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Amplificateur deux tages : gains, rsistances "vues", droites de charges, distorsion harmonique
Le circuit analys dans ce problme est un exemple reprsentatif d'amplificateur ralis composants discrets. Son analyse permet de prsenter les principales mthodes de calcul des circuits analogiques fonctionnant en rgime linaire. A cet effet, l'nonc contient quatre parties : - La premire dcrit brivement la structure du circuit et justifie en particulier le rle des condensateurs de liaison et de dcouplage. - La deuxime partie concerne le dispositif de polarisation des composants actifs (rgime statique). - La troisime partie concerne l'tude du fonctionnement dans le rgime dynamique petit signal . Dans le domaine des moyennes frquences (problme Pb5-T1) on tabli les diffrents gains en tension et les rsistances d'entre et de sortie. - La dernire partie a pour but de mettre en vidence les limites du fonctionnement du rgime linaire. On dtermine les amplitudes maximales des signaux, en rgime sinusodal permanent, en fonction des deux causes principales de distorsion du signal amplifi.
1uF C1
RB1 680k
RC 12k T2 10uF C2
C4 10uF E = +22V
T1
Rg 1k e(t)
ve(t)
RB2 82k
RE 2,7k
RL 4.7k
vs(t)
Signal utile
Charge extrieure
Rfrence : M. Lescure, A. Dziadowiec - Analyse et Calcul de Circuits Electroniques, Amplification Composants Discrets - Eyrolles, Paris - 1995 - 278p - ISBN 2-212-09572-4.
INP ENSEEIHT Electronique Linaire Marc Lescure
Pb6-T1-AmpliDeuxEtages
Problme
La figure 6-1 reprsente le schma lectrique de ce circuit. 1) Dcrire le circuit en mettant en vidence : a) Les particularits du circuit de polarisation. b) Les caractristiques du fonctionnement en rgime dynamique. 2) Dterminer lintensit du courant collecteur IC et la tension VCE de chaque transistor. 3) Dterminer en rgime dynamique petit signal aux moyennes frquences (la figure 6-2 reprsente le schma quivalent petit signal des deux transistors) : a) La rsistance d'entre Re vue par le gnrateur. b) Les diffrents gains en tension intrinsques et composites. c) La rsistance de sortie Rs vue par la charge RL .
B rb v E C gmv
4) Montrer la contribution de l'tage construit autour du transistor T2. 5) Tracer les droites de charge statique et dynamique de chaque tage. En dduire l'amplitude maximale du signal de sortie la limite de l'crtage : a) Du transistor T2. b) Du transistor T1. 6) Etablir une relation donnant le taux de distorsion par harmonique deux, due la loi de transfert IC(VBE) dans le cas d'un transistor dans la configuration dynamique metteur commun : a) Sans contre-raction. b) Avec une contre-raction sur l'metteur. c) En dduire, dans le cas de l'amplificateur tudi ici, l'amplitude maximale de la tension admissible l'entre pour un taux de distorsion voisin de 1 % de la tension de sortie. 7) En utilisant un logiciel d'analyse de circuits : a) Obtenir le tableau donnant en particulier les amplitudes du fondamental et de l'harmonique deux du signal aux bornes de la charge RL. La tension sinusodale, de frquence 30 kHz, applique l'entre, aura l'amplitude correspondant au taux de distorsion par harmonique deux de 1 % (valeur trouve dans la question 6c). b) A cette mme frquence de 30 kHz, obtenir le graphe reprsentant la tension entre le collecteur de T1 et le commun, lorsque les deux alternances du signal sont crtes.
b) Rgime dynamique
Le signal amplifier est reprsent par un gnrateur de f.e.m. e(t) = emsin(t) et de rsistance interne Rg . Ce signal est appliqu sur la base de T1 via le condensateur C1. Le signal de sortie de cet tage est disponiible sur le collecteur. Donc T1 est plac dans la configuration metteur commun. On remarquera que seule la rsistance R2 du circuit metteur est dcouple par le condensateur C2 . La rsistance R1 cre une contre-raction srie. L'metteur de T2 fournit le signal de sortie la charge RL via le condensateur de liaison C3 . Donc le transistor T2 est plac dans la configuration collecteur commun. Rappelons que le circuit collecteur commun est caractris par : - un gain en tension intrinsque souvent proche de l'unit, - une rsistance d'entre leve - une faible rsistance de sortie. Ainsi, lamplificateur reprsent par la figure 6-1 aura un gain en tension global donn par T1 et une faible rsistance de sortie due T2. Aux frquences de fonctionnement considres ici, les condensateurs C1, C2 et C3 sont considrs comme des "courts-circuits" dynamiques. Ce qui signifie que leurs ractances sont supposes ngligeables par rapport aux rsistances qui leur sont respectivement associes. Les frquences pour lesquelles cette condition est remplie appartiennent au domaine dit des "moyennes frquences".
Le condensateur C4 plac en parallle avec la source de tension E , dite alimentation, dcouple son impdance srie (non reprsente ici). Sans ce dcouplage, cette impdance pourrait crer une tendance oscillatoire aux basses frquences ou modifier la rponse en frquence globale de l'amplificateur.
2) Polarisation
RC 12k E = +22V
RB1 680k
RC 12k
E = +22V
IB2
T2
T1
T2
RE 2,7k
T1 RB = RB1//RB2 EB R1 82 R2 3.3k
RB2 82k
R1 82 R2 3.3k
RE 2,7k
a)
b)
Figure 6-3 : a) Circuit de polarisation de lamplificateur. La liaison directe entre T1 et T2 instaure une interdpendance de leurs points de fonctionnement. b) Reprsentation sous forme de Thvenin du circuit de polarisation de base de T1
En rgime permanent de fonctionnement, les condensateurs sont des circuits ouverts en courant continu. Par suite, le schma de l'amplificateur correspondant au rgime statique est donn par la figure 6-3a ; il est directement dduit du schma de la figure 6-1. Dterminons le point de fonctionnement de T1. La transformation de la maille E, RB1, RB2 en un gnrateur de Thvenin, "vu" par T1 entre la base et le commun, permet d'tablir le schma de la figure 6-3b. On en dduit l'quation de la maille de contrle permettant le calcul de IC1, soit : E B = R B I B1 + VBE1 + ( R 1 + R 2 ) I E1 d'o , avec la rsistance quivalente 1 1 1 = + R B = R B1 // R B2 R B R B1 R B2 E B VBE1 (6-1) I C1 = RB 1 + (R 1 + R 2 )(1 + ) 1 1 avec : R B2 82 EB = E = 22 2 , 37 V R B1 + R B2 82 + 680 donc : 2 , 37 0, 6 I C1 0 , 48 mA 82 / / 680 + ( 3, 3 + 0, 082 ) 300 La maille de sortie de T1 donne la tension entre le collecteur et l'metteur :
VCE1 = E R C (I C1 + I B2 ) (R 1 + R 2 )I E1 (6-2) 1 = (E R C I B2 ) I C1 R C + (R 1 + R 2 )(1 + ) 1 Cette quation montre l'influence du courant de base de T2 sur la valeur de VCE1. Elle apparat sous la forme d'une rduction de la tension d'alimentation de T1 qui passe de E une valeur E' = E - RCIB2 . La valeur de VCE1 sera obtenue aprs la dtermination de IC2. Dterminons ensuite le point de fonctionnement de T2. Dans la maille d'entre de T2, on peut crire : E = R C ( I C1 + I B2 ) + VBE2 + R E I E2 d'o : ( E R C I C1 ) VBE2 I C2 = RC 1 + R E (1 + ) 2 2 (6-3) Cette expression souligne la forte influence du point de fonctionnement de T1 sur celui de T2. La valeur de IC2 est alors : 22 (12 0, 48 ) 0 , 6 I C2 = 5, 51 mA (12 / 100 ) + 2 , 7 L'expression et la valeur de VCE2 sont : 1 VCE2 = E R E I E2 = 22 2 , 7 5, 51 (1 + ) = 6, 96 V 7 V 100 (6-4) La valeur de VCE1, donne par (6-2), est : 5, 51 VCE1 22 12 0, 48 12 + ( 0, 082 + 3, 3) = 13, 96 V 14 V 100 On peut remarquer que, dans ce cas, il est possible de ngliger la chute de tension RCIB2 . L'erreur sur VCE1 serait en effet de 0,6V pour 14V. Cette approche pourrait tre acceptable dans la pratique. Enfin, on observera dans (6-1) et (6-3) la faible influence relative des gains en courant et 2 sur IC1 et IC2 .
3) Rgime dynamique
Aux frquences de fonctionnement considres ici, tous les condensateurs sont des "courts-circuits" pour les signaux alternatifs. La figure 6-4 donne alors le schma quivalent petit signal de l'amplificateur. Pour cela, on remplace les transistors par leurs schma quivalent (figure 6-2). Dautre part, on ne sintresse qua la contribution de la seule source alternative e(t) qui donne le signal utile. La source dalimentation E = 22V a pour fonction dapporter lnergie ncessaire au circuit pour que les composants soient en rgime actif et quils puissent donner le gain en puissance dsir au signal utile. Cependant la source de tension de f.e.m. E se comporte comme un court circuit dynamique. Ainsi par exemple, le collecteur de T2 et une borne de la rsistance RC sont donc relis au commun en rgime dynamique.
T1
Rg rb1
gm1v1
rb2 RC
T2 v2 gm2v2
ve
RB
v1
e(t)
R1
vs1
RE RL
vs
Figure 6-4 : Schma quivalent petit signal aux moyennes frquences de lamplificateur reprsent par la figure 6-1. Les condensateurs sont remplacs par des "courts-circuits"
a) Rsistance d'entre
On appelle rsistance d'entre Re d'un amplificateur, la rsistance "vue" par le gnrateur qui fournit le signal utile. Elle est dfinie par la relation : v v R e = e = R B // re1 avec re1 = e ie i b1 o re1 est la rsistance d'entre intrinsque de l'amplificateur. Son expression est : v r i + R 1 (i b1 + 1i b1 ) re1 = e = b1 b1 i b1 i b1 = rb1 + (1 + 1)R 1 re1 = 1 1 ( uT + (1 + 1)R 1 I C1
uT 26 + R 1 ) = 300( + 82) 41k I C1 0,48 Et en prenant en compte le circuit de polarisation (pont de base) : R e = R B // re1 = (680k // 82k) // 41k 26,3k Remarque L'expression de la rsistance d'entre intrinsque re1 est proportionnelle au gain en courant du transistor bipolaire.
b) Gains en tension
Le gain en tension composite de l'amplificateur est donn par le rapport de la tension de sortie vs (avec la charge extrieure) sur la f.e.m. e de la source qui fourni le signal utile. Son expression est : v Gv = s e Le gain en tension intrinsque est un rapport du type :.
vs ve o ve est la tension du signal utile effectivement applique lentre du circuit ; il ne dpend pas donc de la rsistance interne de la source, ni de la rsistance dentre du circuit. Dans lexpression du gain en tension intrinsque, tout se passe comme si le circuit tait soumis une vritable attaque en tension. av = Dcomposons ce rapport en faisant apparatre le gain en tension intrinsque de chaque tage. Rappelons que lon peut dcomposer Gv : Gv = v s v s v s1 v e v = = a v 2 a v1 e e v s1 v e e e (6-5)
Les termes av1 et av2 sont les gains en tension intrinsques de T1 et T2 avec leurs charges respectives. perte dentre Le rapport ve/e constitue le facteur d'attnuation d'entre de l'amplificateur. La figure 6-5 permet d'crire directement lexpression du pont diviseur : ve Re 26, 3 = = = 0, 963 e R e + R g 26, 3 + 1
Rg= 1k RB = 73.2k
ve(t)
e(t)
re1 = 41k
Figure 6-5 : Le facteur d'attnuation d'entre ve/e dpend de la rsistance interne Rg du gnrateur et de la rsistance d'entre Re de l'amplificateur
Dterminons le gain en tension intrinsque de T2 : En posant R = RE//RL (figure 6-4), le gain intrinsque de T2 s'crit : v 1 R ( g m2 v 2 + 2 ) g m2 R (1 + ) v rb2 2 g m2 R a v2 = s = = v s1 v + R ( g v + v 2 ) 1 + g R (1 + 1 ) 1 + g m2 R 2 m 2 m2 rb2 2 avec gm2 rb2 = 2 et 2 >> 1 Numriquement, on obtient : I 5, 51 g m2 = C2 = 212 mA/V uT 26 et : g m2 R = 212 ( 2 , 7 / /4 , 7 ) = 212 1, 71 = 363 Enfin :
INP ENSEEIHT Electronique Linaire
363 vs = = 0, 998 1 v s1 1 + 363 Ce rsultat est reprsentatif pour un metteur suiveur car nous avons la condition : gm2R >> 1 a v2 = Le gain en tension intrinsque de T2 est donc trs proche de +1. Le gain en tension intrinsque de T1 s'crit : v g m1v1 ( R C / / re2 ) g m1 ( R C / / re2 ) a v1 = s1 = v e v + R ( v1 + g v ) 1 + g m1 R1 1 1 m1 1 rb1 o re2 reprsente la rsistance d'entre de T2. Son expression est : v r i + R (i b 2 + 2 i b 2 ) re 2 = e = b 2 b 2 i b2 i b2 2 ( Ce qui donne : 0, 48 (12 / /173) 103 v s1 = 26 = 82 a v1 = 0, 48 ve 1+ 82 26 Le gain en tension composite, donn par la relation (6-5) a pour valeur : v G v = s = 0,998(82)0,963 = 78,8 soit +37,9dB e uT 26 + R ) = 100 ( + 1,71.10 3 ) = 173k IC2 5,5
c) Rsistance de sortie
Ampli. sous test i2(t)
Rg RL e=0
i2(t)
R'g
i(t)
v2(t)
e'(t)
Dterminons enfin la rsistance de sortie Rs. Elle est vue par la charge extrieure de l'amplificateur (ici RL ). Les conditions de fonctionnement du circuit permettant le calcul de Rs apparaissent sur la figure 6-6. Un signal alternatif v'2 , fourni par un gnrateur (e'g, R'g), est appliqu la sortie de l'amplificateur. Dans l'hypothse d'un fonctionnement linaire, et suivant un principe de rciprocit, le circuit se comporte en "attnuateur". Dans ces conditions, la f.e.m. e du gnrateur d'entre tant nulle, la rsistance Rg constitue la
"charge" du circuit. Le rapport v'2/i'2 donne alors la rsistance de sortie Rs de lamplificateur. D'aprs la figure 6-4, on peut reprsenter les lments qui interviendront dans l'criture de Rs. (figure 6-7). Ainsi, seul le composant T2 est actif. En effet, compte tenu des modles de la figure 6-2 (r2 = ), le transistor T1 n'est pas actif car l'application de la tension v'2 ne produira pas de tension v1 . Par contre, v'2 gnre un courant ib2 dans la branche contenant RC et rb2 . Par suite, le gnrateur 2ib2 reprsente l'activit de T2. L'expression de la rsistance de sortie est de la forme : v' v' R s = 2 = R E / / rs avec rs = 2 i '2 i" 2 o rs reprsente la rsistance de sortie intrinsque du transistor T2 .
T1
Rg RB rb1
ib2
rb2 RC R1
T2 gm2v2 2ib2 i2
RE
v1 = 0
v2
e(t) = 0
v2
Figure 6-7 : Schma quivalent permettant la dtermination de la rsistance de sortie Rs de lamplificateur. Les conditions de fermeture l'entre de T2 se limitent la seule rsistance RC
i"2 = i b2 ( 2 + 1) rs = = R C + rb 2 2 + 1
et
v"2 = i b2 ( R C + rb2 )
RC RC u 1 + T + 2 + 1 I E2 2 + 1 g m2 RC u + T) 2 + 1 I C2
Enfin : R s R E //(
= 2700 // (118,8 + 4,7) 123 L'expression de la rsistance de sortie Rs d'un collecteur commun contient trois composantes. Toutefois, seuls les termes contenus dans l'expression de rs imposent, gnralement, la valeur numrique de la rsistance de sortie Rs.
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Remarque Dans l'hypothse d'un fonctionnement en rgime dynamique linaire, la tension sur l'metteur du transistor T2 a une valeur moyenne qui correspond la chute de tension REIE2 indpendante de l'amplitude du signal utile et une composante sinusodale. Aux bornes de la rsistance de charge RL , on n'observe que la composante alternative sinusodale puisque le condensateur C3 limine la composante moyenne. La figure 6-8 montre les variations de lamplitude de tension entre l'metteur de T2 et le commun ainsi que la tension aux bornes de RL.
VEM2(t)
4) Utilit de l'tage T2
Le gain en tension intrinsque de T2 est proche de l'unit. L'utilit de T2 semblerait donc limite la faible valeur de la rsistance de sortie qu'il donne l'amplificateur. En ralit, T2 contribue indirectement la valeur du gain en tension intrinsque comme le montre le calcul qui suit. Avec le transistor T2, la charge dynamique de T1 est constitue par RC en parallle avec la rsistance d'entre re2 de T2, lui-mme charg par RL (figure 6-9). Cette charge est de 11,2k comme nous l'avons vu (3e question). En supprimant le transistor T2 et la rsistance RE , et en reliant RL via C3 au collecteur de T1, sa charge devient RC en parallle avec RL . Ce qui donne une rsistance quivalente de 3,38 k . Le gain en tension intrinsque de T1 (rapport vs1/ve ) passe alors de -82 -24,8 . Le rapport des gains est gal au rapport des rsistances de charges car, dans l'expression donnant vs1/ve , seuls les numrateurs sont diffrents. Le transistor T2 apparat, vu par T1, comme un transformateur d'impdance puisque la rsistance de charge, autre que RC , passe de 4,7k 173k , ce qui permet pratiquement de tripler le gain en tension de l'amplificateur.
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T1 gm1v1
rb1
T1 gm1v1
rb1 RC = 12k
v1
v1
RC = 12k
ve(t)
vs1
R1 re2 = 173k
vs1
ve(t)
R1
RL = 4.7k
a) Avec T2
b) Sans T2
limite crtage
9,4V
Figure 6-10 : Droites de charge statique et dynamique de T2. Le point de fonctionnement M de coordonnes IC2 = 5,5 mA et VCE2 = 7 V se situe sur ces droites
La droite de charge statique s'obtient l'aide de l'quation de la maille de sortie. Pour le transistor T2, nous avons : E VCE2 E = VCE2 + R E I E2 d ' o I C2 RE D'aprs cette dernire expression, les deux points de la droite sur le plan IC2(VCE2) sont tels que :
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pour I C 2 = 0
VCE 2 = E = 22V
E = 8,25mA RE Le point M de fonctionnement de T2 est situ sur cette droite (figure 6-10). La droite de charge dynamique passe par ce mme point, puisque l'ensemble C3 et RL n'est travers par aucun courant continu. Le deuxime point de cette droite peut tre dtermin en considrant le schma quivalent de la figure 6-4. Ainsi, la source lie gm2v2 reprsente une variation du courant collecteur de T2, autour de la valeur IC2 = 5,5mA . Donc la plus forte amplitude de cette variation, faisant passer T2 la limite du blocage, est IC2 = 5,5mA . Cette variation maximale du courant traversant la rsistance quivalente RE//RL = R donne son tour une variation de tension collecteur metteur correspondante de : VCE2 Maxi = R I C2 = 1, 71 5, 5 = 9, 4 V crte Cette valeur VCE2Maxi correspond l'cart (E' - VCE2) (figure 6-10). On en dduit par suite l'abscisse l'origine E' du 2e point de cette droite de charge dynamique, soit: E' = VCE 2 + VCE 2 Maxi pour VCE 2 = 0 I C 2 = VCE 2 + R I C 2 = 9,4 + 7 = 16,4V On remarquera que la limitation par blocage du courant collecteur rduit les possibilits d'excursion de la droite de charge dynamique puisque la variation passe de l'cart (E - VCE2) (E' - VCE2) . Par contre, la variation de la tension collecteur metteur est gale VCE2 si l'on nglige la tension de saturation Vsat 100 mV du transistor. Donc, en rgime sinusodal permanent, l'excursion avant crtage sera ici gale 2VCE2 , soit 14Vcrte crte. Cet crtage qui n'est pas symtrique est d, dans ce cas, la saturation de T2.
b) Transistor T1
La droite de charge statique de T1 s'obtient l'aide de la relation (6-2) : pour I C1 = 0 VCE1 = E R C I B2 22V E R C I B2 22 1,31mA R C + (R 1 + R 2 ) 12 + (0,082 + 3,3) Nous rappelons que le point de fonctionnement M1, situ sur cette droite, a les coordonnes : IC1 = 0,48 mA ; VCE1 14 V La droite de charge dynamique, passant par M1, rencontre l'axe des tensions VCE1 au point E'1 tel que : E'1 = VCE1 + VCE1Maxi pour VCE1 = 0 I C1 = = VCE1 + [(R C // re 2 )+ R 1 ]I C1 = 14 + [(12 // 173) + 0,082]0,48 = 14V + 5,45V = 19,45V
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IC1 droite statique droite dynamique 1,31mA point de fonctionnement M1 VCE1 14V E = 22V E1 = 19,45V limite crtage t
0,48mA 0
limite crtage
Dans ce cas, l'excursion en rgime sinusodal permanent est limite par le blocage de T1 car la valeur de lcart VCE1Maxi < VCE1 . L'amplitude maximale crte crte entre collecteur et metteur est gale : 2 (E'1 - VCE1) = 10,9V On peut dduire de ce rsultat l'amplitude maximale de la tension vs1(t) applique sur la base de T2. Elle reprsente une fraction de la tension calcule prcdemment, soit : R C // re 2 v s1Maxi = 2VCE1Maxi (R C // re 2 ) + R 1 11,4 = 10,8Vcrte crte 11,4 + 0,082 Le gain en tension de l'tage suivant tant voisin de l'unit, les variations de la tension de sortie de l'amplificateur, avant dformations par crtage du signal alternatif amplifi, sont donc limites par celles de T1. = 2 5,45 Remarque : On pourra, titre d'exercice, calculer l'amplitude du signal de sortie en l'absence de T2 (et de RE)
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uT2 Ce dernier rsultat montre qu'en prsence du signal appliqu, l'intensit moyenne du courant collecteur varie, ce qui modifie les valeurs des paramtres dynamiques petits signaux , par exemple de gm et rb ; malgr cela, pour de faibles distorsion harmoniques, nous les supposerons constantes dans cette tude lmentaire.
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La composante alternative contient donc un terme indsirable en 2 qui est l'harmonique deux. La tension de sortie vs(t) due au passage de la composante alternative du courant collecteur dans RC , sera ainsi entache de distorsion par harmonique deux. On dfinit alors la distorsion par harmoniques d'un signal comme tant le rapport en valeurs efficaces de l'ensemble des harmoniques sur celle du fondamental. Ce qui, d'une manire gnrale, s'crit:
n=2 2 vsn
v s o vs reprsente la valeur efficace du fondamental et vsn (pour n 2) celle de chaque harmonique. Dans le cas particulier tudi ici, on obtient, d'aprs (6-6) : v 2 / 4 uT2 v Dh = m = m v m / uT 4 uT (6-7) Ainsi, d'aprs (6-7), avec uT ~ 26mV , la tension alternative de sortie vs aurait un taux de distorsion proche de 1% lorsque lamplitude vm ou em = 1mVcrte.
Dh =
RB1 C1
RC E
e(t) RB2 RE CE
vs
e(t)
rb
v gmv
RC
vs
a)
b)
Figure 6-12 : a) Simple metteur commun soumis une attaque en tension lentre. b) Schma quivalent petit signal aux moyennes frquences : la stricte attaque en tension l'entre impose la forme de la tension alternative v(t) entre base et metteur
Si l'on veut obtenir une distorsion harmonique 1% pour des amplitudes de la tension d'entre suprieures 1mVcrte , deux possibilits sont envisageables : La premire, dont le principe est illustr par la figure 6-13, consiste rduire la valeur de lamplitude de v(t) en plaant une rsistance R dans la maille d'entre. Cette solution n'est pas retenue car elle pnalise la frquence de coupure haute et aussi le rapport signal sur bruit (Problme 11 et 19). La deuxime possibilit fait appel l'une des proprits de la contre-raction.
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metteur, produit un signal de sortie dont le taux de distorsion est celui trouv prcdemment divis par le facteur de raction (1 + gmR1) , ce qui donne, pour une faible distorsion harmonique : 1 vm Dh = 1 + g m R1 4 u T
RC E R
vs
CE
e(t) rb
RC
gmv b)
vs
a)
Figure 6-13 : a) La rsistance R reprsente la rsistance interne du gnrateur du simple metteur. b) Schma quivalent petit signal aux moyennes frquences (on nglige ici la rsistance du pont de base RB = RB1//RB2 ) . La rsistance R permettant de fractionner la f.e.m. e(t) , impose une attaque mixte de la jonction base metteur
D'autre part, cette amplitude vm est lie celle em = vem du gnrateur (pour Rg = 0 ) par la relation (figure 6-14) : v e m = v em = v m + R1 ( m + g m v m ) = v m (1 + g m R1 ) rb Ce qui donne enfin : v 1 Dh = em 4 u T (1 + g m R1 ) 2 (6-8)
RB1 C1
RC E rb
e(t) RB2 RE
R1
e(t)
v gmv
R1
RC
vs
CE
ve
vs
a)
b)
Figure 6-14 : a) Emetteur commun soumis une contre raction srie par la rsistance R1 non dcouple par le condensateur CE . b) Schma quivalent petit signal aux moyennes frquences
On remarque toutefois que la relation entre les amplitudes vem et vm suppose que les signaux sont de mme forme, ce qui n'est pas strictement le cas ici. En effet, en prsence
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de la rsistance de contre-raction R1 , l'attaque de la jonction base metteur est mixte, c'est-dire ni strictement en tension, ni parfaitement en courant. Cela signifie que la relation (6-8) donne une valeur de distorsion suprieure la ralit.
Par suite, le transistor T2 reoit sur sa base un signal multipli par le gain en tension intrinsque de T1 : v s1m = 6,5 82 = 533mVcrte auquel correspond une distorsion harmonique du seul transistor T2 : v 1 Dh 2 = s1m 4u T [1 + g m 2 (R E // R L )]2 5,5 4 261 + 1,71.103 26 La forte valeur du produit gm2(RE//RL) explique ici la faible distorsion de cet tage. Le taux de distorsion harmonique rsultant Dhr de l'amplificateur peut tre calcul en admettant que les valeurs quadratiques moyennes s'additionnent, donc : Dhr = (Dh1 ) 2 + (Dh 2 ) 2
2 2
533
2
0,38.10 4
) + (0,38.10 4 ) 2 1.10 2 Ainsi, l'influence de T2 est ngligeable. Le signal d'entre ayant 13mV d'amplitude crte crte et le gain en tension tant de 82, la tension de sortie vs disponible aux bornes de la rsistance RL est de 1,06Vcrte crte. Cette amplitude de la tension de sortie est bien infrieure la valeur de 10,8V crte crte dtermine dans la question prcdente. Ainsi, dans cet exemple, la limitation par distorsion de la tension admissible l'entre est due la loi de transfert cre par le premier tage amplificateur ; la distorsion par crtage (droite de charge dynamique) ninterviendrait dans ce cas pour des amplitudes plus grandes.
[ = [(1.10
1/ 2
1/ 2
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a) Analyse harmonique
D'aprs le calcul effectu dans la question prcdente, le signal aux bornes de la charge RL a un taux de distorsion par harmonique deux voisin de 1 % pour une amplitude de la tension d'entre vem = 13mVcrte crte (13,5mVcrte crte pour la f.e.m. du gnrateur e(t) en tenant compte du facteur d'attnuation d'entre qui est de 0,963). Le rsultat obtenu par la simulation (0,93 %) est un peu plus faible que celui donn par l'expression (6-8) et correspond sensiblement au rapport des amplitudes de l'harmonique deux et du fondamental (tableau 61b).
b) Tension la sortie de T1
L'crtage du signal la sortie du premier tage est d au blocage du transistor T1. Le seuil de celui-ci est atteint lorsque le signal de sortie a une amplitude gale 10,8Vcrte crte (question 5b), il lui correspond une amplitude de la f.e.m. du gnrateur d'entre : v s1Maxi / 2 10, 8 / 2 em = = = 68, 4 mV crte Re 82 0, 963 a v1 Re + Rg En doublant cette tension d'entre par exemple, on obtient la sortie de T1 un signal dont les dformations, sous la forme d'crtages, sont cres par le blocage et la saturation du transistor (figure 6-15). On peut constater que le passage du fonctionnement linaire l'crtage s'opre sans transition dans le cas de la saturation, alors qu'il s'tablit progressivement dans le cas du blocage. Pour ces raisons, l'crtage par blocage est dit "mou", alors que celui d la saturation est dit "dur". La figure 6-16 donne le spectre de la tension dont la forme est donne par la figure 6-15.