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P Thème du projet
Cahier des charges du projet
Partie 2 : Schéma structurel du système
L Schéma synoptique
Description détaillée du système
Schéma électrique
N Acquisition du matériel
Réalisation du système
22 décembre 2022 2
Conception de Systèmes Electroniques
Unité
Présence d’alimentation
8
Circuit intégré analogique NE555 : Vcc ↔ 4 3
VCC
R Q OUTPUT
7
Générateur d’impulsion
DC
5
CV R
1
Lorsque U2 < 3 VCC : 0
U3
GND
2 6
U3 est au niveau HAUT INPUT TR TH
IC1
Durée tH = 1,1 x R C
1
U2 C0 C
2
A partir de tH : Tension (THRES) > 3 VCC
GND
U3 passe à un niveau BAS
KONE Siriky Youssouf, Enseignant-chercheur à l'INP-HB 24
Conception de Systèmes Electroniques
8
1 4 3
Lorsque U2 < 3 VCC :
VCC
R Q OUTPUT
7
DC
Durée tH = 1,1 x R C U3
GND
A partir de tH :
2 6
INPUT TR TH
2 IC1
1
U2 C0 C
Tension (THRES) > VCC
3
U3 passe à un niveau BAS
22 décembre 2022 GND 25
Conception de Systèmes Electroniques
4 3
VCC
R Q OUTPUT
DC
7 D’après le datasheet du NE555,
5
CV R
Que vaut ITRIG lorsque U2 est au niveau BAS ?
U3
Que vaut ITRIG lorsque U2 est au niveau HAUT ?
GND
2 6
INPUT TR TH
U2 C0 C
4 3
OUTPUT C = (CN ; US)
VCC
R Q
7
DC
5
CV R
Quelle fonction réalise le condensateur C ?
U3 Quelle valeur de capacité C peut-on choisir ?
GND
2 6
INPUT TR TH
U2 C0 C
Quelle est la tension maximale aux bornes de C ?
GND KONE Siriky Quelle
Youssouf, est la tension
Enseignant-chercheur à l'INP-HB de service US de C ? 28
Conception de Systèmes Electroniques
4 3
OUTPUT R = (RN ; PdN)
VCC
R Q
7
DC
5
CV R
Quelle fonction réalise la résistance R ?
U3 Quelle est la valeur ohmique de R ?
GND
2 6
INPUT TR TH
U2 C0 C
Quelle résistance normalisée choisir ?
GND KONE Siriky Youssouf, Enseignant-chercheur à l'INP-HB 30
Conception de Systèmes Electroniques
4 3
OUTPUT C0 = (C0N ; US0)
VCC
R Q
7
DC
5
CV R
D’après le datasheet du NE555, quelle valeur de
U3 capacité C0 peut-on choisir ?
GND
2 6
INPUT TR TH
U2 C0 C
de modules capteurs.
ModuleOUTPUT
Toutefois, un module capteur spécifique dispose Capteur
d’un schéma structurel ou schéma électrique de
réalisation (voir datasheet). GND
IC2
KONE Siriky Youssouf, Enseignant-chercheur à l'INP-HB 34
Conception de Systèmes Electroniques
R2
OUTPUT
INPUT
R1
T1 Circuit intégré
Capteur de U1
U2
NE555
présence
GND
KONE Siriky Youssouf, Enseignant-chercheur à l'INP-HB 38
Conception de Systèmes Electroniques
U1
U2 Dans quel état de T1 détermine-t-on ICQ1 ?
Quel courant ICQ1 souhaite-t-on se fixer ?
GND KONE Siriky QueEnseignant-chercheur
Youssouf, vaut ICM1 à?l'INP-HB 40
Conception de Systèmes Electroniques
U1
U2 Quelle est la puissance totale PTOT1 dissipée par T1 ?
Quel transistor T1 peut on choisir ?
GND KONE Siriky Youssouf, Enseignant-chercheur à l'INP-HB 41
Conception de Systèmes Electroniques
R2
U1
U2 Quelle est la puissance dissipée par R2 ?
Quelle résistance normalisée choisir ?
GND KONE Siriky Youssouf, Enseignant-chercheur à l'INP-HB 43
Conception de Systèmes Electroniques
U1
U2 Quelle est la puissance dissipée par R1 ?
Quelle résistance normalisée choisir ?
GND KONE Siriky Youssouf, Enseignant-chercheur à l'INP-HB 44
Conception de Systèmes Electroniques
V1
RL
8
4 3
VCC
R Q
DC
7 RL
R2 D V1
5
CV R
Secteur CIE
GND
TestPin
2 6
TR TH
IC1 RB
1
C0 T2
R1
T1 C
IC2
0
KONE Siriky Youssouf, Enseignant-chercheur à l'INP-HB 56
Conception de Systèmes Electroniques