Diffraction des rayon X (DRX)

Définition :
Les rayons X sont des ondes électromagnétiques de hautes
fréquences comprises entre 1016 Hz et 1020 Hz. Les longueurs
d’ondes des RX sont de l’ordre de 10-8 à 10-12 m. Ils possèdent une
forte énergie et pénètrent facilement la matière.
Rappel : Un rayonnement d´énergie E et de longueur d´onde λ, on a:
λ (A°) = hc/E ≈ 12,4/E E en keV 1eV = 1,6 10-19 J
1
Applications des RX :
On présente ici des exemples d'utilisation assez courants de la
diffraction X sur poudre:
1. Mise en évidence du caractère cristallisé (structure périodique)
ou amorphe (structure désordonnée).
2. Identification d'une phase cristallisée.
3. Mesure des paramètres cristallographiques, tels que distance
entre plans, paramètres de maille (angles et espacement).
4. Mise en évidence de distorsions cristallographiques
 effets de taille,
 effets de déformation,
 effet de la température. 2
Production de rayons X : Les rayons X sont produits dans des
tubes à rayons X.

Le principe : la production des RX consiste à bombarder

une cible métallique (anode), par des électrons, émis par
une cathode (en tungstène W) chauffée à haute température,
accélérés par une différence de potentiel élevée (de 10 à
150 kV).

3
Tube de production des RX 5
Remarque : il est à noter que le rendement énergétique ρ de la
production des RX est très faible.
On à : ρ = 1,1 10-9 x Z x U
Avec Z : numéro atomique de l’anticathode (anode)
U : différence de potentiel
Application : U= 30kV , Zcu = 29 → ρ = 0,001
c à d que 1/1000 de l’énergie incidente est transformée en RX

5
Spectre d´émission des RX : il se compose d´un spectre continu auquel se
superpose un spectre de raies caractéristiques correspondant à la fluorescence
X des atomes constituants l´anode.
La valeur minimale de λ du spectre continu est donnée par la relation :
λmin (A°) = hc/eU ≈ 12,4/U U en kV

h : constante de Planck = 6,62 10-32 [J.s]

c : vitesse de la lumière ≈ 3 105 [km/s]
e=1,6 10-19C

Application : U= 30 kV → λmin = 0,41 (A°)

6
Spectre de raies caractéristiques

Ces rayonnements sont expliqués par le mécanisme suivant :

L’éjection : un e- de la couche K de l’anode est éjecté par un e-
projectile de la cathode.
La transition electronique : l´e- éjecté est remplacé par un e- des
couches supérieures (exp : L, M, ….).
L’émission : l’émission d’une radiation de RX et obtenue suite à
cette transition électronique.

7
Mécanisme de production des RX 9
 Interactions des rayons X avec la matière
L’interaction des RX ondes électromagnétiques avec la matière se fait sous
Différentes formes :

• Absorption
• Transmission
• Diffusion
Variation de I en fonction de X
Interaction des rayons X avec la matière :
Les RX possèdent la propriétés de traverser les corps, mais une
partie de leur énergie est absorbée par la matière.
le coefficient d’absorption massique noté µm s’écrit:

µm = C x Z4 x λ3 + b
avec C et b sont des constante
Z : numéro atomique
λ : longueur d’onde des RX émis
Application : Z= 82 (plomb élevé à la puissance 4 de l’ordre de 45
millions), explique sont absorption élevée, c’est pour cela qu’il est
utilisé comme écran protecteur dans les installation de RX
11
Diffraction des rayons X
Principe des expériences de diffraction aux rayons X : On
considère, dans une maille cristalline :

 un plan formé d'un ensemble d'atomes,

 famille de plans atomiques.

Un faisceau incident constitué de rayons X de longueur d'onde λ

est diffracté par cette famille de plans atomiques.
On aura un pic de diffraction si son angle d'incidence θ sur les
plans satisfait la relation de Bragg : 2dhklsinθ = nλ
14
Loi de Bragg : la loi de Bragg établit un lien entre la distance
séparant les atomes d'un cristal et les angles sous lesquels sont
principalement diffractés des rayons X envoyés sur le cristal.
Lorsqu’un faisceau de RX est dirigé sur une série de plans avec un
angle θ, on obtient des rayons diffractés.

13
 La loi de Bragg
2 dhkl sin θ = n λ
Avec : dhkl est la distance ente plans et θ est l’angle dediffraction

Calcul de la distance interréticulaire :

La distance interréticulaire dhkl est donnée par :

Avec
h = 1/p, k = 1/q et l = 1/r sont des entiers appelés les indices
de Miller est représentent les intersections des plans atomique
dans le plan orthonormé OXYZ.
12
Après calcul on trouve la formule générale de la distance
interréticulaire sous la forme :

Dans la cas du système cubique : α = β =  = 90 et a = b = c

cette formule se réduit à :

Dans la cas du système quadratique : α = β =  = 90 et a = b ≠ c

13
15
Exercice d’application :

1. Quelle est l’influence de la tension appliquée lors de la production des RX sur les
longueurs d’onde produites

2. Calculer la longueur d’onde minimale  min(Å) émise par l’anticathode utilisée, si la tension
du générateur est égale à 8,052 kV.

3. Soit les résultats de la diffraction des rayons X du silicium ‘Si’ de structure cubique à faces
centrées, représentés par le tableau suivant. Calculer pour chaque pic diffracté la distance
interréticulaire dhkl. Lorsque =  min(Å) avec n = 1

Pic N° . h k l 2Theta[deg]
1 1 1 1 28,576
2 0 2 2 47,534
3 1 1 3 56,404
Données relatives au spectre diffracté
4 2 2 2 59,155
15