‫الجـمــهــوريـ ـة الجـــزائــريـ ـة الديمـ ـقــراط ـيــة الـ ـشــع ـب ـيـ ـة‬

‫‪PEOPLE’S DEMOCRATIC REPUBLIC OF ALGERIA‬‬

‫وزارة الت ـ ـع ـ ـليـــــم الع ــــــالي والبـ ـ ـحث الع ــلـــم ـي‬
‫‪MINISTRY OF HIGHER EDUCATION AND SCIENTIFIC RESEARCH‬‬

‫” ‪UNIVERSITY OF TLEMCEN - “ ABOUBAKR BELKAID‬‬ ‫جـــــــــامعة أبي بـكـر بـلـقـ ـ ـ ـ ـ ـاي ـد – تـلمس ـان –‬

‫‪FACULTY OF TECHNOLOGY‬‬ ‫كـ ـل ـيـ ــة التـكـن ـ ــ ـولـ ـ ـ ـ ـــوج ـي ـ ـ ـ ـ ـ ـا‬

‫‪DEPARTMENT OF ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING‬‬ ‫قس ـ ـم الهندس ـ ـ ـة الكهرب ـ ـ ـ ـائية واإللك ـ ـ ـتـرون ـ ـ ـ ـية‬

‫‪TP Electrotechnique I‬‬ ‫‪YOUNES Boudaoud ET MOHAMMED HAMZA Abdelli‬‬ ‫‪Page | 1‬‬
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 Université ABB Tlemcen
Faculté de Technologie
Département GEE

Module de TP ELT

TP n: 02

Charge monophasée
Un Rapport Préparer
Par :

I. BOUDAOUD Younes
II. ABDELLI Mohammed Hamza
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 TP2 : Charge monophasée

I. Rappel théorique
 Nature des grandeurs alternatives sinusoïdales
On résume autour de la figure 1.7les caractéristiques d’une grandeur sinusoïdale :

i. Grandeurs sinusoïdales : S(t) = S max ∙ sin ( ωt + φ)

1
Fréquence : f = (Hz)
T
Pulsation: ω = 2πf (rad/s)
Phase à l’origines : φ (ici φ = 0)
Valeur Moyenne : S = 0
S max
Valeur eff = Seff = S = (non démontré)
√2
ii. Grandeurs sinusoïdales temporelles :
U(t) = U ∙ √ 2 ∙ Sin ( ωt )
I(t) = I ∙ √ 2 ∙ Sin ( ωt - φ)
Période angulaire : 2π (rad) Avec θ = ωt

II. Travail à effectuer

II.i Charge résistive :

V P

I Q

W P et Q
i
+
-
A

+
v
-
V P vs I
E R
+

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  Tableau des mesures
Position R[Ω] V [V] I[A] P[W] P=R I2 Cos(φ ) Q[Var]
entre absorbé Calculé Calculée
bornes
S1 : ON 920 228 0.25 48 57.5 1 0
S1-S2 : ON 920/2 226 0.5 102 115 1 0
S1-S4 : ON 920/4 224 0.98 206 221 1 0

 La courbe V vs I :

 La courbe P vs I :

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  La courbe Q vs I :
Q = 0 ET Cos(φ) = 1

II.ii Charge inductive :

V P

I Q

W P et Q
i
+
-
A

+
v
-
V P vs I
E RL
+

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  Tableau des mesures

Position L[mH] r[Ω] V [V] I[A] P[W]

charge inductive entre bornes absorbé mesurée

S1 : ON 1700 32.5 229 0.3 32

S1-S2 : 1700/2 17 228 0.45 68
ON
S1-S4 : 1700/4 8.8 227 0.57 112
ON
S1-S6 : 1700/6 6.2 226 0.62 124
ON

 La courbe V vs I :

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  La courbe P vs I :

II.iii Charge capacitive

V P

I Q

W P et Q
i
+
-
A

+
v
-
V V vs I
E RC R
+

Remarque : On RC la résistance Rc ≈ 0

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  Tableau des mesures
Position C[µF] V [V] entre bornes I[A] P[W]
charge absorbé mesurée
capacitive
S1 : ON 2.5 230 0.3 36
S1-S2 : ON 2.5/2 229 0.51 78
S1-S4 : ON 2.5/4 229 0.58 122
S1-S6 : ON 2.5/6 229 0.64 140

 La courbe V vs I :

 La courbe P vs I :
III.

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 Concision

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