CoursTartarin STRI TRI L3 2024 Part3

1/17/2024
PLAN DU COURS
I - INTRO aux liaisons hertziennes – (télé–communications !)

(cas particulier, le satellite LOS – évocation de situations NLOS)
Automotive systems Cellphone coverage (indoor/outdoor/car)

II - les principaux systèmes actifs hyperfréquences
(modulation et démodulation)
III – les technologies actives en quelques notions

(transistors bipolaires et à effet de champs avancés)
SATCOMs and RADARs
IV - les circuits actifs de l’électronique des
microondes
(Amplificateurs bas niveau et de puissance, oscillateurs fixes et accordables, mélangeurs de fréquence)
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 141
Circuits Hybride (HMIC) et MMIC

Alumina substrate
IN/OUT matching 3 stages version
Two main circuit declination :
MIC or hybrid circuits :

MIC Microwave Integrated Circuit
(also declined as HMIC, MHMIC, …) HEMT device (flip-chip)
InGaAlN/GaAs Thales III-V Lab
few cm²
LNA circuit (LAAS-CNRS)
MIC : Low Noise Amplifier (30 GHz)
GaAs pHEMT
Monolithic Integrated Circuits (MIMIX)
MMIC Microwave Monolithic
Integrated Circuit
GaN HEMT
few 100 µm² to mm² (LAAS-CNRS & OMMIC)
(pictures 0,9 mm²
and 0,7mm² )
MMIC : Low Noise Amplifiers (30 GHz
and 10 GHz)
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
1
1/17/2024
ACTIVE CIRCUIT : LOAD LINE (all circuits)

(LINEAR & NON-LINEAR)
DC and Harmonic Balanced (HB) simulators are used to plot dynamic load line of a device.
During this phase of the study you can change :
-the gate voltage range and step / the drain voltage biasing condition
-the input RF power
-the output load impedance (or reflexion coeff.) Dynamic load line
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
ACTIVE CIRCUIT : LOAD LINE (all circuits)

(LINEAR & NON-LINEAR)
Small Signal when Large Signal when Non-

Linear relationship Linear relationship
binds input to binds input to output
output electrical electrical signals
signals (x2, x3, …xn with
(same -and only- Fourrier representation
sinusIN - sinusOUT) between sinusIN -
sinusOUT)
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
2
1/17/2024
ACTIVE LINEAR CIRCUITS
PIN
@ 14 GHz POUT
@ 16 GHz @ 14 GHz
@ 16 GHz
@ 18 GHz IN Quadripôle linéaire OUT @ 18 GHz
Mode de fonctionnement en petit-signal (LINÉAIRE)
-ampli = perf. linéaires (gain, adaptation, stabilité, bruit …) Perf. Indépendantes

de l’amplitude du
-filtres = perf. (pertes, adaptation) signal d’entrée
-oscillateurs = conditions d’entretien des oscillations

(Circuits N.Linéaires)
-mélangeurs = adaptation
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
ACTIVE LINEAR CIRCUITS
PIN
@ 14 GHz POUT
@ 16 GHz @ 14 GHz
@ 16 GHz
@ 18 GHz IN Quadripôle linéaire OUT @ 18 GHz
Mode de fonctionnement en petit-signal (LINÉAIRE)
-ampli = perf. linéaires (gain, adaptation, stabilité, bruit …) Perf. Indépendantes

de l’amplitude du
-filtres = perf. (pertes, adaptation) signal d’entrée
-oscillateurs = conditions d’entretien des oscillations

(Circuits N.Linéaires)
-mélangeurs = adaptation
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
3
1/17/2024
ACTIVE LINEAR & NON-LINEAR CIRCUITS

f0 f0
DC 2f0
3f0
f2
Système f2
f1
non-linéaire ……. f1 …….
2f1-f2 2f2-f1
Mode de fonctionnement en fort-signal (NON-LINÉAIRE)

-ampli = saturation et distorsion (gain, puissance), intermode, rendement Padded, …
-oscillateurs = démarrage des oscillations, conversion bruit BF bruit de phase
-mélangeurs = transposition des fréquences par non-linéarité

-RF vers FI conversion récepteur, Perf. dépendantes
-FI vers RF conversion émetteur. de l’amplitude du
signal d’entrée
-doubleurs, tripleurs de fréquence, …
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LAAS-CNRS

Non-linéarités nuisibles ou VS .  A.VE  B.VE2  C.VE3  ...
non-linéarités exploitées (bénéfiques) VE VS
selon application Ampli N.L
Si VE .  V1. cos(1.t )  V2 . cos(2 .t )
Alors:
VS .  A  V1  cos(1t )  A  V2  cos(2t ) Signaux fondamentaux
B 2 2 B 2 B Harmonique 2
 (V1  V2 )   V1  cos(21t )   V22 . cos(22t ) (multiplieur de fréquence)
2 2 2
DC  B  V1  V2  cos(1  2 )t   B  V1  V2  cos(1  2 )t  Prod. Intermod. 2 (convertisseur
de fréquence infra / supradyne)
C 3 C Harmonique 3
  V1  cos(31t )   V23  cos(32t )
4 4 (tripleur de fréquence)
3C 2 3C 2
  V1  V2  cos( 21  2 )t    V1  V2  cos(21  2 )t 
4 4
3C 3C Prod. Intermod. 3 (toujours nuisibles)
  V  V22  cos(1  22 )t    V  V22  cos(1  22 )t 
4 1 4 1
3C 3C Compression des fondamentaux
  (V13  V2V12 )  cos(1t )   (V12  V2  V23 )  cos(2t )  ... « il ne faut pas toucher aux fondamentaux »
4 4 G. Novès
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4
1/17/2024
DUAL TIME-FREQUENCY REPRESENTATION

(Steady state)
Moivre or Euler formulas
(inverse) Fast Fourier Transform FFT(-1)
V
Time domain Linearizing Vn (co)sinus signals Frequency domain

measurements cos²(s)=1+cos(2x)/2 measurements
cos(a).cos(b)=1/2.cos(a+b)+1/2.cos(a-b)
Cos(-x)=cos(x)
…
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
5
1/17/2024
Régime de fonctionnement linéaire/non-linéaire

d’un amplificateur : compression
34
Pe Ps (A.Spectre)
32
IP3 On vérifie
30 généralement que :
28
26 IP3- P1dB ~ 10 dB
Ps , Ps3 en dBm
24 P1dB Ps (Pe )
1 dB
22
20 Ps3(Pe1)
18
Pente 1
16 Zone de Pente 3
fonctionnement
14 linéaire (petits
12 signaux)
10
Pe, Pe1 ou
8 0 5 10 15 20 25 30 Pe3 en dBm
Amplificateur
f1 Pe1 sous test
Mesures
Ce point correspond à une amplitude Combineur
Ps3 à 2f2-f1
d’entrée donnée par A = (aH1/H3)1/2 de puissance
ou 2f1-f2
avec a = 4/3(10-1/20-1) f2 Pe2
Principe expérimental
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
Produits d’intermodulation en sortie d’un amplificateur
PS O dBm
PI3
Ordre 3 croit en P3
PI3 = -47 dBm Fondamental croit en P1
+5 dB IN
 +5 dB fondamental
PS  +15 dB IP3
PI3
37 dB réjection pour PS Fond=+5 dBm
+5 dB IN
 +5 dB fondamental
 +15 dB IP3
PS
Attention,
PI3 20 dB réjection pour PS Fond=+10 dBm
dernier
graphe en
compression Relation :
IP3 @20 3.PS-PI3=2.Pint
dBm
IP3=Pint=23.5 dBm
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1/17/2024
AMPLIFIERS : required characteristics

Les caractéristiques requises pour les amplificateurs HF concernent :
-La bande de fréquence d’utilisation (sur laquelle ils doivent être adaptés E-S)
-Le niveau de gain et l’ondulation de celui-çi dans la bande de fréquence considérée
-L’isolation
-La stabilité inconditionnelle de l’amplificateur (afin d’éviter tout risque d’oscillation, voire de
destruction)
-Le facteur de bruit linéaire HF de l’amplificateur (essentiellement pour LNA)
-Le point de compression à 1dB P1dB et l’intermode d’orde 3 IIP3 (OIP3) (essentiellement PA)
-le rendement en puissance ajoutée (SSPA)
-La consommation DC et les spécifications environnementales (encombrement, les dérives

thermiques –gamme température de fonctionnement et de stockage, …)
J.G Tartarin,
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Amplification de signaux microondes
Plusieurs familles d’amplificateurs:

Ampli faible bruit
Ampli de moyenne / forte puissance
Ampli à gain élevé
Ampli à gain contrôlé
Ampli Op.
… IMPACTE SUR LA CONCEPTION
généralement conception multi-étage
Qui se déclinent sous plusieurs sous catégories:
Bande étroite/Large bande
Faible conso
Polar unique (positive) Il existe ainsi de nombreuses déclinaisons
Différentiel d’amplificateurs!
…
Ampli ‘idéal’
A1 A2 A3
NF (LNA+fort gain+PA+…)
NF NF
G G G
P1dB P1dB, IP3 P1dB, IP3
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1/17/2024
Amplificateurs RF :
quelques classes d’amplification
Classe A
Classe AB / B/ C : le point de repos change

(angle de conduction du transistor varie).
Il faut alors filtrer le signal de sortie pour
conserver un signal sinusoïdal
Classe B
Angle de conduction , rendement PAE

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
Amplificateurs RF : quelques classes d’amplification
Classe C
(Cf. circuit classe B)
Il existe aussi classes D & E
Classe F
Signal entrée : carré (transistor fonctionne en

commutation, J, J inversé …).
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
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1/17/2024
AMPLIFICATEUR CLASSE A
> Class A étage de sortie = amplificateur de courant simple linéaire.
> Également très peu efficace, avec des rendements max. entre 10 et 20 %.
> Seulement valable pour des applications “faible puissance” et FAIBLE BRUIT (récepteurs :
les fortes puissances nécessitent des rendements bien meilleurs.
POURQUOI L’AMPLIFICATEUR ‘CLASSE A’ EST-IL PEU EFFICACE ?
• La conduction n’opère que dans une direction

(transistor unique).
• Le courant de repos D.C. doit gérer les signaux d’amplitude négative.
• Au moins 75 % de la puissance d’alimentation PDC est dissipée par effet joule (PTH).
• Pour améliorer le rendement, il faut éliminer (réduire !) le courant de polarisation.
J.G Tartarin,
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Caractéristique de transfert
Ib= 220 µA
Point de repos
Ib=120 µA
Ib= 20 µA
Un émetteur suiveur (Q1) est polarisé à courant constant I fourni

par le transistor Q2.
Caractéristique de transfert de l’émetteur suiveur : cette

caractéristique linéaire est obtenue en négligeant la modification de
vBE1 avec iL. Le maximum de sortie positive est déterminé par la
saturation de Q1 Dans la direction négative, la limite de la région
linéaire est obtenue à la fois en éteignant Q1 ou en saturant Q2 selon
les valeurs de I et RL.
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
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1/17/2024
Caractéristique de transfert
1 2
Diagrammes temporels des

différents noeuds
Vvot
() 0
0(t) VvcE1
(t) 1
CE1(t)
1 0
0 5 10 0 5 10
t t
2
1
ic1ic1t
() 1
(t) PD1pD1
(t)(t) 0.5
0
0 5 10 0
0 5 10
t
t
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AMPLIFICATEUR CLASSE B
Iout
temps
IC1
temps
> Q1 & Q2 sont en configuration emetteur suiveur (npn/pnp).

IC2
 Q1 conduit uniquement lorsque l’entrée est en
alternance positive.
 Q2 conduit uniquement lorsque l’entrée est en
alternance négative temps
> L’angle de conduction est donc de 180°
> Pour une tension d’entrée nulle, pas de conduction •Pic de rendement du classe B (étage de
(attention, crossover Q1 & Q2) sortie) à 78.5 % (bien supérieur à classe A)
> i.e. la dissipation du point de repos est zero
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1/17/2024
CLASSES D’AMPLIFICATEURS
Amplificateur de puissance (Power Amplifier)
Classe A
Quand un amplificateur fonctionne en Classe A, il est polarisé à la moitié de son courant de saturation. La sortie conduit
pendant les 360 degrés de phase du signal d’entrée sinusoïdal. Le Classe A ne donne pas le meilleur rendement en puissance,
mais fournit la meilleure linéarité. En théorie, un rendement de drain de 50% est possible en Classe A. En pratique, il est
compris entre 10 et 20%.
Classe B
En Classe B, l’amplificateur de puissance est polarisé au point où le courant est proche de zéro. Pour un FET, cela signifie près
de la tension de pincement. Durant la moitié de la sinusoïde du signal d’entrée, le transistor conduit, mais pas pendant l’autre
demi-période. Le Classe B peut être efficace, avec des rendements théoriques de 80 à 85% selon les caractéristiques de sortie
I-V du FET. Toutefois, une perte de six dB de gain est obtenue lorsque l’on passe de la classe A à la classe B, donc si le
rendement en puissance ajoutée est importante, le choix du point de repos est délicat.
Classe AB
La plupart des amplificateurs microondes opèrent entre deux classes répondant à des compromis, le classe A (grande
linéarité) et le classe B (fort rendement). Ce cas compromis, appelé classe AB, la sortie conduit pendant plus de 180° du signal
sinusoïdal d’entrée, mais pas pendant les 360°.
Classe C
Le Classe C apparaît lorsque le dispositif (transistor) est polarisé de manière à ce que la sortie conduise durant moins de 180°
du signal sinusoïdal d’entrée. Ceci peut être plus efficace que l’opération en classe B, mais la distorsion est pire. La puissance
de sortie et le gain sont également dégradés. Le classe C n’est pratiquement jamais utilisé dans les amplificateurs microondes.
Classes D, E and F
La plupart de ces classes d’amplificateurs de puissance deviennent de plus en plus singulières, avec un soin particulier apporté
aux harmoniques.
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
classes d’amplification : récapitulatif
Solid state (SSPA) Tube type (TWTA)

Frequency band
L-band through C-band
X-band 20 watts (GaN device) 3000 watts (TWT)
Ka-band 11 watts (0.15 um PHEMT devices) 1000 watts (klystron)
Q-band 7 watts
W-band 0.5 watts (TRW) 1000 watts (EIKA)
D-band ?
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LAAS-CNRS
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1/17/2024
Amplification de signaux microondes

Techniques d’adaptation linéaire inter-étages : ex. d’adaptation large bande à 2 étages
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LAAS-CNRS
LOW NOISE AMPLIFIERS

X-band (8-12 GHz) GaN LNA
LAAS-OMMIC
0,4x1,2 mm²
Ka-band (29-31 GHz) GaN LNA

LAAS-THALES R&T
1,8 cm²
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Hybrid GaN LNA designed in Ka-band

(SatCOM applications @ 30 GHz)
 Small Signal & noise modeling

of the HEMT
Intrinsic cell
 Electrical and EM HF simulations Parasitic cell
@29,5 GHz (IN

mismatch)
F50 = 3.2dB (max
3.9 dB over 4
LNAs)
Gain = 6,1dB (up to
6,7 dB)
P1dB= 10 dBm
(input 5 dBm)
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
LNA DESIGN: start with [S] and noise param.
After raw
selection of DC
biasing:
- Plot the [S] and

electrical noise
parameters,
-Select the sizing
and refine the
biasing
-start with design
…
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1/17/2024
LNA DESIGN: LUMPED ELEMENTS IMN-OMN
IMN alone
OMN alone
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S12 incidence
(parallel feedback !)
IMN/OMN together
In spite of many efforts/optimization (under designer control !)
IMPOSSIBLE TO MATCH IMN-OMN TOGETHER
WHY ?
Let’s give freedom to IMN while optimizing OMN
Let’s give freedom to OMN parameters during IMN design
Lserial-input is needed to be lower for OMN than expected for IMN

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14
1/17/2024
Same network without high

Same Lin (feedback) Lin (j.Lfeedback. <<Zout)
thanks to gm
Lfeedback releases
design constraints
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HIGH GAIN / HIGH POWER / HIGH LINEARITY

AMPLIFIERS
From MACOM portfolio (same technology, different applications & performances
High gain Amplifier

(0,5W, 20dB gain, 8-12 GHz) low DC power
High gain Amplifier Power Amplifier (2W, 18 dB gain, 12-15 GHz) high DC power
(0,15W, 8dB gain, 2-18 GHz ) medium DC power
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LAAS-CNRS
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1/17/2024
DISTRIBUTED AMPLIFIER
Large bandwidth BUT DC energy, noise and size are not competitive versus other topologies
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LAAS-CNRS
POWER AMPLIFIER
DC biasing (G & D) for 1st and 2nd amplification stages
Lange couplers
In /Out
C S I C 2 0 0 5 Digest
Ka-Band GaN MMIC power amplifier (11 W @ 34 GHz, SSPA for Sat. Com. Systems requirements).
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LAAS-CNRS
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Gamme d’amplificateurs microondes MACOM :

Amplificateur faible bruit (LNA low noise amplifier)
Applications principales
♦ Radar météo
♦ Radar aéronautique
♦ Communications Satellite
♦ Radio Pt. à Pt.
caractéristiques
♦ 2.9 dB Noise Figure
♦ Gain 11dB
♦ VSWRIN=1.9:1 VSWROUT=1.7:1
♦ P1dB = 12dBm
♦ OIP3=23 dBm
♦ Opération 11.0-16.0 GHz
♦ process auto aligné MSAG® MESFET
♦ tension DC ajustable (Vd = 3-5V)
Ref : M/A COM (MAALGM0004 Die)

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS

Amplificateur fort gain
Applications :
-point to point radio
-RADAR
(militaire et météo)
♦ Opération 8.0-12.5 GHz

♦ 0.5 Watt Saturated Output Power Level (Pout=26dBm)
♦ Gain 20 dB
♦ NF 8 dB
♦ Variable Drain Voltage (4-10V) Operation
♦ Self-Aligned MSAG® MESFET Process
♦ PAE=35 %
Ref : M/A COM (MAAPGM0034 Die)

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
17
1/17/2024

Amplificateur distribué large bande
Amplificateur distribué
♦ 0.15 Watt Saturated Output Power Level

♦ freq. Bandwith 2-18 GHz,
♦ Gain 8 dB, NF 6 dB, VSWR IN-OUT 2.0:1
♦ Single Bias Operation
♦ GaAs MSAG™ Process
♦ Proven Manufacturability and Reliability
No Airbridges
Polyimide Scratch Protection
No Hydrogen Poisoning Susceptibility
Ref : M/A COM (MAAMGM0007 Die) J.G Tartarin,
LAAS-CNRS

Amplificateur distribué large bande (perf. -)
Amplificateur distribué (puissance +)
2,000 - 13,000 MHz Operating Frequency

Gain = 7.00 dB
NF=8dB
Output P1 = 30.0 dBm
Bias = 10/-2 V
900 mA Current
Ref : M/A COM (MAAMGM0057 Die) J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
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1/17/2024

Amplificateur de puissance (PA power amplifier)
Amplificateur de puissance 3 étages

(SatCom, pt to pt radio)
Optimisés sur :
-étage 1 : gain, adapt E + puissance, linéarité,…
-étage 2 : gain, linéarité,…
-étage 3 : gain, linéarité, adapt S + puissance…
Ét.1 Ét.2 Ét.3
♦ 12.0-15.5 GHz Operation

♦ Gain=18 dB
♦ 2 W Saturated Output Power Level (Pout=33dBm)
♦ PAE=25%
♦ VSWR = 1.5:1
♦ Self-Aligned MSAG® MESFET Process
Ref : M/A COM (MAAPGM0018 Die) J.G Tartarin,

LAAS-CNRS

CDMA signal simulation
ACPR, PAE, POUT & Gain simulation
POUT - PIN (x100 if expressed in %)

PAE=
PDC
POUT
h= can be used when POUT>>PIN
PDC
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LAAS-CNRS
19
1/17/2024
Also considering begin of life,

middle & end of life simulations
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
Simulation non-linéaire de transistor bipolaire :

domaine temporel
TRANSIENT
Tran
Var
Eqn VAR
Tran1
VAR1 V_DC R
StartTime=0.0 nsec
Lin=1.25358 noopt{ 1 to 4 } SRC1 R3
StopTime=10.0 nsec
Lout=5.00281 noopt{ 5 to 12 } Vdc=9.5 V R=Rout Ohm
MaxTimeStep=0.1 nsec
Rp=486.464 noopt{ 300 to 500 }
Freq[1]=1.0 GHz
Rpp=10*Rp R
Rout=50.9311 noopt{ 10 to 100 } L
R1
R=Rpp Ohm L2
L=Lout nH
R
R=0.01
R4 Chip Model
R=50 Ohm for LNA
sortie
C
entree Base T erm
C2
C=100 pF T erm2
C
VtSine Num=2
C1
L Z=50 Ohm
SRC2 C=100 pF R BJTransistor
Vdc=0 V L1 X1
R2
L=Lin nH
Amplitude=0.01 V R=Rp Ohm
R=
Freq=1 GHz
Delay=0 nsec
Damping=0
Phase=0
Remarque : Amplificateur identique à celui utilisé en régime petit-signal

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
20
1/17/2024

domaine temporel
Origine de la distorsion de signal sur Vin?
-adaptation? Non
-non-linéarité de jonction BE par le biais
du pont diviseur en entrée? Oui
(méthode de vérification…)
Amplitude géné 0.2V

(conditions petit-signal,
+transitoire) out
in
@ 1GHz
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS

domaine temporel
TRANSIENT
Tran
Tran1
StartTime=0.0 nsec
StopTime=10.0 nsec
Freq[1]=1.0 GHz

(conditions petit-signal,
+transitoire)
@1.5GHz, bde fréq. adaptée

(pas géré en temporel)
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
21
1/17/2024

domaine temporel
TRANSIENT
Tran
Tran1
StartTime=0.0 nsec
StopTime=10.0 nsec
Freq[1]=1.0 GHz
S’affranchir du régime transitoire

pour retrouver le bon
comportement harmonique par
transformées directe et inverse.
ADS offre plusieurs solutions:

-par définition des bonnes
conditions de départ
-par filtrage
-fonctions dédiées spécifiques
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LAAS-CNRS

domaine temporel
TRANSIENT
Tran
Tran1
StartTime=2.0 nsec
StopTime=10.0 nsec
Freq[1]=1.0 GHz
Il existe d’autres fonctions pour définir

les fenêtres des transformations des spectres
(Hamming, Hanning, Gaussian,
Kaiser, Blackman-Harris,…)
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LAAS-CNRS
22
1/17/2024

balance harmonique (HB)
HARMONIC BALANCE
HarmonicBalance
HB1
Freq[1]=1.0 GHz
Order[1]=5
FundOversample=1
R
R1
R=Rpp Ohm
Chip Model
for LNA
entree Base
C
P_1Tone C1
PORT3 L BJTransistor
L1 C=100 pF R
Num=1 R2 X1
Z=50 Ohm L=Lin nH
R=Rp Ohm
P=polar(dbmtow(-20),0) R=
Freq=1 GHz
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
Simulation non-linéaire : application aux

modulations complexes (prévision ACPR, …)
Multi-carrier (512), measurement 5-tone Simulation
Lateral band
rejection
(Adjacent Channel
Power Ratio ACPR)
Pout Term
Term2
Dint
DC_Block Num=3
Gint
Lg=100nm DC_Block1 Z=50 Ohm
Sint
DC_Feed V_DC
DC_Block DC_Feed DC_Feed1
P_nTone P_nTone SRC2
DC_Block2 DC_Feed2fD01GHONlPA
PORT4 PORT3 Vdc=11 V
FP1
Frequency (GHz)
Num=2 Num=1
Wfg=50
Z=50 Ohm Z=50 Ohm
Nfg=4
Freq[1]=2.45 GHz Freq[1]=2.4 GHz Temp=26.85
P[1]=polar(dbmtow(Pin),0) P[1]=polar(dbmtow(Pin),0) V_DC
selfheating=1
SRC1
Vdc=-0.25 V
HARMONIC BALANCE
OMMIC GaN HarmonicBalance
Var
VAR
TechInclude Eqn
VAR1 HB1
Transmitter (Tx) output spectrum

Freq[1]=2.4 GHz
Pin=-30
GaN_TechInclude Freq[2]=2.45 GHz
TechInclude Order[1]=5
GaN_OPTION=GaN_on_Si Order[2]=5
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LAAS-CNRS
23
1/17/2024
Simulation non-linéaire : application aux

modulations complexes (prévision ACPR, …)
Multi-carrier (512), measurement 5-tone Simulation
Pin varying
Lateral band (from -90dBm
Pin varying rejection to -30 dBm)
(Adjacent Channel
Power Ratio ACPR)
Frequency (GHz)
Transmitter (Tx) output spectrum

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
OSCILLATORS
Les caractéristiques requises pour les synthétiseurs de fréquence HF concernent :
-La fréquence synthétisée, et la plage de variation contrôlée (tuning)
-La puissance du signal
-La stabilité de cette fréquence (dérive à long terme, bruit de phase à court terme)
-La stabilité de l’amplitude du signal (bruit d’amplitude)
-La sensibilité de la fréquence aux fluctuations d’alimentation (pushing) ou à la charge sur laquelle la
source débite (pulling)
La source de fréquence est donc généralement un oscillateur harmonique asservi sur une
référence stable (ou oscillateur ultra stable ‘OUS’ lui-même synchronisé sur un quartz).
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
24
1/17/2024
Quartz et oscillateur à quartz

Dans un cristal de quartz (hexagonal), on découpe une lamelle d’épaisseur t soit selon le plan xy (coupe dite X) soit selon un
angle de 35° avec z (coupe dite AT choisie de préférence car plus stable). Cette lamelle est piézoélectrique c’est-à-dire que si
l’on applique une tension sinusoidale de fréquence fs (MHZ) = 1.66n/t (mm) , où n est un entier décrivant le mode de résonance,
alors la lamelle vibre à la fréquence fs et réciproquement. De ce fait, cette lamelle se comporte comme une association
d’éléments réactifs équivalents L et C (voir schéma) qui vont donc stocker de l’énergie à la fréquence fs et la restituer sous
forme de vibrations. Notons que l’énergie stockée est mécanique et non électrique : c’est pourquoi on ne parle que de L et C
équivalents. Ls Cs Rs
35°
z A B ZAB = R(f) + jX(f)
z
Cp
Ce quartz présente donc un mode de résonance parallèle pour une fréquence

fp avec p=2pfp telle que LsCpp2=1 et un mode de résonance série pour fs
telle que LsCss2=1.
X(f)
y
t Qs= Lss/Rs ~25000
donc coefficient de
x fs fp
f qualité série élevé
très apprécié pour
Coupe X Coupe AT les circuits sélectifs
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
Quartz et oscillateur à quartz
Filtre passe bas très sélectif :

le quartz utilisé à f > fs se comporte
comme une inductance
+V
H(f)
Self de choc
H(f)
Zg ZR G(f)
G(f)
Oscillateur de Pierce : le quartz, utilisé en contre réaction parallèle, contraint l’oscillation à demeurer à fo proche de fs et assure
donc un oscillateur ultrastable. En effet la condition d’oscillation à f=fo est G/(1-HG) et on doit donc vérifier simultanément
|HG|=1 et Phase [H(f=fo)] + Phase [G(f=fo)] = 2kp
Ceci n’est en général satisfait qu’à proximité de la fréquence de résonance du quartz fs et ce d’autant plus que Qs est élevé (la
phase de H varie d’autant plus vite avec f que Qs est grand).
Remarque : l’impossibilité de découper des lamelles d’épaisseur inférieure à 10 µm limite fs à 166 MHz, sauf à
utiliser des modes d’ordre supérieur pour lesquels le coefficient de qualité est moins bon.
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
25
1/17/2024
Oscillateur à résonateur diélectrique (DRO)

1 cm RESONATEUR DIELECTRIQUE COUPLÉ A UNE
LIGNE MICRORUBAN Atténuation
0 dB
20 dB
Fréquence
ligne ligne
Le résonateur diélectrique joue pour un oscillateur le même rôle que le quartz

mais à des fréquences jusqu’à plusieurs centaines de fois plus élevées.
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
Simulation d’oscillateur sous ADS (agilent)

-Unicité des conditions d’oscillation
(OscTest, simulation petit-signal [S]) Topologie à CR parallèle
-Régime transitoire, démarrage de l’oscillation

(OscPort, simulation Harmonic Balance)
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
26
1/17/2024
Quelques réalisations (manip labo)…
Exemple : oscillateur éclaté à CR parallèle (4.7 GHz)

Oscillateur ‘éclaté’
à C.R parallèle (4.7 GHz)
Té de polar.
Té de polar.
Transistor monté en boîtier
Bruit de Phase (dBc/Hz)

isolateur
isolateur
déphaseur Résonateur (cavité)
Composant actif
(transistor)
Fréquence (Hz)
Source de fréquence (projet PHARAO)

4.7x2= 9.4 GHz
Q
Elément passif
Réf. LAAS-CNRS (résonateur) Réf. Llopis, LAAS-CNRS J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
Oscillateurs en transmission – en réflexion

Quelques réalisations MMIC SiGe…
Schéma de principe d'un oscillateur Schéma de principe de l'oscillateur
à contre réaction parallèle à contre réaction série
Composant actif
(transistor)
Elément passif
(résonateur)
Q Composant actif
(transistor)
S 21T . S 21R  1 couplage sortie
Q charge
S11T  S11R  1
Elément passif
 21T   21R  02kp  k N 11T  11R  02kp 

(résonateur)
S 21T . S 21R  1 S11T . S11R  1
1 mm
Vtuning Vb Vc
Sortie
Oscillateur MMIC SiGe
Série (10 GHz)
Oscillateur MMIC SiGe
à C.R parallèle (10 GHz)
1,3 mm
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
27
1/17/2024
OSCILLATORS ; starting conditions and stable oscillation

Modèle d’oscillateur à résistance négative (RT, amplificateur « en réflexion ») régime établi
Plan d’oscillation (entretien)
a1 a1’
Dipôle Actif b1 b1’ Dipôle Passif
[S] [S’]
a b
La condition d’oscillation établie s’écrit donc comme suit : a b  1 .1 3

Conditions de démarrage des oscillateurs    a      b   2 k p III .14
R e  Z a    R e  Z b  III .15
Il est facile d’obtenir ces conditions d’oscillation en régime établi
à partir des impédances du circuit. On obtient donc les
expressions suivantes : Im  Z a    Im  Z b  III .16
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS

Plan d’oscillation
(entretien)
a1 a1’
[S] [S’]
a b
La condition d’oscillation établie s’écrit donc comme suit:

a b  1 .1 3
Conditions de démarrage des oscillateurs
10 GHz
   a      b   2 k p III .14
Phase [°]
Gain [dB]
0 0
Fréquence [GHz] Fréquence [GHz]

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
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1/17/2024

(entretien)
a1 a1’
[S] [S’]
a b
La condition d’oscillation établie s’écrit donc comme suit:

a b  1 .1 3
Conditions de démarrage des oscillateurs
   a      b   2 k p III .14
Il est facile d’obtenir ces conditions d’oscillation en régime R e  Z a    R e  Z b   III .15

établi à partir des impédances du circuit. On obtient donc
les expressions suivantes Im  Z a    Im  Z b  III .1 6
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS

Modèle d’oscillateur à résistance négative (RT, amplificateur « en réflexion »)
Régime transitoire
La condition de démarrage des oscillations est obtenue quant à elle, si le (démarrage)
système actif possède un gain suffisant. La condition sur la phase doit
toujours être constructive pour obtenir les oscillations.
S11>1 Quadripôle Actif

ZEnt ZCh
[S]
=0
Résonateur
Ici, la résistance négative (dipôle actif |S11|>1) doit présenter une valeur permettant de compenser les
pertes du résonateur (dipôle passif)
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
29
1/17/2024

Conditions de démarrage des oscillateurs Régime transitoire régime établi
Modèle d’oscillateur à résistance négative (RT, (démarrage) (entretien)
amplificateur « en réflexion »)
ZT ZR
T R
Z T =R T +jX T Z R =R R +jX R
Les conditions de démarrage sont en général établies par une analyse petit signal de l’oscillateur. En terme
d’impédances, elles se définissent de la manière suivante :
R T (o )  R R (o )  0 X T ( o )  X R ( o )  0
Précisons qu’il s’agit d’une condition nécessaire de démarrage, mais pas forcément suffisante. De plus, elle ne doit
être vérifiée qu’à une seule fréquence. Il convient par conséquent de lui associer une étude de stabilité à l’aide du
critère de Nyquist. Les conditions de démarrage peuvent être également exprimées en terme de coefficient de
réflexion par :
T  R  1 Arg(T )  Arg(R )  0[ 2kp]
Il peut être montré que l’équivalence est assurée que pour de fortes valeurs de Z0 (imp. Caractéristique)
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
L’oscillateur harmonique HF
Re Im
G D
Ci ZAM= (Xi+Xg) GmXi / D + (Xi + Xg)/D
v Gmv
avec D=1+ Gm2Xi2
S
Z(I0) = ZAM RAM = Re(ZAM)<0 si (Xi+Xg) GmXi <0
D
Gm est la pente du transistor à effet de
G champ dont on suppose infinie l’impédance
S Zd
A drain-source.
Xg
ZAM Ci est sa capacité grille-source :
M Xi=1/(jCi)
ZR
Application numérique :
Oscillateur microondes à transistor à effet de si Ci=0.1 pF, Gm=100 mS et Xg réalisée par une
champ à contre réaction série sur la grille. inductance de 50 nH : on obtient entre A et M
Pour assurer une bonne stabilité, l’un des une résistance négative de -186 Ohms à 10 GHz.
éléments du circuit doit être très sélectif.
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
30
1/17/2024
Hybrid low phase noise VCO in GaN @ 10 GHz
a1 a1’
Résonateur
passif
[S] [S’]
(transistor en R<0
avec Contre a b (Résonateur
Réaction – ligne passif, ligne
inductive) terminée par C.O)
10 200
5 100
Phase S11 [°]
Analyse
S11 [dB]
0 0
petit-signal
-5 -100 dans le plan
d’oscillation
-10 -200
9 9.5 10 10.5 11 9 9.5 10 10.5 11
Fréquence [GHz] Fréquence [GHz]
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
Hybrid low phase noise VCO in GaN @ 10 GHz
OUT
a1 a1’
Résonateur
passif R>0
[S] [S’]
(transistor en R<0
avec Contre a b (Résonateur
Réaction – ligne passif, ligne
inductive) terminée par C.O)
20
Puissance [dBm]
10
0
Analyse
-10 harmonique fort
niveau dans le
-20
plan de sortie
0 10 20 30 40 50 60 70
Fréquence [GHz]
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
31
1/17/2024
Hybrid low phase noise VCO with GaN @ 10 GHz

VGS=-3V et VDS=10V
Puissance de sortie [dBm]

30
20
10
0
-10 9,7 9,8 9,9 10 10,1 10,2
-20
-30
-40
Fréquence [GHz]
19
Mesures à l’Analyseur 10
20
10
10 GHz 20 GHz
POUT [dBm]
de Spectre haute
0
-10 30 GHz
0 -20
POUT – 31dB Attenuator [dBm]

Pout (dBm), après correction atténuateur
résolution
-30
-40
-10 -50
0 40
Frequency [GHz]
-20
Measured Performances Mesure (A.S)
-105dBc/Hz +
-30 @100kHz
Output Power → 20dBm @ 10 GHz -40 + Simulation ramenée

à RBW 2kHz
++
-50 (pnmx ADS)
Phase Noise → -105 dBc/Hz @ 100 kHz -115dBc/Hz + +

@ 100kHz
-60
+ +
Pushing → 600 kHz/V; Pulling → 370 MHz -70 + +
+ +
-80 + + + + + + +
DC to RF efficiency → 23% Center frequency 9.924 GHz Span 1.5 MHz
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
MMIC low phase noise VCO : device & topology analysis

 BiCMOS – studies on topologies and noise conversion
 Figure Of Merit
Resonator Amplifier (reflexion)
Cvar
Lr
C1
L1
Load
Cc Lc 50 Ohms
10 GHz R<0 VCO
Optimization of the LF noise conversion & of the resonator Ph. D. thesis W. Wong, 2003
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
32
1/17/2024
VCO à résistance négative (6.5 GHz)
RESISTANCE NEGATIVE VC
VT une
VB R2
La
OCT
L2 C4
V aractor C5 R1
C3 L3
Lb
T out
C2
Accès 50
L1
C1
Lc
OSCILLATEUR
Entré de
entrée delalarésistance négative
résistance négative
Une diode ‘varicap’ ou la jonction BC en inverse d’un TBH servent

d’élément d’accord du résonateur pour ajuster la fréquence en
fonction d’une tension DC appliquée (!!! Découplage DC / RF !!!)
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
/ Laboratoire d’analyse etRéf.
d’architecture
LAAS-CNRS des systèmes du CNRS Professeur Université de Toulouse III 206
Oscillateur à résistance négative @ 6.5 GHz

B ruit d e pha s e d e l’os c illat eur. F o rm e d es s ignau x s u r la b as e vin et
s ur la s ort ie de l’os c illate ur vo ut.
S pec tre du s ign al d e s ort ie vo ut.
Modèle N.L
jusqu’à
l’ordre 7 à 8
F réq ue nc e d u s ig nal d ’os c illation

et d e s e s harm oni ques .
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
33
1/17/2024
VCO à résistance négative (5.3 - 6.5 GHz)

Bruit de phase de l’oscillateur. Fréquence du signal d’oscillation et de ses harmoniques.
Forme des signaux sur la base v in et sur la sortie de l’oscillateur v out .
Rôle varicap sur

distorsion
harmonique
Spectre du signal de sortie vout

.
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
34
1/17/2024

 Figure Of Merit
Amplifier (transmission)
C2
C1
L2
L1
Load
50 Ohms
LR LR
Cvar
CR
Resonator
10 GHz parallel VCO
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS

 Figure Of Merit
Vcc
Oscillation axis
L1 L1
OUT2 OUT1
LB
LE1 Cvar LE1
LE2 LE2
IE
20 GHz push-push VCO
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
35
1/17/2024
Intégration PLL MMIC

(BiCMOS STmicro et LAAS-CNRS)
Is
fref
fOUT = fref  M
UP
fOUT=fLO
+
PFD
DOWN
- filtre V VCO avec M 

OCT
Ip
 Pas d’accord de fref
M
Channel selection
Le VCO est le seul élément analogique de la PLL, et son bruit de phase impacte fortement celui de la
PLL à une certaine distance de la porteuse.
Caracteristiques :  fréquence de sortie fOUT  temps d’établissement
 Stabilité  bruit de phase
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
Bruit de phase des oscillateurs

Identification de la source de bruit majoritaire (essentiellement BF convertie)
Rb Rc
Cbc
B C
Bruit dans les transistors bipolaires
Rbe Vbe 
Cbe Rce
Gm.Vbe Bruit équivalent au niveau
de la tension de commande
Ramené à une source de bruit
Re
SV Extrinsèque SV
(ou intrinsèque selon modèle)
E Calcul à partir des mesures de bruit BF
en sortie de la fluctuation équivalente
Ps de la tension base-émetteur
L(fm)=Pssb/Ps
 k p  Sv 
Pssb
L(f m )  20 log 
 2  fm 
 
f0 fm fréquence
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
36
1/17/2024
Intégration PLL MMIC

(BiCMOS STmicro et LAAS-CNRS)
1 mm
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
Ref: Tartarin
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture Tournier
des systèmes LAAS-CNRs
du CNRS Professeur Université de Toulouse III 214
MIXERS
Les caractéristiques requises pour les convertisseurs de fréquence concernent :
-La bande de fréquence d’utilisation (sur laquelle l’entrée RF doit être adaptée, pour laquelle
le mélangeur fonctionne)
 PFi(mW ) 
-Le gain de conversion Gc(dB)  10 * log   PFi(dBm)  PRf (dBm)
 PRf (mW ) 
-La réjection des fréquences parasites (IP2, IP3) et fréquence image,
-L’isolation RF-OL, OL-FI, RF-FI.
-Le facteur de bruit

MIXER
…..
RF FI
OL
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
37
1/17/2024
Conversion de signaux microondes

f0 f0
DC 2f0
3f0
s  A.e  B.e  C .e  ...

2 3
f2
Système f2
f1
non-linéaire ……. f1 …….
2f1-f2 2f2-f1
x RF (t )  VRF . cos( RF t )
xOL (t )  VOL . cos( OL t )
2 2
xOUT  A.( xRF  xOL )  B.( xRF  2.xRF .xOL  xOL )
3 2 2 3
 C.( xRF  3.xRF .xOL  3.xRF .xOL  xOL )  ...
Linéarisation de l’équation (complexes ou fonctions trigonométriques)
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
Conversion de signaux microondes

A (dBm)
On aboutit au résultat suivant :

(idem chapitre non-linéaire)
F (Ghz)
| OL-RF| | OL+RF|
xOUT .  A VRF  cos(RF t )  A VOL  cos(OLt )

B 2 B 2 B 2
 (VRF  VOL
2
)  VRF  cos(2RF t )  VOL ( 2OLt )
2 2 2
 B VRF VOL  cos(RF  OL )t   B VRF VOL  cos(RF  OL )t 
C 3 C 3
 VRF  cos(3RF t )  VOL  cos(3OLt )
4 4
3C 2 3C 2
 VRF VOL  cos(2RF  OL )t   VRF VOL  cos( 2RF  OL )t 
4 4
3C 3C
 VRF VOL2
 cos(RF  2OL )t   VRF VOL2
 cos(RF  2OL )t 
4 4
3C 3 3C 3
 VRF  cos(RF t )  VOL  cos(OLt )  ...
4 4
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
38
1/17/2024
Mélangeur filière ED02AH (OMMIC) :

structure simple,RFpolarisation ‘froide’
1Vac Mélangeur dit ‘froid’ :
0
0Vdc
- gain de conversion faible, mais PDC faible!
L1 L2
1 2 1 2
10uH 10uH
FI
Q
HEMT
C1 C2
V1
OL 1n 1n
Vgs
0 0 0
0
Simulations ‘équilibrage Polarisation du HEMT

harmonique’ jusqu’à
ordre de non-linéarité
suffisant
(i.e. convergence des perf.
de l’ordre n à n+1)
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS

structure simple, polarisation ‘froide’
Attention aux retour d’harmoniques
sur voies RF et OL
FI
2.FI
IP3 : Attention aux raies (2fOL-fRF)

qui peuvent se mélanger,
RF et créer une freqparasite proche de FI
OL
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
39
1/17/2024
Mélangeur filière ED02AH (OMMIC):

structure simple, polarisation ‘froide’
Dessin du masque du mélangeur (ADS de Agilent)
RF
HEMT
FI
OL
Projet M2P ICEM (UPS) JG Tartarin

J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
Mélangeur: autres topologies plus élaborées (équilibrage

des voies OL ou RF)
s1
RF s1
180° 180°
180° 180° RF OL FI
FI Diviseur 0° Combineur
OL 0°
Diviseur 0° 0° Combineur
s2
RF s2
Topologie simple équilibrée OL Topologie simple équilibrée RF
Configuration simplement équilibrée

Caractéristiques
Pour la RF Pour l’OL
Réjection des
harmoniques de signal Tous Pairs
OL
Réjection des
harmoniques de signal Pairs Tous
RF
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
40
1/17/2024

structure simple équilibrée
OL
T2 T2B
T1 T1B
sans filtrage
sur FI FI RF
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
Projet M2Pdes
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture ICEM (UPS)
systèmes JG
du CNRS Tartarin Professeur Université de Toulouse III 222

structure simple équilibrée
Résultats sur la voie FI (simulations)
Avec PRF=-10dBm, soit Gconv=-8 dB
-18. 4 dBm
-48 dBm FRF FOL
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
41
1/17/2024
Mélangeur : réalisationsBiCMOS
(équilibrage des voies OL ou RF) Vcc
-10
FIdown
Rc Rc
-20 FIup
fup
down
Sortie -FI Sortie +FI
-30
FI (dBm)
Entrée -RF Entrée +RF -40
-50
-60
Entrée OL -70
0 10 20 30 40 50 60 70
Fréquences (GHz)
(1GHz) (21GHz)
Puissanc
e (dBm)
-18,7 -24,8 Réponse spectrale du mélangeur
Gain de
conversio 6,3 0,2
n (dB)
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
Association Mélangeur – VCO (BiCMOS SiGe)
10
'F'
5
Gain de conversion OL (dB)
0
'D' et 'c'
-5 'E'
'A'
GC-diffOL synthétiseur+melangeur
-10
GC-summOL synthétiseur+melangeur
GC-diffOL oscillateur+melangeur
-15 GC-summOL oscillateur+melangeur
-10 -5 0 5 10 15 20
Puissance d'entrée OL (dBm)
Association mélangeur + VCO

(différentes réalisations en BiCMOS7RF ST microelectronics)
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
42
1/17/2024
Mélangeur 20 GHz vers 1 GHz : illustration en MMIC

BiCMOS SiGe
Système optimisé Système optimisé
Caractéristiques en bruit en gain
Fréquence du signal OL 19 GHz

RF FI Fréquence du signal RF 20 GHz
Fréquence du signal FI 1 GHz
Puissance du signal OL -20 dBm -12 dBm
Gain de conversion 25,6 dB 28,8 dB
Facteur de bruit en double
9,1 dB 11,9 dB
bande latérale ("DSB NF")
Point de compression en sortie 3,9 dBm 3,7 dBm
OIP3 15,5 dBm 15,4 dBm
Isolation OL/RF -43 dB -38 dB
Consommation < 530 mW
20 OL 0 50
NF
Gain de conversion (dB)

Coef. de réflexion (dB)
Facteur de bruit (dB)
Entrée RF -5
15
Entrée OL 40
-10
10
-15
30
5
-20
0 -25 20
5 10 15 20 25 30 5 10 15 20 25 30
Fréquence (GHz) Fréquence (GHz)
LAAS-CNRS
Sourcedes
/ Laboratoire d’analyse et d’architecture : C. Viallon
systèmes LAAS-CNRS
du CNRS 226
Mélangeur : autres topologies plus élaborées

(équilibrage des voies OL et RF)
+FI
180° -OL +OL 0°

OL FI
Diviseur 0° 180° Combineur
+OL -OL
-RF +RF
-FI
180°
RF
Diviseur 0°
Topologie double équilibrée
filières bipolaires et effet de champ, mélangeur de Gilbert double équilibré et variantes….
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
43
1/17/2024
CONCLUSIONS
Dans les approches application  cahier des charges  circuit / système,
la conception des circuits est fortement liée :
-Au niveau d’intégration (taille du circuit die, report de capa, fils de bonding externes, … )
-À la techno utilisée pour obtenir de bonnes performances (faible coût, faible conso, …)
-Au rendement de production désiré
-AU SAVOIR FAIRE DE L’INGÉNIEUR!
Ces paramètres interagissent dans la nébuleuse des produits proposés,

selon les contraintes de premier ordre
performances, robustesse, complexité architecture
performances, robustesse, complexité architecture
Applications civiles, militaires, rendement de prod. (coût)
segment spatial, terrestre Autonomie (conso),
application mobile, fixe, embarquée rendement de prod. & coût
….
J.G Tartarin,
LAAS-CNRS
44

CoursTartarin STRI TRI L3 2024 Part3

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CoursTartarin STRI TRI L3 2024 Part3

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1/17/2024

I - INTRO aux liaisons hertziennes – (télé–communications !)

Automotive systems Cellphone coverage (indoor/outdoor/car)

III – les technologies actives en quelques notions

Circuits Hybride (HMIC) et MMIC

MIC or hybrid circuits :

ACTIVE CIRCUIT : LOAD LINE (all circuits)

ACTIVE CIRCUIT : LOAD LINE (all circuits)

Small Signal when Large Signal when Non-

ACTIVE LINEAR CIRCUITS

Mode de fonctionnement en petit-signal (LINÉAIRE)

-ampli = perf. linéaires (gain, adaptation, stabilité, bruit …) Perf. Indépendantes

-oscillateurs = conditions d’entretien des oscillations

ACTIVE LINEAR CIRCUITS

Mode de fonctionnement en petit-signal (LINÉAIRE)

-ampli = perf. linéaires (gain, adaptation, stabilité, bruit …) Perf. Indépendantes

-oscillateurs = conditions d’entretien des oscillations

ACTIVE LINEAR & NON-LINEAR CIRCUITS

Mode de fonctionnement en fort-signal (NON-LINÉAIRE)

-oscillateurs = démarrage des oscillations, conversion bruit BF bruit de phase

-mélangeurs = transposition des fréquences par non-linéarité

ACTIVE LINEAR & NON-LINEAR CIRCUITS

DUAL TIME-FREQUENCY REPRESENTATION

Time domain Linearizing Vn (co)sinus signals Frequency domain

Régime de fonctionnement linéaire/non-linéaire

Produits d’intermodulation en sortie d’un amplificateur

AMPLIFIERS : required characteristics

-Le niveau de gain et l’ondulation de celui-çi dans la bande de fréquence considérée

-Le facteur de bruit linéaire HF de l’amplificateur (essentiellement pour LNA)

-le rendement en puissance ajoutée (SSPA)

-La consommation DC et les spécifications environnementales (encombrement, les dérives

Amplification de signaux microondes

Plusieurs familles d’amplificateurs:

Classe AB / B/ C : le point de repos change

Angle de conduction , rendement PAE

Amplificateurs RF : quelques classes d’amplification

Il existe aussi classes D & E

Signal entrée : carré (transistor fonctionne en

POURQUOI L’AMPLIFICATEUR ‘CLASSE A’ EST-IL PEU EFFICACE ?

• La conduction n’opère que dans une direction

Un émetteur suiveur (Q1) est polarisé à courant constant I fourni

Caractéristique de transfert de l’émetteur suiveur : cette

Diagrammes temporels des

> Q1 & Q2 sont en configuration emetteur suiveur (npn/pnp).

classes d’amplification : récapitulatif

Solid state (SSPA) Tube type (TWTA)

L-band through C-band

X-band 20 watts (GaN device) 3000 watts (TWT)

Ka-band 11 watts (0.15 um PHEMT devices) 1000 watts (klystron)

Amplification de signaux microondes

LOW NOISE AMPLIFIERS

Ka-band (29-31 GHz) GaN LNA

Hybrid GaN LNA designed in Ka-band

 Small Signal & noise modeling

@29,5 GHz (IN

LNA DESIGN: start with [S] and noise param.

- Plot the [S] and

LNA DESIGN: LUMPED ELEMENTS IMN-OMN

LNA DESIGN: LUMPED ELEMENTS IMN-OMN

In spite of many efforts/optimization (under designer control !)

IMPOSSIBLE TO MATCH IMN-OMN TOGETHER

Lserial-input is needed to be lower for OMN than expected for IMN

LNA DESIGN: LUMPED ELEMENTS IMN-OMN