pn DIODA

ZADATAK.1. Za skokoviti pn-spoj izra unati irinu osiromaenog podru ja na T=300 K u stanju ravnotee (napon na pn spoju je U=0 V). Koncentracije dopanada na p i n strani su NA=1017 cm-3 i ND=1016 cm-3. Koliki je kapacitet osiromaenog sloja ako je povrina pn-spoja S=5 m2? Rjeenje: Za ve inske nosioce na zadanoj temperaturi vrijedi:

p 0 p N A = 1017 cm 3

n0 n N D = 1016 cm 3

Kontaktni potencijal iznosi:

U K = U T ln

ni2

irina osiromaenog podru ja:

dB =

2 0 r 1 1 2 8,854 10 14 11,7 1 1 (U K U ) = + + 16 (0,755 0 ) = 0,328 m 19 17 q NA ND 1,6 10 10 10

Kapacitet osiromaenog podru ja:

CB = 0 r S 5 10 8 = 1,58 1015 F = 1,58 fF = 8,854 10 14 11,7 4 dB 0,328 10

ZADATAK.2. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=1017 cm-3 i NA=1015 cm-3. Parametri manjinskih nosilaca su n=900 cm2/Vs, p=300 cm2/Vs, n=1 s, 2 p=0,5 s . Povrina pn spoja iznosi S=1 mm . Izra unati struju zasi enja na T=300 K. Vrijedi wn>>Lp i wp>>Ln. Kolika struja pote e kroz diodu kad se na nju priklju i napon U=0,5 V? Pretpostaviti m=1.
Rjeenje: Struja zasi enja za diodu s obje iroke strane:

I S = q S Dn

Ln

+ Dp

n0 p

p0 n Lp

n0 n pop

300 1016 1017 ln = 0,755 V 2 11600 1,45 1010

Za manjinske nosioce na p -strani ra unamo:

n0 p = ni2 1,45 1010 = NA 1015

= 2,1 105 cm 3

Dn = n U T = n

T 300 = 900 = 23,28 cm 2 s 11600 11600

Ln = Dn n = 23, 28 10 6 = 48,25 10 4 cm = 48,25 m

Za manjinske nosioce na n -strani ra unamo:

n 2 (1,45 1010 ) p0 n = i = = 2,1103 cm 3 ND 1017
2

D p = p U T = p

T 300 = 300 = 7,76 cm 2 s 11600 11600

L p = D p p = 7,76 0,5 10 6 = 19,7 10 4 cm = 19,7 m

Uvrtenjem u gornju jednadbu dobivamo:

I S = q S Dn

Ln

+ Dp

Uz zadani napon kroz diodu pote e:

I = I S exp

U 1 = 1,63 10 12 exp m U T

0,5 1 = 0,41 mA 300 1 11600

ZADATAK.3. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=1015 cm-3 i NA=1017 cm-3. Parametri manjinskih nosilaca su n=700 cm2/Vs, p=350 cm2/Vs, n=0,5 s, p=1 s. Povrina pn spoja iznosi S=1 mm2. Izra unati struju zasi enja na T=300 K. Vrijedi Lp>>wn=1 m i Ln>> wp=2 m. Kolika struja pote e kroz diodu kad se na nju priklju i napon U=0,5 V? Pretpostaviti m=1. Rjeenje:

Struja zasi enja za diodu s obje uske strane:

n0 p

p0 n 2,1 103 2,1 105 = 1,63 10 12 A + 7,76 = 1,6 10 19 10 2 23,28 Lp 19,7 10 4 48,25 10 4

I S = q S Dn

wp

+ Dp

Za manjinske nosioce na p -strani ra unamo:

n0 p = ni2 1,45 1010 = NA 1017

= 2,1 103 cm 3

Dn = n U T = n

T 300 = 700 = 18,1 cm 2 s 11600 11600

Ln = Dn n = 18,1 0,5 10 6 = 30,1 10 4 cm = 30,1 m >> w p = 2 m

Za manjinske nosioce na n -strani ra unamo:

p0 n n2 1,45 1010 = i = ND 1015

= 2,1 105 cm 3

D p = p UT = p

300 T = 350 = 9,05 cm 2 s 11600 11600

L p = D p p = 9,05 1 10 6 = 30,1 10 4 cm = 30,1 m >> wn = 1 m

Uvrtenjem u gornju jednadbu dobivamo:

I S = q S Dn

wp

+ Dp

Uz zadani napon kroz diodu pote e:

I = I S exp

U 1 = 3,1 10 11 exp m U T

0,5 1 = 7,72 mA 300 1 11600

ZADATAK.4. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=1017 cm-3 i NA=1015 cm-3. Parametri manjinskih nosilaca su n=900 cm2/Vs, p=300 cm2/Vs, n=1 s, 2 p=0,5 s . Povrina pn spoja iznosi S=1 mm . Izra unati struju zasi enja na T=300 K. Vrijedi Lp>>wn=1 m i Ln<< wp. Kolika struja pote e kroz diodu kad se na nju priklju i napon U=0,5 V? Pretpostaviti m=1. Rjeenje:

n0 p

p0 n 2,1 105 2,1 10 3 = 3,1 10 11 A + 9,05 = 1,6 10 19 10 2 18,1 wn 1 10 4 2 10 4

n0 p

p0 n wn

Zadana je dioda s uskom n stranom (Lp>>wn) i irokom p stranom (Ln<<wp). Struja zasi enja za takvu diodu je:

Za manjinske nosioce na p -strani ra unamo:

n0 p n2 1,45 1010 = i = NA 1015

= 2,1 105 cm 3

Dn = n U T = n

300 T = 900 = 23,28 cm 2 s 11600 11600

Ln = Dn n = 23,28 10 6 = 48,25 10 4 cm = 48,25 m << w p

Za manjinske nosioce na n -strani ra unamo:

n2 1,45 1010 p0 n = i = ND 1017 D p = p U T = p

= 2,1103 cm 3

300 T = 300 = 7,76 cm 2 s 11600 11600

L p = D p p = 7,76 0,5 10 6 = 19,7 10 4 cm = 19,7 m >> wn = 1 m

Uvrtenjem u gornju jednadbu dobivamo:

I S = q S Dn

n0 p Ln

+ Dp

p0 n 2,1 105 2,1 103 = 1,88 10 12 A = 1,6 10 19 10 2 23,28 + 7,76 4 4 wn 48,25 10 1 10

Uz zadani napon kroz diodu pote e:

I = I S exp

U 1 = 1,88 10 11 exp m UT

0,5 1 = 4,68 mA 300 1 11600

ZADATAK.5. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=1015 cm-3 i NA=1017 cm-3. Parametri manjinskih nosilaca su n=700 cm2/Vs, p=350 cm2/Vs, n=0,5 s, p=1 s. Povrina pn spoja iznosi S=1 mm2. Izra unati struju zasi enja na T=300 K. Vrijedi Lp<<wn m i Ln>> wp=1 m. Kolika struja pote e kroz diodu kad se na nju priklju i napon U=0,5 V? Pretpostaviti m=1.

I S = q S Dn

n0 p Ln

+ Dp

p0 n wn

Rjeenje: Zadana je dioda s uskom p stranom (Ln>> wp) i irokom n stranom (Lp<<wn). Struja zasi enja za takvu diodu je:

I S = q S Dn

wp

+ Dp

Za manjinske nosioce na p-strani ra unamo:

n0 p = ni2 1,45 1010 = NA 1017

= 2,1 103 cm 3

Dn = n U T = n

300 T = 700 = 18,1 cm 2 s 11600 11600

Ln = Dn n = 18,1 0,5 10 6 = 30,1 10 4 cm = 30,1 m >> w p = 1 m

Za manjinske nosioce na n-strani ra unamo:

p0 n = ni2 (1,45 1010 ) = = 2,1 105 cm 3 ND 1015
2

D p = p UT = p

300 T = 350 = 9,05 cm 2 s 11600 11600

L p = D p p = 9,05 1 10 6 = 30,1 10 4 cm = 30,1 m << wn

Uvrtenjem u gornju jednadbu dobivamo:

I S = q S Dn

wp

+ Dp

Uz zadani napon kroz diodu pote e:

I = I S exp

U 1 = 1,62 10 12 exp m UT

0,5 1 = 0,404 mA 300 1 11600

n0 p

p0 n 2,1 105 2,1 103 = 1,62 10 12 A + 9,05 = 1,6 10 19 10 2 18,1 Lp 30,1 10 4 1 10 4

n0 p

p0 n Lp

ZADATAK.6. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=1017 cm-3 i NA=5 1015 cm-3. Parametri manjinskih nosilaca su n=850 cm2/Vs, p=300 cm2/Vs, n=1,2 s, p=0,8 s. Povrina pn spoja iznosi S=1 mm2. Izra unati struju zasi enja na T=300 K. Vrijedi Lp>>wn=1 m i Ln>> wp=2 m. Izra unati dinami ki otpor uz priklju ene propusne napone U=0,5 V i U=50 mV? Nacrtati raspodjele manjinskih nosilaca za priklju en napon U=0,5 V. Pretpostaviti m=1. Struja zasi enja za diodu s obje uske strane:
I S = q S Dn + Dp

n0 p wp

p0 n wn

Za manjinske nosioce na p -strani ra unamo:

n0 p = ni2 1,45 1010 = NA 5 1015

= 4,2 10 4 cm 3

Dn = n U T = n

300 T = 850 = 21,98 cm 2 s 11600 11600

Ln = D n n = 21,98 1,2 10 6 = 51,36 10 4 cm = 51,36 m >> w p = 2 m

Za manjinske nosioce na n -strani ra unamo:

p0 n = ni2 1,45 1010 = ND 1017

= 2,1 103 cm 3

D p = p UT = p

300 T = 300 = 7,76 cm 2 s 11600 11600

L p = D p p = 7,76 0,8 10 6 = 24,9 10 4 cm = 24,9 m >> wn = 1 m

Uvrtenjem u gornju jednadbu dobivamo:

I S = q S Dn

wp

+ Dp

Strujno naponska karakteristika opisana je Shockley-evom jednadbom:

I = I S exp

n0 p

p0 n 2,1 103 4,2 10 4 = 7,65 10 12 A + 7,76 = 1,6 10 19 10 2 21,98 wn 1 10 4 2 10 4

U 1 m U T

Dinami ki otpor je definiran kao

rd =

UT UT 1 1 dU = = = = dI dI I + IS 1 U U I S exp IS + IS I S exp dU m U T U T m U T

Uz priklju en npon U=0,5 V struja kroz diodu je:

I >> I S pa vrijedi
300 UT 11600 = 13,6 = rd I 1,91 10 3

Uz priklju en npon U=50 mV struja kroz diodu je:

U ovom slu aju ne vrijedi I>>IS (U<3 UT) pa dinami ki otpor ra unamo:
300 UT 11600 rd = = = 489 M I + I S 4,523 10 11 + 7,65 10 12

Raspodjele manjinskih nosilaca za napon propusne polarizacije prikazan je na slici.

np cm-3 pn cm-3

I = I S exp

U 1 = 7,65 10 12 exp m U T

I = I S exp

wp

U 1 = 7,65 10 12 exp m U T

0,5 1 = 1,91 mA 300 1 11600

0,05 1 = 4,523 10 11 A 300 1 11600

np0 pn0

n0p p0n wn

Ravnotene koncentracije manjinskih nosilaca su prije izra unati i iznose

n0 p = 4,2 10 4 cm 3

p0 n = 2,1 103 cm 3

Rubne koncentracije ra unaju se preko Boltzmannovih relacija:

ZADATAK.7. Struja zasi enja neke pn-diode na T=300 K iznosi 1 pA. Serijski otpor neutralnih p i n strana iznose redom 2 i 8 . Koliki napon treba priklju iti na stezaljke diode da na zadanoj temperaturi kroz nju pote e struja 1 mA. Rjeenje: Realnu diodu moemo prikazati kao idealnu diodu kojoj je u seriju spojen serijski otpor:

+ U

Shockley-eva jednadba uz m=1 opisuje strujno naponsku karakteristiku idelne diode. Uz zadanu struju dio vanjskog napona bit e na pn-spoju (idealna dioda), a dio na serijskom otporu diode. Moemo napisati: U = U D + I RS UD moemo uz zadanu struju izra unati iz Shockley-eve jednadbe

U D = U T ln

I 10 3 300 +1 = ln + 1 = 0,536 V IS 10 12 11600

pn 0 = p0 n exp

U = 2,1 10 3 exp UT

0,5 = 5,231 1011 cm 3 300 11600

rS -

n p 0 = n0 p exp

U = 4,2 10 4 exp UT

0,5 = 1,046 1013 cm 3 300 11600

Napon koji treba priklju iti jednak je

U = U D + I RS = 0,536 + 10 3 10 = 0,546 V

ZADATAK.8. Struja zasi enja neke pn-diode iznosi 1 pA. Serijski otpor diode iznosi 10 . Koliki napon moramo priklju iti na diodu da bi potekla struja iD = 1,5 [mA] + 0,25 sin (t ) [mA] ? Uzeti UT=25 mV.

Rjeenje: Realnu diodu u stati kim uvjetima rada (za istosmjerne napone) moemo prikazati sljede im nadomjesnim sklopom

I + U
Istosmjerni napon na diodi jednak je

Za mali izmjeni ni signal idelnu diodu predstavljamo dinami kim otporom i gornja shema izgleda: rd rS

Dinami ki otpor iznosi

rd U T 25 10 3 = 16,67 = I 1,5 10 3

Izmjeni n a komponenta struje generirat e na vanjskim priklju cima diode napon:

u d = id (rd + RS ) = 0,25 10 3 (16,67 + 10) = 6,67 mV

Prema tome na stezaljke diode treba priklju iti napon: u D = 0,543 [V ] + 6,67 sin (t ) [mV ]

U = U D + I RS = U T ln

1,5 10 3 I + 1 + I RS = 25 10 3 ln + 1 + 1,5 10 3 10 = 0,543 V 10 12 IS

rS -

ZADATAK.9. Na spoj dioda priklju en je napon U=60 mV. Izra unati napone U1 i U2 ako su diode jednakih karakteristika i imaju rstruju zasi enja IS=10 pA. Uzeti UT= 25 mV i m=1.
+
U1

- +

U2

Rjeenje: Shockley-eva jednadba opisuje strujno-naponsku karakteristiku diode i napisana je za sljede i polaritet napona i smjer struje:

I + -

Prema tome za gornji spoj dioda moemo ozna iti struje:

+
ID1 U1

- +
X ID2

U2

ID3

Pojedine struje moemo napisati kao (zbog U<3 UT jedinice u Shockley-evoj jednadbi ne smiju se zanemariti):

I D1 = I S exp

10

I D 3 = I S exp

U2 1 UT

I D 2 = I S exp

U2 1 UT

U1 1 UT

Za vor X moemo napisati:

I D1 + I D3 = I D 2
Za napone vrijedi:

Uvrtenjem struja dobivamo:

IS su jednake pa se moe napisati:

exp exp

Uz supstituciju exp U 2 = x gornja jednadba prelazi u: UT

exp

U UT

1 = x + 1, x

odnosno

x 2 + x exp

U +1 = 0 UT

Uvrtenjem U dobivamo:

Prihvatljivo rjeenje je x1=3 to daje:

exp

U2 =3 UT

x 2 + x 12 = 0

U1 UT

x1 = 3 x2 = 4

U 2 = 27,47 mV ,

11

U UT

1+

1 U exp 2 UT

1 = exp

U2 1 UT

U 1 = 32,53 mV

I S exp

U2 U U U1 1 = I S exp 2 1 1 + I S exp UT UT UT

U = U1 + U 2

U1 = U U 2

Zadaci za vjebu
VJ.1. Za skokoviti pn-spoj izra unati irinu osiromaenog podru ja na T=300 K u stanju ravnotee (napon na pn spoju je U=0 V). Koncentracije dopanada na p i n strani su NA=5 1017 cm-3 i ND=10 16 cm-3. Koliki je kapacitet osiromaenog sloja ako je povrina pn-spoja S=25 m2?
Rjeenje: dB=0,324 m, CB=7,98 fF

VJ.2. Za skokoviti pn-spoj izra unati irinu osiromaenog podru ja na T=300 K uz napon na pn spoju U= - 3 V. Koncentracije dopanada na p i n strani su NA=5 1016 cm-3 i ND=1015 cm-3. Koliki je kapacitet osiromaenog sloja ako je povrina pn-spoja S=50 m2?
Rjeenje: dB=2,2 m, CB=2,35 fF

VJ.3. Za skokoviti pn-spoj izra unati irinu osiromaenog podru ja na T=300 K uz napon na pn spoju U=0,3 V. Koncentracije dopanada na p i n strani su NA=5 1016 cm-3 i ND=1015 cm-3. Koliki je kapacitet osiromaenog sloja ako je povrina pn-spoja S=50 m2?
Rjeenje: dB=0,71 m, CB=7,34 fF

VJ.4. Za skokoviti pn-spoj izra unati irinu osiromaenog podru ja na T=350 K u stanju ravnotee (napon na pn spoju je U=0 V). Koncentracije dopanada na p i n strani su NA=5 1017 cm-3 i ND=5 1015 cm-3. Koliki je kapacitet osiromaenog sloja ako je povrina pn-spoja S=100 m2?
Rjeenje: dB=0,43 m, CB=24,3 fF

VJ.5. Za skokoviti pn-spoj izra unati irinu osiromaenog podru ja na T=350 K uz na pn spoju U= - 2 V. Koncentracije dopanada na p i n strani su NA=5 1017 cm-3 i ND=5 1015 cm3 . Koliki je kapacitet osiromaenog sloja ako je povrina pn-spoja S=100 m2?
Rjeenje: dB=0,84 m, CB=12,34 fF

VJ.6. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=5 1017 cm-3 i NA=1016 cm-3. Parametri manjinskih nosilaca su n=800 cm2/Vs, p=280 cm2/Vs, n=0,8 s, p=0,5 s. Povrina pn spoja iznosi S=1 mm2. Izra u nati struju zasi enja na T=300 K. Vrijedi wn>>Lp i wp>>Ln. Kolika struja pote e kroz diodu kad se na nju priklju i napon U=0,6 V? Pretpostaviti m=1
Rjeenje: IS=1,74 10-13 A, I=2,1 mA

VJ.7. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=5 1017 cm-3 i NA=1016 cm-3. Parametri manjinskih nosilaca su n=800 cm2/Vs, p=280 cm2/Vs, n=0,8 s, p=0,5 s. Povrina pn spoja iznosi S=1 mm2. Izra u nati struju zasi enja na T=350 K. Vrijedi wn>>Lp i wp>>Ln. Kolika struja pote e kroz diodu kad se na nju priklju i napon U=0,6 V? Pretpostaviti m=1

12

Rjeenje: IS=2,2 10-10 A, I=94,8 mA

VJ.8. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=5 1015 cm-3 i NA=1017 cm-3. Parametri manjinskih nosilaca su n=700 cm2/Vs, p=320 cm2/Vs, n=0,5 s, p=0,8 s. Povrina pn spoja iznosi S=0,1 mm2. Izra unati struju zasi enja na T=300 K. Vrijedi Lp>>wn=1,5 m i Ln>> wp=2 m. Kolika struja pote e kroz diodu kad se na nju priklju i napon U=0,5 V? Pretpostaviti m=1.
Rjeenje: IS=4,02 10-13 A, I=0,1 mA

VJ.9. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=5 1015 cm-3 i NA=1017 cm-3. Parametri manjinskih nosilaca su n=600 cm2/Vs, p=300 cm2/Vs, n=0,5 s, p=0,8 s. Povrina pn spoja iznosi S=0,1 mm2. Izra unati struju zasi enja na T=350 K. Vrijedi Lp>>wn=1,5 m i Ln>> wp=2 m. Kolika struja pote e kroz diodu kad se na nju priklju i napon U=0,5 V? Pretpostaviti m=1.
Rjeenje: IS=5,1 10-10 A, I=8 mA

VJ.10. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=5 10 17 cm-3 i NA=1016 cm3 . Parametri manjinskih nosilaca su n=800 cm2/Vs, p=280 cm2/Vs, n=0,8 s, p=0,4 s. Povrina pn spoja iznosi S=0,1 mm2. Izra unati struju zasi enja na T=300 K. Vrijedi Lp>>wn=2 m i Ln<< wp. Kolika struja pote e kroz diodu kad se na nju priklju i napon U=0,5 V? Pretpostaviti m=1.
Rjeenje: IS=1,95 10-14 A, I=4,87 A

Rjeenje: IS=1,53 10-13 A, I=38 A

VJ.12. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=5 10 15 cm-3 i N A=5 1017 cm-3. Parametri manjinskih nosilaca su n=500 cm2/Vs, p=300 cm2/Vs, n=0,5 s, p=1 s. Povrina pn spoja iznosi S=0,1 mm2. Izra unati struju zasi enja na T=300 K. Vrijedi Lp<<wn m i Ln>> wp=1 m. Kolika struja pote e kroz diodu kad se na nju priklju i napon U=0,5 V? Pretpostaviti m=1.
Rjeenje: IS=2,74 10-14 A, I=6,84 A

VJ.13. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=5 10 15 cm-3 i N A=5 1017 cm-3. Parametri manjinskih nosilaca su n=400 cm2/Vs, p=250 cm2/Vs, n=0,5 s, p=1 s. Povrina pn spoja iznosi S=0,1 mm2. Izra unati struju zasi enja na T=350 K. Vrijedi

13

VJ.11. Koncentracije primjesa na n i p strani diode iznose ND=10 16 cm-3 i NA=5 1017 cm. Parametri manjinskih nosilaca su n=500 cm2/Vs, p=350 cm2/Vs, n=0,4 s, p=0,8 s. Povrina pn spoja iznosi S=0,1 mm2. Izra unati struju zasi enja na T=300 K. Vrijedi Lp>>wn=2 m i Ln<< wp. Kolika struja pote e kroz diodu kad se na nju priklju i napon U=0,5 V? Pretpostaviti m=1.

Lp<<wn m i Ln>> wp=1 m. Kolika struja pote e kroz diodu kad se na nju priklju i napon U=0,5 V? Pretpostaviti m=1.
Rjeenje: IS=3,11 10-11 A, I=0,49 mA

VJ.14. Struja zasi enja neke pn-diode iznosi 10 pA. Serijski otpor neutralnih p i n strana iznose redom 5 i 10 . Koliki napon treba priklju iti na stezaljke diode da kroz nju pote e struja 10 mA. T=300 K.
Rjeenje: U=0,686 V

VJ.15. Struja zasi enja neke pn-diode na T=350 iznosi 1 nA. Serijski otpor neutralnih p i n strana iznose redom 5 i 10 . Koliki napon treba priklju iti na stezaljke diode da na zadanoj temperaturi kroz nju pote e struja 10 mA.
Rjeenje: U=0,636 V

VJ.16. Struja zasi enja neke pn-diode iznosi 10 pA. Serijski otpor diode iznosi 15 . Koliki napon moramo priklju iti na diodu da bi potekla struja iD = 1,5 [mA] + 0,25 sin (t ) [mA] ? Uzeti T=300 K.
Rjeenje: uD=0,509 [V]+8,1 sin( t) [mV]

VJ.17. Struja zasi enja neke pn-diode iznosi 10 pA. Serijski otpor diode iznosi 12 . Koliki napon moramo priklju iti na diodu da bi potekla struja iD = 2,5 [mA] + 0,35 sin(t ) [mA] ? Uzeti T=300 K.
Rjeenje: uD=0,53 [V]+7,8 sin( t) [mV]

VJ.18. Na spoj dioda priklju en je napon U=65 mV. Izra unati napone U1 i U2 ako za struje zasi enja dioda vrijedi IS1=IS2=10 pA i IS3=20 pA. Uzeti UT= 25 mV i m=1.
+
U1

- +

U2

D1

D2 D3

Rjeenje: U2=27,94 mV; U1=37,06 mV

14