Propriétés optiques de matériaux nanostructurés

Martine Mihailovic

Groupe: Nanostructures et Nanophotonique (N2)

Equipes:
Optoélectronique quantique et nanophotonique : théorie
Spectroscopie optique des solides : expérimentation
Electromagnétisme et nanomatériaux
 Pourquoi étudier les propriétés optiques des objets nanostructurés?

Informations pour les Miniaturisation des Création de nouveaux

équipes de croissance dispositifs de matériaux pour de
Cartographie des l’optoélectronique nouvelles fonctions
échantillons

•Propriétés optiques
•Pureté
•État de contrainte

Adapter les techniques « classiques » à l’observation de ces objets

Photoluminescence Micro photoluminescence

Réflectivité Micro réflectivité

 Informations apportées par la photoluminescence

•Position des pics en •Largeur de la bande interdite

fonction de l’énergie
•Largeur à mi-hauteur des
pics
•Évolution en fonction de
la température
(état de contrainte)
•Impuretés présentes
•« excitons »(= paires électron
-trou en interaction )
 Informations apportées par la réflectivité ou la transmission

Mesure du coefficient de réflexion ou de •Indices optiques des matériaux

transmission de la lumière par •Épaisseurs des couches traversées
l’échantillon •Absorption
 Adapter les méthodes classiques à la micro réflectivité et la micro
photoluminescence

Focaliser la lumière : diminuer la taille de la zone éclairée

Diamètre de 200 µm à 2 µm

Utilisation d’un objectif de microscope

•Choisir le bon objectif en fonction des longueurs d’onde d’excitation et d’émission

•Repérer le point de focalisation sur l’échantillon
•Contrôler la puissance lumineuse reçue localement par l’échantillon

Visite du laboratoire
Micro photoluminescence et micro réflectivité
 Exemples

Réduire une des dimensions à l’échelle nanométrique : miroirs de

Bragg et microcavités pour l’émission LASER

Réduire deux dimensions à l’échelle nanométrique :

collaboration avec l’équipe de croissance cristalline
bandes et nanofils de GaN

Réduire trois dimensions à l’échelle nanométrique:

Métamatériaux équipe élena
 Réduction d’une des dimensions :
Empilement de couches d’épaisseur nanométrique

Comparaison avec un miroir métallique

Réalisation des miroirs:

 Réduction d’une des dimensions :
Empilement de couches d’épaisseur nanométrique

Réalisation des miroirs:

Application : Laser à semi conducteur émettant par la surface

pompage Émission par la surface

Miroir de
Bragg
Puits
Zone active quantiques

Miroir de Bragg

substrat

Émission par le substrat

 Réalisation de microcavités pour l’émission LASER

………..
Vue de dessus d’un Miroir de Bragg SiO2/HfO2
échantillon constitué
ZnO
d’une microcavité
……….. Miroir de Bragg AlN/AlGaN
Réalisation des microcavités:
Silicium (substrat)
Mise en évidence de l’émission laser par micro photoluminescence
Réduire les dimensions dans deux directions: bandes de GaN

Modélisation de l’échantillon T386C5

Cartographie de l’échantillon par micro photoluminescence

15000

Intensité de PL
(échelle lin.)
10000

5000
Intensité de PL

10000
15000
20000
25000
30000
35000
5000
Position(µm)
10 20 30 40 50

2500 2500

Longueur d'onde (A°)

Longueur d'onde (A°) 2000 2000

1500 1500

1000 1000

500 500

Figure III.2 (a) : caractérisations optiques de structures micrométriques de GaN,

Cartographie en micro-PL

0
D X
10000 XA
Intensité de PL

1000 XB

100

10

1
3400 3450 3500 3550
Energie (meV)

Figure III.2 (b) : Spectres de photoluminescence enregistrés pour 2 positions différentes de l’échantillon,
en bas sur un masque et en haut sur une ouverture.
 Cartographie de l’échantillon par micro réflectivité

(echelle lin.)
Réflectivité
1,2
1,1
1,0

Longuer d'onde (A°)

0,9

Longuer d'onde (A°)

0,8
Réflectivité
0,7
(echelle lin.)
Position(µm)

0,7

0,8

0,9

1,0

1,1

1,2
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26

3540 3540

3520 3520

3500 3500

3480 3480

3460 3460

3440 3440

3420 3420

Figure III.3 (a) : caractérisations optiques de structures micrométriques de GaN, cartographie en micro-
réflectivité
Reflectivité (unités arb)

XA
XB

XA XB
3420 3440 3460 3480 3500 3520 3540 3560
Energie (meV)

Figure III.3 (b) : Spectres de réflectivité enregistrés pour 2 positions différentes de l’échantillon, en haut
sur un masque et en bas sur une ouverture (les spectres ont été décalés verticalement pour une meilleure
lecture).
Réduire les dimensions dans deux directions: nanofils de GaN
0
DX T=10 K
P=2 mW
40000
FWHM
de 1 meV !
30000

µPL
20000
XA XB

10000

3440 3460 3480 3500

Energie (meV)

1ère mesure de µPL à 10 K sur un

nanofil GaN détaché
Diamètre 70 à 250 nanomètres
Longueur quelques microns
Réduire les trois dimensions à l’échelle nanométrique

Créer des métamatériaux et des cristaux photoniques

Pour l’instant échelle des micro ondes

Simulations dans le domaine de l’optique équipe éléna

Imaginer des lentilles parfaites et … la cape d’invisibilité

 Merci de votre attention

Joel.Leymarie@univ-bpclermont.fr
Pierre.Disseix@univ-bpclermont.fr
Francois.Reveret@univ-bpclermont.fr
Martine.Mihailovic@univ-bpclermont.fr
Francois.Medard@univ-bpclermont.fr