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G.ELECTRIQUE – S3 [ELECTRONIQUE DE PUISSANCE]

Introduction générale
I. Introduction
L’électronique de puissance est une branche de l’électrotechnique faisant intervenir les
forts courants, la haute tension et la haute fréquence.
Elle a pour objectif l’étude de la conversion statique de l’énergie électrique d’une forme en
une autre adaptée à des besoins bien déterminés.
En effet, l’énergie électrique est disponible sous deux formes :
 Une forme continue (=) : exemple batterie, génératrice à courant continu caractérisée
par la tension U.
 Une forme alternative (~) : exemple le réseau industriel 230V/400V sous une
fréquence de 50Hz. Elle est caractérisée par la valeur efficace V et la fréquence f (la
fréquence étant fixe).
Les composants de l’électronique de puissance fonctionnent tous en commutation c'est-à-dire
qu’ils sont soit ouverts soit fermés. L’électronique de puissance est ainsi dite électronique de
commutation.
Les convertisseurs statiques sont donc des dispositifs à composants électroniques capables de
modifier la tension ou la fréquence de l’onde électrique.

II. Différents types de convertisseurs statiques


On distingue 4 types de convertisseurs statiques directs de l’énergie électrique.

1. Convertisseur continu U  continu U : appelé hacheur


C : commande

Ie Is
Ue Us
fe = 0 fs = 0
Transfert de puissance

Figure 0- 1: Convertisseur =/= : hacheur

2. Convertisseur continu U  alternatif (V, f) : appelé onduleur


C : commande

Ie is
Ue vs
fe = 0 fs
Transfert de puissance

Figure 0- 2: Convertisseur =/~ : onduleur

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3. Convertisseur alternatif (V, f)  continu U : appelé redresseur


C : commande

ie Is
ve Us
fe fs = 0
Transfert de puissance

Figure 0- 3: Convertisseur ~/= : Redresseur

4. Convertisseur alternatif (V1, f1)  alternatif (V2, f2)

On différentie 2 types de convertisseur ~/~ :


 Un gradateur si f1 = f2 : convertisseur de tension
 Cycloconvertisseur si f1 ≠ f2 : convertisseur de fréquence.

C : commande

ie is
ve vs
fe fs
Transfert de puissance

Figure 0- 4: Convertisseur ~/~

Schéma récapitulatif

Onduleur
U1 = (V1,f1)

Convertisseur indirecte
de fréquence Gradateur si f1 = f2
Hacheur
Cycloconvertisseur si f1 ≠ f2
Convertisseur indirecte
de tension

U2 = (V2,f2)
Redresseur

Figure 0- 5: Schéma récapitulatif

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Chapitre 1 : Principes fondamentaux de l’électronique de puissance

Les circuits d’électronique de puissance reposent essentiellement sur la continuité des


variables d’états.

I. Variables d’état en électronique de puissance

1. Définition d’une variable d’état

Soit une grandeur physique X vérifiant la relation suivante Y(t) = KdX/dt. X est appelée
variable d’état, elle ne peut pas subir de discontinuité (un changement brutal au cours du
temps). Y(t) étant une fonction continue.

X X

t t

a b

Figure 1- 1: a) Exemple de fonction continue – b) Exemple de fonction discontinue.

2. Exemples de variables d’état

E = Ldi/dt : i le courant dans une inductance.


I = Cdv/dt : v la tension aux bornes d’une capacité.
γ = dV/dt : V la vitesse d’une masse m.
=> Toutes ces variables ne peuvent pas subir de discontinuité.

3. Sources de courant et source de tension


Une source de courant (de même de tension) ne peut pas subir de discontinuité de courant (de
tension).
En effet, une source peut varier en fonction du temps et durant la commutation des
composants électroniques (au moment d’ouverture ou de fermeture), la source est souvent
considérée constante.

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 Le courant dans une inductance est considéré comme une source de courant.
 La tension aux bornes d’une capacité est considérée comme une source de tension.
Par conséquent :
Il ne peut pas y avoir une discontinuité de courant dans une inductance ni de discontinuité de
tension aux bornes d’une capacité.
Exemples de sources de courant

A A

B B

A A

B B

A A

B B

Figure 1- 2: Exemples de sources de courant

Le dipôle AB constitue une source fortement inductive, c’est donc une source de courant.

Exemples de sources de tension


A A

V V

B B

A A

V V
B B

A A

V V
B B

Figure 1- 3: Exemples de sources de tension

Le dipôle AB constitue une source fortement capacitive, c’est donc une source de tension.
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Les règles à respecter en électronique de puissance :


1) On n’ouvre jamais une source de courant (le courant inductif ne peut pas subir de
discontinuité).

2) On ne court-circuite jamais une source de tension.

3) Deux générateurs de courant ne peuvent pas être mis en série sauf en cas d’égalité
algébrique.

I1 I2

4) Deux générateurs de tension ne peuvent être mis en parallèle sauf en cas d’égalité
algébrique.

V1 V2

5) On peut ouvrir une source de tension.

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6) On peut court-circuiter une source de courant.

II. Transformations des sources


 Pour transformer une source de tension en une source de courant, il suffit de rajouter
une inductance en série.

I
A A

V I
B B

Figure 1- 4: Transformation d'une source de tension en source de courant

Source de tension + inductance en série = source de courant.


 Pour transformer une source de courant en une source de tension, il suffit de rajouter
un condensateur en parallèle.
A A

I V V
B B

Figure 1- 5: Transformation d'une source de courant en source de tension

Source de courant + condensateur en parallèle = source de tension.

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Chapitre 2 : Redressement non commandé


Le redressement est la conversion d'une tension alternative en une tension continue. On
l'utilise pour alimenter un récepteur en continu à partir du réseau de distribution alternatif.
Symbole synoptique :

Figure 3- 1: Schéma synoptique d'un redresseur

I. Redressement monophasé :

1. Redressement simple alternance


a. Etude d’une charge résistive
 Montage :

Figure 3- 2: Redressement simple alternance cas d'une charge résistive

 Etude du fonctionnement :
 La diode est supposée parfaite et donc assimilée à un interrupteur.
 ve est la tension d'entrée du pont : ve(t) = VMsin(wt).
 vs est la tension de sortie (aux bornes de la charge).
 R est la charge résistive.
Alternance positive 0<t<T/2 : ve(t) > 0
D voit à ses bornes une tension positive, elle est donc passante vD(t) =0 (interrupteur fermé).
Loi des mailles : ve(t) - vD(t) - vs(t) = 0 or vD(t) =0
=> ve(t) = vs(t).
Loi des nœuds : is=iD= ve(t) /R = VM/R . sin(wt).
Alternance négative : T/2 <t< T: ve(t) <0
D voit à ses bornes une tension négative, elle est donc bloquée iD(t) =0 (interrupteur ouvert)
Loi des mailles : ve(t) - vD(t) - vs(t) = 0 or vs(t) = 0 => ve(t) = vD(t).
Loi des nœuds : is(t) =iD(t) =0

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Oscillogrammes :

Ve(V)
VM

-VM
VD(V)

-VM
Vs(V)
VM

Is(V)
VM/R

t
0 T/2 T 3T/2 2T

Figure 3- 3: Variation de ve(t), vD(t), vS(t) et i S(t) pour une charge R

 Interprétation :

On remarque que la tension aux bornes de la charge (résistance) varie à chaque alternance :
elle est positive pendant l'alternance positive et nulle pendant l'alternance négative. La
résistance n'est alimentée que pendant une demie période d'où la nomination " simple
alternance "

 Valeur moyenne et valeur efficace :

A partir des oscillogrammes, on peut calculer :


𝑇 𝑇
1 𝑇 1 2 𝑇
1 2
𝑉𝑠𝑚𝑜𝑦 = ∫ 𝑣𝑠 (𝑡)𝑑𝑡 = (∫ 𝑣𝑠 (𝑡)𝑑𝑡 + ∫ 𝑣𝑠 (𝑡)𝑑𝑡 = ∫ 𝑣𝑠 (𝑡)𝑑𝑡 + 0
𝑇 0 𝑇 0 𝑇 𝑇 0
2
𝑇
1 2 𝑉 𝑉 𝑉
= ∫ 𝑉𝑀 𝑠𝑖𝑛(𝑤𝑡)𝑑𝑡 = 𝑀 [−cos(𝑤𝑡)]0→𝜋 = 𝑀 [−cos(𝜋) + cos(0)] = 𝑀
𝑇 0 𝑇𝑤 2𝜋 𝜋

𝑉𝑀
𝑉𝑠𝑚𝑜𝑦 =
𝜋

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1 𝑇 1 𝑇/2 𝑇
𝑉𝑠𝑒𝑓𝑓 = √ ∫ (𝑣𝑠 (𝑡))²𝑑𝑡 = = √ (∫ (𝑉𝑀 𝑠𝑖𝑛(𝑤𝑡)𝑑𝑡)²𝑑𝑡 + ∫ (𝑉𝑀 𝑠𝑖𝑛(𝑤𝑡)𝑑𝑡)²𝑑𝑡)
𝑇 0 𝑇 0 𝑇 /2

𝑉² 𝑀 𝑇/2 𝑉² 𝑀 𝑇/2 (1 − 𝑐𝑜𝑠(2𝑤𝑡)𝑑𝑡)


=√ ∫ (𝑠𝑖𝑛(𝑤𝑡)𝑑𝑡)²𝑑𝑡 = √ ∫ 𝑑𝑡
𝑇 0 𝑇 0 2
𝑇
𝑉² 𝑀 𝑇/2 𝑉 2𝑀 2 𝑇/2
= √ ∫ (1 − 𝑐𝑜𝑠(2𝑤𝑡)𝑑𝑡)𝑑𝑡 = √ (∫ 1𝑑𝑡 − ∫ 𝑐𝑜𝑠(2𝑤𝑡)𝑑𝑡)
2𝑇 0 2𝑇 0 0
𝑇
𝑉2 2 𝑉
= √ 𝑀 ∫ 1𝑑𝑡 = 𝑀
2𝑇 0 2

𝑉𝑀
𝑉𝑠𝑒𝑓𝑓 =
2

 Facteur de forme et taux d’ondulation


La valeur du facteur de forme caractérise la tension redressée. Plus cette valeur est proche de
l'unité, plus la tension obtenue est voisine d'une grandeur continue. Ce coefficient sert à
comparer des montages redresseurs différents entre eux. Par définition, on nomme facteur de
forme le rapport :
𝑉𝑠𝑒𝑓𝑓 𝜋
𝐹= =
𝑉𝑠𝑚𝑜𝑦 2

Le taux d’ondulation est donné par : 𝜏 = √𝐹² − 1 = 1,21

b. Ajout d'un condensateur : lissage de la tension


 Montage :

Figure 3- 4: Lissage de la tension de sortie


 Oscillogrammes :

Figure 3- 5: Variation de Vc(t)

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On remarque que l'ajout du condensateur diminue l'ondulation de la tension redressée, ce qui


augmente d'avantage sa valeur moyenne. La tension redressée s'éloigne alors de 0. Mais cela
présente quelques inconvénients : le courant devient faible et présente des pointes, ce qui rend
la diode fonctionnant en mauvaises conditions. Si la capacité est assez importante, la tension
redressée devient presque continue et sa valeur moyenne s'approche de Vmax.

c. Etude d'une charge inductive (RL): lissage du courant


 Montage :

On dresse le même montage que précédemment sauf que la charge devient une résistance en
série avec une inductance (RL)

Figure 3- 6: Redressement simple alternance cas d'une charge inductive

 Etude du fonctionnement :

Alternance positive 0<t<T/2 : ve(t) > 0


D voit à ses bornes une tensions positive, elle est donc passante vD(t) =0 (interrupteur fermé)
Loi des mailles : ve(t) - vD(t) - vs(t) = 0 or vD(t) =0
ve (t) = vs(t) = vR(t) + vL(t) = VM.sin(wt)
R.iS(t)+L.d[iS(t)]/dt = VM.sin(wt): Il s’agit d’une équation de 1er ordre avec second membre
dont la solution comprend deux partie :
 Solution sans second membre dite solution générale (régime libre):
R.iS(t)+L.d[i S(t)]/dt =0 ce qui donne : d[iS(t)]/dt = -R.iS(t) /L.
Alors d[iS(t)]/iS=-R.dt/L D’ou iS (t)=e (-R/L.t + K ) = eKe-(R/Lt)=C.e-t/τ .
iSG(t) = C.e-t/τ .
Avec C = eK et τ = L / R : constante du temps du système
 Solution avec second membre dite solution particulière (régime forcé) :
R.iS(t)+L.d[i S(t)]/dt = VM.sin(wt)

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is(t) est aussi sinusoidal car L et R sont des dipôles linéaires.


Il est plus simple d’utiliser la notation complexe. On aura : RIs + jLwIs = Ve
D’où Is= Ve/(R + jLw) = Ve/Z
𝑉𝑒 𝑉𝑒
De module : 𝐼𝑠 = = , avec Z = √R² + (Lw)²
√R²+(Lw)² 𝑍

De module : φ = - arctg (Lw/R)


D’où is(t) = IsM sin (wt + φ) = Is√2 sin (wt + φ)
𝑉𝑒
𝑖 𝑠𝑃 (𝑡) = √2sin(𝑤𝑡 + 𝜑)
√R2 + (Lw)2
𝑉𝑀
𝑖 𝑠𝑃 (𝑡) = sin(𝑤𝑡 + 𝜑)
√R2 + (Lw)2

𝑉𝑀
 finalement : iS(t) = iSG(t)+iSP (t) = C.e-t/τ + sin (𝑤𝑡 + 𝜑)
√R 2+ ( Lw ) 2

𝑉𝑀
Condition initiale : i S (0) = 0 alors C = - sin( 𝜑)
2
√R +( Lw ) 2
𝑉𝑀 𝑉𝑀
Par conséquent iS(t) = - sin ( 𝜑 ) e-t/τ + sin(wt+φ).
√R + ( Lw ) 2
2 √R + ( Lw ) 2
2
𝑉𝑀
iS(t) = [sin(wt + φ) − sin( 𝜑 ) e-t/τ ]
√R 2 +( Lw ) 2

Loi des nœuds : is (t) =iD(t)


La bobine se charge vu qu’elle reçoit un courant positif.

Alternance négative : T/2 <t< T: ve(t) < 0


Le courant tend à s'annuler dans le circuit, alors la bobine commence à se décharger dans la
résistance alors D reçoit encore un courant positif pendant une durée bien déterminée (varie
selon la valeur de l'inductance) alors elle est passante pendant ce temps vD(t) =0 (interrupteur
fermé).
Loi des mailles : ve(t) - vD(t) - vs(t) = 0 or vD(t) = 0
ve(t) = vS(t) <0
Une fois la bobine est totalement déchargée, le courant devient nul et la diode se bloque:
vD(t) <0 (interrupteur ouvert).
Loi des mailles : ve(t) - vD(t) - vs(t) = 0 or vs(t) =0
ve(t) = vD(t)
Loi des nœuds : is(t) =iD(t) =0

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 Oscillogrammes :

Ve(V)
VM

-VM
VD(V)

-VM
Vs(V)
VM

Is(A)
VM/R

t
0 T/2 T 3T/2 2T

Figure 3- 7: Variation de ve(t), vD(t), vS(t) et i D(t) = i S(t) pour une charge RL

 Interprétation :
On remarque que :
 L'ondulation du courant diminue. La forme du courant n'est plus sinusoïdale.
 Si l'inductance est assez importante, le lissage est considéré comme parfait : le courant
est presque constant.
 La tension redressée diminue de valeur moyenne (ajout d'une portion négative), sa
valeur moyenne est diminuée par rapport au cas d’une charge résistive. Pour remédier
à cela, on emploie une diode DRL dite de roue libre montée en antiparallèle sur la
charge inductive.
 Dès que la tension redressée vs(t) tend à devenir négative, la diode DRL se met à
conduire tout en court-circuitant et magnétisant la charge inductive.

d. Etude d'une charge inductive (RL) avec une diode de roue libre
 Montage :

Figure 3- 8: Etude d’une charge inductive avec diode de roue libre

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 Etude du fonctionnement :

Alternance positive 0<t<T/2 : ve(t) > 0 : D est passante et DRL est bloquée.
Loi des mailles : vs(t)= ve(t) =R.is(t) + Ldis(t)/dt .
𝑉𝑀 𝑉𝑀
iS(t) = iSG(t)+iSP (t) = C.e-t/τ + sin(𝑤𝑡 + 𝜑) = C.e-t/τ + sin(𝑤𝑡 + 𝜑)
√𝑅 +( 𝐿w ) 2
2 Z

Avec : 𝑍 = √𝑅² + (𝐿𝑤)² et φ = - arctg (Lw/R)


𝑉𝑀 𝑉𝑀
Initialement : is(0) = I0 = is(T) = sin(φ) + C d’où C = I0 - sin(φ)
Z Z
𝑉𝑀 𝑉𝑀
iS(t) = [ I0 - Z
sin(φ) ] e-t/τ + sin(𝑤𝑡 + 𝜑)
Z

Alternance négative T/2 <t< T: ve(t) < 0 : D est bloquée et DRL est passante :
vs(t)=0 d’ou R.is(t) + Ldis(t)/dt = 0 d’où is(t) = A.e-t/ τ
condition initiale : is(T/2) = I(T /2) d’où I(T /2) = A.e- (T /2)/ τ , A = I(T /2) e(T /2)/ τ
Ainsi is (t) = I(T /2) e (T /2)/ τ e-t/ τ = I(T /2) e-(t-T/2)/ τ .
iS (t) = I(T /2) e-(t-T /2)/ τ .
 Oscillogrammes

Ve(V)
VM

-VM
VD(V)

-VM
ID(A)

I0

VDrl(V)

-VM
IDrl(A)
I1

VS(V)
VM

Is(A)
I1

I0

t
0 T/2 T 3T/2 2T
Figure 3- 9: Variation de ve(t), vD(t), vS(t), vDRL(t), i D(t), i DRL(t) et i D (t)

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e. Etude d'une charge active


 Montage

 La diode étant idéale.


 E : f.e.m d’une batterie
d’accumulateurs de résistance interne
négligeable.

Figure 3- 10 : Etude d’une charge active


 Etude du fonctionnement :
ve (t) > 0 : pour que la diode soit passante, il faut que vD(t) > 0 c'est-à-dire qu’il faut au moins
ve(t) > E.
0≤ ve (t) ≤ E, D est bloquée iD(t)= iS(t) =0 et vS(t) = E : la batterie ne se charge pas.
vD(t) = ve(t) – E < 0
ve (t) ≥ E, D est passante (vD(t) =0) vS(t) = ve(t) et is(t) = (ve(t) – E)/R : la batterie se charge
et R sert à limiter l’intensité de charge.
ve (t) < 0 : la diode est polarisée en sens inverse et reste bloquée iD(t)= iS(t) =0.
vS(t) = E : la batterie ne se charge pas.
vD(t) = ve(t) – E < 0
 Oscillogrammes :

Ve(V)
VM
E

-VM

VD(V)

-VM-E
VS(V)
VM
E

Is(A)

(-VM-E)/R

t
0 T/2 T 3T/2 2T

Figure 3- 11: Variation de ve(t), vD(t), vS(t) et i D(t) = i S(t) pour une charge active
 Remarque :

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On peut ajouter une inductance L en série avec la résistance R pour lisser le courant iS(t) et
ainsi charger la batterie d’accumulateurs à courant « quasi » constant.

2. Redressement monophasé double alternance : Pont de Graëtz


 Montage :

VD1 VD2 is

Ve Vs

VD4 VD3

Figure 3- 12: Redressement double alternance avec une charge résistive

 Etude du fonctionnement :

Le pont de Graëtz est constitué de 4 diodes.


On suppose nul le temps de commutation entres diodes.
Les diodes sont supposées parfaites et donc assimilées à des interrupteurs.
 ve(t) étant la tension d'entrée du pont.
 vs(t) étant la tension de sortie.
 R étant la charge.

Alternance positive 0<t<T/2 : ve(t) > 0 : les deux diodes D1 et D3 (vD1 (t) = vD3 (t) = 0) sont
passantes alors que les diodes D2 et D4 sont bloquées (iD2 (t) = iD4 (t) = 0).
iD1 (t) = iD 3 (t) = iS(t)
Loi des mailles : ve(t) - vD1 (t) - vD3 (t) - vs(t) = 0 or vD1 (t) = vD3 (t) = 0
ve(t) = vs(t) = VM.sin(wt) > 0
Loi des nœuds : iD1 (t) = iD 3 (t) = is(t) = ve(t) /R = VM/R . sin(wt).

Alternance négative T/2 <t<T: ve(t) < 0 : les deux diodes D2 et D4 sont passantes (vD2 (t) =
vD4 (t) = 0) alors que les diodes D1 et D3 sont bloquées (iD1 (t) = iD3 (t) = 0).
Loi des mailles : ve(t) + vD2 (t) + vD4 (t) + vs(t) = 0 or vD2 (t) = vD4 (t) = 0
ve(t) = -vs(t) = VM.sin(wt) > 0

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Loi des nœuds : iD2 (t) = iD 4 (t) = is(t) = ve(t) /R = VM/R . sin(wt).
 Oscillogrammes :

Ve(V)
VM

-VM
VD1(V),VD3(V)

-VM
VD2(V),VD4(V)

-VM
Vs(V)
VM

Is(A)

VM/R

t
0 T/2 T 3T/2 2T

Figure 3- 13: Variation de ve(t), vD1 (t) , vD2 (t) , vD3 (t), vD4 (t) , vS(t), et i S(t)

 Remarque :

La tension redressée vS(t) et le courant dans la charge iS(t) sont de période T/2.
Les courants traversant les diodes (iD1 ,iD2 ,iD3 et iD4 ) et les tensions aux bornes (vD1 , vD2 , vD3 et
vD4 ) sont de période T .

 Valeur moyenne et valeur efficace :

𝑇
2 𝑇 /2 2 𝑉𝑀
𝑉𝑠𝑚𝑜𝑦 = ∫ 𝑣𝑠 (𝑡)𝑑𝑡 = ∫ 2 𝑉 𝑠𝑖𝑛(𝑤𝑡)𝑑𝑡 = 2
𝑇 0 𝑇 0 𝑀 𝜋
𝑉𝑀
𝑉𝑠𝑚𝑜𝑦 = 2
𝜋
2 𝑇/2 2 𝑇/2 𝑉
𝑉𝑠𝑒𝑓𝑓 = √ ∫ (𝑣𝑠 (𝑡))²𝑑𝑡 = √ (∫ (𝑉𝑀 𝑠𝑖𝑛(𝑤𝑡)𝑑𝑡)²𝑑𝑡 = 𝑀
𝑇 0 𝑇 0 √2
𝑉𝑀
𝑉𝑠𝑒𝑓𝑓 =
√2
𝑉𝑆𝑚 𝑜𝑦
𝐼𝑠𝑚𝑜𝑦 = 𝑅

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 Facteur de forme et taux d’ondulation

𝑉
𝐹= 𝑉 𝑠𝑒𝑓𝑓 = 1.11
𝑆𝑚𝑜𝑦

𝜏 = √𝐹² − 1 = 0.48

 Remarque :
Le facteur de forme est plus proche de 1 avec un redressment double alternance qu’un
redressement simple alternance. Le taux d’ondulation est plus proche de 0 avec un
redressement double alternance qu’un redressement simple alternance.

II. Redressement triphasé:

1. Commutateurs à cathodes communes :’’plus positif’’


 Montage :

Les diodes sont supposées parfaites.


Les tensions v1 (t), v2 (t) et v3 (t) constituent un système triphasé équilibré.

Avec : v1 (t) = VM.sin (wt).


v2 (t) = VM.sin (wt-2π/3) .
v3 (t) = VM.sin (wt + 2π/3) .

Figure 3- 14: Commutateurs à cathodes communes

 Analyse de fonctionnement :
On se place dans le cas ou D1 est conductrice, par exemple, alors D2 et D3 sont bloquées et on
a:
vD2 (t) < 0 : vD2 (t) = v2 (t) – v1 (t) < 0 alors v1 (t) > v2 (t).
vD3 (t) < 0 : vD3 (t) = v3 (t) – v1 (t) < 0 alors v1 (t) > v3 (t).
Donc D1 est conductrice dans la condition où v1 (t) est supérieure aux deux autres tensions et
ceci est applicable pour les deux autres diodes.
La diode en conduction et celle dont l’anode est reliée à la plus positives des tensions de
la source, les deux autres sont bloquées.
Les instants de commutation correspondent aux instants d’intersection des sinusoïdes de v1 (t),
v2 (t) et v3 (t).

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Les intervalles de conduction sont donnés par le tableau suivant :


Tableau 3- 1 : Intervalles de conduction des diodes
Intervalle de wt Diode conductrice Diodes bloquées Tension de sortie
[π/6,5π/6] D1 D2 et D3 vS(t) = v1 (t)
[5π/6, 9π/6] D2 D1 et D3 vS(t) = v2 (t)
[9π/6, 13π/6] D3 D1 et D2 vS(t) = v3 (t)

 Oscillogrammes :

Figure 3- 15 : Allure de la tension de sortie vS (t)

La tension aux bornes de la diode peut être obtenue en effectuant une construction par
intervalle. Prenons le cas de la diode D1.
Tableau 3- 2 : Tension aux bornes de la diode D1

Intervalle de wt Diode conductrice Tension aux bornes de D1 vD1 (t)


[π/6,5π/6] D1 0
[5π/6, 9π/6] D2 v1 (t) – v2 (t) = v12 (t)
[9π/6, 13π/6] D3 v1 (t) – v3 (t) = v13 (t)

Figure 3- 16 : Allure de la tension aux bornes de la diode D1 : vD1 (t)

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 Valeur moyenne et valeur efficace :

3 5𝜋/6 3 5𝜋/6 𝑉
𝑉𝑠𝑚𝑜𝑦 = ∫ 𝑣𝑠 (𝑡)𝑑𝑡 = ∫ 𝑉𝑀 𝑠𝑖𝑛(𝑤𝑡)𝑑𝑡 = 3 𝑀 √3
2𝜋 𝜋/6 2𝜋 𝜋/6 2𝜋
𝑉𝑀
𝑉𝑠𝑚𝑜𝑦 = 3 √3
2𝜋
3 5𝜋/6 1 3 2𝜋
𝑉𝑠𝑒𝑓𝑓 = √ ∫ (𝑉𝑀 𝑠𝑖𝑛(𝑤𝑡))²𝑑𝑡 = 𝑉𝑀 √ + sin( )
2𝜋 𝜋/6 2 4𝜋 3
1 3 2𝜋
𝑉𝑠𝑒𝑓𝑓 = 𝑉𝑀 √2 + 4𝜋 sin ( 3 )

 Facteur de forme et taux d’ondulation


𝑉
𝐹= 𝑉 𝑠𝑒𝑓𝑓 = 1,02
𝑆𝑚 𝑜𝑦

𝜏 = √𝐹² − 1 = 0.184

M.MEDINI 19

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