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: IN56 V1
Résumé Le frittage flash, ou spark plasma sintering, est une des techniques émergentes
de frittage retenue pour la synthèse et l’assemblage des nouveaux matériaux polymères,
métaux et céramiques nanostructurés et nanocomposites. Ce procédé s’apparente au
pressage à chaud conventionnel, auquel sont associées des séries d’impulsions de
courant électrique de forte intensité. Cette technique permet d’augmenter la cinétique de
frittage et donc de réduire par là même le temps disponible pour le grossissement des
grains. Déjà industrialisé au Japon, le frittage flash permet des avancées technologiques
considérables dans les domaines de l’électronique de puissance, les matériaux de
structure, les biomatériaux, l’aéronautique et l’aérospatiale.
Abstract
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a Al2O2 b Cu
Figure 2 – Modélisation des distributions des lignes de courant dans un moule lors de la densification d’une
alumine ou de cuivre (reproduit avec permission de [9] © 2005 Elsevier Ltd.)
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l’échantillon.
À ce jour, aucune étude ne permet de trancher
entre ces différentes hypothèses et tout reste à faire
au niveau de la compréhension des mécanismes de
frittage mis en jeu lors de la compaction de maté-
riaux par cette technique. En tout état de cause, de
nombreux matériaux ont été frittés par cette
b pastilleuse en graphite à 1 100 °C méthode SPS (figure 4) et dans la plupart des cas
avec des cycles bien plus brefs que pour les techni-
ques conventionnelles de mise en forme.
Figure 3 – Chauffage par séquences de trains
d’impulsions de courant (reproduit avec permission de
2.2 Influence des paramètres
[10] © 2005 Elsevier Ltd.)
Différents paramètres (rampe de montée en
température, température de frittage, pression appli-
qui permet d’obtenir des vitesses de chauffage éle- quée, intensité et série d’impulsions de courant) peu-
vées (jusqu’à 600 ˚C/min et plus) et assure un bon vent être ajustés lors de la densification par la
transfert de la chaleur à l’échantillon. W. Chen et coll. technique SPS. Il a été montré que des alumines
font remarquer que les impulsions n’ont pas toujours submicroniques peuvent être quasi totalement den-
la même intensité mais pour une température don- sifiées (> 99 %) en trois minutes dès 1 250 ˚C pour
née (soit à puissance dissipée constante), les valeurs des pressions exercées de 50 MPa [18]. Dans cette
maximales de la tension et de l’intensité augmentent même étude, les auteurs montrent que l’effet de la
lorsque l’on diminue le nombre d’impulsions dans la pression est spectaculaire. En effet, en augmentant
séquence alors que la valeur efficace reste constante celle-ci de 50 à 200 MPa, la température de frittage à
[10]. partir de laquelle une densité quasi totale est
Ce procédé est maintenant industrialisé pour pro- obtenue est abaissée d’une centaine de degrés pour
duire des petits objets de forme simple mais éga- une durée de cycle identique. Shen et coll. ont éga-
lement des pièces de forme complexe et de diamètre lement mis en évidence que des montées très rapi-
aussi large que 500 mm. Sur les systèmes courants, des en température avaient une influence sur les
une pression uniaxiale est appliquée mais dans cer- dynamiques de mûrissement des grains lors de la
tains cas, une pression pseudo-isostatique peut être densification. Ils montrent sur des alumines denses
appliquée lorsque les objets sont enrobés dans un que de la porosité fermée peut être piégée au sein
milieu conducteur, ce qui permet de transmettre la même des grains, ce qui permet d’en contrôler la
pression [11]. Ainsi, des objets frittés de très grande microstructure.
compacité ont pu être obtenus (sans ajout ni additif Comme nous l’avons mentionné précédemment
facilitant le frittage) pour des températures plus fai- dans le cas de matériaux peu ou non conducteurs,
bles (quelques centaines de degrés moins élevées) et l’essentiel du courant passe par la matrice alors que
surtout des temps de frittage significativement plus pour les matériaux conducteurs, une fraction plus ou
courts (quelques minutes) que lors de l’utilisation de moins importante (en fonction de la différence de
méthodes conventionnelles. conductivité entre le matériau et la matrice) passe
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MATÉRIAUX COMPOSITES
CÉRAMIQUES POLYMÈRES
Oxydes :
Al2O3 , mullite, ZrO2, MgO,
SiO2, TiO2, HfO2,...
Carbures :
SiC, B4C, TaC, TiC, WC, Métaux :
ZrC, VC,... Alliages de métaux durs Fe, Cu, Al, Ag, Ni, Mo,
Matériaux amorphes Sn, Ti, W, Be,...
Nitrures : Matériaux magnétiques
Intermétalliques :
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Fluorures :
LiF, CaF2, MgF2
par le matériau. Cela entraîne également des distri- Dans la suite, on essaiera de montrer tout l’intérêt
butions radiales de densité de courant complexes et de cette technique de mise en forme des matériaux
différentes d’un matériau à l’autre [9]. Ainsi, Y. Xiong en illustrant les propos d’exemples principalement
et coll. ont visualisé ces effets sur une pastille de issus de la littérature.
nitrure d’aluminium (cf. figure 5a p. 5) pour laquelle
le cœur reste opaque et blanc alors que le bord
devient translucide [19]. Ces variations de propriétés
3. Densification
optiques sont liées à une densité de courant plus
importante sur la partie interne de la matrice par 3.1 Métaux réfractaires et alliages
rapport au reste de celle-ci, ce qui entraîne un gra- En ce qui concerne les métaux et alliages, des
dient de température et par conséquent de densité matériaux innovants ont pu être synthétisés. Par
de la surface vers le cœur de la pastille. L’équipe exemple, des précurseurs de poudre de métaux
Munir de Davis aux États-Unis a également étudié réfractaires tels que le molybdène et le tungstène
l’influence de la direction du courant et des variations ont pu être compactés avec des grains submicromé-
de séquences des impulsions dans le cas d’un frittage triques et des compacités proches respectivement de
réactif [10] [20]. Ils montrent que l’épaisseur de 97 % et 99 %. Nombre d’alliages ayant des proprié-
l’alliage MoSi2 qui se forme à l’interface entre deux tés thermoélectriques ont été mis en forme par SPS
couches de molybdène et de silicium lors du frittage afin d’optimiser leur densité et par conséquent leurs
est indépendante de la direction ou du sens du propriétés [21] [22] [23]. Des alliages conducteurs
courant. De plus, ces mêmes auteurs indiquent que de type n et p à base de SiGe ont été cofrittés pour
le taux de croissance de cette couche d’alliage est former des jonctions de type n-p [24].
indépendant des séquences d’impulsions utilisées. Ils Les métaux amorphes sont généralement obtenus
indiquent néanmoins qu’à température de frittage sous forme de rubans, fils, films ou poudre car leur
réactif identique, le taux de croissance de cette synthèse nécessite de refroidir de manière ultrarapide
couche d’alliage est accru si les lignes de courant (trempe ou hypertrempe) le mélange en fusion. Du
traversent l’échantillon par rapport à la configuration fait de la faible taille des objets obtenus, l’utilisation de
où celles-ci sont bloquées par une couche ces matériaux sur le plan industriel reste faible. Des
supplémentaire d’isolant. techniques d’extrusion ou de pressage à chaud ont été
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utilisées avec pour objectif d’obtenir des objets plus 3.3 Vers de nouveaux matériaux
massifs mais les durées et températures de mise en transparents
forme sont trop élevées pour conserver ces matériaux
amorphes. Comme nous l’avons vu précédemment,
Nous venons de voir que l’emploi d’additif n’est pas
les cinétiques et températures de frittage sont forte-
nécessaire pour densifier par SPS des céramiques
ment diminuées par SPS, ce qui rend possible la
consolidation de ce type de matériaux sans profonde réfractaires, ce qui permet de conserver leurs pro-
modification de leur structure [25] [26]. priétés intrinsèques. Il est bien connu que lorsque la
lumière traverse un milieu, son intensité transmise
Dans la plupart des études, le SPS est utilisé pour peut être atténuée par trois mécanismes : l’absorp-
ses remarquables capacités à densifier les matériaux tion, la réflexion et la diffusion. Des densités optima-
mais il est possible également, comme l’ont montré
les sont ainsi nécessaires pour avoir des matériaux
Y. Zhao et coll. [27], de contrôler les paramètres afin
transparents car la porosité est l’une des principales
de souder les grains entre eux et ainsi d’obtenir des
matériaux métalliques poreux. sources de diffusion de la lumière. R. Chaim et coll.
ont ainsi densifié (850 ˚C sous 150 MPa pendant
5 min) des nanopoudres de MgO [31]. Ils ont obtenu
3.2 Céramiques réfractaires des disques (12 mm de diamètre pour 1,5 mm
Les carbures de tungstène sont bien connus du d’épaisseur) présentant une transparence de 40 % à
monde industriel, particulièrement comme matériaux 550 nm jusqu’à 60 % à 700 nm par rapport à celle
pour outils de coupe. Cependant, il est difficile, d’un monocristal de MgO. Leurs résultats s’expli-
même par pressage à chaud, de densifier des pièces quent par le fait que la taille des grains et la porosité
monolithiques de WC sans ajout de métaux de tran- présente dans l’objet densifié restent du domaine
sition (Ni, Fe ou Co). Néanmoins, des pièces de WC nanométrique et n’excèdent pas la longueur d’onde.
ont pu être réalisées par SPS (palier de 20 min à Néanmoins, des ajouts peuvent être indispensables
1 900 ˚C) ayant des duretés Vickers de 24 GPa bien pour atteindre des densifications quasi totales et
supérieures aux matériaux contenant des ajouts et optimiser les propriétés optiques de certains maté-
obtenus par des méthodes conventionnelles [13]. Il riaux. Y. Xiong et coll. ont densifié du nitrure d’alumi-
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semble que cela soit rendu possible par le fait que nium avec une compacité de 98,6 % mais cette
WC possède une structure en couches alternées de W dernière n’est pas suffisante pour atteindre la trans-
et de C. Il est connu que la surface des grains de WC
parence [19]. Ainsi, ils ont montré que l’adjonction
est constituée d’atomes de C – et celle-ci semble à
de quelques pour-cent massiques de CaF2 au nitrure
l’origine de la limitation de la diffusion de la matière.
Pour expliquer les très bonnes densifications obte- d’aluminium permettait de le densifier totalement
nues par SPS, les auteurs de cette étude formulent (> 99 % de compacité). Ils ont ainsi pu obtenir des
l’hypothèse que lors du traitement SPS, la couche de échantillons transparents (figure 5).
surface soit perturbée et que des atomes de W
affleurent en surface, favorisant ainsi le frittage.
Le nitrure d’aluminium (AlN) est d’importance
cruciale du point de vue industriel du fait de ses excel-
lentes propriétés physiques (conductivité thermique :
320 W · m−1 · K−1 sur monocristal ; faible constante
diélectrique : 8, coefficient d’expansion thermique :
4,3 · 10−6/˚C), ce qui en fait un bon candidat en tant
que substrat pour la microélectronique ou en tant que
réfractaire. Un frein pour son utilisation vient du fait
qu’il est difficile de l’obtenir pur et de le densifier, ce
qui a des répercutions sur sa conductivité thermique.
Les poudres de nitrure d’aluminium sont générale-
ment totalement densifiées pour des températures a pur b CaF2 : 1 % masse
supérieures à 1 800 ˚C, mais il est nécessaire pour
cela – au détriment de ses propriétés physiques –
d’avoir plus de 2 % en masse d’oxygène, car ce der-
nier permet d’augmenter le coefficient d’autodiffusion.
Des monolithes denses de AlN contenant moins de
1 % en masse d’oxygène ont pu être obtenus sans
additif par SPS [28] [29]. Selon ces auteurs, cela est
vraisemblablement rendu possible par l’existence du
champ électrique (DC) qui accélère la diffusion des
lacunes créées par la présence d’oxygène. Khor et
coll. indiquent avoir densifié par SPS de l’AlN commer- c CaF2 : 2 % masse d CaF2 : 3 % masse
cial avec ou sans ajouts et ont obtenu une compacité
de 96,6 % à 1 800 ˚C (3 min en palier sous 45 MPa) 1 cm
[30] alors que par des méthodes conventionnelles ;
une compacité de 75 % est atteinte à 1 800 ˚C. Ils
montrent également que la conductivité thermique
ainsi que la constante diélectrique de leurs monolithes Figure 5 – Pastilles densifiées par SPS de AlN pur et
d’AlN augmente de manière monotone mais significa- dopé par CaF2 (reproduit avec permission de [19]
tive avec leur densité. © 2005 Elsevier Ltd.)
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