Microélectronique.

MICROELECTRONIQUE & C.A.O.

ispositifs à Transfert de Charges (CC

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Dispositif à transfert de charge (DTC – CCD)

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Dispositif à transfert de charge à trois phases VOUT

VDD RS
Conversion et
Injection du signal
dans le registre

De G1 G2 1 2 3 1 2 3 GS R VR

N+ N+ N+

Etage d’entrée Zone de stockage et de transfert Etage de sortie

Détection et lecture
des charges à la
sortie du registre

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Description et organisation du CCD

CCD est un dispositif intégré qui doit réaliser les fonctions

suivantes:
• Création d’un paquet de charges proportionnel au signal à
traiter,
• Stockage de ces charges dans une capacité MOS,
• Transfert de ces charges d’une capacité à la capacité
adjacente,
• Détection des charges à la sortie du registre,
• Restitution d’un signal proportionnel à la densité de charge.
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Déplétion profonde
EC

EI EC

EV EI

EV

Vg Vg
VS Puits de
Puits de potentiel
VS
potentiel rempli
vide QS

2
 1

N B .q. si   2.Cox2  QS (t )  2

VS (t )  . 1  VG    1
2.Cox  q.N B . si  Cox 

 

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Zone de stockage
3
2
1



V1

V0

x
C

x
-eV0

-eV1

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Mécanisme de transfert

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1
2
3

t0 t1 t2 t3 t4 t
C

t0 < t < t 1 x

C

x
t1 < t < t 2
C

t2 < t < t3 x

C

t3 < t < t 4 x

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Injection dynamique en courant

De
G1 G2 1 2

N+

1
VG2

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De G1 G2 1 2

VS

VS

VS

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Méthode d’équilibrage des potentiels

• Pour réaliser cette injection, il faut appliquer une impulsion à De et un

niveau continu à G1.

VDe  De G1 G2 1

x
t1 t2 t

t < t1
VS

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VDe 
De G1 G2 1

x
t1 t2 t

t < t1
VS

t1 < t < t 2

VS

t2 < t

VS
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VDD
Circuit de sortie
DS T2

1 2 3 GS R VR
VOUT

N+ T1 N+
CS RS

• Son rôle est de fournir sous basse impédance un signal proportionnel au paquet
de charges transférées depuis la dernière grille 3 dans une jonction Ds.
• La grille Gs isole la diode Ds des impulsions d’horloge appliquée à 3.
• L’impulsion d’horloge R fixe le potentiel de Ds à VR.
• Quand T1 est bloqué, le potentiel de Ds se retrouve sur la grille du T2.
• la variation de potentiel de la grille du T2 se traduit par une variation de la

Prof.tension de sortie
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Structure d’un CCD diphasé

2
1

Dissymétrie par différence d’épaisseur d’oxyde

2
1

Dissymétrie par implantation ionique

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Inefficacité de transfert

x
n(0) t=0

x
t=T

n(T)

Inefficacité de transfert est influencée par:

• température
n(0)  n(T )
 • configuration des dispositifs CCD
n ( 0) • défauts dans l’oxyde
• états d’interface

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Etude mathématique du transfert

• la concentration des charges sous la grille n’est pas uniforme, ce

gradient de concentration entraîne l’existence d’un champ self induit ES.
 VS ( x , t ) q n ( x , t )
E S ( x, t )    .
x Cox x
• le déplacement des charges a lieu aussi en présence des forces de
diffusion
n( x, t )  2 n ( x, t )
 Dn
t x 2

• le potentiel des grilles adjacent a une grande influence sur le transfert

des charges 4
d ox  5.W L 
E ff  6.5 2 .V  
L  5.W L  1 

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Modèle du transfert

• la densité du courant associée au déplacement des charges d’un puits à

un autre est donnée par:
n ( x , t )
J ( x, t )   .q.n( x, t ).E S ( x, t )   .q.n( x, t ).E ff  q.Dn
x
• En négligeant les phénomènes de génération et recombinaison,
l’équation de continuité s’écrit:
n( x, t ) 1 J ( x, t )
 .
t q x
• le modèle de transfert des charges est décrit par l’équation
différentielle non linéaire suivante:
n( x, t )   .q   2 n( x, t )   .q n( x, t )  n( x, t )
 .n( x, t )  Dn .   .   .E ff .
t C
 ox  x 2
C
 ox  x  x

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Conclusion
• CCD est un circuit intégré réalisé en technologie MOS
• Son fonctionnement est fondé sur le stockage et le transfert des
charges d’une capacité MOS à l’autre.
• Transfert de charge s’effectue au voisinage de l’interface (SCCD)
ou en profondeur (BCCD)
• On distingue deux types de CCD: diphasé et triphasé
• Domaine d’application: imagerie et traitement de signal

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