LST-IIEA

module

Conception, Etude et Fabrication des

Circuits Intégrés des Familles Logiques
(CEF.CI.FL)
La microélectronique
maintenant indispensable: Applications usuelles
•Communications
-Internet, téléphonie
•Gestion
-Bases de données
•Science
-Calculs intenses
•Transports
-Navigation, sécurité
•Loisirs
-Multimédia
 Pourquoi la Microélectronique

Microélectronique :
 Histoire: résumé

Période du Tube :
●
1904 : invention de la diode, par « J. A. Fleming » anglais, utilisée dans
les postes radio.
●
1907 : Mise au point de la triode par l'américain « L. de Forest »
utilisée dans l'amplification du signal radio.
●
Inconvénients : Encombrement, forte consommation et manque de
fiabilité

●
Naissance de la µtronic : grâce à 2 inventions technologiques
●
Première:1947-48 : invention du transistor bipolaire En tant
qu'élément discret (Bardeen, Brattain, Schockley).
●
1954: fabrication du 1ier tran.sur Si.
●
- taille en 58 = ordre du cm3
●
- taille en 64 = ordre d'un grain de sel.
●
55 : fabrication de la 1ière calculatrice à base de transistor par IBM
à 2000 transistors. Nécessite multiplicité des connexions et donc
encombrement des systèmes.

●
2nd invention en 59 :invention de la technologie planaire = véritable
saut technologique.

●
59 : fabrication du 1er trans. Planaire par « Jean Hoeni »de fairchild
Semiconductors sur la base des jcts pn.

●
61 : 1er CI comportant 6 composants

●
66 : CI à 100 composants

●
76 : 1er µprocesseur : Intel à 2.250 tran. Sur surface de 6cm2 puis
µpross 16 bits à 100.000 tran.
●
82 : 1er PC IBM et 1er Mac à 32 bits en 84.
 ●
Histoire de la microélectronique

Introduction et définition:

La micro-électronique consiste en la réalisation miniaturisée de fonctions

électroniques de plus en plus complexes sur un seul support (du silicium
en général).

Au départ, le but de la micro-électronique était la réduction du poids et du

volume des appareils, mais ces deux critères sont devenus secondaires face
à l’amélioration de la fiabilité, l’accroissement de la puissance et la
réduction du prix de revient que permet l’intégration.
 Histoire de la microélectronique

~ -3000 : Octogone à trigramme de l’empereur Chinois Fou-Hi

Invention et codage des 8 premiers chiffres sous forme binaire.
~ -1700 : Multiplication égyptienne (Papyrus du RIND).
~ -500 : Apparition au Moyen Orient du premier "outil" de calcul :
l'abaque et le boulier
 ●
Histoire de la microélectronique
~ 800 : Invention de l’Algorithme par Muhammad ibn Musa Al'khawarizmi. Les débuts de la programmation ?
~ 1615 : Les bâtons de Neper (NAPIER).
~ 1623 : Wilhelm Schickard invente «l’horloge calculante» (opérations +, -) Calcul mécanique à base de roues
dentées.
~ 1632 : L'Anglais Oughtred invente la règle à calcul (et permet l’opération *) .
~ 1642 : Pascal met au point la Pascaline (opérations +, -) Souvent considérée comme la première de l'histoire.

Règle calculante

M. Al’khawarizmi

Calcul mécanique à base de roues dentées

 ●
Histoire de la microélectronique
~ 1679 : Leibnitz s’intèresse à l’arithmétique binaire et crée en 1694 une machine à calculs
(opérations +,-,*, /).
~ 1833 : Babbage tente de réaliser une machine analytique (unité de calcul, mémoire,
registre et cartes perforées.) Hors de portée de la technologie de l’époque

Machine analytique

Machine à calcul en 1694

~ 1854 : G. Boole (Théorie de la logique) « An Investigation of the

Laws of Thought », Dover Publications, Inc., 1854. Co-fondateur de la
logique moderne avec A. De Morgan (lois de De Morgan).
Naissance de l’électronique
1897: Découverte de l’électron par Joseph John Thomson (prix
nobel 1906 en physique).

Joseph John Thomson

 Tube à vide et Transistor

En 1897 (environ), la découverte de l’électron donne lieu à une discipline

qu’on a appelée « L’électronique ».

Le tout premier composant est la diode puis la triode et les premières

applications sont l’amplification, émission et réception des ondes radio (pour
le militaire pendant la première guère mondiale).
●
Histoire de la microélectronique

Emetteur Radio

Amplificateur Audio

Récepteur Radio
 ●
Histoire de la microélectronique

L’ère du tube à vide: Lee de Forest invente le tube électronique

Le tube à vide existe sous deux formes: à diodes ou à triodes.
Regardons le tube à triodes:

≈
Le premier récepteur Radio à transistors bipolaires
 ●
Histoire de la microélectronique

•14 février 1946

•ENIAC
•18.000 tubes, 30
Apparition du premier calculateur à tubes en 1945: tonnes, 170 m2
18000 tubes à vides consommation 140Kw
•Programmation par
70000 résistances fréquence 10KHz câblage
10000 capacités 5000 additions par seconde •2.000 tubes remplacés
6000 interrupteur 500 multiplications par seconde chaque mois par 6
Dimensions: 30m×3m×1m techniciens
 Autres vues du premier ordinateur à tubes
Histoire de la microélectronique – 12
●
 ●
Histoire de la microélectronique

L’ère du tube de 1900 à 1947 (année de l’invention du Transistor):

Tube à vide 1904 transistor 1947 processeur 1971

1900 Premier ordinateur 1945 premier CI 1958 ASIC 1983

Electronique Microélectronique 2018

Tube à vide et Transistor
 ●
Histoire de la microélectronique

Le nombre des technologies de fabrication des semi-conducteurs dérive de procédés inventés il y a de

nombreux siècles. Ainsi, par exemple, la lithographie à été inventée en 1798. Initialement l’image était
transférée depuis une pierre.
1918: Czochralski développe la technique de croissance des cristaux à partir de liquide.
1928: invention du transistor à effet de champ par JE. Lilienfeld. Principe : L’application d’une tension
sur un matériau peu conducteur doit changer sa conductivité et permettre ainsi une amplification
1938 : Mise en application par C.Shannon dans sa thèse au MIT.

300mm = 232 circuits 200mm = 88 circuits

 ●
Histoire de la microélectronique

1940: Schottky met en évidence le contact métal-semiconducteur = diode Schottky =

contact redresseur.
1942: création des premières diodes à pointes au germanium.

W. Schottky
L’ère de la microélectronique: Le succès de la µtronic est dû à deux innovations
En 1947 1ière innovation: l’équipe de Schockley a eu l’idée de
réaliser deux diodes à pointes sur le même substrat au
Germanium. Lorsque les deux pointes sont proches, le courant
de l’une influence l’autre. Ceci amène au phénomène connu
sous le nom de
Transistor = Transconductance + varistor
1952 : Publication et description très fouillée de Shockley

1S
G  R  qnµn
l
S: modifie la section de passage du courant (JFET)
µn: modifie la conductivité de la zone conductrice
(zone active pour le MOSFET). Le tout premier Transistor
 ●
Histoire de la microélectronique

1952 : Bell Labs présente une méthode pour réaliser le tirage du

Silicium monocristallin avec une pureté de 99,7%.
1953 : Dacey et Ross réalisent le premier JFET en Germanium
1954 : Première utilisation du Silicium à la place du Germanium
Le Brevet en 1948 et la première commercialisation en 1954 par
Texas Instruments du transistor sur Silicium.
1955-57: Andrus applique la lithographie pour la fabrication des
composants semi-conducteurs.

Le tout premier JFET

Equipe schockley
a inventé le premier transistor.
 ●
Histoire de la microélectronique
En 1957 le masquage par oxyde à
été développé par Frosch et Derrick.
En 1955-57: La lithographie =
procédé inspiré de la photographie
d’où le nom de: Photolithographie.

1957 : Seymour Cray réalise le CDC

1604, premier ordinateur
commercial entièrement
transistorisé.

S. Cray
 ●
Histoire de la microélectronique

En 1957, l’épitaxie, inventée par Sheftal et al.

En 1958: 2ième innovation: Le procédé planar est

inventé par Hoeni.
Dans le transistor Planar, toutes les connexions sont
en surface et du même côté : Facilité pour
intégrer des transistors sur un CI.

•La silice (SiO2) sert de masque pour le dopage.

• Des connexions en aluminium peuvent être
déposées sur les plans de silice et créer des
niveaux de métallisation.
⇒ possibilité d’intégrer sur le même plan,
plusieurs transistors :
⇒ Circuit intégré
Technologie planaire (planar technology)
 Comparaison
tube à vide /Transistor
Amélioration des appareils électroniques : du tube à vide au transistor.

Les inconvénients du tube : Electronique du transistor :

Fallait réduire Fabrication en très grande série de composants
- poids et dimensions avec quatre avantages décisifs
- consommation énergétique - contrôle très fin de la conduction (flux des
- T° de fonctionnement
électrons et trous)
- Prix (pas de fabrication collective)
- valeurs de tensions et de courants utilisées
Fallait augmenter sont faibles (faible consommation)
-Fiabilité - bilans thermiques très faibles
-solidité - encombrement réduit (miniaturisation très
-Densité d'intégration poussée = électronique intégré possible)
-rapidité

1cm3 de circuit intégré est équivalent à 1012cm3 de tubes à vide , soit un cube de 100m
de côté.
Les µpross de 2007 contient plus de 50Millios de transistors sur 1cm 2.
 Programme ●
Opérations élémentaires pour la
réalisation d'un Circuit Intégré :
●
Ch0 : Histoire et état de l'art. ●
- Oxydation
●
Ch1 : Notion fondamentales sur la ●
- Photolithographie
physique des semiconducteurs.
●
- Dépôts
●
Ch2 : jonction pn, pn en
commutation, famille logique à
●
- Dopage
diode. ●
- Gravure
●
Ch3 : transistor bipolaire, bipolaire ●
- Métallisation & interconnections
en commutation, famille logique
DTL, IIL, ECL et TTL .
●
- Recuit
●
- Package (mise en boîte) et Test
●
Ch4 : contact M-S, MIS ou MOS,
transistor MOSFET, mosfet en ●
Réalisation des composants
commutation et famille logique élémentaires et intégration :
PMOS, NMOS, CMOS et BiCMOS ●
- Résistance -
●
Ch5 : pilotage des familles logiques Condensateur
entre elles : ex : TTL vers CMOS et ●
- Transistor bipol - Tran.
l'inverse CMOS vers TTL. Schottky
●
- Transistor MOSFET
 Alimentation

Métal
Métal

Contact Métal Contact Métal

semiconducteur semiconducteur semiconducteur

Le semiconducteur : contient des charges positives ou négatives  dopage

Alimentation  champ électrique attire les porteurs de charge vers un côté (électron par
exemple).

Composant électronique : tout composant électronique nécessite la commande du courant.

 Opérations élémentaires pour la
Programme
●

réalisation d'un Circuit Intégré :

●
- Oxydation
●
Ch0 : Histoire et état de l'art.
●
- Photolithographie
●
Ch1 : Notion fondamentales sur la
physique des semiconducteurs. ●
- Dépôts
●
Ch2 : jonction pn, pn en ●
- Dopage
commutation, famille logique à ●
- Gravure
diode.
●
- Métallisation & interconnections
●
Ch3 : transistor bipolaire, bipolaire
en commutation, famille logique
●
- Recuit
DTL, IIL, ECL et TTL . ●
- Package (mise en boîte) et Test
●
Ch4 : contact M-S, MIS ou MOS, ●
Réalisation des composants
transistor MOSFET, mosfet en élémentaires et intégration :
commutation et famille logique
PMOS, NMOS, CMOS et BiCMOS
●
- Résistance -
Condensateur
●
Ch5 : pilotage des familles logiques ●
- Transistor bipol - Tran.
entre elles : ex : TTL vers CMOS et Schottky
l'inverse CMOS vers TTL.
●
- Transistor MOSFET
●
 Contrôle courant : par jonction

Semiconducteur type p (dopage p) Contour en rouge : contact sc n – sc

p =diode = jonction pn : chap2

Semiconducteur type n (dopage n) : conduction par électron

Semiconducteur type n (dopage n) : conduction par électron

Semiconducteur type p (dopage p) : conduction par « trous ».
 La jonction permet de commander le courant : comment???
Lorsque E0 non nulle et la jonction est polarisé en inverse, la hauteur conductrice passe de
h0 à h(valeur de E0) = c’est l’effet de Champ (ang : Fieled Effect)

E0 Alimentation E Contact métal sc-p

Contact métal sc-p

Contact sc p – sc n

h0

À E0 = 0 la hauteur de la section conductrice = h0

Lorsque E0 non nulle et la jonction est polarisé en inverse, la hauteur conductrice passe de h 0
à h(valeur de E0) = création d’une zone très résistive (pas de conduction à l’intérieure) = zone
hachurée.
On polarise en inverse la jonction pn : on diminue le section conductrice du sc-n = on
commande le courant dans le sc-n = composant électronique J-FET.
J-FET = Transistor à Effet de Champ à Jonction (Ang : Junction Filed Effect Transistor)
 ●
Opérations élémentaires pour la
Programme réalisation d'un Circuit Intégré :
●
- Oxydation
●
Ch0 : Histoire et état de l'art. ●
- Photolithographie
●
Ch1 : Notion fondamentales sur la ●
- Dépôts
physique des semiconducteurs.
●
- Dopage
●
Ch2 : jonction pn, pn en
commutation, famille logique à ●
- Gravure
diode. ●
- Métallisation & interconnections
●
Ch3 : transistor bipolaire, bipolaire ●
- Recuit
en commutation, famille logique
DTL, IIL, ECL et TTL .
●
- Package (mise en boîte) et Test

●
Ch4 : contact M-S, MIS ou MOS,
●
Réalisation des composants
transistor MOSFET, mosfet en élémentaires et intégration :
commutation et famille logique ●
- Résistance -
PMOS, NMOS, CMOS et BiCMOS Condensateur
●
Ch5 : pilotage des familles logiques ●
- Jpn +Transistor bipol
entre elles : ex : TTL vers CMOS et ●
- Tran. Schottky
l'inverse CMOS vers TTL.
●
- Transistor MOSFET
 Bilan intermédiaire :
- Sc + dopage  Résistance semiconductrice
- Jonction pn  diode + transistor bipolaire + transistor schottky + condensateur à sc.
2ième composant FET (à effet de champ) : la différence avec le JFET est l’outil de commande du
courant.

Métal Contact métal semiconducteur 2

Contact métal semiconducteur 1 Contact métal semiconducteur 1

Contact métal sc1 : joue le rôle de contact ohmique

Contact métal sc2 : joue le rôle de contact redresseur = diode schottky
 On polarise la diode schottky (contact M – sc2) en inverse : on module alors la hauteur de la
section conductrice (h = f(E0)) et par suite on module le courant dans le sc de base.

E0

h0
h0

La zone hachurée = zone résistive  la hauteur de la section conductrice est modulée par E0 = c’est
l’effet de champ.
Le courant est modulé par un contact Métal – Sc qui joue le rôle d’un contact schottky (diode
scottky). Le composant est le MESFET.
 3ième composant FET (à effet de champ) : la différence avec le JFET et le MESFET est l’outil de
commande du courant.

Métal ou Silicium polycristallin = Grille

M M Isolant  Isolant
I ou O
S S Sc

Source Drain

Contact Métal Sc = jouant le rôle de contact ohmique ( contact redresseur schottky) = c’est ce
qu’on appelle « la masse » toujours sur la face arrière (dite dépolie) du sc de base appelé substrat.
La face avant du substrat est la face active : c’est là ou circule le courant (on montrera qu’il s’agit d’un
puit de potentiel profond).
Par polarisation de la strcture MIS ou MOS, on module la zone conductrice du sc substrat = le
courant est modulé entre la source et le drain.
 3ième composant FET (à effet de champ) : la différence avec le JFET et le MESFET est l’outil de
commande du courant.

M M
I ou O
S S

L’outil de commande dans ce cas est la structure MIS ou MOS.

Le composant est dit : MOSFET ou MISFET.
 ●
Opérations élémentaires pour la
Programme réalisation d'un Circuit Intégré :
●
- Oxydation
●
Ch0 : Histoire et état de l'art. ●
- Photolithographie
●
Ch1 : Notion fondamentales sur la ●
- Dépôts
physique des semiconducteurs.
●
- Dopage
●
Ch2 : jonction pn, pn en
commutation, famille logique à ●
- Gravure
diode. ●
- Métallisation & interconnections
●
Ch3 : transistor bipolaire, bipolaire ●
- Recuit
en commutation, famille logique
DTL, IIL, ECL et TTL .
●
- Package (mise en boîte) et Test

●
Ch4 : contact M-S, MIS ou MOS,
●
Réalisation des composants
transistor MOSFET, mosfet en élémentaires et intégration :
commutation et famille logique ●
- Résistance -
PMOS, NMOS, CMOS et BiCMOS Condensateur
●
Ch5 : pilotage des familles logiques ●
- Jpn +Transistor bipol
entre elles : ex : TTL vers CMOS et ●
- Tran. Schottky
l'inverse CMOS vers TTL.
●
- Transistor MOSFET
 ●
Histoire de la microélectronique

1958: Jack Kilby de chez Texas Instruments met au point le

premier circuit intégré comprenant 5 composants passifs.
1960: Atalla et Kahng de Fairchild semiconductor mettent au
point le premier transistor MOS.
1961 : Début de la fabrication à grande échelle des CI en procédé
planar.
1963: les composants CMOS (NMOS et PMOS) par Sah.
1963 : Hofstein et Heiman de RCA réalisent le premier CI avec 8
paires de transistors NMOS.
1965: Formulation de la loi de Moore. 1975 : Moore affirme que
le nombre de transistors des microprocesseurs double tous les 2 J. Kilby
ans (2ème loi)

Premier Circuit Intégré Premier circuit intégré comprenant 5 composants

(CI) par le procédé planar. passifs.
 ●
Histoire de la microélectronique

Gordon E. Moore, " Cramming more components into integrated circuits ", Electronics, 19 avril 1965.

Loi de Moore (1ière loi):

" La complexité permettant de minimiser le coût des composants a été multipliée chaque année à peu près
par un facteur deux. On peut prévoir qu’à court terme ce taux de croissance se maintiendra, ou même que
la croissance sera plus rapide encore. A long terme, le taux de croissance est un peu plus incertain, mais il
n’y a aucune raison de croire qu’il ne se maintiendra pas pendant au moins dix ans. Cela signifie qu’en
1975 le nombre de composants par circuit intégré permettant de minimiser le côut sera de 65000. "
 ●
Histoire de la microélectronique

Premier CI avec 8 paires de

transistors NMOS.

Premier µprocesseur
4004 Composant MOSFET à canal n.

1967: Dennard invente la mémoire DRAM ( Dynamic Random Acces Memory)

1968 : R. Noyce, G. Moore et A. Grove quittent Fairchild semiconductor et créent une société nommée
INTEL
1970 : INTEL met au point la première RAM : la 1103
1971: est l’année de la conception du premier microprocesseur par M. Hoof de la société Intel.
Nombre de transistors : 2300, Technologie : 10 μ, Fréquence de fonctionnement : 108 khz,
Dimensions : 3 mm sur 4 mm.
 ●
Histoire de la microélectronique
1980: réalisation du composant CMOS =
PMOS/NMOS.
De nombreuses autres nouvelles technologies on
permit, sans changer les méthodes de fabrication, de
réduire la taille des transistors et ainsi la densité des
mémoires et la puissance de calcul des
microprocesseurs augmentent.
1982: technologie SOI par Rung et al.
1993: interconnections par cuivre proposé par
Paraszczak et al.

Circuit Exemple d’interconnections par cuivre.

CMOS

SOIMOSFET
 Histoire
●
96 : Intel Pentium Pro avec 5.5 millions Tran.
●
99 : Intel Pentium III avec 9.5 millions Tran.
●
2002 : Intel Pentium IV avec 42 millions Tran.
●
2007 :Core 2TM Quad avec 2.3Milliards Trans. pour f=3GHz
4.5Milliards Tran. Pour f=3.2GHz
●
2008:Intel core i7 avec 731 Millions Tran.
●
L'amélioration de l'intégration grace à :
●
- de la taille des tran. Individuels
●
- de la taille des puces
●
an 83 86 92 2001
●
taille puce 32 45 132 500
Pourquoi la diminution de la taille du transistor
 ●
Histoire de la microélectronique

► Intel 4004
2250Trs (1971)

► Intel 286
120 000Trs (1982)

►Intel P4 ,130nm ‘Northwood’ 42 000 000Trs (2000)

► Intel P4 90nm ‘Prescoot’ 125 000 000Trs (2004)
► Intel Itanium 90nm ‘Montecito’
1 720 000 000Trs (2007) Biprocesseur
► Intel Core i7 Processor quad-core 45nm
Cache L2 256kB per core, Cache L3 8MB 263 mm²,
731 Million transistors
130 Watts, 3,2 GHz.
 ●
Histoire de la microélectronique

Evolution des dimensions et des performances des microprocesseurs durant les années 1994-2001.
Parallèlement à la diminution des dimensions, la surface des puces a diminué, la fréquence de
fonctionnement augmenté et la tension d'alimentation diminué (d'après source DNA-Motorola, 2001).
 Investissement

Commun :
Motorola/Philips/ST Microelectronics

 Création d'emplois : 1.200 empois directs et 4.500 indirects

 Axé sur la technologie CMOS et surtout sur la gravure 90 – 32 nanomètres d'épaisseur
 Salle blanche : 5.000 m2.
 ●
Histoire de la microélectronique

Nanotubes Carbone Transistor moléculaire

Photons
Transistor de Spin
 Technologie des CI logiques – Etat de l'art

qui nous intéresse

 Technologie des CI logiques – Etat de l'art
C.I : réalisation de plrs composants électroniques côte à côte sans qu'il y ait
influence mutuelle en état de marche et sont classés selon
- leurs caractéristiques
- leurs domaine d'emploi ASIC : Application Specific Integrated Circuit
fabriqué à la demande

Astable
Bistable Circuits analogiques
Monostable mettant en forme
Trigger de des informations CI Circuits programmés
schmitt analogiques Circuits logiques où analogiques grace
... aux DSP (Digital Signal Processing)

Circuits logiques µpross

Combinatoire simple = logique de base µcontroleur
Séquentiels = Mémoire
Combinatoire complexe= Bascules .
Comparateurs Compteurs .
Multiplexeurs registres .
démultiplexeurs

- Intégration engendre : R, C, dide, tran bip, FET, MOS, CMOS et BiCMOS

- composants pas encore intégrés : composants nécessitant forte dissipation de chaleur,
condensateur, … etc.
 Technologie des CI logiques – Etat de l'art
Autre point de vue de classification selon
- compatibilité
- paramètres (tension d'alim, niv d'entrée & sortie

Des questions se posent alors lors de l'utilisation d'un CI à portes logiques :

- Quelle tension d'alim ?
- Quelle Puissance consomme les composants ?
- Combien d'entrée puis-je câbler en parallèle derrière une sortie ?
- temps de réaction ?
- La sécurité du niveau logique ?
 Technologie des CI logiques – Etat de l'art
Elément logique idéal
Vdd

- Alim unique
- Puissance consommée nulle Sorties
- Niveaux de sortie « 0 » et « Vdd » Entrées
- Transition abrupte à Vdd/2
- délai négligeable
- nbres d'entrées et de sorties illimités
- Impédance d'entrée infinie GND
- résistance de sortie nulle

Tension de sortie

Vdd

Tension de entrée
Vdd/2 Vdd
 Evolution des familles logiques
Ennumération
ndue conditionne le choix du circuit en fonction de l'application.
ologies de conception des CI logiques existent et sont groupées en familles. Ce cours balayera un
ue à diode = DL = « Diode Logic »
ue à Résistance et Transistor = RTL = Resistor-Transistor-Logic
ue à Diode et Transistor = DTL = Diode-Transistor-Logic
ue à transistor-Transistor = TTL = transistor-Transistor-Logic
ologies coexistent etprésentent certains avantages :
Emitter Coupled Logic : circuits rapides
I2L = Integrated Injection Logic : haute intégration
: haute intégration
S : faible consommation

es fonctionnent en logique positive d'autres en logique négative.

 Exemple de portes logiques

Porte NAND à 2 entrées & une sortie:74LS00 Porte inverseuse CMOS

 Evolution des familles logiques
Tension de sortie
Logique positive et Logique négative

«1» «0»
eau de sortie Haut

Indéfini

veau de sortie Bas

«0» «1»

Logique positive Logique négative

 Evolution des familles logiques

ution est le prix.

Résistances et Prix d'1 transistor = 50R = 5D
Résistances et Prix d'1 transistor = 10R = 5D
es utilisent beaucoup de R et D et très peu de Transistor.
oupled Transistor Logic= Abandonnée), RTL, RCTL (Resistor Capacitor Transistor Logic = Abando

et R>plusieurs D à cause de:- matériaux utilisé pour R

de T° dans le circuit.
s utilisent :
e T : ex : TTL et ECL
et CMOS
 Caractéristiques d'une famille logique
logique d'amplifier Vou I présent à son entrée de manière à ce que le signal ne soit pas dégradé

 Gain en courant Ai=is/ie pour le même niveau de tension

Ai(low)=is(L)/ie(L) et Ai(high)=is(h)/ie(h)

n-out):
d'unités de charge logique disponibles à sa sortie où charge max que peut attaquer
e unité correspond à la valeur du courant nécessaire pour commander une entrée

ités de charge logique nécessaire à l'entrée pour faire fonctionner la porte où nbre

temps retard d'une porte:

le signal d'entrée et celui de sortie qui en est la conséquence. Ce paramètre condition

 temps de monté:  temps pour que le signal passe de 10% à 90%.

 temps de descente:  temps pour que le signal passe de 90% à 10%.
Sortance (fan-Out) & Entrance (fan-In)
 Caractéristiques d'une famille logique

e le moment ou le signal en entrée atteint 50 % de la tension d’alimentation et le mom

 Caractéristiques d'une famille logique

d’un connecteur correspond au temps que met le signal pour passer d’un état logique à
d’alimentation.
 Caractéristiques d'une famille logique

ommée d'une porte augmente à cause des charges/décharges des capacités réparties. La puissa
ge.
Niveaux de fonctionnement et Marge de bruit