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Travail à faire :
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-25
-50
-75
-100
80
60
40
20
-20
20
-20
-40
-60
-80
1.5
1.25
0.75
0.5
0.25
-0.25
√
π π
1 1
Vc moy =
2π ∫ Vmsin (𝞡) d𝞡 Vc eff = ∫
2π 0
2 2
Vm sin(ϴ) dϴ
0
√
π π
Vm 1
2π ∫ ∫
= sin (ϴ)d ϴ = Vm 2
sin (ϴ) dϴ
0 2π 0
√
π
Vm 1 1−cos (2 ϴ)
= [ ˗ cos ϴ ] π0 = Vm ∫ dϴ
2π 2π 0 2
√
π
Vm 1
=
2π
(-cos (𝝅) + cos (0)) =Vm ∫ 1−cos ( 2ϴ ) dϴ
4π 0
√
π π
Vm 1
=
2π
(1 + 1) =Vm ∫ 1 dϴ+∫ cos (2ϴ¿)dϴ ¿
4π 0 0
=
Vm
2π
(2) =Vm
√ 1
4π
π
( [ ϴ ] ¿ ¿ 0 π + [ sin(ϴ) ] 0 ¿ )¿ ¿
Vc moy =
Vm
π
AN: Vc moy =
63 ,63
2π
=Vm
√ 1
4π
(π + 0+sin ( π )−sin (0)¿) ¿ = Vm
√ 1
4π
(π )
Vm 63 ,63
Vc moy = 20, 25 V Vc eff = AN: Vc eff = Vc eff = 31,
2 2
82 V
√
ꚍ = F2−1 ×100
√ √
2 2
ꚍ = ( Vc eff ) −1 ×100 AN: ꚍ = ( 31 , 82 ) −1 ×100 ꚍ = 121 %
Vc moy 20 , 25
Vch
100
75
50
25
0
-25
-50
-75
-100
100
50
-50
-100
-150
1- Pour C = 100µF, faire varier R = 100Ω, 50Ω, 10Ω, 1Ω. Visualisions nos courbes et
remplissons le tableau 1.
R (Ω) 1 10 50 100 200
Vch moy (V) 3.47 7.08 9.12 9.49 9.69
Vch eff (V) 5.05 7.29 9.15 9.52 9.72
Ich moy (mA) 3.44 0.75 0.27 0.18 0.14
Icheff(IF AV) 5.79 1.84 0.97 0.79 0.73
ΔV 9.99 5.19 9.37 9.37 0.63
F 1.46 1.02 1.00 1.00 1.00
ꚍ 105 24 08 07 07
Vch max(V) 9.99 9.99 9.99 9.99 9.99
Vch min(V) 0.01 0.63 0.63 0.63 0.63
Tableau 1
NB: on sait que:
Vm Vm V ch moy
Vch moy (V) = ; Vm =10V; Vch eff (V) = ; Ich moy (mA) = ;
π 2 R
V ch eff V ch eff
Icheff(IF AV) = ; ΔV = Vch max – Vch min ; F = ; ꚍ = √ F2−1 ×100
R V ch moy
Vch max(V) =
Pour R = 1Ω
La courbe de la tension Vch dans la charge RC
Vch
10
10
8
6
4
2
0
-2
Pour R = 10 Ω
La courbe de la tension Vch dans la charge RC
Vch
10
-2
Pour R = 50 Ω
La courbe de la tension Vch dans la charge RC
Vch
10
-2
Pour R = 100 Ω
10
-2
Pour R = 200 Ω
10
-2
Remarque :
On constate que plus R est grand, plus on limite les ondulations.
Une capacité trop importante entraine des pics de courant très étroits (la charge
demande un courant faible).
2- Pour R fixé à 100Ω, faire varier la capacité C = 100µF, 50µF, 10µF, 1µF. Visualisons
les courbes et remplissons le tableau 2.
Pour C = 1µF
10
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
Pour C = 10µF
La courbe de la tension Vch dans la charge RC
Vch
10
0.8
0.6
0.4
0.2
-0.2
Pour C = 50µF
La courbe de la tension Vch dans la charge RC
Vch
10
-1
Pour C = 100µF
La courbe de la tension Vch dans la charge RC
Vch
10
-1
Remarque :
On constate que plus la capacité du condensateur est grande, plus on limite les
ondulations.
Donc une capacité trop importante entraine des pics de courant très étroits, alors :
-Pour une capacité donnée, plus la capacité est grande, plus le filtrage est efficace.
-Pour un condensateur donné, moins la charge appelle du courant (R grand), plus le
filtrage est efficace.
-En règle générale, lorsque le redresseur alimente une charge résistive de résistance R,
plus le produit RC, est grande, plus le filtrage est efficace.
4- Avec PSIM sur le même graphique :
-Traçons la tension d’entrée, la tension de la charge et de tension aux bornes des différentes
éléments R, ou C.
* Pour R = 100Ω et C = 100µF
Vch Ve
10
-5
-10
Vch = VC = VR
-Traçons le courant d’entrée, le courant dans la charge et le courant dans les différentes
éléments R ou C
Ich
0.8
0.6
0.4
0.2
-0.2
IR est plus faible car la résistance est grande et demande un peu de courant
Ich = Ie ≈ Ic
5- Expliquons les différentes obtenues entres les courbes sur <<capacitive>> et sur charge
résistive.
Grâce au condensateur, on retrouve une tension CC fixe à la sortie du bloc d’alimentation.
D est passant : le condensateur se charge jusqu’à Ve et accumule ainsi de l’énergie.
D est bloqué : le condensateur se décharge ensuite dans la charge dépensant ainsi d’une
manière étalée l’énergie accumulée auparavant.
Réglons les paramètres suivants : Time step : 100µs, Total time : 20ms, Print time : 0.
Pour L fixé à 100mH, faire varier R, selon le tableau 3 :
C (µF) 1 10 50 100 500
Vch moy (V) 0.0027 0.010 0.587 0.5877 2.489
Vch eff (V) 6
Ich moy (mA) 0.016 0.015 0.014 0.011 0.0053
Icheff(IF AV) 0.019 0.0191 0.017 0.0156 0.0075
ΔV 19.02 19.02 19.02 19.02 15.39
F 2591.6 645.63 11.56 11.56 1.89
ꚍ 2591.66 24 08 07 07
Vch max(V) 9.51 9.51 9.51 9.51 9.51
Vch min(V) -9.51 -9.51 -9.51 -9.51 -5.87
Tableau 3
La visualisation des courbes
Pour R =1Ω
VD
1.5
1.25
1
0.75
0.5
0.25
0
-0.25
Vch Ve
10
-5
-10
-15
0.04
0.03
0.02
0.01
-0.01
Pour R = 10Ω
Ve
10
5
0
-5
-10
Vch
10
0
-10
0.04
0.03
0.02
0.01
-0.01
Pour R = 50Ω
Ve
10
-5
-10
Vch
10
5
0
-5
-10
-15
VD
-2
-4
-6
-8
0.002−0.0018
𝞡1 = 0.0009 ; 0.0018 + - 0.001 = 0.0009
2
Pour R = 100Ω
La première figure représente la courbe de la tension Vch(e rouge) et Ve (en bleu). La
deuxième figure courbe représente la courbe de la tension VD et la troisième représente le
courant Ich
Vch Ve
10
-5
-10
-15
VD
-2
-4
-6
-8
-10
Ich
0.04
0.03
0.02
0.01
-0.01
0.004−0.0038
𝞡1 = 0.0009 ; 0.0038 + - 0.003 = 0.0009
2
Pour R = 500Ω
La première figure représente la courbe de la tension Vch (en noir) et Ve (en bleu), La
deuxième figure représente la courbe de la tension VD et la trirème représente le courant
Ich.
Vch Ve
10
-5
-10
VD
-2
-4
-6
-8
-10
Ich
0.015
0.0125
0.01
0.0075
0.005
0.0025
-0.0025
Pour R = 500Ω, Ich s’annule directement lorsque la tension d’entrée Ve change d’alternance de
+ vers le -, alors que pour R = 1Ω,Ich s’annule après 0.0002s.
(0.0096-0.0002s)
D’après les valeurs de Vch min, on remarque que Vch prend une petite de la partie négative
alternative.
Entre 𝝅 et 𝞡1, la diode est forcée, elle reste conductrice cela peut s’expliquer par le fait que le
courant réagie par l’équation différentielle.
Pendant l’alternance négative, la diode reste conductrice pendant une petite durée, puis
s’annule.
Pour R fixé à 100Ω,
Pour L = 1mH
Ve
10
-5
-10
La visualisation de la tension Ve
Vch
10
-5
-10
-15
VD
2
0
-2
-4
-6
-8
-10
0.04
0.03
0.02
0.01
-0.01
Ve
10
-5
-10
La visualisation de la tension Ve
Vch
10
-5
-10
-15
VD
2
0
-2
-4
-6
-8
-10
0.04
0.03
0.02
0.01
-0.01
10
5
0
-5
-10
Vch
10
5
0
-5
-10
VD
2
0
-2
-4
-6
-8
-10
Ich
0.04
0.02
Pour L = 100Mh
Ve
10
-5
-10
Vch
10
5
0
-5
-10
-15
0.04
0.03
0.02
0.01
-0.01
VD
2
0
-2
-4
-6
-8
-10
Ich Vch VD Ve
10
-5
-10
-15
La diode est passant si Ve est positive et aussi pendant une période de l’alternance négative
pour L = 100mH et R = 100Ω (RC = 10s)
La diode est forcée pendant une période importante que celle de L = 50mH.
Pour L = 200mH.
Ve
10
-5
-10
Vch
10
5
0
-5
-10
-15
-2
-4
-6
-8
Ich
0.02
0.015
0.01
0.005
0
-0.005
Ich Vch VD Ve
10
-5
-10
-15
La diode est passante si Ve est positive et aussi pendant une période de l’alternance négative
pour L = 200mH et R = 100Ω (RC = 20s).
La diode est forcée pendant une période importante que celle de L = 50mH et de L = 100mH.
6- Explication des différentes obtenues entre les courbes sur charge << inductive >> et
sur charge.
Lorsque on fixe un paramètre et on augmente l’autre, on remarque que la diode est passante
pendant une durée importante.
Lorsque le paramètre RC (constante du temps) augment, la petite conductrice augmente.
Le prolongement du courant dans la charge à cause de l’inductance, le courent réagit par une
équation différentielle, alors que dans le cas d’une charge résistives est par une équation
simple.
Et aussi, le courent est retard par rapport à la tension (déphasage entre i et U), alors que le
déphasage entre la tension et le courant dans le cas de la charge résistive est nul.
7- Justification théorique des dormes de Ich(t) :
On a :
La diode est passante si Ve est positive et aussi pendant une période de l’alternance
négative (prolongement).
Simulation du cas d’une charge constituée d’une résistance RL = 10Ω en série avec
une inductance L = 100mH. Placer une diode de roue libre en anti parallèle avec la
diode de redressement.
10
-2
Ich
0.4
0.3
0.2
0.1
5- D’après les résultats obtenus, selon nous le rôle de la diode de roue libre (DRL)
selon nous :
Le rôle de la diode de roue libre (DRL) est de décharger la bobine dans la résistance.