Etude des propriétés structurales et électroniques

des semi-conducteurs
H.Rekab-Djabria,b,*, F.Madani et Dj.Belfennache
a
Laboratoire de Micro et de Nanophysique LaMiN – ENPO
Faculté SNVST, Université Akli Mohand Oulhadj BOUIRA

Résumé *Rekabdjabrihamza@yahoo.fr

Ce travail concerne l’étude ab initio des propriétés structurales et électroniques des halogénures cuivreux (CuBr, CuCl, et
CuI). En utilisant la méthodes des Orbitals Muffin-Tin linéarisé (FP-LMTO), et pour l’utilisation dans le domaine des
couches minces.

Introduction
Les composés à base de Cuivre (Cu) sont des semi-conducteurs fortement ioniques, ils sont stables dans la structure PbO et encore plus stables dans la
structure Zincblend (Zb). Les semi-conducteurs I et VII sont constitués des éléments des colonnes VIIA et IB de la classification périodique des éléments et plus
particulièrement le CuBr, CuCl et CuI ont suscité une attention particulière des théoriciens à cause de leur haut intérêt technologique. Ils sont sélectionnés
comme matériaux prometteurs pour la fabrication des composés optoélectroniques.

Methods & Materials

Nous avons utilisé la méthode FP-LMTO (Full Potential Linearized Muffin Tin Orbitals) qui fondée sur la théorie de la densité fonctionnelle (DFT) dans le Cadre
de la densité local (LDA) et le gradient généralisé (GGA). Nous avons choisi les rayons muffin-tin, pour le Cu , Br, Cl et I. Dans le calcul, on a introduit plusieurs
ondes planes pour nos matériaux. En ce qui concerne les sphères muffin-tin on utilise les harmoniques du réseau jusqu’à l max=6. Un degré de convergence
satisfaisant est achevé en considérant un nombre de fonctions de base FP-LMTO RMT*Kmax=8 (où RMT est le rayon moyen des sphères muffin-tin et Kmax est la
valeur maximum du vecteur d’onde K=k+G).
Les paramètres utilisé dans nos calculs son classé dans les trois tableaux ci-dessous

Paramètres constitutifs des halogénures cuivreux utilisés dans nos calculs par la méthode FP-LMTO. pour le CuBr, CuCl et CuI respectivement.

Results
Les Propriétés structurals
Les figures suivants montrent la variation de l’énergie totale en fonction du volume en utilisant la GGA et la LDA.

Variations de l’énergie totale du système en fonction du volume V de maille élémentaire : Comparaison entre les deux méthodes, La méthode
LDA et GGA pour les trois matériaux CuBr, CuCl et CuI respectivement. Le matériau
LDA GGA
Les Propriétés électroniques
CuBr PbO(B10) Zb(B3)
Les figures suivants montrent le structure de bande pour les trois matériaux en utilisant la GGA.
CuCl Zb(B3) Zb(B3)
Le matériau La gaps Valeur en type Résultats
phase (eV) expérimental CuI PbO(B10) Zb(B3)

CuBr B3 Γ—> Γ 0.4256 Directe 3.05d

CuCl B3 Γ—> Γ 0.4132 Directe 3.40c
CuI B3 Γ—> Γ 0.8090 Directe 2.95e

Conclusion Remerciment:
Ce travail a été réalisé au laboratoire de micro et de nanophysique (LaMiN),
Les propriétés structurales ont été consécutivement étudiées en utilisant l’approximation du gradient de l'école nationale polytéchnique d'oran (ENPO). Je remercier vivement
généralisé (GGA). On retrouve dans nos calculs, les tendances usuelles, à savoir que la (GGA) surestime Monsieur le professeur HAMDADOU Nasr-Eddine, le directeur du laboratoire

le paramètre de maille et sous-estime le module d’incompressibilité. LaMiN, ainsi que je remercie mon encadreur Pr FASLA
Les propriétés électroniques sont obtenues par la (GGA), qui donne une meilleure topographie de la
structure de bande et des valeurs des gaps d’énergie inférieures à celles données par l’expérience.
Mai 2015