Chapitre I : Mémoires à semi-

conducteurs

L’architecture et fonctionnement des mémoires

Note de Cours : Architecture des ordinateurs 2

Résumé par : LANASRI Dihia

Référence :
Cours Architecture, 2CPI –Mr. Koudil 2011/2012
Livre : Architecture des ordinateurs –Mr. Koudil, Mr. Khelifati.

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TABLE DES MATIERES
1. les transistors mos ............................................................................................................ 3
1.1. INVERSEUR EN MOS ............................................................................................. 3
1.2. Principe de fonctionnement : .................................................................................. 4
1.3. Conditions de conduction ....................................................................................... 4
2. Les mémoires vives ............................................................................................................. 4
2.1. LA CELLULE RAM STATIQUE .............................................................................. 4
2.2.1. Opérations de lecture et écriture :....................................................................... 5
2.2.2. Modes de rafraichissement : ................................................................................. 7
3. LES MEMOIRES MORTES ............................................................................................. 7
3.1. Rôle de la ROM : ....................................................................................................... 8
3.2. Les types de mémoires mortes :.............................................................................. 8
EPROM : ............................................................................................................................ 8
EEPROM : .......................................................................................................................... 8
PROM................................................................................................................................. 8
3 .3. Avantages d’une RAM :.............................................................................................. 8
3.4. INCONVENIENTS d’une RAM : ............................................................................... 8

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 1. LES TRANSISTORS MOS
Se type de transistor est utilisé pour fabriquer les mémoires en particulier les
mémoires vives. Il existe deux types de transistor MOS :
1. Type N : ce type génère des zéros. Si on envoie un courant de 5V, on obtient
un 0V en sortie. Si non, la sortie sera bloquée et on aura un cas d’Haute
impédance. S

0V
HI
5V
G
0V

D
+
2. Type P : ce type génère des uns. Si on envoie un courant de 0V, on obtient un
D
5V en sortie. Si non, la sortie sera bloquée et on aura un cas d’Haute
impédance.

5V
HI
0V
G
5V

D
+

1.1. INVERSEUR EN MOS D

VSS

A
0V 5V
E E
5V 0V
B

VDD

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 1.2. PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT :
Si la base est à potentiel >0. Le transistor sera passant ie. ic est reçu par iE
Sinon V=0 : transistor bloquant ou isolant.

1.3. CONDITIONS DE CONDUCTION

1ère condition : VC-VE>=Vseuil1
2ème condition : VB-VE>= Vseuil2

5V

B
5V
C

2. LES MEMOIRES VIVES

2.1. LA CELLULE RAM STATIQUE
On sélectionne le fil de mot en envoyant un signal de 5V dans le fil de mot. Si c’est 5V
le transistor de sélection sera passant donc un passage de 5V dans le fil de bit. Sinon,
il sera bloqué d’où il n y aura pas de signal.

Ecriture dans une mémoire statique : l’information est d’abord générée sur le fil de
bit ensuite il y a sélection de la case mémoire (5V sur le fil de mot correspondant).

Fil de bit

Transistor de
D sélection
E
C

Fil de mot

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INCONVENIENTS D’UNE RAM STATIQUE:
 Un nombre important de transistors MOS (5 transistors)
 Très couteux.

2.2. COMPOSANT D’UNE RAM DYNAMIQUE

Ça cellule mémoire est faite à base de condensateur. Si le condensateur est chargé= 1
=> 5V

Si le condensateur est déchargé=0 => 0V

Fil de mot

Fil de bit

C
Décharge de C

Quant on fait la lecture, le condensateur se décharge s’il était chargé sinon il reste
déchargé.
Fil de bit Fil de mot

Fil de mot

Comparateur

2.2.1. OPERATIONS DE LECTURE ET ECRITURE :

Il faut toujours sélectionner le mot, en envoyant un signal de 5V sur le fil de mot.

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 2.2.1.1. Lecture :
o Temps d’accès : 60 ns
o Délais de cycle : 35 ns
o Temps de latence : 25 ns

Méthode : quant on sélectionne le bit, le transistor est passant alors le condensateur

se décharge et envoie le signal dans le fil de bit, on compare ce signal au seuil.

S’il est supérieur : réécriture en envoyant la même information dans le fil de bit pour
charger le condensateur.

L’opération de lecture est toujours suivie d’une opération de réécriture.

D
E Décharge

Réécriture
Vseuil Comparateur
Amplificateur

RIM

2.2.1.2. Ecriture :
 L’information est dans le fil de bit.
 La cellule est sélectionnée à travers le fil de mot
 Le transistor est passant permettant la charge de condensateur ou sa décharge.

5V 5V

D D 5V
0V
E E
C C

5V 0V

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2.2.2. MODES DE RAFRAICHISSEMENT :
 Le rafraichissement groupé : la priorité est donnée à l’opération de
rafraichissement ie. L’UC ne peut accéder à la mémoire que si tous les bits
sont rafraichis.

La logique accède à la RAM

UC bloqué UC non bloqué

 Le rafraichissement transparent : l’UC est prioritaire, le rafraichissement se

fait lorsque n’accède pas à la mémoire.

Instants de rafraichissement

UC non bloqué

 Le rafraichissement par vol de cycle : l’UC accède à la mémoire entre deux

temps de rafraichissement
Instants de rafraichissement

But de rafraichissement :
Le condensateur de part sa nature n’est pas parfait, il risque de perdre l’information
au bout d’un certain temps du fait qu’il présente des courants de fuite. Donc le
rafraichissement consiste à lire tous les mots de la mémoire

3. LES MEMOIRES MORTES

La ROM : si l’information égale à 1, la diode est passante
Sinon, quand on envoie un signal de 5V sur le fil de mot : si la diode existe-> 1
Sinon : ->0

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 3.1. ROLE DE LA ROM :
 Power-on self test
 Setup CMOS
 BIOS
 Chargeur d’amorce
 Temps d’accès d’une ROM est de 80 ns.

3.2. LES TYPES DE MEMOIRES MORTES :

EPROM :
Les transistors utilisés sont de type FAMOS initialement ce transistor est bloqué. On
utilise les ultras violets pour effacer le contenu (tout à zéro). Il faut donc
reprogrammer la mémoire.

EEPROM :
 Effacement sélectif
 Les transistors utilisés sont de type FLOTOX
 Ce type de transistor est programmé en appliquant une tension de 25V entre
le drain et la source pour l’écriture d’un ‘1’.
 Pour l’effacement, on envoie une tension entre la grille et le drain.

PROM :
Initialement tous les bits sont à 1. Si on veut programmer des Zéros, il suffit
d’envoyer un signal de V=25V pour faire fondre les fusibles.

3 .3. AVANTAGES D’UNE RAM :

 Faible consommation d’énergie => taux d’intégration élevé
 Faible coût.

3.4. INCONVENIENTS D’UNE RAM :

 Réécriture après chaque lecture.
 Rafraichissement.

SRAM : 10 ns
DRAM : 60 ns

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