Introduction générale

Introduction générale

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 Introduction générale

Introduction générale :

La recherche des nouveaux matériaux aux propriétés physiques et/ou chimiques spécifiques
est un enjeu majeur de l’industrie actuelle, et ce quelle que soit le domaine d’applications
considéré (microélectronique, énergie, matériaux…) un état de la matière correspond à un
certain degré de cohérence de la matière (densité, structure cristalline). Les trois états les plus
classiques de la matière sont: l'état gazeux, l'état liquide, l'état solide et l’état plasma. La
physique de la matière condensée et la science des matériaux jouent un rôle de plus en plus
important dans les applications technologiques, et ce rôle ne fera que progresser dans
beaucoup de domaines. Avant d’employer les matériaux (solides) dans l’industrie, il faut
s’assurer de la qualité de leurs propriétés structurales, électroniques, mécaniques, optiques…
etc. Les propriétés physiques d’un solide sont étroitement liées au comportement des électrons
qui le constituent.

Récemment, des couches minces à base de chalcogénure de bismuth ont reçu une attention
significative de la part de la communauté scientifique et de l'industrie homologue d'essai. Ces
matériaux montrent généralement une grande absorption coefficients, une bonne stabilité
chimique et des énergies de bande interdite dans la gamme de 1,2 à 1,7 eV, qui sont
considérés comme très juste pour les applications photovoltaïques et thermoélectriques [1,2].
Une partie de les chalcogénures de bismuth tels que Bi2S3 , BiSe, CuBiS, CsBi4 Te6 montrent
également des caractéristiques optiques non linéaires intéressantes, au-dessus et au de là du
second effet harmonique [3,4]. Cependant, la principale raison pour leurs propriétés
structurelles et optoélectroniques si attrayantes est l'activité stéréochimique des électrons de
paires isolées 6s2 du bismuth [3]. Sur la base de ce mécanisme, divers micro- et nano-
structures des chalcogénures contenant du bismuth ont été conçues, synthétisés et caractérisés
au cours des dernières décennies pour leurs potentiels applications fonctionnelles dans les
industries photovoltaïques [5].

Dans ce mémoire, nous avons utilisé la méthode des ondes planes augmentées linéarisées
(FP-LAPW) dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (D.F.T) implémentée
dans le code WIEN2k [3]. Elle est considérée parmi les méthodes les plus précises et la plus
employée dans ce genre d’investigation. Elle a fait ses preuves en donnant des résultats fiables
et les plus proches des mesures expérimentales. Pour traiter le potentiel d’échange et de
corrélation, nous avons employé les approximations suivantes : l’approximation de la densité
locale (LDA) et l’approximation du gradient généralisé (GGA).

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Le premier chapitre de ce manuscrit présente une étude bibliographique générale et une

description des métaux à base de l’indium In (InBi) et (InSe) dans leur aspect fondamental à
savoir la structure du réseau cristallin, la structure de bande électronique, et les propriétés
optiques.

Le second chapitre, est consacré à la méthode du calcul utilisée dans notre travail, où le
formalisme de la théorie de la fonctionnelle de la densité ‘DFT’ a été exploré en détail avec
les différentes approximations proposées pour traiter le potentiel d’échange et de corrélation.
La base des ondes planes augmentées et linéarisées au potentiel total ‘FP-LAPW’ a été
discutée dans ce chapitre avec le code du calcul utilisé Wien2k.

Le dernier chapitre, présente les résultats obtenus de l’alliage ternaire étudier InBi 1-xSex y
compris les propriétés structurales, électroniques et optiques. Nos résultats sont comparés
avec d’autres études théoriques et expérimentales trouvées dans la littérature où un bon accord
a été observé.

[1] S. Dunst, T. Rath, A. Reichmann, H.-T. Chien, B. Friedel, G. Trimmel, A comparison of

copper indium sulfide-polymer nanocomposite solar cells in inverted and regular device
architecture, Synth.Met. 222 (2016) 115–123.
[2] D. Sengupta, P. Das, B. Mondal, K. Mukherjee, Effects of doping, morphology and film-
thickness of photo-anode materials for dye sensitized solar cell application – a review, Renew.
Sustain. Energy Rev. 60 (2016) 356–376.
[3] W. Yin, D. Mei, J. Yao, P. Fu, Y. Wu, Bi 3 in 4 S 10 and Bi 14.7 in 11.3 S 38: two new
bismuth sulfides with interesting Bi–Bi bonding, J. Solid State Chem. 183 (2010) 2544–2551.
[4] N. Ali, A. Hussain, R. Ahmed, W.W. Shamsuri, Y.Q. Fu, Synthesis, and characterization
of copper antimony tin sulphide thin films for solar cell applications, Appl. Surf. Sci. 390
(2016) 393–398.
[5] M. Khadraoui, R. Miloua, N. Benramdane, A. Bouzidi, K. Sahraoui, Synthesis and
characterization of (Sn2S3) x (Bi2S3) 1-x composite thin films for solar cell applications,
Mater. Chem. Phys. 169 (2016) 40–46