TD4 : régime sinusoïdal

Exercice 1 : Circuit à double C.

On considère le circuit suivant.
e1 (t )  E 2 cos(t ) .
e2 (t )  E 2 sin(t )
i (t )  I 2 cos(t   ) .
Exprimer i(t) par les deux méthodes suivantes :
a) Loi des nœuds en terme de potentiels.
b) En ramenant le circuit à une seul maille.
Exercice 2 : Comportement fréquentielle d’un circuit.
On considère le circuit suivant. e(t) est un signal sinusoïdal délivré par un générateur basses
fréquences de forme : e(t )  E 2 cos(t ) . Sachant que i (t )  I 2 cos(t   ) .
1) Déterminer l’impédance complexe du dipôle AB.
2) Exprimer L en fonction de R , C et  pour que ce dipôle AB
est équivalent à un résistor pure.
3) Calculer L sachant que R = 100 Ω, C = 100/3 µF et ω = 400 rad.s−1 .
4) On suppose que E = 180 V . Calculer l’amplitude de l’intensité
du courant I dans la bobine.
5) Calculer les amplitudes des différences de potentiel UAD et UDB.
6) Calculer les amplitudes des intensités des courants IR et IC circulant respectivement dans la
résistance et dans le condensateur.
Exercice 3 : Pont de Wheatstone
Pour déterminer expérimentalement les caractéristiques d’une
bobine réelle on considère le "pont de Wheatstone" alimenté par un
générateur de tension sinusoïdale e (t )  E 2e jt , de pulsation  .
Le pont est dit équilibré si UAB = 0. On prend VM = 0.

1) Quelle est la valeur du potentiel complexe en N ?

2) Exprimer le potentiel complexe en B puis en A à l’aide de
la loi du diviseur de tension et à l’aide du théorème de
MILLMAN.
3) A l’équilibre du pont montrer que : R1.R2  Z R // C .Z Lr .
4) Déterminer alors r en fonction de R1 , R2 et R et L en fonction de R1 , R2 et C .

Exercice 4 : Filtre de Wien

En régime sinusoïdal forcé montrer que la fonction de

u
transfert défini H  s du circuit à coté est donnée par :
ue
Ho
H
  
1  jQ   o 
 o  
Exprimer alors Ho , Q et o .

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Exercice 5 : Régime sinusoïdal forcé d’un circuit du 2ème orde.
On considère le circuit suivant. e(t) est un signal sinusoïdal délivré par un générateur basses
fréquences de forme : e(t )  E 2 cos(t )

i(t)
R1
C
e(t) R2 u(t)
L

On donne pour simplifier le calcul :

1
R1 = R 2 = R = =L . Et pour l’application numérique on prend : E  20 V et R  100
C
1. Déterminer les impédances complexes respectives Z1 et Z 2 des dipôles suivants :
- Résistance R en série avec un condensateur de capacité C.
- Résistance R en parallèle avec une bobine de coefficient d’auto-induction L.
Faites l’application numérique. On donne R  100
2. En appliquant la loi des diviseurs de tension exprimer U en fonction de E et R .
3. En déduire l’expression de l’intensité du courant i(t). Faites l’application numérique.
Exercice 6 : Structure double T.
On considère le circuit suivant attaquée par un GBF délivrant un signal e(t) sinusoïdal
La sortie du circuit est ouverte ( is nul).
On pose x  RC

is = 0

e(t) s(t)

1) Appliquer le théorème de MILLMAN en A et déduire une relation liant vA , e et s .

2) Déterminer de même une relation liant vB , e et s .
3) Appliquer le théorème de MILLMAN en D et déduire une relation liant vA , vB et s .
s 1  x2
4) Montrer que le rapport noté H est donné par : H ( x) 
e 1  x 2  4 jx