MATERIAUX POUR GENIE ELECTRIQUE : EXAMEN FINAL 2018/2019 DUREE : 1H30’

Avis aux étudiants : Les questions à l’enseignant(e) sont INTERDITES.

QUESTIONS DE COURS
1. Définir les mots suivants : gap, dopage, semiconducteur intrinsèque et semiconducteur
extrinsèque.
2. Suivant le type de dopage :
a. Citer les deux types de semiconducteurs avec des schémas illustratifs "exemple de silicium".
b. Décrire la position du niveau de fermi dans chaque type.
3. Citer les types de polarisation (sans explication) avec des schémas justificatifs.
4. Quelles sont les polarisations affectées par la température ?

EXERCICE Nº01
Étant donné une charge ponctuelle q à l'intérieur d'une enveloppe diélectrique sphérique
creuse de rayon intérieur a et de rayon extérieur b comme indiqué sur la figure.
À l’aide du théorème de Gauss, déterminer le vecteur de déplacement 𝐷⃗ et le
champ électrique 𝐸⃗ pour (𝑟 < 𝑎, 𝑎 < 𝑟 < 𝑏 , 𝑏 < 𝑟). b
Déterminer la polarisation électrique 𝑃⃗ et la densité des charges volumiques a
liées 𝜌 pour (𝑟 < 𝑎, 𝑎 < 𝑟 < 𝑏 , 𝑏 < 𝑟). q
é

EXERCICE Nº02
Considérons un semiconducteur de silicium cristallin à une température ambiante ayant une
mobilité d’électrons 𝜇 = 1350 𝑐𝑚 /𝑉. 𝑆. L’énergie cinétique d’un électron dans la bande de
conduction est donnée par l’expression ( 𝑚𝑣 ), où m est la masse effective et 𝑣 est la vitesse de

conduction 𝑚 = 9,1. 10 𝐾𝑔.

Calculer l’énergie cinétique de cet électron dans la bande de conduction si le champ E = 10 V/cm.
A une température ambiante, le semiconducteur de silicium est dopé uniformément avec une
concentration 2.1016 cm-3 d’atomes d’Arsenic et de 1016 cm-3 d’atomes de Bore.
1. Ce type de semiconducteur en silicium est-il de type n ou de type p ?
2. Donner la relation entre n, p et ni à l’équilibre thermodynamique.
3. Ecrire la relation entre n, p, Nd et Na traduisant la neutralité électrique dans un semiconducteur.
4. Suivant la réponse de la question 1, écrire les expressions approximatives de n et p pour ce type
de semiconducteur puis les calculer. Avec 𝑛 = 1,510 𝑐𝑚 .
5. Donner l’expression de conductivité électrique en fonction des donneurs et accepteurs puis
l’expression de la densité de courant.
Remarque : Arsenic (ses atomes sont pentavalents) et Bore (ses atomes sont trivalents)
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QUESTIONS DE COURS

1. Définir les mots suivants :

Gap : la différence d'énergie entre le minimum absolu de la bande de conduction et le maximum
absolu de la bande de valence. 0,25
0,25
Dopage : consiste à l’introduction d’impuretés dans un matériau
Semiconducteur intrinsèque : semiconducteur pur, sans impuretés 0,25
Semiconducteur extrinsèque : s’obtient par dopage, c’est-à-dire adjonction d’un très petit nombre
d’atomes de dopage dans un semiconducteur intrinsèque. 0,25
2. Suivant le type de dopage :
a. Semiconducteur type N et Semiconducteur type P. 0,25 + 0,25

Schémas illustratifs "exemple de silicium".

0,25 0,25

b. Décrire la position du niveau de fermi dans chaque type.

 Le niveau de Fermi intrinsèque (correspondant au matériau intrinsèque), se trouve à peu près au
milieu de la bande interdite du matériau, théoriquement au milieu à T = 0K. 0,25

 Le niveau de Fermi se décale donc progressivement du milieu de la bande interdite vers la bande
de conduction lorsque le dopage de type n augmente comme représenté figure. 0,25

 Dans le cas d’un semiconducteur dopé de type p, le niveau de Fermi se trouvera d’autant plus
près du sommet de la bande de valence, que le matériau sera plus dopé. 0,25

3. Citer les types de polarisation (sans explication) avec des schémas justificatifs.
Electronique, Atomique, d’orientation et Interfaciale

0,25 0,25 0,25 0,25

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0,25

0,25

0,25

0,25

4. Quelles sont les polarisations affectées par la température ?

Les polarisations affectées par la température sont : interfaciale et d’orientation
0,25 0,25
EXERCICE Nº01
𝒓<𝒂:
A l’aide du théorème de Gauss : Coordonnées sphériques
∯ 𝐷⃗ . 𝑑𝑆⃗ = ∑ 𝑄 = 𝑞 ⟹ 𝐷⃗ = 𝑢⃗ 0,25
𝑞
𝐸⃗ = 𝑢⃗ 0,25
4𝜋𝜀 𝑟

𝑃⃗ = 0⃗ 0,25
La densité des charges volumiques liées 𝜌 é :𝜌 é =0 0,25
𝒓 > 𝒃:
𝐷⃗ = 𝑢⃗ 0,25
𝑞
𝐸⃗ = 𝑢⃗ 0,25
4𝜋𝜀 𝑟

𝑃⃗ = 0⃗ 0,25

La densité des charges volumiques liées 𝜌 é :𝜌 é =0 0,25

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𝒂 < 𝒓 < 𝒃:
𝑞
𝐷⃗ = 𝑢⃗ 0,25
4𝜋𝑟

𝑞 0,25
𝐸⃗ = 𝑢⃗
4𝜋𝜀𝑟

𝑞 𝜀 0,25
𝑃⃗ = 𝐷⃗ − 𝜀 𝐸⃗ = 1− 𝑢⃗
4𝜋𝑟 𝜀
La densité des charges volumiques liées 𝜌 é : 𝜌 é =0
Puisque : 𝜌 é = −𝑑𝑖𝑣𝑃⃗

𝜌 é =− 1− =0 0,25

EXERCICE Nº02
𝟏
Calcul de l’énergie cinétique : 𝑬𝑪 = 𝟐 𝒎𝒗𝟐𝒅 avec |𝒗𝒅 | = 𝝁𝒏 𝑬 0,25

𝟐𝟑
𝑬𝑪 = 𝟖, 𝟗𝟕𝟏𝟎 𝑱 = 𝟓, 𝟔𝟏𝟎 𝟒 𝒆𝑽
1. Ce type de semiconducteur en silicium est-il de type n ou de type p ?
Nd > Na : ce matériau est un type N.
0,25

2. Donner la relation entre n, p et ni à l’équilibre thermodynamique.

𝒏. 𝒑 = 𝒏𝟐𝒊 0,25

3. Ecrire la relation entre n, p, Nd et Na traduisant la neutralité électrique dans un semiconducteur.

𝒏 + 𝑵𝒂 = 𝒑 + 𝑵𝒂 0,25

4. Suivant la réponse de la question 1, écrire les expressions approximatives de n et p pour ce type

de semiconducteur puis les calculer. Avec 𝑛 = 1,510 𝑐𝑚 .
𝟏
𝒏 = 𝟐 (𝑵𝑫 − 𝑵𝑨 ) + ((𝑵𝑫 − 𝑵𝑨 )𝟐 + 𝟒𝒏𝟐𝒊 )𝟏⁄𝟐 approximativement 𝒏 ≈ (𝑵𝑫 − 𝑵𝑨 ) 0,25

𝟏 𝒏𝟐𝒊
𝒑 = − 𝟐 (𝑵𝑫 − 𝑵𝑨 ) − ((𝑵𝑫 − 𝑵𝑨 )𝟐 + 𝟒𝒏𝟐𝒊 )𝟏⁄𝟐 approximativement 𝒑 ≈ (𝑵
𝑫 𝑵𝑨 ) 0,25
(𝟏,𝟓𝟏𝟎𝟏𝟎 )𝟐
A.N: ≈ 10 𝑐𝑚 ,𝒑≈ 𝟏𝟎𝟏𝟔
= ⋯ 𝑐𝑚 0,25 + 0,25

5. Donner l’expression de conductivité électrique en fonction des donneurs et accepteurs puis

l’expression de la densité de courant.
𝒏𝟐𝒊
𝝈 = 𝒒 𝝁𝒏 𝒏 + 𝝁𝒑 𝒑 = 𝒒 𝝁𝒏 (𝑵𝑫 − 𝑵𝑨 ) + 𝝁𝒑 0,25
(𝑵𝑫 − 𝑵𝑨 )
𝒏𝟐𝒊
𝑱⃗ = 𝝈𝑬⃗ = 𝒒 𝝁𝒏 (𝑵𝑫 − 𝑵𝑨 ) + 𝝁𝒑 (𝑵 𝑬⃗ 0,25
𝑫 −𝑵𝑨 )