Dispositifs

RF : Circuits et
Antennes
Exercices d’évaluation

PALLARD Simon / TASCONE Lucas
31/01/2020

Ce document est le rapport technique d'une série de travaux pratiques réalisés dans le
cadre de la formation ETN de Polytech et plus précisément au sein de l'enseignement
dispositifs radiofréquences
Table des matières

Table des matières .................................................................................................................... 2
Table des figures ....................................................................................................................... 3
Introduction .............................................................................................................................. 4
I. Partie circuit ....................................................................................................................... 5
I.1 Amplificateur à gain maximum ......................................................................................... 5
I.2 Amplificateur faible bruit ................................................................................................ 14
I.3 Oscillateur à rétroaction positive ................................................................................... 18
II. Partie antenne ................................................................................................................. 21
II.1 Antenne filaire ............................................................................................................... 21
II.2 Antenne imprimée ......................................................................................................... 34
III. Caractérisation d’un substrat ...................................................................................... 45
CONCLUSION ........................................................................................................................... 47
Annexe .................................................................................................................................... 48

2

Table des figures

Figure 1 Programme de la fonction f_CoefficientFresnel .... Erreur ! Le signet n’est pas défini.
Figure 2 Programme Main_CoefficientFresnel question A.1 2)Erreur ! Le signet n’est pas
défini.
Figure 3 Coefficient de réflexion en polarisation TE et TM en fonction de l'angle théta pour n
= 1.5 ...................................................................................... Erreur ! Le signet n’est pas défini.
Figure 4 Définition des paramètres ...................................... Erreur ! Le signet n’est pas défini.
Figure 5 Programme pour calculer les coefficients de réflexion de Fresnel en polarisation
verticale en fonction de théta pour les deux natures .......... Erreur ! Le signet n’est pas défini.
Figure 6 Comparaison des modules des coefficients de réflexion de Fresnel en polarisation
verticale ................................................................................ Erreur ! Le signet n’est pas défini.
Figure 7 Figure 6 Comparaison des modules des coefficients de réflexion de Fresnel en
polarisation verticale ............................................................ Erreur ! Le signet n’est pas défini.
Figure 8 Programme de la fonction f_EffetSol ..................... Erreur ! Le signet n’est pas défini.
Figure 9 Programme pour le test de la figure 3.4 ................ Erreur ! Le signet n’est pas défini.
Figure 10 r en fonction de la hauteur du recepteur h2 et pour h1 = 50m, d=10km et f=300mHz
.............................................................................................. Erreur ! Le signet n’est pas défini.
Figure 11 Prgramme pour le test de la figure 3.5 ................. Erreur ! Le signet n’est pas défini.
Figure 12 Validation de la figure 3.5 .................................... Erreur ! Le signet n’est pas défini.

3

Introduction

Dans le monde numérique dans lequel nous vivons, partout autour de nous, des
dispositifs hautes fréquences sont utilisés. Ainsi, le module radiofréquences, circuits et
antennes se propose d’apporter des connaissances théoriques mais aussi expérimentales de
ces systèmes HF et d’en connaître les principales architectures.
Notre rapport s’articulera autour de 2 grandes catégories, d’une part, les circuits et
d’autres parts, les antennes.
Enfin, par l’intermédiaire de ce travail, nous espérons acquérir les principales démarches
de conception de circuits passifs ou actifs, tout en développant nos compétences sur les
plateformes CAO haute fréquence (ADS, HFSS).

4

 I. Partie circuit

Dans cette première partie on cherche à concevoir 3 circuits hautes fréquences, à savoir ;
- Un amplificateur à gain maximum,
- Un amplificateur faible bruit,
- Un oscillateur à rétroaction positive

Pour l’ensemble de ces circuits nous présenterons les calculs théoriques qui mèneront
à une simulation en ligne idéale avant de passer à la simulation finale en ligne micro ruban. Il
est à noter que dans l’ensemble du projet notre fréquence d’étude est de 3,2 GHz.

I.1 Amplificateur à gain maximum

Notre amplificateur s’articulera autour du transistor AT-41485 qui est un amplificateur
faible bruit pouvant fonctionner pour des fréquences allant jusqu’à 6GHz. Dans un premier
temps, il est nécessaire de déterminer la polarisation du transistor qui permet d’obtenir un
gain maximal.

• Polarisation du transistor
D’après le cahier des charges, on dispose d’une alimentation 12V. On cherche à
déterminer la valeur des résistances ; R1, R2, Re et Rc présentées sur le schéma ci-dessous.

Figure 1 Schéma de polarisation d'un transistor

5

 On se propose de présenter la polarisation avec Ic = 25mA. En considérant que Ie = Ic (on
néglige le courant Ib), et grâce à la datasheet, on détermine que Vce = 8V.
- Cas où Ic = 25mA
𝑉" = 12 − (𝑉") + 𝑉) ) = 12 − (8 + 2) = 2𝑉
𝑉. 2
𝑅) = 𝑅" = = = 80 𝑜ℎ𝑚𝑠
𝐼𝑐 0,025

𝑉89 = 𝑉:) + 𝑉) = 2 + 0,7 = 2,7𝑉
On récupère la valeur de hfe dans la documentation : hfe = 150
>. >. 9DEF
ℎ𝑓𝑒 = soit 𝐼𝑏 = = ≈ 0,2𝑚𝐴
>? ABC GDH

On pose : 𝐼1 = 10𝐼𝑏 = 𝐼2 = 2𝑚𝐴, on néglige une nouvelle fois le courant Ib

𝑉8G 9,3
𝑅1 = = = 4650 𝑜ℎ𝑚𝑠
𝐼1 2 ∗ 10NO
𝑉89 2,7
𝑅2 = = = 1350 𝑜ℎ𝑚𝑠
𝐼2 2 ∗ 10NO

Ainsi, nous savons désormais la polarisation qui permet d’obtenir un gain maximum, on
peut donc commencer la conception de notre amplificateur.

• Etude théorique
Tout transistor est représenté par sa matrice S. L’ensemble des paramètres de notre AT-
41485 sont donnés dans les tableaux ci-dessous.

6


Figure 2 Paramètres S de l'AT_41485

D’après le cours de HF, en entrée, le transistor présente un coefficient de réflexion égal à

S’11, en sortie, un coefficient de réflexion égal à S’22 avec ;

Pour obtenir le maximum de gain, il faut adapter le transistor en entrée et en sortie. Ainsi S’11
doit être adapté à l’impédance du générateur et S’22 doit être adapté à l’impédance de la
charge. C’est seulement dans ces conditions que le gain obtenu sera maximum ;

7

Ainsi, on en déduit un système d’équation à 2 inconnus pour S’11 et S’22 :

On peut à présent calculer nos coefficients S’11 et S’22 ;

Enfin, c’est par l’intermédiaire du calcul de S’11 et S’22 que nous pouvons en déduire
le MAG (Maximum of Gain) comme présenté sur la formule ci-dessous.

Dans l’optique de pouvoir designer un amplificateur à gain maximum avec n’importe quel
transistor, nous avons décidé de réaliser un script Matlab pour automatiser le calcul. Vous
pouvez d’ailleurs le retrouver en annexe. Après avoir entré les paramètres S du transistor le
script nous renvoie la valeur théorique du gain maximum. Dans notre cas on obtient un gain
max de 12.01dB.

Figure 3 Calculs des paramètres de l'amplificateur à gain maximum

8

 Le gain théorique à présent connu, il peut être intéressant de regarder les conditions de
stabilité de notre transistor. En effet, pour certaines valeurs de charge en sortie, le module du
coefficient de réflexion en entrée d'un amplificateur peut être supérieur à un. Des oscillations
peuvent apparaître et le fonctionnement en amplificateur devient impossible. Si la condition
de stabilité est satisfaite pour toutes valeurs de GL, le transistor est dit « inconditionnellement
stable ». Ceci peut être vérifié par le test suivant :

Ainsi, après l’application numérique on obtient ;

𝑘 = 1.16 𝑒𝑡 𝑎𝑏𝑠 𝑑𝑒𝑙𝑡𝑎 = 0.078

Notre transistor est alors inconditionnellement stable pour nos conditions d’utilisation.
Avant de passer à la partie simulation, il nous reste à déterminer la longueur des stubs en
effectuant l’adaptation en entrée et en sortie. Avec ;
Y
𝑆GG = −0,6763 − 𝑖0,4673 = 0,82𝑒 N[G\D
Y
𝑆99 = 0,5112 + 𝑖0,4856 = 0,704𝑒 [\O,D\
Pour déterminer ces longueurs caractéristiques nous avons utilisé la méthode
d’adaptation avec l’Abaque de Smith vue en cours l’année dernière. Après avoir effectué les
adaptations, nous avons obtenu;
- L1_STUB = 0.302 lambda
- L1 = 0.409 lambda
- L2 = 0.127 lambda
- L2_STUB = 0.32 lambda
La longueur des stubs étant à présent connue, nous pouvons passer à la simulation en
ligne idéale sous ADS.

• Lignes idéales
Notre amplificateur à gain max a été créé sur la figure ci-dessous ;

9


Figure 4 Schéma de l'amplificateur à gain maximal en lignes idéales

Nous avons ensuite dû ajuster très légèrement la dimension de nos stubs grâce à un
Tuning. La simulation associée est présentée ci-dessous :

Figure 5 Résultat de l'amplificateur à gain maximal en lignes idéales

On note que le gain est de 11.776 dB. Comparer au gain théorique calculé (12.01dB pour
rappel) ce résultat est donc cohérent, de plus, si on regarde la courbe du gain on s’aperçoit
que l’on se trouve bien au point maximum. Enfin, on peut aussi noter que nos coefficients de
réflexion en entrée et en sortie ont des valeurs respectives de -15.6 dB et -18.3 dB ce qui nous
permet d’affirmer que notre transistor est correctement adapté.
La simulation en ligne idéale étant convenable il est temps de passer en ligne micro ruban.

10

 • Lignes micro-ruban
Pour passer des lignes idéales aux lignes micro ruban nous allons utiliser l’outil LigneCalc
présent au sein d’ADS. Cet outil permet de calculer la longueur des lignes micro ruban en
fonction de notre fréquence de fonctionnement, les caractéristiques du substrat utilisé,
l’impédance de la ligne souhaitée et enfin, la valeur de la longueur effective.
Après avoir utilisé ligneCalc pour l’ensemble de nos lignes on obtient les longueurs micro
ruban suivantes :
- L1_STUB : W = 2.58 mm L = 16.027 mm
- L1 : W = 2.58 mm L = 18.046 mm
- L2 : W = 2.58 mm L = 4.676mm
- L2_STUB : W = 2.58 mm L = 18,04mm
Après avoir réalisé le schéma sous ADS nous avons procédé à une étape d’optimisation.
Cette fonction d’optimisation permet d’établir des GOALS (par exemple gain maximum).
Ensuite le logiciel va faire varier les paramètres définis (dans notre cas la longueur des lignes
pour essayer de converger vers la solution qui atteint les GOALS. Ainsi il est assez aisé
d’optimiser nos longueurs de ligne pour avoir le gain maximum. Le schéma ainsi que le résultat
de la simulation sont présentés ci-dessous. On notera que des lignes d’accès 50 ohm ont été
ajoutées. Ces dernières permettent juste de souder les connecteurs et ont été désignées pour
qu’elles n’aient pas d’influence sur le circuit.

Figure 6 Schéma de l'amplificateur à gain maximal en lignes micro ruban

11


Figure 7 Résultat de l'amplificateur à gain maximal en lignes micro-ruban

De même qu’en ligne idéal, on a un gain (certes très légèrement plus faible) qui reste
très proche du gain théorique calculé. On remarque que l’adaptation est également correcte.
Il nous reste alors à rajouter les filtres de polarisation. Ils sont constitués des lignes
quart d’onde haute impédance suivie des lignes quart d’onde basse impédance. Le schéma et
la simulation finale sont présentés ci-dessous ;

Figure 8 Schéma de l'amplificateur à gain maximal en lignes micro ruban avec les filtres de polarisation

12


Figure 9 Résultat de l'amplificateur à gain maximal en lignes micro ruban avec les filtres de polarisation

On retrouve des meilleurs résultats avec les filtres dépolarisation et les raccordements
en T. En effet, on note un gain max presque identique à celui théorique. De même pour les
adaptations en entrée et sortie, les valeurs sont inférieures à celles de la partie précédant.
Nous pensons que l’outil optimisation à mieux fonctionné car au niveau du GOAL souhaité
nous l’avons limité dans la bande de fréquence 3.2 GHz à 3.2GHz ainsi la résolution a été
supérieur que dans l’optimisation précédente.
Pour finir, nous avons généré le layout de notre amplificateur. C’est grâce à ce layout
que nous pourrions lancer la création du circuit imprimé correspondant.

Figure 10 Layout de l'amplificateur à gain maximal

13

 Nous avons ainsi réalisé le processus d’un ingénieur radio fréquence qui passe de
l’étude théorique à la génération d’un layout utile pour la fabrication.

I.2 Amplificateur faible bruit

Dans cette partie on cherche à concevoir un amplificateur LNA. La démarche suivis sera
la même que précédemment.

• Polarisation

Figure 11 Schéma de polarisation d'un transistor

- Pour un faible bruit on a Ic = 10 mA

𝑉" = 12 − (𝑉") + 𝑉) ) = 12 − (8 + 2) = 2𝑉
𝑉. 2
𝑅) = 𝑅" = = = 200 𝑜ℎ𝑚𝑠
𝐼𝑐 0,010
On récupère la valeur de hfe dans la documentation : hfe = 150
>. >. GHEF
ℎ𝑓𝑒 = soit 𝐼𝑏 = = ≈ 66,6𝑢𝐴
>? ABC GDH

On pose : 𝐼1 = 𝐼2 = 0.66𝑚𝐴, on néglige une nouvelle fois le courant Ib

𝑉8G 9,3
𝑅1 = = = 14030 𝑜ℎ𝑚𝑠
𝐼1 0.66 ∗ 10NO
𝑉89 2,7
𝑅2 = = = 4091 𝑜ℎ𝑚𝑠
𝐼2 0.66 ∗ 10NO

14

 • Etude théorique
Dans l’optique d’obtenir un faible bruit, il faut que le générateur ait l’impédance
optimale vis-à-vis du bruit c’est-à-dire :

Ainsi, en entrée, il faut adapter Gamma opt et en sortie S’22.
Pour déterminer S’22 on utilise le script Matlab. Après calcul on a :

Figure 12 Calcul de S'22 de l'amplificateur faible bruit

De même que précédemment pour réaliser nos adaptations en entrée et en sortie on utilise
un Abaque de smith. On obtient ainsi ;
- L1_STUB = 0.11 lambda
- L1 = 0.058 lambda
- L2 = 0.139 lambda
- L2_STUB = 0.15 lambda

• Lignes idéales
Le schéma et la simulation en ligne idéale sont donnés ci-dessous ;

Figure 13 Schéma de l'amplificateur faible bruit en lignes idéales

15


Figure 14 Résultat de l'amplificateur faible bruit en lignes idéales

On remarque dans un premier temps que le gain est beaucoup plus faible que précédemment.
En effet, il est simultanément impossible d'obtenir à la fois le facteur de bruit le plus faible et
le gain le plus élevé. Pour les LNA on « sacrifie » généralement le gain pour le facteur de bruit
optimal. Notre facteur de bruit est en l’occurrence égal à 2.480dB. D’après la datasheet de
notre transistor, on pouvait s’attendre à avoir un facteur de bruit compris entre 1.7 et 3dB.
Ainsi, on peut affirmer que notre facteur de bruit en simulation est acceptable.

Figure 15 Facteur de bruit de l'AT-41485 de la documentation

• Lignes micro-ruban
De même que précédemment, on utilise l’outils LigneCalc pour calculer la longueur des lignes.
- L1_STUB : W = 2.54 mm L = 5.1 mm
- L1 : W = 2.54 mm L = 2.68 mm
- L2 : W = 2.54 mm L = 6.44 mm
- L2_STUB : W = 2.54 mm L = 7.023mm
Nous avons directement designer le montage avec les lignes micro ruban, les lignes d’accès et
de polarisation. Le schéma et le résultat de la simulation sont présentés ci-dessous.

16


Figure 16 Schéma de l'amplificateur faible bruit en lignes micro-ruban

Figure 17 Résultat de l'amplificateur faible bruit en lignes micro-ruban

Le facteur de bruit est légèrement plus élevé mais reste acceptable d’après la datasheet.
Pour finir, nous avons généré le layout.




17


Figure 18 Layout de l'amplificateur faible bruit

I.3 Oscillateur à rétroaction positive

Pour ce circuit on cherche à concevoir un Oscillateur à rétroaction positive. Il s’agit
d’un système bouclé qui génère un signal sinusoïdal en l’absence de signal d’entrée. Le schéma
de principe est présenté ci-dessous.

Figure 19 Schéma de l'oscillateur à rétroaction positive

18

 Pour réaliser ce circuit, on repart du schéma de notre amplificateur à gain maximum.
Le but va être de trouver la longueur de la ligne qui annule le déphasage. Dans notre cas la
ligne qui annule le déphasage se caractérise comme :
W = 2.54 et Ladapt = 18.1 mm
Cette longueur étant trop petite pour reboucler, on va pouvoir la rallonger avec des
lignes qui n’influencent pas la phase c’est-à-dire de lambda. Avec ligneCalc nous avons pu
déterminer la ligne microstrip qui va nous servir de « rallonge » sans changer la phase. Ainsi
on :
W = 2.54 et L = 46.35 mm
Il suffit alors de jouer avec nos lignes rallonge de part et d’autre afin de reboucler
correctement sur le point de raccordement comme présenté sur le layout ci-dessous.

Figure 20 Layout de l'oscillateur à rétroaction positive

On voit sur notre laytout le bouclage est correcte, cependant il reste à vérifier que
notre phase est bien nulle. La simulation et le circuit sont présentés ci-dessous.

19


Figure 21 Schéma de l'oscillateur à rétroaction positive

Figure 22 Résultat de l'oscillateur à rétroaction positive

À notre fréquence de fonctionnement on a bien une phase quasi nulle. On peut donc
conclure que notre oscillateur à rétroaction positive a été correctement designé.

20

 II. Partie antenne

II.1 Antenne filaire

• Etude théorique :
^
Si on considère l’antenne dipôle de longueur suivante :
9

Figure 23 Schéma de principe d'une antenne dipôle

Alors les champs rayonnés sont égaux à :

Et le diagramme de rayonnement :

Figure 24 Diagramme de rayonnement théorique d'une antenne dipôle

21



La fréquence F1 est fixée à 4GHz. On en déduit :
𝐶 3 ∗ 10a
𝜆= = = 75𝑚𝑚
𝑓 4 ∗ 10b
La longueur de l’antenne est par conséquent 37,5mm.

• Simulation
- Mise en place
Une antenne dipôle est une antenne filaire résonnante. Elle est composée de deux cylindres
de même dimension. On cherche une longueur totale de lambda/2, soit deux cylindres de
longueur lambda/4.
Le gap entre les deux brins et le rayon des cylindres sont donnés dans le cahier des charges et
sont égaux à lambda/1000.
Sur HFSS il faut ensuite modifier le matériau des cylindres puisque « vacuum » correspond au
vide. Les antennes sont ici des conducteurs, on prendra « pec ».

- Définition de l’environnement de test
Pour la définition de l’environnement de test, on prend un cylindre avec un écart de lambda/4
en tout point par rapport à l’antenne, ce qui donne les dimensions suivantes :
λ/
4

λ/
4

λ/2,
λ
longueur

de


λ/

4

Figure 25 Environnement de test de l'antenne dipôle seule

L’intérieur de ce cylindre est du vide, « vacuum », pour la bonne propagation des ondes. De
plus il faut définir dans les radiations qu’il n’y a pas de réflexion.

22

 - Excitation de l’antenne
Rectangle en « pec » entre les deux cylindres qui composent l’antenne, de longueur 2/lambda
pour qu’il couvre le diamètre du cylindre.
Ensuite il faut le régler en tant que qu’excitation sur HFSS. Le schéma ci-dessous n’est pas à
l’échelle.
λ/100
0

λ/4


λ/100
0

λ/4

Figure 26 Création de l'antenne dipôle

- Paramètres de simulation
On fixe l’impédance d’entrée à 75 ohms puisqu’il s’agit d’une antenne résonnante. On fixe
également notre fréquence de fonctionnement dans les paramètres de HFSS, ici 4GHz ainsi
que la bande de fréquence de simulation qui est de 2,5GHz à 5,5GHz.
Pour les simulations de rayonnement, on fixe l’angle phi à 0 et on fait varier l’angle thêta de 0
à 360°.

- Résultats de la simulation de l’antenne seule
On obtient les résultats suivants :
Paramètre S11

23


Figure 27 Paramètre S11 de l'antenne dipôle seule

Grâce au paramètre S11, qui est le coefficient de réflexion à l’entrée de l’antenne, on peut
facilement déterminer la bande passante de l’antenne. Cette bande correspond à la bande où
le paramètre S11 et inférieur à -10dB. La bande passante de l’antenne est de 3,68GHz à
4,07GHz.

Impédance d’entrée

Figure 28 Impédance d'entrée de l'antenne dipôle seule

24




Diagramme de rayonnement en 3D.

Figure 29 Diagramme de rayonnement 3D de l'antenne dipôle seule

Diagramme de rayonnement en 2D

Figure 30 Diagramme de rayonnement 2D de l'antenne dipôle seule

Grâce au diagramme de rayonnement en 2D, il est possible de connaitre l’angle d’ouverture à

-3dB. Ici l’angle d’ouverture est égal à 92°.

25

 - Analyse des résultats
La bande de fréquence n’est pas centrée sur notre fréquence de fonctionnement, elle contient
cependant cette fréquence et la taille de la bande est cohérente.
Dans la simulation, on indique une impédance de 75ohms, c’est cette valeur que l’on cherche
à retrouver. Ici l’impédance d’entrée est égale à 73ohms ce qui est un résultat satisfaisant.
La forme diagramme en 3D est celle attendue pour une antenne dipôle. L’angle d’ouverture à
-3dB est exactement le même pour les thêta positif et négatif.
- Ajout d’un fil
On souhaite ajouter un fil de longueur lambda /2 parallèle à l’antenne à une distance
lambda/4.
λ/100
0

λ/4


λ/100 λ/2

0

λ/4


λ/4
Figure 31 Ajout du fil à une longueur lambda/4

Ce fil a pour but de perturber l’antenne filaire que nous venons de réaliser. Nous allons
maintenant réaliser les mêmes tests que précédemment afin de voir les changements
qu’implique ce fil sur notre antenne.

- Nouvel environnement de test
Cette fois l’environnement de test est un pavé droit, avec une nouvelle fois un écart de
lambda/4 de tous les côtés.

26




λ/100
0

λ/4

λ

λ/100 λ/2
0
λ/
λ/2
4

λ/4

3λ/4

Figure 32 Nouvel environnement de test pour le fil a distance lambda/4

- Résultats de la simulation de l’antenne avec un fil à distance lambda / 4
Paramètre S11

Figure 33 Paramètre S11 de l'antenne avec un fil à distance lambda/4

La bande de fréquence est désormais compris entre 3,65GHz et 3,9GHz.

27

Impédance d’entrée

Figure 34 Impédance d'entrée de l'antenne avec un fil à distance lambda/4

Diagramme de rayonnement 3D

Figure 35 Diagramme de rayonnement en 3D de l'antenne avec un fil à distance lambda/4

28


Diagramme de rayonnement 2D

Figure 36 Diagramme de rayonnement en 2D de l'antenne avec un fil à distance lambda/4

- Analyse des résultats.

Le rajout du fil détériore grandement les performances de l’antenne dipôle. La bande de
fréquence ne contient plus notre fréquence de fonctionnement (4GHz pour rappel).
L’impédance d’entrée qui est censée être de l’ordre de 75 ohms et égale à 94ohms.
Les diagrammes de rayonnement montrent directement l’influence du fil. Sur celui en 3D, la
forme est la même mais on se rend compte que la puissance est plus faible. Sur celui en 2D,
on se rend compte que l’angle d’ouverture à -3dB est plus grand pour les thêtas négatifs (sans
le fil) avec un angle de 120° et qu’il est nul pour les thêtas positifs (présence du fil).

- Eloignement du fil
Le fil est toujours présent en plus de l’antenne mais est maintenant à une distance de lambda
/ 2 au lieu de lambda / 4. Ce qui donne l’environnement suivant :

29





λ/100
0

λ/4
λ
λ/100 λ/2
0

λ/
λ/2
4
λ/2

λ/4
Figure 37Nouvel environnement de test pour le fil a distance lambda/2

- Résultats de la simulation de l’antenne avec un fil à distance lambda / 2
Paramètre S11

Figure 38 Paramètre S11 de l'antenne avec un fil à distance lambda/2

30

La bande de fréquence est comprise entre 3,6GHz et 4,06 GHz.
Impédance d’entrée :

Figure 39 Impédance d'entrée de l'antenne avec un fil à distance lambda/2

Diagramme de rayonnement en 3D

Figure 40Diagramme de rayonnement en 3D de l'antenne avec un fil à distance lambda/2

31



Diagramme de rayonnement en 2D

Figure 41 Diagramme de rayonnement en 2D de l'antenne avec un fil à distance lambda/2

Diagramme de rayonnement 3D avec la disposition de l’antenne et du fil

Figure 42 Diagramme de rayonnement en 3D de l'antenne avec un fil à distance lambda/4 avec emplacement de l'antenne

32

 - Analyse des résultats
La distance entre le fil et l’antenne, le fil devient moins gênant et les performances globales
de l’antenne son meilleures, même si elles n’atteignent pas les performances de l’antenne
seule. La bande de fréquence contient à nouveau la fréquence de fonctionnement.
L’impédance d’entrée, égale à 83ohms, se rapproche de l’impédance voulue.
On observe moins de difformité sur le diagramme de rayonnement en 3D. L’angle d’ouverture
à -3dB est maintenant égal à 66° en direction du fil (contre 0° pour le cas précédent), il s’agit
d’une nette amélioration ; tandis qu’il est égal à 114° dans l’autre direction.
Il est également intéressant de replacer le diagramme de rayonnement de l’antenne
directement sur le schéma. On peut observer un gonflement en direction du fil.

33

II.2 Antenne imprimée
• Etude théorique
On s’intéresse maintenant au cas d’une antenne imprimée. Dans notre cas il s’agit d’une
antenne imprimée rectangulaire (patch) sur un substrat avec : εr qui est fixé à 3,5 ; h=1,5mm ;
t=0,035mm. On souhaite adapter l’impédance d’entrée de cette antenne à 50Ω à l’aide d’une
ligne quart d’onde.
La première étape est de calculer les dimensions de l’antenne imprimée. Il nous faut donc
calculer la longueur (L) et la largeur(W) du patch :
𝐶 3 ∗ 10GG
λH = = = 75𝑚𝑚
𝑓 4 ∗ 10b
g g
N N
λH 𝜀f + 1 h 75 3,5 + 1 h
𝑊= = = 25𝑚𝑚
2 2 2 2
g g
N N
𝜀f + 1 𝜀f − 1 10ℎ h 3,5 + 1 3,5 − 1 10 ∗ 1,5 h
𝜀CBB = + 1+ = + 1+ = 3,24
2 2 𝑊 2 2 25
j
𝜀CBB + 0,3 + 0.262
A
Δ = 0,412ℎ ∗ j
= 0,71
𝜀CBB − 0.258 + 0,813
A

λH
𝐿= − 2Δ = 19,4 𝑚𝑚
2 𝜀CBB

On connait maintenant les dimensions du patch :

L= 19,4mm



W 25mm

Figure 43 Dimensions du patch de l'antenne imprimée

Il faut maintenant calculer l’impédance de l’antenne pour générer la ligne d’adaptation quart
d’onde :
m∗j qA h
𝐺= 1+ avec 𝑘 = 2π/λH et 𝜂 = 120𝜋
n∗op 9\

34

 9m 9
𝜋 ∗ 25 ∗ 1,5
vD
𝐺= 1+ = 2,78 ∗ 10NO 𝑆
120𝜋 ∗ 75 24

1 1
𝑅𝑖 = = = 180𝑜ℎ𝑚𝑠
2𝐺 2,78 ∗ 10NO
On souhaite adapter à 50 ohms. L’impédance de ligne doit donc être égale à :

𝑍𝑐 = 180 ∗ 50 = 94,87𝑜ℎ𝑚𝑠

• Partie simulation

- Mise en place
Nous venons de calculer les dimensions du patch. Il faut maintenant calculer les dimensions
de la ligne quart d’onde. De la même manière que pour la partie circuit, nous utilisons l’option
LineCalc du logiciel ADS. En effet nous avons précédemment calculé l’impédance de la ligne,
il suffit de rentrer les paramètres. On obtient les longueurs suivantes : W = 0,935 mm et L =
11,78 mm.
Il faut lui ajouter le substrat. H correspond à l’épaisseur du substrat et t à l’épaisseur du
patch :
z


Patch
Ligne quart d’onde

Subtrat
Ligne d’accès

Plan de masse
Figure 44 Mise en place de l'antenne imprimée

Les longueurs ne sont pas spécifiées sur la figure ci-dessus. Les dimensions du patch et de la
ligne quart d’onde sont déjà connues. Les dimensions du substrat sont les mêmes que celles
o o
du patch, avec un ajout de p de chaque côté. Cependant une longueur p est supérieure à la
\ \
la longueur L de la ligne quart d’onde. On ajoute par conséquent une ligne d’accès pour que
la ligne rejoigne le bout du substrat. Les dimensions sont les suivantes :

35

 ð W = 3,5 (valeur prise par déduction puisque notre 𝜀f est située entre celui de l’epoxy
et du téflon)
ð L = fixer pour compenser
Le patch, la ligne d’accès, la plan de masse et la ligne quart d’onde sont en « pec » (perfect
electrical conductor). Nous avons créé le matériau du substrat avec notre 𝜀f de
fonctionnement soit 3,5.
- Environnement de test
o
L’environnement de test est de nouveau un pavé droit, avec un écart de p de tous les côtés.
\

- Excitation de l’antenne
Pour exciter cette antenne, nous allons placé un « wave port », au bout de la ligne d’accès.
On fixe sa dimension en fonction de la largeur de la ligne d’accès et de l’épaisseur du substrat.
Pour cela on va créer deux variables : a et b. Les dimensions du port sont alors égales à :
W = a*Wacces et L = b*e_substrat
On fixe alors : a = 5 et b = 3.
On obtient le shéma suivant :

Figure 45 Création sous HFSS de l'antenne imprimée ainsi que de l'excitation

36


- Paramètres de simulation
On fixe l’impédance d’entrée à 50 ohms puisqu’il c’est l’impédance à laquelle on souhaite
adapter. On fixe également notre fréquence de fonctionnement dans les paramètres de HFSS,
ici 4GHz ainsi que la bande de fréquence de simulation qui est de 2,5GHz à 5,5GHz.
Pour les simulations de rayonnement, on fait varier l’angle phi à 0 à 180° et l’angle thêta de -
180° à 180°.
- Résultat des simulations
Paramètre S11

Figure 46 Paramètre S11 de l'antenne imprimée seule avant adaptation

On se rend compte grâce au marqueur que la fréquence pour laquelle l’antenne fonctionne
est 3,88GHz. Pour recentrer l’antenne vers notre fréquence de fonctionnement, nous allons
jouer sur la longueur du patch, avec un produit en croix :
3,88
= 95%
4
3,88
𝑁𝑒𝑤𝐿 = 𝐿 = 0,95𝐿{|}.A = 18,7𝑚𝑚
4 {|}.A
En changeant la longueur du patch on obtient :

37


Figure 47 Paramètre S11 de l'antenne imprimée seule après adaptation

La bande passante comprend maintenant notre fréquence de fonctionnement. La bande est

maintenant : 3,98GHz ; 4,04GHz.

Impédance d’entrée

Figure 48 Impédance d'entrée de l'antenne imprimée seule avant adaptation

38

On voit que l’impédance d’entrée, qui est supposée 50 ohms, n’est pas du tout adapté. Pour
l’adapter, nous allons jouer sur la largeur de la ligne quart d’onde. Par tâtonnement on trouve :
W_quart = 0,5mm
L’impédance est maintenant :

Figure 49 Impédance d'entrée de l'antenne imprimée seule après adaptation

L’impédance d’entrée n’est pas exactement égale à 50 ohms mais l’impédance est
satisfaisante avec une valeur de 52,9ohms à 4,037GHz.
En retraçant le paramètre S11 après l’adaptation de la ligne pour régler l’impédance d’entrée,
on se rend compte que le coefficient de réflexion en entrée est bien plus performant : la bande
est un peu augmentée et l’atténuation est plus forte.

Figure 50 Paramètre S11 de l'antenne imprimée seule après adaptation de Ze

39

Diagramme de rayonnement en 3D

Figure 51 Diagramme de rayonnement en 3D de l'antenne imprimée seule

Diagramme de rayonnement en 2D

Figure 52 Diagramme de rayonnement en 2D de l'antenne imprimée seule

40

Les deux tracés correspondent au champ E et H. Le champ E est le champ qui est développé
lorsque l’angle phi = 90° (tracé violet). Le champ H est le champ qui se développe lorsque phi
= 0° (tracé rouge).
On en déduit que l’angle d’ouverture du plan H est 146° et que celui du plan E est 195°.
On remarque d’ailleurs que l’angle est centré en thêta = 0°.
- Ajout du patch au-dessus
On ajoute au-dessus du patch un second patch de dimension 10% plus petite à une distance
lambda/4.
Ce patch a pour but de perturber l’antenne imprimée que nous venons de réaliser. Nous allons
maintenant réaliser les mêmes tests que précédemment afin de voir les changements
qu’implique ce patch sur notre antenne.

- Nouveau schéma
Avec l’ajout du patch, le schéma est le suivant :

Figure 53 Ajout du second patch

41

Avec cette vue du dessus, on remarque facilement que les dimensions sont 10% plus petites.
Les paramètres de simulation sont les mêmes.
- Résultat des simulations
Paramètre S11

Figure 54 Paramètre S11 de l'antenne imprimée avec second patch

La bande passante est maintenant : 3,99GHz ; 4,05GHz.

Impédance d’entrée

Figure 55 Impédance d'entrée de l'antenne imprimée avec second patchh

L’impédance d’entrée est égale à 38ohms à 4,05GHz.

42

Diagramme de rayonnement en 3D

Figure 56 Diagramme de rayonnement en 3D de l'antenne imprimée avec second patch

Diagramme de rayonnement en 2D

141°

160°

Figure 57 Diagramme de rayonnement en 2D de l'antenne imprimée avec second patch

On en déduit que l’angle d’ouverture du plan H est 141° et que celui du plan E est 160°.

43

 - Analyse des résultats
La bande passante est aussi grande que précédemment, cependant notre fréquence de
fonctionnement est à peine comprise dans la bande passante et l’atténuation est bien moins
bonne qu’après avoir régler notre impédance d’entrée.
L’impédance d’entrée n’est plus celle souhaitée, avec une impédance de 38 ohms.
On voit facilement des difformités au niveau du diagramme de rayonnement en 3D dû à l’ajout
du patch. Les angles d’ouverture à -3dB des champs E et H sont plus faibles que
précédemment.
L’ajout du patch réduit les performances de l’antenne imprimée mais n’a pas autant d’impact
que l’ajout du fil lors des tests de l’antenne filaire.

44

 III. Caractérisation d’un substrat

On souhaite caractériser le substrat, c’est-à-dire déterminer la constante diélectrique relative
𝜀f et la tangente de perte tan (Δ).
Ce substrat est inclus dans une ligne micro ruban de largeur w = 1mm et de longueur l=200mm.
L’épaisseur du substrat est h=1,6mm. La ligne est chargée par une résistance R=50ohms à son
extrémité. La courbe S11 nous a été donné.
On sait que (La démonstration est disponible dans le dans le polycopié de cours de la partie
circuit) :
𝑉 = 2𝐿(𝐹2 − 𝐹1)
Avec L la longueur de la ligne (200mm) et F1 et F2 deux fréquences de valeurs minimales de
S11 consécutives. Avec les marqueurs m1 et m2, on a les fréquences : F1 = 2,86 GHz et F2 =
3,43GHz.
𝑉 = 2 ∗ 0,2 3,43 − 2,86 ∗ 10b = 2,28 ∗ 10a 𝑚/𝑠
9 9
𝐶 3
𝜀fCBB = = = 1,73
𝑉 2,28
g
N
𝜀f + 1 𝜀f − 1 10ℎ h
𝜀fCBB = + 1+
2 2 𝑊
Soit :
GHA Ng
2𝜀fCBB − 1 + (1 + ) h
j
𝜀f = g
GHA Nh
1+ 1+
j

GH∗G,‚ Ng
2 ∗ 1,73 − 1 + (1 + ) h
G
𝜀f = g = 2,18
GH∗G,‚ Nh
1+ 1+
G

On pose :
1 𝑍𝑐 1 − 𝜌
𝛼 = 𝑡ℎNG
𝐿 1+𝜌

On dispose de 2 marqueurs : un à la fréquence 3,14GHz où 𝜌 = 0,619 et un à la fréquence

3,72GHz où 𝜌 = 0,61
1 50 1 − 0,619
𝛼G = 𝑡ℎNG = 7.43
0,2 1 + 0,619

1 50 1 − 0,61
𝛼9 = 𝑡ℎNG = 7.4421
0,2 1 + 0,61

45

On en déduit deux valeurs de tan 𝛥 :
𝛼∗𝐶
tan 𝛥 =
𝜋𝐹 𝜀fCBB

𝛼G ∗ 3 ∗ 10a
tan Δ G = = 0,1717
𝜋 ∗ 3,14 ∗ 10b ∗ 1,73
𝛼G ∗ 3 ∗ 10a
tan Δ 9 = = 0.1720
𝜋 ∗ 3,72 ∗ 10b ∗ 1,73

46

CONCLUSION

Bien que nous n’ayons pas eu le temps de faire le circuit oscillateur à résistance
négative, l’ensemble de ce projet s’est révélé très formateur. En effet, nous avons pu mettre
en images les formules du cours. De plus, cela nous a aussi formé dans la démarche d’un
ingénieur radio, à partir des spécifications données nous avons pu élaborer une stratégie de
conception d’antenne et les simulé pour observer leur comportement. De même pour les
circuits.
Pour terminer nous pensons tous les 2 que si nous avons des taches comme celle-ci à
effectuer lors de notre stage nous n’aurons pas peur de rester en autonomie de par notre
maîtrise du logiciel et des concepts HF.

47

Annexe
Code Matlab calculant les paramètres du transistor :

48