Chimie Inorganique:

L’éléctrodépôt de ZnO
Par Ntekela Prince
Boulet Rémy
Sommaire:
• I) Introduction

• II) Montage expérimental

• III) Analyse des dépôts :

 Sur FTO
 Sur Acier
 Sur Cuivre

• IV) Conclusion
• Bibliographie
I) Introduction
• ZnO propriétés et application possible
 Propriétés:
 semi-conducteur (bande interdite 3,3 eV)
 émission intense dans l’UV
 Application possible :
 Diode électroluminescente
 Diode Laser
 Cellule photovoltaïque (type-n) [1]
 II) Montage expérimental
Contre électrode
V
Électrode de référence Électrode de travail
III) Analyse des dépôts :
Réseau hexagonal de type wurtzite [2]
Croissance des cristaux de ZnO
perpendiculaire à l’éléctrode.
Sur FTO
Analyse MEB
Analyse EDX
Sur Acier
Analyse MEB
Analyse EDX
Sur Cuivre
Analyse MEB
Analyse EDX
DRX
Cassiterite
17000

16000

15000

14000

13000

12000

11000
Lin (Counts)

10000

9000

8000

7000

6000

5000

4000

3000

2000

1000

10 20 30 40 50 60

2-Theta - Scale
File: ZnO-NT.raw - Type: 2Th/Th locked - Start: 10.000 ° - End: 59.997 ° - Step: 0.021 ° - Step time: 47.8 s - Temp.: 25 °C (Room) - Time Started: 21 s - 2-Theta: 10.000 ° - Theta: 5.000 ° - Chi: 0.00 ° - Phi: 0.00 ° - X: 0.0 mm - Y: 0.
Operations: Background 1.000,1.000 | Import
01-072-1147 (A) - Cassiterite - SnO2 - Y: 158.68 % - d x by: 1. - WL: 1.5406 - Tetragonal - a 4.73700 - b 4.73700 - c 3.18500 - alpha 90.000 - beta 90.000 - gamma 90.000 - Primitive - P42/mnm (136) - 2 - 71.4688 - I/Ic PDF 7.1 - F
00-021-1486 (N) - Zinc Oxide - ZnO - Y: 13.43 % - d x by: 1. - WL: 1.5406 -
00-001-1238 (D) - Zinc - Zn - Y: 41.01 % - d x by: 1. - WL: 1.5406 - Hexagonal - a 2.65910 - b 2.65910 - c 4.93530 - alpha 90.000 - beta 90.000 - gamma 120.000 - Primitive - P63/mmc (194) - 2 - 30.2213 - F10= 11(0.0710,13)
Conclusion
• Objectif atteint
 Éléctrodépot
 Observer des cristaux
 Analyse EDX/DRX

• Optimisation et réglage possible et/ou nécessaire:

 Réduire le potentiel
 Lavage d’échantillon avant le MEB
Bibliographie
[1] Etude de l’utilisation du ZnO comme contact de type n dans des dispositifs photovoltaïques à base de pérovskite hybride, Warda Hadouchi,
Université Paris Saclay,2017