UNIVERSITÉ FRÈRES MENTOURI -CONSTANTINE 1

Faculté: Sciences Exactes

Département : Physique
Section : Fondamentale
UEM 13 : physique des semi-conducteurs Contrôle continu 2018/2019 durée 1Heure
Questions de Cours : 6pts

1. Citez les différents types de matériaux semi-conducteurs.

2. Enoncez le concept de la masse effective.
3. Que représente le trou ?
4. Décrivez ces deux figures :

Figure (a ) Figure (b)

Exercice 1 : 4pts

On donne le tableau suivant :

1. Parmi ces trois semi-conducteurs, quel est celui qui présente la concentration intrinsèque la plus
faible ?
2. Calculer ni pour ce semi-conducteur à 300 K.

Exercice 2 : 10pts

Dans un semi-conducteur intrinsèque à la température T0=300°K, on a les valeurs suivantes :

Nc=Nv=1019cm-3 ; ni=107cm-3 ;kb=1,38 10-23 J.K-1.

1. Pour cette température calculer l’énergie de la bande interdite Eg du matériau en eV et la position

du niveau de Fermi par rapport à la bande de valence.
2. Ce semi-conducteur est maintenant dopé N avec une concentration en atome donneurs (ND).

Etablir l’expression donnant la concentration des porteurs majoritaires (n) et minoritaires (p)

pour T=2T0, en sachant que ce semi-conducteur est non dégénéré.

3. Sachant que le gap Eg ici est considéré comme indépendant de la température et que
ND=1016 cm-3, est-on encore en régime extrinsèque ?

4. En déduire les valeurs de n et p à la température T.

Faculté: Sciences Exactes
Département : Physique
Section : Fondamentale
UEM 13 : physique des semi-conducteurs Solution du contrôle continu

Questions du cours :

1. Citez les différents types de matériaux semi-conducteurs.

Dans les matériaux semi-conducteurs, on peut classer :
- SC à gap direct 0. 5 - SC intrinsèque 0.5
- SC à gap indirect 0.5 - SC extrinsèque : type N 0.5
Type P

2. Enoncez le concept de la masse effective.

La masse effective apparait comme inversement proportionnelle à la dérivée seconde de la courbe de dispersion :

=
∗ ℏ
2 supplémentaire

3. Que représente le trou : 2pts

Supposons qu’on apporte au matériau une énergie E > Eg. La radiation va échanger son énergie avec le matériau et
permettre de faire passer un électron de la B.V. vers la B.C. Sa place libre va donner naissance à un « trou » dans la
B.V.

4. Décrivez ces deux figures :

Figure (a ) Figure (b)

Figure a - : un semi-conducteur dopé avec du Bore → Dopage de type P 1pt

Figure b - : un semi-conducteur dopé avec du Phosphore → Dopage de type N 1pt

Exercice 1 : 4pts

On donne le tableau suivant :

1- Parmi ces trois semi-conducteurs, quel est celui qui présente la concentration intrinsèque la
plus faible
C’est le Ga As 1.5pt
2- Calculer ni pour ce semi-conducteur à 300 K.

= 1.5

A.N : = 1.8 10 !" #

1
Exercice 2 : 10pts

T0=300°K,
Nc=Nv=1019cm-3
ni=107cm-3
kb=1,38 10-23 J.K-1.

1- l’énergie de la bande interdite Eg en eV et la position du niveau de Fermi EF par rapport à la bande

de valence.
On sait que :

= 0.5
− *+
⟹ = ⟹ ln ' (= 0.5
,-

⟹ ,-. ln ' ( = − *+

⟹ *+ = −,-. ln ' ( 0.5

A.N : *+ = 1.429 eV 0.5

⟹ = = 0.5
- Niveau de Fermi
On a un semi-conducteur intrinsèque

1 2 34 1 6 34
⟹ = 5 0.5
1 6 3 471 2 34
=
5

⟹ , - ln 8 9 = −2 *: + 2 *5 + *+ 0.25
5
*+ , -
⟹ *: = *5 + + ln 8 9 0.5
5
2 2

A.N. : *: − *5 = 0.714 = 0.5

2- l’expression de la concentration des porteurs majoritaires (n) et minoritaires (p)

pour T=2T0 :

On considère que tous les donneurs sont ionisés

Equation de neutralité : + > = + ? 0.5

Semi-conducteurs non dégénéré :

= ⟹ = 0.5

⟹ = + ? ⟹ = + ? 0.5

⟹ − ?. − =0 0.5
 C ? +D ? + 4.
A
A = >0 0.5
2 F
⟹
B 2.
= = 0.5
A
A
@ ?+D ? + 4.

3- est-on encore en régime extrinsèque ?

≪ ? 0.25
≫ 0.25
- En régime extrinsèque :
- En régime intrinsèque : ?

= =
= ?
F I 0.25
=
?

1-4 = 5 . .

# #
# #
"5 2-K " 2-K
5 1-4 . 1-4 = 2.5 10 8 9 8 9 . 2.5 10 M 8 9 8 9 0.5
J
"K 300 "K 300
5 12-K 4 . 12-K 4 = 8 . 5 . = 8. 5 1-K 4 . 1-K 4 0.25
12-K 4 = √8 . 5 1-K 4 . 1-K 4 . 1 4
.4. ,. -K 0.25

A.N : = 2.8 10 #
0.5

On a toujours ? ≫ ⟹ Régime intrinsèque

4- les valeurs de n et p :

= ? = 10 !" #
0.5
O F
= = 7.84 10 K !" #
0.5
?