Filière : Systèmes Embarqués et Robotique

Module : Electronique Analogique

Rapport de mini-projet : L’amplificateur de

classe C

Réalisé par : Encadré par:

 AMRAOUI Karima  Mr. SEDDIK

 BENICHOU Nezha Mohammed
 SABER Mohamed

Année Universitaire : 2020/2021

 Remerciement 

C’est une habitude saine de remercier au début d’un tel travail tous ceux qui
ont contribué à le rendre possible.
C’est avec notre enthousiasme le plus vif et le plus sincère que nous voudrions
rendre mérite à tous ceux qui, plus au moins à leurs manières, nous ont aidés à
élaborer ce rapport.
Nous tenons à remercier notre Professeur Mr. SEDDIK MOHAMMED pour le
fait de nous donner cette opportunité d’améliorer notre connaissance dans le
domaine de Traitement de signal avancé.

Nos remerciements vont aussi à toutes les personnes qui nous ont
soutenus jusqu’au bout .
 Table des matières 

Liste des figures :...................................................................................................................................5

Introduction :..........................................................................................................................................6
I. Généralités :....................................................................................................................................7
I.1. Historique :...................................................................................................................................7
I.2. Architecture d’un amplificateur de puissance :............................................................................7
I.3. Classification :.............................................................................................................................8
II. Amplificateur de classe C :.............................................................................................................9
II.1. Définition :...................................................................................................................................9
II.2.1. Amplificateur à résonance :..................................................................................................9
II.2.2. Droit de charge statique :.....................................................................................................9
II.2.3. Facteur de qualité :.............................................................................................................11
II.2.4. Le schéma équivalent en dynamique :................................................................................13
II.2.6. traçage de diagramme de Bode :.......................................................................................16
II.2.7. Les paramètres du montage :............................................................................................21
III. Simulation :..............................................................................................................................25
Conclusion :.........................................................................................................................................31
Les références :....................................................................................................................................32
 Liste des figures 

Figure 1: Architecture d’un amplificateur de puissance.........................................................................6

Figure 2 : Amplificateur classe C à résonance........................................................................................8
Figure 3: Circuit équivalent en régime statique......................................................................................9
Figure 4: Droite de charge statique.......................................................................................................10
Figure 5: Droite de charge statique au cas de r=0.................................................................................10
Figure 6 : structure parallèle.................................................................................................................11
Figure 7: structure série........................................................................................................................11
Figure 8: Schéma équivalent en mode dynamique...............................................................................12
Figure 9 : schéma équivalent en dynamique avec (rp //L).....................................................................13
Figure 10 : le gain de la fonction de transfert en fonction de x............................................................18
Figure 11 : la phase de la fonction de transfert en fonction de x.........................................................18
Figure 12 : amplificateur de classe C à résonance sur OrCAD Capture.................................................24
Figure 13 : la représentation temporelle de l’entrée et de la sortie.....................................................25
Figure 14 : la représentation fréquentielle de l’entrée et de la sortie..................................................25
Figure 15 : a représentation fréquentielle de l’entrée et de la sortie (zoomée)...................................26
Figure 16 : amplificateur de classe C à résonance sur OrCAD Capture avec 3 générateurs de tension
alternatif sur l'entrée...........................................................................................................................26
Figure 17 : la représentation temporelle de l’entrée et de la sortie.....................................................27
Figure 18 : la représentation fréquentielle de l’entrée et de la sortie..................................................27
Figure 19 : Figure 13 : amplificateur de classe C à résonance sur OrCAD Capture avec 3 générateurs
de tension alternatif sur l'entrée et de facteur de qualité inferieur a 10.............................................28
Figure 20 : la représentation temporelle de l’entrée et de la sortie.....................................................29
Figure 21 : la représentation fréquentielle de l’entrée et de la sortie..................................................29
 Introduction 

Un amplificateur électronique (ou amplificateur, ou ampli) est un système

électronique augmentant la tension et/ou l’intensité d’un signal électrique.
L’énergie nécessaire à l’amplification est tirée de l’alimentation électrique du
système. Un amplificateur parfait ne déforme pas le signal d’entrée : sa sortie est
une réplique exacte de l’entrée mais d’amplitude majorée.
C'est donc un quadripôle actif à base d'un ou plusieurs composants actifs
(transistor, amplificateur opérationnel, etc.)

Les amplificateurs électroniques sont utilisés dans quasiment tous les circuits
électroniques : ils permettent d’élever un signal électrique, comme la sortie d’un
capteur, vers un niveau de tension exploitable par le reste du système. Ils
permettent aussi d’augmenter la puissance maximale disponible que peut fournir
un système afin d’alimenter une charge comme une antenne radioélectrique ou
une enceinte électroacoustique.

 Pourquoi amplifier un signal en puissance?

Entrée : Signal issu d’un transducteur

Signal en mV ou V et mA ⇒ μW ou mW en entrée
Sortie : Dispositif Electromécanique (Haut parleur 100W)
Signal en V et qq centaines de mA voir qq A⇒ W
 I. Généralités 

I.1. Historique :

Le premier amplificateur électronique fut réalisé en 1906 par l'inventeur

américain Lee De Forest. Il perfectionna son invention en lui rajoutant une
électrode en 1909 quand il a inventé triode. La triode est un dispositif à trois
bornes avec une grille qui peut moduler le flux d'électrons à partir du filament de
la plaque. La triode a été utilisée pour amplifier la première radio modulation
d'amplitude (AM).

Les premiers amplificateurs étaient basés sur vannes thermoïonique, et certains

d'entre eux avaient une fidélité remarquable à reproduire les signaux (tels que
l'amplificateur Williamson 1947). Les amplificateurs modernes sont
principalement état solide, avec des dispositifs tels que (transistor BJT, FET et
MOSFET), Mais encore il y a ceux qui préfèrent encore le tube ampli. Les
amplificateurs à semi-conducteurs sont devenus communs avec la disponibilité
d'un faible coût dans les années 60 des transistors du XXe siècle.
I.2. Architecture d’un amplificateur de puissance :

Figure 1: Architecture d’un amplificateur de puissance

 Etage d’entrée: amplificateur de tension

Impédance d’entrée élevée
Gain en tension élevée indépendant de la source d’entrée en entrée

 Etage de sortie : amplificateur de courant

Impédance de sortie
 Adaptation d’impédance vis-à-vis de la charge
Amplification en courant
 Transistor de puissance
 Classification de la structure en fonction de la durée de conduction

I.3. Classification :
On classe les amplificateurs en fonction de l’angle de conduction des
transistors : les caractéristiques essentielles sont le rendement et la distorsion
 T est la période du signal à reproduire
 α est l’angle d’ouverture c’est l’angle électrique pendant lequel le
transistor est actif sur une période

Classe A : α = 360° ⇒ très faible distorsion - mauvais rendement

Classe B push-pull : α = 180⇒ distorsion importante - bon rendement
Classe AB push-pull : α = 180°+ ε, ⇒ distorsion faible - bon rendement
Classe C : α < 180°, ⇒ distorsion très importante - très bon rendement

Classe D: α ≈0°, ⇒ Transistor en commutation- très forte puissance, très bon

rendement

II. Amplificateur de classe C 

II.1. Définition :
Les amplificateurs de classe C sont des amplificateurs non-linéaires à très haut
rendement. Ils sont toutefois utilisables que dans les amplificateurs HF
(émetteur radio) avec des porteuses non modulées en amplitude. Ils génèrent un
nombre considérable d'harmoniques qui doivent être filtrées à la sortie à l'aide
de circuits accordés appropriés.

II.2. Principe de fonctionnement :

II.2.1. Amplificateur à résonance :

Le montage ci-dessous, représente un amplificateur de classe C. Le circuit LC

en parallèles joue un rôle d’un circuit à résonnance qui accordé sur la fréquence
du signal d'entrée
 Figure 2 : Amplificateur classe C à résonance

II.2.2. Droit de charge statique :

Dans le régime statique, c.-à-d. en bases fréquences (ω tend vers 0) :

 tous les impédances des condensateurs va tender vers l’infini

1
(l’impédance d’un condensateur égale à jCω ) alors chaque condensateur
est équivalent à un circuit ouvert.
 aussi pour l’impédance de la bobine va tender vers 0, (l’impédance d’une
bobine sur le cas réel est jLω+r avec r est la résistance interne de la
bobine), alors la bobine dans ce cas est équivalente à sa résistance interne
r.

Pour déterminer l’équation du droit de charge statique, on a besoin de simplifier

le montage, c.-à-d. faire la conversion au montage émetteur commun.

D’après le théorème de Thévenin:

Figure 3: Circuit équivalent en régime statique.

Avec :
R 1 R2
Rth =R1 /¿ R2=
R1 + R2

Et aussi, on peut utiliser le pont diviseur de tension pour trouver Eth:

R2
Eth = V
R1 + R2 CC

On utilise la loi des mailles sur la maille de sortie :

V CC −( R¿ ¿ c /¿ r )I C =V CE ¿

(R¿ ¿ c /¿ r ) I C =−V CE +V CC ¿
⇔

−V CE
IC =
⇔ V CC
(R¿¿ c /¿ r )+ ¿
−1
(R¿¿ c /¿ r)= ¿
V CC
(R¿¿ c /¿ r )V CE + ¿
(R¿¿ c /¿ r)¿

Maintenant, on peut tracer la droite de charge statique sous la forme suivant :

Figure 4: Droite de charge statique.

N.B : Si la résistance interne de la bobine, c.-à-d. si r =0 donc :

Rc r
( R¿¿ c /¿ r )= =0 ¿
r + Rc
Alors l’équation de la charge statique devient :
V CE =V CC

Figure 5: Droite de charge statique au cas de r=0.

II.2.3. Facteur de qualité :

 On considère le montage en parallèle suivant, qui contient une résistance

R P en parallèle avec une impédance j X P

Figure 6 : structure parallèle

Le facteur de qualité dans ce cas s’écrit sous la forme suivante :

RP
Q P=
|X P|
 on considère le montage en série suivant, qui contient une résistance R s en
série avec une impédance j X s

Figure 7: structure série

Le facteur de qualité dans ce cas s’écrit sous la forme suivante :

|X S|
QS =
RS

 On doit chercher sur la condition nécessaire pour que les deux montages
soient équivalents, c’est-à-dire le même facteur de qualité :

Donc :
⇔
| X S| RP
Q P=Q S =Q Q= =
RS | X P|
Si on a fixé X c’est-à-dire X S= X P =X
2
| X S| RP ⇔
| X S||X P| |X S|
Donc on va trouver dans ce cas : = R S= =
RS |X P| RP RP

D’après ce qui précède l’expression des conditions nécessaires sera :

X S= X P

{ RP =
| X S|
RS
2

On prend par exemple que notre impédance jX = jLω est une bobine, alors
l’équivalent d’une bobine L en série avec sa résistance interne r est une même
bobine L en parallèle avec une résistance r p tel que :

X =X S= X P

{
r p=
|X|
r
2
=
( Lω 2)
r

II.2.4. Le schéma équivalent en dynamique :

Le schéma équivalent de notre montage en mode dynamique se trouve sous la

forme :
 Figure 8: Schéma équivalent en mode dynamique

II.2.5. Déterminer le gain en tension :

Pour déterminer le gain en tension de ce système, on a besoin de simplifier

notre schéma.

La bobine L en série avec sa résistance interne r est equivalent avec la même

bobine L en parallèle avec une résistance r p :

( L ω2)
r p=
r

Figure 9 : schéma équivalent en dynamique avec (r p //L)

On appliquant la loi des nœuds :

( R1 + R1 + r1 + jLω1 + jCω )V + β i =0
C L P
L b

Avec :
Vi
i b=
h11

Alors on trouve:

1 1 1 1 V
( + + +
RC R L r P jLω )
+ jCω V L + β i =0
h11
⇔
1 1 1 1 V
( + + +
RC R L r P jLω
+ jCω V L =−β i
h11 )
−β
VL h11
=
⇔ Vi 1 1 1 1
+ + +
(
RC R L r P jLω
+ jCω
)
On pose : RT =RC /¿ R L /¿ r P

Ce qui va donner :
−β
VL h11
=
Vi 1 1
+
(
R T jLω
+ jCω
)

−β
⇔ VL h11
=
Vi 1 1
+
(
RT jLω
+ jCω
)
−β −β
jLω jLω
⇔ VL h11 h11
= =
Vi 1 1 2 jLω
jLω +
RT jLω(+ jCω LC ( jω ) +
RT
+1
)
Rappel : la fonction de transfert d’un filtre passe-bande :
jω
A02 m
VS ω0
H ( jω )= =
VE jω 2 jω
( ) + 2 m +1
ω0 ω0

Avec :

 A0  : l’amplitude maximale (le gain statique).

 m: le coefficient d’amortissement.
 ω 0: la pulsation de résonance.

Alors notre montage peut considérer comme un filtre passe-bande, puisque la

fonction de transfert s’écrit sous forme d’une fonction de transfert d’un filtre
passe-bande, alors : 
 2⇔
jω jω
LC ( jω) =
2
( )ω0
j √ LC ω=
ω0

Donc :
1
ω 0=
√ LC
Aussi on a :

jω jLω ⇔ 1 L ⇔ L ω0 L 1 L
2m = 2m = m= =ω0 =
ω0 R T ω0 RT 2 RT 2 RT √ LC 2 R T

Donc :
L
m=
√ LC 2 R T
Enfin on a :

−β jω ⇔ −β 1 ω 0 −β
jLω= A 0 2 m L= A 0 2 m A 0= L
h11 ω0 h11 ω0 ⇔ 2 m h 11

1 1 √ LC 2 R T −β
A0 = L
2 √ LC L h11

Donc :
−β RT
A0 =
h11

1
ω0 =

{A 0=

m=
√ LC
−β RT
h11
L
√ LC 2 RT

II.2.6. traçage de diagramme de Bode :

 Rappel : traçage de diagramme de Bode d’un filtre passe-bande du 2eme

ordre :

La forme générale de la fonction du transfert d’un filtre passe-bande du 2eme

ordre :
 jω
A0 2 m
ω0
H ( jω )=
jω 2 jω
( ) +2 m +1
ω0 ω0

Le facteur de qualité Q représente la sélectivité du filtre passe bande, puisque la

valeur de Q est plus grande puisque la bande passant du filtre est plus petit, il est
définit par la relation :
1
Q=
2m

Alors la fonction du transfert devient :

jω jω ω0 Q
A0 A0
ω0 Q ω0 Q ω A0 j
H ( jω )= 2
= 2
=
ω jω ω0 Q ω ω 0 Q jω ω0 Q ω0 Q ω
1−
ω0 ( )
+
ω0 Q ω
−
ω0
+
ω ω0 Q ω ( )
ω
− Q+ j
ω0

A0 j
H ( jω )=
ω0 ω
Q( − )+ j
ω ω0

On a l’expression du gain G(ω)=|H ( jω )| et de la phaseφ ( ω )=arg ⁡(H ( jω )). Alors :

| A 0|

{
G ( ω )=|H ( jω )|=
ω0 ω 2
√ Q2
−(
ω ω0
+1 )
ω0 ω
φ ( ω ) =arg ( H ( jω ) )=arg ( A0 j ) −arg Q
(( −
ω ω0) )
+j

A la suivre on supposé que : A0 >0

Pour tracer le diagramme de Bode asymptotique on a besoin de traiter les 3 cas :

 Cas 1 : en hautes fréquences (lorsqueω ≫ ω0 ) :

ω
Dans ce cas on a : ω ≫ 1 alors :
0
 A0 j A0 j A ω
H ( jω ) ≅ ≅ =− j 0 0
ω ω Qω
−Q + j −Q
ω0 ω0

A 0 ω0 A0 ω 0
( )
{
G ( ω )=|H ( jω )|= G ( ω )dB =−20 log ( ω ) +20 log
Qω ⇔ Q
droit de pent−20 dB/dec
¿
−π
φ ( ω )=arg ( H ( jω ) ) =
2

 Cas 2 : en bases fréquences (lorsqueω 0 ≫ ω) :

ω0
Dans ce cas on a : ≫ 1 alors :
ω

A0 j A j A ω
H ( jω ) ≅ ≅ 0 =j 0
ω0 ω0 Q ω0
Q +j Q
ω ω

A0 ω A0
( )
{
G ( ω )=|H ( jω )|= G ( ω )dB =20 log ( ω ) +20 log
Qω 0 ⇔ Q ω0
droit de pent+ 20 dB/dec
¿
+π
φ ( ω )=arg ( H ( jω ) ) =
2

 Cas 3 : lorsqueω 0=ω :

ω0
Dans ce cas on a : =1 alors :
ω

A0 j A0 j
H ( jω )= = =A 0
ω0 ω j
Q( − )+ j
ω ω0

G ( ω )= A 0 G ( ω )dB =20 log ⁡( A0 )

{ ⇔
φ ( ω )=0

Les courbes alors pour A0 =1

ω
On pose une grandeur x sans unité avec : x= ω
0

 Le gain (en dB) en fonction de x :

 Figure 10 : le gain de la fonction de transfert en fonction de x

 La phase en fonction de x :

Figure 11 : la phase de la fonction de transfert en fonction de x

La bande passant corresponde au domaine de fréquence pour lesquelles :

Gmax
<G ( ω ) <Gmax
√2
Gmax dB−3 dB<G ( ω )dB< GmaxdB

Et on a pour A0 >0 :
A0
G ( ω ) =|H ( jω )|=
ω0 ω 2
√ Q
2
( −
ω ω0 )+1
Alors les pulsations de coupures vérifient la relation :
A0 A0
G ( ωc) = =
ω0 ωc 2 √2
√ Q
2
−
(
ωc ω0
+1
)
Alors :

ω0 ω c 2 ω ω 2
Q2 ( −
ωc ω0 )+1=2 Q2 0 − c =1
⇔ ω c ω0 ( )
Donc on a deux équations :

 Equation 1 :
ω0 ωc
Q ( −
ωc ω0 ) 2 2 2 2
=−1 Q ω0 −Q ω c =−ω0 ω C −Q ωc + ω0 ω C +Q ω 0 =0
⇔ ⇔

Avec :

∆=ω 02+ 4 Q 2 ω02=ω02 (1+4 Q 2)

Donc mathématiquement on a deux solutions :

ω0 ω 0

| ωC 1=+
2Q 2Q
ω ω
√ 1+ 4 Q2

ω C 2= 0 − 0 √1+ 4 Q2
2Q 2Q

 Equation 2 :
ω0 ωc
Q ( −
ωc ω0 ) 2 2 2 2
=+1 Q ω0 −Q ω c =+ ω0 ωC −Q ωc −ω 0 ω C +Q ω0 =0
⇔ ⇔

Avec :

∆=ω 02+ 4 Q2 ω02=ω02 (1+4 Q2)

Donc mathématiquement on a deux solutions :

−ω 0 ω0

| ωC 3=

ω C 4=
+
2Q 2 Q
−ω 0 ω 0
−
2Q 2 Q
√
√
1+ 4 Q2

1+4 Q2
Alors on a 4 solutions, mais physiquement juste deux solutions sont valides, car
ω Cdoit être positive, alors les deux solutions sont :

−ω 0 ω0

{
ωC 1= +
2Q 2Q
ω ω
√ 1+ 4 Q2

ω C 2= 0 + 0 √ 1+4 Q 2
2Q 2 Q

Ce qui va donner :
ω0 ω0 2 ω 0 ω0 2 ω0
ω C 2−ωC 1= +
2Q 2Q
√ 1+ 4 Q + −
2Q 2Q
√ 1+ 4 Q =
Q

A la fin on va trouver la relation qui permet de déterminer la bande passant :

ω0
∆ ωC =ωC 2−ω C 1=
Q

II.2.7. Les paramètres du montage :

1
ω 0=

{
m=
L
A0 =

Q=
√ LC 2 RT ⇔ 2m
1
√ LC
−β RT
h11

=
√ LC 2 RT √ LC RT
2L
=

 Les fréquences de coupures :

L

−ω 0 ω0 RT 2 LC
√
{
−1 L 1 L
ωC 1= + √ 1+ 4 Q2= + 1+ 4
2Q 2Q 2 √ LC √ LC RT 2 √ L C √ LC RT L2
ω 0 ω0 R 2 LC
ω C 2= +
2Q 2Q
√ 1+4 Q2 = 1
2 √ LC
L
+
1
√ LC R T 2 √ LC
L
√ LC RT√1+ 4 T 2
L

 la fréquence de résonance:
1 1
ω 0=2 π f 0= f 0=
√ LC ⇔ 2 π √ LC

 la bande passant :
 1
∆ ωC =ωC 2−ω C 1=
RTC

II.2.8. Puissances dans les amplificateurs classe C :

L'alimentation fournit de la puissance pendant les périodes de conduction du

transistor.

La puissance de charge en alternatif d'un amplificateur classe C définit par :

T
1
Pu= ∫ v S ( t ) i S (t) dt
T 0

On pose :

v S ( t )=V CE 0 +V S sin ⁡(ωt)

{ v (t) V
i S ( t )= S = CE0 + S
RL RL
V sin ⁡(ωt)
RL

Alors :
T
1
P u= ∫ ( V +V S sin ( ωt ) ) 2 dt
T R L 0 CE0

⇔ T
1
P u= ∫ ( V CE02 +V S2 sin ( ωt )2 +2V CE0 V S sin ( ωt ) ) dt
T RL 0
T

On a ∫ sin ⁡(ωt )dt =0

0

T
1−cos ⁡(ωt )
2
Et aussi : sin ( ωt ) = avec ∫ cos( 2ωt ) dt =0
2 0

Alors :
T 2
1 V
P u= ∫
T RL 0 (
V CE 02+ S dt
2 )
A la fin on va trouver que :

V S2 V CE 02
P u= +
2 RL RL

Le premier terme est une constante, seul le deuxième terme contient le signal
utile (information). La puissance utile qui est dissipée dans RC est donc :
 V pp2
P u=
8 RL

Pu: Puissance de charge en alternatif

V PP=2 V S :Tension de crête à crête de charge

R L: Résistance de charge

La puissance en continu fournie au circuit égale :

Pf =V CC · I S

Pf : Puissance en continu fournie par l'alimentation

V CC  : Tension d'alimentation

I S: Courant continu consommé

Cette puissance se dissipe dans la charge, le transistor et la bobine. Négligeons

la petite puissance en alternatif dans l'amplificateur. Il vient :
Pf =P L + P D + PB

Pf : Puissance en continu fournie par l'alimentation

P L; Puissance de charge en alternatif

P D ; Puissance dissipée dans le transistor

PB : Puissance perdue dans la bobine.

Selon la formule précédente toute la puissance en continu qui entre dans le

circuit doit en sortir sous la forme d'une puissance de charge et d'une puissance
perdue dans le transistor et dans la bobine.

II.2.9. rendement dans les amplificateurs classe C :

Le rendement par étage d'un amplificateur classe C égale :

 Pu , max
η= .100 (en %)
Pf
Dans un amplificateur classe C, presque tout la puissance fournie par
l'alimentation est convertie en puissance de charge en alternatif; les pertes dans
le transistor et la bobine sont si petites qu'on peut les ignorer. Voilà pourquoi le
rendement par étage d'un amplificateur classe C est si élevé.

III. Simulation avec ORCAD PSPICE

1. Introduction 
OrCad PSpice est un logiciel de simulation mixte (analogique et/ou logique). La
mise en œuvre d’une simulation repose principalement sur :
• une description des composants et des liaisons figurant sur un schéma, sous
forme de fichier « Circuit »
• une description des signaux d’entrée appliqués sur le schéma sous forme de
fichier « Stimulus »
• une description des modèles de simulation des composants sous forme de
fichiers « modèles ».

2. Simulation
Le circuit d’amplificateur de puissance de classe C est conçu pour stimuler
l'utilisation de la capture Orcad. L'oscillateur LC est conçu pour osciller à 25
kHz, puis la fréquence et l'amplitude du signal d'entrée varient pour obtenir une
tension de sortie maximale.

On Considère le schéma suivant qui représente un amplificateur de

puissance de classe C :
 Figure 12 : amplificateur de classe C à résonance sur OrCAD Capture

L’expression de l’entrée dans ce cas est :

V e ( t )=2.5 sin ( 2 π × 25 ×103 t )

La valeur de sa fréquence est de même valeur que la fréquence de résonance :

1 1
f r= = =25164 Hz ≈ 25 kHz
2 π √ LC 2 π √ 20 ×10−9 ×2 ×10−3

Dans le schéma ci-dessus, un signal sinusoïdal d'entrée est appliqué qui a une
amplitude de tension de 2.5 V. La fréquence de 25 kHz .Ce signal est envoyée à
l’amplificateur de puissance de classe C qui est fabriqué par le transistor
Q2N3904,

 L et C qui constitue l'oscillateur accordé LC.

 Les résistances R3 et R1 sont des résistances de polarisation nécessaires
pour polariser les transistors.
 La résistance RL est une résistance de charge.
  Les condensateurs C3 et C2 sont des condensateurs de couplage qui
bloquent les signaux CC et permettent au signal CA de passer.
 Ce circuit est alimenté par une alimentation 5V.

Apres l’exécution de la simulation, on trouve la représentation de la sortie en

fonction du temps (Domaine temporelle) :

Figure 13 : la représentation temporelle de l’entrée et de la sortie

On a la représentation temporelle de l’entrée en rouge et de la sortie en verte, on

va voir que la sortie est un signal sinusoïdale.

Pour vérifier ca on va utiliser la transformer de Fourier :

Figure 14 : la représentation fréquentielle de l’entrée et de la sortie

On va zoomer sur cette figure pour trouver la figure suivante :

 Figure 15 : a représentation fréquentielle de l’entrée et de la sortie (zoomée)

Comme une application on peut utiliser ce circuit comme un filtre passe

bande d’un fréquence centrale égale a la fréquence de résonance du circuit
LC.

Figure 16 : amplificateur de classe C à résonance sur OrCAD Capture avec 3 générateurs de tension
alternatif sur l'entrée

L’entrée est la superposition des 3 signales sinusoïdales, alors ;

V e ( t )=2.5 sin ( 2 π × 25 ×103 t ) +5 sin ( 2 π × 50 ×103 t ) +7 sin ( 2 π ×75 ×103 t )

Bien sur notre circuit va laisser passer les signaux qui ont la fréquence égale a la
fréquence de résonance et les amplifier, la représentation de la réponse
temporelle dans ce cas est (la représentation temporelle de l’entrée en rouge et
de la sortie en verte) :

Figure 17 : la représentation temporelle de l’entrée et de la sortie

On va utiliser la représentation de la transformée de Fourier :

Figure 18 : la représentation fréquentielle de l’entrée et de la sortie

Alors le signal du sortie est sinusoïdal et a une fréquence de même valeur que la
fréquence de résonance, donc on peut utiliser l’amplificateur de classe C comme
une filtre passe bande d’une bande étroit.
A la suite on va étudier l’influence du facteur de qualité sur la sortie du circuit,
pour cela on considère le circuit suivant :

Figure 19 : Figure 13 : amplificateur de classe C à résonance sur OrCAD Capture avec 3 générateurs
de tension alternatif sur l'entrée et de facteur de qualité inferieur a 10

V e ( t )=2.5 sin ( 2 π × 25 ×103 t ) +5 sin ( 2 π × 50 ×103 t ) +7 sin ( 2 π ×75 ×103 t )

On a :

1 √ LC 2 R T √ LC R T C
Q=
2m
=
2L
=
L
=RT
L √
Avec ;

RT =R C /¿ R L /¿ r P

{ r p=
(L ω2)
r

Si la résistance interne de la bobine est nulle c.-à-d. r =0Alors on peut dire que :
 RL R C
RT =RC /¿ R L=
R L + RC

Dans notre cas on a ;

RL R C C 4 ×103 ×4 ×103 20× 10−9

Q=
√ =
√
R L + RC L 4 ×10 3+ 4 × 103 2× 10−3
=6.32<10

la représentation de la réponse temporelle dans ce cas est (la représentation

temporelle de l’entrée en rouge et de la sortie en verte) :

Figure 20 : la représentation temporelle de l’entrée et de la sortie

On va utiliser la représentation de la transformée de Fourier :

Figure 21 : la représentation fréquentielle de l’entrée et de la sortie

La bande passant dans ce cas n’est pas étroit alors notre amplificateur va laisser
passer des autre fréquences qui sont proches a la fréquence de résonance.
 Conclusion 

Cette simulation noua a permit de bien comprendre l’architecture et

fonctionnement d’amplificateur en classe C et ses représentations temporelles et
fréquentielles, ce dernier utilisés pour réaliser des amplificateurs ultrasoniques,
hautes fréquences sélectifs et micro-ondes ainsi que des oscillateurs hautes
fréquences.
Nous avons dressé au tableau ci-dessous les formules les plus importantes d'un
amplificateur RF à résonance classe C. Il est essentiel de remarquer que le
facteur Q de ces formules inclut la bobine et la charge. Ce facteur Q est inférieur
à celui de la bobine. Le facteur Q du circuit de la plupart des amplificateurs RF à
résonance est supérieur à 10 pour avoir une bande étroite. Remarquer aussi le
coefficient de sécurité de la puissance dissipée maximale par transistor.
 Les références :

 https://www.mongosukulu.com/index.php/contenu/genie-electrique4/electronique/650-

amplificateur-classe-c?showall=1

 http://pcsi1.physique.pagesperso-orange.fr/passe_bande.pdf

 https://fr.wikipedia.org/wiki/Facteur_de_qualit%C3%A9

 http://bts.uba.be/aide_memoire/amplificateurs_classe_c.pdf