Rpublique Algrienne Dmocratique et Populaire

MINISTERE DE L'ENSIEGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA RECHERCHE

SCIENTIFIQUE

UNIVERSITE MOHAMED KHAIDER BISKRA

FACULTE DES SCIENCES ET SCIENCES DE L'INGENIEUR.
DEPARTEMENT D'ELECTRONIQUE.

:RAPPORT DE TP N2

Prsent par: Propos et dirig par :

Dahane Abderrahim
Gazzel Hichem
Djella Samir

1
 INTRODUCTION

La diode est le semi-conducteur de base : on ne peut pas combiner du

silicium dop plus simplement.

Son fonctionnement macroscopique est assimilable celui d'un interrupteur

command qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens.

Cette proprit lui ouvre un champ d'applications assez vaste en lectronique.

C'est la diode qui va permettre de redresser le courant alternatif issu du secteur
et autoriser la fabrication d'alimentations stabilises qui sont obligatoires dans
la plupart des montages lectroniques. On conoit donc que si ce composant
est basique, ainsi que son fonctionnement, il n'en n'est pas moins
fondamental !
Dans la catgorie des diodes, on trouve aussi des diodes de rgulation, dites
diodes zner, qui ont un comportement de source de tension. Cette proprit
va permettre d'laborer autour de ce composant simple toute une srie de
montages dlivrant une ou plusieurs tensions continues.

La fonction diode a exist bien avant l'arrive du silicium : on utilisait alors des
diodes vide (les lampes) dont le fonctionnement tait bas sur l'effet
thermolectronique. Le silicium a apport les avantages suivants : cot,
fiabilit, encombrement, simplicit d'utilisation

2
 Etude Thorique

1 La diode : un diple non linaire

1.1 Diode idale

Cest un diple lectrique unidirectionnel dont les bornes sont
lanode (A) et la cathode (K).

En polarisation directe cest--dire si UA > UK la rsistance de

La diode est nulle. Elle se comporte alors comme un interrupteur ferm.

En polarisation inverse (UA < UK), on a : R = . La diode est

quivalente un interrupteur ouvert.

- Une diode idale ne dissipe donc aucune puissance.

1.2 Diode relle semi-conducteur

Lanode est la zone "P" dune jonction "P-N". La zone de type "N" est la
cathode. En polarisation inverse, le courant inverse est trs faible
mais il crot rapidement avec la temprature de la jonction. P

En polarisation directe, au-del de la tension de seuil (VS 0,6 VU pour le silicium),

la diode est conductrice. On peut dfinir en chaque
U seuilpoint P de la caractristique une rsistance statique (trait bleu) :nA
RS = V/I et une rsistance dynamique (trait vert) : rD = dV/dI. Fig. 2

Au-del de la tension de seuil, la rsistance dynamique est sensiblement constante.

3
1.3 Association de diodes
En srie : la caractristique du diple quivalent sobtient graphiquement en
considrant que la
tension aux bornes de lensemble est la somme des tensions aux bornes des
deux diodes. (Fig. 3)
On peut aussi utiliser cette construction pour tudier lassociation dune diode
avec un autre
diple passif comme par exemple une rsistance pure.

En parallle : on peut utiliser une construction analogue en considrant cette

fois quil y additivit des courants dans les deux diples. Lassociation en
parallle des deux diodes ne prsente.
- aucun intrt pratique car tout le courant traverse la diode dont la tension de
seuil est la plus faible.

1.4 Point de fonctionnement dune diode

On utilise la droite de charge du gnrateur. Lintersection de cette droite avec

la caractristique de la diode donne le point de fonctionnement.

4
:Redressement simple alternance -- 1.5

Dans notre tude on supposera quon a une diode idal ie. V0=0
.e(t)=Vmax sin(wt)
A K

I
e (t) R V R

pour lalterance (+) :

VA>0 VK=0 (la masse)
VA-VK>0 => la diode conduit
pour lalternance (-):
VA<0 VK=0
VA-VK<0 => la diode ne conduit pas => VS=0.

5
 Etude Pratique

Manipulation 1 :
A K

Ve R Vs
v e m ax = 6 V
f = 1 KHz , R= 1k

2. Le signal de sortie :

6
5

<- > < ->

t = 0 . 0 2 m s -6
t = 0 .0 2 m s

3. La fonction de transfert :

Vs
4.

2* 2.6

2* 3.2 Ve
0 .4
<- >

Manipulation 2 :

6
 A K

I
R
Ve Vs
E v e m ax = 6 V
f = 1 KHz , R=1k
Pour E=0 :

V Pour E = 0 V Vs

2 * 2 .6
2* 2.6

-0 .2 *1 .2 0 .2 *1 .2
t
2 * 3.2 Ve
2* 0 .2

t = 0 .0 2 m s

V Pour E = 3 V Vs

2 * 2 .6
2 * 2 .6

-0 .2 *0 .8 0 .2 *0 .8
t

2 * 3 .2 2 * 1.6 Ve

Vs
V Pour E = 6 V

2 * 2 .6

t
2 * 3 .2 Ve
2 * 3 .2

Manipulation 3 :

7
 R
D 1 D 2
Ve Vs
v e m ax = 6 V
f = 1 KHz , R=1k
E1 E2 E1 = 5 V , E2 = 3 V

3.1 Le signal de sortie :

Vs

V 2* 2.8
2* 2.8

-0 .2 * 1 .2 0 .2 *1 .2
t 2 * 1. 2 2 * 1. 2 2* 3.2 Ve
2 * 0 .2

3.2 Charger La polarit :

V Vs

2* 2.8
2 * 2 .8

-0 .2 * 1 .2 0 .2 *1 .2 2 * 1. 7
t
2 * 3 .2 Ve
2 * 1 .8
2 * 1.8

Manipulation 4 :

8
 D 1

D 2 Vs
Ve
R v e m ax = 6 V
E
f = 1 KHz , R=1k
4.2 Relever le signal de sortie :
V Pour E = 4 V Vs

2* 2.6
2 * 2.6

t
2 * 1. 8 Ve

V Pour E = 6 V Vs
6

t
6 Ve

V Pour E = 8 V Vs
8

t
8 Ve

9
CONCLUSION

1
0
FIN

1
1