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1. Introduction
Les matériaux ne sont jamais des cristaux parfaits, il y a toujours des erreurs dans
l’empilement (arrangements) qui peut être décrit comme des défauts d’ordre ponctuelle,
linéaire ou surfacique.
Généralement les défauts sont dus aux efforts extérieurs tels que la déformation plastique,
température, irradiation (Rayon X)
2. Défauts ponctuels (un degré de liberté)
A
D
A : lacune
B : atome étranger
C : auto interstitiel
D et E : atomes étrangers en substitution
Lacune : absence d’un atome dans la périodicité du réseau
Auto interstitiel : insertion d’un atome de même nature du réseau entre deux atomes.
Interstitiel : insertion d’un atome étranger entre deux atomes avec re<rR.
Substitution : placement d’un atome étranger à la place d’un atome du réseau avec re≥ rR
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ENST/ GMP/ Cours SPM 2019
Avec :
A : constante sans dimension (= 1 pour un défaut ponctuel, =2 pour défauts linéaire
(dislocations))
Q : énergie de formation du défaut ponctuel (J/mole),
R : constante des gaz parfaits = 8,32 J/K.mole,
T : température absolue du cristal (K).
k : constante de Boltzman k=R/N= 1, 38 10-23 J/K.at
Dans un cristal donné, les énergies de formation des interstitiels sont en général environ
quatre fois plus élevées que les énergies de formation des lacunes,
2.2. Sites dans les réseaux cristallins
Dans un réseau cristallin métallique dont les ions sont assimilés à des sphères dures, il existe
des espaces libres laissés entre ces ions ; ces espaces sont appelés sites. Ils sont importants
car, c’est dans ces régions que pourront se glisser des ions de faibles dimensions
(interstitiels).
On distingue deux modes de sites :
1- Site tétraédrique : c’est un vide
délimité par quatre atomes dont
trois sont situe dans un même
plan et l’autre dans un autre plan.
2- Site octaédrique : c’est un vide
délimité par six (06) atomes, dont
quatre se trouvent dans un même
plan et deux autres se trouvent
dans un plan de part et d’autre.
τ≥ τcri
y τ
a x a
a τ
dW =-τ dx ⇒ τ = - dW/dx
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ENST/ GMP/ Cours SPM 2019
Puisque les déformations sont très petite (suivant la règle du développement limité α<<
sinα=α)
τ=Gγ
A
B’
A’
b) Dislocation vis
b parallèle l
c) Dislocation mixte
Dans la réalité, les lignes de dislocations sont courbes, et une
dislocations est donc parfois coin lorsque la ligne est
perpendiculaire à la déformation, parfois vis lorsque la ligne est
parallèle à la déformation, parfois entre les deux
π C D
l=B= dislocation coin
B l=CD dislocation vis
A l=BC dislocation mixte
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a : paramètre de la maille
[uvw] : la rangé (direction) du vecteur
µ: facteur de position
Energie de formation d’une dislocation :
La formation d’une dislocation nécessite un apport d’énergie qui correspond à la déformation
d’un cristal soumis à une contrainte supérieure à la limite élastique. La relation permettant de
calculer l’énergie de formation d’une dislocation est proportionnelle au module du
cisaillement (G) et au vecteur de Burgers (b)
E /l= G.b²
G : module de cisaillement
b : module de vecteur de Burgers
l : longueur du défaut linéaire
E /l : Energie de formation d’une dislocation par unité de longueur
Décomposition d’une dislocation
Par effet d’application d’une contrainte plastique dans le cristal, les dislocations (parfaits)
peut se décomposer en deux dislocations (imparfaites).
a) Décompositions selon COTTREL dans le réseau C.C
b) Décomposition selon SCHOTECKY dans le réseau CFC
Propagation de l’énergie au voisinage de la dislocation soumise à la déformation
plastique
Par effet d’application d’une contrainte plastique, la dislocation est soumise à une contrainte
plastique se propage au voisinage du cristal.
A l’aide de la théorie de champ des contraintes on établit une relation permettant de calculer
G : module de cisaillement
b : module du vecteur du Burgers
r : rayon de la déformation plastique au voisinage de la dislocation
R : distance de propagation de l’énergie élastique.
K : coefficient dépend de la nature de dislocation
K=1 : dislocation vis
K=1-ν dislocation coin, avec ν : coefficient de poisson.
L’énergie totale ET ET = Epl + Eel
Epl ≅ 9/10 ET et Eel ≅ 1/10 ET
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