Projet

Hyperfréquences

Modélisation des composants passifs

Réalisé par : Encadré par Mr :
Hachani Oussama & Amri Wael Choubani Fethi

Définition et Introduction: Modèle en T

Application au cas des condensateurs MIM

Un modèle électrique de condensateurs MIM réalisé en technologie CMOS construit sur le réseau en
*Définition:
T peut-être le suivant : Fig.1-2
Un composant est dit passif quand il ne permet pas d'augmenter la puissance d'un signal : résistance, condensa-
teur, bobine..et les assemblages de ces composants.
*Introduction:
Le développement de modèles électriques de composants passifs est indispensable pour la conception de RFICs
(Radio Frequency Integrated Circuits). La modélisation des passifs peut être effectuée à partir de modèles distri-
bués ou localisés.
Réalisation
L’extraction de paramètres s’effectue en exprimant les impédances Z1, Z2 et Z3 comme suit:
Z1=Rs1+jwLs+1/(jwCmim)
Z2=Rs2
Z3=Rsub+1/(jwCox)
Modèles localisés à partir de la matrice d’impédance du quadripôle.
Après la détermination des 3 impédances Z1 , Z2 et Z3 (code sous MATLAB) , on peut facilement
extraire les paramètres Rs1,Rs2,Cox,Rsub,Cmim et Ls.
Réalisation d’une Interface graphique à l’aide de MATALAB:

Nous avons fait le choix dans notre étude d’étudier et développer des modèles localisés de composants pas-
sifs. Les modèles localisés de composants passifs sont construits à partir de deux principaux types de quadri-
pôles basés sur le réseau en T(a) et en π(b).
Fig.1-1

Modèle en π
Application au cas d’une bobine spirale et d’un condensateur MIM
Les modèles simple-π suivants (Fig. 1-3) représentent des inductances et condensateurs intégrés en
technologie CMOS. Fig.1-3
Modèle en π d’inductance Modèle de condensateurs intégrés en technologie CMOS

Extraction Des Paramètres

Dans cette section nous allons présenter quelques modèles de composants passifs intégrés basés sur les réseaux
de la Fig. 1-1 et les méthodes d’extraction de paramètres qui leurs sont relatives. Plusieurs méthodes d’extraction
de paramètres peuvent être utilisées pour extraire les valeurs des éléments d’un même modèle. En effet, celles-ci
Références et Bibliographie
peuvent être basées sur des méthodes d’optimisation, ou sur des équations analytiques déduites de modèles cir-
CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor): une technologie de fabrication de composants électroniques et, par extension, les com-
cuits, à partir desquelles les valeurs des paramètres électriques sont extraites par interpolation ou simple calcul. posants fabriqués selon cette technologie.
MIM: Metal-Isolant-Metal.
Thèse de Doctorat spécialité Electronique : DÉVELOPPEMENT, INTÉGRATION ET MODÉLISATION DE COMPOSANTS PASSIFS INTÉGRÉS EN
COUCHES MINCES DANS UNE FILIÈRE CMOS (SIAMAK SALIMY)