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hacheur série, correction

Vm
270V
2. forme d’onde :
Idmax=Ideff=Idmoy=20A
t
Vce Itmax = 20 A
270V
Iteff=16.2 A,
Vm
Itmoy= 13 A
Id t
It id Alimentation 270 V
20A

Vce f=20 kHz


t
20A
it

0,25 T T
t

3. Diode BYT 30P-1000 :


- IF(AV) = 30 A > 20 A ( courant moyen dans la diode pour α = 0 )
- IFRM = 70 A > 20 A ( courant crête dans la diode ) La diode convient
- VRRM = 1000 V > 270 V ( tension inverse max aux bornes de la diode)
- Diode rapide : trr = 70 ns << 50µs ( fréquence 20 kHz )

4. Puissance perdue dans la diode :


pertes par conduction : Pc=V0 . IF + R0 . (IF)2 = 1,47*20+0,01*20 ² Pc = 33,4 W

pertes au blocage : Poff = ½ .V . Qrr . F = ½ *1,75 10-6 * 270* 20 103 Poff = 4,72 W

5. Dissipateur thermique pour la diode :

Tj − Ta 150 − 25
Rth r − a ≤ − Rth j− c − Rth c− r −1−1 Rthr-a ≤ 1,28 °C/W
PTOT 33,4 + 4,72

6. Transistor IGBT IRG4PH40K


- Ic = 15 A > 13 A ( courant moyen dans le transistor)
- IcM = 60 A > 20 A ( courant Crète dans le transistor )
Le transistor convient
- Vce = 1200 V > 270 V ( tension maximum aux bornes de l’IGBT )
-ton+toff = 29ns+870ns< 50µs ( fréquence 20 kHz )

7. puissance perdue dans le transistor IGBT :


pertes par conduction Pc = VceON . Ic = 2,74 * 13 Pc = 35,6 W
-3 3
pertes par commutation Ps = E( ON+OFF ) . F = 2,6 10 * 270/960 * 20.10 Ps = 14,6 W
(fig 9 (Rg=20Ω ) ramené a la tension 270 V du montage )

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8. Transistor MOS : IRF 540
- ID = 28 A > 13 A OK
- VDS= 100 V < 270 V NON, ne convient pas en tension

9. trois transistors MOS en série


tension divisée par 3 270 /3 chaque transistor « voit » 90 V a ses bornes ( c’est inférieur à 100
V, ça ira si on ajoute des circuits d’équilibrages )

pertes par conduction : Pc = RDSon × I²Deff = 0,077 * 16,2 ² Pc = 20,2 W


pertes par commutation : Ps = ½ × VDS × ID × ( tr + tf ) × F = ½ . 90 . 20 . (50+40).10 -9 .20.103 Ps=1,62W

10. Dissipateur thermique pour les 3 MOS montés dessus :

175 − 25
On calcul pour un seul transistor : Rthr-a ≤ − 0,5 − 1 Rthr-a ≤ 5,3 °C/W
20,2 + 1,62
Pour plusieurs semi-conducteurs identiques avec les mêmes pertes montés sur le même radiateur, il faut
diviser le résultat obtenu avec un seul, par le nombre de semi-conducteurs.

Pour les 3 transistors : Rthr-a ≤ 5,3 / 3 Rthr-a ≤ 1,8 °C/W

11. L'
auteur de « L’écume des jours, L’arrache cœur, J’irai cracher sur vos tombes, de la java des bombes
atomique et du déserteur » est Boris VIAN

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