TP Circuits Hyperfréquences: Master Systèmes de Télécommunication

Département de physique
Faculté des sciences kénitra
TP Circuits
Hyperfréquences
Master Systèmes de Télécommunication
Pr. M. HABIBI
Dr. A. BENDALI
Année universitaire 2020-2021

TP Circuits Hyperfréquences
Sommaire
V- Diagramme de rayonnement P
Introduction Générale sur le Logiciel ADS
Manipulations Pratiques
TP 1 : Equivalence tronçon de ligne de longueur quelconque avec

un réseau en Pi
TP 2 : Etude et conception d’un coupleur deux branches directif
TP 3 : Etude et conception d’un filtre passe bas et passe bande
TP 4 : Caractérisation d’un composant actif
TP 5 : Caractérisation non linéaire d’un transistor FET

T
TP 6 : Conception et simulation d’un amplificateur de puissance à
transistor FET
4 : Caractérisation non linéaire d’un transistor FET
Pr : M.HABIBI & A.BENDALI Page 2 S3 Master ST

INTRODUCTION GENERALE SUR LE LOGICIEL ADS
Le logiciel ADS (Advanced Design System) est un logiciel de simulation des circuits et
systèmes en hyperfréquences. Il permet de réaliser des simulations diverses grâce à des
bibliothèques de composants actifs et passifs micro-ondes et des bibliothèques d’équations
mathématiques.
1. Simulation électrique des circuits RF et micro-ondes

Pour étudier le fonctionnement des circuits radiofréquences (RF) et micro-ondes, le logiciel
ADS propose plusieurs moteurs de simulation. Ils permettent d’effectuer des simulations
statiques, des simulations des paramètres S, du bruit, des non linéarités, … etc. Les principaux
moteurs de simulation utilisés dans la conception des circuits RF sont :
 Le moteur de simulation DC, on l’utilise pour :
- Le calcul du point de fonctionnement des transistors,

- Le calcul des courants et tensions statiques d’un montage,
- Le tracé des caractéristiques statiques des composants à semi-
conducteur.
 Le moteur de simulation AC, on l’utilise pour :
- L’analyse fréquentielle,
- Le calcul des paramètres de transfert (gain en tension, en courant,
transimpédance, transadmittance),
- Le calcul du bruit linéaire.
 Le moteur de simulation Paramètres S, on l’utilise pour :
- Le calcul des paramètres S, Y et Z,

- Le calcul du temps de groupe des filtres,
- Le calcul de bruit linéaire.
 Le moteur de simulation Harmonic Balance, on l’utilise pour :
- L’analyse fréquentielle en régime établi permettant de simuler les

distorsions dues aux effets non linéaires dans les semi-conducteurs,
- L’excitation multi tons,
- Le calcul des produits d’intermodulation.
Figure1:Les principaux moteurs de simulation électrique
2. Démarrage du logiciel
Après avoir lancé le logiciel, la fenêtre de démarrage du logiciel (figure 2) s’ouvre et donne
accès à différents menus : File, View, Window, DesignKit et DesignGuide.
Figure 2 : Fenêtre de démarrage du logiciel ADS
Selon que l’on désire réaliser des simulations circuits (Analog/RF Design) ou des simulations
systèmes (DSP Design), il suffit de sélectionner le type de simulation que l’on désire
effectuer en sélectionnant la bonne dans le menu Tools/Advanced Design System Setup du
menu principal.
Figure 3 : Choix du type de simulation dans le logiciel ADS
Le logiciel a une structure hiérarchique : on travaille sous un projet, qui correspond à un

répertoire : nomprojet_prj. A l’intérieur de ce répertoire, des sous-répertoires existent
répartis ainsi : data, mom_dsn, networks, synthesis et verification. Les répertoires utilisés
dans le cadre de ces Travaux Pratiques sont les suivants :
 data : les fichiers des résultats de simulation y sont stockés avec l’extension .ds.
 networks : les fichiers des schématiques des circuits y sont stockés avec l’extension
.dsn.
Vous devez donc créer un nouveau projet dans lequel vous travaillerez tout au long du TP,
vous lui attribuez un nom et rentrez l’unité par défaut dans la commande length unit. Une
fois ce dernier créé, vous allez utiliser essentiellement deux fenêtres de travail différentes :
- La fenêtre de dessin du circuit et de simulation : Schematic.
Figure 4 : Fenêtre schematic

Figure 5: Passage du Schematic vers le Layout
Figure 6 : Fenêtre Layout
On dessine la topologie du circuit à simuler et on a accès aux bibliothèques de composants et

de contrôleurs de simulation. On fixe les paramètres d’analyse et on lance la simulation.
- La fenêtre de représentation des résultats de simulation : data.

Figure 7 : Fenêtre data (Résultats des simulations)
On visualise les résultats des simulations sous formes de graphiques, en polaire ou en linéaire,
ou de tableaux. On peut effectuer des calculs sur ces données numériques en introduisant des
équations et en ayant accès à des expressions mathématiques complexes prédéfinies.
Pour sortir proprement du logiciel, exécuter la commande File/Exit Advanced Design

System sous le menu principal, confirmer et sauvegarder.


TP1 : EQUIVALENCE TRONÇON DE LIGNE DE LONGUEUR

QUELCONQUE / RESEAU EN Pi
1. Caractérisation et représentation d’un quadripôle à l'aide de la matrice ABCD.

Un quadripôle est un composant ou un circuit (ensemble de composants) à deux entrées et
deux sorties qui permet le transfert d’énergie entre deux dipôles. Les signaux électriques en
entrée et en sortie peuvent être de natures différentes (tension, courant, puissance). On
distingue deux types de quadripôles : passifs (1ère partie) et actifs (2ème partie).
Sur le quadripôle de la figure 1 ont été tracés les tensions et les courants sur les 2 accès.
Figure 1 : Quadripôle
On définit la matrice de chaine ABCD comme suit :

V 1   A B   V 2 
   
 I 1  C D    I 2 
2. Matrice ABCD de quelques quadripôles de base.

Voici quelques exemples de quadripôles et leur matrice chaine ABCD.
2.1.Ligne (Z0, ℓ)
 cos(  ) j Z 0 sin(  ) 
 ABCD    j sin( ) / cos(  ) 

 Z 0

2.2.Impédance en série
1 Z 
 ABCD    
0 1 
2.3.Impédance en parallèle
1 0
 ABCD    1 
 1 
Z 
2.4.Réseau en Pi
 Z2 
 1 Z2 

 ABCD   
Z 1 

 2  Z 22 1  Z 2 
Z Z 1 
 1 Z1

2.5.Réseau en T
 2

1  Z 1 2Z  Z 1

 2
1
 ABCD    Z 2 Z

 1 1 Z 2 
 
 Z2 Z 1 
3. Manipulation
Soit une ligne d’impédance caractéristique Z0 de longueur ℓ.
Par application du principe d’équivalence entre les matrices ABCD des 2 quadripôles :
A- Partie théorie
a- Calculer les impédances (Z1 et Z2) du réseau en Pi qui a la même réponse que la ligne
à la fréquence f0.
b- Trouver l’équivalence de Z1 et Z2 en termes de self (L) et de capacité (C).
c- Calculer L et C à la fréquence f0=2.45GHz.
B- Parie pratique
a- Dans la fenêtre Schematic simuler la ligne microruban pour une longueur de 35mm et
de largeur 12mm et d’impédance caractéristique ZC = 10Ω dans la bande de fréquence
[1-10] GHz.
b- Dans une autre fenêtre Schematic simuler le réseau en Pi que vous avez trouvé dans la
partie théorique et pour la même bande de fréquence.
c- Simuler les deux quadripôles (ligne et réseau en Pi) dans une même fenêtre Schematic.
Interpréter ?

TP2 : ETUDE ET CONCEPTION D’UN COUPLEUR DEUX

BRANCHES DIRECTIF
L’objectif de ce TP est de concevoir un coupleur à deux branches (3dB, 90°) directif :
 modèle du coupleur à partir des équations mathématiques dans la fenêtre

Schematic,
 simulation des paramètres S dans le Schematic,
 modèle du coupleur dans la fenêtre Layout à partir de la fenêtre Schematic,
 simulation électromagnétique des paramètres S dans le Layout.
3. Définition
Un coupleur directif est un octopôle réunissant entre elles deux paires de lignes de telle
manière les lignes d’une même paire ((1) et (3) ou (2) et (4)) soient découplées
Figure 1 : Coupleur directif avec onde entrant par la voie (1)

Soit la puissance P1 envoyée dans la voie (1), P2, P3 et P4 les puissances sortantes dans les
voies (2), (3) et (4) lorsqu’elles sont adaptées (Figure1).
La matrice S ou la matrice de diffusion d’un octopôle quelconque est de la forme :
 S11 S12 S13 S14 
 
S 21 S 22 S 23 S 24 
S 
 S 31 S 32 S 33 S 34 
 
 S 41 S 42 S 43 S 44 
Dans le cas d’un coupleur directif parfait :
Les coefficients de réflexion de tous les accès doivent être nuls :
(S11=S22=S33=S44=0)
Les voies ((1) et(3)) et ((2) et (4)) doivent rester découplées :

(S13=S31=S42=S24=0)

La transmission entre les voies situées en ligne droite est identique :

(S12=S21=S43=S34=α)
La transmission entre les voies situées en diagonale est identique :
(S14=S41=S23=S32=β)
Donc les propriétés générales des multiports réciproques et sans pertes sont données sous la
forme suivante :
SS‫[ =٭‬I]
4. coupleur directif (3dB, 90°)

On distingue deux types de coupleurs directifs (3dB, 90°) ou jonctions hybrides à savoir le
diviseur et le combineur d’onde. Le diviseur d’onde (Figure 2) ayant pour particularité la
répartition égale de la puissance P1 dans les deux voies de sortie (2) et (4), (donc l’amplitude
est divisée par la racine de 2) et l’introduction entre ces deux signaux d’un déphasage de 90°.
Le combineur d’onde (Figure 3) combine deux ondes d’égale amplitude et déphasées de 90°,
arrivant par les voies (1) et(3), ses deux ondes ne peuvent se recombiner que dans la voie (4).
Figure 2 : Coupleur (3dB, 90°) en diviseur d’onde
Figure 3 : Coupleur (3dB, 90°) en combineur d’onde
5. Manipulation
Les coupleurs dits "Branch-Line" (Figure 4) sont des coupleurs directionnels, généralement
utilisés pour une répartition à 3dB de l'énergie, avec une différence de phase de 90° entre la

voie "directe" et la voie "couplée". Ce genre de coupleur est fréquemment réalisé en

technologie microruban ou tri-plaque, et fait partie des coupleurs dits à "quadrature de phase".
Figure 4 : Géométrie du coupleur à deux branches
Dans cette section nous présentons une conception du coupleur à deux branches fonctionnant
à la fréquence f0=2.5GHz. La figure 4 illustre la géométrie du coupleur que nous allons
concevoir. Ce coupleur doit être conçu sur un substrat de type FR4 epoxy ayant une épaisseur
de hauteur h=1.6mm, de permittivité relative εr=4.4, de tangente de perte égale à 0.02 et
d’impédance caractéristique Z0 = 50Ω.
1. Concevoir le coupleur (Figure 4) dans la fenêtre Schematic à l’aide d’outil LineCalc et

faire la simulation des paramètres S.
a. Observer les paramètres de réflexion 𝑆11 et 𝑆14 dans la bande de fréquence 2-3GHz.
b. Observer les paramètres de transmission 𝑆12 et 𝑆13 en dB dans la même bande en
terme d’amplitude et de phase.
2. Concevoir le coupleur (Figure 4) dans la fenêtre Layout et faire la simulation des
paramètres S.
a. Observer les paramètres de réflexion 𝑆11 et 𝑆14 dans la bande de fréquence 2-3GHz.
b. Observer les paramètres de transmission 𝑆12 et 𝑆13 en dB dans la même bande en
terme d’amplitude et de phase.
c. Comparer les résultats et conclure

TP3 : ETUDE ET CONCEPTION D’UN FILTRE PASSE BAS

ET PASSE BANDE
1. Définition
Les filtres sont des circuits qui rejettent certaines fréquences et en transmettent d'autres. Ils
sont généralement classés en trois types: passe-bas, passe-haut et passe-bande (figure 1). Les
filtres fonctionnent avec les mélangeurs et le signal de l’oscillateur local pour sélectionner les
signaux utiles et rejeter les autres signaux et le bruit excessif. Dans une architecture à
conversion directe, le filtrage est nécessaire à la fréquence porteuse et à la bande de base.
Pour les architectures à étage IF, un filtre IF est indispensable.
Figure 1 : Types de filtres idéaux avec leurs symboles (a) passe bas (b) passe haut (c) passe
bande
2. Synthèse par la méthode de pertes d’insertion
Les pertes d’insertion sont définies comme le niveau de pertes mesuré à la résonance
relativement à la réponse électrique en transmission, ce qui correspond à l’atténuation du
paramètre │S21│ à la fréquence centrale. Dans la méthode des pertes d’insertion, la réponse
d’un filtre est représentée par sa fonction d’atténuation (1), qui a pour forme :
𝑀(ω2 )
𝑃𝑝𝑟 (ω) = 1 + 𝑁(ω2 ) (1)
où M et N sont des polynômes réels en ω2.
Cette fonction de pertes d’insertion sera assimilée à des fonctions approximatives qui sont
physiquement réalisables, que nous trouvons par exemple dans la réalisation des filtres passe-
bas de Butterworth (2) :
ω
𝑃𝑝𝑟 (ω) = 1 + 𝐾 2 (ω )2𝑁 (2)
𝑐

où N est l'ordre du filtre et ωc est la fréquence de coupure. La bande passante s'étend de ω = 0

à ω = ωc; au bord de la bande, le rapport de perte de puissance est de 1 + K2 ; et de
Tchebychev (3) :
ω
𝑃𝑝𝑟 (ω) = 1 + 𝐾 2 𝑇𝑛2 (ω ) (3)
𝑐
où K spécifie l'ondulation de la bande passante, Tn (x) est un polynôme de Chebychev d'ordre

N et ωc est la fréquence de coupure passe-bas.
Pour l’approximation en amplitude de Tchebychev, la fonction d’atténuation est donnée sous

la forme suivante (en dB) :
ω
𝛼𝑑𝐵 = 10 log[1 + ξ2 𝑇𝑛2 (ω )] (4)
𝑐
où le coefficient ξ est défini par le choix du niveau d’ondulation r par :
r
ξ= 1010 − 1
La figure 2 illustre la réponse en transmission de la fonction Tchebychev et Butterworth pour

différentes valeurs de N et n.
Figure 2: Réponse en transmission de la fonction pour différents ordres N et n
(a)Tchebychev, (b) Butterworth
Pour pouvoir créer des filtres passe haut, passe bande ou coupe bande à partir du prototype
passe bas, on doit effectuer la transformation de fréquence.
3. Filtre à éléments localisés

3.1.Filtre passe-bas
Un prototype de filtre passe bas, composé d’éléments localisés capacitifs et inductifs est
défini. La conception de tous les types de filtre sera basée sur ce prototype passe bas, pour
lequel quelques transformations nécessaires seront effectuées (transformation d’impédance et

de fréquence). Les deux schémas possibles du prototype du filtre passe bas sont présentés
dans la figure 3. Ils sont composés alternativement par les capacités parallèles et les
inductances séries. L’ordre du filtre (n pair ou impair) imposera le nombre de composants du
prototype. En général, les éléments gi du circuit du filtre prototype sont normalisés par rapport
à l’impédance de source (g0 = 1) et à la pulsation de coupure (ωc = 1). Dans la plupart des cas,
l’impédance de charge est supposée égale à l’impédance de source d’où gn+1 = g0 = 1. A
chaque type de filtre d’ordre donné n, correspondent des valeurs de gi.
Figure 3: Circuits prototypes du filtre passe bas
Les inductances Lk et les capacités Ck du filtre s’expriment en fonction de RS, de ωc et d’un

paramètre gk par :
gk g
Ck = R Lk = R S ωk
S ωc c
3.2.Filtre passe bande
La transformation en fréquence du plan de passe-bas (ω) vers le plan de passe-bande (ω’) est
définie par:
1 ω0 ω’
ω→ ( − )
Δ ω’ ω0
ω2 −ω1
avec : ω0 = ω1 ω2 et Δ= ω0
 ω0 : pulsation centrale

 ω1 : pulsation de coupure basse

 ω2 : pulsation de coupure haute
Ainsi l’obtention du filtre passe bande à partir du prototype passe bas se fait en deux étapes.
Premièrement, les inductances en série doivent être remplacées par un circuit résonant LC en
série, avec les valeurs des éléments définies comme suit:
Δ Δ L RS gk
Ck’ = ω =R Lk’ = Δωk =
0Lk S ω0 g k 0 Δω0
La deuxième étape consiste à remplacer les capacités en parallèle par un circuit résonant LC
en parallèle, dont les valeurs sont les suivantes:
C gk Δ R Δ
Ck’ = Δωk = R Lk’ = ω = ω Sg
0 S Δω0 0Ck 0 k
Pour déterminer l’ordre du filtre et les coefficients gk du prototype du filtre Tchebychev passe
bas, on utilise l’abaque de la figure 4 (ordre du filtre) et le tableau de la figure 5 (les valeurs
de gk).
Figure 4: Atténuation par rapport à la fréquence normalisée

Figure 5: Les paramètres gk pour un filtre à ondulation de 0.1 dB
4. Filtre à base d’éléments distribués
Lorsque deux lignes sont en parallèle ou en série, un phénomène de couplage

électromagnétique s’établit, et elles peuvent échanger de l’énergie. Ces lignes présentent une
longueur égale à la moitié de la longueur d’onde à la fréquence fondamentale de résonance f0.
Des résonances peuvent également apparaître aux fréquences (2k+1) f0, avec k = 1, 2, 3, .... La
topologie de filtre à résonateur demi-onde couplés en parallèle est présentée dans la figure 6.
Figure 6: Topologie d’un filtre à résonateurs couplés
Pour les résonateurs demi-onde couplés en parallèle, les filtres sont constitués de lignes demi-
onde couplés en parallèle sur la moitié de leur longueur avec les résonateurs adjacents. Cette
disposition assure un plus fort couplage entre les résonateurs, et permet de concevoir des
filtres possédant une bande passante plus large que celle de la topologie à lignes couplées en

série. Pour ce type de filtre (filtre à lignes couplés en parallèle), la fréquence centrale est fixée
par la longueur des lignes alors que la bande passante est déterminée par le couplage inter -
résonateurs. Les équations de synthèse des paramètres géométriques de la structure du filtre
parallèle sont données par :
𝐽 0,1 𝜋.𝐹𝐵𝑊
=
𝑌0 2𝑔0 𝑔1
𝐽 𝑗 ,𝑗 +1 𝜋.𝐹𝐵𝑊
= , 𝑗 = 1à 𝑛 − 1
𝑌0 2 𝑔 𝑗 𝑔 𝑗 +1
𝐽 𝑛 ,𝑛 +1 𝜋.𝐹𝐵𝑊
=
𝑌0 2𝑔𝑛 𝑔𝑛 +1
où g0, g1, ... gn sont les éléments d'un prototype passe-bas de type échelle avec un seuil
normalisé c = 1, et FBW est la largeur de bande fractionnaire du filtre passe-bande. Les Jj,j+1
sont les admittances caractéristiques des inverseurs J et Y0 est l'admittance caractéristique de
la ligne microruban.
Pour concevoir la structure présentée dans la figure 6, les impédances caractéristiques des
modes pair et impair des résonateurs à lignes couplés parallèles, sont déterminées par les
équations:
𝐽𝑗,𝑗+1 𝐽𝑗,𝑗+1 2
(𝑍0𝑒 )𝑗 ,𝑗 +1 = 𝑍0 1 +
𝑌0 + 𝑌0
𝐽𝑗,𝑗+1 𝐽𝑗,𝑗+1 2
(𝑍0𝑜 )𝑗 ,𝑗 +1 = 𝑍0 1 −
𝑌0 + 𝑌0
5. Manipulation
A- Conception du filtre passe bas (éléments localisés)
Le filtre passe bas doit fonctionner dans la bande [0-1] GHz. Il doit donner une atténuation de
30dB à la fréquence 2GHz. Pour faire cette conception, les étapes suivantes sont
indispensables :

a- Calculer le nombre d’éléments du filtre pour obtenir une réponse de type Tchebychev.
b- Pour la loi de Tchebychev, indiquer les paramètres r et gk.
c- Calculer les valeurs des éléments LK et CK du filtre sachant qu’il est adapté à 50 Ω en
entrée et en sortie (1er élément est une inductance).
d- Faire la construction du filtre sous ADS et voir les réponses fréquentielles du filtre.
B- Conception du filtre passe bande (éléments localisés)
Conception d’un filtre passe-bande dont le 1er circuit résonnant est un circuit parallèle. Les
spécifications sont :
- Fréquence centrale de la bande f0= 2GHz

- Bande passante à 3dB est de l’ordre de 100MHz
- Bande passante à 30dB est de l’ordre de 400MHz
- Les impédances d’entrée et de sortie sont 50 Ω
Représenter la réponse fréquentielle du filtre
C- Conception du filtre passe bande à éléments distribués
Calculer les éléments d’un filtre passe-bande à lignes couplées d’ordre 3.
Les spécifications sont :
a- Fréquence centrale de la bande f0= 3GHz

b- Bande passante à 3dB est de l’ordre de 200MHz
c- Bande passante à 30dB est de l’ordre de 400MHz
d- Les impédances d’entrée et de sortie sont 50 Ω.
Faire la simulation du filtre sous ADS et visualiser les paramètres S (réflexion et

transmission) en fonction de la fréquence.

TP4 : CARACTERISATION D’UN COMPOSANT ACTIF
Objectif :
L’objectif de ce TP est de caractériser un composant actif :
 simulation de mesures en paramètres S sur une boite noire,

 extraction d’un modèle,
 étude de la stabilité et des performances en gain du composant.
1. Etude du composant
1.1. Définition du schéma équivalent
On considère le composant comme une boite noire qu’il s’agit de caractériser en mesurant ses
paramètres S. On aboutira par cette démarche à un schéma équivalent valable sur une gamme
de fréquences. Cela nous permettra par la suite d’insérer notre composant dans un schéma
électrique qu’on optimisera en fonction d’un cahier de charges.
Le composant est situé dans la librairie « Sub Networks ». L’analyse se fait sur la gamme
[0.5 – 20] GHz.
a. Concevoir le fichier qui permet la caractérisation en paramètres S du composant.

b. Observer les paramètres de réflexion 𝑆11 et 𝑆22 sur l’abaque de Smith.
c. Observer les paramètres de transmission 𝑆12 et 𝑆21 en dB dans une grille.
d. A partir de l’analyse des résultats, extraire un modèle de schéma équivalent pour le
composant.
1.2. Stabilité du composant
Ajouter entre la grille et le drain une capacité parasite 𝐶𝐺𝐷 = 0.1 𝑝𝐹. L’analyse se fait dans la
gamme [0.5 – 20] GHz.
a. Observer les variations des paramètres S.
Un composant instable est caractérisé par un coefficient de réflexion mesuré à l’entrée ou à la

sortie de module supérieur à 1 pour certaines impédances de charge ou de source.

Les outils S_StabCircle et L_StabCircle permettent de dessiner les cercles de stabilité

respectivement en entrée et en sortie. Il y a trois cas de figure :
 Si le cercle de stabilité coupe l’abaque, mais leur intersection ne contient pas le centre
de l’abaque (figure1-a), alors la zone d’instabilité est représentée par l’intersection.
 Si le cercle de stabilité coupe l’abaque et si l’intersection contient le centre de
l’abaque (figure 1-b), alors la zone de stabilité est représentée par l’intersection.
 Si le cercle de stabilité ne coupe pas l’abaque, alors la stabilité est vérifiée sur tout
l’abaque.
(a) (b)
Figure 1 : Les cercles de stabilité
Le coefficient StabFact est un indicateur numérique sur la stabilité du composant :
 Si Stabfact> 1 : le composant est inconditionnellement stable.

 Si 0 <Stabfact< 1 : le composant est conditionnellement stable.
 Si Stabfact< 0 : le composant est instable.
b. Ajouter les outils S_StabCircle, L_StabCircle et StabFact dans le fichier de

simulation.
c. Observer et analyser les résultats obtenus.
d. A partir de quelle fréquence le composant est-il inconditionnellement stable ?

2. Caractérisation du gain
Le composant est unilatéral (𝐶𝐺𝐷 = 0 𝑝𝐹).
Dans le cas du composant unilatéral, le gain transducique se décompose en 3 termes se

référant chacun à la source, au composant et à la charge.
1 − |ΓS |2 2
1 − |ΓL |2
𝐺𝑇𝑈 = . |S | . = G1 . G0 . G2
|1 − S11 ΓS |2 21 |1 − S22 ΓL |2
a. Dans quel cas cette expression est-elle maximale, quelle est la valeur maximale du
gain ?
b. Compléter le fichier de simulation précédent afin de calculer le gain transducique
maximum en fonction de la fréquence (obtenu à partir de l’outil MaxGain).
c. Superposer 𝐺𝑚𝑎𝑥 et le paramètre𝑆21 dans un même graphe. Justifier l’allure des deux
courbes.
L’analyse se fait maintenant à 11 𝐺𝐻𝑧.
Les outils GsCircle et GlCircle permettent de définir les impédances de source ou de charge
qui désadaptent le composant.
d. Insérer ces outils dans le fichier de simulation.

e. Déterminer les impédances de source et de charge à connecter pour l’adaptation
conjuguée.
f. Ajouter les circuits d’adaptation. Analyser les résultats obtenus.
g. A l’aide des outils précédents, indiquer le gain perdu en connectant 50  à la source et
50  à la charge. Retrouver ce résultat sur la courbe obtenue dans la question c ci-
dessus.

TP 5 : CARACTERISATION NON LINEAIRE D’UN

TRANSISTOR FET
Objectif :
L’objectif de ce TP est de caractériser un transistor FET pour réaliser par la suite un

amplificateur de puissance à bande étroite à la fréquence de 1.8GHz. La démarche à suivre est
la suivante:
a. caractérisation statique : choix d’une polarisation,
b. caractérisation linéaire : étude de la stabilité et du gain,
c. caractérisation non linéaire : détermination de la compression à 1dB, spectre de
puissance.
1. Choix technologique
Le composant FET étudié porte la référence cf_nec_NE900200_19930730, il se situe dans la
bibliothèque suivante : Microwave transistor library Chip GaAs FETs. Ses caractéristiques
sont les suivantes:
Caractéristiques Valeurs
𝐺𝑊 : largeur de grille 1500µm
𝐺𝐿 : longueur de grille 0.50µm
𝑃𝑑𝑖𝑠𝑠 _𝑚𝑎𝑥 : puissance maximale dissipée 3000 mW
𝑉𝑡 : tension de pincement - 3.1 V
𝑉𝑏𝑟 : tension de claquage 18 V
𝐼𝐷𝑆𝑆 : courant de saturation à𝑉𝐷𝑆 = 3𝑉 385.32 mA
Tableau 1 : Caractéristiques du composant FET utilisé
Le composant est polarisé à l’aide de 2 sources d’alimentation continue par l’intermédiaire

d’inductances de choc idéales (DC Feed) et de capacités de découplage idéales (DC block).

La source est à la masse. Les capacités placées à l’entrée et à la sortie de l’étage amplificateur
servent à découpler les étages entre eux. La tension des sources d’alimentation est variable.
2. Caractérisation statique : DC
a. Relever le réseau de caractéristiques statiques 𝐼𝐷𝑆 en fonction de 𝑉𝐷𝑆 .

b. Déterminer le point de polarisation permettant la meilleure dynamique du signal de
sortie et polariser le composant.
c. Relever la courbe de transfert 𝐼𝐷𝑆 en fonction de 𝑉𝐺𝑆 à 𝑉𝐷𝑆 fixé.
d. Tracer la droite de charge optimale pour que le transistor fonctionne en linéaire le plus
longtemps possible. En déduire la valeur de la charge optimale 𝑅𝑜𝑝 à présenter en
sortie du transistor.
e. Reprendre les points de simulation précédents pour un transistor de largeur de grille
double (obtenu par la mise en parallèle de deux transistors précédents).
3. Caractérisation linéaire : S paramètres
La simulation s’effectue à la fréquence de 1.8 𝐺𝐻𝑧.
a. Étudier la stabilité du composant FET à une largeur de grille et observer les

paramètres S ainsi que le gain maximum du transistor sur la bande [0.5 – 10] GHz.
b. On souhaite rendre ce composant inconditionnellement stable à la fréquence de
1.8 𝐺𝐻𝑧. Observer l’influence d’une self connectée entre la source et la masse sur le
gain en puissance et la stabilité. Déterminer la valeur minimale de la self qui permet
de vérifier la stabilité inconditionnelle à la fréquence considérée. Observer à nouveau
l’évolution des paramètres S et le gain maximum en fonction de la fréquence.
4. Caractérisation non linéaire : HB Harmonic Balance
Le dispositif à tester (transistor simple stabilisé) est attaqué par une source de puissance
d’amplitude variable : l’élément P_1Tone de la librairie source avec 𝑍 sa résistance interne de
50  et 𝑃 sa puissance disponible variable (power exprimée en dBm). Le transistor est chargé
par la charge 𝑅𝑜𝑝 permettant de fournir un maximum de puissance en fonctionnement linéaire
à 1.8 𝐺𝐻𝑧.

a. Réaliser les simulations suivantes à la fréquence 1.8 𝐺𝐻𝑧 pour une gamme de
puissance d’entrée comprise entre -20 𝑑𝐵𝑚 et 15 𝑑𝐵𝑚.
b. Observer la forme de la tension de sortie en fonction du temps à l’aide de l’élément 𝑉𝑡 .
c. Relever le spectre du signal de sortie à l’aide de l’élément 𝑃𝑠𝑝𝑒𝑐 .
d. Mesurer la puissance de sortie du transistor à l’aide de l’outil 𝑃𝑓𝑐 sur le fondamental et
ses harmoniques 2 et 3 en fonction de la puissance d’entrée : relever le gain linéaire, la
puissance de sortie pour un gain compressé de 1 𝑑𝐵 et le point d’interception d’ordre
3.

TP 6 : CONCEPTION ET SIMULATION D’UN

AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE A TRANSISTOR FET
a. Définition
Les amplificateurs de puissance dans les architectures RF (Radio Fréquence) sont conçus pour
amplifier linéairement les signaux radiofréquences avec la plus grande efficacité possible et
avec les plus faibles re-grossissements de spectre ou bruit ajouté. Comme les composants
actifs de l'amplificateur fonctionnent à la puissance maximale, les effets de saturation, de
conversion non linéaire et de mémoire sont inévitables.
Dans les amplificateurs de puissance RF, le transistor peut se comporter soit comme une
source de courant haute impédance, soit comme un interrupteur basse impédance.
La topologie du circuit seule ne permet pas forcément de définir le mode d’opération du
transistor ou la classe de fonctionnement de l’amplificateur. Ces classes sont regroupées en
deux catégories, suivant le mode d’opération du transistor :
 les classes sinusoïdales: cette catégorie comprend des classes nommées A, B, AB et C.
Le transistor se comporte comme une source de courant et la puissance de sortie est
proportionnelle à la puissance d’entrée.
 les classes à haut rendement: dans cette catégorie se trouvent les classes notées D, E, F
et S. Le transistor se comporte comme un interrupteur: c’est alternativement un court-
circuit et un circuit ouvert et la puissance de sortie n’est pas une fonction linéaire de la
puissance d’entrée.
Suivant la valeur de l’angle de conduction, qui dépend de la polarisation du transistor et
de la dynamique du signal d’entrée, on distingue les différentes classes de fonctionnement
sinusoïdales.

Dans ce TP nous nous intéresserons seulement à la conception des classes sinusoïdales

(Amplificateur classe A). Ces classes d’amplificateurs fonctionnent sur un point de
polarisation particulier (Figure 1). Le transistor conduit pendant tout le cycle (ou la plus
grande partie) de l'onde d'entrée et est donc toujours activé (ou désactivé uniquement pendant
une courte période).
Figure 1: Les points de polarisation et le schéma de principe pour un fonctionnement en

classe A, AB, B ou C
Typiquement, les amplificateurs de puissance RF et hyperfréquence font que le dispositif actif
atteint la puissance maximale donnée par un dispositif actif particulier (transistor). Ainsi, le
dispositif actif de l'amplificateur de puissance est modélisé comme une source de courant non
linéaire contrôlée par le signal d'entrée. Les principaux paramètres contrôlant les conceptions
d'amplificateur de puissance sont la puissance de sortie, la bande passante, le gain, l'efficacité,
la linéarité, la stabilité et la tension d'alimentation continue.
La polarisation est le processus de réglage de la tension ou du courant DC de fonctionnement
des transistors au niveau correct pour que tout signal d'entrée sinusoïdal puisse être amplifié
correctement par le transistor.
b. Manipulation
Pour la conception de notre amplificateur de puissance (PA), nous allons utiliser dans les
simulations un transistor à effet de champ de type FET ATF-21100 de Agilent Technologies
II® caractérisé par Vds=4Vet Id=126 mA avec une bande de fréquence allant de 0.5 GHz à 6
GHz.
Pour que le transistor fonctionne avec succès pour l'amplification du signal d'entrée, il doit
être polarisé, c'est-à-dire que ses tensions de drain et de grille doivent être fixées. La
détermination du point de polarisation est l’une des choses les plus importantes dans la

conception du PA, car la classe d’exploitation dépend de l’endroit où le point de polarisation

est défini.
 Polarisation du transistor :
a- Faire la polarisation du transistor
b- Déterminer le point de fonctionnement du transistor pour qu’il fonctionne en classe A
c- Simuler le facteur de stabilité et le gain maximal, interpréter ?
d- Déterminer la stabilité du transistor, interpréter ?
 Stabilité et adaptation :
a- Faire le circuit de polarisation du transistor (stabilisation du transistor)
b- Simuler le facteur de stabilité, interpréter ?
c- Adaptation en entrée de l’amplificateur
d- Adaptation en sortie de l’amplificateur
 Performances de l’amplificateur :
a- Faire la simulation du gain de l’amplificateur
b- Déterminer la puissance de sortie en fonction de la puissance d’entrée, interpréter ?
c- Déterminer l’efficacité de l’amplificateur de puissance (PAE), interpréter ?
d- Présenter le signal d’entré et de sortie dans un seul graphe, interpréter ?

TP Circuits Hyperfréquences: Master Systèmes de Télécommunication

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Département de physique

Faculté des sciences kénitra

Master Systèmes de Télécommunication

Année universitaire 2020-2021

TP 1 : Equivalence tronçon de ligne de longueur quelconque avec

TP 2 : Etude et conception d’un coupleur deux branches directif

TP 3 : Etude et conception d’un filtre passe bas et passe bande

TP 4 : Caractérisation d’un composant actif

TP 5 : Caractérisation non linéaire d’un transistor FET

Pr : M.HABIBI & A.BENDALI Page 2 S3 Master ST

INTRODUCTION GENERALE SUR LE LOGICIEL ADS

1. Simulation électrique des circuits RF et micro-ondes

 Le moteur de simulation DC, on l’utilise pour :

- Le calcul du point de fonctionnement des transistors,

- Le calcul des paramètres S, Y et Z,

- L’analyse fréquentielle en régime établi permettant de simuler les

- Le calcul des produits d’intermodulation.

Figure1:Les principaux moteurs de simulation électrique

Figure 2 : Fenêtre de démarrage du logiciel ADS

Figure 3 : Choix du type de simulation dans le logiciel ADS

Le logiciel a une structure hiérarchique : on travaille sous un projet, qui correspond à un

- La fenêtre de dessin du circuit et de simulation : Schematic.

Figure 4 : Fenêtre schematic

Figure 5: Passage du Schematic vers le Layout

Figure 6 : Fenêtre Layout

On dessine la topologie du circuit à simuler et on a accès aux bibliothèques de composants et

- La fenêtre de représentation des résultats de simulation : data.

Pr : M.HABIBI & A.BENDALI Page 6 S3 Master ST

Figure 7 : Fenêtre data (Résultats des simulations)

Pour sortir proprement du logiciel, exécuter la commande File/Exit Advanced Design

Pr : M.HABIBI & A.BENDALI Page 7 S3 Master ST

Pr : M.HABIBI & A.BENDALI Page 8 S3 Master ST

TP1 : EQUIVALENCE TRONÇON DE LIGNE DE LONGUEUR

1. Caractérisation et représentation d’un quadripôle à l'aide de la matrice ABCD.

On définit la matrice de chaine ABCD comme suit :

2. Matrice ABCD de quelques quadripôles de base.

Pr : M.HABIBI & A.BENDALI Page 9 S3 Master ST

Pr : M.HABIBI & A.BENDALI Page 10 S3 Master ST

Soit une ligne d’impédance caractéristique Z0 de longueur ℓ.

Pr : M.HABIBI & A.BENDALI Page 11 S3 Master ST

TP2 : ETUDE ET CONCEPTION D’UN COUPLEUR DEUX

L’objectif de ce TP est de concevoir un coupleur à deux branches (3dB, 90°) directif :

 modèle du coupleur à partir des équations mathématiques dans la fenêtre

Figure 1 : Coupleur directif avec onde entrant par la voie (1)

Les coefficients de réflexion de tous les accès doivent être nuls :

Les voies ((1) et(3)) et ((2) et (4)) doivent rester découplées :

Pr : M.HABIBI & A.BENDALI Page 12 S3 Master ST

La transmission entre les voies situées en ligne droite est identique :

4. coupleur directif (3dB, 90°)

Figure 2 : Coupleur (3dB, 90°) en diviseur d’onde

Figure 3 : Coupleur (3dB, 90°) en combineur d’onde

Pr : M.HABIBI & A.BENDALI Page 13 S3 Master ST

voie "directe" et la voie "couplée". Ce genre de coupleur est fréquemment réalisé en

Figure 4 : Géométrie du coupleur à deux branches

1. Concevoir le coupleur (Figure 4) dans la fenêtre Schematic à l’aide d’outil LineCalc et

Pr : M.HABIBI & A.BENDALI Page 14 S3 Master ST

TP3 : ETUDE ET CONCEPTION D’UN FILTRE PASSE BAS

2. Synthèse par la méthode de pertes d’insertion

Pr : M.HABIBI & A.BENDALI Page 15 S3 Master ST

où N est l'ordre du filtre et ωc est la fréquence de coupure. La bande passante s'étend de ω = 0

où K spécifie l'ondulation de la bande passante, Tn (x) est un polynôme de Chebychev d'ordre

Pour l’approximation en amplitude de Tchebychev, la fonction d’atténuation est donnée sous

où le coefficient ξ est défini par le choix du niveau d’ondulation r par :