Chapitre 2 : Diodes `

a jonction pn
ELEN075 : Electronique Analogique

ELEN075 : Electronique Analogique / Diodes pn

Un apercu du chapitre
1. Jonction pn `a lequilibre.
2. Jonction pn en polarisation directe
3. Jonction pn en polarisation inverse
4. Caracteristique courant-tension
5. Claquage en polarisation inverse

ELEN075 : Electronique Analogique / Diodes pn

2.1

1. Jonction pn : constitution
Un bloc de silicium est dope sur une moitie avec des atomes trivalents
(accepteurs) et sur lautre moitie avec des atomes pentavalents (donneurs)
jonction pn.
Fronti`ere entre les regions p et n : jonction m
etallurgique.
R
egion p : ions negatifs, trous majoritaires et electrons minoritaires.
R
egion n : ions positifs, electrons majoritaires et trous minoritaires.
Sch
ema de principe

Exemple de jonction pn sur un circuit int

egr
e
Al
SiO2

n
p

anode

cathode

substrat de type n

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Formation de la r
egion de d
epl
etion

2.2

(ou zone de charge despace)

Les trous, majoritaires dans la region p, diffusent dans la region n.

Les electrons, majoritaires dans la region n, diffusent dans la region p.
Au voisinage de la jonction metallurgique, les electrons et les trous subissent
des recombinaisons.
Dans cette region, les charges des ions (accepteurs ou donneurs) ne sont pas
compensees par celles des porteurs libres. Les ions sont d
ecouverts. Ils sont
ancres au reseau.
Il en resulte une charge despace et un champ
electrique interne.
Ce champ soppose `a la diffusion des porteurs libres.
= equilibre entre la diffusion et lentranement par le champ electrique.
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2.3

Jonction pn `
a l
equilibre (i = 0 et v = 0)
contact ohmique

jonction metallurgique

Type p
trous majoritaires

Type n
electrons majoritaires

electrons minoritaires

trous minoritaires

ions accepteurs ()

ions donneurs (+)

ions

region neutre

contact ohmique

ions

region de depletion

region neutre

~
champ E
V
tension de diffusion V0

Remarque : la charge totale (sur lensemble de la diode) est nulle (neutralite

electrique).
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2.4

Courants `
a l
equilibre
Courant d
u aux porteurs majoritaires :

les trous diffusent de p vers n : ipdiff > 0 ;

les electrons diffusent de n vers p : indiff > 0.
Au total, idiff (v = 0) = ipdiff + indiff > 0.

Courant d
u aux porteurs minoritaires :
Certains porteurs generes thermiquement dans les regions neutres au voisinage
de la region de depletion parviennent `a celle-ci sans subir de recombinaison.
Ces porteurs sont entran
es par le champ electrique de la region de depletion
vers la region opposee.
Ainsi, un trou genere dans la region n et atteignant la region de depletion est
entrane vers la region p, ce qui engendre un courant negatif.
Le courant total des porteurs minoritaires est le courant de saturation inverse
ou courant de fuite iinv = IS < 0.
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2.5

Jonction pn `
a l
equilibre : quelques remarques
A lequilibre, le courant total est nul : i = idiff + iinv = 0 idiff = iinv . En
ecrivant iinv |v=0 = IS , on a
idiff |v=0 = IS

IS depend de la concentration des porteurs minoritaires et depend donc

fortement de la temperature et des concentrations des impuretes de dopage.
La tension de diffusion V0 depend de la temperature, de la concentration de
dopage et du gap du materiau.
Pour le Si, V0 0.6 `a 0.8 V `a T = 300 K.
La difference de potentiel entre lanode et la cathode vaut zero, pas V0 !
Valeurs typiques de la largeur de la region de depletion : de 0.1 `a 10 m.
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2.6

2. Jonction pn polaris
ee en direct
Pour faire passer un trou de la region p vers la region n, il faut travailler
contre le champ electrique interne, ou, en dautres mots, vaincre la barri`
ere de
19
potentiel e V0. (e = 1, 6 10 C est la charge electrique dun trou).
Courant des majoritaires :
Si on applique une difference de potentiel positive entre la r
egion p et la
r
egion n, on diminue lintensite du champ electrique interne = un plus grand
nombre de porteurs majoritaires peuvent franchir la region de depletion !
On peut montrer que
idiff (v) = idiff |v=0 ev/VT
o`
u VT =

cf.supra

IS ev/VT

kT
est la tension thermique : VT 26 mV `a T = 300 K.
e

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2.7

 Courant des minoritaires : il est inchange ! (analogie de la cascade).

i = IS

Courant total : i = idiff IS =

ev/VT 1 .

Lapport de porteurs majoritaires au voisinage de la jonction metallurgique

conduit `a une r
eduction de la largeur de la r
egion de d
epl
etion.
Diode polaris
ee en direct :
V
R
region p

region n

IS
idiff

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2.8

3. Jonction pn en polarisation inverse

Polarisation : difference de potentiel positive entre la r
egion n et la r
egion p.
Lintensite du champ electrique interne augmente.
La barri`
ere de potentiel qui soppose au courant des majoritaires est plus

elev
ee quau repos.
Le courant idiff diminue : idiff (v) = IS ev/VT

v<0

= IS e|v|/VT < IS .

Le courant des minoritaires reste inchang

e.
Le courant total est n
egatif : i = idiff (v) IS < 0.
La largeur de la region de depletion augmente.
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2.9

Diode polaris
ee en inverse :

V
region p

region n

IS
idiff

Remarque importante : aussi bien en polarisation directe quen polarisation

inverse, le courant des fils de connexion est transporte par des electrons !

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2.10

4. Caract
eristique i v th
eorique
i = IS

ev/VT 1

Si v VT : i IS ev/VT (le courant predominant est celui des majoritaires).

Si v VT : i IS (le courant predominant est celui des minoritaires).
Intensit
e : IS typiquement de 108 A `a 1014 A pour des composants discrets.
Ci-dessous : IS 1014 A,
i (mA) 7
6
5
4
3

genou

2
1
0
0.2

0.2

0.4

0.6

0.8

v (V)

Vf

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2.11

Caract
eristique r
eelle dune diode `
a jonction
i
Mod`
ele en polarisation directe :


i = IS ev/(nVT )1

O(mA)

o`
u n est un coefficient de non-idealite.
(n 2 `a courant faible ou intense).

VBR
Vf
O(A)

Ecarts par rapport au mod`

ele,
en polarisation inverse :
1. |i| IS pour les faibles tensions inverses.
2. Claquage pour v VBR < 0.

Notations : O() signifie de lordre de .

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2.12

5. Claquage de la jonction en inverse

Deux mecanismes de generation dun grand nombre de paires electron-trou. Les
porteurs liberes peuvent conduire un courant important, `a tension relativement
constante.
1. Effet Zener : dans des jonctions fortement dopees
et polarisees en inverse, la force electrique qui sexerce
sur les electrons lies (de valence) peut depasser leur
force de liaison. Les electrons sont liberes en grand
nombre et le materiau est ionise.
Typiquement, pour une diode au silicium, |VBR| <
5 V.

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

~
E

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2.13

2. Effet davalanche : les porteurs de charge en transit dans la region de

depletion sont fortement acceleres. Lorsquils subissent des collisions avec le
reseau, ils peuvent provoquer lionisation du materiau. Les porteurs liberes sont `a
leur tour acceleres et peuvent generer de nouvelles paires par chocs. La reaction
en chane qui en resulte entrane une multiplication importante des porteurs libres.
Typiquement, pour une diode au Si, |VBR| > 7 V.
~
E

trou
trou

trou

e
trou

e
e
e

region de depletion

Le claquage nest pas destructif si la puissance dissipee, P = VR i, est

raisonnablement faible.
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2.14

Effets de la temp
erature sur la caract
eristique i v en
polarisation directe
En polarisation directe, on a i IS ev/(nVT ) pour v > nVT .
IS est proportionnel aux densites des porteurs minoritaires et depend donc de T ;
par ailleurs VT = kT /q depend de T .
A courant i constant, on observe une chute de tension directe v de 2 mV `a
chaque elevation de temperature de un degre celsius.

T2

T1
2 mV/ C

T2 > T1

v
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2.15

Effets capacitifs
On applique une tension v = VDC + VAC sin(2f t). Sous une variation dv de
la tension appliquee, la charge emmagasinee dans le composant varie de dQ. Le
composant est ainsi caracterise par une capacite dynamique
 
 dQ 
C(VDC ) =  
dv VDC

.
donn
e

v(t)

VAC

VDC

dv

dt

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2.16

Jonction polaris
ee en inverse (VDC < 0)
C est la capacit
e de jonction, Cj , associee aux variations de la charge des
ions decouverts dans la region de depletion :
W
region p

dQ

region n

dQ

(sous une augmentation dv de la tension inverse)

 
 dQ 
S
Un calcul detaille montre que Cj =   =
o`
u S est la section droite.
dv
W
Cette capacite est une fonction non lineaire de la tension moyenne VDC
application du varactor (capacite dont la valeur est determinee par la tension
moyenne `a ses bornes).
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2.17

 Jonction polaris
ee en direct (VDC > 0)
deux capacites en serie :
la capacite de jonction Cj
la capacite de diffusion Cd, qui est associee aux variations de la charge
totale transportee par les porteurs majoritaires qui diffusent dans les regions
neutres.

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2.18

Dautres types de diodes (composant redresseurs)

Diodes au germanium : Vf 0.3 V
Diodes Schottky : jonctions metalsemiconducteur. Vf 0.3 0.5 V.
Photodiodes.
Ces diodes ont un courant de saturation inverse qui augmente lorsquelles sont
illuminees : le rayonnement lumineux gen`ere de nombreuses paires qui peuvent
participer `a la conduction electrique.
Diodes
electroluminescentes (LED).
Les porteurs majoritaires qui diffusent dans les regions neutres subissent des
recombinaisons radiatives, cest-`a-dire produisant un rayonnement lumineux.

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2.19