Les amplificateurs en RF

Le point de compression à 1 dB
Les systèmes réels ne sont pas toujours linéaires : ils sont seulement linéaires
pour une gamme d’entrées.

Au delà d’une certaine puissance d’entrée

Pe , la caractéristique Ps (Pe ) d’un
amplificateur devient non linéaire (NL).
Ps (dBm)

Pe(dBm)
 Le point de compression à 1 dB
A un moment donné, l’amplificateur ne peut plus fournir la puissance de sortie
demandée. La gamme dynamique est la plage d’entrées où la sortie est
proportionnelle à l’entrée.

PSc Pe Amplificateur
PS

i
Pec

Le point situé dans la zone NL de la caractéristique Ps (Pe ) pour lequel la

puissance de sortie a perdu 1dB par rapport à l’asymptote linéaire: point de
compression à 1 dB.
 Distorsion harmonique
On peut approximer la caractéristique de transfert de l’amplificateur non linéaire par un
polynôme du nième degré n:
e(t)

En développant on fait apparaître des termes de la forme K(A) cos (nωt) où n est un
entier [ 1, 2, 3, …]. Ce sont les harmoniques du signal d’entrée.
 Intermodulation.

On parle d’intermodulation lorsque le système engendre des signaux à des

fréquences non harmoniques (en sus des harmoniques).

Par exemple, dans le cas d’un signal d’entrée "deux tons" aux fréquences f1
et f2, on obtient en sortie d’un système non linéaire les harmoniques de f1 et
f2 et des termes d’intermodulation aux fréquences m.f1 ± n.f2 (m,n ∈ Ν2 ).

Produit d’intermodulation d’ordre k

 Intermodulation.
Une autre façon de mesurer la linéarité d’un amplificateur est de mesurer la distorsion
d’un signal. La distorsion d’intermodulation est une mesure de l’effet des harmoniques
dans un système

En développant les termes de cette expression on obtient les fondamentaux

à f1 (ou 1 )

à f2 (ou 2 )

les harmoniques de f1 et f2 et différents termes d’intermodulation aux fréquences

 Intermodulation
‘Proximité avec les fondamentaux’

Parmi ceux-ci, ce sont les termes d’IM d’ordre 3 aux fréquences les plus significatives du fait de
leur proximité avec les fondamentaux,

comme l’illustre la figure ci après dans le cas où f1 et f2 ont le même ordre de grandeur.
 Point d’interception d’ordre 3 :

Les produits d’intermodulation d’ordre 3 sont ceux qui sont pénalisants car ils sont situés
dans la bande passante du signal utile …

L’existence des termes d’intermodulation (IM) est problématique lorsqu’ils sont proches des
fondamentaux f1 (ou 1) et f2, car il est alors difficile de les éliminer par filtrage.
 Taux de distorsion d’IM3

Le phénomène d’intermodulation peut se relever très gênant en RF

Typiquement, on utilise le point

d’intermodulation d’ordre 3 (IP3) pour
mesurer la distorsion. C’est la
puissance a laquelle la fondamentale
et les produits d’ordre 3 sont égaux.
 IP3
On peut calculer les points d’interception selon la figure suivante, avec un peu de
géométrie. Le point d’intersection des courbes de la fondamentale et de la courbe des
produits d’ordre 3 est le IIP3 (ou le OIP3). On obtient la relation suivante :

IIP 3 = P1 + 0,5(P1  P3)

et pour le point d’interception à la sortie :

OIP 3 = IIP 3 +G

où G est le gain de l’amplificateur.

 IP3
On peut aussi démontrer que le point de compression 1dB est relie au IIP3
par l’équation suivante :

P1dB = IIP 3 9,66 [en dB]

De façon pratique, pour mesurer le IIP3, on applique deux signaux à l’entrée d’un
amplificateur qui sont très près l’un de l’autre, séparés de 1% ou moins. Comme
exemple, pour une entrée à 1GHz, on utiliserait deux signaux, l’un `a 1GHz, et
l’autre `a 1.01GHz (ou même 1.005GHz).
Exemple

Soit un amplificateur à 2GHz ayant un gain de 10dB. On applique 2 signaux de

puissance égale à l’entrée : un à 2.0GHz, et l’autre à 2.01GHz. A la sortie, on
mesure 4 fréquences : 1.99GHz (-70dBm), 2.0GHz (-20dBm), 2.01GHz (-20dBm)
et 2.02GHz (-70dBm).

Calculer IIP3 et P1dB

Les 2 signaux utiles sont ceux à 2f1 f2 = 1.99GHz et à 2f2  f1 = 2,02GHz).

Alors,
P1 = Po G =  20  10 =  30 dBm
IIP 3 = P1 + 0:5(P1  P3) =  30 + 0,5( 20 + 70) =  5 dBm
P1dB = IIP 3  9,66 =  14,66 dBm
 Facteur de bruit d’un quadripôle

L'étage d'entrée (amplificateur) d'un récepteur reçoit un signal et du bruit.

Le facteur de bruit F représente la dégradation du rapport Signal Bruit amené par

l'amplificateur.
Le rapport signal sur bruit en sortie de l'amplificateur est donc dégradé par l'amplificateur qui
est bruyant (qui rajoute du bruit).

S S
( ) sortie  ( )entrée
B B
 Facteur de bruit d'un quadripôle

C'est le quotient des deux rapports puissance utile/puissance de bruit à l'entrée et à la

sortie du quadripôle considéré :
Ce •Ce ( Carrier) :puissance du signal utile à l'entrée du quadripôle;
F  Ne -Cs :puissance du signal utile en sortie du quadripôle
Cs
Ns -Ne (Noise) : puissance du bruit à l'entrée du quadripôle

-Ns : Puissance du bruit à la sortie du quadripôle

Ce
Ne 1 Ns
F  x
G Ce G Ne avec
Ns C : puissance utile (e : entrée - s : sortie)
N : puissance de bruit

en décibels : G : gain du quadripôle

F dB  Ns dBW  Ne dBW  G dB 

 Facteur de bruit d'un amplificateur

C'est celui que l'on obtient lorsqu'à l'entrée de l'amplificateur on place une résistance Ro
correspondant à une température de bruit égale à la température ambiante To (To = 290° K)

Soit Ne la puissance de bruit thermique correspondante : Ne = k To B

Ns est le résultat de la superposition de deux bruits. Le premier provient de la résistance
d'entrée donc égal à G x Ne.

Ne = k To B Ns
G

NQ = k TQs B
Ro
 Facteur de bruit d'un amplificateur

Le second NQ (puissance de bruit en sortie du quadripôle) est fabriqué par l'amplificateur lui-
même. NQ = k. TQs. B avec TQs : température équivalente de bruit à la sortie du
quadripôle.
En sortie de l'amplificateur, la puissance de bruit est égale à:
Ns = Ne x G + NQ
D'après la définition 1 Ns
F x
G Ne
NQ  GN e N NQ
on peut écrire : F  1 Q  1
GN e GN e G k TO B

TQS
et NQ = k TQs B  F  1
G .To
 Théorie des amplificateurs

La structure générale d'un amplificateur comprend un dispositif actif (en

général un transistor), caractérisée par ses paramètres S et entouré de part et
d'autre par des réseaux d'adaptation d'impédance.
Puissance
Puissance d’entrée disponible à la Puissance délivrée
Puissance disponible dans le réseau sortie du réseau dans la charge
du générateur :

S′11 S′22
Coefficient de réflexion à Coefficient de réflexion à la sortie du
l’entrée du réseau lorsque sa réseau lorsque son entrée est terminée
sortie est terminée dans C dans S
 Théorie des amplificateurs
L'étude de ce schéma nous permet de déterminer les grandeurs importantes permettant de

caractériser un amplificateur, notamment, le gain, le facteur de bruit, la stabilité.

Les différents Gains d’un amplificateur à1 étage en présence des réseaux d’adaptation

Lorsque le quadripôle transistor est inséré dans un système 50 ohm, le gain en puissance
du transistor GT est donné par la relation simple suivante :
 Impédance de source ZS et de charge ZL quelconques
Coefficient de réflexion à l’entrée sortie d’un amplificateur

En utilisant les paramètres S, il est possible de calculer les coefficients de réflexion et

les gains pour des impédances de source et de charge quelconques.
Aux impédances ZL et ZS de charge et de source de valeur quelconque, correspondent
les coefficients de réflexion GL et GS .

Coefficient de réflexion à l’entrée d’un amplificateur

Calcul de 1

 S12  S 21  C S12  S 21  2
e  S11  S11   S11   1
1  S 22  C 1  S11  2
 1- Coefficient de réflexion à la sortie d’un amplificateur

Calcul de 2

 S12  S 21  S S12  S 21  1
2  S 22  S 22   c  S 22 
1  S11  S 1  S11  1
 Puissance délivrée à la charge

La puissance délivrée à la charge s’écrit :

Les équations (3) et (4) donnent :

Les équations (1), (2) et (5) donnent :

Soit après calculs :

Ainsi :
 Les Gains d’un amplificateur à1 étage
2-1Gain de transfert (ou Transdcique)
Le gain de transfert (ou gain transduscique) correspond au rapport entre la puissance
délivrée à la charge PL et la puissance disponible d'une source PAVS (ou générateur) :
𝑃𝑢𝑖𝑠𝑠𝑎𝑛𝑐𝑒 𝑑é𝑙𝑖𝑣𝑟é𝑒 à 𝑙𝑎 𝑐ℎ𝑎𝑟𝑔𝑒
GT= 𝑃𝑢𝑖𝑠𝑠𝑎𝑛𝑐𝑒 𝑑𝑖𝑠𝑝𝑜𝑛𝑖𝑏𝑙𝑒 𝑎𝑢 𝑔é𝑛é𝑟𝑎𝑡𝑒𝑢𝑟

1  S 1  C 1  S 1  C
2 2 2 2

GT   S 21    S 21 
2 2

 1  S 22  C 1  S11  S 
2 2 2 2
1  S 11 S 1  S 22  C

GT=GinG0Gout

C est le coefficient de réflexion à la sortie du quadripôle lorsque celui-ci est terminé par une
impédance ZS correspondant au coefficient de réflexion S . Ces coefficients sont donnés par :
2-2) Gain disponible
Le gain disponible GA ou gain associé est égal au gain transduscique
lorsque la sortie du quadripôle est adaptée. Il est obtenu en posant
L=S’22* dans l‘expression de GT :

𝑃𝑢𝑖𝑠𝑠𝑎𝑛𝑐𝑒 𝑑𝑖𝑠𝑝𝑜𝑛𝑖𝑏𝑙𝑒 à 𝑙𝑎 𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒

GA= 𝑃𝑢𝑖𝑠𝑠𝑎𝑛𝑐𝑒 𝑑𝑖𝑠𝑝𝑜𝑛𝑖𝑏𝑙𝑒 𝑎𝑢 𝑔é𝑛é𝑟𝑎𝑡𝑒𝑢𝑟

1  S
2
1
GA   S 21 
2

1  S11  S 
2 2
1  S 22
2-3) Gain Opérant (ou en puissance)

Le gain en puissance GP représente le rapport de la puissance délivrée à la

charge sur la puissance entrant effectivement dans le quadripôle.

𝑷𝒖𝒊𝒔𝒔𝒂𝒏𝒄𝒆 𝒅é𝒍𝒊𝒗𝒓é𝒆 à 𝒍𝒂 𝒄𝒉𝒂𝒓𝒈𝒆

GP =
𝑷𝒖𝒊𝒔𝒔𝒂𝒏𝒄𝒆 𝒅′ 𝒆𝒏𝒕𝒓é𝒆

1  C
2
1
GP   S 21 
2

 1  S 22  C
2 2
1  S11
 Graphe De Fluence (ou De Transfert)
Définitions
 Un graphe de transfert ou de fluence qui permet de simplifier l’écriture et la mise en
équation des processus lorsque le nombre de variables augmente.

Un graphe de transfert est constitué d’un ensemble de nœuds reliés entre eux par
des branches orientées.

- Les nœuds représentent les variables du système.

- Chaque branche est affectée d’un coefficient correspondant à la transmittance qui
relie entre deux nœuds (variables).
 Graphe De Fluence (ou De Transfert)

Le graphe de cette figure, appelé: graphe de fluence, est équivalent aux

équations algébriques suivantes :
 Graphe De Fluence (ou De Transfert)

• Un nœud auquel arrive plusieurs branches est appelé : puit (nœud

secondaire).
Un nœud à partir duquel peuvent partir plusieurs branches est
appelé : nœud source.
Exemples : dans la figure -x1, x2, x3 nœuds sources
- x5 nœud puit

• Chaîne directe : est une liaison entre 2 variables réalisée en suivant

les sens des flèches et en passant une seule fois par chaque noeud.
• La transmittance d’une chaîne directe est le produit des
transmittances rencontrées en les parcourant.
 Graphe De Fluence (ou De Transfert)

 Boucle est un parcourt suivant les flèches qui partant d’un nœud revient à ce même
nœud sans passer 2 fois par le même nœud.

La transmittance d’une boucle est le produit des transmittances rencontrées lors de
son parcourt.

Exemple
Réalisation des graphes

Transformations élémentaires
 Calcul du gain transducique avec les graphes

On peut établir la formule du gain transducique en utilisant la théorie des graphes

Règle 1
Règle 2

Règle 3

Règle 4 a-b
Exemple de graph de fluence d’un circuit à deux ports:
 Calcul du gain transducique avec les graphes

On en déduit d’abord la fonction de transfert entre bs et b2 :

b2 S 21

aS 1  ( S11S  S 22C  S 21S12S C )  S S11C S 22

D’où le gain transducique:

2
a2
GT  (1  S )(1  C )
2 2

bS
 Graphe de fluence de l’amplificateur.

Les équations relatives au graphe de cette figure s’écrivent:

Lignes fictives de longueur nulle

Transistor défini par ses paramètres S

 Puissance disponible en entrée

On utilise le graphe de fluence condensé de la Figure suivante:

Conformément à la définition donnée précédemment, e représente le coefficient de réflexion

vu du plan d'entrée en regardant vers le transistor.
 Stabilité
Notions de STABILITÉ: Pourquoi?

Lors du design d'un amplificateur, il faut s'assurer que le circuit est stable
pour toutes les fréquences.

●Ceci peut être difficile pratiquement; on s'assure qu'il soit impossible que la
combinaison de charges qui rend le circuit instable puisse exister.

 Qu'arrive-t’il si un circuit est instable a une fréquence autre que celle du

design ?

●Il est possible que le circuit ne fonctionne pas du tout, ou qu'il oscille a une
autre fréquence.
 Notions de STABILITÉ: Pourquoi?
La conception d’un amplificateur nécessite le réglage des impédances de générateur
et de charge.

Ce réglage modifie les impédances d’entrée et de sortie du quadripôle actif.

Cet ensemble reste-t-il toujours stable?

Parmi les questions que l’on doit se poser ?

-2- Dans le plan |S11’| ,

comment est transformé -1- Dans le plan L, (ou
le plan |L| = 1 (ou |C|) ? C,)quelles sont les
valeurs de L donnant
|S11’| < 1 ?

On peut avoir le même raisonnement en considérant S22’ et g

 On définit 2 types de stabilité :

Stabilité inconditionnelle :

Le circuit est stable pour toutes les combinaisons de charge et source.

Dans ce cas, S’11< 1 pour C < 1.

Stabilité conditionnelle :

Le circuit est stable seulement pour certaines valeurs de charge ou de

source. On appelle aussi cet état potentiellement instable.
 Stabilité

●On obtient alors le critère de stabilité :

1    S11  S 22
2 2 2

K 
2 S12 S 21

  S11  S22  S12  S21

● K > 1 et |∆| < 1

●Avec K : facteur de Rollet

 Stabilité

Un autre critère qui peut être utilisé pour déterminer la stabilité est le test kb1. Un
circuit est inconditionnellement stable si :

1    S11  S 22
2 2 2

K  1
2 S12 S 21

b1  1  S11  S 22  0
2 2 2

 Un troisième critère de stabilité a été développé en 1992 :

1  S11
2

 1
S 22  S11 *   S12 S 21

Pour qu'un système soit stable, il faut que  > 1.

De plus, plus est grand, plus le système est stable. Ce critère devient de plus
en plus populaire.
 Adaptation Simultanée Entrée-Sortie

  
S11  S et S 22  C

B2  B2  4  C 2
2
B1  B1  4  C1
2 2 2
et
MS  MC 
2  C1 2  C2

B1  1  S11  S 22  
2 2 2
où

B2  1  S 22  S11  
2 2 2


C1  S11    S 22
C 2  S 22    S11
 Cercle de Stabilité de Sortie

Le lieu in 1 est un cercle de centre OCL et de rayon RCL:

 C  1 out  ou 2  )
S11  1 pour (Ou
On montre que les valeurs de C qui produisent S'11=1 se retrouvent sur un cercle de
rayon rC et de centre CC sur l’abaque de Smith

Où

r2 
S12  S 21
C2 
S 22 S 11 
 

S 22  
2 2
S 22  
2 2

  S11  S22  S12  S21

 Cercle de Stabilité de Sortie

Pour déterminer si c’est l’intérieur ou l’extérieur du cercle qui représente la région stable,
c’est à dire la région qui correspond à S'11<1 , il faut considérer S11.

Si S11  1

alors le centre de l’abaque se

trouve dans la région stable.
 Cercle de Stabilité de Sortie

Si S11>1  instable=0
Si S11 > 1, la région contenant le centre de l’abaque représenterait la région instable. La
région stable serait l’intersection de l’abaque et du cercle de stabilité.
 Cercle de Stabilité de Sortie

S111: La zone contenant le centre de l'abaque de Smith est stable.

Zones stable

Exemple
 |S11| < 1
 Cercle de Stabilité de Sortie
S11 1 : La zone contenant le centre de l'abaque de Smith est
instable
Zones stable

Exemple
 |S11| > 1
 Cercle de stabilité: entrée
On peut faire la même analyse pour les cercles de stabilité a l'entrée. On inverse
S11 et S22.

Les valeurs de s qui produisent S‘22=1 se retrouvent sur un cercle de rayon rS

et de centre CS

CS 
S
11    S 22 
 
 C1 rS  r1 
S12  S 21
S11  
2 2
S11  
2 2

On peut dessiner les cercles de stabilité à l'entrée sur l'abaque de Smith. On doit
distinguer les 2 cas où S22<1 et S22>1

Pour déterminer si c’est l’intérieur ou l’extérieur du cercle qui représente la région stable,
c’est à dire la région qui correspond à S'22<1
 Cercle de stabilité en entrée

Si

S 22  1 Alors le centre de l’abaque se

trouve dans la région stable.
 Cercle de stabilité en entrée

Si S 22  1
 MODELE DU TRANSISTOR UNILATERALISE : CALCUL DES QUADRIPOLES D’ADAPTATION

L'amplificateur peut alors être représenté par le schéma de la figure suivante:

Transistor unilatéralisé et ses quadripôles d'adaptation en entrée-sortie.

Les termes G1 et G2, ou les quadripôles correspondants, représentent les gains ou les
pertes produits par l'adaptation ou la désadaptation des circuits d'entrée et de sortie.
 MODELE DU TRANSISTOR UNILATERALISE : CALCUL DES QUADRIPOLES D’ADAPTATION

Le quadripôle actif est unilatéralisé lorsque le paramètres S12 est nul. En réalité, S12
n'est pas nul pour un transistor mais il est très faible car le transistor est non passant
de l'accès 2 vers l'accès 1.

𝑏1 𝑆11 0 𝑎1
On a dans ces conditions : = 𝑎2
𝑏2 𝑆21 𝑆22

Si S12 = 0, on dit que le transistor est unilatéralisé GT=GTU.

On a de même : Γ1= S 11 et Γ 2 = S22

Le gain transducique unilatéralisé est donné par l'expression suivante:
1  S 1  C
2 2

GTU  GT   S 21 
2
S12  0
1  S11  S 1  S 22  C
2 2

  
GS  G1 Go GC  G2
 MODELE DU TRANSISTOR UNILATERALISE : CALCUL DES QUADRIPOLES D’ADAPTATION

Exprimé en dB, la relation du GTU devient:

GTu (dB)  GS (dB)  G0 (dB)  GC (dB)  10 log10 (G )

Optimisation du gain :

Il est possible d'optimiser ΓS et ΓL de façon à obtenir des gains G1 et G2 maximums, dans


ce cas, GTU sera maximum et :  S  S
*
S 11 C 22

Par suite :
1
G1, MAX  GS , MAX  GS S  S11

1  S11
2

1
G2, MAX  GC , MAX  GC C  S 22

1  S 22
2
 MODELE DU TRANSISTOR UNILATERALISE : CALCUL DES QUADRIPOLES D’ADAPTATION

D'où la valeur maximum du gain transducique unilatéralisé :

1 1
GTU , MAX   S 21 
2

1  S11 1  S 22
2 2

On peut remarquer que cette expression est identique à la valeur maximum du gain en
puissance disponible GAmax qui correspond aux mêmes conditions d'adaptation.

Stabilité :
Puisque |S11| et |S22| sont inférieurs à 1, le transistor unilatéralisé est
inconditionnellement stable.
 Cercles de gain constant :

On peut remarquer que si ΓL = ΓS = 1, alors G1 = G2 = 0. On a ainsi :

On peut alors se demander quel est le lieu sur l'abaque de Smith des
coefficients de réflexion à l'entrée ΓS donnant une valeur de gain G1 constant.

Il est défini par la condition :

1  S
2

G1  GS 
1  S S11
2
 MODELE DU TRANSISTOR UNILATERALISE : CALCUL DES QUADRIPOLES D’ADAPTATION

Ce lieu est un cercle dans le plan complexe (figure ci dessous), de centre RG1 et de
centre ΩG1.
G1S11 *
G1  GS 
1  G1 S11
2

[1  G1 (1  S11 )]1/ 2
2

 RG1 
1  G1 S11
2

Cas particuliers :

● Si G1 = 0 (soit ΓS = 1), alors ΩG1 = 0 ==> le centre du cercle est au centre de l'abaque de
Smith et RG1 = 1, correspondant au cercle externe de l'abaque.

● Si G1 = 1 (soit ΓS = 0), ce qui n'implique aucun quadripôle en entrée, on a alors :

S11 *
G1  RG1  G1
1  S11
2
 MODELE DU TRANSISTOR UNILATERALISE : CALCUL DES QUADRIPOLES D’ADAPTATION
Exemple de cercles de gain et bruit constant pour
un transistor unilatéralisé

G2 S 22 *
G 2  GL 
1  G2 S 22
2

[1  G2 (1  S 22 )]1/ 2
2

 RG 2 
1  G2 S 22
2

Remarques :
C'est en entrée que l'optimisation du gain revêt
certainement une importance plus grande, car on
est très souvent amené à trouver le meilleur
compromis entre le gain de l'amplificateur et le
facteur de bruit, c'est à dire à trouver l'impédance
de source qui conduit au meilleur compromis.
Series inductive feedback can
be used to lower noise fi gure
 Les circuits d’adaptation
Différentes approches peuvent être envisagées :
– Adaptation par stubs
– Circuits à constantes distribuées

Circuits à constantes localisées

 Circuits à éléments distribuées
Cette approche consiste à réaliser les valeurs des inductances et
capacités localisées avec des tronçons de ligne dont on ajuste
l’impédance caractéristique et la longueur.

Pour réaliser une capacité :

Pour réaliser une inductance :
ZC>>ZL ZC << ZL.
 Circuits à constantes distribuées
Exemple de circuit à éléments distribués

Adaptation par stubs

 Amélioration de la stabilité

On utilise une résistance en série ou en parallèle à l'entrée

et/ou a la sortie pour stabiliser le transistor.
●Si les cercles de stabilité sont du coté des faibles résistances, on
utilise une résistance en série.
●Si les cercles de stabilité sont du coté des hautes résistances, on
utilise une résistance en parallèle.

Généralement, il est suffisant de stabiliser à l'entrèe. Cependant, ceci

augmente le bruit de l'amplificateur. Stabiliser a la sortie aura moins d'impact
sur le bruit.
 Amélioration de la stabilité

Exemple

●Ajouter une résistance en série dont la

valeur est déterminée par le cercle qui
est tangent au cercle de stabilité, ou

●Ajouter une résistance en parallèle,

déterminée par le cercle de conductance
qui est tangent.
 Amélioration de la stabilité

Comment réduire l'effet des résistances sur le gain ?

 Résistances en série : On ajoute un condensateur en parallèle, qui produit une faible

impédance a la fréquence d'interêt.

 Résistances en parallèle : On ajoute un condensateur entre la résistance et GND, ce

qui empêche le DC de s‘échapper par cette résistance. Le condensateur doit avoir une
faible impédance a la fréquence d'intérêt.
Gabriel

Ajouter une inductance a la source du transistor :

●Utiliser une inductance
●Utiliser une ligne de transmission terminée par un court-circuit
 Design d'amplificateurs

Il y a trois types de design :

●Design pour un gain maximum : l'adaptation est faite au conjugue des charges, pour
un transfert maximal de puissance.

● Design pour un gain spécifique: l'adaptation est faite a un gain plus faible que le
maximum, pour améliorer la largeur de bande.

● Design pour faible bruit : l'adaptation est faite pour minimiser le bruit ; on réduit le
bruit au dépend du gain.
 Design pour gain maximum
Adaptation Simultanée Entrée-Sortie

Puisque le gain G0 d'un transistor est fixe, les deux gains GS et GL sont les 2
paramètres à optimiser. Le transfert maximal de puissance se produit lorsque
in=*S et out=*L

Adaptation simultanée
On utilise les équations précédentes pour faire le design.
On peut démontrer que les coefficients de réflexion à l'entrée et à la sortie doivent
être :
B1  B1  4  C1
2
B2  B2  4  C2
2 2 2

MS  ML 
2  C1 2  C2


B1  1  S11  S 22  
2 2 2
C1  S11    S 22

B2  1  S 22  S11  
2 2 2
C 2  S 22    S11
 Design pour gain maximum

Design pour gain maximum : unilatéral

Si le transistor est unilatéral,

Le gain maximum est :

 Design pour un gain spécifique

On trace des cercles de gain constant sur l'abaque de Smith.

Ces cercles permettent d'obtenir le gain voulu et les coefficients de réflexion (à
l'entrée et la sortie) pour obtenir ce gain.
 On ne fait pas l'adaptation a Z0 ; on le fait a d'autres valeurs qui donnent un
gain plus faible.

 On considère le cas unilatéral seulement.

Les gains maximums des réseaux à l'entrée et à la sortie sont :

et

ce sont le gain supplémentaire obtenu si les impédances d'entrée et de sortie

sont bien adaptées.
 Design pour un gain spécifique

Dans certains cas, il est préférable de faire le design d’un amplificateur pour
un G plus faible que le Gmax, pour améliorer la largeur de bande, ou pour
d’autres considérations du système.
Le design est fait à une impédance autre que celle qui donne un transfert
maximum de puissance : on introduit des faibles réflexions dans le circuit.

La méthode de design pour un gain spécifique est grandement simplifiée en utilisant des
cercles de gain constant sur l’abaque de Smith.
 Design pour un gain spécifique

 A l'aide des équations précédentes, on peut tracer des cercles sur l'abaque de
Smith.
On calcule les centres selon :

où cS est le centre du
cercle de gain (entrée) et
rS est le rayon.
La partie variable est gS.

Ces cercles permettent d’obtenir le gain voulu et les coefficients de réflexion à

l’entrée et à la sortie nécessaires pour obtenir ce gain. L’adaptation n’est pas
effectuée à Z0 ; elle est plutôt effectuée à une autre impédance qui donne un
gain plus faible.
 Cercles de gain à la sortie

On peut faire la même chose pour les cercles de gain à la sortie. On remplace
S11 par S22.

Les centres de ces cercles sont tous sur une ligne droite qui débute au centre de
l'abaque et qui passe par S*11 ou S*22.

 On peut aussi démontrer que le cercle de 0dB (GS = 1 ou GL = 1) passe toujours

par le centre de l'abaque.

 Lorsque le gain est maximum, le rayon est 0.

 Design pour bruit minimum

Comme le design a gain spécifique, si on veut faire un design avec un bruit minimum, il
faut faire certains compromis.

La procédure de design pour bruit minimum est la même que celle pour un gain
spécifique: on trace des cercles de bruit sur l'abaque de Smith.

 Un amplificateur a faible bruit (LNA) est typiquement le premier composant d'un système
de communication hyperfréquences.
 Facteur de bruit d'un quadripôle actif

Le facteur de bruit est une mesure de dégradation du rapport signal à bruit

après le passage par le quadripôle.

 SE 
 
 NE  kTo BG A  N a Te
F F  1
 SS  kTo BG A To
 
 NS 

-Te est la température effective de la source

-T0 est la température standard (290K)
 Design pour bruit minimum

La figure de bruit d'un amplificateur est :

Le facteur de bruit ne dépend que de l’entrée, donc pour réaliser un

amplificateur à faible bruit on doit satisfaire cette dernière condition
(S=opt) ce qui permet de calculer c ou 2

 S12  S 21  S
2  S 22  S 22   c
1  S11  S

Si le coefficient de réflexion 1 ou S=opt est situé dans la zone

instable, il est impossible d’opter pour une configuration avec un
minimum de bruit.
 Facteur de bruit d'un quadripôle actif

En 1956, Rothe et Dahlke ont démontré que le facteur de bruit d'un quadripôle
actif change en fonction de l'impédance du générateur. Cette dépendance est
caractérisée par les paramètres suivants:
rn où Fmin, opt et rn=Rn/Z0 sont des
F  Fmin   YG  Ym
2
paramètres fournis par le
GG constructeur. Ce sont les paramètres
de bruit du transistor.
Yo  YG 1
G  Yo 
Yo  YG Zo
G  m
2

m 
Yo  Ym
F  Fmin  4  Rn  Yo  2

1  m  1  G
2

Yo  Ym

Pour que le facteur de bruit d’un transistor soit minimal , F=Fmin il faut que
S=opt.
 Cercles de Facteur de Bruit Constant
Afin de trouver le meilleur compromis entre le facteur de bruit et le gain
associé, nous utilisons la technique des cercles à bruit constant. Cette
technique est surtout très utile dans la conception des amplificateurs large
bande.
1  m G  m
En définissant pour F=Fi 2 2

N i  Fi  Fmin   
De cette équation, on obtient: 4  Rn  Yo 1  G
2


G  m
2


2

N i  N i  1  m
2
 Où FiFmin
1 Ni 1  N i 2
Cette dernière équation définie un cercle ayant un centre CF et un rayon rF
comme suit:
m
CF 
1 Ni
 Cercles de bruit
Sur l’abaque de Smith, le coefficient de réflexion de la source S en fonction
de opt donne des cercles de bruit constant dont le positon du centre CN et la
valeur du rayon RN sont donnée par les expressions

On calcule les centres selon :

où cF est le centre du cercle de

bruit et rF est le rayon. La partie
variable est F.
Parfois, il est préférable de tracer les cercles à bruit constant et les cercles à
gain constant sur le même abaque, pour pouvoir faire un compromis entre le
gain et le bruit.
 En résumé,

1) Le facteur de bruit d'un transistor atteint une valeur minimum Fmin pour
une valeur particulière de coefficient de réflexion au générateur m .

2) L'adaptation d'un transistor au minimum de facteur de bruit ne

corresponds pas nécessairement aux conditions d'adaptation pour le gain
maximum.

3) L'application d'une contre-réaction réactive peut améliorer le coefficient

de réflexion à l'entrée en conservant la mesure de bruit minimum Mmin .

4) Les cercles à bruit constant et les cercles de gain disponible permettent

de sélectionner le meilleur compromis entre le gain et le bruit.
Linéarité

Amélioration de la linéarité :

●Ajouter de l'inductance a la source du transistor

●Ajouter une résistance de feedback entre le drain et la grille
• Ajoute du bruit
• Réduit le gain
 Polarisation des transistors
La polarisation des transistors lors de l'utilisation a très haute fréquences est
un peu différente des techniques habituelles.
 Il faut faire attention pour que le signal d'entrée ne se propage pas le long du
circuit de polarisation et demeure plutôt dans le bon chemin.
 Le point d'opération du transistor affecte aussi le bruit, la puissance et le
courant.

Le point d'opération affecte le comportement du transistor.

De façon générale :
●I : faible bruit, faible puissance
● II : faible bruit, puissance moyenne
● III : haute puissance
● IV : haut rendement
 Polarisation des transistors

Les circuits de polarisation doivent présenter une faible impédance

a DC et une haute impédance aux fréquences d'opération.

On a aussi besoin de condensateurs de blocage pour éviter que le

DC se propage dans le reste du circuit.
 Polarisation des transistors
Deux méthodes principales :

•Inductance en série avec la source,

• Ligne de transmission 4 terminée par un condensateur.

Option 1 : inductance

Inductance :
impédance nulle a DC, et haute
impédance a f

Cependant, parfois difficile d'utiliser des inductances a hautes fréquences.

Option 2 : ligne /4

Au point a, c'est presque un court-circuit a f.
Au point b, la ligne transforme le C-C a un C-O.

A basses fréquences, la ligne peut être trop longue ; mais plus la fréquence augmente,
plus la ligne devient courte.
Stabilisation d’un transistor

Exemple de stabilisation d’un transistor

Stabilisation avec résistance en série à l’entrée

4 possibiltés de stabilisations
 AMPLIFICATEUR DISTRIBUE.
PRINCIPE DE L'AMPLIFICATION DISTRIBUEE.

La mise en parallèle de transistors conduit à une addition de leurs transconductances. Cette

propriété, intéressante à priori, s’accompagne de quelques inconvénients.

L'addition des impédances de sortie des TEC a pour effet :

-de diminuer le courant circulant dans la charge,
- de faire apparaitre d’importants problèmes d'adaptation (à cause de la mise en
parallèle des impédances d'entrées).

GINZTON Cl1 et PERSIVAL C21 ont montré que l'on pouvait conserver le caractère additif des
transconductances tout en maintenant les impédances de charge des éléments actifs
constantes en séparant ces éléments par des inductances. Cette association est appelée :
amplification distribuée.
 AMPLIFICATEUR DISTRIBUEE.

Les grilles des transistors sont reliées par des inductances, il en est de même pour les drains.
La figure montre que l'on a formé ainsi deux lignes de transmission:

-Une ligne grille, constituée des inductances (Lg) associées aux capacités d'entrées des
TECs (Cgs).

-Une ligne drain, constituée des

inductances (Ld) associées aux
capacités de sortie (Cds) et aux
générateurs de courant (gmv) des
TECs.

la propagation du signal le long des deux lignes de propagation

ainsi constituée
 Paramètres caractéristiques des lignes artificielles de transmission

Lignes de transmission artificielle

La cellule élémentaire de la ligne de grille est réalisée par les
inductances Lg/2 et la capacité parasite d’entrée du
transistor Cgs en série avec la résistance du canal Rgs.

La cellule élémentaire de la ligne de drain est

réalisée par les inductances Ld/2 associées à la capacité
Cds en sortie de la cellule élémentaire, en parallèle à Rds.

Les deux lignes sont couplées via la source de courant commandée (gmVg).
 Impédance caractéristique et de la constante de propagation des lignes

Nous appliquons la méthode des paramètres images et itératifs, très utilisée dans
l’étude de lignes de transmission composées par la mise en cascade de plusieurs
quadripôles identiques. Ceci nécessite l’utilisation de la matrice chaîne
 Amplificateur distribué

Pour simplifier, nous utilisons un schéma très simplifié du transistor à e f f e

t de champ.
Ce schéma ne comporte que les éléments nécessaires à l'explication de ce
principe, à savoir :
- la capacité grille-source d'entrée du TEC (cgs)
- le générateur de courant (gm Vgs)
- la capacité de sortie du TEC drain-source (Cds).
 Amplificateur distribué

La BP des amplificateurs traditionnels est limitée par leurs capacité Ce et Cs. L’architecture des
amplificateurs distribués, inventée par Percival en 1936 à partir de tubes à vide, intègre ces
capacités parasites dans les lignes d’accès en mettant en parallèle des inductances.

Cette architecture, permettant une bande passante élevée, est idéale dans l’objectif de
concevoir des amplificateurs pour les transmissions à haut débit
 Amplificateur distribué
L’amplificateur distribué conventionnel (ADC) est constitué de N transistors identiques à
effet de champ reliant deux lignes de transmission artificielles, appelées ligne de grille et
ligne de drain.

Schéma d'un amplificateur distribué conventionnel

Ces deux lignes, constituées également des inductances séries grille et drain , sont adaptées
à leurs extrémités. L’ensemble forme un octopôle dont l’accès d’entrée, soumis à la tension
Lg Ld VE , est l’une des extrémités de la ligne de grille, et l’accès de sortie, fournissant la
tensionV , est l’extrémité opposée de la ligne de drain (fig.II.1)
 Principe de fonctionnement d’un amplificateur distribué

Un schéma petit signal simplifié pour un transistor à effet de champs en source commune est
montré sur la figure suivante:

Le principe de fonctionnement de l’amplification distribuée consiste à associer la capacité

d’entrée et de sortie de la cellule élémentaire avec une inductance afin de simuler des lignes
de transmissions.

Les deux lignes de transmission sont couplées par la transconductance gm du transistor et

terminées à leurs extrémités par des charges adaptées à l’impédance caractéristique de
chacune des lignes.
 Amplificateur distribué
Modèle électrique simplifié du transistor MESFET

Les lignes de grille et de drain constituent les éléments d'adaptation de

l'amplificateur en compensant les capacités internes d'entrée et de sortie du
transistor par les inductances figure suivante:
 Amplificateur distribué

Les inductances et forment respectivement et à première approximation avec les

capacités Shunt (Capacité Grille-Source) et (Capacité Drain-Source) du modèle électrique
simplifié du transistor MESFET (fig.II.2), des circuits du type « k constant » connectés en
cascade (fig. II.3).
 Amplificateur distribué

Outre une large bande (supérieure à 1 décade), les amplificateurs distribués

bénéficient également de nombreux autres avantages :

– un fort gain : prédisposition à la réalisation d’amplificateur de puissance,

– un gain généralement plat à condition que les éléments intrinsèques des

transistors varient légèrement avec la fréquence..

Cet amplificateur présente aussi des inconvénients :

– une forte consommation, liée au nombre conséquent d’éléments actifs utilisés,

– un facteur de bruit moins bon que l’amplificateur faible bruit classique dû à la charge
de la ligne d’entrée
 Amplificateur distribué

Plus précisément, les coefficients de réflexion de charge des lignes de grille et de

drain nommés Γg et Γd doivent satisfaire les conditions suivantes :

où Z0g et Z0d sont les impédances caractéristiques, Zg et Zd sont les charges de ligne
de grille et de drain