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Simulation 3D

HFSS de filtres
Professeurs responsables : Serge VERDEYME
Dominique BAILLARGEAT

Hamid MEGHDADI
JeanJean-Charles POUX
ETI-2

Novembre 2005 Mai 2006

Remerciements
Nos remerciements vont tout dabord M. Serge VERDEYME et M.
Dominique BAILLARGEAT, Professeurs lUniversit de Limoges, pour nous
avoir encadr tout au long de ce projet, pour leurs conseils et leur grande
disponibilit.

Nous remercions tout particulirement Mme. Valrie MADRANGEAS,


Matre de confrence lUniversit de Limoges, pour nous avoir apport ses
conseils et son exprience.

Sommaire
Introduction ..............................................................................................................4
CHAPITRE 1 Mesure de facteur de qualit vide ........................................5
1-1 Paramtres d'une cavit rsonante ..........................................................5
1-2 Facteur de qualit en charge d'une cavit...............................................7
1-3 Intrt de dtermination de Q0 ..................................................................8
1-3-1: Augmentation de Qe pour un Q0 constant .......................................8
1-3-2: Augmentation de Q0 pour un Qe constant.......................................8
1-4 Diffrentes mthodes pour calculer Q0 ................................................. 10
1-4-1: Utilisation d'un couplage faible ...................................................... 10
1-4-2: Etude de la cavit sans pertes....................................................... 10
1-4-3: En utilisant l'abaque de Smith........................................................ 11
CHAPITRE 2 Logiciel HFSS .......................................................................... 14
2-1 Types de solution dans HFSS ................................................................ 14
2-2 Crer une structure .................................................................................. 14
2-2-1: Utilisation des variables du projet ................................................. 15
2-2-2: Soustraction des objets................................................................... 15
2-3 Excitation d'une structure ........................................................................ 16
2-3-1: Standards types d'excitation utiliss par HFSS .......................... 16
2-3-2: crer une excitation de type Lumped Port ................................... 16
2-4 Gnration des rapports .......................................................................... 18
CHAPITRE 3 Travail ralis ........................................................................... 19
3-1 Etude dune ligne coplanaire ...................................................................... 20
3-2 Cavit sans plot ........................................................................................ 22
3-3 Cavit avec plot ........................................................................................ 22
3-3-1: Dtermination du facteur de qualit vide .................................. 24
3-3-2: L'effet de dimensions du plot sur f0 et Q0 ..................................... 26
3-3-3: Optimisation des dimensions du plot ............................................ 28
3-3-4: Apparition des modes parasites .................................................... 29
3-4 Essai avec des dilectriques diffrents. ................................................ 30
3-4-1: Essai 1- Augmentation des effets capacitifs ................................ 30
3-4-2: Essai 2- Augmentation des effets selfiques................................. 31
Conclusion ............................................................................................................ 33
Bibliographie......................................................................................................... 34
Tableau des figures............................................................................................. 35
Annexe 1 Programmes de MATLAB .............................................................. 36
Annexe 2 Rsultats des simulations ............................................................. 38
Rsum ................................................................................................................. 42
Abstract ................................................................................................................. 42

Introduction
Durant notre projet nous nous intressons ltude dun rsonateur en
cavit LTCC plot capacitif. Lintrt de ce type de rsonateurs est quils
prsentent un encombrement rduit lorsque lon travaille en bande Q (30 - 50
GHz) et un cot de fabrication faible. Les objectifs du projet europen LOTTO
qui concerne notamment la recherche de solutions de filtrage 40 GHz en
technologie multicouches LTCC ont guids le choix de la technologie utilise,
les performances lectriques et les contraintes dencombrement du
rsonateur.
Lintgration de dfauts capacitifs a permis de rduire lencombrement de
la cavit de 52% passant de 2,1 x 2,1 mm 1,45 x 1,45 mm. La technologie
quasi-planaire de ces filtres permet leur intgration aise un environnement
planaire.
Ltude de la thse ralise par Paul Ferrand propose cette topologie de
plot :

Figure 1: Toplologie de plot capacitif

Le but de notre projet tant de chercher une nouvelle topologie du plot


capacitif pour savoir si il est possible :

damliorer le facteur de qualit vide Qo,


de diminuer les pertes dinsertions.
de diminuer la frquence de rsonance.

Le fait de diminuer la frquence de rsonance va permettre de diminuer


encore les dimensions de la cavit car la frquence de rsonance est
inversement proportionnelle la taille de la cavit.
Pour cela nous allons prsenter un chapitre sur les aspects thoriques,
ensuite, une prsentation succincte du logiciel HFSS. Dans un troisime
chapitre, nous prsenterons les travaux raliss et enfin nous proposerons
quelques perspectives pour un ventuel futur projet.

CHAPITRE 1 Mesure de facteur de qualit vide


Pour une cavit rectangulaire la frquence de rsonance est donne par la
relation (1-1):
2

m n p

+ +

2 r r a b l
Avec: a, b et l reprsentent les dimensions de la cavit
m, n et p reprsentent les indices du mode.
Et le facteur de qualit vide et donn par:
f0 =

Q0 = 2

(1-1)

nergie emmagazine la rsonance


(1-2)
nergie dissipe dans une priode la frquence de rsonance

Dans ce chapitre nous nous intressons diffrentes mthodes de


dtermination du facteur de qualit vide(Q0) d'une cavit partir de ses
paramtres mesurables l'extrieur.

1-1 Paramtres d'une cavit rsonante


Au point de vue du systme chaque cavit a trios paramtres principaux
permettant la caractriser et la comparer avec les autres cavits:
Frquence de rsonance f0: Pour une cavit monte en
transmission, c'est la frquence laquelle la cavit transmet
maximum de la puissance d'entre vers la sortie.
Facteur de qualit vide: c'est une mesure de slectivit d'une
cavit et se dfinie comme:
f
Q0 =
(1-3)
f0
Avec f0 : frquence de rsonance
f : Largeur de bande de -3dB

Pertes: elles sont dfinies comme la diffrence de la puissance


d'entre et de sortie d'une cavit la frquence de rsonance.

Pour dterminer ces paramtres il suffit de tracer les paramtres S de la


cavit en fonction de la frquence.

Figure 2: Dtermination de paramtres d'une cavit

f0 est la frquence laquelle S 21 a sa valeur maximum.


Sachant que S 21

et S11

reprsentent respectivement la partie transmise

et la partie rflchie de la puissance incidente, on peut dterminer les pertes


comme:
2
2
pertes = 1 S 21 S11
(1-4)
Dans pratique le plus souvent on utilise les cavits comme les filtres
slectifs et on est surtout intress de connatre les pertes la frquence de
rsonance. Si la frquence de rsonance la cavit est bien adapte aux
lignes l'accs on peut dire que cette frquence S11 << S 21 et par
consquent les pertes se calculent partir de:
2
pertes = 1 S 21

(1-5)

Pour calculer le facteur de qualit on peut dterminer les frquences


auxquelles S 21 dB est -3dB de sa valeur maximale. L'cart entre ces deux
frquences dtermine f et Q est calcul par la relation (1-3).
Mais le facteur de qualit dtermin par cette mthode est effectu pour
l'ensemble des effets produit par la cavit elle-mme et les effets dus au
systme d'excitation utilis pour fournir la puissance aux bornes de la cavite.
Cette valeur est appele facteur de qualit en charge.
Par contre c'est le facteur de qualit vide qui va nous permettre de
caractriser la cavit et la comparer avec les autres cavits. Les effets de
couplages restent inchangs quelque soit la cavit excite par le mme
systme d'excitation.

Pour trouver une mthode de dtermination du facteur de qualit vide


nous allons d'abord formuler le facteur de qualit en charge et les lments
jouant sur ce paramtre.

1-2 Facteur de qualit en charge d'une cavit


Autour d'un mode de rsonance, une cavit peut tre reprsente par un
circuit rsonant srie R, L, C. pour qu'une puissance micro-onde puisse lui
tre fournie elle doit tre connecte des systmes d'excitations. Ces
couplages des tronons de lignes coplanaires peuvent tre symboliss par
des transformateurs parfaits.
Le circuit quivalent de la cavit couple est donc le suivant:

Figure 3: Circuit quivalent de la cavit couple

La frquence de rsonance du mode et donn par:


1
f0 =
(1-6)
2 LC
Le facteur de qualit vide et dtermin comme:
L 0
Q0 =
(1-7)
R
Le facteur de qualit extrieur l'accs (1) de la cavit est le facteur de
qualit du circuit de la Figure 4. Les pertes de la cavit sont annules. Ce
coefficient traduit la qualit du couplage.

Figure 4: Facteur de qualit Q1

Ce paramtre se calcule partir de la relation suivante:


L
Q1 = 2 0
(1-8)
n1 Z c
Le facteur de qualit extrieur accs (2) de la cavit est dfini de la
mme manire que Q1.
L
Q2 = 2 0
(1-9)
n2 Z c

Le facteur de qualit en charge QL est donn par:


L 0
QL =
(1-10)
2
R + n1 Z c + n22 Z c
QL est le facteur de qualit du circuit suivant:

Figure 5: Facteur de qualit en chanrge

Il est donc caractristique:


- du circuit rsonant et de ses pertes
- du couplage aux accs
La relation suivante se dduit aisment des expressions prcdentes:
1
1
1
1
=
+
+
(1-11)
Q L Q0 Q1 Q2

1-3 Intrt de dtermination de Q0


Pour voir l'intrt de dtermination de Q0 nous allons tudier l'effet
d'augmentation du facteur de qualit extrieur et facteur de qualit vide sur
facteur de qualit en charge.

1-3-1: Augmentation de Qe pour un Q0 constant


Pour l'instant on assume: n1=n2=n et par consquent: Q1=Q2=Qe.
D'aprs les quations (1-8) et (1-9) si l'on augmente n, c'est--dire qu'on
utilise un couplage plus fort pour exciter la cavit, Qe se dgrade. En traant
S 21 en fonction de la frquence pour diffrentes valeurs de Qe (avec un Q0
fixe) on peut visualiser que pour une cavit donne chaque amlioration de
slectivit du filtre par changement de systme d'excitation est accompagne
par laugmentation des pertes, et chaque diminution des pertes se traduit par
la chute du facteur de qualit du filtre.
La Figure 6 montre ce phnomne1.

1-3-2: Augmentation de Q0 pour un Qe constant


Cette fois on prend un Qe et l'on trace S 21 en fonction de la frquence
pour diffrentes valeurs de Q0. Comme illustre dans Figure 72, on peut
visualiser que si l'on arrive augmenter le facteur de qualit vide d'une
cavit on amliore en mme temps la slectivit du filtre et ses pertes. C'est
d au fait que les deux valeurs : les pertes et la slectivit, sont relies aux
pertes lectriques et magntiques dans la cavit.

1
2

Le programme de MATLAB permettant de tracer cette courbe est donn en Annexe 1


Le programme de MATLAB permettant de tracer cette courbe est donn en Annexe 1

Donc on est plus intress damliorer la slectivit du filtre par


augmentation du facteur de qualit vide et non par augmentation du facteur
de qualit extrieur, parce que ce dernier a pour effet une chute de puissance
transmise frquence de rsonance do l'importance de mesure de Q0.
Maintenant on s'intresse la dtermination de ce paramtre.

Figure 6: Utilisation de diffrents couplages pour un Q0 donn

Figure 7: |S21| pour diffrents Q0 et un Qe fixe

1-4 Diffrentes mthodes pour calculer Q0


On distingue trois diffrentes mthodes pour calculer le facteur de qualit
vide d'une cavit rsonante:
- Utilisation d'un couplage faible
- Etude de la cavit identique sans pertes
- A l'aide de l'abaque de Smith
Les rsultats de ces trois mthodes concident1 peu prs et par
consquent on utilisera la mthode la plus simple qui est tude de la cavit
sans pertes.

1-4-1: Utilisation d'un couplage faible2


Si l'on prend n1<<1 et n2<<1 deux accs d'excitation, comme vu dans la
partie (1-3-1: Augmentation de Qe pour un Q0 constant) cause de pertes
d'adaptation on aura un couplage trs faible et une trs petite partie de la
puissance fournie aux bornes de cavit peut lui tre dlivre.
Dans ce cas d'aprs relations (1-8) et (1-9) on aura:
L
(1-12)
Q1 = lim 2 0 =
lim
n1 0
n1 0 n1 Z c
L

Q2 = lim 2 0
lim
n 0
n 0 n Z
2

(1-13)

1
1
=
Q L Q0
(1-14)
Q L Q0
On en dduit la mthode de dtermination du facteur de qualit vide
comme ci-dessous:
On utilise des couplages trs faibles pour exciter la cavit, on trace S 21

en fonction de la frquence Pour vrifier que l'on a bien un couplage trs


faible, on s'intresse S 21 la frquence de rsonance et on vrifie que

S 21 <<1. On mesure le facteur de qualit en charge l'aide de la mthode


explique dans (1-1 Paramtres d'une cavit rsonante), et la relation (1-3).
La valeur mesure sera trs proche de Q0.

1-4-2: Etude de la cavit sans pertes3


HFSS nous permet d'utiliser les matriaux idaux pour raliser une cavit.
On peut mettre la tangente de pertes du dilectrique gale zro, ainsi que
dfinir un conducteur avec conductivit infinie.
Dans ce cas d'aprs relation (1-5) on aura Q0 gal l'infini:

Q0 = lim
lim
R 0
R 0

L 0
=
R

(1-15)

Voir la partie de manipulation, 3-3-1: Dtermination du facteur de qualit vide


Pour la mise en uvre voir 3-3-1: Dtermination du facteur de qualit vide
3
Pour la mise en uvre voir 3-3-1: Dtermination du facteur de qualit vide
2

10

1
1
1

+
(1-16)
Q L Q1 Q2
On en dduit la mthode de dtermination de Q0:
Apres avoir simul un cavit, et avoir dtermin son facteur de qualit en
charge QL l'aide de relation (1-3), on ralise une cavit identique sans
pertes. On mesure son facteur de qualit en charge Q'L de mme manire, on
aura:
1
1
1
1
=
+
+
1
1
1
Q L Q0 Q1 Q2

(1-17)

1
1
1
Q
Q
Q
'
0
L
L

+
Q' L Q1 Q2

1-4-3: En utilisant l'abaque de Smith1

Figure 8: Circuit quivalent d'une cavit

Si l'on suppose que la source d'excitation et la charge sont adaptes aux


Z
lignes coplanaires et si l'on pose z =
on peut calculer les paramtres S de
Zc
ce quadriple comme suivant:
n 2 n12 + z
S11 = 22
(1-18)
n2 n12 + z
2n n
S12 = S 21 = 2 1 22
(1-19)
n 2 n1 + z

S 22 =

n12 n22 + z

(1-20)

n22 n12 + z

Avec:

Z
=
ZC

x=
0
On pose:
z=

R + j L +
ZC

1
j C

R
ZC

1 + jQ0 x
x

(1-21)
(1-22)

Pour la mise en uvre voir 3-3-1: Dtermination du facteur de qualit vide

11

Z C Q0
=
(1-23)
R
Q1
Z
Q
2 = n22 C = 0
(1-24)
R
Q2
En remplaant quations (1-23) et (1-24) dans les expressions (1-18) (119) on obtient:
1

2 1 + 1 + jQ0 x
x

S11 =
(1-25)
1

2 + 1 + 1 + jQ0 x
x

2 1 2
S 21 = S12 =
(1-26)
1

2 + 1 + 1 + jQ0 x
x

2 1 + 1 + jQ 0 x
x

S 22 =
(1-27)
1

2 + 1 + 1 + jQ 0 x
x

Les impdances normalises vues chacun des deux accs peuvent se


calculer partir de:
b
1+ 1
v
a +b
a1 1 + S11
z1 = 1 = 1 1 =
=
(1-28)
b1 1 S11
i1 a1 b1
1
a1
a
1+ 2
v
a + b2
b2 1 + S 22
(1-29)
z2 = 2 = 2
=
=
a 2 1 S 22
i 2 a 2 b2
1
b2
Donc aprs les calculs on a:
1+ 2
1

z1 =
+ jQ1 x
(1-30)
1
x

1 + 1
1

z2 =
+ jQ2 x
(1-31)
2
x

Le lieu de z1 (S11) sur l'abaque de Smith est un cercle partie relle


1+ 2
constante ( =
). Ce lieu coupe l'axe de Im{z}= 1 deux points
1
correspondant aux frquences f1 et f2:
f
f
Q1 1 0 = 1
(1-32)
f 0 f1
1 = n12

f
f
Q1 2 0 = 1
f0 f2
Les quations (1-32) et (1-33) donnent:
12

(1-33)

f1 f 2 = f 02

(1-34)

Donc Q1 peut tre calcul partir de:


f
f
f f2
f
f
= 1
Q1 1 0 = 1 Q1 1 2 = 1 Q1 1
f 0 f1
f0 f0
f0
f0
Q1 =
(1-35)
f1 f 2
Q2 est calcul de mme faon.
On en dduit la mthode de dtermination de facteur de qualit vide:
On calcule QL partir de relation (1-1). On trace le lieu de S11(f) sur
l'abaque de Smith, ce qui coupe les axes du cercle Im{z}= 1 en deux points
correspondants aux frquences f1 et f2. On obtient ainsi Q1 partir de la
f0
relation (1-35) comme Q1 =
. Ensuite on trace le lieu de S22(f), ce qui
f1 f 24
coupe les axes du cercle Im{z}= 1 en deux points correspondants aux
f0
. On obtient donc
frquences f3 et f4. On obtient ainsi Q2 comme Q2 =
f3 f4
Q0 l'aide de l'quation (1-17)
1
1
1
1
=

(1-36)
Q0 Q L Q1 Q2

13

CHAPITRE 2 Logiciel HFSS


HFSS (High Frequency Structure Simulator) est un logiciel qui calcule le
comportement lectromagntique dune structure, pour analyser ce
comportement en dtails, le logiciel met notre disposition des outils
dinterprtation
post-traitement.
Il
effectue
une
modlisation
lectromagntique par rsolution des quations de Maxwell laide de la
mthode des lments finis.
Un projet HFSS est un dossier qui contient un (ou plusieurs) modle(s)
appel(s) design, chaque modle contient une structure gomtrique, ses
conditions aux limites et les matriaux utiliss, ainsi que les solutions de
champs lectromagntiques et les interprtations post-traitement. Tous ces
composants peuvent tre atteints par la fentre Project Manager dans
l'environnement HFSS.
Dans ce chapitre on s'intresse diffrents aspects de ce logiciel utilis
dans notre projet.

2-1 Types de solution dans HFSS


La premire tape de faire une simulation est de dterminer le mode de
solution qu'on souhaite raliser. Les types d'accs et les rsultats obtenus
dpendent du type de solution slectionne.
HFSS met notre disposition trois diffrents types de solution, chacun
optimis pour un problme spcifique:

Driven Modal: On utilise ce type quand on veut HFSS de calculer


les paramtres S modal-based d'une structure passive en haute
frquence comme le lignes coplanaires, les guides d'ondes et les
cavits rsonantes. Dans ce cas les paramtres S seront calculer en
fonction de les ondes incident et rflchie.
Driven Terminal: On utilise ce type quand on veut HFSS de
calculer les paramtres S modal-based de lignes de transmission
plusieurs conducteurs. Dans ce cas les paramtres S seront calculer
en fonction de la tension et courant aux accs.
Eigenmode: On utilise ce type pour calculer rsonances d'une
structure. Le logiciel trouvera la frquence de rsonance de la
structure et les champs ces frquences.

2-2 Crer une structure


Pour crer une structure en 3D il suffit de la dessiner avec les outils mis
disposition par le logiciel.
Ici, nous ne dcrivons que les parties les plus difficiles mise en uvre.

14

2-2-1: Utilisation des variables du projet


HFSS nous permet de dfinir les variables pour les associer certains
paramtres de la structure, comme les dimensions, les proprits des
matriaux,.
L'utilisation des variables pour associer les dimensions simplifie les
ventuels changements de ce dernier. Par exemple dans notre cas pour
changer les excitations et dimensions du plot il suffit de changer la valeur de
la variable correspondante.
Pour dterminer une variable, il faut slectionner Project > Project
Variables et entrer son nom, sa valeur et son unit. Une fois qu'une variable
a t dfinie on peut utiliser son nom en place de sa valeur. HFSS nous
permet aussi d'utiliser des fonctions mathmatiques de variables dfinies.
Les variable du projet ont un prfix $ avant leurs noms.

Figure 9: Utilisation es variables dans HFSS

2-2-2: Soustraction des objets


Il arrive souvent que l'on veuille liminer quelques parties d'un objet.
On dessine l'objet principal ainsi que les objets qu'on souhaite
soustraire de celui-ci
On slectionne l'objet principal
En appuyant sur le bouton CTRL on slection les objet que l'on veut
soustraire

On clique sur Substract


Objets list dans la partie "Tool Parts" sont a soustraire de les
objets list sous "Blank Parts"
Si l'on veut que HFSS garde une copie des objets soustraits on
coche l'option Clone tool objects before subtract
On appuie sur OK

15

Figure 10: Soustraction des objets

2-3 Excitation d'une structure


Aprs avoir dessine une structure, pour que le logiciel soit capable de
faire la simulation, il faut exciter la structure.

2-3-1: Standards types d'excitation utiliss par HFSS


Il existe diffrents types dexcitation, lists dans le tableau 1.
Le plus souvent, on utilise des Wave Ports mais dans notre cas on ne peut
pas utiliser ce type d'accs parce que les surfaces qui sont relier aux
excitations se trouvent dans la structure. Donc on utilise d'autre type d'accs
(les accs localiss ou "Lumped Port" dans HFSS)
Ces accs sont automatiquement adapts aux gnrateurs internes et les
charges de HFSS (50)
Tableau 1: Types d'ecxitation propos par HFSS

Types
dexcitations
Wave Port
Lumped Port
Incident Wave
Voltage
Current
Magnetic Bias

Commentaires
Reprsente la surface travers laquelle un signal entre ou sort
dune structure.
Reprsente la surface interne travers laquelle un signal entre ou
sort dune structure.
Reprsente une onde propageant impactant sur la structure.
Reprsente un champ lectrique constant travers des points
dexcitations.
Reprsente un courant lectrique constant travers des points
dexcitations.
Utilis pour dfinir un champ interne qui polarise un objet 3D en
ferrite.

2-3-2: crer une excitation de type Lumped Port


Pour placer des Lumped Port sur HFFS il faut :

16

Crer une surface en contact avec notre ligne coplanaire qui va fournir
la puissance la structure et lui donner le nom source .
Slectionner dans le menu HFFS > Excitations >Assign > Lumped
port

Figure 11: Crer un Lumped Port

Lors de la cration de lexcitation, on doit donner la direction du champ


qui va de la rfrence vers le conducteur.

Figure 12: Crer un Lumped Port

17

lexcitation tant dfinie, un numro de port lui est attribu. On pourra


sen servir par la suite dans la dtermination des paramtres S.

2-4 Gnration des rapports


Une fois que la simulation est finie, on utilise les rapports pour consulter les
rsultats obtenus.
Pour crer un rapport, on slectionne HFSS > Results > Create Report et
choisit le type du rapport (paramtres S ou les champs) et son format
d'affichage (rectangulaire, sur l'abaque de Smith, polaire,). La fentre de
cration des Traces s'ouvre. On choisit la quantit que l'on veut tracer et on
appuie sur OK.
On peut aussi dfinir les relation mathmatiques partir des rsultats
obtenus: dans la fentre Traces on appuie sur Output variables et on
entre l'expression et le nom de variable que l'on veut dfinir.

Figure 13: Dfinir un Output Variable

18

CHAPITRE 3 Travail ralis


Notre projet consiste en lamlioration du facteur de qualit vide Q0 en
jouant sur la topologie du plot capacitif. Nous avons dcid de raliser ce
travail doptimisation non pas sur le rsonateur conu par Paul Ferrand dans
sa thse, mais sur une cavit simple.
Avantages :
- dessin de la cavit simple et rapide.
- temps de simulations plus courts.
Inconvnient :
- comparaison difficile des rsultats obtenus avec lobjectif.
Avec cette mthode il est vrai que nous ne pourrons pas savoir si nous
aurions obtenu, avec le rsonateur et le plot optimis, un Q0 suprieur 350
(rsultat obtenu pour la structure de la thse). Nanmoins, si lon constate
une amlioration du Q0 sur la cavit simple cette amlioration devrait aussi ce
rpercuter sur le rsonateur de Paul Ferrand. Pour notre cavit simple nous
avons essay de respecter les dimensions dorigine :

Figure 14: Cavit utilise pour nos calculs

Pour savoir comment les dimensions du plot influencent la frquence de


rsonance de la cavit nous la simulons, dans un premier temps, sans plot.
Dans un second temps, nous modifierons tour tour la hauteur et le rayon du
plot initial pour comprendre leurs impacts respectifs sur la frquence de
rsonance et le Q0.

19

3-1 Etude dune ligne coplanaire


Le but de notre projet est de simuler une cavit avec son systme
dexcitations. Ce qui correspond une tude en Driven Modal. Cette tude
peut, parfois, tre prcde par une simulation en oscillations libres (Eigen
mode = Modes propres) de manire connatre les frquences de
rsonances. Une tude en oscillations forces nous conduit utiliser des
excitations. Nous devons en consquence les choisir et savoir les utiliser.
Avant de nous lancer dans une simulation de cavit complexe, nous avons
commenc par crer une ligne coplanaire simple. Nous devions tout dabord
apprendre bien exciter la structure. Le logiciel HFSS propose plusieurs
types dexcitations, notre choix sest port sur lexcitation Lumped Port car
en pratique le couplage du rsonateur avec son environnement extrieur se
fera par une excitation de type coplanaire grave dans la mtallisation de la
face suprieure du substrat. Nous utilisons donc une excitation localise. De
plus les accs dexcitations se trouvent dans la structure donc on ne peut pas
utiliser des Wave port.
Le but de notre simulation de ligne coplanaire est de sassurer que nous
matrisons la manire dexciter une structure avec des Lumped port. Selon la
thorie, nous devons obtenir un S 21 = 0dB quelque soit la frquence de
travail et un S11 trs faible.
Nous avons donc dessin une ligne coplanaire avec un substrat de
permittivit relative 9,8 et nous avons dessin une boite autour de manire
limiter les calculs au volume de la bote que lon appelle blindage. Le blindage
est constitu de CCE (Court-circuit Electrique) Voici notre ligne coplanaire:

Figure 15: Ligne coplanaire

Notre ligne tant dessine, il ne nous reste qu mesurer ses paramtres


S. Pour cela nous faisons les calculs pour des frquences allant de 10 GHz
50 GHz. Nous faisons une tude en oscillations forces avec les 2 excitations
Lumped port (port 1 et port 2). Nous pourrons aussi regarder le champ
lectrique le long de la ligne de transmission.
Nous obtenons |S21|dB et |S11|dB en fonction de la frquence

20

Figure 16: Paramtres S de la ligne

Nous voyons que le |S21| = 0 dB sur toute la bande [10 ; 50] GHz sauf
autour de 38 GHz. Ceci est trs probablement dt une rsonance car notre
ligne coplanaire peu se comporter comme une cavit rsonnante qui dpend
des dimensions de notre structure. Nous pourrons difficilement liminer cet
effet mais nous pouvons considrer que lexcitation fonctionne normalement.
Observons maintenant lallure du champ lectrique le long de la ligne 28
GHz :

Figure 17: Visualisation du champ lectrique

On voit que le champ lectrique se situe juste entre la ligne et le plan de


rfrence et ne traverse pas le dilectrique. Cela correspond ce que nous
voulions, en effet nous avions dtermin un gap beaucoup plus faible entre la
ligne et le plan de rfrence que entre la ligne et le plan mtallique situ en
dessous du substrat dilectrique.
Notre essai est concluant : la transmission entre le port 1 et le port 2
seffectue correctement avec un coefficient de rflexion trs faible sur une trs

21

large bande nous pouvons dsormais utiliser des Lumped port dans notre
simulation de cavit.

3-2 Cavit sans plot


Nous ralisons une simulation de la cavit avec ses excitations en
reprenant les mmes dimensions que celles utilises dans la thse. Nous
nous attendons en consquence retrouver une frquence dapparition du 1er
mode TM110 autour de 46 GHz. Les rsultats de simulation nous donnent les
paramtres S suivant :

Figure 18: Paramtres S de la cavit sans plot

On observe une rsonance 46 GHz et un Q0 = 450


Nous pouvons dsormais observer limpact dun plot capacitif dans la
cavit.

3-3 Cavit avec plot


Nous reprenons la cavit paralllpipdique avec un systme dexcitation
du mme type et nous insrons dans la cavit le plot non optimis.
Dans un premier temps nous prenons un plot non optimis avec une
hauteur de tige gal 470 m et un rayon de plot gal 250 m.
Le dilectrique utilis dan structure est de lAlumine avec r=9,8 et des
tangentes de pertes dilectriques gales 10-4. Le conducteur est de l'Argent
avec une conductivit de 6,1.107 .
Dans notre projet, nous avons dimensionn la cavit l'aide des variables
du projet1, voici les variables utilises pour designer la cavit et son plot
capacitifs, ainsi que significations et valeurs de chacun de celles-ci:

Voir la partie (2-2-1: Utilisation des variables du projet)

22

Figure 19: Dimensions de la cavit

Tableau 2: Variables du projet

Nom
a
b
h
ecart
Ri
Ro
Hi
Ho
dx
dy
dx1
dy1
lx
ly
v
gy
gx

valeur
1,45 mm
1,45 mm
1 mm
0,3 mm
15 m
250 m
470 m
8 m
600 m
300 m
250 m
130 m
100 m
130 m
20 m
30 m
100 m

Figure 20: Dimensions du plot

Figure 21: Dimensions de l'excitation

23

3-3-1: Dtermination du facteur de qualit vide


Nous allons utiliser trois diffrentes mthodes pour dterminer Q0 comme
indiqu dans la partie (1-4 Diffrentes mthodes pour calculer Q0), et montrer
que trois rsultats obtenus concident vers une seule valeur.
Mthode 1: Utilisation d'un couplage faible:
Pour diminuer le couplage entre systme d'excitation et la cavit, on
diminue les dimensions du systme d'excitation et on loigne les accs les
uns des autres.
On a choisit:
Tableau 3: Dimensions du couplage faible

Nom
ecart
dx
dy
dx1
dy1
lx
ly
v
gy
gx

valeur
0,6 mm
200 m
100 m
70 m
50 m
20 m
50 m
10 m
5 m
20 m

Le rsultat de la simulation est:

Figure 22: Dtermination de Q0 l'aide d'un couplage faible

Ce qui donne:

24

16 ,736
= 167
16 ,784 16 ,684
Mthode 1:Etude sans pertes:
On fait une simulation sur la cavit, on obtient QL=130. Ensuite on annule
les pertes de la cavit: on dfinie toutes les parois mtallique de la cavit
comme conducteur idal, et l'on met les tangentes de pertes du dilectrique
gales zro.
Q0 =

Figure 23: Dtermination de Q0 par tude de la cavit sans pertes

On obtient:
Q L =

16 ,994
1
1
= 641 Q0 =

17.007 16 ,9805
130 641

= 163

Mthode 3: A l'aide de l'abaque de Smith:


Apres avoir simul la cavit et obtenir QL=130, on gnre un rapport sur
l'abaque de Smith pour obtenir Q1 et Q2. Afin d'galiser le retard introduit sur
S11 et S22, on mesure largument de S11 (et S22) la frquence de rsonance
( Arg (S11 ) f = f = 88,9 o 1,55 rad et Arg (S 22 ) f = f = 85,6 o = 1,49 rad ), et on dfini
0

les variables de visualisation1 comme ci-dessous:


S11p=St(LumpPort1,LumpPort1)*exp((0+1j)*1.55)
S22p=St(LumpPort2,LumpPort2)*exp((0+1j)*1.49)
L'inconvnient de cette mthode est que on doit faire une simulation fin
sur une plage de frquence afin d'obtenir des cercles prcis, do une
simulation trs lente.
On obtient:
16 ,944
Q1 = Q2 =
= 1303
16 ,9505 16 ,9375
1

Voir Figure 13: Dfinir un Output Variable

25

Figure 24: Dtermination de Q0 l'aide de l'abaque de Smith


1

1
1
1
Q0 =

= 162
130 1303 1303
Conclusion
Les rsultats des trois mthodes concident, donc par la suite nous
utiliserons la mthode la plus simple qui est dtermination de Q0 partir de la
simulation de la cavit sans pertes identique.

3-3-2: L'effet de dimensions du plot sur f0 et Q0


Effet de l'hauteur du plot
Nous prenons le rayon de la couronne constant et gal 350 m:

Figure 25: L'effet de l'hauteur du plot sur f0

26

Figure 26: L'effet de l'hauteur du plot sur Q0

On peut visualiser qu'en augmentant la hauteur du plot, f0 et Q0 diminuent.


Pour les dtails des rsultats obtenus voir Annexe 2
Effet du rayon de la couronne
Nous prenons l'hauteur du plot constant et gal 450 m:

Figure 27:L'effet du rayon de la couronne sur f0

Figure 28: L'effet du rayon de la couronne sur Q0

27

On peut visualiser qu'en augmentant le rayon de la couronne, f0 et Q0


diminuent. Le facteur de qualit du dernier point n'est pas fiable cause de
lapparition d'un mode parasite. (Voir 3-3-4: Apparition des modes parasites).
Pour les dtails des rsultats obtenus voir Annexe 2

3-3-3: Optimisation des dimensions du plot


Nous ralisons plusieurs simulations avec diffrentes dimensions de plots,
sachant que nous ne pouvons jouer que sur la hauteur de la tige ou sur le
diamtre de la couronne du plot. Le but de l'optimisation et d'obtenir une
topologie qui donne le meilleur facteur de qualit en gardant la frquence de
rsonance (17 GHz 5%).
Pour garder la frquence, comme nous avons montr dans la partie
prcdente l'effet d'augmentation de l'hauteur du plot doit tre annul par la
diminution du rayon de la couronne et contrairement. La Figure 29 montre les
dimensions, (Hi et Ro) pour lesquelles frquence de rsonance reste
constante 17 GHz.

Figure 29: Lieu de Hi et Ro pour f0=17 GHz

Figure 30: Variations de Q0 en fonction de dimensions du plot

28

3-3-4: Apparition des modes parasites


Durant les simulations nous avons rencontr un phnomne intressant
que nous allons prsenter ci-dessous.
Pour certain valeurs de Hi et Ro, nous voyons apparatre deux modes avec
des frquences de rsonances trs proches, ce qui entrane d'un problme de
filtrage et linutilit de la cavit pour la fonction de filtrage.

Figure 31: Apparition des modes parasites

Pour un rayon de la couronne donn on ne peut pas augmenter la hauteur


du plot au del de certaines valeurs sous peine de voir apparatre des modes
parasites.

Figure 32: Zones d'apparition des modes trs proches


1

Pour les rsultat des simulations voir Annexe 2.

29

3-4 Essai avec des dilectriques diffrents.


Ici nous allons simuler la cavit avec 2 dilectriques diffrents et nous
prenons un plot avec Hi = 450 m et Ro = 250 m.
Le but tant de comprendre linfluence de ces modifications au niveau de
la frquence de rsonance, nous nallons pas nous intresser au facteur de
qualit car nous ne connaissons pas les tangentes de pertes des matriaux
dilectriques utiliss.

3-4-1: Essai 1- Augmentation des effets capacitifs


Sous la couronne nous plaons un matriau de permittivit relative r = 7 et
de permabilit relative r = 1. Au dessus nous allons placer un matriau
avec r = 65 et r = 1 (voir Figure 33). Cela a pour effet un augmentation de
l'effet capacitif du plot, car nous augmentons la permittivit du dilectrique de
la capacit entre le plot et la paroi suprieure de la cavit.
Nous ne commencerons pas directement avec r = 65 mais nous
commencerons 20 puis 40 et enfin 65 car cela reprsenterait un saut trop
important et nous voulons nous assurer que nous suivons le mme mode.

Figure 33: Cavit avec deux dilectriques diffrents

Nous ralisons avant chaque tude en oscillations forces (Driven


Modal), une tude en oscillation libre (Eigen Mode : modes propres). Pour
chaque permittivit relative nous nous assurons dobtenons les mmes
solutions de frquence de rsonance pour lEigen Mode que pour la
visualisation des paramtres S (Voir Annexe 2). Voici en Figure 34 les
variations de frquences de rsonances en fonction du dilectrique suprieur:

30

Figure 34: Frquences de rsonances en fonction de la permittivit

Nous remarquons que la frquence de rsonance diminue quand on


augmente la permittivit relative du dilectrique.

3-4-2: Essai 2- Augmentation des effets selfiques


Sous la couronne nous plaons un matriau de permittivit relative r = 1 et
de permabilit relative r = 4 pour augmenter leffet inductif. Au dessus nous
laissons le matriau avec r = 65 et r = 1 (voir Figure 35). Nous nous
attendons voir la frquence de rsonance encore chuter du fait de
laugmentation des effets selfiques du plot.

Figure 35: Cavit avec une autre association de matriaux

Nous obtenons les paramtres S situs en Figure 36. Comme nous


pouvons le constater la frquence du premier mode apparat 4,4 GHz ce qui
correspond ce qui tait prvu.
31

Daprs ce que nous observons dans les tudes prcdentes nous


comprenons que le plot influence la frquence de rsonance de la cavit en la
faisant diminuer. En outre, le fait daccentuer les effets capacitifs et selfiques
grce aux dilectriques que nous avons ajout contribue faire encore chuter
cette frquence.

Figure 36: |S21| pour la cavit de l'essai 2

32

Conclusion
Ce projet de simulation 3D de filtres sur HFSS nous a permis de prendre
en main le logiciel, il peut paratre trs convivial mais nous nous sommes
rendu compte quil fallait rester prudent quant son utilisation. En effet,
comme nous avons pu le voir prcdemment, les choix du type dexcitation,
de la mthode de simulation et les interprtations doivent tre matrises pour
obtenir des rsultats valables dans un domaine de frquence donn.
De plus, nous avons pu tendre nos connaissances sur le domaine des
micro-ondes et plus particulirement sur les cavits rsonantes grce une
tude thorique sur les facteurs de qualits, et les mthodes pour avoir accs
au facteur de qualit vide dune cavit.
Nous avons mis en vidence les effets dun plot capacitif lintrieur de
la cavit, sur la frquence et le facteur Q0.
Le filtre en technologie LTCC constitu de six couches de dilectrique
permet dempiler des matriaux dilectriques diffrents pour augmenter
linfluence du plot et peut tre amliorer le Q0. Il peut savrer intressant en
outre de diminuer la taille de la cavit, le plot va diminuer la frquence de
rsonance et va permettre de diminuer les dimensions du rsonateur jusqu
obtenir la frquence voulue. Car rappelons-le en diminuant les dimensions
dune structure on augmente la frquence de rsonance.
Maintenant que nous venons de valider lutilisation de HFSS pour
mesurer le Q0, il pourrait tre intressant de poursuivre les simulations en
cherchant optimiser la forme et pourquoi pas le nombre de plots en jouant
dans le mme temps sur les matriaux utiliss.

33

Bibliographie
FERRAND Paul, "Solutions de filtrage millimtrique et submillimtrique
structures priodiques en technologies innovantes" , Electronique des hautes
frquences et optolectronique, IRCOM : Universit de Limoges, 2005, 204p
Ansoft, "Help for HFSS", 2004
MADRANGEAS Valrie,
Universit de Limoges, 98p

"Travaux

pratique

microondes"

ENSIL,

CHENG David K, "Field and wave electromagnetics", 5me Edition,


Thran: Universit de Thran, 1998, 874p

34

Tableau des figures


Figure 1: Toplologie de plot capacitif ..................................................................4
Figure 2: Dtermination de paramtres d'une cavit ........................................6
Figure 3: Circuit quivalent de la cavit couple ...............................................7
Figure 4: Facteur de qualit Q1 ............................................................................7
Figure 5: Facteur de qualit en chanrge .............................................................8
Figure 6: Utilisation de diffrents couplages pour un Q0 donn .....................9
Figure 7: |S21| pour diffrents Q0 et un Qe fixe ...................................................9
Figure 8: Circuit quivalent d'une cavit .......................................................... 11
Figure 9: Utilisation es variables dans HFSS ................................................. 15
Figure 10: Soustraction des objets ................................................................... 16
Figure 11: Crer un Lumped Port ..................................................................... 17
Figure 12: Crer un Lumped Port ..................................................................... 17
Figure 13: Dfinir un Output Variable............................................................... 18
Figure 14: Cavit utilise pour nos calculs ...................................................... 19
Figure 15: Ligne coplanaire ............................................................................... 20
Figure 16: Paramtres S de la ligne ................................................................. 21
Figure 17: Visualisation du champ lectrique ................................................. 21
Figure 18: Paramtres S de la cavit sans plot .............................................. 22
Figure 19: Dimensions de la cavit .................................................................. 23
Figure 22: Dtermination de Q0 l'aide d'un couplage faible ...................... 24
Figure 23: Dtermination de Q0 par tude de la cavit sans pertes ........... 25
Figure 24: Dtermination de Q0 l'aide de l'abaque de Smith ................... 26
Figure 25: L'effet de l'hauteur du plot sur f0 .................................................... 26
Figure 26: L'effet de l'hauteur du plot sur Q0 .................................................. 27
Figure 27:L'effet du rayon de la couronne sur f0 ............................................ 27
Figure 28: L'effet du rayon de la couronne sur Q0 ......................................... 27
Figure 29: Lieu de Hi et Ro pour f0=17 GHz ................................................... 28
Figure 30: Variations de Q0 en fonction de dimensions du plot ................... 28
Figure 31: Apparition des modes parasites..................................................... 29
Figure 32: Zones d'apparition des modes trs proches ................................ 29
Figure 33: Cavit avec deux dilectriques diffrents ..................................... 30
Figure 34: Frquences de rsonances en fonction de la permittivit ......... 31
Figure 35: Cavit avec une autre association de matriaux ........................ 31
Figure 36: |S21| pour la cavit de l'essai 2 ....................................................... 32
Figure 37: Apparition du mode parasite (Hi=806,5 et Ro=127,5)................ 39
Figure 38:Apparition du mode parasite (Hi=792 et Ro=130) ....................... 39
Figure 39:|S21| pour r=20 .................................................................................. 40
Figure 40: |S21| pour r=40 ................................................................................ 40
Figure 41: |S21| pour r=40 ................................................................................ 41

35

Annexe 1 Programmes de MATLAB


Programme de MATLAB utilise pour obtenir Figure 6: Utilisation de
diffrents couplages pour un Q0 donn
%Ce programme trace S21 en fonction de facteur
%de qualit vide du circuit
%==============================================
%dfinition des couleurs
color=[0 0 0;0 0 1;1 0 0;0 .6 0];
%paramtres du circuit
n=.2; l=1; c=1; zc=1;
%plage de frquence
f0=1/(2*pi*sqrt(l*c));
fmin=f0/3;
fmax=f0*2;
f=fmin:(fmax-fmin)/100:fmax;
figure;
grid;
hold on;
index=0;
for r=[0 .08 .16 .4]
%pertes
index=index+1;
z=r+i*2*pi*f*l+1./(i*2*pi*f*c);%impdence du circuit resonant
s21=(2*n*n)./(z+2*n*n);
%calcul de s21
plot(2*pi*f,20*log(abs(s21)),'color',color(index,:),...
'linewidth',1.5);
end
%proprits du graphe
legend('Q_0=\infty', 'Q_0=Q_e', 'Q_0=Q_e/2', 'Q_0=Q_e/5')
ylabel('|S_2_1|_d_B');
xlabel('\omega/\omega_0');
axis([fmin*2*pi fmax*2*pi -60 0]);
set(gca,'xaxislocation','top','box','on');

Programme de MATLAB utilis pour obtenir Figure 7: |S21| pour diffrents


Q0 et un Qe fixe

%Ce programme trace S21 en fonction de qualit


%du couplage extrieur du circuit
%==============================================

36

%dfinition des couleurs


color=[0 .6 0;1 0 0;0 0 1;0 0 0];
%paramtres du circuit
r=1; l=5; c=1/5; zc=1;
%plage de frquence
f0=1/(2*pi*sqrt(l*c));
fmin=f0/3;
fmax=f0*2;
f=fmin:(fmax-fmin)/100:fmax;
%impdence du circuit rsonant en fonction de frquence
z=r+i*2*pi*f*l+1./(i*2*pi*f*c);
figure;
grid;
hold on;
index=0;
for n=[1/sqrt(10) 1/sqrt(5) sqrt(2)/2 1]%couplage
index=index+1;
s21=(2*n*n)./(z+2*n*n);
%calcul de s21
plot(2*pi*f,20*log(abs(s21)),'color',color(index,:)...
,'linewidth',1.5);
end
%proprits du graphe
legend('Q_e=10Q_0', 'Q_e=5Q_0', 'Q_e=2Q_0', 'Q_e=Q_0')
ylabel('|S_2_1|_d_B');
xlabel('\omega/\omega_0');
axis([fmin*2*pi fmax*2*pi -60 0]);
set(gca,'xaxislocation','top','box','on');

37

Annexe 2 Rsultats des simulations


Les rsultats des simulations utiliss pour construire les figure de la partie
(3-3-2: L'effet de dimensions du plot sur f0 et Q0):
Tableau 4: L'effet de dimensions du plot sur f0 et Q0

Dimensions
Hi(m)
350
450
550
650
750
450
450
450
450

Ro(m)
350
350
350
350
350
160
200
240
280

Etude avec pertes


f1(GHz)
16.279
14.555
13.242
11.745
10.176
22.740
20.470
18.043
15.526

f0(GHz)
16.337
14.620
13.300
11.815
10.262
22.812
20.540
18.112
15.500

f2(GHz)
16.401
14.680
13.375
11.890
10.352
22.890
20.609
18.177
15.541

Etude sans pertes


QL
134
117
100
81
58
152
148
135
1033

f'1(GHz)
16.387
14.658
13.348
11.838
10.262
22.860
20.581
18.150
15.509

f'0(GHz)
16.393
14.668
13.365
11.865
10.308
22.873
20.591
18.161
15.510

f'0(GHz)
16.400
14.679
13.382
11.891
10.355
22.887
20.604
18.175
15.511

Q'L
1311
716
393
222
111
847
895
747
7755

Q0
149
140
134
129
123
185
177
165
1192

Les rsultats des simulations utiliss pour construire Figure 29 et Figure


30:
Tableau 5: Optimisation de dimension du plot

Dimensions
Hi(m)
370
420
470
500
548
600
650
749
780
806.1

Ro(m)
317
285
250
242
225
204
180
141
135
127

Etude avec pertes


f1(GHz)
16.930
16.907
16.880
16.941
16.975
16.930
16.876
16.880
16.957
16.915

f0(GHz)
16.990
16.975
16.946
17.007
17.044
17.006
16.950
16.975
17.060
17.015

f2(GHz)
17.060
17.045
17.010
17.076
17.112
17.086
17.025
17.076
17.165
17.120

Etude sans pertes


QL
131
123
130
126
124
109
114
87
82
83

f'1(GHz)
17.038
17.019
16.981
17.039
16.981
17.031
16.968
16.977
17.110
17.010

f'0(GHz)
17.045
17.030
16.994
17.056
16.994
17.057
16.996
17.026
17.165
17.064

f'0(GHz)
17.053
17.041
17.007
17.072
17.007
17.084
17.024
17.074
17.219
17.120

Q'L
1100
774
641
517
641
322
303
176
157
155

Les rsultats des simulations utiliss pour construire (Figure 32):


Tableau 6:Apparition du mode parasite

Hi (m)
Ro (m)

806,5
127,5

792
130

749,5
140,2

Voici quelque exemples:

38

670
180

550
240

450
280

Q0
148
146
164
167
154
165
182
171
171
179

Figure 37: Apparition du mode parasite (Hi=806,5 et Ro=127,5)

Figure 38:Apparition du mode parasite (Hi=792 et Ro=130)

Les rsultats des simulations utiliss pour construire (Figure 34:


Frquences de rsonances en fonction de la permittivit):

39

Figure 39:|S21| pour r=20

Figure 40: |S21| pour r=40

40

Figure 41: |S21| pour r=40

41

Rsum
Dans notre projet, nous nous intressons tudier une cavit rsonante
ave un plot capacitif. Ces topologies de rsonateurs ne font appel pour leur
fabrication qu' des technologies bas-cot et donnent la possibilit de raliser
les cavits plus compactes.
Notre objectif tait de simuler une telle cavit, tudier l'effet d'un plot
capacitif dans une cavit sur son comportement, et optimiser le plot afin
d'obtenir le meilleur facteur de qualit.
La topologie utilise est celle propose par la thse ralise par Paul
Ferrand, nous essayons d'optimiser les dimensions du plot.
Nous utilisons HFSS pour toutes les simulations.
Dans le premire chapitre nous allons dvelopper les aspects thorie du
projet. Dans le deuxime chapitre nous prsenterons HFSS, et dans le
troisime nous faisions les simulations et essayerons de optimise la cavit.

Mot cls: Cavit, HFSS, Facteur de qualit vide, Plot capacitif

Abstract
In this project we are about to study a cavity resonator with a metallic via
which can be produced using the LTCC technology. These cavities will lead in
the more integrated resonators as well as less manufacturing costs.
Objective of this project is to simulate such a resonator, to study the
influence of a metallic via in a cavity resonator, and to optimize the via to
obtain best quality factor.
The via topology used is the one Paul Ferrand has proposed in his thesis,
and we will try to find the dimensions in which the quality factor is maximum
for a given resonance frequency.
We have used HFSS, a powerful software in electromagnetic fields
simulation, for all the simulations.
The first two chapters provide some background on measuring quality
factor of a resonator and using HFSS more efficiently. final chapter is the
direct application of first two chapters in the project.
Key words: Cavity, Quality factor, HFSS, Via

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