REPUBLIQUE DEMOCRATIQUE DU CONGO

ENSEIGNEMENT PRIMAIRE SECONDAIRE ET

TECHNIQUE
« EPST »
INSTITUT ANGAPOZA ETSEA

B.P :

ELECTRONIQUE ANALOGIQUE
III

Cours de : 3ème des humanités techniques

Option : Electronique et Radio-

transmission

Par : Ir. UFOYRWOTH ATIDO Moise

Année Scolaire :
 CHAPITRE I : RAPPELS SUR LA POLARISATION DES
TRANSISTORS
I.1. TRANSISTORS BIPOLAIRES

I.1. Introduction
L’analyse et la conception des amplificateurs à transistors nécessite de polariser le transistor
pour donner l’énergie (DC) nécessaire à l’amplification.
Pour l’analyse d’un schéma électronique avec le transistor bipolaire au silicium, nous allons assumer :

𝑉𝐵𝐸 = 0,7 𝑉
𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐶

I.1.2. Point de fonctionnement

Pour trouver le point de fonctionnement, il faut d’abord :

a) Tracer la caractéristique du transistor 𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 )

b) Tracer la droite de charge correspondant à deux points à relier
 Le premier point correspond à 𝐼𝐶 = 0, 𝑉𝐶𝐸 (𝑐𝑢𝑡𝑜𝑓𝑓) = 𝑉𝐶𝐶
 Le deuxième point est à 𝑉𝐶𝐸 = 0 𝑉, 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡
c) Enfin, il faut calculer les valeurs de 𝑉𝐶𝐸 et 𝐼𝐶 de repos correspondant du circuit et de les placer
sur la droite de charge.
Sur la caractéristique du transistor, nous avons trois zones :

 La région d’amplification correspondant aux points A, B, C et D

 La région de saturation où 𝑉𝐶𝐸 est trop faible et 𝐼𝐶 est maximal pour chaque valeur de IB
considérée
 La région de Cutoff ou de blocage : ce qui correspond à la zone où 𝐼𝐶 est très faible.

REMARQUE :
Pour faire fonctionner le transistor en amplificateur, le point de fonctionnement doit se situer dans la
région d’amplification

Lorsque le transistor fonctionne en commutation, on exploite le blocage (cutoff) et la saturation, ce

qui correspond au comportement d’un interrupteur.

I.1.3. Polarisation par résistance de base

Le schéma de la polarisation par la base est le suivant :
 (a) (b)
Considérons la maille d’entrée, c’est-à-dire la maille base-émetteur), nous obtenons :

+ 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 . 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 0

D’où nous tirons 𝐼𝐵 :

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
La relation qui lie 𝐼𝐶 et 𝐼𝐵 est

𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵
Si nous prenons la maille de sortie, c’est-à-dire la maille collecteur-émetteur, nous obtenons

+ 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 0

Nous pouvons tirer 𝑉𝐶𝐸 comme

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶
Comme le potentiel de l’émetteur est mis à la masse (0 V), les tensions simples sont

𝑉𝐸 = 0 𝑉

𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 + 0𝑉 = 𝑉𝐵𝐸 = 0,7𝑉

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑂𝑉 = 𝑉𝐶𝐸

Et les tensions composées sont :

𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸

𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐶
Exemple I.1.
Pour la Figure ci-contre, déterminez

a) 𝐼𝐵𝑄 et 𝐼𝐶𝑄

b) 𝑉𝐶𝐸𝑄

c) 𝑉𝐶 et 𝑉𝐵

d) 𝑉𝐵𝐶

Solution
(a) de la formule de l’équation () :
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 12𝑉 − 0,7𝑉
𝐼𝐵𝑄 = = = 0,04708 𝑚𝐴 = 47,08 µ𝐴
𝑅𝐵 240𝐾Ω
de la formule de l’équation () :

𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 = (50)(0,047 𝑚𝐴) = 2,35 𝑚𝐴

(b) de la formule de l’équation ()

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 . 𝑅𝐶 = 12𝑉 − (2,35 𝑚𝐴)(2,2𝐾 Ω) = 12𝑉 − 5,17𝑉 = 6,83𝑉

(c) de la formule de tensions simple, nous avons

𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 = 0,7𝑉

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 = 6,83𝑉

𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐶 = 0,7𝑉 − 6,83𝑉 = −6,13𝑉

Analyse de droite de charge

Pour tracez la droite de charge, il faut tenir compte de l’équation de la maille de sortie

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶
C’est l’équation d’une droite, il ne suffit que de trouver les deux points par lesquels passe la droite de
charge :
𝑉𝐶𝐶
→ Pour 𝑉𝐶𝐸 = 0𝑉, on a 0 = 𝑉𝐶𝐸 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 ce qui correspond à 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = 𝑅𝐶

→ Pour 𝐼𝐶 = 𝑂𝑚𝐴, on a 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − (0)(𝑅𝐶 ), ce qui donne 𝑉𝐶𝐸 (𝑐𝑢𝑡𝑜𝑓𝑓) = 𝑉𝐶𝐶
Le point de fonctionnement Q peut être représenté graphiquement sur la droite de charge. Il
correspond à l’intersection de la droite de charge avec la caractéristique du transistor.
Exemple I.2.
Pour le schéma de la Figure ci-dessous, déterminez le
point de fonctionnement Q et placez ce point sur la droite de
charge. Calculez également le courant 𝐼𝐶 de saturation.

Solution
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 25 𝑉 − 0,7 𝑉
𝐼𝐵𝑄 = = = 0,10125 𝑚𝐴
𝑅𝐵 240 𝐾Ω
𝐼𝐵𝑄 = 0,10125 𝑚𝐴 = 101,25 µ𝐴

On sait que 𝐼𝐶𝑄 = 𝛽. 𝐼𝐵𝑄

= (100)(0,10125 𝑚𝐴)

= 10,125 𝑚𝐴

Et 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 . 𝑅𝐶

= 25 𝑉 − (10,125 𝑚𝐴)(1,5 𝐾Ω)

= 25 𝑉 − 15,1875 𝑉

= 9,8 𝑉
Condition de saturation
𝑉𝐶𝐶 25 𝑉
𝑉𝐶𝐸 = 0 𝑉 → 𝐼𝐶 = = = 16,7 𝑚𝐴
𝑅𝐶 1,5 𝐾Ω

Condition de saturation
Pour que le transistor soit saturé, la résistance entre collecteur et émetteur doit être nulle, c’est-à-dire
𝑉𝐶𝐸
𝑅𝐶𝐸 = 0 Ω, 𝑜𝑟 𝑅𝐶𝐸 =
𝐼𝐶
𝑉𝐶𝐸
Nous avons = 0 → 𝑉𝐶𝐸 = 0 𝑉
𝐼𝐶
L’analyse de la maille donne

𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 + 𝑂
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 =
𝑅𝐶

TP N°1/1ère période
1. Déterminez le point de fonctionnement des
coordonnées 𝐼𝐶𝑄 et 𝑉𝐶𝐸𝑄 et placez ce point sur la
droite de charge pour 𝛽 = 85 et 𝛽 = 100

2. Pour la Figure ci-contre, trouvez :

(a) 𝐼𝐵𝑄 et 𝐼𝐶𝑄

(b) 𝑉𝐶𝐸𝑄

(c)Tracez la droite de charge

(d) placez le point Q sur la droite de charge

(e) calculez 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡

I.1.4. Polarisation stabilisée par l’émetteur

Le schéma de la Figure …. contient une
résistance à l’émetteur (RE), ce qui améliore la stabilité par rapport à la polarisation précédente. Les
exemples vont démontrer cette amélioration avec les expressions de deux mailles d’entrée (base-
émetteur) et de sortie (collecteur-émetteur).
Maille d’entrée base émetteur
L’application de la loi de maille en entrée donne :

+𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 . 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 = 0

Or nous savons que 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵

En remplaçant 𝐼𝐸 par sa formule dans l’équation de la maille d’entrée, nous avons :

+𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 . 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − (𝛽 + 1)𝐼𝐵 . 𝑅𝐸 = 0

En groupant les termes en 𝐼𝐵 , nous obtenons :

+𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 [𝑅𝐵 + (𝛽 + 1) 𝑅𝐸 ] − 𝑉𝐵𝐸 = 0

Amenons le terme à 𝐼𝐵 dans un membre

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐵 [𝑅𝐵 + (𝛽 + 1) 𝑅𝐸 ]

d’où nous tirons la valeur de 𝐼𝐵 comme

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
[𝑅𝐵 + (𝛽 + 1) 𝑅𝐸 ]

Le courant du collecteur est

𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵

Notez la différence avec la polarisation précédente car il s’ajoute (𝛽 + 1) 𝑅𝐸 au dénominateur. Le

circuit se comporte comme le montre le schéma ci-dessous

La résistance d’émetteur vue par le circuit d’entrée est

𝑅𝑖 = (𝛽 + 1) 𝑅𝐸

La maille de sortie
La maille de sortie redessinée à la Figure ci-dessous, en appliquant la loi de Kirchhoff pour la tension
donne :

+𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐶 = 0

En substituant 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 , nous avons :

𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 0

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

Les tensions simples sont :

𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 = 𝐼𝐶 . 𝑅𝐸

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶

𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 . 𝑅𝐵
La définition des tensions composées donne

𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐶

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸

𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸
Exemple I.3
Pour le circuit de la Figure ci-contre, déterminez

(a) 𝐼𝐵 (d) 𝑉𝐸 (g) 𝑉𝐵𝐶

(b) 𝐼𝐶 (e) 𝑉𝐶

(c) 𝑉𝐶𝐸 (f) 𝑉𝐵

Solution

Données Inconnues
𝑅𝐵 = 430 𝐾Ω (a) 𝐼𝐵 = ? [µA] (e) 𝑉𝐶 = ? [𝑉]

𝑅𝐶 = 2 𝐾Ω (b) 𝐼𝐶 = ? [𝑚𝑎] (f) 𝑉𝐵 = ? [ 𝑉]

𝑅𝐸 = 1 𝐾Ω (c)𝑉𝐶𝐸 = ? [ 𝑉] (g) 𝑉𝐵𝐶 =? [ 𝑉]

𝛽 = 50 (d) 𝑉𝐸 = ? [𝑉]

𝑉𝐶𝐶 = 20𝑉

Formules et calculs
(a)
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 20 𝑉 − 0,7 𝑉
𝐼𝐵 = =
[𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 ] 430 𝐾Ω + (50 + 1)(1 𝐾Ω)
19,3 𝑉 19,3 𝑉
= = = 0,040 𝑚𝐴 = 40 𝜇𝐴
430 𝐾Ω+51 𝐾Ω 481 𝐾Ω

(b) 𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 = (50)(0,040 𝑚𝐴) = 2 𝑚𝐴

(c) 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 20 𝑉 − (2 𝑚𝐴)(2 𝐾Ω + 1 𝐾Ω)

= 20 𝑉 − (2 𝑚𝐴)(3 𝐾Ω) = 20 𝑉 − 6 𝑉 = 14 𝑉

(d) 𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 = 𝐼𝐶 . 𝑅𝐸 = (2 𝑚𝐴)(1 𝐾Ω) = 2 𝑉

(e) 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 = 14 𝑉 + 2 𝑉 = 16 𝑉

(f) 𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸 = 0,7 𝑉 + 2 𝑉 = 2,7 𝑉

(g) 𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐶 = 2,7 𝑉 − 16 𝑉 = 13,3 𝑉 (𝑟𝑒𝑐𝑜𝑚𝑚𝑎𝑛𝑑é)

Amélioration de la stabilité
L’ajout d’une résistance à l’émetteur (𝑅𝐸 ) améliore la stabilité du circuit de la polarisation.
C’est-à-dire la tension (𝑉𝐶𝐸 ) et les courants (𝐼𝐶 𝑒𝑡 𝐼𝐸 ) ne varient pas trop avec la température et le
facteur d’amplification 𝛽 du transistor.

Exemple I.4.
Pour le circuit de l’exemple I.3, tracez un tableau et comparez la variation de 𝐼𝐶 et 𝑉𝐶𝐸
lorsque 𝛽 augmente de 50 à 100

Solution
Dans l’exemple I.3, nous avons trouvé pour 𝛽 = 50,

𝐼𝐶 = et 𝑉𝐶𝐸 =

Pour 𝛽 = 100, nous avons

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 20 𝑉 − 0,7 𝑉
𝐼𝐵 = =
[𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 ] 430 𝐾Ω + (100 + 1)(1 𝐾Ω)
19,3 𝑉 19,3 𝑉
= = = 0,0363 𝑚𝐴 = 36,3 𝜇𝐴
430 𝐾Ω+101 𝐾Ω 531 𝐾Ω

Le courant collecteur est 𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 = (100)(0,0363 𝑚𝐴) = 3,63 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 20 𝑉 − (3,63 𝑚𝐴)(2 𝐾Ω + 1 𝐾Ω)

= 20 𝑉 − (3,63 𝑚𝐴)(3 𝐾Ω) = 20 𝑉 − 10,89 𝑉 = 9,11 𝑉

Le tableau résumant l’exercices avec les valeurs trouvées

𝛽 𝐼𝐵 𝐼𝐶 𝑉𝐶𝐸
50 40 𝜇𝐴 2 𝑚𝐴 14 𝑉
100 36,3 𝜇𝐴 3,63 𝑚𝐴 9,11 𝑉

On constate que le courant collecteur 𝐼𝐶 croît de 81% lorsque 𝛽 croît de 100%. 𝐼𝐵 diminue pour
maintenir 𝐼𝐶 à une faible valeur de variation. 𝑉𝐶𝐸 décroît de 35% lorsque 𝛽 croît de 100%

Condition de saturation
 Le courant collecteur maximal ou de saturation peut être déterminé en court-circuitant les
bornes de l’émetteur et de collecteur

𝑅𝐶𝐸 = 0Ω et 𝑉𝐶𝐸 = 0𝑉, nous avons

𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸

Exemple I.5.
Déterminez le courant collecteur de saturation de l’exemple I.3.

Solution
𝑉𝐶𝐶 20 𝑉 20 𝑉
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = = = = 6,67 𝑚𝐴
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 2 𝐾Ω + 1 KΩ 3 𝐾Ω

Analyse de droite de charge

L’ajout de la résistance à l’émetteur va directement influencer l’équation de la droite de
charge. Par la maille de sortie, nous avons obtenu :

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

En choisissant 𝐼𝐶 = 0 𝑚𝐴, nous avons

𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) et 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = 𝑅
𝐶 +𝑅𝐸

De la même façon, lorsque 𝑉𝐶𝐸 = 0𝑉, nous avons

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − (0𝑚𝐴)(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) et 𝑉𝐶𝐸 (𝑐𝑢𝑡𝑜𝑓𝑓) = 𝑉𝐶𝐶

Exemple I.6.
(a)Tracez la droite de charge sur la caractéristique du transistor de la Figure ci-dessous
(b) Si le point Q à l’intersection de la droite de charge avec un courant de base de 15 µA. Trouvez la
valeur de 𝐼𝐶 et 𝑉𝐶𝐸

(c) Trouvez β courant continu au point Q

(d) En utilisant β au point Q, déterminez la valeur requise de 𝑅𝐵 et suggérez une valeur standard
Solution
(a) les deux points requis pour tracer la
droite de charge
𝑉𝐶𝐶
A 𝑉𝐶𝐸 = 0 𝑉, 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = 𝑅 =
𝐶 +𝑅𝐸
18 𝑉
= 5,45 𝑚𝐴
2,2 𝐾Ω+1,1 𝐾Ω

A 𝐼𝐶 = 0 𝑚𝐴, 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 = 18 𝑉

La droite de charge résultante est

illustrée à la Figure ci-contre (Figure)
(b) de la caractéristique du transistor de
la Figure ci-dessous, nous avons

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 7,5 𝑉 et 𝐼𝐶𝑄 = 3,3 𝑚𝐴

(c) ce qui donne

𝐼𝐶𝑄 3,3 𝑚𝐴 3,3𝑥10−3 𝐴 3,3𝑥10−3 𝑥106 3,3𝑥103 3300

𝛽= = = = = = = 220
𝐼𝐵𝑄 15 𝜇𝐴 15𝑥10−6 𝐴 15 15 15

𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸 18 𝑉−0,7 𝑉

(d) 𝐼𝐵 = [𝑅𝐵 +(𝛽+1)𝑅𝐸 ]
=𝑅
𝐵 +(220+1)(1,1 𝐾Ω)

17,3 𝑉
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + 243,1 𝐾Ω
Or 𝐼𝐵 = 15 µ𝐴 = 0,015 𝑚𝐴
17,3 𝑉
0,015 𝑚A =
𝑅𝐵 + 243,1 𝐾Ω
(0,015𝑚𝐴. )𝑅𝐵 + (0,015𝑚𝐴)(243,1𝐾Ω) = 17,3 𝑉 → (0,015𝑚𝐴)𝑅𝐵 + 3,65𝑉 = 17,3 𝑉
17,3 𝑉 – 3,63 𝑉 13,65 𝑉
𝑅𝐵 = = = 911,3 𝐾Ω
0,015 𝑚𝐴 0,015 𝑚𝐴
On prendra la résistance normalisée de 910 KΩ

I.1.5. Polarisation par pont diviseur de tension

Pour les deux précédentes polarisations, les caractéristiques du transistor, 𝐼𝐶 et 𝑉𝐶𝐸 , varie avec β du
transistor. Or β varie avec la température, ce qui donne une instabilité de la valeur de β et par
conséquent le point de fonctionnement est affecté.
Le schéma de la polarisation par pont diviseur de tension est le suivant :
a. Analyse exacte
Pour l’analyse, en continu, ce schéma peut être décomposé comme le montre la Figure ci-contre. Le
côté d’entré du réseau peut être transformé en équivalent de Thévenin :

𝑅𝑇𝐻 : la résistance de Thevenin est la résistance vue à la base lorsque la source VCC est court-
circuitée (Confer la Figure ci-contre)
𝑅1 . 𝑅2
𝑅𝑇𝐻 = 𝑅1//𝑅2 =
𝑅1 + 𝑅2
𝑉𝑇𝐻 : la tension de Thévenin est la tension mesurée à la base lorsque le circuit est ouvert (confer la
Figure ci-contre). Elle est déterminée par la loi de diviseur de tension :
𝑉𝐶𝐶 . 𝑅2
𝑉𝑇𝐻 =
𝑅1 + 𝑅2
Maille d’entrée (maille base-émetteur)

Le réseau de Thévenin est dessiné à la Figure ci-contre et 𝐼𝐵 peut être déterminé en appliquant la loi
de Kirchhoff pour les tensions de la maille base-émetteur :

+𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑉𝑅𝐸 = 0

En substituant la valeur de 𝑉𝑅𝐵 et 𝑉𝑅𝐸 par la loi d’Ohm, cela donne :

+𝑉𝑇𝐻 − 𝐼𝐵 . 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸

Avec 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 et en remplaçant 𝐼𝐸 par sa valeur nous obtenons

+𝑉𝑇𝐻 − 𝐼𝐵 . 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − (𝛽 + 1)𝐼𝐵 . 𝑅𝐸

En groupant les termes en 𝐼𝐵 par une mise en évidence, nous avons

+𝑉𝑇𝐻 − 𝐼𝐵 [𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 ] − 𝑉𝐵𝐸 = 0

En amenant les termes en 𝐼𝐵 dans le second membre de l’égalité, on a

𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐵 [𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 ]

Et finalement, en résolvant cette équation en 𝐼𝐵 , nous avons :

𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸
La relation liant le courant de base au courant collecteur est

𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵
Maille de sortie
Le circuit de la maille de sortie reste le même que celui de la polarisation stabilisée par l’émetteur.
En appliquant la loi de Kirchhoff pour les tensions de sortie, nous avons

+𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝑅𝐸

Comme 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 , nous allons substituer la valeur de 𝐼𝐸 par 𝐼𝐶 et en groupant les termes en 𝐼𝐶 , nous
trouvons

𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐶 . 𝑅𝐸 = 0

𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) − 𝑉𝐶𝐸

Et en résolvant cette équation pour 𝑉𝐶𝐸 , nous obtenons

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

Exemple I.7.

Déterminez la tension de polarisation continue 𝑉𝐶𝐸 et le courant 𝐼𝐶 pour le pont diviseur de tension
de la Figure ci-contre
Solution
𝑅1 . 𝑅2 (39𝐾Ω)(3,9𝐾Ω) 152,1
𝑅𝑇𝐻 = = = = 3,54𝐾Ω ≅ 3,55𝐾Ω
𝑅1 + 𝑅2 39𝐾Ω + 3,9𝐾Ω 42,9
𝑉𝐶𝐶 . 𝑅2 (22𝑉)(3,9𝐾Ω) 85,8
𝑉𝑇𝐻 = = = = 2𝑉
𝑅1 + 𝑅2 39𝐾Ω + 3,9𝐾Ω 42,9
𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸 2 𝑉 – 0,7 𝑉 1,3 𝑉
𝐼𝐵 = = =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 3,55𝐾Ω + (140 + 1)(1,5𝐾Ω) 3,55𝐾Ω + (141)(1,5𝐾Ω)
1,3 𝑉 1,3 𝑉
= = /= 0,00605 𝑚𝐴 = 6 µ𝐴
3,55𝐾Ω + 211,5 𝐾Ω 215,05 𝐾Ω
𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 = (140)(0,00605 𝑚𝐴) = 0,847 𝑚𝐴 = 0,85 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 22𝑉 − (0,85 𝑚𝐴)(10𝐾Ω + 1,5𝐾Ω) = 22𝑉 − (0,85 𝑚𝐴)(11,5𝐾Ω)

= 22𝑉 − 9,775 = 12,225𝑉

b. Analyse approchée
La section d’entrée de la configuration du pont diviseur de tension peut être représentée par
la Figure ci-contre. La résistance 𝑅𝑖 est la résistance équivalente entre la base et la masse du transistor
avec 𝑅𝐸 la résistance d’émetteur.

La résistance d’émetteur vue par le circuit d’entré est 𝑅𝑖 = (𝛽 + 1)𝑅𝐸

Pour appliquer la méthode approcher, il faut que la condition suivante soit remplie pleinement

𝑅𝑖 >>> 𝑅2 et 𝐼𝐵 >>> 𝐼2

Le courant cherche toujours le chemin le moins résistant, 𝐼2 sera approximativement égale à 𝐼1 et 𝐼𝐵

sera approximativement nul par rapport à 𝐼1 et 𝐼2 .

La tension aux bornes de 𝑅2 (𝑉𝑅2) est maintenant la tension de base (𝑉𝐵 ) que nous déterminons par
la loi de diviseur de tension
𝑉𝐶𝐶 . 𝑅2
𝑉𝐵 = 𝑉𝑅2 =
𝑅1 + 𝑅2
Comme 𝑅𝑖 = (𝛽 + 1)𝑅𝐸 = 𝛽. 𝑅𝐸 , la condition qui définira si l’analyse approchée peut être appliquée
est la suivante

𝛽. 𝑅𝐸 ≥ 10. 𝑅2

En d’autres termes, si la valeur de 𝛽. 𝑅𝐸 est au moins 10 fois supérieure à la valeur de𝑅2 , une analyse
approchée peut être appliquée avec un degré élevé de précision.

Une fois 𝑉𝐵 déterminé, la tension d’émetteur peut être calculée par

𝑉𝐸 = 𝑉𝑅𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
Et le courant émetteur se détermine par la loi d’ohm
𝑉𝐸
𝐼𝐸 = et 𝐼𝐶𝑄 = 𝐼𝐸
𝑅𝐸

La tension collecteur émetteur reste toujours déterminer par la même formule que l’analyse exacte

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

N.B. La valeur de 𝐼𝐶 et de 𝑉𝐶𝐸 ne dépend plus de 𝛽, ce qui donne une stabilité de cette polarisation.
Exemple I.8.

Utilisez l’analyse approchée pour calculer 𝐼𝐶 et 𝑉𝐶𝐸 de l’exemple I.7.

Solution

Vérification de la condition

𝛽. 𝑅𝐸 ≥ 10. 𝑅2

(140)(1,5 𝐾Ω) ≥ (10)(3,9 𝐾Ω)

210 𝐾Ω ≥ 39 𝐾Ω (𝑠𝑎𝑡𝑖𝑠𝑓𝑎𝑖𝑡𝑒)
𝑉𝐶𝐶 . 𝑅2 (20 𝑉)(3,9 𝐾Ω)
𝑉𝐵 = 𝑉𝑅2 = = = 2𝑉
𝑅1 + 𝑅2 39 𝐾Ω + 3,9 𝐾Ω

𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 2 𝑉 – 0,7 𝑉 = 1,3 𝑉

𝑉𝐸 1,3 𝑉
𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸 = = = 0,867 𝑚𝐴
𝑅𝐸 1,5 𝐾Ω

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )20 𝑉 − (0,867 𝑚𝐴)(10𝐾Ω + 1,5𝐾Ω) = 20 𝑉 − (0,867 𝑚𝐴)(11,5𝐾Ω)

= 20𝑉 − 9,9705 𝑉 = 10,0295 𝑉 = 10,03 𝑉

I.1.6. Polarisation par rétroaction au collecteur

Le niveau de stabilité amélioré peut également être obtenu en introduisant un chemin de
rétroaction du collecteur à la base comme indique la Figure suivante
Bien que le point de fonctionnement dépend de β, la sensibilité aux changements de β ou aux
changements de température sont normalement inférieurs à celle rencontrée pour la configuration de
la polarisation par la base ou stabilisée par l’émetteur.

Maille d’entrée (base-émetteur)

La Figure ci-contre donne la maille base-émetteur. En appliquant la loi de Kirchhoff pour
les tensions de la maille base-émetteur, nous avons

+𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐶 − 𝑉𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑉𝑅𝐸 = 0

En substituant la loi d’Ohm pour chaque résistance, nous avons

+𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ′ . 𝑅𝐶 + 𝐼𝐵 . 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 = 0

Il est important de noter que le courant qui traverse 𝑅𝐶 n’est pas 𝐼𝐶 mais 𝐼𝐶 ′ . 𝐼𝐶 ′ = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 = 𝐼𝐸 , mais
dans l’approximation nous allons considérer la résistance 𝑅𝐶 est 𝐼𝐶 et 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 = (𝛽. 𝐼𝐵 ) car 𝐼𝐵 est très
faible devant 𝐼𝐶 (𝐼𝐵 >>> 𝐼𝐶 ) et en substituant la valeur de 𝐼𝐶 ′ à 𝐼𝐶 cela donne

+𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 − 𝐼𝐵 . 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 = 0

Comme 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 , nous avons

+𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 − 𝐼𝐵 . 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐸 = 0

Et en substituant la valeur de 𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵

+𝑉𝐶𝐶 − 𝛽. 𝐼𝐵 . 𝑅𝐶 − 𝐼𝐵 . 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝛽. 𝐼𝐵 . 𝑅𝐸 = 0

En groupant les termes à 𝐼𝐵 et en résolvant pour 𝐼𝐵 nous obtenons

+𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 [𝑅𝐵 − 𝛽. 𝑅𝐶 − 𝛽. 𝑅𝐸 ] − 𝑉𝐵𝐸 = 0 → 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 [𝑅𝐵 + 𝛽(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )] − 𝑉𝐵𝐸 = 0

𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = et 𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵
𝑅𝐵 +𝛽(𝑅𝐶 +𝑅𝐸 )

Maille de sortie (collecteur-émetteur)

En appliquant la loi de Kirchhoff pour les tensions de la maille de sortie de la Figure ci-contre avec
𝐼𝐶’ = 𝐼𝐶 , ce qui donne

+𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝑅𝐸 = 0 → +𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 = 0

Avec 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 et en groupant les termes en 𝐼𝐶 , cela donne

+𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐸 = 0

+𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) − 𝑉𝐶𝐸 = 0

En résolvant cette équation pour 𝑉𝐶𝐸 , nous obtenons

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

C’est exactement la même qu’avec le pont diviseur de tension
Exemple I.9.
Déterminons le niveau de 𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 et 𝑉𝐶𝐸 pour la Figure ci-contre. Déterminez également 𝑉𝐸 , 𝑉𝐵 , 𝑉𝐶 et
𝑉𝐵𝐶 .

Solution

𝑉𝐶𝐶 = 10 𝑉 𝐼𝐵 = ? µ𝐴 𝑉𝐶 = ? 𝑉

𝑅𝐵 = 250 𝐾Ω 𝐼𝐶 = ? 𝑚𝐴 𝑉𝐵𝐶 = ? 𝑉

𝑅𝐶 = 4,7 𝐾Ω 𝑉𝐶𝐸 = ? 𝑉

𝑅𝐸 = 1,2 𝐾Ω 𝑉𝐸 = ? 𝑉

𝛽 = 90 𝑉𝐵 = ? 𝑉
Formules + Calculs
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 10 𝑉 − 0,7 𝑉 9,3𝑉
𝐼𝐵 = 𝐼𝐵 = = =
𝑅𝐵 + 𝛽(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) 250 𝐾Ω + (90)(4,7 𝐾Ω + 1,2 𝐾Ω) 250 𝐾Ω + (90)(5,9 𝐾Ω)
9,3 𝑉 9,3 𝑉
= = = 0,0119𝑚𝐴 = 11,9µ𝐴
250 𝐾Ω + 531 𝐾Ω 781 𝐾Ω
𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 = (90)(0,0119𝑚𝐴) = 1,071𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 10 𝑉 − (1,071 𝑚𝐴)(4,7 𝐾Ω + 1,2 𝐾Ω)

= 10𝑉 − (1,071𝑚𝐴)(5,9𝐾Ω) = 10𝑉 − 6,3189 = 3,68𝑉

𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸 = 𝐼𝐶 . 𝑅𝐸 = (1,071 𝑚𝐴)(1,2 𝐾Ω) = 1,285 𝑉

𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸 = 0,7 𝑉 + 1,285 𝑉 = 1,985 𝑉

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 = 3,68 𝑉 + 1,285 𝑉 = 4,965 𝑉

𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐶 = 1,985 𝑉 − 4,965 𝑉 = −2,98 𝑉 (𝑟𝑒𝑞𝑢𝑖𝑠)

 SOMMAIRE
CHAPITRE I : RAPPELS SUR LA POLARISATION DES TRANSISTORS ........................... 1
I.1. TRANSISTORS BIPOLAIRES ................................................................................................ 2
I.1. Introduction............................................................................................................................ 2
I.1.2. Point de fonctionnement ..................................................................................................... 2
I.1.3. Polarisation par résistance de base ..................................................................................... 2
TP N°1/1ère période ...................................................................................................................... 6
I.1.4. Polarisation stabilisée par l’émetteur .................................................................................. 6
I.1.5. Polarisation par pont diviseur de tension .......................................................................... 11
SOMMAIRE ..................................................................................................................................... 17