SEMICONDUCTEURS

M1 Phytem- E. Deleporte 2005/2006

PLAN DU COURS:
I) Proprits des semiconducteurs massifs
1) Introduction
2) Gnralits
a) Semiconducteurs gap direct / gap indirect
b) Masse effective des lectrons
c) Densit dtats lectroniques
d) Probabilit doccupation des tats lectroniques
e) Notion de trou
3) Semiconducteur lquilibre thermodynamique (voir TD 1)
a) Dtermination des densit de porteurs (n pour les lectrons, p
pour les trous) et du potentiel chimique (m)
b) Semiconducteur intrinsque
- dfinition
- Etude de n, p et m en fonction de la temprature
c) Semiconducteur extrinsque
- dfinition
- Etude de n, p et m en fonction de la temprature
4) Semiconducteur hors dquilibre
a) Semiconducteur soumis un champ lectrique statique
mobilit
conductivit
b) Semiconducteur soumis un champ lectrique alternatif: courant de
dplacement
c) Gradient de concentration: courant de diffusion
d) Relation dEinstein
e) Dure de vie des porteurs
5) Coefficient dabsorption de semiconducteurs massifs (voir TD 2)

II) Jonction PN
1) Courant de diffusion
2) Jonction PN abrupte lquilibre thermodynamique
a) Jonction abrupte
b) Charge despace
c) Tension de diffusion
d) Potentiel et champ lectriques
e) Largeur de la zone de charge despace
3) Jonction PN abrupte polarise
a) Principe de fonctionnement en rgime de faible injection: courant
direct, courant inverse
b) Distribution des porteurs minoritaires dans les rgions neutres
c) Courant de porteurs minoritaires
d) Caractristique: loi de Schokley
e) Courant de porteurs majoritaires
TRAVAUX DIRIGES:
TD 1: Semiconducteurs lquilibre thermodynamique
Calcul des densits dlectrons et de trous, et du potentiel chimique
dans un semiconducteur intrinsque
dans un semiconducteur extrinsque
TD 2: Coefficient dabsorption de semiconducteurs massifs
Rgle dOr de fermi
Rgles de slection
Calcul du coefficient dabsorption

BIBLIOGRAPHIE!:
Ouvrages destins aux tudiants de matrise!:
B. Diu, C. Guthmann, D. Lederer, B. Roulet!: !Physique statistique!
B. Sapoval, C. Hermann!: !Physique des semiconducteurs!, cours de lEcole
Polytechnique, Ellipses
C. Cohen-Tannoudji, B. Diu, F. Lalo!: !Mcanique Quantique!
Ouvrages plus avancs!:
Henri Mathieu!: !Physique des semiconducteurs et des composants lectroniques!, Dunod
G. Bastard!: !Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures!, CNRS Editions
I-1)

Diffrents types de matriaux, classs en fonction de la

concentration en lectrons de conduction
Rsistivit du Germanium pour diffrentes concentrations en
impurets
Rappels!: A temprature nulle

Mtal Isolant
Rappels!: Remplissage des bandes T=0

E E
Trait vert:
densit dtats

Trait bleu:
distribution de
Fermi-Dirac

Zone hachure:
tats occups

Mtal Isolant
Rappels!: Remplissage des bandes T0

E E E
Trait vert:
densit dtats

Trait bleu:
distribution de
Fermi-Dirac

Zone hachure:
tats occups

Mtal Semiconducteur Isolant

I-2-a)

STRUCTURE DE BANDES

Gap direct Gap indirect

I-2-b)

QUELQUES VALEURS

Masses effectives

Mobilits
I-2-c)

METAUX / ISOLANTS

Mtaux

Isolants
I-2-d)

Fonction de Fermi-Dirac

m: potentiel chimique
I-2-e)
I-3-a)

Densits dlectrons et de trous

lquilibre thermodynamique

+
n(E ) = f(E)N c (E ) , n = Ec
f(E)N c (E )
Ev
p(E ) = f (E )N v (E ) , p = -
f(E)N v (E )

f(E) : probabilit doccupation des tats lectroniques

Nc(E), Nv(E) : densits dtats dans la bande de conduction et
de valence respectivement

I-3-c) SEMICONDUCTEURS EXTRINSEQUES

Donneurs

Atome de Phosphore dans un rseau de Si (chaque point noir reprsente un lectron). Dans la
structure de bandes, le niveau donneur est situ en-dessous de la bande de conduction

Accepteurs

Atome de Bore dans un rseau de Si (chaque point noir reprsente un lectron). Dans la
structure de bandes, le niveau acepteur est situ au-dessus de la bande de valence
I-3-c)

Allure de variation de porteurs libres avec la temprature dans un

semiconducteur dop n

Allure de variation du niveau de Fermi avec la temprature dans un

semiconducteur de type n avec Nv>Nc
I-4-a)
Mobilit en fonction de T
Conductivit!: s(T) = n(T)emn(T)

n(T) mn(T)
I-4-e)
II-2-b)
Charge despace
II-2-c)

Niveaux dnergie dans 2 cristaux de type n et p loigns

Les zones hachures indiquent les tats lectroniques remplis, les ronds noirs
reprsentent les lectrons et les ronds blancs les trous.
 II-2-d)
Jonction PN lquilibre thermodynamique

Profil de dopage

Charge despace

Charge despace
pour une
jonction abrupte

Potentiel

Bandes
dnergie

Champ
lectrique
II-3-a)

Profils de bandes pour une jonction p-n polarise

II-3-d)

Caractristique courant/tension
Loi de Schockley
Effet de claquage