Haute Ecole dIngnierie et de Gestion

du Canton du Vaud

Electronique de puissance

__________
Chapitre 9

MODLISATION THERMIQUE
DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

CD:\ELP\Cours\Chap9

M. Correvon

T A B L E

D E S

M A T I E R E S
PAGE

9.

ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE.....................................................................1

9.1
9.1.1
9.1.2
9.2
9.2.1
9.2.2
9.3
9.3.1
9.3.2
9.4
9.4.1
9.4.2

RAPPEL THORIQUE ................................................................................................................................................1

Flux de chaleur..................................................................................................................................................1
quation de continuit ......................................................................................................................................1
MODLE THERMIQUE D'UN COMPOSANT DE PUISSANCE.........................................................................................2
Modle lectrique quivalent............................................................................................................................2
quivalence entre grandeurs lectriques et grandeurs thermiques................................................................4
IMPDANCE THERMIQUE EFFECTIVE. ......................................................................................................................5
Donnes du fabricant........................................................................................................................................5
Relations mathmatiques ..................................................................................................................................6
MODLE THERMIQUE LABOR. .............................................................................................................................9
Gnralits ........................................................................................................................................................9
Structure segmente du modle thermique ......................................................................................................9

9.4.2.1
9.4.2.2
9.4.2.3

Hypothses et contraintes ...............................................................................................................................................9

Circuit quivalent naturel..............................................................................................................................................11
Circuit quivalent fractionnaire ....................................................................................................................................12

9.4.3
Interface composant refroidisseur...............................................................................................................13
9.4.4
Paramtres thermiques des matriaux les plus utiliss .................................................................................14
9.5
SIMULATION DU COMPORTEMENT THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE ..............................................15
9.5.1
Gnralits ......................................................................................................................................................15
9.5.2
Exemple : Modlisation d'un MOSFET en tenant compte des effets de la temprature..............................15
9.5.2.1
9.5.2.2
9.5.2.3

Bibliographie

Dfinition du problme .................................................................................................................................................15

Relations des paramtres lectriques avec la temprature...........................................................................................16
Modle de simulation : Exemple d'une dpendance des paramtres la temprature ...............................................17

ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

Page iv

Page 1

ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

9. ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

9.1

RAPPEL THORIQUE

9.1.1 Flux de chaleur

Si un conducteur thermique unidimensionnel est mis en contact avec deux sources de chaleur
de temprature T1>T2, il s'tablit un flux de chaleur J=J(x,t) dfinit comme la quantit de
chaleur [J] traversant une surface unit [m2] par unit de temps [s]. Le transport va de la source
chaude vers la source froide (augmentation de l'entropie : 2me principe de la
thermodynamique). L'exprience montre qu'en rgime stationnaire T / t = 0 , J est
proportionnel la diffrence de temprature, mais inversement proportionnel la longueur du
conducteur.
J = th

T2 T1
x2 x1

[W/m2]

9.1

J
T1

T2
x1

x2

Figure 9-1 : Conducteur thermique entre deux source de chaleur

th est la conductivit thermique du matriau mesure en [W/mK]. Le flux de chaleur est

donc proportionnel au gradient de T, forme locale retenue pour les situations gnrales o T et
J sont variables avec le lieu et le temps :

J ( x, t ) = th

T
x

(loi de Fourier)

9.2

9.1.2 quation de continuit

Si le flux de chaleur varie entre deux positions proches x et x, de la chaleur est dpose dans
le volume travers Sx. Pendant t, la quantit dpose est :

J(x+x)

J(x)
S

x+x

Figure 9-2 : Distribution linique du flux de chaleur

Q = ( J ( x) J ( x + x) ) S t =
CD:\ELP\Cours\Chap9

J
x S t
x

[J ]

9.3

Page 2

ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

Pendant ce mme temps, la temprature de la masse Sx, avec la masse volumique, s'lve
de T de manire absorber la quantit de chaleur Q.

Q = T c S x =

T
t c S x
t

9.4

c [J/(Kkg)] tant la capacit thermique massique du matriau. A l'aide des relations 9.3 et 9.4
on peut crire l'quation de continuit :

T
1 J
=

t
c x

9.5

Cette relation exprime la conservation de l'nergie au cours du transport.

En liminant J entre les relations 9.2 et 9.5, on obtient l'quation de diffusion pour un cas
unidimensionnel
T ( x, t ) th 2T ( x, t )
=

c
t
x 2

9.2

9.6

MODLE THERMIQUE D'UN COMPOSANT DE PUISSANCE

9.2.1 Modle lectrique quivalent

Fondamentalement, la propagation de la chaleur issue d'un composant lectronique peut

s'effectuer de trois manires :
-

par conduction,
par convection,
par radiation.

En principe, dans le cas qui nous proccupe, la conduction reprsente la trs grande partie de
l'vacuation de la chaleur. On fait galement l'hypothse que le lieu de transmission est
unidirectionnel et homogne. La relation 9.6, crite sous une autre forme correspond
l'hypothse nonce.

2T ( x, t ) c T ( x, t )
=

x 2
th
t

9.7

on rappelle ici que

-

th : conductivit thermique du matriau [W/mK]

c : capacit thermique spcifique [J/(kgK)]
: masse volumique du matriau [kg/m3]

La recherche d'un modle lectrique correspondant nous amne considrer une ligne de
transmission reprsente sous la forme
u ( x, t )
2 u ( x, t )
2 u ( x, t )
'
'
C
L
+ G ' R ' u ( x, t )
+ (C ' R'+G ' L')
=
2
2
t
t
x
CD:\ELP\Cours\Chap9

9.8

Page 3

ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

R'

L'

R'
C'

L'
C'

G'

G'

Figure 9-3 : Ligne de transmission

C'
R'
G'
L'

: capacit linique ([F/m]=[As/(Vm)])

: rsistance linique ([/m]=[V/(Am)])
: conductance transverse linique ([1/(m)]=[A/(Vm)])
: inductance linique ([H/m]=[Vs/(Am)])

En posant la capacit linique C' et la rsistance linique R' nulles, on obtient :

u ( x, t )
2 u ( x, t )
= L' G '
2
t
x

9.9

Le modle lectrique de la ligne de transmission devient :

L'

u(t)

L'

L'

G'

G'

Figure 9-4 : Modle lectrique simplifi de la ligne de transmission

Par le principe de dualit, on peut transformer le modle de la Figure 9-4 sous la forme
suivante :
L'

L'

C"

G'
R"

L'

C"

G'
R"

C"

G'
R"

Figure 9-5 : Transformation par le principe de dualit

et la relation 9.9 devient :

i ( x, t )
2 i ( x, t )
= R' ' C ' '
2
t
x
CD:\ELP\Cours\Chap9

9.10

Page 4

ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

La structure de la relation 9.10 est semblable celle de la transmission de la chaleur dans un

milieu homogne.
9.2.2 quivalence entre grandeurs lectriques et grandeurs thermiques

L'quivalence entre grandeurs thermiques et lectriques peut tre dfinie par le tableau suivant.
Grandeurs thermiques
T:
J
P
Q
th
Rth
Cth

Temprature
Flux de chaleur
Chaleur
Quantit de chaleur
Conductivit
Rsistance
Capacit

Grandeurs lectriques

[K]
[W/m2]
[W]
[J]=[Ws]
[W/(Km)]
[K/W]
[Ws/K]

p(t)

TA(t)

U
J
I
Q

R
C

Tension
Densit de courant
Courant
Charge
Conductivit
Rsistance
Capacit

i(t)

uA(t)

th

TB(t)

[V]
[A/m2]
[A]
[C]=[As]
[1/(m)]
[V/A] = []
[As/V] = [F]

uB(t)

Table 9-1 : Dfinition des grandeurs physiques

Les relations principales sont dfinies comme

Grandeurs thermiques
dQ
Cth =
dT

Grandeurs lectriques
dQ
C=
dU
S
C =
d
d
R =
S

Cth = c d S

d
th S

Rth =
t

Q(t ) = p(t ) dt

Q (t ) = i (t ) dt

uA R

TA Rth
p

Cth
TB

p (t ) =

uB

T A (t ) TB (t )
d
+ Cth (T A (t ) TB (t ) )
Rth
dt

i (t ) =

u A (t ) u B (t )
d
+ C (u A (t ) u B (t ) )
R
dt

Table 9-2 : Relations entre grandeurs physiques

CD:\ELP\Cours\Chap9

Page 5

ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

L'analogie avec la ligne de transmission nous oblique considrer les capacits et les
rsistances thermiques comme des grandeurs rapportes une unit de longueur.
De plus (contrairement aux conventions lectriques : dans un diple le courant entrant est
positif), pour le schma thermique quivalent, nous considrerons comme positif la chaleur
sortant du diple reprsent par la source de chaleur p.

R'th

R'th

p
C'th

T1

C'th

T2

Figure 9-6 : Modle thermique

Il est cependant possible de simplifier le modle en considrant chaque condensateur et

chaque rsistance thermique comme des lments dcrivant un volume homogne. Dans ce
cas on peut reprsenter un cas particulier par la structure segmente illustre la Figure 9-7

Rth1

p
T1

Cth1

Rth2

T2

Cth2

Cthn

Rthn

Figure 9-7 : Modle thermique segment d'un cas rel

9.3

IMPDANCE THERMIQUE EFFECTIVE.

9.3.1 Donnes du fabricant

La plupart des fabricants de composants lectroniques donnent les indications thermiques

suivantes

Figure 9-8 : Rsistances thermiques

Les rsistances thermiques permettent le dimensionnement autour d'un point de

fonctionnement continu.
RthJC
CD:\ELP\Cours\Chap9

: Rsistance thermique Jonction Botier (semelle de cuivre utilise pour

Page 6

ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

RthJA

le refroidissement par conduction au moyen d'un radiateur).

: Rsistance thermique Jonction Air ambiant (composant mont sans
contact avec un refroidisseur. Seule la convection naturelle entre en jeu).

Pour un train d'impulsions, comme il est d'usage en pratique, le fabricant donne une courbe
illustrant l'impdance thermique ZthJC(t) effective rapporte la frquence et au rapport
cyclique du train d'impulsions rectangulaires de puissance dissipe dans le composant.
Sur cette courbe on voit que pour des impulsions tp suprieures 100ms, la valeur de
l'impdance thermique tend vers la valeur de la rsistance thermique.
Z thJC

t p >100 ms

RthJC

9.11

PDM [W]
PDM

tp
T
D=

t [s]

tp
T

Figure 9-9 : Impdance thermique effective Jonction Botier pour un train d'impulsions

La Figure 9-10 illustre le modle thermique simplifier utilis par la plupart des fabricants.

PDM

TJ J (Jonction) RthJC
CthJC

TC=Tref
C (Botier)

Figure 9-10 : Modle lectrique quivalent du circuit thermique d'un composant de puissance

9.3.2 Relations mathmatiques

Il est remarquer que la temprature T est dfinie comme un accroissement de temprature

par rapport une temprature de rfrence Tref.
On peut calculer une impdance thermique quivalente dont la valeur dpend d'une part du
temps pendant lequel la source de chaleur PDM est active et d'autre part de la frquence du train
CD:\ELP\Cours\Chap9

Page 7

ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

d'impulsions ou de son rapport cyclique D. Considrons, la rponse thermique un train

d'impulsions de puissance.
Durant le temps tp, d'apparition d'une impulsion de puissance, la temprature, ct source de
chaleur croit selon la relation
T (t ) = PDM RthJC (1 e t / RthJC CthJC ) + TMIN e t / RthJC CthJC

9.12

Durant l'absence de source de chaleur, la temprature dcrot selon la relation

T (t ) = TMAX e t / RthJC CthJC

9.13

De la relation 9.12, on a pour la temprature maximum

TMAX = T (t 0 + t p ) = PDM RthJC (1 e

t p / RthJC CthJC

) + TMIN e

t p / RthJC CthJC

9.14

et de la relation 9.13, on a pour la temprature minimum

TMIN = T (t 0 + T p ) = TMAX e

(T p t p ) / RthJC CthJC

= TMAX e

t p (1 D ) / DRthJC CthJC

9.15

avec D = t p / T p , le rapport cyclique.

P [W]
PDM

t
TJ-Tref [C]
Tmax
Tmin
T

T
t

tp

Tp

(a) tp=1ms, D=0.25

P [W]
PDM

t
Tmax

TJ-Tref [C]

T
T

Tmin

tp
Tp

(a) tp=5ms, D=0.25

CD:\ELP\Cours\Chap9

ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

Page 8

Figure 9-11 : Rponse thermique un train d'impulsions de chaleur

Finalement, l'aide des relations 9.14 et 9.15, on obtient pour la temprature maximum
TMAX = PDM RthJC

1 e
1 e

t p / RthJC CthJC

9.16

t p / DRthJC CthJC

puis pour la temprature minimum

TMIN = PDM RthJC

1 e
1 e

t p / RthJC CthJC

t p / DRthJC CthJC

t p (1 D ) / DRthJC CthJC

9.17

Les relations 9.16 et 9.17 montrent que pour un rapport cyclique D=1, le flux de chaleur P est
constant et dans ce cas TMAX=TMIN=PDMRthJC.
La relation 9.18 permet de dfinir la temprature moyenne de la source de chaleur
T

p
tp
1
T = T (t ) dt , avec T p =
Tp 0
D

9.18

qui vaut aprs quelques calculs

T = PDM RthJC D .

9.19

La dfinition de l'impdance thermique est donne par la relation suivante :

TMAX = PDM Z thJC

9.20

avec
Z thJC (t p ) =

1 e
1 e

t p / RTH CTH

t p / DRTH CTH

RthJC

9.21

L'impdance thermique effective Jonction (Junction) et Botier (Case) dpend de la dure tp de

conduction (dure d'activation de la source de chaleur P) et du rapport cyclique D. La relation
9.21 peut tre illustre par le graphe de la Figure 9-12.
En recherchant TMAX l'aide de la relation 9.16 ou du graphe et de la relation 9.20, et en y
ajoutant la temprature de rfrence Tref, qui dans ce cas est la temprature du botier TC, il est
possible de connatre la temprature maximum de la jonction TJMAX. C'est en effet cette
temprature qui est la contrainte thermique majeure pour le semiconducteur.

CD:\ELP\Cours\Chap9

Page 9

ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

Zth(tp,D) [K/W]
0

10

D=0.5
-1

10

D=0.2
D=0.1
D=0.05

-2

10

D=0.02
D=0.01

tp [s]

-3

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

10

Figure 9-12 : Impdance thermique effective (Rth=0.6K/W, Cth=10mWs/K)

9.4

MODLE THERMIQUE LABOR.

9.4.1 Gnralits

La modlisation thermique d'un composant est une opration complexe faisant appel
l'analyse par lments finis. Une telle dmarche n'est pas raliste dans la plupart des cas. Les
fabricants permettent de contourner ce problme en proposant des valeurs de rsistances et de
capacits thermiques en segmentant le volume du composant en plusieurs parties
significatives.
9.4.2 Structure segmente du modle thermique

9.4.2.1

Hypothses et contraintes

La pratique montre qu'une segmentation de la structure du semiconducteur de puissance en

volumes partiels est possible pour autant que les points suivants soient respects
1. L'paisseur et la succession des couches doivent tre choisies de manire ce que la
constante thermique de chacune d'elles aille dans le sens croissant ( th = Cth Rth ) dans la
direction de propagation de la chaleur. La meilleure qualit de rsultat est obtenue pour
une croissance de cette constante de temps d'un facteur 2 8 entre deux couches
successives.
2. La surface du silicium o est produite la chaleur est petite. Si les matriaux prvus pour le
refroidissement par conduction sont homognes, il y a un effet de diffusion latrale. La
pratique montre que cette diffusion peut tre dcrite par un angle d'expansion de =40. Il
y a cependant une restriction si une couche prsente une basse conductivit thermique
(effet d'accumulation).

CD:\ELP\Cours\Chap9

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ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

TJ
CTH1

RTH1

CTH2

Puce

RTH2
CTH3

=40

RTH3
CTH4
RTH4

Soudure
CTH5

RTH5
CTH6

Semelle de cuivre

RTH6

TC

Figure 9-13 : Structure du modle thermique d'un semiconducteur de puissance

3. Les dimensions et les caractristiques thermiques de chaque lment de volume travers

par le flux de chaleur doivent tre dtermines prcisment car la capacit thermique de
ces derniers a une influence dcisive sur l'impdance thermique du systme lorsque la
puissance dissiper est le rsultat d'impulsions de courtes dures. Le circuit quivalent
montre que les capacits thermiques de ces volumes apparaissent toujours paralllement
au flux de chaleur. Dans les MOSFET de puissance, les premires couches correspondant
la zone N pitaxiale sont sources de chaleur. Pour des gomtries complexes, le modle
thermique ne reprsente que grossirement la ralit. Dans ce cas il peut tre ncessaire de
recourir une analyse par lments finis. Il est galement possible pour un composant, qui
est disponible au moins sous la forme de prototype, de paramtrer les lments du circuit
quivalent bas sur une mesure et une comparaison du profil de temprature de jonction
TJ. La procdure pratique habituelle est de chauffer le composant en contrlant la
dissipation de puissance PJ dans ce dernier jusqu' ce qu'il atteigne une temprature de
jonction stationnaire TJ. En principe, la connaissance de la temprature est donne par une
mesure indirecte. En effet, on connat la dpendance de la temprature de plusieurs
paramtres du composant. Gnralement on mesure la tension de passage VF d'une diode
intgre la structure. En supprimant la puissance dissipe (source de chaleur), il est
possible de tracer la courbe de refroidissement TJ(t) et donc de connatre l'impdance
thermique transitoire du composant
Z th (t ) =

TJi TJ (t )
Pi

9.22

Cette impdance thermique transitoire correspond la rponse indicielle du systme et par

consquent contient la description de son comportement thermique.
En premire approximation on considre ce systme comme linaire aussi longtemps que
l'on ignore la dpendance la temprature des matriaux spcifiques, en particulier celui
de la conductance de la chaleur de silicium.
CD:\ELP\Cours\Chap9

ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

Page 11

Une fois l'impdance thermique transitoire connue, il est possible de connatre la

temprature de la jonction TJ pour n'importe quel profil de la puissance dissipe. En effet
grce au produit de convolution, on peut crire
t

TJ (t ) = TJ 0 + P( )dZ th (t )d

9.23

avec :

TJ0
dZth(t)

: Temprature initiale (t=0) de la jonction

: Diffrentielle de la rponse indicielle de l'impdance thermique
(rponse impulsionnelle pas directement mesurable)

Pour tre capable d'utiliser les rsultats de la mesure thermique en simulation, il est ncessaire
de trouver un rseau quivalent lectrique dont la rponse indicielle dcrit l'impdance
thermique transitoire Zth(t).
Si seul le profil de la temprature de jonction TJ prsente de l'intrt, il existe un nombre
illimit de rseaux lectriques quivalents permettant un ajustement de la courbe de
refroidissement avec l'exactitude exige. Parmi ce grand nombre de rseaux possibles, il y a
deux topologies dominantes.
9.4.2.2

Circuit quivalent naturel

Le circuit de conduction de la chaleur quivalent dit naturel est driv de la thorie des lignes
de transmission. C'est le seul rseau qui dcrit correctement la distribution de la temprature
interne du systme et permet une corrlation claire entre lments quivalents et les lments
physiques (puce, soudure, semelle mtallique de refroidissement, etc.). La Figure 9-14 montre
un exemple extrait d'un data sheet.

Figure 9-14 : Paramtres du modle thermique d'un MOSFET

CD:\ELP\Cours\Chap9

Page 12

ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

La fonction de transfert est donne sous la forme :

Z th ( s) =

9.4.2.3

1
sCth1 +

1
Rth1 +

1
sCth 2 +

1
Rth 2 +

9.24
1

sCth 3 + ... +

1
Rthn

Circuit quivalent fractionnaire

La plupart des fabricants utilisent le rseau quivalent illustr Figure 9-15. Les lments RC
individuels reprsentent les termes d'une division fractionnaire partielle de la fonction de
transfert thermique du systme, par contre l'ordre des termes individuels est arbitraire.
L'originalit de ce rseau est sa forme mathmatiquement simple, dont la rponse indicielle est
donne par :
Z th (t ) =

Rth1
Rth 2
Rthn
+
+ ... +
1 + sRth1Cth1 1 + sRth 2 Cth 2
1 + sRthn Cthn

RkthCkth

= Rkth 1 e

K =1

9.25

Figure 9-15 : Paramtres du modle thermique d'un IGBT

Cette proprit simplifie la dtermination des valeurs des lments du schma quivalent et le
calcul de sa rponse indicielle. Ceci explique la popularit de ce rseau quivalent.
CD:\ELP\Cours\Chap9

Page 13

ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

Malheureusement, si ce le rseau est capable de dcrire correctement le comportement

thermique son entre, il faut le considrer comme une bote noire. En effet la structure
interne du rseau n'a pas de correspondance physique. Dans ce cas la distribution de la
temprature l'intrieur du rseau quivalent n'a aucune signification.
En consquence, il est impossible d'ouvrir le rseau au point x pour l'tendre (par exemple
avec le circuit thermique quivalent d'un refroidisseur). Dans ce cas, le rseau entier doit tre
recalculer, modifiant du mme coup l'ensemble des couples Rth, Cth. On peut dmonter cette
assertion de la manire suivante. Ouvrons le nud x pour y placer le circuit quivalent d'un
refroidisseur sous la forme d'un couple Rth, Cth et supposons un saut indiciel de la temprature
de jonction TJ. On voit immdiatement que ce saut de temprature est partiellement report
(diviseur capacitif) sur la sortie, ce qui est physiquement impossible. De plus le circuit
quivalent montre que l'nergie emmagasine dans les capacits thermiques dpend de la
diffrence de temprature entre deux nuds adjacents alors que, dans ralit, la chaleur
stocke est proportionnelle la temprature absolue d'un lment du volume.
9.4.3 Interface composant refroidisseur

Le modle par segmentation de la structure du semiconducteur de puissance en volumes

partiels doit rpondre un certain nombre de contraintes numres au 9.4.2. L'interface
composant refroidisseur, constitue d'une feuille isolante ne rpond pas aux exigences sur la
croissance de la constante de temps entre deux couches successives (9.4.2. point 2). On peut
contourner ce point de la manire suivante.
Puce (Si)

Soudure

Semelle de cuivre

Cthc

PCB

Connexion
Puce - Patte

Rthc

Feuille d'isolante
(Sil-Pad)

Rthf
Refroidisseur
(Aluminium)

CthH
RthHA

Figure 9-16 Exemple de montage d'un composant de puissance

L'effet d'accumulation provoqu par la rsistance thermique "leve" de la feuille isolante,

suite un compromis entre isolation lectrique et conduction thermique, peut se modliser
selon la forme illustre par la Figure 9-17

CD:\ELP\Cours\Chap9

Page 14

ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

Rthf
TC
Modle thermique
du composant

Rthc
CthH

RthHA

Cthc
TA
TA
Figure 9-17 : Modle thermique de l'interface et du refroidisseur

9.4.4 Paramtres thermiques des matriaux les plus utiliss

Le tableau suivant donne un aperu des valeurs numriques des paramtres des matriaux les
plus utiliss en lectronique.
Silicium
Soudure (Sn-Pb)
Cu
Al
Al2O3
FR4
Pte conductrice
Feuille isolante

[g/cm3]
2.4
9
7.6 8.9
2.7
3.8
-

[W/(mK)]
140
60
310 390
170 230
24
0.3
0.4 2.6
0.9 2.7

Table 9-3 : Caractristiques des matriaux

CD:\ELP\Cours\Chap9

c [J/(gK)]
0.7
0.2
0.385 0.42
0.9 0.95
0.8
-

Page 15

ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

9.5

SIMULATION DU COMPORTEMENT THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

9.5.1 Gnralits

Vu la complexit mathmatique du modle thermique prsent la section 9.2, il devient

utopique de vouloir calculer les tempratures de Jonction et de Botier d'un composant de
puissance soumis un rgime lectrique quelconque. De plus, la plupart de paramtres
lectriques du composant ont une dpendance vis vis de la temprature qui impose un calcul
itratif. Les outils de simulation possdent les modles adquats pour qu'une telle modlisation
soit possible. Le vieux rve des designers qui consiste intgrer les effets de la temprature
dans les modles de simulation est devenu une ralit.
9.5.2

Exemple : Modlisation d'un MOSFET en tenant compte des effets de la temprature

9.5.2.1

Dfinition du problme

La plupart des MOSFET de puissance sont raliss sur la base d'une structure verticale de type
DMOSFET (voir chap.7: Les semiconducteurs de puissance : 2me partie Le MOSFET).

(a)

(b)
Figure 9-18 : Structure d'un transistor MOSFET

La Figure 9-18 illustre un tel transistor. Bien que ce type de MOSFET soit largement utilis,
sa modlisation a t, pendant longtemps, d'une qualit assez mdiocre. En effet la dpendance
des paramtres d'un semiconducteur la temprature est souvent considre comme marginale
et traite par des mthodes empiriques, par l'exprience ou la mesure. Dans certaines
applications, il est prfrable, voir indispensable de modliser le comportement de
semiconducteur de puissance en tenant compte de l'influence de la temprature.
La temprature un impact important sur les paramtres suivants :
-

la mobilit e des lectrons (transconductance gfs)

la tension de seuil VGS(th),
la rsistance RDSON.

CD:\ELP\Cours\Chap9

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ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

TJ
RD(TJ)

TJ

Rth1

Rth6

TC

Rth7

CGD
RG

Cth1

pV(t)

CDS

Cth2

Cth6

Cth7

Cth8

Cthn
Rthn

CGS
VGS(Th)(TJ)
e(TJ)

pV(t)=iD(t) vDS(t)

RC

TA
TA

Figure 9-19 : Modle thermique d'un MOSFET

La Figure 9-19 montre la modlisation thermique d'un MOSFET. La puissance dissipe dans
ce dernier, dfinie par le produit de la tension Drain Source par le courant de Drain en
valeurs instantanes, est reprsente par une source de courant contrle. Cette source de
courant alimente un rseau RC modlisant le comportement thermique du MOSFET et de son
refroidisseur.
Le modle thermique interne au MOSFET est donn dans le data sheet dit par le fabricant et
se prsente sous la forme de la Figure 9-14.
9.5.2.2

Relations des paramtres lectriques avec la temprature

La variation des paramtres lectriques en fonction de la temprature est directement lie la

technologie. En principe les figures des data sheets permettent de dfinir des lois
mathmatiques empiriques (dpendantes de la technologie). On peut citer par exemple les
relations suivantes :
-

Variation de la transconductance avec la temprature

T
g fs (TJ ) = g fs (300 K ) J
300
-

3 / 2

avec TJ en [ K ]

Variation de la tension de seuil avec la temprature

VGS ( th ) (TJ ) = VGS ( th ) (300C ) + (TJ 300C )

9.26

9.27

avec = 8.5mV / K
Variation de la rsistance RDSON avec la temprature

RDSON (TJ ) = RDSON (300 K ) 1 +

100

CD:\ELP\Cours\Chap9

(TJ 300 )

TJ en [ K ]

9.28

Page 17

ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

9.5.2.3

Modle de simulation : Exemple d'une dpendance des paramtres la temprature

Des relations fixant la dpendance des paramtres principaux avec la temprature, il est
possible de crer un modle de simulation partir d'un modle de composant donn sous
forme standard (SPICE, SAUBER, SIMPLORER).

IDI

RDSON I DI 1 +

100

TJ

(TJ 300 )

Rth1

T2

Rth2

Rth2

TC

V DS I I DS I

(TJ 300C )

ID

T
ID J
300

Cth1

3 / 2

Cth2

Cthn
TA

VDSI

VGS

S
Figure 9-20 Modle de simulation

On peut donc crer un nouveau modle de simulation auquel on pourra ajouter un circuit
thermique quivalent naturel.

TJ
G

TC Rthf
RthC

TH
CthH

RthHA

CthC

TA
Figure 9-21 Modle de simulation

Grce ce modle, il st possible de mieux comprendre les raisons pour lesquelles les
caractristiques statiques des composants de puissance sont dfinies pour des mesures
impulsionnelles.
CD:\ELP\Cours\Chap9

Page 18

ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

La Figure 9-22 montre l'importance de la dpendance de certains paramtres lectriques la

temprature. La mesure effectue correspond la recherche d'un point ID=f(UDS,UGS) sur la
caractristique statique. A la courbe mesure, on peut observer les simulations avec et sans
correction des paramtres les plus dpendants de la temprature de jonction.
ID [A]

T [C]

Simulation
sans correction

140

60
50

120

Mesure

100

40
30

80

Simulation
avec correction

TJ
20

60

10

40

0
-1

20

t [s]

Figure 9-22 Comparaison simulation mesure

Cette figure prouve qu'il est essentiel de mesurer les caractristiques lectriques d'un
composant en minimisant la variation de la temprature de jonction durant le test.

CD:\ELP\Cours\Chap9

ANALYSE THERMIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE

Bibliographie
[1]

Fairchild Semiconductor
IGBT BASIC
Application Note AN9016, February 2000

[2]

Fairchild Semiconductor
MOSFET BASIC
Application Note AN9010, July 2000

[3]

Infineon
Thermal System modeling
Application Note, 2001

[4]

Siemens
Requirements for Power MOSFET connected in parallel
Semiconductor Group

CD:\ELP\Cours\Chap9

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