Royaume du Maroc

Université Sultan Moulay Slimane

Faculté Polydisciplinaire
Khouribga
Présentation d’un article

Une étude des propriétés physiques du GaN, du GaP et de

leurs alliages
ternaires mixtes pour les applications dans les dispositifs
optoélectroniques

Présenté par :
KLI AMINE
NFAOUI MOHAMMED
BASRAOUI YOUSSEF
EL KHOULAIFI BENELMAATI
Année Universitaire :
2022/2023
PLAN
1 INTRODUCTION

2 MÉTHODES

3 RÉSULTATS

4 CONCLUSION
 1 2 3 4

Introduction

Introduction 3
 Introduction 2 3 4

Des concentrations d’azote (N) Alliage GaP

4
Introduction 2 3 4

Alliage GaP1-xNx

5
Introduction 2 3 4

Les propriétés :

1- Structurelles

Étude de l’alliage
par l’utilisation de 2-Électronique
DFT
3- Optique

4-Thermique

6
1 2 3 4

Méthodes

Méthodes 7
1 Méthodes 3 4

WIEN2K
Est un programme informatique écrit en Fortran permettant d’effectuer des calculs
quantiques sur les solides périodidiques.WIEN2K utilise la méthode ‘’full-potential
(linearized) augmented plane-wave and local-orbitals [FP-(L)APW+lo]’’pour résoudre
les équations de Kohn-Sham de la DFT

8
1 Méthodes 3 4

La méthode APW
Slater expose la méthode APW (augmented plane wave). Au voisinage d'un noyau atomique, le potentiel et les
fonctions d'onde sont de la forme « Muffin-Tin » (MT) présentant une symétrie sphérique à l'intérieur de la sphère
MT de rayon R. Entre les atomes le potentiel et les fonctions d'onde peuvent être considérés comme étant lisses. En
conséquence, les fonctions d'onde du cristal sont développées dans des bases différentes selon la région considérée :
Solutions radiales de l'équation de Schrodinger à l'intérieur de la sphère MT et ondes planes dans la région
interstitielle.

Sphère MT Région interstitielle

Figure 1: Potentiel (Muffin-Tin)

9
1 Méthodes 3 4

Méthode de FP(L(APW+lo))

La méthode FP(L(APW+lo)) (full-potential linearized augmented

plane wave), développée par Andersen, est fondamentalement
une amélioration de la méthode dite des ondes planes
augmentées (APW) élaborée par Slater.

10
1 2 3 4

Résultats

Résultats 11
1 2 Les résultats 4

Propriétés structurelles :

Figure 2: L’enthalpie en fonction de la pression pour GaP1-XNx en utilisant l’approximation

WC-GGA
12
1 2 Les résultats 4

Figure 2: L’enthalpie en fonction de la pression pour GaP1-XNx en utilisant l’approximation

WC-GGA

13
1 2 Les résultats 4
Propriétés électronique :

Figure 3: Calcul de structures de bandes de GaP1-XNx en utilisant l’approximation mBJ.

14
1 2 Les résultats 4

Figure 3: Calcul de structures de bandes de GaP1-XNx en utilisant l’approximation mBJ.

15
1 2 Les résultats 4

Figure 3: Calcul de structures de bandes de GaP1-XNx en utilisant l’approximation mBJ.

16
1 2 Les résultats 4

Figure 3: Calcul de structures de bandes de GaP1-XNx en utilisant l’approximation mBJ.

17
1 2 Les résultats 4

Figure 3: Calcul de structures de bandes de GaP1-XNx en utilisant l’approximation mBJ.

18
1 2 Les résultats 4

Propriétés optique :

Figure 4: Variation de la partie réel (a) et la partie imaginaire (b) de la fonction diélectrique
en fonction de l’énergie en utilisant l’approximation mBJ. 19
1 2 Les résultats 4

Figure 5: Variation de l’indice de Figure 6: Variation de coefficient Figure 7: Variation de réflectivité en

réfraction en fonction de l’énergie d’absorption en fonction de l’énergie fonction de l’énergie en utilisant
en utilisant l’approximation mBJ. en utilisant l’approximation mBJ. l’approximation mBJ.

20
1 2 Les résultats 4

Figure 8: Calcul de structures de bandes de GaP1-XNx en utilisant l’approximation mBJ.

21
1 2 Les résultats 4

Propriétés thermique :

0 2 4 6 8 10 12 0 300 600 900 1200

Pression (Gpa) Température (K)

Figure 8: Variation de volume en fonction de pression et à T=300K (a), et variation de

volume en fonction de température et à P=0 Gpa (b) du alliage GaP 1-XNx.

22
1 2 Les résultats 4

0 2 4 6 8 10 12 0 300 600 900 1200

Pression (Gpa) Température (K)
Figure 9: Variation de module de masse en fonction de pression et à T=300K (c), et variation
de module de masse en fonction de température et à P=0 Gpa (d) du alliage GaP 1-XNx.

23
1 2 Les résultats 4

0 2 4 6 8 10 12 0 300 600 900 1200

Pression (Gpa)
Température (K)

Figure 10: Variation de température de Debye en fonction de pression et à T=300K (e), et

variation de volume en fonction de température et à P=0 Gpa (f) du alliage GaP 1-XNx.

24
1 2 Les résultats 4

0 2 4 6 8 10 12 0 300 600 900 1200

Pression (Gpa) Température (K)

Figure 11: Variation de capacité calorifique Cv en fonction de pression et à T=300K (g), et

variation de volume en fonction de température et à P=0 Gpa (h) du alliage GaP 1-XNx.

25
1 2 Les résultats 4

Figure 12: Variation de entropie en fonction de pression et à T=300K (a), et variation de

volume en fonction de température et à P=0 Gpa (b) du alliage GaP 1-XNx.

26
1 2 3 4

Conclusion

Conclusion 27
1 2 3 Conclusion
Conclusion
Après l'analyse des résultats obtenus des propriétés électroniques
et optiques, on constate que les alliages GaP 1-XNX étaient des
matériaux de base prometteurs pour une large gamme
d'applications optoélectroniques. cette étude pourrait donc
être une étape importante pour les études futuristes.
Critique
 On a trouvée dans cette article une introduction très longue et elle contient un grand nombre
d’informations concernant les applications des différentes alliages au domaine optoélectronique
ce qui a confondu notre compréhension de ce domaine.
 Il y a une différence entre la numérisation des figures donnée dans la partie de discussion et la
numérisation exacte.


28
Questions………
…. ?