_ _ _ _ _ _ _-----'R-=----.;E A~..:L;,.",,;.,.,.. pS.",.,.;A.......::,.....:,.

" 0 N

MOSFETSOSO
La haute fidélité sur une nouvelle voie
n est incontestable que lei caractéristiques tension et non pas en courant C'est sa"~
des transistors MOSFET complémentaires ne doute la caractéristique la plus importan~
présentent pratiquement aucun des défauts des MOSFET.
des transistors bipolaires claniques: 4° La distorsion de commutation «(( cross·
l' Fonctionnement ultraraplde : les temps de over)l) est pratiquement inexistante. La fi·
montée sont de 18 DI pour la version n-chan- gure 1 montre la déformation d'une onde si-
nel et de ZS ns pour les p-channel. A titre de nusoïdale causée par l'irrégularité de la
comparaison, on relève 2 000 ni pour un tran- courbe de transfert d'un étage complémen·
sistor bipolaire BDY ZOo taire équipé de transistors bipolaires. Pen-
dant les intervalles cc t n, le signal est très af·
Z' Coefficient thermique négatif: quand la faibli à la sortie de l'amplificateur, et, par
température monte, le courant ID diminue, conséquent, la contre-réaction négative de-
entraînant une réduction de la dissipation. vient quasi inopérante. n est donc impossi·
Une accumulation de ehaleur accidentelle ne ble d'éliminer complètement cette distorsion
pourra donc pas causer de dégats définitifs. intermittante.
3° Les MOSFET ont une résistance d'entrée Toutes ces caractéristiques démontrent clai-
pratiquement infinie. L'excitation se rait en rement la supériorité d'un montage MOSFET.

LES En ce qui concerne l'élage de
AMPLIFICATEURS puissance, nous pouvons être
MOSFET bref i il 5'o~it toujours d'un
éloge complementaire à drain
On peut distinguer deux por- commun, avec 10 charge
lies bien différenles : connectée au point commun
- l'étage de puissance. des deux sources.
- le circuit précédent, com- Ouont au circuit précédent, les
posé d'un étage d'enlrée et exigences auxquelles doit ré-
d'un éloge d'anoque. pondre un prêamplificateur de
( \ ( 1\
/ \ \ En alimentant l'étage d'entrée
:\ /'
\ 1)
1 1
Fig. 1. - Distorsion de commutotion.
P'9t' 180· Awl11990, NO 1175
houle qualilé sont les suivan-
tes,
10 Toux d'amplification Irès
élevé.
20 Courbe de réponse aussi
linéaire que possible, ofin
d'éviter l'atténuation et le dé-
phasage des fréquences au-
dio.
30 Faible distorsion harmani-
q....
CHOIX
DU CIRCUIT PRE·
AMPLIFICATEUR
et l'étage d'allaque à travers
des sources de courant, et en
faisant appel èt un miroir de
courant comme résistance de
charge, on peut alleindre des
taux d'omr'ification jusqu'ô
ISO 000. 1 Y a toutefois une
perte considérable des fré-
ql.oences élevées et par suite
des déphasages, il sera diffj-
cile d'obtenir une slabilité
Ioule épreuve.
N'oublions pas que la stabilité
stalique - c'esl-ô-dire sons si-
gnol d'entrée - n'est pas une
garantie absoloe du bon fonc-
tionnement. Il fout aussi une
stabilité dynamique. sinon le
circuit peut nous réserver des
surprises désagréables, par
exemple une oscillation poro-
site sur une partie de la forme
d'onde, telle que le montre la
figure 2. En général, il faudra
insérer plusieurs cellules de
correction de phase pour as-
surer une stobi1itê incondilion-
nelle. Mois dons ce cos, il y
ouro une dégradation des on-
des transitoires et une aug-
mentation de la distorsion oux
fréquences élevées.
Il est pr"érable d'obtenir
la stabilité inconditionnelle
o partir des propriétés in-
hérentes du drcuit ampUfI-
cateur,
Si nous avions moins d'ampli-
fication initiale, mois aussi
 R_
_ _ _ _ _ _ _c.: E A l s A T o ~N:_ _
•• •

moins de déphasoge el de
distorsion. le loux de contre-
., réaction pourrait être consi-
derablement réduit. En
L-
conjonction avec les caracté-
ristiques de l'étoge finol, cela
n nous permettrait d'oMeioore le
\
---JI-
\
1- bul.
Heureusement. il existe un
montage dont les mérites
semblent un peu oubliés: le
montoge coscade (fig. 31. le
transistor T1 est monlé en
\ / f.----- base commune, l'effet Miller
esl donc éliminé. ce qui per-
met une résistance de charge
R chil!'9R plus éleyée. D'oulre rarl,
T,
est chargé por la 'oib e résis-
Fig. 2. - Oscil/orion porositoirft. lance d'entrée de h. Il en ré-
., sulle un étoge à haut gain
ovec une bonde passante très
Iorg8. Au surplus, 10 distorsion
Fig. 3. - Schema de principe d'un éloge coscode. harmonique est 'anemenl ré·

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Fig. 4. - Schéma complet.

N° 1715· Avril 1 990 - Pail- 181

_ _ _ _ _ _ _---'--_N N

duile, grôce aux caractéristi- Poor assurer une tension d'ali-

ques compensatoires de Tl là mentation suffisante, l'ensem-
'" ,---..,...,,;-----=---,

J~~
émetteur commun) el de T,là ble préamplificateur est
base communel. pourvu d'un circuil redresseur
l'ensemble préamplificateur séparé, constitué por 87, C2(), >--r-"~
(yoir le schéma complet. C21. Aux puissances de
fig. 4) possède les coroctéris- pointe, 10 constante de temps
fiques suivontes : est assez importante, grôce à
- gain: 91 dB lx 36 0001 la voleur élevée de (20 et C21,
- bonde passante: 14 kHz à pour éviter une chute brutale
- 3 dB de 10 tension d'alimentation
- distorsion: 0,15 % pour de l'étage d'attaque.
20 YeH II kHz!; 0,35 % pour
10 Veff [10 kHzI. l'impédance d'entrée des
MOSfET est un paramètre très >---r--"'"
important. Pour le montage en f;g.5
LE SCHEMA drain commun, la capacité Schéma de
COMPLET d'entrée esl de 200 à 300 pF J'alimen'ariorl.
pour le type 2SK 135 et de
A. l'enlrée de l'amplificateur 300 à 400 pf pour le type
nous trouvons un filtre pone- 2SJ50. L'impédance d'une ca-
bos. qui supprime les fréquen- pacité de 400 pf à 20 kHz. est
ces supersoniques ilréquence de, réponse aUll: impulsions à Mois en même temps ils for-
de coupure à 60 kHzl. front roide. Pour satisfaire à ment un filtre posse-bos en
La source de couront de 112 rfC= 20 Hl celte exigence, le courant de conjonction avec la capacité
l'éloge symétrique esl (onsti· Pour charger cette capacité à repos de Ts est fixé à 12 mA, d'entrée de T9 et Tto. En fer-
ruée par un transistor à effet 20 kHz, le transistor de en choisissant 56 Il pour Rtl. mant la boucle de cantre-
de champ 13. qui esl conneclé charge T5 doit fournir un cou- le courant de repos pour T9 et réaction, les coractéristiques
è une tension de - 12 V, sta- rant suffisant, en tenant TtO est établi à 10 mA avec le phase/amplitude de r ensem-
bilisée por une diode leoer compte de la vitesse de potentiomètre P3. ble pré-ampli el étage final
DI. Un transistor FU est une charge: c'est le fameux Les résistances d'arrêt RI" et assurent une stabilité absolue.
excellente source de couronl, • slew rote ., exprimé en V/jJ.s RI5 empêchent l'auto-oscilla- 04, 05. 06 et 07 sont des dio-
cor à partir de la tension Vp et qui détermine la vitesse de tion des transistors MOSFET. des de protection, qui suppri-
(tension « pinch-olf .) le cou-
rant esl pratiquement indé-
pendant de la tension d'ali-
mentation.
le potentiomètre PI permet
d'équilibrer l'éloge, ofin de
réduire la tension offset à 10
sorlie de l'amplificateur. A ce
propos, il fout choisir des ré-
sistances à peu près égales
pour les bases de TI et T2 :
33 Hl est une voleur pratique,
qui permet en même temps
l'emploi d'un condensoleur
non polarisé pour passer les
signaux lCd. En revanche, la
voleur de Co (33 ",fI nous
oblige à choisir un condensa-
leur électrochimique. Nous
avons donc indus une cellule
de polarisation pour celui-ci à
l'aide de R7, Cs, D2 et 03.
Cela complique un peu le
schéma, mois le résultat en
vaut bien la peine.
Avec le potentiomètre P2 on
peut équilibrer les courants
collecteurs de TI et 12.
l'étoge cascade est alimenté
por une SOUfce de courant,
composée de T7 et T8. la ten-
sion sur la bose de Ts est sta-
bilisée por 10 diode Zener 08. Vve de "amplificateur côblé.
Plage 182· Avril , 990· NO 1 775
_ _ _ _ _ _---'------'N N

'"
'---fT--{~l~':J------/l
(9 Of.
(12

~05

'---t::J---1Œ"~.ul----~
- 07

Fig. 6. - c) Implantation des composants, côté circuit.

ment les surtensions sur les

portes des MOSFET. les résis-
LISTE DES COMPOSANTS tances RI6 et RI7 sont compo-
sées chacune de 4 x 1 QI
•',I.'ane•• '.t•••I . S...I-conduclour. 0,5 W en parallèle. Atlention-.."
(.....alll...., alu,'.".o, Dl :Zener12V
aux résistances bobinées, qui
0,25 W, %) PI:470n 02, DJ, 05, Do: BAV21
peuvent souvent provoquer
des oscillations porosites 1
P2: 1 kil (1 N41481
RI : 30 kn P3: 4,7 kfl D4, 07 : Zener 8,2 Il Enfin, nous trouvons à la sortie
11:2, R9 1 2,7 kil 08: Zensr 3,9 Il de l'amplificateur le filtre RIB,
11:3.11:4 : 3,3 kfl Condensa'.ur. TI,T2, To,Ts:BC5468 C 17 et la self de correction lI,
R6: lkll ..on,olarl••• T3: BF 24SA
Re: 33 kfl T.:8(5568
RlO,68fl Cl; 1 j.lF polycorbonote T5 : 2SD648A (BD 140)
Rll ,560 (2 : 1 nF polystyrène 5 % T7 : 25D668A (BD 139) ~LISATION
(4: 0,68.uF
R14,5600
C7, Ce : 0,47 /IF
T9. T10 : 2SK 135t2SJ50 1PRATIQUE
R1S,390n BI : redresseur en pont 125 Il,
(9. C12, (13, CIO: 0,1 "F 5 A(BY224)
axial l'amplificateur complet est
82 : redresseur en pont 125 Il, monté sur une plaquetle à cir-
C17 : 0,1 /.IF polycarb. 1 A (BY256!
(22, C23 : 0,1 j.lf 250 Il cuit imprimé (180 x 95 mm), y
Ré.l.tanc•• compris l'étage de SOrtie. les
d.pul••ne. Div....
Cond_••t.ur. deux transistors MOSFET sont
II ' 60 cm de fil de cuivre munis chacun de leur prOpre
RS : 5,6 kG 1 W 5 %
éI.ctrochlmlqu•• 0,8 mm, enroulé sur RI9 élément de refroidissement,
R7, R13: 22 kG (3, (10, CIl, C14, C1S: TRl , transformateur torique ce qui évite l'usage de maté-
0,5 W5 % 100 ILF 63 V 225W,2x30V riaux isolants. Nous avons
R12 :4,7 kO 1 W5 % (s,470jlF6V F: fusible 5 A + porte-fusible choisi les radiateurs type
R16, R17 : C6,33j1F6V à souder Kl138f37,5 avec un coeffi-
4xl00,5W5% (18, C19: 4700 jlF 63 V ra- 4 radiateurs Kl138f37,5 cient de température K
RI8:8,2!l1 W5% diai (3 o (/Wl = 3 °C!W et qui mesure 88
R19: l nl W5% (20, (21 : 2 200 jlF 63 V 4 radiateurs en U (25 OCIW) x 37,5 mm. D'autres radia-
teurs peuvent être utilisés,
Page 184. Avril 1990· NO 1775
 R
..
5 A
..
T o N

mois dons ce cos il faudra

probablement augmenter les
dimensions de 10 ploquell6.
AB[DEFGH IJKLMNOPQRSTU
les éléments Rl4, RIo. C12,
C16, Cg, (13, 04. 0,5, 06 et 07 1 o '"" OV
0
V'V
0
0
sont soudés sur 10 face cuivre 2
~
de ta plaquette 1
T.5 el h sont munis de petits 3
[22
radiateurs en forme de U : une
...oleur de 25 °CfW est large-
menl suffisante.
les deux ploquettes pour 10
r- 'srsion stéréo avec leur ali-
4
5
6
B
1 [.
Oocza
mentation sont monlées dons t
un coffre! - ou un simple chôs-
sis en U - qu'on pourra loger
8
n'importe où. 9 - - [20 +1-
10
CONCLUSION 11
t'amplificateur MOSFET 5050 12
esl un compagnon idéal pour
les disques CD, où il dépasse 13
de loin les performances des 14
montoges 0 transistors classi-
ques. Notons en passanl que
10 puissance nominale de 2 x
15
16
- ~ [21 1-
50 W en régime sinusoïdal est
largement suffisante pour une 11
salle de séjour moyenne (en- 18
Ire 30 et 40 m~l.
Bien entendu, il fout disposer 19 o d'a 00 0000 00 00 0
d'un préomplificateur très étu-
dié pour rendre justice aux
qualités exceptionnelles de
+ V1 - V1 MM MM -V2 +V2
r--
notre MOSFET 5050.

nCBE
L. IOULL"I' ()
.....
TECHNIQUE
Puissonc.e nominale:
2 x50 W surS 0
Sensibilité l 600 mV pour
SOW
R.apport signollbruil;
-106 d81100 ,VI
Toux de contre-réoc.tion:
6OdB±2dB
Olslorsion ftormonique (dis-
torsion du générateur
0,001 %1
10 W: 1 kHz. non me.su-
rable < 0,001 %; 10 kHz
-0,01411
50W; 1 kHz .. 0,003%;
10 kHz",,0,014 %

Fig. 7. - al En haut
Implantation des composants
de la plaquette alimenta/ion.
Fig. 7. - bl Ci-cantre
Circuit imprimé de la plaquette
alimenta/ion. ...
N° 1775· Av.111990· Pelle 185