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Chap 1 Couche Mince Introduction
Chap 1 Couche Mince Introduction
SOMMAIRE
Chap I : Couches minces: définitions et applications
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Objectifs généraux ducours
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1- Définition
Une couche mince est une fine pellicule d'un matériau déposée sur un autre
matériau, appelé « substrat ou support»
— l’amélioration de l’aspect ;
— la conductibilité électrique ;
— l’isolation électrique ;
— la conductibilité thermique ;
— l’isolation thermique ;
— l’amélioration des caractéristiques de glissement
— la soudabilité ;
— la modification des propriétés optiques , catalytiques,….;
— l’isolation aux rayonnements ;
— l’antioxydation à haute température,
— améliorer les propriétés tribologiques et mécaniques,
— fonctionnalité spécifique
— …….
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Propriétés physicochimiques d'une couche mince sont très fortement dépendantes
de l'épaisseur
Plus elle sera faible et plus cet effet de bidimensionnalité sera exacerbé;
Lorsque elle dépassera un certain seuil, son effet deviendra minime et le
matériau retrouvera les propriétés bien connues du matériau massif.
Les films minces peuvent être:
• pas entièrement dense
• sous contrainte
• différentes structures de défauts
• quasi en deux dimensions (films très minces)
• fortement influencée par les effets de surface et d'interface
Propriétés Alumine
corindon vitreuse couches minces
Stoechiométrie (O/Al) 1,5 - 1,3-1,8
Densité 3,98 3,7-3,9 1,8-3,9
Indice de réfraction 1,76 1,51-1,73
Coefficient de 8,1 8,4 10-20
dilatation (10-6.K-1)
Conductivité thermique 26-35 19 0,2-1,6
(.m-1.K-1)
350-400 360 74-214
Module d'Young (GPa)
Constante diélectrique 9-10 7,5-7,8
Résistivité (.cm) 1014 1013 1014 > 1015
Il existe une variété de techniques de dépôt de couches minces par voie physique ou
chimique (sous vide ou à pression atmosphérique) et continuent à se développer .
Les avantages de la technologie des couches minces sont:
- les économies de matériaux (couches minces appliquées directement sur des supports
peu coûteux (verre, métal, plastique) et des énergies réalisées lors de la fabrication
industrielle ;
- la fonctionnalisation des surfaces
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3- Propriétés couche-substrat
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Les matériaux en couches minces sont généralement poreux, ce qui réduirait leur densité.
Cette faible densité entraînerait des différence dans les propriétés de la couche telles que:
i.Conductivité: les films minces métalliques ont une conductivité plus faible que les couches
métalliques épaisses.
ii. Constante diélectrique: les films minces diélectriques ont des constantes diélectriques
inférieures à celles des couches diélectriques épaisses..
iii.Coefficient de dilatation thermique: films minces ont généralement des coefficient de
dilatation plus petits.
v Indice de réfraction: les indices de réfraction sont plus faible pour les matériaux en couches
minces.
Les paramètres utilisés pour évaluer la qualité des films sont:
• l’uniformité
• le contrôle de l’épaisseur
• le taux de dépôt
• épaisseur de film maximale (liée à la contrainte résiduelle dans le film)
• la rugosité de surface
• La qualité des matériaux impliqués
• la pureté du film 11
4- Quelques domaines d’applications des couches minces:
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Utilisation dans un très grand nombre de domaines :
Mécanique : les revêtements par des matériaux plus durs sur les surfaces
des outils de coupe ont permis:
L’augmentation des vitesses de coupe,
(tribologie, durcissement : lubrification
sèche; résistance à l’usure, l’érosion,
l’abrasion; barrières de diffusion...)
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Electronique : développement de la microélectronique grâce à la mise en oeuvre
de couches de plus en plus minces conductrices, supraconductrices ou
isolantes, conductivité électrique : métallisation
de la surface, par exemple pour
Req: Un supraconducteur est un matériau
qui, lorsqu'il est refroidi en dessous d'une
observer un échantillon isolant au
température critique Tc, présente deux microscope électronique à balayage
propriétés caractéristiques, qui sont :
une résistance nulle ;
un diamagnétisme parfait
YBa2Cu3O7-x Bi2Sr2CaCu2Ox
Capteurs de gaz
optique : le tain du miroir, traitement anti-reflet des objectifs d'appareil photo, nickelage des casques de
pompiers pour réfléchir la chaleur (infra-rouges), dorure de leur visière pour éviter l'éblouissement
(un actionneur est l'organe fournissant la force nécessaire à l'exécution d'un travail ordonné par une
unité de commande distante. Ex: Un vérin pneumatique ou hydraulique, une résistance chauffante)
Système de multi-capteurs
de gaz
Sécurité :
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4
3 1
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Partie II
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1- TENSION DE SURFACE
C'est la tension qui existe à la surface de séparation de deux
milieux. Elle est notée .
C’est encore, À T et P constates, le travail nécessaire pour accroître
l’aire superficielle A de dA est donnépar:
Ws = ydA
P,T
(dW: travail nécessaire pour diminuer le volume) P s’oppose à une diminution de volume
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2- ADHESION
Adhésion liée à :
Exemple
a) verre propre
b) verre sale
c) verre très sale
Liquide mouillant Liquide ne mouillant
Liquide mouillant partiellement le solide, pas le solide, angle de
parfaitement le solide angle de contact < /2
contact >/2
=0 21
3- TRAVAIL D’ADHESION
L'énergie d’adhésion W12 entre deux solides 1 et 2 est défini comme étant la variation
d’enthalpie libre lors de la séparation réversible des deux matériaux dont l’aire de
contact est égale à l'unité. W12 est définie selon la formule de Dupré comme :
W12 = 1 + 2 - 12
Solide 1
Solide 1
W12 = travail d’adhésion = variation d’enthalpie librelors
AIRE = 1
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4- ENERGIE INTERFACIALE
L’énergie interfaciale 12 = variation d’enthalpie libre lors de la création d’une unité d’aire
de l’interface
La tension interfaciale 12 est l'énergie par unité de surface à fournir pour créer une
interface entre deux phases différentes.
Solide 1 Solide 1
12
Solide 2 Solide 2
Relation de Dupré :
12 = 1 + 2 -W12
*Forces de London : Interactions entre les molécules non polaires. (Phénomène qui
se produit dans tous les cas, moments dipolaires instantanés,…..forces de
dispersion).
- liaisons hydrogènes:
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À partir de la relation de Dupré en minimisant l’énergie, on peut aboutir aux conditions
suivantes :
-si la surface 1 est réactive sur 2, W12 > 0, la nucléation a lieu à la surface
(bonne adhérence);
-si W12 < 21 (énergie de cohésion), la croissance est alors 3D (îlots);
1- La source qui constitue le matériau de base du film mince à élaborer peut être un solide, un
liquide, une vapeur ou un gaz (Source: précurseur). Lorsque le matériau est solide son
transport vers le substrat s'effectue par vaporization, ce qui peut être réalisé par évaporation
thermique, canon à électrons, ablation laser ou par des ions positifs "pulvérisation".
L'ensemble de ces méthodes est classé sous le nom de dépôt physique en phase vapeur PVD "
physical vapor deposition".
2- Dans l'étape de transport, l'uniformité du flux des espèces qui arrivent sur la surface du
substrat est un élément important, plusieurs facteurs peuvent affecter cette uniformité et
dépendent du milieu dans lequel s'effectue le transport, un vide poussé ou un fluide
"principalement des gaz ".
Dans le cas d'un vide poussé, les molécules, provenant de la source et allant vers le substrat,
traversent le milieu selon des lignes droites, tandis que dans un milieu fluide, elles subissent
En général, les procédés qui utilisent un vide poussé sont équivalents aux procédés PVD
alors que ceux qui utilisent un débit fluide sont des procédés CVD.
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Les principaux procédés de dépôt de couches minces
Classe de
Principe Remarques
méthode
La couche mince est obtenue Les couches minces obtenues sont :
par une réaction chimique entre - peu denses ;
Dépôt Chimique les produits gazeux en phase - contaminées par des gaz résiduels de la
en phase Vapeur vapeur et le substrat au moyen réaction chimique
d'une énergie d'activation, par Avantage important : les contraintes
exemple thermique internes sont, en générale, très faibles
La couche mince est obtenue Les couches minces obtenues sont denses,
Dépôt Physique
par une condensation du matériau non contaminées. Le processus de dépôt est
en phase Vapeur
de sa phase vapeur facile à contrôler. 29
Les procédés de dépôt de couches minces utilisant un plasma opèrent à basse température.
En effet, la grande quantité d'énergie contenue dans ce milieu permet, à faible température.
(Dépôts sur des substrats qui craignent la température comme les plastiques,….)
3- La troisième étape dans les procédés d'élaboration des films minces est le dépôt du film
sur la surface du substrat. Cette phase passe par les étapes de nucléation et de coalescence
(paragraphes suivant). Le comportement de déposition est déterminé par les facteurs source,
transport et aussi par les trois principales conditions de la surface du substrat i.e :
*l'état de surface "Rugosité, niveau de contamination, potentiel chimique avec le matériau qui
arrive",
*la réactivité du matériau arrivant sur cette surface " Coefficient de collage"
*l'énergie appliquée sur la surface " Température de substrat, Photons, Ions positifs, polarisation".
4- La dernière étape dans le processus de fabrication est la nécessité de l'analyse du film obtenu.
Si les résultats de l'analyse sont insuffisants, il est indispensable de recourir à des expériences
particulières qui permettent de lever les éventuelles ambiguïtés d'un processus donné.
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La formation d'une couche mince s'effectue par une combinaison de processus de nucléation et
de croissance.
-Initialement, les espèces absorbées ne sont pas en équilibre thermodynamique avec le substrat,
et se déplacent donc sur sa surface. Pendant ces déplacements, et lorsqu'elles arrivent dans des
sites favorables, elles créent des amas (clusters) qui continuent à se développer.
-Les îlots continuent à croitre en nombre et en dimension jusqu'à ce qu'ils atteignent une
densité de nucléation dite la saturation. Cette densité de nucléation et la dimension moyenne
des îlots dépendent de plusieurs paramètres tels que l'énergie des espèces incidentes, leur
quantité par unité de temps et de surface, les énergies d'activation, d'adsorption, de
désorption, la diffusion thermique, la température, la topologie et la nature chimique du
substrat.
-Un îlot peut croitre parallèlement à la surface du substrat par diffusion superficielle des
espèces absorbées ou perpendiculaire par impact direct des espèces incidentes sur l‘îlot.
-En général, la vitesse de croissance latérale est bien plus grande que la vitesse de croissance
perpendiculaire.
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-L'étape suivante dans le processus de formation de la couche mince s'appelle la coalescence.
Les îlots commencent à s'agglomérer les uns aux autres en réduisant la surface du substrat
non recouverte. La coalescence peut être accélérée en augmentant la mobilité de surface des
espèces adsorbées, par exemple en augmentant la température du substrat.
- Les îlots deviennent des îles qui continuent à croitre, ne laissant que des trous ou des
canaux de faibles dimensions entre elles. Dans cette étape, la structure de la couche passe du
type discontinu au type poreux. Peu à peu, une couche continue se forme lorsque les trous et
les canaux se remplissent.
- On peut donc résumer le processus de croissance d'une couche mince en disant que c'est une
suite statistique de nucléation, puis une croissance par diffusion de surface et formation d‘îlots,
puis une formation d’îles de plus grandes dimensions, et enfin la formation d'une couche
continue par remplissage de trous entre ces îles.
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Mode Volmer-Weber (ou mode tridimentionnel 3D): De petits groupes d’atomes ou clusters
nucléent à la surface du substrat et croissent jusqu’à la coalescence pour former une couche
continue. Ce type de croissance se produit lorsque les éléments déposés ont plus d’affinité entre eux
qu’avec la surface du substrat.
Mode Frank Van Der Merwe ou 2D: La croissance se fait couche par couche. Ce type de croissance
se produit lorsque les liaisons entre les éléments déposés sont plus fortes avec le substrat.
Mode mixte Stranski Krastanov 2D et 3D: C’est une combinaison des 2 modes 2D et 3D. Après le
dépôt d’une ou de qques monocouches, la croissance change de mode et passe en 3D. Cette
transition 2D-3D est due à une libération d’une NRJ élastique emmagasinée dans la couche suite
à une différence de paramètre de maille entre le substrat et le film, qui causerait des défauts dans
le film.
a) Mécanismes élémentaires mis en jeu lors des tous premiers stades de croissance,
b) mode de croissance 3D ou Volmer-Weber, c) mode de croissance 2D ou Frank-van derMerwe
et d) mode de croissance mixte ou Stranski-Krastanov. 34
Dans la quasi-totalité des cas pratiques, la croissance de la couche se fait par formation
d‘îlots, puis d‘îles, puis d'une surface continue. Sauf dans les cas de conditions spéciales de
dépôts (température du substrat, nature et énergie des espèces incidentes, nature chimique du
substrat, caractéristiques du gaz ambiant,...), les orientations cristallographiques et les détails
topographiques des îlots sont distribués d'une façon aléatoire. Ceci signifie que, lorsque ces
îlots vont se rencontrer au cours du processus de croissance, des joints de grains et des défauts
et dislocations diverses vont être inclus dans la couche à la suite des désaccords de
configuration géométrique et d'orientation cristallographique.
D'autres causes peuvent engendrer des défauts dans les couches minces telles que:
- Une grande différence entre les paramètres de maille de la couche et ceux du substrat;
- La présence de contraintes importantes dans la couche;
- La prolongation dans la couche de dislocations présentes à la surface du substrat.
Le diagramme présenté par Thornton repose sur des observations effectuées sur des couches
métalliques déposées par pulvérisation, et présente les diverses microstructures qui dépendent
de la pression et de la température de dépôt.
La pression de dépôt caractérise le taux de collisions des particules qui arrivent sur la couche
en croissance et leur directivité (angle sous lequel les particules arrivent sur le film).
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Les morphologies du diagramme de Thornton présentent les caractéristiques suivantes :
- zone 2 (0,3 < T/Tfm< 0,5) : la largeur des colonnes est fixe
sur l’épaisseur de la couche, et les colonnes, organisées de
manière dense sont séparées par des joints de grains bien
définis(structure polycristalline). Les effets d’ombrage sont
très peu présents dans cette zone où la diffusion de surface Modèles schématiques de zones
est importante (morphologie de surface facettée). structurales pour la morphologiede
croissance de couches minces.
- zone 3 (T/Tm > 0,5) : la diffusion de surfacce étant
prépondérante dans cette zone, la recristallisation engendre
des grains qui ne sont plus colonnaires mais équiaxes
(grains équiaxes) . 37
Effet de la pression: La pression de dépôt joue sur l’énergie et les angles des particules
incidentes. A forte pression, le libre parcours moyen (λm) des particules diminue ce qui
correspond à un nombre plus important de collisions. Il se produit alors une perte d’énergie
des espèces incidentes et une augmentation de l’angle d’incidence des particules par rapport à
la normale au substrat. Cette perte d’énergie est responsable d’une baisse dans la mobilité des
adatomes, d’une moindre élévation de la température du film en croissance et d’une
augmentation des angles d’incidence entre la particule et le substrat, provoque l’obtention
d’effets d’ombrage.
Exercice: Prévoir les mécanismes et les conditions de croissance des films minces de la figure
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8- Influence des particules énergétiques
- Dégraissage chimique
Le nettoyage chimique permet d’éliminer les contaminations organiques telles que les
poussières, les graisses, les résines, et les oxydes qui se trouvent sur la surface du substrat.
Il s’opère sur deux bains de solvants organiques activés sous ultra-sons sur une durée qui
dépend de l’état du substrat.
Le premier nettoyage est généralement réalisé dans un bain d’acétone eau par fois dans des
dégraissants comme le di ou trichloréthylène et le second dans un bain d’éthanol pur).
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- Décapage ionique
Le décapage est un bombardement ionique in situ qui consiste à bombarder le substrat par des
ions de gaz neutre pour éliminer tout ce qui persiste après le nettoyage chimique et donne des
surfaces « propres » et très lisses. Le plus souvent, le nettoyage des surfaces métalliques se fait
par un plasma d’argon ou d’hydrogène.
- Polissage mécanique
Le polissage mécanique par abrasion s’effectue en deux étapes principales dans des conditions
métallographiques standard (le dégrossissage et le finissage). La première étape consiste à polir
grossièrement la surface sur des papiers sablés (en SiC) en rotation, à pouvoirs abrasifs
décroissants et en présence d’eau pour éviter l’échauffement du substrat.
Ce type de polissage permet d’éliminer qualitativement les impuretés qui adhèrent fortement
et résistent en particulier à une attaque chimique. Il permet aussi de supprimer des défauts de
surface. La seconde étape consiste à finir le polissage en frottant la surface sur des papiers de
feutre en rotation en présence d’alumine et de l’eau ou de la patte diamantée.
polisseuse
papiers abrasifs en SiC 43