteurs de charge ; dans notre exemple dune structure sur substrat p, nous changeons ps en ns. Il
est clair que la structure a t inverse par rapport la situation de dpart.
e) Variations de Qs en fonction de s
La figure 84 montre la variation de la charge en fonction du potentiel de surface. Il faut se
rappeler que celui-ci dpend directement de la polarisation applique sur la grille. Cette charge
augmente trs fortement en valeur absolue dans les rgimes daccumulation et de forte inversion
et varie trs peu entre. Puisque cette charge compense leffet de la tension applique sur la
grille, cela aura pour consquence que dans les rgimes extrmes, la tension applique sur la
grille pourra tre relativement importante.
Qs
8) Variation de s en fonction de la
exp(-qs/2kT)
polarisation de grille
La tension applique sur la grille par
EFs=Ei
rapport au substrat est la somme de la chute dsertion inversion
de potentiel dans loxyde, Vo, et de la chute de 0 p 2qp s
accumulation
potentiel dans le semiconducteur s.
VG = Vo + s -exp(qs/2kT)
forte inversion
La chute de potentiel dans loxyde
considr parfait correspond la circulation Figure 112 : Variation de la charge en fonction du
potentiel linterface oxyde semiconducteur dans le cas
du champ lectrique, cest--dire : dun substrat de type p. En rgime daccumulation ou
|Vo| = |d.ox| de forte inversion la variation est trs rapide.
A linterface oxyde-semiconducteur, le s
vecteur dplacement lectrique est continu. 2qp forte inversion
ox.ox = Si.s inversion
Si + s p
VG = Vo + s VG = d dsertion
ox S
s = A 2 r o s =
qN 2qN A
s
r o qN A r o
Si 2qN A + s
VG = d
ox r o
s
Vth = d
Si 2qN A 2 + 2 (140)
ox r o
p p
Dans la zone de canal quand celui-ci existe, nous supposons que le mcanisme de conduction
prpondrant est de type drive dans le champ lectrique transverse, y. Lexpression du courant
inclue donc le champ lectrique, la mobilit des porteurs, la charge du canal par unit de surface, et
la largeur du canal, Z (non visible sur la coupe de la figure 115). La longueur du canal est L.
d
I D = Z n QI y et y =
dy
I D = Z n Co VG Vth (y)( d
dy
)
En intgrant cette quation tout le long du canal entre 0 et L, le potentiel variant de 0 VD,
(V )
L VD
I
0
D dy = Z n Co
0
G Vth d
(
I D L = Z n Co VG Vth VD VD
2
2
)
L
(
I D = Z n Co VG Vth VD VD
2
2
) (144)
Lexpression du courant trouve ici est trs simplifie mais donne un bon aperu de lquation
de la caractristique du transistor. Sans les approximations, la rsolution est beaucoup plus
compliques.
Dans le calcul ci-dessus, nous avons suppos que le canal existe sur toute la longueur L en
rgime limite. Lorsque VDS = VGS Vth, le point de pincement du canal apparat au niveau du drain.
Cette situation correspond au dbut de la saturation du courant ; le courant de saturation sera not
IDsat.
VDsat = VG Vth
( )
2
( )
2 VG Vth
I Dsat = Z n Co VG Vth
L 2
(V )
2
G Vth
I Dsat = Z n Co (145)
L 2
Ainsi, nous dterminons le courant de saturation qui ne dpend que de la diffrence entre la
tension de grille et la tension de seuil.
Il faut cependant remarquer que pour la tension de grille trs lgrement infrieure ou gale la
tension de seuil, le courant nest pas nul. Pour connatre le comportement lectrique au-dessous du
seuil, il faut reprendre les quations qui dterminent la quantit effective des porteurs (dans notre
cas les lectrons) dont la concentration est infrieure la concentration de dopant mais est loin
dtre nulle (1017cm-3 par exemple). Dans ces conditions, nous dterminons la caractristique de
transfert sous le seuil, le courant pouvant varier sur une bonne dizaine de dcades pour atteindre la
valeur du courant inverse dune des deux jonctions drain-canal ou source-canal.
10-6 pente S
en V/dcade
10-8
10-10
10-12
10-14
-2 -1 0 1 2 3
VGS(V)
Figure 116 : Caractristique de transfert typique dun transistor NMOS intgr. Le courant
drain-source varie sur une dizaine de dcade pour une variation de lordre du volt pour la
tension de grille.
De plus en surface, certaines espces peuvent ragir avec lautre phase. Dans le cas de lair, des
ractions doxydation, dadsorption datomes (carbone, etc.) ou de molcules (eau, composs
organiques, etc.) sont possibles.
2) Etats nergtiques
Tous ces dfauts vont crer des tats nergtiques qui dans beaucoup de cas vont apparatre
dans la bande interdite du semiconducteur. Ces niveaux nergtiques se distribuent dans la bande
interdite en fonction de la nature du semiconducteur et de la nature de la deuxime phase. Suivant
leur position dans le gap, ils peuvent tre de types donneur ou accepteur.
La prsence de ces tats aura une trs grande importance sur le comportement lectrique final
du dispositif en jouant sur :
- le pigeage des porteurs libres,
- la mobilit des porteurs libres,
- la recombinaison.
Localiss nergtiquement en grande quantit, ils peuvent verrouiller le niveau de Fermi.
Par exemple, dans le cas dun transistor de type MOS, au lieu de moduler le nombre de porteurs
libres dans le canal par la polarisation de grille, le nombre de porteurs pigs varient seulement sans
modification de la conduction du canal. Cest cause de ce phnomne quil na pas t possible de
fabriquer des transistors de type MOS performants (M.I.S. mtal-isolant-semiconducteur) avec
lInP ou la GaAs.
Il est possible dvaluer le nombre de dfauts ou dtats nergtiques par unit de surface. Le
nombre total datomes tant denviron 5.1022cm-3, le nombre de liaisons pendantes peut tre de :
(5.1022)2/3 = 1015cm-2
Un bon traitement de surface et un bon contrle de linterface entre le semiconducteur et
loxyde de grille dans les transistors MOS submicroniques aboutissent une densit dtats, Nss, de
lordre de 109cm-2, soit un dfaut par million datomes en surface. Cela laisse supposer une matrise
technologique remarquable.
La prsence de ces dfauts affecte bien sr les caractristiques des transistors MOS, tension de
seuil, pente sous le seuil, transconductance, etc.. Les phnomnes associs ne seront pas abords
dans le cadre de ce cours.
CHAPITRE IX
Nous allons tudier dans ce chapitre le transistor effet de champ jonction : Junction Field
Effect Transistor (JFET). Cette structure est de la mme famille que le transistor MOS savoir que
le courant est pilot par une polarisation sur une lectrode qui sera aussi dans ce cas la grille du
dispositif. Le principe est alors la modulation de lpaisseur dune zone conductrice constitue par
un matriau semiconducteur qui peut tre dserte par lextension dune zone de charge despace
pilote par lapplication dune tension. Cette zone de charge despace existe par la prsence dune
jonction pn. Cette jonction sera polarise en inverse pour jouer sur lextension de la zone de charge
despace.
I Constitution
La partie conductrice du transistor est constitue dun barreau semiconducteur de type n ou p. Si
cette zone est de type n, nous dirons que le transistor est canal n, si elle est de type p, canal p. La
figure 89 donne lexemple dun transistor canal n. La zone conductrice, le canal, est limite du
cot suprieur par la zone de charge despace de la jonction grille/canal et du cot substrat par une
jonction. Le canal est donc confin entre deux zones de type oppos. En technologie silicium, pour
laquelle il est trs difficile dobtenir un substrat isolant, il faudra sassurer que cette jonction
infrieure reste polarise ngativement afin de minimiser tout courant de fuite par le substrat.
De faon analogue au transistor MOS, S G D
nous dfinissons les trois lectrodes par
source (S), grille (G) et drain (D). Nous
justifierons plus loin lorigine de ces P+
+ N+
N
dnominations. Pour minimiser les effets de Z.C.E.
N
rsistance en srie avec les lectrodes les canal
Z.C.E.
extrmits du canal sont en gnral trs
dopes. Il faudra donc raliser substrat P
technologiquement cet assemblage de Figure 117 : Coupe schmatique dun transistor effet
couches dans des dimensions suffisamment de champ jonction canal N. La jonction grille-canal
est trs dissymtrique pour permettre de commander
faibles pour permettre un bon pilotage de la lextension de la zone de charge despace (Z.C.E.) dans
conduction. La grille commande par effet de la zone de canal, et donc de moduler la section de
conduction. Sous les contacts de source et de drain, le
champ (lectrostatique) la largeur du canal et semiconducteur est trs dop afin de minimiser la
donc la section de conduction de ce canal. Il rsistance de ces zones. Le substrat de type P dans ce
cas est moins dop que la zone de canal pour que la
est alors clair que la rsistance quivalente Z.C.E. stende essentiellement du cot du substrat. Ce
substrat peut tre pitaxi (P+/P-)
entre la source et le drain va tre module par
la polarisation de grille.
Le substrat de type P dans ce cas est moins dop que la zone de canal pour que la Z.C.E.
stende essentiellement du cot du substrat. Leffet de la polarisation de drain, qui intervient
comme une polarisation inverse de la jonction drain substrat, est alors minimis dans la rgion du
canal. En pratique, le substrat est constitu de deux zones, la premire relativement bien dope et la
deuxime, en surface, peu dope par la technique de croissance pitaxiale (cf. cours de technologie
microlectronique intgre).
II Symboles
Pour le trac des circuits lectroniques impliquant des JFET, les conventions adoptes sont les
suivantes. La flche apparaissant sur la connexion de grille est oriente dans le sens passant de la
jonction pn ; vers le canal (depuis la grille) pour un canal n, depuis le canal (vers la grille) pour un
canal p.
Canal n Canal
D D
G G
S S
La pente diminue jusqu la disparition du canal du cot du drain. La structure atteint le rgime
de pincement du canal. Cette situation se produit lorsque la diffrence de potentiel totale entre le
drain et la grille atteint la valeur de la tension de cut-off, note Vp.. A partir de cette limite, il faut
analyser comment est assure la conduction du transistor .
h=
q ND
(
2 r o V V
D GS ) (147)
G = qN D n
a Z
L
1 2 r o V V
q a2N D
D GS ( ) (148)
Il est clair qu partir de cette expression, la conductance dcrot quand VGS est de plus en plus
ngative, jusqu atteindre une valeur nulle lorsque le terme sous la racine est gal 1. Cette
situation correspond VGS = Vp. En effet, si h = a,
q N D a2 N AND
Vp = VD avec VD = kT ln (149)
2 r o q ni2
NA est dans cette expression le dopage de la zone P de grille.
La relation (147) indique que la conductance est indpendante de la tension drain-source, et
lapplication de la relation linaire dOhm entre IDS et VDS permet dcrire tout simplement :
I DS = G VDS = qN D n
aZ
L
1
q a2 N D
D GS(
2 r o V V V
DS
)
En utilisant la relation (109), nous simplifions la notation de cette quation :
aZ
(V
VGS )
I DS = G VDS = qN D n 1
(V )
D
VDS (150)
D Vp
L
Nous avons ainsi pu rendre compte de la rgion linaire correspondant aux courbes de la figure
91, le transistor se comportant comme une rsistance ajustable. Cette proprit est exploite dans
les circuits pour raliser des rsistances qui occupent une surface beaucoup plus faible quavec une
couche simplement dope sur laquelle des contacts sont raliss.
Le courant de grille, peut tre considr comme nul dans le circuit puisquil correspond au
courant inverse de la jonction grille-canal.
h(x ) =
q ND
(
2 r o V V + V ( x )
D GS G )
qui peut aussi scrire :
h(x ) = a
(V D )
VGS + VG (x )
(151)
VD Vp
Remarque : Le canal est toujours pinc si h(L) = a, pour un Vp donn. Notons que si nous voulons conserver la valeur
de Vp, il faudra augmenter le dopage de la couche si lpaisseur du canal diminue. Ceci sera rechercher dans les
structures fortement intgres.
V =VDS
3
I DS
L = q a Z N D n V 2
3 q ND
(
2 r o V V
D GS
2
+ VG (x )
)
V =0
Cette quation peut tre transforme en faisant apparatre Vp et en remplaant VG(x) par ses
limites :
( ) (V + V V )
3
VD VGS 2 3
2
= q N D n a Z VDS + 2 2 D DS GS
I DS
(V V ) (V V )
1 1 (152)
L 3 2
3 2
p p
D D
Cette expression, un peu lourde quoique trs simplifie quant aux hypothses, indique
clairement la perte de linarit ds que VDS nest plus ngligeable devant les autres tensions
appliques. Nous retrouvons ainsi le comportement de la figure 93. Un dveloppement limit
permet de revenir lexpression (110).
2
( )
3
(V V
) V
1 p
D DSsat
I DS = q N D n a Z VDSsat + 2 VD Vp 2 2
( )
1
L 3 3
VD Vp 2
En remplaant VDSsat par son expression en fonction de VD et Vp, nous transformons cette
relation :
(
1
)
VD VGS ( )
VD VGS 2
3
I DS = q N D n a
( )
Z VD Vp + 2
VD Vp
(155)
L 3 VD Vp 3
Cette dernire relation donne la valeur du courant de saturation correspondant aux conditions de
la figure 123. Pour des tensions de drain suprieures, cette quation peut tre modifie en tenant
compte du dplacement de la zone de pincement dans le canal. Par ce biais, il est possible de
dterminer ladmittance de sortie et leffet Early.
Remarque : toute la thorie propose est fonde sur la modulation de la zone de charge despace dune jonction PN. En
pratique, il est aussi possible de raliser une jonction partir dun contact mtal sur un semi-conducteur. Si la tension de
diffusion (built-in potential en anglais) est en gnral plus faible, et le courant inverse plus lev, le principe reste
strictement identique. Cela correspond aux transistors dits MESFET, MEtal Semiconductor Field Effect Transistor,
utiliss en lectronique rapide, notamment base de GaAs en raison de labsence de charges stockes de porteurs
minoritaires comme dans le cas des transistors bipolaires.
CHAPITRE X
LA DIODE METAL-SEMICONDUCTEUR
DIODE SCHOTTKY
Nous allons tudier dans ce chapitre le contact mtal-semiconducteur qui est trs utilis dans
tous les dispositifs microlectroniques. Suivant la nature du mtal et du semiconducteur, ce contact
peut aboutir soit un contact dit ohmique, autrement dit dont la rsistance est ngligeable par
rapport celles des couches mises en jeu, soit un contact redresseur. Cest la matrise de ces deux
aspects principaux, mettant en jeu des phnomnes physiques trs diffrents qui va conduire notre
approche.
I Constitution
La diode mtal semiconducteur est constitue dun contact tabli entre un mtal et un
semiconducteur, en gnral dop. Cest le plus vieux dispositif lectronique connu, datant de la fin
du 19me sicle, les premiers redresseurs solides et les premiers postes galne tant par exemple
bass sur cette structure. La premire thorie de fonctionnement, propose par Bethe, ne remonte
cependant qu 1938.
La structure de base est un contact direct
N- N+
entre un mtal et un semiconducteur, peu
mtal
dop, tel que reprsent figure 97. semiconducteur
Le contact lectrique du semiconducteur est aussi ralis avec un mtal. Dans ce cas, il faut un
contact ohmique. La prsence des deux types de contacts sur la mme structure fait apparatre la
diffrence de comportement, a priori. Nous allons en premier lieu ne nous intresser qu la
structure simple entre un mtal et un semiconducteur, moyennement dop.
135
Chapitre 6 : La diode mtal-semiconducteur : la diode Schottky
EC EC
EF EF
EV EV
Figure 98 : Diagramme dnergie dun mtal et dun semiconducteur de type n faiblement dop avant contact et aprs
contact. Aprs contact, si les niveaux du vide sont dcal, une courbure de bande apparat.
Le contact est ensuite ralis comme prsent figure 98. Le principe qui en rgit ltablissement
physique est lalignement des niveaux de Fermi du mtal et du semiconducteur, puisque la structure
est lquilibre thermodynamique.
Loin du contact, aussi appel jonction, du cot semiconducteur, les niveaux des bandes de
valence, de conduction et du vide, Ev, Ec et Evide conservent leur position respective par rapport
EF. Le mtal, restant une quipotentielle, approximation toujours valable si les densits de courant
circulant dans la diode ne sont pas trop leves, le niveau dnergie du vide est continu au contact.
Mais si les niveaux de dpart du mtal et du semiconducteur sont diffrents, cest--dire, si les
travaux de sortie respectifs, m et s, sont diffrents, ce qui est le cas en gnral, une courbure de
bande apparat essentiellement dans le semiconducteur, prs de la zone de contact.
Remarque : La continuit du niveau du vide admet lhypothse quil nexiste aucune charge linterface, qui pourraient
tre due des piges. Les charges surfaciques pourraient crer une discontinuit du potentiel.
Deux situations peuvent alors se rencontrer en fonction de la diffrence des travaux de sortie,
comme analys ci-dessous.
1) Cas ou m > s.
Au voisinage de la jonction, le niveau de Fermi sloigne de Ec et se rapproche donc de Ev. Il y
a donc appauvrissement du semiconducteur de type n dans la zone de contact et cration dune zone
de charge despace de largeur W. Cette charge positive est compense la surface du m tal par une
charge ngative, donc trs prs de la jonction mtallurgique. Du fait de la trs forte concentration
136
Chapitre 6 : La diode mtal-semiconducteur : la diode Schottky
lectronique dans le mtal, lextension de la zone de charge despace cot mtal seffectue sur une
fraction de monocouche atomique.
E
mtal semiconducteur
vide
vide
qm qs
EC
qb
EF
EV
Figure 99 : Diagramme des bandes dnergie dans le cas dune diode Schottky. Le travail de
sorite du mtal est suprieur celui du semiconducteur. Une hauteur de barrire, qFb, se
cre au contact mtal-semiconducteur.
2) Cas ou m < s.
Dans ce cas, le niveau de Fermi prs du contact mtallurgique se rapproche de la bande
conduction. Il y a donc accumulation dlectrons linterface et le semiconducteur se comporte
alors comme un matriau trs dop.
E
mtal semiconducteur
vide
vide
qs
qm
EC
EF
EV
Figure 100 : Diagramme des bandes dnergie dans le cas o le travail de sorite du mtal est
suprieur celui du semiconducteur. Une hauteur de barrire, qFb, se cre au contact mtal-
semiconducteur.
137
Chapitre 6 : La diode mtal-semiconducteur : la diode Schottky
la conduction est limite par le volume du semiconducteur et non pas par le contact. Nous
ntudierons pas en dtail ce cas dans la suite puisque le contact ne limite pas la conduction.
vide
V
qB qVbio
EC
EF
EV
Figure 101 : Diagramme des bandes dnergie faisant apparatre la tension de diffusion Vbio.
Cette diffrence de potentiel correspond la hauteur de barrire vue par les lectrons de la
bande de conduction pour passer dans le mtal. La hauteur de barrire effective est qB.
1) Zone dserte
Pour dterminer cette zone, nous repartons comme dans les cas prcdents de lquation de
Poisson. Dans un modle unidimensionnel, et en supposant les dopages constants, nous pouvons
crire :
2
V
=
x 2 ro
d q
= = p n + N D
dx r o r o
En premire approximation nous pouvons ngliger dans la zone de charge despace p et n
devant ND.
Remarque : Cette hypothse est bien videmment fausse en limite de zone lorsque la concentration des porteurs libres
avoisine celle des ions dopants. Dans ce cas il faut intgrer compltement lquation et nous retrouvons la formule (92)
de Kingston Neustader (cf. chap 8)
(x) = +
qN A
r o
(xW ) (117)
138
Chapitre 6 : La diode mtal-semiconducteur : la diode Schottky
qN D x2
V(x) = . + cte
r o 2
W x
2
qN D W 2 r o Vbio
Vbio = W =
r o 2 qN D
En ne ngligeant plus la concentration des porteurs libres dans la zone de charge despace,
lapplication de la fonction Kingston-Neustader (92) permet dajouter le terme correctif et darriver
:
W = 2 r o Vbio kT (118)
qN D q
Remarque : Ce terme correctif peut prendre de limportance lorsque la hauteur de barrire Vbio est relativement faible,
cest dire infrieure 0,3V 300K.
La valeur de cette extension de zone de charge despace est du mme ordre de grandeur que
dans le cas dune jonction pn puisque les tensions de diffusion restent en gnral autour de quelques
diximes de volts : elle dpend aussi trs fortement du dopage. Elle stend ainsi entre quelques
dizaine de nanomtres et quelques microns
Dans le cas dune polarisation de la structure, en appliquant une tension V sur le mtal par
rapport au semiconducteur, nous supposons que tout le raisonnement prcdent reste valable,
notamment que la concentration quivalente de porteurs traversant la structure reste faible par
rapport la concentration datomes dopants ioniss. Si la tension applique, V, est positive, cela
revient diminuer le champ interne et donc diminuer la diffrence de potentiel totale. La formule
(118) devient simplement :
W = 2 r o Vbio V kT
(119)
qN D q
Ainsi, de faon analogue la jonction pn, lextension de la zone de charge despace diminue si
une tension ngative est applique sur la zone n.
Qsc = qN DW = qN D 2 r o Vbio kT
q
qN D
139
Chapitre 6 : La diode mtal-semiconducteur : la diode Schottky
qN D r o
CSC = = r o (121)
2 Vbio V W
A partir de cette expression, nous pouvons extraire la variation de linverse du carr de la
capacit en fonction de la tension applique, V.
2 Vbio V
1 = (122)
CSC
2
qN D r o
Cette formule est importante car elle montre quen traant linverse du carr de la capacit en
fonction de la tension, (quil est possible de faire varier), la variation de la pente de la courbe est
directement proportionnelle au dopage (Figure 102).
1/CSC2
pente 2/qNDro
Vbio V
Figure 102 : Variation du carr de linverse de la capacit en fonction de la tension. La
pente de la courbe permet de dterminer la valeur de la concentration de dopant et la
hauteur de barrire lquilibre thermodynamique.
Dans le cas dune concentration variable de dopage, ce qui est trs souvent le cas, il est possible
de tracer linverse de la variation de cette pente.
2 1
ND = (123)
q r o d1/C 2 / dV
SC
Cette technique est applique pour la dtermination ou la vrification des profils de dopage en
cours de fabrication des composants et circuits. La ralisation dun simple contact sur des cellules
de test incluses dans les plaquettes permet cette vrification.
140
Chapitre 6 : La diode mtal-semiconducteur : la diode Schottky
mtal
force attractive coulombienne (figure 103). x
0 F e-
q2 1 = 1 q2
F =
4 o (2x )2
16 o 2
x
q2 q2
x
E(x) = Fdx = + 1 E(x ) = 1
16 o x2 16 o x
Cette nergie correspond lnergie potentielle de llectron, rfrenc linfini. Sous laction
dun champ lectrique appliqu, (x), lnergie potentielle totale est :
q2 E
x
E p( x ) = 1 + q (x)dx 0 xm x
16 o x 0
type -1/x
En considrant, pour simplifier le calcul,
le champ appliqu constant, et orient suivant E pente qx
les x ngatifs, lnergie potentielle devient :
q2
E p( x ) = 1 + q x
16o x
Ep(x)
Cette nergie est la somme de deux
termes. Il est ainsi possible de reprsenter sa
variation en fonction de x (figure 104).
Figure 104 : Variation de lnergie potentielle de
llectron devant un plan mtallique et en prsence dun
champ lectrique interne (ou appliqu) constant.
Par rapport la hauteur de barrire dnergie maximale, la prsence dun lectron devant le plan
entrane un abaissement de barrire E. Cet abaissement de barrire peut tre calcul simplement
dans les conditions simplificatrices prsentes. A partir de la dtermination de la position du
maximum de Ep(x), il est possible de dduire sa valeur et donc E.
q2
E p(x ) = 1 + q x
16 o x
dE p(x ) en x = xm
q2 1 q x = 0 q
=0 xm =
dx 16 o x2 16 o
qm
E = 2(xm).xm = (124)
4o
141
Chapitre 6 : La diode mtal-semiconducteur : la diode Schottky
Cet abaissement de barrire va bien videmment se retrouver lorsque llectron est localis dans
le semiconducteur devant le mtal.
142
Chapitre 6 : La diode mtal-semiconducteur : la diode Schottky
Nous pouvons distinguer 4 processus de transport travers la jonction. Nous les prsentons
dans le cas dun semiconducteur de type n, cest dire que nous allons analyser principalement le
transfert des lectrons qui sont les porteurs majoritaires depuis la zone de type n vers le mtal.
142
Chapitre 6 : La diode mtal-semiconducteur : la diode Schottky
143
Chapitre 6 : La diode mtal-semiconducteur : la diode Schottky
De tous ces quatre processus, celui auquel nous allons le plus nous intresser est le premier,
puisquil sera dominant en rgime de conduction direct lorsque leffet tunnel est ngligeable.
De faon pratique, la thorie thermoonique sapplique plus aux cas o les lectrons ont une
forte mobilit dans le semiconducteur, la thorie de la diffusion aux cas o les lectrons ont une
144
Chapitre 6 : La diode mtal-semiconducteur : la diode Schottky
faible mobilit dans le semiconducteur (goulot dtranglement !). Dans le cas le plus gnral, nous
pourrons appliquer une combinaison des deux, appele thorie mixte.
3) Thorie thermoonique
La thorie de lmission thermonique part des hypothses suivantes :
- la hauteur de barrire dnergie est grande devant kT,
- lquilibre thermique est tabli,
- lexistence dun courant naffecte pas sensiblement cet quilibre ; cette hypothse est
analogue lapproximation de Boltzmann pour une jonction pn.
- nous pouvons supposer lexistence de deux courants indpendants, lun inject par le mtal
dans le semiconducteur, lautre inject par le semiconducteur dans le mtal.
Nous allons tout dabord exprimer la densit de courant injecte par le semiconducteur dans le
mtal. Cela revient ne considrer que les lectrons dont lnergie est suprieure la hauteur de
barrire et dont la composante de vitesse, vx, est oriente vers le mtal.
J SC m =
EF + q B
q vx dn
q B
exp
qV
qui scrit aussi : J SC m = A* T 2 exp (126)
kT kT
La constante A* correspond la constante de Richardson, dj vue dans le cas dune mission
par une cathode chauffe (cas dun tube lectronique).
Ce calcul peut tre men diffremment, si nous acceptons demble, la statistique de Boltzmann
en exprimant directement la densit de courant en fonction des porteurs dnergie suprieure ou
gale au sommet de la barrire.
Considrons lquilibre thermodynamique. La concentration sexprime partir de la statistique
de Boltzmann en se rfrenant au bas de la bande de conduction et en considrant que la densit
dtats lectroniques dans la bande de conduction est NC. Dans la zone quasi neutre, no = ND,
expression qui permet de dterminer la position du niveau de Fermi.
145
Chapitre 6 : La diode mtal-semiconducteur : la diode Schottky
E E E
C F mtal semiconducteur
no = N D = NC exp
kT
Concentration
Dans la zone de charge despace, avec une vth
courbure vers le haut, la concentration nso
qB qVbio
diminue en fonction de la variation du EC
ND
potentiel nergtique : EF EF
Cette concentration peut tre relie la
concentration en lectrons sans polarisation, EV
lquilibre thermodynamique, au mme point,
nso. A lquilibre thermodynamique, la
Figure 111 : Concentrations des lectrons en fonction
hauteur de barrire est qB, ventuellement du niveau nergtique lquilibre thermodynamique.
corrige de qB, pour les lectrons situs au A linterface, la concentration est nso qui correspond
un cart nergtique de qB.
niveau de Fermi (cf figure 111).
q B mtal semiconducteur
nso = NC exp E
kT vth
qV nso
La concentration au mme point de la ns
qB EC
structure, ns, sous la polarisation directe ND
de potentiel, V, qui aura donc tendance qV EF
abaisser la barrire (figure 112), va suivre EF
aussi la loi de Boltzmann et scrire : EV
ns = nso exp
qV
kT
Figure 111 : Concentrations des lectrons en fonction
du niveau nergtique sous polarisation directe. La
barrire sest abaisse de qV.
La densit de courant injecte par le semiconducteur vers le mtal peut sexprimer par :
J SC m = q ns vth
avec vth, la vitesse thermique suivant la direction x, ns la concentration en lectrons en surface, du
cot du semiconducteur, cest dire au sommet de la courbure de bande en limite de zone de charge
despace, sous polarisation. Cette concentration est celle qui correspond aux porteurs dont lnergie
est au moins gale celle du sommet de la barrire et donc la composante de vitesse vx oriente
vers le mtal permet le transfert.
q B
exp
qV
J SC m = q vth NC exp (127)
kT kT
Notons quen remplaant vth et NC par leurs expressions, nous retrouvons lexpression de la
formule (126).
A lquilibre thermodynamique, le courant total est nul, cest dire que le flux dlectrons
inject par le semiconducteur vers le mtal doit tre gal au flux inverse. Cela donne pour les
densits de courant :
146
Chapitre 6 : La diode mtal-semiconducteur : la diode Schottky
J SC m + J mSC = 0
Nous avons donc la valeur de la densit de courant injecte par le mtal partir de la formule
(127) en prenant V=0. Cette valeur va rester la mme sous polarisation compte tenu des hypothses
initiales. Ainsi, nous pouvons exprimer le courant total de la diode par :
q B qV
J = q vth NC exp exp 1 (128)
kT kT
q B qV
J = A* T 2 exp exp 1 (129)
kT kT
Dans cette expression, il est clair que plus la hauteur de barrire sera importante, plus le courant
inverse (ou de saturation) sera faible, plus le courant direct sera faible pour une mme polarisation.
Notons que A* = 120A/cm2 300K si nous considrons m* = me (masse de llectron au repos).
4) Thorie de la diffusion
Dans ce cas, ce nest plus linterface qui est bloquante mais la zone de charge despace du
semiconducteur. Les porteurs doivent transiter par cette zone, et la densit de courant peut scrire
directement en fonction de la variation du pseudo niveau de Fermi dans cette zone et de la mobilit
des porteurs (formule 86) :
jn = n.n.dEFn
dx
Il sagit alors de dterminer le gradient de EFn. Sa variation totale correspond qV. Par ailleurs,
de la formule 43 (ou 45), nous pouvons exprimer n en fonction de EFn.
E E
n= NC exp C Fn do dEFn = kT
((
d ln n/ NC
))
dEC (x )
= kT 1 dn
dEC (x )
kT dx dx dx n dx dx
La variation de EC(x) est directement lie au champ lectrique dans la zone de charge despace.
Nous pouvons calculer le courant linterface mtal semiconducteur en appelant s le champ la
surface du semiconducteur.
[ ]
jn = n. kT dn
dx surf
+ qnss
nous retrouvons les deux composantes du courant. A linterface, la concentration tant relativement
faible, le gradient lest aussi. Nous considrons dans ce cas la composante de drive avec le champ
lectrique maximal trs prs de linterface (en xm), la concentration tant ns qui sexprime en
fonction de nso. Si nous rajoutons la densit de courant injecte par le mtal, la densit totale de
courant est alors :
qV
jn = qnnsos exp 1 (130)
kT
147
Chapitre 6 : La diode mtal-semiconducteur : la diode Schottky
discontinuit linterface comme reprsent figure 112. Nous pouvons prendre une vitesse de
collection quivalente, vc, et la densit de courant sexprime par :
J = q ns no vc
La vitesse de collection est infrieure la vitesse thermique. Les phnomnes intervenants dans
cette limitation sont la mobilit dans la Z.C.E. mais aussi la rflexion quantique, la prsence
doxyde natif dinterface, etc.).
mtal semiconducteur
E
thermoionique EC
EF
qV
diffusion
EF
EV
Figure 112 : Variation du niveau de Fermi dans la cas dune conduction mixte ; variation
dans la zone de charge despace et discontinuit linterface.
6) Porteurs minoritaires
La conduction des minoritaires est due dans le cas dun semiconducteur de type n aux trous.
Lchange entre le mtal et le semiconducteur linterface est en gnral trs rapide. Dans la zone
de charge despace, les trous sont un peu plus nombreux que dans le volume neutre ; ainsi, le
pseudo-niveau de Fermi des trous est peu prs constant dans cette zone. Le gradient du niveau de
Fermi est donc support par le volume neutre sur une paisseur de quelques longueurs de diffusion ;
nous avons lquivalent dune jonction pn polarise en inverse avec un courant d diffusion de
minoritaires. Nous pouvons ainsi crire directement sont expression.
D qV
j p = q p pno exp 1
Lp kT
Cette densit de courant est en gnral trs faible devant la densit de courant des porteurs
majoritaires.
Remarque : nous naborderons pas dans le cadre de ce cours les problmes lis aux tats dinterface. Il est clair que leur
prsence peut affecter fortement les phnomnes de conduction comme il la t mentionn pour les transistors MOS.
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