Cours Circuits Microondes VF

Cours de circuits micro-ondes
Pr.Otman OULHAJ
FPL Université Abdelmalek Essaadi
o.oulhaj@uae.ac.ma
19 octobre 2023
Pr.Otman OULHAJ (FP de Larache) Master SEER 19 octobre 2023 1 / 188

SOMMAIRE
1 Chapitre 1 : Propagation sur une ligne de transmission en haute

fréquence
2 Chapitre 2 : Les dispositifs d'adaptation
3 Chapitre 3 : Les guides d'ondes métalliques
4 Chapitre 4 : Les Composants et circuits micro-bandes
5 Chapitre 5 : Les ltres micro-ondes
6 Chapitre 6 : Les circuits passifs en technologie Micro-ruban
7 Chapitre 7 : Les composants actifs RF & microondes
8 Chapitre 8 :L'amplicateur microonde

Chapitre 1 :
Propagation sur une ligne de transmission en haute fréquence

1.Le modèle d'une ligne de transmission
Soit une ligne de transmission, de longueur l, alimentée à une extrémité par

un générateur de tension H.F et fermée à l'autre extrémité sur une
impédance ZR . En haute fréquence, la tension et le courant varient le long
de la ligne.

L'ÉQUATION DE PROPAGATION
Supposons qu'on a sur ces lignes, les champs E et H se trouvent dans des
plans perpendiculaires aux conducteurs (d'où l'appellation T.E.M. =
Transversal Electric and Magnetic elds) et il est donc possible d'en
déduire la tension et le courant. On va se placer en un point d'abscisse x
par rapport à l'origine et raisonnons sur l'élément compris entre x et x +
dx. Soient v (x, t) et i(x, t) les valeurs complexes instantanées de la tension
et du courant au point d'abscisse x. Le modèle équivalent en mode TEM
d'un tronçon de ligne de longueur dx est donné par :

sont les constantes ou paramètres primaires de la ligne.

R1 , L1 , G1 , C1
En régime sinusoïdal, on a :
V (x)etI (x) :sont les amplitudes réelles ou modules.

ϕv (x)etϕi (x) : sont les phases.
Les valeurs instantanées réelles sont :

La variation de la tension et du courant quand on se déplace de dx sur

la ligne est égale à :
A partir de (1) et (2), on montre facilement que i et v satisfont les

équations, dites de télégraphistes :

Dans le cas où le régime est sinusoïdal, (1), (2), (3) et (4) deviennent :

On pose :
C'est une quantité complexe que l'on appelle la constante de

propagation.
L'équation (7) et (8) deviennent :
(10a) et (l0b) sont les équations de propagation de la tension et du

courant le long de la ligne qui admettent des solutions de la forme :

Vi , Vr , Ii , Ir : sont des constantes d'intégration, liées par :
Où Zc est l'impédance caractéristique de la ligne, elle est dénie par la

relation suivante :
pour une Ligne sans pertes : LSP R1 = 0 et G1 = 0.

γ et Zc : sont appelés les paramètres secondaires de la ligne.

EXPRESSIONS DE LA TENSION, DU COURANT ET DE
L'IMPÉDANCE
Dans le cas où la ligne est terminée sur une charge quelconque.

D'après (11a) et (11b) :
À partir de ces relations, nous obtenons :

L'IMPÉDANCE
En portant ces valeurs dans (11a) et (11b), nous obtenons :
Dans le cas d'une ligne sans perte :

L'IMPÉDANCE
La relation entre l'impédance d'entrée Z0 et l'impédance de charge ZR

est donnée par :
Dans le cas d'une ligne sans perte :
LIGNE TERMINÉE PAR = ZC ONDES PROGRESSIVES

Si ZR = ZC , alors Z0 = ZC , il en résulte que :

L'IMPÉDANCE
Alors :
Lorsqu'une ligne est terminée sur son impédance caractéristique, il n'y a pas
d'onde rééchie. Le régime qui s'établit sur cette ligne est appelé régime d'ondes
progressives. LIGNE EN COURT-CIRCUIT OU EN CIRCUIT OUVERT
A. Ligne en court-circuit (ZR = O)

L'IMPÉDANCE
B. Ligne en circuit ouvert (ZR =innie)

L'IMPÉDANCE
LIGNE QUART D'ONDE LIGNE DEMI-ONDE)

Dans le cas où une ligne sans perte est fermée sur une impédance
terminale ZR , l'impédance d'entrée est :
Si :
Donc la ligne λ/4 est un inverseur d'impédance.Si :
Une ligne λ/2 a une impédance d'entrée égale à son impédance de charge.
2- Etude de la réexion à l'extrémité d'une ligne de
transmission
Dans ce cas, il sut de remarquer que la variation de x, notée
précédemment + dx, est maintenant -dx. Dans ces conditions, les relations
(1) et (2) deviennent :
Les solutions générales deviendront :

2- Etude de la réexion à l'extrémité d'une ligne de
transmission
Avec :
Les expressions de la tension, du courant et de l'impédance s' écrivent sous

la forme suivante :

2-1. Le Coecient de réexion
Le coecient de réexion en un point d'abscisse x quelconque est déni
comme le rapport de l'amplitude de l'onde rééchie à l'amplitude de l'onde
incidente en ce point :
Où :
donc :
Pour x = O , au niveau de la charge

Pour x = O , au niveau de la charge
RmQ
Une onde progressive de pulsation ω se propage avec une vitesse vp = ω/β
appelée vitesse de phase.

CAS OÙ ON A UN RÉGIME D'ONDES STATIONNAIRES

A. Le cas d'une ligne en court-circuit
Dans le cas où : ZR = 0 cad VR = 0, on a :
Dans le cas d'une LSP, on a :


pour 0 < βx < π/2, Ze est inductive. Une ligne court-circuitée de

longueur comprise entre 0 et λ/4 est équivalente à une
inductance.
pour βx = π/2, Ze = ∞. Une ligne court-circuitée de longueur
λ/4 est équivalente à un circuit résonnant parallèle à la
résonance.
π/2 < βx < π, Ze est capacitive. Une ligne court-circuitée de
longueur comprise entre λ/4 et λ/2 est équivalente à une
capacitance.
βx = π, Ze = 0. Une ligne court-circuitée de longueur λ/2 est
équivalente à un circuit résonnant série à la résonance.

B. Le cas d'une ligne en circuit ouvert

Dans ce cas on aura les équations suivantes :
C. Le cas d'une ligne terminée sur une réactance

Dans ce cas :

D. Le cas général des LSP à coecient de réexion quelconque

Dans ce cas, l'expression de l'impédance est donnée par :
Dans le cas des lignes sans pertes, les valeurs de l'impédance, la

tension et du courant sont données par :

a)Pour φ − 2βx = 2kπ

La tension est maximale :
V M = V i (1+ | ΓR |)
Le courant est minimal :

I m = I i (1− | ΓR |)
L'impédance est maximale :

1+ | ΓR |
ZM = Zc .
1− | ΓR |

b)Pour φ − 2βx = (2k + 1)π

La tension est minimale :
V m = V i (1− | ΓR |)
Le courant est maximal :

I M = I i (1+ | ΓR |)
L'impédance est minimale :

1− | ΓR |
Zm = Zc .
1+ | ΓR |

2-2. Le rapport d'ondes stationnaires
La quantité VM /Vm = IM /Im = R.O.S = ρ : est appelée le Rapport
d'Ondes Stationnaires ou R.O.S. ; en anglais : Voltage Standing Waves
Ratio ou VSWR. Où :
0 | ΓR | 1 : la valeur de ρ est comprise entre 1 et l'inni. On a

aussi les relations suivantes :

Chapitre 2 :
Les dispositifs d'adaptation

1. Abaque de Smith
L'Abaque de Smith est un moyen pour le calcul direct de l'impédance Z, du
coecient de réexion, d'admittance. . . Pour pouvoir utiliser l'Abaque de
Smith, il faut raisonner en impédance réduite z.

1. Abaque de Smith
Si on connaît l'impédance

1. Abaque de Smith

1. Abaque de Smith
Le déplacement autour de l'abaque est gradué en fraction de longueur
d'onde :

1. Abaque de Smith

1. Abaque de Smith

2. L'adaptation d'impédance
Soit le montage ci-dessous :
Il s'agit de transmettre, par l'intermédiaire de cette ligne, le maximum de

puissance du générateur vers le récepteur. Le problème se pose, et se
résout, à deux niveaux : au niveau du générateur et au niveau du récepteur.
Il faut, en eet, que :
d'une part, le générateur puisse transmettre à la ligne le maximum de
puissance (puissance disponible),
d'autre part, le récepteur reçoive de la ligne le plus possible de cette
puissance.
2. L'adaptation d'impédance
Les conditions d'adaptation :
A. Coté Générateur : Soit Ze = Re + jXe l'impédance d'entrée de la
ligne. Avec : ZG = RG + jXG , la puissance active P fournie par le
générateur est donnée par :
Pour que la puissance délivrée soit maximale, il faut que :
B.Coté récepteur :Au niveau récepteur, on a l'adaptation si le

coecient de réexion au niveau de la charge est nul ΓR = 0 ,
cad : ZR = ZC .
3. L'adaptation par une ligne quart d'onde λ/4
Une telle ligne peut servir d'adaptateur puisqu'elle permet d'eectuer une
transformation d'impédances :

4. L'adaptation à large bande passante
Une ligne quart d'onde est un moyen d'adaptation à bande étroite à une
fréquence donnée . Pour l'élargissement de la bande, on peut fractionner
l'adaptation en un certain nombre de tronçons λ/4 :
RmQ
On pourrait montrer qu'il existe une possibilité d'adaptation utilisant des
tronçons de ligne dont l'impédance caractéristique varierait de façon
continue.
5. L'adaptation à l'aide d'un stub
Un stub est un tronçon de ligne mis en dérivation sur la ligne principale,
l'extrémité de ce tronçon est fermée sur un court-circuit. Son impédance
d'entrée est donnée par :
On constate qu'il est équivalent à une réactance dont on peut faire varier le
signe et la grandeur en faisant varier sa longueur.

6. L'adaptation à l'aide de deux stubs
Cette adaptation est réalisée avec le montage suivant :

7. La matrice de répartition S (Scattering parameters )
Soit le quadripôle suivant :
Avec les grandeurs a et b sont des grandeurs complexes représentant l'onde

transmise et l'onde rééchie.
À l'entrée :
a1 est l'onde transmise ;
b1 est l'onde rééchie ;
ΓE est le coecient de réexion à l'entrée où :
b1
ΓE =
a1
À la sortie :
a2 est l'onde rééchie ;
b2 est l'onde transmise ;
ΓS est le coecient de réexion à la sortie avec :
b2
ΓS =
a2
La matrice S est dénie par :

S11 représente le coecient de réexion à l'entrée lorsque a2 = 0 :
b1
S 11 = /a2 = 0
a1
.
S22 représente le coecient de réexion à la sortie lorsque a1 = 0 :
b2
S 22 = /a1 = 0
a2
.
S21 représente le gain de transfert (coecient de transmission ) en
puissance G du quadripôle :
b2
S 21 = /a2 = 0
a1
Alors :
G = 10.log (| S 21 |2 )
S12 représente le gain de transfert inverse en puissance 'Ginv' du

quadripôle :
b1
S 12 = /a1 = 0
a2
Alors :
GInv = 10.log (| S 12 |2 )
=⇒ Les principaux avantages sont la simplicité relative des mesures.

Chapitre 3 :
Les guides d'ondes métalliques

1. Introduction
Le guide d'onde rectangulaire est la structure de guidage la plus répandue.

1. Introduction
Celui-ci est utilisé :

Pour alimenter les antennes de radar ;
Pour la réalisation des circuits hyperfréquences : ltres, coupleurs. . .
Pour le transport des fortes puissances. . .
Pour les guides d'ondes circulaires celui-ci est utilisé comme :
déphaseur ;
Atténuateur ;
élément de connexion entre deux guides .

2.Les équations de propagation d'ondes guidées
2-1. Les principes généraux :
Dans un milieu diélectrique de permittivité électrique ε, de perméabilité
magnétique µ et de conductivité σ = 0,les équations de Maxwell s'écrivent,
en régime sinusoïdal :
L'équation de propagation des champs a la forme suivante :

2.Les équations de propagation d'ondes guidées
Dans tous les cas de propagation guidée, par rapport à un système de

coordonnées orthogonales désignées par q1, q2, q3 , la solution de
cette équation de propagation, pour une onde qui se propage le long
d'un guide dont l'axe est la coordonnée q3, est de la forme :
→
− →
− →
−
→
−
e et h sont les valeurs instantanées complexes des champs ; E et H
sont leurs amplitudes complexes dans un plan transversal,
perpendiculaire à l'axe longitudinal de la propagation.

2-2. Les composantes transversales en x et y
A partir des équations de Maxwell citées en (1), on peut déduire les
relations suivantes :

2-3. L'Équation de propagation des composantes
longitudinales
D'après la relation (2), on peut déduire que :
Où :
donc :
Ces équations permettent, compte tenu des conditions, aux limites

imposées à E Z et H Z de calculer E Z et H Z en tout point du
diélectrique du guide.
2-4. Les diérents types d'ondes de propagation guidée
Le régime le plus général pouvant exister dans un guide d'ondes est formé
des six composantes des champs. Ce régime peut toujours être considéré
comme résultant de la superposition de deux ondes :
Une onde pour laquelle E Z = 0, dite Onde Transverse Électrique TE
ou onde H.
Une onde pour laquelle H Z = 0. dite Onde Transverse Magnétique
TM ou onde E.
La vitesse de phase
1 Dans le cas d'une propagation sans pertes, la vitesse de phase est
donnée par :

Pour un kc2 = ω2 εµ − β 2 positif, on trouve :
Lorsqu'une onde est modulée par des signaux représentant une

information, on peut dénir la vitesse de groupe donnée par :

Longueur d'onde et fréquence de coupure

3. Le calcul des modes TM et TE des guides d'ondes
rectangulaires
3-1. Détermination des modes TM
Pour un mode TM, on a : H Z (x, y ) = 0 d'après (3) on trouve :
Cette équation satisfait la condition aux limites au niveau des parois,

suivante :

rectangulaires
Supposons que la variable inconnue E Z (x, y ) peut se mettre sous la
forme du produit suivant :
L'équation (4) devient :
On pose :
Dans ces conditions, la solution de (4) est de la forme :

rectangulaires
Où : n et m sont des entiers positifs qcq.

Les composantes transversales du champ sont ensuite obtenues au
moyen des formules (A) :

rectangulaires

rectangulaires
3-2. Détermination des modes TE

Pour un mode TE E Z (x, y ) = 0 d'après les équations (3) on trouve :
Les conditions aux limites au niveau des parois du guide, pour H sont
données par :
de la même manière que pour les modes TM, on obtient :

rectangulaires

rectangulaires
Les Lignes de champs :
Pour les ondes TE et TM les composantes des champs électrique et
magnétique dépendent de deux entiers arbitraires, m et n. À tout couple de
ces deux entiers correspond une onde du type TE et une onde du type TM
que l'on appelle mode.
Longueur d'onde de coupure :
On sait que :
donc la fréquence et la longueur de coupure sont données par :

4. Les guides d'ondes circulaires
De la même manière que les guides rectangulaires, les composantes
transversales du champ d'un guide circulaire en cordonnées cylindriques
sont données par :


Les modes TEnm :

Les modes TMnm :

Chapitre 4 :
Les Composants et circuits micro-bandes

1. Les lignes de transmission
1-1. La Ligne micro-ruban microstrip

Une ligne micro-ruban est un conducteur de largeur W et d'épaisseur b,
distant d'un plan de masse d'une distance h. Le matériau séparant les deux
conducteurs ce qu'on appelle substrat a une permittivité relative diélectrique
εr . La propagation s'eectue simultanément dans le matériau et dans l'air
et dans ce cas, on admet que le mode de propagation est quasi TEM.

A.L'impédance caractéristique d'une ligne microbande

Avant de dénir l'impédance caractéristique de la ligne micro ruban, on
dénit la permittivité diélectrique eective du substrat. Une formule explicite
a été donnée par Hammerstad :
* Pour les bandes telles que : w /h ≥ 1
1 1
− 1
h 2
εe = (εr + 1) + (εr − 1) 1 + 12
2 2 w
* Pour les bandes telles que :w /h ≤ 1

1 1
" − 1 #
h 2 w 2
εe = (εr + 1) + (εr − 1) 1 + 12 + 0, 04 1−

2 2 w h

La gure suivante présente l'Abaque pour le calcul de εe en fonction de W /h
pour diverses valeurs de εr :

A partir de cette permittivité eective on peut déduire les expressions
suivantes :
La longueur d'onde sur la ligne microbande :
λ0 c
λm = √ avec λ0 =
εe f
Le paramètre de phase :
2π 2 π √ εe
β= =
λm λ0
La vitesse de propagation :
c
vp = √
εe

Calcul de l'impédance caractéristique,

résultats de Hammerstad pour b = O :
Pour les bandes telles que w /h > 1
120π h w w i−1
Zm = √ + 1, 393 + 0, 667 ln + 1, 444
εe h h
Pour les bandes telles que w /h ≤ 1

60 8h

w
Zm = √ ln +
εe w 4h
La gure ci-après présente l'Abaque pour le calcul de Zm , en fonction de
W /h pour diverses valeurs de εr :


B. Facteurs de correction
Bien que très faible, l'épaisseur de la ligne microbande n'est pas nulle. On
peut en tenir compte, dans les relations précédentes, en considérant une
largeur équivalente We un peu plus grande, donnée par :
2x

b
we = w + 1 + ln
π b
h si w > h/2π

Avec : xx == 2πw si h/2π > w > 2b

Les formules précédentes sont indépendantes de la fréquence. Il est possible

d'en tenir compte de façon approchée en remplaçant εe dans ces formules
par :
εr − εe
εe (f ) = εr − 2
1 + G ffd
Où :fd = 108π 7
· Zm
h Et :
G = 0, 6 + 0, 009Zm
N.B : Si f << fd :il n'est pas nécessaire d'eectuer la correction.

C. Aaiblissement d'une ligne micro-ruban :
C-1. Pertes dans les conducteurs
Si w /h 5 1 :
we 2
32 −

αc ( dB/m) = 1, 38 A hZ
RS
· h
we 2
32 +

m
h
Si w /h = 1 :
0, 667 whe
αc ( dB/m) = 6, 1 · 10−5 A RS Zhm εe we
+
h + 1, 444
we
h
Avec :
1, 25 2B

h
A=1+ 1+ ln
we π b
et : B=h si w /h = 1/2π et B = 2πw si w /h 5 1/2π
√
Rs = πµρf où ρ : résistivité des conducteurs. Ces valeurs théoriques sont
valables pour des conducteurs dont la surface est plane. Mais si la surface
présente des rugosités, l'aaiblissement est nettement plus grand. On peut
utiliser la formule approchée suivante :
αc ( dB/m) = 8, 686 wZ
RS
m
C-2. Pertes dans le diélectrique

Elles sont dénies par :
αd ( dB/m) = 4, 34 120
√ ·
ε
π εe − 1
ε −1
σd
e r
Où bien :
e − 1 tg δ
αd ( dB/m) = 27, 3 ε ε−r 1 · ε√ ε
·
λ
r e 0

C-3. Pertes par rayonnement

Le rayonnement d'une ligne microbande est le fait des modes d'ordre
supérieur qui sont engendrés pur les discontinuités. D'après Hammerstad
ces pertes sont proportionnelles à : (h.f )2 /√εr pour une ligne de 50Ω.
La fréquence limite au-dessus de laquelle plus de 1 % de la puissance
est rayonnée à l'extrémité d'une ligne ouverte est donnée par :
(εr )1/4
fM (GHz) = 2, 14
h( mm)

1-2.La Ligne coplanaire CPW :COPLANAR WAVEGUIDE
Une ligne coplanaire est composée d'un conducteur central centré et séparé
par deux plans de masse, cette ligne peut être avec ou sans plan de masse
en dessous comme le montre les deux gures suivantes :

La ligne coplanaire présente plusieurs avantages :

Pas besoin d'utiliser des vias ce qui peut introduire des eets parasites
inductifs et limite les performances pour des hautes fréquences,
facile pour être associer à des composants RF d'une manière surfacique,
Les courts-circuits sont faciles à réaliser avec cette technologie.
N.B :
La gap G est souvent très faible, et la hauteur du substrat est souvent égale
à deux fois la largeur du gap. Cette ligne peut supporter le mode quasi TEM.

1-3.La Ligne Triplaque (stripline) :

Cette ligne de transmission est prise en sandwich entre deux plans de masse,
séparés par un matériau de constante diélectrique εr :
Si on suppose que la valeur de t est très faible t = 0,
alors l'impédance caractéristique peut être approchée par :
 √ −1
1 296.1 0.6931 + ln 11+−√xx 0 0 < x ≤ 0.7

0
Z0 = √ √
εr 30 0.6931 + ln 1+√x 0.7 ≤ x < 1
1− x
πw
Où : x = tanh & x = 1 − x 02
p
0
2h

1-4.La Ligne Coaxiale :

La ligne coaxiale est composée d'un conducteur central cylindrique, de dia-
mètre 2a, et séparé du conducteur extérieur co-centrique par un matériau
isolant de constante diélectrique εr :

Les paramètres caractérisant cette ligne sont donnés par les relations
suivantes :
C = 55 .63εr
pF/m

 ln(b/a)
 L = 200 ln a nHq/m

b



R ≈ 10 1a + b1
fGHz
Ω/m
Où : σ est la conductivité du

 σ conducteur en (S/m)
 G = 0.3495εr fGHz tan δ S/m



ln(b/a)
N.B :
Le calcul de l'impédance caractéristique est obtenu à partir des paramètres
primaires de la ligne coaxiale.

2- Equivalence entre un tronçon de ligne et une inductance
ou un condensateur
Un tronçon de ligne LSP d'impédance caractéristique ZC , fermé sur une
impédance ZR , présente à une distance x une impédance Z (x) donnée par :
ZR + jZc tg βx
Z (x) = Zc
Zc + jZR tg βx

ou un condensateur
On suppose que les tronçons utilisés ont une longueur x telle que :
tg βx ' βx ⇒ βx < π/6 Où : x < λ/12
Alors :
ZR + jZc βx
Zc + jZR βx
Z (x) = Zc
Pour le cas où :ZR << Zc βx :
βx < π/6 ⇒ ZR βx Zc
nous avons alors :
Z (x) ' jZc βx = jZc x

ω
v

ou un condensateur
Un tel tronçon de ligne se comporte donc comme une impédance inductive :
jLω
Où : x
L = Zc
v
la ligne est en court-circuit (ZR = 0)

Dans ce cas, Z (x) = j.ZC .tg (βx)cette impédance est inductive pour :
0 < x < λ/4.

ou un condensateur
Pour le cas où :ZR .βx >> Zc :

Dans ce cas on a :
Zc v 1
Z (x) ' −j = −jZc ·
βx ω x
⇒
1 x
C= ·
Zc v
Un tel tronçon de ligne se comporte donc comme une impédance capacitive.
le cas où la ligne est en circuit ouvert (ZR = ∞)
Dans ce cas : Z (x) = −j.ZC .cotg (βx) impédance qui est capacitive pour :
0 < x < λ/4.

3. Réalisation d'inductances et condensateurs en technologie
micro-ruban
La réalisation d'inductances et condensateurs est pratique en technologie
microbande puisque l'impédance caractéristique d'une telle ligne est inverse-
ment proportionnelle à la largeur de la bande. Pour une ligne de transmis-
sion sans pertes ; l'impédance caractéristique est donnée par :
r
L1 ω
Zc =
C1 ω
⇒
ω ω 1
L1 ω = Zc et C1 ω = ·
v v Zc

micro-ruban
Alors pour un tronçon de ligne de longueur ` :

ω`
Lω = Zc
v
Et :
ω` 1
Cω = ·
v Zc
La représentation d'un tronçon de ligne n'étant valable que pour des lon-
gueurs de ligne : ` << λ. En pratique pour des longueurs : ` < λ/10.
A. Réalisation d'une inductance série
Le tronçon de faible largeur, qui présente donc une forte impédance carac-
téristique, se trouve chargé à ses extrémités par des lignes dont l'impédance
caractéristique est plus faible (condition du cas où ZR << Zc βx ).

micro-ruban
B. Réalisation d'une inductance parallèle

Ceci peut se faire en technologie microbande ou bien en coaxiale :

micro-ruban
C. Réalisation d'une capacité parallèle

Une capacité parallèle s'obtient par un élargissement important de la bande
métallique :
N.B :
Une capacité série est plus délicate à réaliser car elle nécessite de couper la
ligne sur une très petite longueur quelques microns ou dizaines de microns.

4. Réalisation des impédances par des éléments à constantes
localisées
4-1. Réalisation des résistances

La résistance d'une bande métallique de longueur `, de largeur w et
d'épaisseur t, est donnée par :
`
R=ρ (ρ, résistivité )
wt
Pour une bande carrée on a :RS = ρt .

localisées
4-2.Réalisation des inductances
w sa largeur et t son épaisseur. ` est la longueur de la circonférence de la

boucle. Lorsqu'elle est presque refermée, nous prendrons :
a = (a1 + a2 ) /2 ` = 2πa.

L(nH/cm) = 2
`
ln − 1, 76
w +t
localisées
Pour une spirale à n spires, une expression approchée de l'inductance est
donnée par :
L(nH) = 393 8a+ 11c Où : a = 4 ( cm), c = 2 ( cm)
2 2 do +di do −di
a n
Cette expression est valable dans l'approximation BF et si : do > 1, 2di ;

n > 1.
localisées
4-3. Réalisation des condensateurs
Pour un pavé de surface S , d'épaisseur d et de constante diélectrique
relative εr la capacité est :
C (pF) = 8, 84
εr S
d

Chapitre 5 :
Les ltres micro-ondes

1.Introduction
Les ltres sont des dispositifs passifs qui ont pour but de sélectionner, élimi-
ner ou séparer des signaux situés dans des bandes de fréquences diérentes.
Ils peuvent être associés à des circuits passifs. Ils sont aussi utilisés dans les
circuits actifs tels qu'amplicateurs, oscillateurs ; mélangeurs.
2.Gabarits d'atténuation des ltres

Souvent dans l'étude des ltres, on considère la fonction d'aaiblissement,
ou d'atténuation, à la place de la fonction de transfert T. Cette atténuation
est dénie par la relation suivante :
1
A=
T

où :f0 : est la fréquence centrale avec :
q q
f0 = fS+ fS− = fp+ fp−
Les largeurs sont données par :
Bp = fp+ − fp−
BS = fS+ − fS−

3. Les ltres en technologie lignes TEM
3-1.Filtres passe-bas
Le modèle d'un ltre passe-bas est constitué d'inductances en série et de
capacités en parallèle :
Aux fréquences basses, les inductances série présentent des impédances faibles
tandis que les capacités en parallèle ont des impédances élevées. Pour passer
de cette conguration vers une conguration basée sur des tronçons de lignes
de transmission micro-rubans ; on applique la règle d'équivalence entre une
capacité ; une inductance et un tronçon de ligne de transmission :
3-2.Filtres passe-haut
Le modèle d'un ltre passe haut est constitué de capacités en série et d'in-
ductances en parallèle :
De la même manière on peut passer vers la conguration en technologie

micro-ruban. Avec une diculté de réaliser les capacités en série.
3-3.Filtres passe bande

La conguration d'un ltre passe bande ainsi que la courbe de réponse
amplitude-fréquence sont représentées sur la gure ci-après :
Un ltre passe bande en lignes couplées
4. Synthèse des ltres passe-bas
Le calcul des ltres passe-bas permet le calcul des autres types de ltres
passe-haut et passe-bande. Pour cela on peut passer par la loi de Butterworth
et la loi de Tchebysche.
4-1. La loi de Butterworth
Elle correspond à une courbe de réponse à plat maximal . La fonction
2n
correspondante à cette loi est donnée par :A( dB) = 10 log 1 + ωωc .
Toutes les courbes répondant à cette loi passent par le point déni par
(ω/ωc = 1) et A = 3dB . Au-delà de ce point, leur pente est d'autant plus
grande que n est plus élevé.
4-2. La loi de Tchebysche
La courbe de réponse de cette loi présente des ondulations d'amplitude
Am :
Avec :

ω
AdB = 10 log 1 + 10 − 1 cos n cos pour ω 5 ωc

Am /10

2 −1
ωc

−1 ω
AdB = 10 log 1 + 10 − 1 ch n ch pour ω = ωc

Am /10

2
ωc
Après la dénition des deux lois ; on passe au calcul des diérents éléments
constituant un ltre passe bas :
R1 et Rn : sont les impédances d'entrée et de sortie du ltre qui sont liées

par un paramètre r tel que :
Rn = rR1
R1
Lk = gk
ωc
1 1
Ck = gk
R1 ωc
Dans le cas de la loi Butterworth :
(2k − 1)π

r = 1∀n; gk = 2 sin ; k = 1, 2, . . . , n
2n
Dans le cas de la loi Tchebysche :

β Am
r =1 pour n impair 2
r = th pour n pair, avec β = ln coth
4 17.37
2ak
gk = pour k = 1
γ
4ak−1 ak
gk = pour k = 2, 3, . . . , n
bk−1 gk−1
(2k − 1)π
ak = sin( ) pour k = 1, . . . , n
2n
bk = γ 2 + sin2 (kπn)
γ = sh(β/2n) pour k = 1, . . . n
4-3. Transposition aux ltres passe-haut et passe-bande :
A. Filtre passe-bas vers passe-haut
Pour réaliser un ltre passe-haut, il sut de remplacer les inductances du
ltre passe-bas par des capacités et réciproquement on obtient ainsi le
schéma suivant :
On remplace Lk ωc = R1 gk , par 1/Ck00 ωc00 ⇒ Ck00 = R ω1c00 gk
1
On remplace 1/Ck ωc = R1 /gk , par L00k ωc00 ⇒ L00k = ωRc00 gk

1
Rn = rR1 elle est conservée.
Pour la pulsation courante ω00 du ltre passe-haut ; elle est donnée par :
ωc ωc00
ω” =
ω
B. Filtre passe-bas vers Passe-Bande :
Pour 00passer de la structure passe-bas à une structure passe-bande centrée
sur ω0 , il sut d'accorder les bras série et parallèle sur ω0 :
00
La pulsation centrale : q
ω000 = ω100 ω200
La bande passante relative :
s s
ω 00 − ω 00 ω200 ω100
B = 2 00 1 = −
ω0 ω100 ω200
La réponse du passe-bande aux pulsations ω100 et ω200 est identique à celle du
ltre passe-bas à ωc ;
En considérant les voies séries, nous avons :
00 00 1 00 00 1
Lk ω2 − = Lk ω1 − = Lk ωc
Ck ”ω200 Ck00 ω100
d'où l'on tire que :
1 Lk ωc R1 gk
L00k ω000 = = =
Ck ”ω 00
0 B B
En considérant les voies parallèles,on démontre , de même que :
1
Ck ωc gk
Ck00 ω000 = = =
Lk 0 ”ω 00
B R1 B
⇒
1 ω00 ω000

ω
= −
ωc B ω000 ω 00
Chapitre 6 :
Les circuits passifs en technologie Micro-ruban
1. Généralités
Plusieurs types de circuits micro-ondes ont été développés. Ils sont considérés
comme des réseaux à N ports et qui peuvent être classés par leur nombre de
ports (Tableau I).
La connaissance des paramètres S permet en outre de calculer simplement

les grandeurs les plus communément recherchées : puissance, gain ou atté-
nuation, coecient de réexion et de transmission, impédance d'entrée,. . .
2. Les matrices d'impédance et d'admittance
2-1. Dénition
On considère un réseau constitué de N ports ; avec (Vn+ , In+ ) sont les tensions
et les courants incidents , (Vn− , −In− ) sont les tensions et courants rééchis :
Vn = Vn+ + Vn−

Avec : In = In+ − In−
La matrice [Z] de ce réseau est donnée par :
  
Z11 Z12 · · · Z1N
 
V1 I1
..
 V2  
.   I2 

  Z21
 ..  =  . ..  . 
 . 

 .    .. .  . 
VN ZN 1 · · · · · · ZNN IN
Où :Zij = VIji
Ik =0 for k6=j
Alors Zij est l'impédance de transfert entre les ports i et j lorsque tous les
autres ports sont en circuit ouvert. De même, on peut dénir la matrice
d'admittance [Y] comme suit :
  
Y11 Y12 · · · Y1N
 
I1 V1
..
 I2  
.   V2 

  Y21
 ..  =  . ..  . 
 . 

 .    .. .  . 
IN YN 1 · · · · · · YNN VN
Alors : [I ] = [Y ][V ] où :[Y ] = [Z ]−1 et :

Ii
Yij =
Vj Vk =0 for k6=j
Yij peut être déterminée en mettant en court-circuit tous les autres ports.
2-2. propriétés
* Si le réseau est réciproque alors les matrices d'impédance et d'admit-
tance sont symétriques, de sorte que :
Zij = Zji , et Yij = Yji
* Si le réseau est sans pertes, nous pouvons montrer que tous les Zij ou
Yijsont des éléments purement imaginaires.
3.La matrice de répartition [S] : SCATTERING MATRIX
3-1. Dénition
Comme les matrices d'impédance ou d'admittance pour un réseau à N ports,
la matrice S fournit une description complète du réseau. Alors les matrices
d'impédance ou d'admittance concernent les tensions et les courants au ni-
veau des ports, la matrice S lie les tensions incidentes aux tensions rééchies
sur les ports. La matrice S peut être mesurée directement à partir d'un ana-
lyseur de réseau vectoriel (VNA : Vector Network Analyzer).
L'analyseur de réseau est l'outil principal de mesure aux hautes fréquences.
Il permet de mesurer les ondes transmises et rééchies sur un dispositif sous
test. On a ainsi directement accès aux paramètres S en réponse fréquentielle.
Il existe deux catégories d'analyseurs de réseau : les scalaires et les vecto-

riels :
Les scalaires ne donnent accès qu'au module des paramètres S.
Les vectoriels donnent le module et la phase des paramètres (mais ils
sont plus chers ! !).
La matrice [S] est dénie par rapport aux tensions incidentes et rééchies :
  
V1− S11 S12 · · · S1N V1+
 
.. ..
 V−  
. .
 + 
 2   S21   V2 
 ..  =  .  . 
 . 
 .    ..  .
VN− SN 1 · · · · · · SNN VN+
Vi−
Avec :[V − ] = [S] [V + ] et Sij = Vj+
Vk+ =0 for k6=j
Les ondes incidentes sur tous les ports sauf le port j sont mises à zéro, ce qui
signie que tous les ports devraient être reliés à des charges adaptées
pour éviter les réexions.
3-2. Réseaux réciproques et sans pertes
Les matrices d'impédance et d'admittance sont symétriques pour les réseaux
réciproques et purement imaginaires pour les réseaux sans pertes. De même,
la matrice S pour ces types de réseaux ont des propriétés spéciales. Nous
allons montrer que la Matrice [S] pour un réseau réciproque est symétrique,
et pour un réseau sans pertes est unitaire.Tout d'abord, on suppose que les
impédances caractéristiques, Z0n , des ports sont identiques. Avec : Z0n = 1 :
On a : Vn+ = 21 (Vn + In ) Alors : [V + ] = 12 ([Z ] + [U])[I ] Où :
1 0 ··· 0
 
 0 1
.. 
. 

[U] =  . ...
 ..
 


0 ··· 1
De même on a :
1
Vn− = (V − I )
2 n n
Donc : − 1
V = ([Z ] − [U])[I ]
2
⇒
= ([Z ] − [U])([Z ] + [U])−1 V +
−
V
⇒
[S] = ([Z ] − [U])([Z ] + [U])−1
⇒
[S]t = ([Z ] + [U])−1
t
([Z ] − [U])t

La matrice [U] est diagonale, alors [U]t = [U], si le réseau est réciproque ,
[Z ] est symétrique. Donc [Z ]t = [Z ]. Alors :
[S]t = ([Z ] + [U])−1 ([Z ] − [U])
alors : [S] = [S]t
Si le réseau est sans pertes, et si les impédances caractéristiques des

ports sont identiques et supposées être égales à l'unité, la puissance
moyenne délivrée au réseau :
1 1 n + t − t + ∗ − ∗ o
Pavg = Re [V ]t [I ]∗ = Re V + V V − V
2 n 2
1 t ∗ t ∗ t ∗ t ∗ o
= Re V + V + − V + V − + V − V + − V − V −
2
1 + t + ∗ 1 − t − ∗
= V V − V V =0
2 2
Si le réseau est sans perte, aucune puissance réelle ne peut être
fournie au réseau.
Pour une jonction sans pertes on a :
t ∗ t ∗
V+ V+ = V− V−

En utilisant : [V − ] = [S] [V + ], on peut avoir :

+ t + ∗ + t t ∗ + ∗
V V = V [S] [S] V
Pour une matrice non nulle [V + ] : [S]t [S]∗ = [U] où [S]∗ = [S]t −1 . La

matrice qui satisfait cette condition est la matrice unitaire. Cette matrice
peut s'écrire sous la forme : Nk=1 Ski Skj∗ = δij , Où : δij = 1 si i = j , et
P
δij = 0 si i 6= j , est le symbole ( Kronecker delta ). Donc pour i = j , on a :
N
Ski Ski∗ = 1
X
k=1
et pour i 6= j ,on a :
N
Ski Skj∗ = 0
X
k=1
3-3. La matrice S généralisée : Generalized Scattering Parameters

Jusqu'ici, nous avons examiné les paramètres S pour les réseaux avec la
même impédance caractéristique pour tous les ports. C'est le cas dans de
nombreuses situations pratiques, dont l'impédance caractéristique est sou-
vent 50Ω. Dans les autres cas, les impédances caractéristiques d'un réseau
multiport peuvent être diérentes, ce qui nécessite une autre dénition de la
matrice S tel que :
Avec : √
an = Vn+ / √Z0n

bn = Vn− / Z0n
Et an représente l'onde incidente et bn l'onde rééchie. Alors :
( √
Vn = Vn+ + Vn− = Z0n (an + bn )
In = Z10n (Vn+ − Vn− ) = √Z1 (an − bn )
0n
La puissance moyenne délivrée au n port est donnée par :

1 1 n o 1 1
Pn = Re {Vn In∗ } = Re |an |2 − |bn |2 + (bn an∗ − bn∗ an ) = |an |2 − |bn |2
2 2 2 2
Puisque la quantité bn an∗ − bn∗ an est purement imaginaire. Une matrice S
de répartition généralisée peut être utilisée pour relier la partie incidente et
rééchie : [b] = [S][a] où : Sij = baji
ak =0 for k6=j
4. La matrice ABCD
Les matrices Z, Y et S peuvent être utilisées pour caractériser un réseau
micro-onde avec un nombre arbitraire de ports, mais dans la pratique, de
nombreux réseaux micro-ondes se composent d'une connexion en cascade de
deux ou plus de réseaux de deux ports. Dans ce cas, il est pratique de dénir la
matrice ABCD pour chaque réseau à deux ports.La matrice ABCD est dénie
pour un réseau à deux ports en fonction des tensions et des courants :
4. La matrice ABCD
Dans la connexion en cascade :
5.Circuits passifs
5-1. Jonction en Té
La jonction en 'Te' est le diviseur de puissance le plus simple à réaliser. La
jonction est constituée de trois tronçons dont les axes longitudinaux sont
disposés à 90 degré et forme un 'Te' :
5.Circuits passifs
La jonction en 'Te' sans pertes peut être modélisée par 3 lignes comme le
montre la gure suivante :
La discontinuité entre les diérentes lignes de transmission peut être modé-

lisée par la susceptance B avec :
1 1 1
Yin = jB + + =
Z1 Z2 Z0
Si on suppose que B = 0 alors :
1 1 1
+ =
Z1 Z2 Z0
5.Circuits passifs
Ce composant soure de deux problèmes importants : l'adaptation et l'isola-

tion. On peut trouver une solution pour l'adapter à l'aide de transformateur
quart-d'onde mais reste toujours le problème d'isolation de cette structure :
5-2. Le diviseur de Wilkinson √

Il est constitué de deux lignes λ/4 d'impédance caractéristique 2.Z0 ; l'im-
pédance caractéristique des lignes externes étant Z0 . Il possède trois accès un
port d'entrée 1 et deux ports de sortie 2 et 3. Une résistance d'isolation est
placée entre les deux bras de sortie qui permet de compenser d'éventuelles
désadaptations sur ses sorties, ou absorbant l'énergie de retour.
5.Circuits passifs
La matrice S du diviseur de Wilkinson est donnée par :

√ √ 
0√ −j/ 2 −j/ 2

S =  −j/√2 0 0 
−j/ 2 0 0
Cette matrice est symétrique mais, du fait que l'hexapôle n'est pas sans
pertes, elle ne vérie pas la relation suivante :
S.S ∗ = I
5.Circuits passifs
5-3. Théorie des coupleurs directifs

On appelle coupleur directif un octopôle réunissant deux paires de Lignes ou
de guides de telle manière que les lignes d'une même paire ((1) et (3), ou
(2) et (4)) soient découplées.
* La voie (1) ou (3) est couplée aux voies (2) et (4) et non couplée à la voie
(3) ou (1).
* La voie (2) ou (4) est couplée aux voies (1) et (3) et non couplée à la voie
(4) ou (2).
5.Circuits passifs
* Le couplage :
C (dB) = 10.log (P1 /P4 )
* La directivité :
D(dB) = 10.log (P4 /P3 )
* L'isolation :
I (dB) = 10.log (P1 /P3 )
Matrice S d'un coupleur directif
La matrice S d'un octopôle quelconque est de la forme :
5.Circuits passifs
Dans le cas d'un coupleur directif parfait :
* S 11 = S 22 = S 33 = S 44 = 0 puisque rien n'est rééchi dans la voie
d'excitation d'un coupleur directif si toutes les autres voies sont adaptées.
* S 13 = S 31 = S 24 = S 42 = 0 puisque les voies (1) et (3) d'une part, (2)
et (4) d'autre part doivent rester découplées.
* S 12 = S 21 = S 34 = S 43 = δ exprime que la transmission entre les voies
situées en ligne droite est identique.
* S 14 = S 41 = S 23 = S 32 = τ exprime que la transmission entre les voies
situées en diagonale est identique. Alors la matrice S d'un coupleur directif
est donnée par :
5.Circuits passifs
Compte tenu des propriétés générales des multipôles réciproques sans pertes
on a :
A.Coupleur directif à 3 dB
Un cas particulier important est le coupleur directif à 3 dB qui est souvent
appelé jonction hybride :
5.Circuits passifs
La matrice S d'un coupleur 3dB ou 90o :
0 1 0
 
j
−1  j 0 0 1 
[S] = √ 
2 1 0 0 j

 
0 1 j 0
5.Circuits passifs
Avec :
Coupling = C = 10 log PP = −20 log β dB
1
3
Directivity = D = 10 log PP = 20 log |Sβ | dB

3
4 14
Isolation = I = 10 log PP = −20 log |S14 | dB

1
4
Insertion loss = L = 10 log PP = −20 log |S12 | dB

1
2
Où :
α2 + β 2 = 1
|S13 |2 = β 2
|S12 |2 = α2 = 1 − β 2
I =D +C dB
5.Circuits passifs
B. Coupleur hybride 180o
5.Circuits passifs
5.Circuits passifs
Chapitre 7 :
Les composants actifs RF & microondes
1.La diode Schottky
Les dispositifs actifs comprennent des diodes, des transistors,. . . qui peuvent
être utilisés comme moyen de détection, de mélange, d'amplication, de
multiplication de fréquence, et de commutation, et en tant que sources de
signaux RF et microondes.
1-1. La jonction Metal-Semiconducteur
La diode à jonction pn classique couramment utilisée dans les basses fré-
quences a relativement une grande capacité de jonction qui la rend inadaptée
à l'application à des hautes fréquences. La diode Schottky, cependant, repose
sur une jonction métal-semiconducteur qui se traduit par une faible capacité
de jonction, permettant un fonctionnement à des fréquences plus élevées.
Les diodes Schottky microondes disponibles dans le commerce utilisent gé-
néralement un matériau de type n arséniure de gallium (GaAs) , tandis que
les autres de fréquences plus basses peuvent utiliser le silicium de type n. Les
diodes Schottky sont souvent polarisées avec un courant DC direct, mais
peuvent être utilisées sans polarisation. La gure suivante illustre les trois
opérations de base : de conversion de fréquence et de redressement.
1.La diode Schottky
1.La diode Schottky
Une diode à jonction peut être modélisée par une résistance non linéaire,
avec la relation I-V exprimée en petit signal par :
1.La diode Schottky
Approximation en petit signal :

La tension V aux bornes de la diode est donnée par :
Avec V0 est la tension DC de polarisation ; V est la tension alternative AC

en petit signal. En utilisant la formule de Taylor on obtient :
est le courant DC de polarisation, et :
1.La diode Schottky
Rj : est la résistance de jonction de la diode et Gd : est la conductance
dynamique de la diode
Dans la pratique, les caractéristiques AC de la diode ingèrent des eets

réactifs dus à la structure de la diode et la mise en boitier de la diode. Les
diérents eets sont modélisés par une inductance Ls et une capacité en
shunt CP :
1.La diode Schottky
Le tableau ci-après donne un exemple de diodes Schottky commercialisées :
1.La diode Schottky
1-2. Les diodes de redressement et de détection

Dans une application de redressement, une diode est utilisée pour convertir
un signal d'entrée RF en énergie continu. Le redressement est une fonction
très courante et est utilisée pour les contrôleurs de puissance, circuits de
commande de gain automatique. Si la tension aux bornes de la diode est
constituée d'une tension continueV0 et une tension RF :
1.La diode Schottky
* La sensibilité du courant est exprimée par :
* Et la sensibilité de la tension en circuit ouvert :
Les valeurs typiques de la sensibilité de la tension en CO varient entre 400

et 1500 mV/mW.
Dans une application de détecteur, la non-linéarité de la diode est utilisée
pour démoduler un signal (AM). Dans ce cas, la tension aux bornes de la
diode peut être exprimée par :
1.La diode Schottky
1.La diode Schottky
2. Diode PIN et circuits de commande
Les commutateurs sont largement utilisés dans les systèmes micro-ondes

pour diriger le ux du signal ou de puissance entre les composants. Les com-
mutateurs peuvent également être utilisés pour construire d'autres types de
circuits de commande, comme déphaseurs et atténuateurs. Les diodes PIN
peuvent être utilisées pour construire un élément de commutation électro-
nique facile à intégrer avec un circuit planaire pour un fonctionnement à
haute vitesse.
Une diode PIN contient une couche intrinsèque (faiblement dopée) entre les
couches semi-conductrices p et n. Lorsque la diode est polarisée en inverse,
une faible capacité de jonction série conduit à une impédance de la diode
relativement élevée, alors qu'un courant de polarisation directe supprime la
capacité de jonction ce qui donne une faible impédance de la diode.
Les circuits équivalents à la polarisation directe et inverse sont présentés sur
la gure suivante :
L'inductance parasite, Li , est généralement moins de 1 nH. La résistance

inverse, Rr , est généralement faible par rapport à la réactance série due à la
capacité de jonction et elle est souvent ignorée.
Le courant de polarisation directe est généralement 10-30 mA, et la tension
de polarisation inverse est typiquement 10-60 V. Les tensions de polarisation
doivent être appliquées à la diode avec des selfs `RF choke' et 'DC block'.
Dans la conguration série de la gure précédente, le détecteur est activé

lorsque la diode est polarisée en direct, alors que dans la conguration shunt
le commutateur est sur ON lorsque la diode est polarisée en inverse. Dans
les deux cas, la puissance d'entrée est rééchie lorsque l'interrupteur est à
l'état OFF.
Les condensateurs devraient avoir relativement une faible impédance à la
fréquence de fonctionnement , tandis que les inductances RF doivent avoir
relativement une haute impédance RF. Dans certains cas, haute impédance
des lignes quart d'onde peuvent être utilisés à la place des inductances an de
fournir un blocage RF. Un commutateur idéal a des pertes d'insertion égale
à 0 dans l'état ON et l'atténuation innie à l'état OFF. On peut dénir les
pertes d'insertion en fonction de la tension VL et V0 :
Dans les deux cas, l'impédance Zd de la diode que ça soit pour l'état pola-
risation inverse ou l'état de polarisation directe est donnée par :
3. Diode varicap `Varactor Diode'
Un circuit équivalent simplié d'une diode varactor polarisée en inverse est
présenté sur la gure ci-après :
La capacité de jonction dépend de la tension (négative) de polarisation, V,

selon la relation suivante :
V0 :est la capacité de jonction sans polarisation pour des diodes en Silicium

V0 = 0.5V et pour des diodes en GaAs V0 = 1.5V . L'exposant γ est en
fonction du prol de dopage de la couche intrinsèque de la diode.
4. Diode Gunn
Le fonctionnement d'une diode Gunn est basée sur l'eet de transfert d'élec-
trons `transferred electron eect also known as the Gunn eect'. La diode
Gunn a une caractéristique I-V qui présente une résistance diérentielle né-
gative (pente négative) qui peut être utilisée pour générer de l'énergie RF
directement à partir d'une source de courant continu lorsqu'elle est correc-
tement polarisée.
5.Les transistors
5-1. Transistor Bipolaire

Les transistors de jonctions bipolaires `BJTs' sont souvent fabriqués en utili-
sant du Silicium `Si'. Ce type de transistor est souvent utilisé pour les circuits
RF actifs vu son faible cout et ses performances en terme de puissance et de
bruit. Les transistors utilisant du silicium sont pratiques pour la réalisation
des amplicateurs dans un intervalle de fréquences de 2-10GHz et jusqu'à
20 GHz pour les oscillateurs. Le modèle équivalent simplié hybride d'un
transistor bipolaire est illustré sur la gure suivante :
5.Les transistors
5.Les transistors
5-2. Le transistor à eet de champ'
5.Les transistors
Chapitre 8 :
L'amplicateur microonde
1. Introduction
Un amplicateur est constitué d'un ou plusieurs composants actifs insérés

dans un circuit passif. Construire un amplicateur consiste tout d'abord à
sélectionner le composant actif le mieux adapté aux performances recher-
chées, puis à concevoir le circuit passif où il sera introduit. Les deux types
de composants actifs les plus employés sont le transistor bipolaire au silicium
et le transistor à eet de champ en arséniure de gallium. Le transistor MES-
FET est moins bruyant que le bipolaire, le facteur de bruit sera alors plus
faible. Sa fréquence maximale d'utilisation est aujourd'hui de l'ordre de 20
GHz. Les transistors HEMT (High Electron Mobility Transistor), développés
depuis 1980, sont des transistors à eet de champ dont les électrons sont
connés dans une ne couche de GaAs non dopée. Comme les électrons se
déplacent plus rapidement dans un matériau peu dopé que dans un matériau
à fort dopage, ce transistor présente une fréquence de coupure plus élevée
('100 GHz) que le MESFET classique.
1. Introduction
2. Caractéristiques d'un amplicateur micro-onde
2-1. Gain en puissance
Le quadripôle actif est le transistor dont on connaît les paramètres S mesurés
par rapport à l'impédance caractéristique de référence Z0 . Ce transistor est
connecté à un générateur d'impédance interne ZS , d'autre part il est chargé
par l'impédance ZL .
Si la source et la charge sont adaptées au réseau de matrice S alors :
A partir de la gure précédente on déduit que :
En appliquant la règle de diviseur de tension :
On dénit :
* La puissance moyenne délivrée au réseau de matrice S :
* La puissance délivrée à la charge :
On obtient alors le gain en puissance `Power gain'donné par :
La puissance Pavs au niveau de la source est la puissance maximale délivrée

au réseau [S] :
De la même manière, la puissance maximale délivrée à la charge :
Donc l'expression du gain en puissance disponible est donnée par :
Pour le gain transducique, il est donné par :
2-2. Modélisation d'un seul étage d'amplication
Un seul étage d'amplication peut être modélisé par le schéma suivant :
Si le transistor est unilatéral alors :
2-3. La stabilité
On va discuter la stabilité du transistor, sinon on aura une oscillation du
transistor ce qui implique que l'impédance d'entrée et de sortie a une partie
réelle qui est négative cad que :
On dénit deux type de stabilité :
2-4. Les cercles de stabilité
On ajoute le terme suivant à la relation précédente :
Connaissant les paramètres S du transistor on peut tracer les cercles de

stabilité d'entrée et de sortie.
2-5. Les tests de stabilité inconditionnelle
Les cercles cités ci-dessus peuvent être utilisés pour déterminer les régions
pour ΓS et ΓL ou l'amplicateur est conditionnellement stable. Mais des tests
simples peuvent être utilisés pour déterminer la stabilité inconditionnelle.
Alors on dit qu'un circuit est inconditionnellement stable si :
Ces deux conditions sont nécessaires et susantes pour dire qu'on a une
stabilité inconditionnelle. Si le réseau ne vérie pas le test K − ∆ alors qu'on
n'a pas une stabilité inconditionnelle. Dans ce cas les cercles de stabilité
doivent être utilisés pour voir s'il y a des valeurs pour ΓS et ΓL pour lesquelles
on a une stabilité conditionnelle. Une autre condition peut être utilisée et
qui est dénie par :
3. Les techniques d'adaptation en entrée et en sortie d'un
amplicateur microonde
Pour adapter l'entrée et la sortie d'un amplicateur hyperfréquence plusieurs
techniques peuvent exister parmi elles, on trouve l'utilisation d'une ligne de
transmission associée à un stub comme le montre l'exemple suivant :
3. Les techniques d'adaptation en entrée et en sortie d'un
amplicateur microonde

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Cours de circuits micro-ondes

Pr.Otman OULHAJ (FP de Larache) Master SEER 19 octobre 2023 1 / 188

1 Chapitre 1 : Propagation sur une ligne de transmission en haute

Pr.Otman OULHAJ (FP de Larache) Master SEER 19 octobre 2023 2 / 188

Pr.Otman OULHAJ (FP de Larache) Master SEER 19 octobre 2023 3 / 188

Soit une ligne de transmission, de longueur l, alimentée à une extrémité par

Pr.Otman OULHAJ (FP de Larache) Master SEER 19 octobre 2023 4 / 188

Pr.Otman OULHAJ (FP de Larache) Master SEER 19 octobre 2023 5 / 188

sont les constantes ou paramètres primaires de la ligne.

V (x)etI (x) :sont les amplitudes réelles ou modules.

Pr.Otman OULHAJ (FP de Larache) Master SEER 19 octobre 2023 6 / 188

La variation de la tension et du courant quand on se déplace de dx sur

A partir de (1) et (2), on montre facilement que i et v satisfont les

Pr.Otman OULHAJ (FP de Larache) Master SEER 19 octobre 2023 7 / 188

Pr.Otman OULHAJ (FP de Larache) Master SEER 19 octobre 2023 8 / 188

C'est une quantité complexe que l'on appelle la constante de

(10a) et (l0b) sont les équations de propagation de la tension et du

Pr.Otman OULHAJ (FP de Larache) Master SEER 19 octobre 2023 9 / 188

Vi , Vr , Ii , Ir : sont des constantes d'intégration, liées par :

Où Zc est l'impédance caractéristique de la ligne, elle est dénie par la

pour une Ligne sans pertes : LSP R1 = 0 et G1 = 0.

Pr.Otman OULHAJ (FP de Larache) Master SEER 19 octobre 2023 10 / 188

Dans le cas où la ligne est terminée sur une charge quelconque.

À partir de ces relations, nous obtenons :

Pr.Otman OULHAJ (FP de Larache) Master SEER 19 octobre 2023 11 / 188

En portant ces valeurs dans (11a) et (11b), nous obtenons :

Dans le cas d'une ligne sans perte :

Pr.Otman OULHAJ (FP de Larache) Master SEER 19 octobre 2023 12 / 188

La relation entre l'impédance d'entrée Z0 et l'impédance de charge ZR

Dans le cas d'une ligne sans perte :

LIGNE TERMINÉE PAR = ZC  ONDES PROGRESSIVES

Pr.Otman OULHAJ (FP de Larache) Master SEER 19 octobre 2023 13 / 188

Pr.Otman OULHAJ (FP de Larache) Master SEER 19 octobre 2023 14 / 188

B. Ligne en circuit ouvert (ZR =innie)

Pr.Otman OULHAJ (FP de Larache) Master SEER 19 octobre 2023 15 / 188

LIGNE QUART D'ONDE  LIGNE DEMI-ONDE)

Donc la ligne λ/4 est un inverseur d'impédance.Si :

Les solutions générales deviendront :

Pr.Otman OULHAJ (FP de Larache) Master SEER 19 octobre 2023 17 / 188

Les expressions de la tension, du courant et de l'impédance s' écrivent sous

Pr.Otman OULHAJ (FP de Larache) Master SEER 19 octobre 2023 18 / 188

Pour x = O , au niveau de la charge

Pour x = O , au niveau de la charge

Pr.Otman OULHAJ (FP de Larache) Master SEER 19 octobre 2023 20 / 188

CAS OÙ ON A UN RÉGIME D'ONDES STATIONNAIRES

Dans le cas d'une LSP, on a :

Pr.Otman OULHAJ (FP de Larache) Master SEER 19 octobre 2023 21 / 188

Pr.Otman OULHAJ (FP de Larache) Master SEER 19 octobre 2023 22 / 188

pour 0 < βx < π/2, Ze est inductive. Une ligne court-circuitée de

Pr.Otman OULHAJ (FP de Larache) Master SEER 19 octobre 2023 23 / 188

B. Le cas d'une ligne en circuit ouvert

C. Le cas d'une ligne terminée sur une réactance

Pr.Otman OULHAJ (FP de Larache) Master SEER 19 octobre 2023 24 / 188

D. Le cas général des LSP à coecient de réexion quelconque

Dans le cas des lignes sans pertes, les valeurs de l'impédance, la

Pr.Otman OULHAJ (FP de Larache) Master SEER 19 octobre 2023 25 / 188

a)Pour φ − 2βx = 2kπ

Le courant est minimal :

L'impédance est maximale :

Pr.Otman OULHAJ (FP de Larache) Master SEER 19 octobre 2023 26 / 188

b)Pour φ − 2βx = (2k + 1)π

Le courant est maximal :

L'impédance est minimale :

Où Zc est l'impédance caractéristique de la ligne, elle est dénie par la

LIGNE TERMINÉE PAR = ZC ONDES PROGRESSIVES

B. Ligne en circuit ouvert (ZR =innie)

LIGNE QUART D'ONDE LIGNE DEMI-ONDE)

D. Le cas général des LSP à coecient de réexion quelconque

0 | ΓR | 1 : la valeur de ρ est comprise entre 1 et l'inni. On a

1-1. La Ligne micro-ruban microstrip