Radiocommunications

Comportement des
composants en hautes
frquences
Jol Redoutey - 2009
1

Comportement en hautes frquences

Composants passifs
Effet de peau
Inductances, transformateurs
Condensateurs

Composants actifs
Diodes (Schottky, PIN, varicap)
Transistors bipolaires
Transistors effet de champ
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Effet de peau
En courant alternatif haute
frquence, la densit de
courant nest pas uniforme
dans toute la section dun
conducteur

Le courant circule dans une fine couronne

la surface du conducteur
3

paisseur de peau
Cest la profondeur laquelle la densit de courant chute
37% de sa valeur en surface.

Pour un conducteur en
cuivre, lpaisseur de
peau est denviron 20m
10MHz et 2m 1GHz

Dimensionnement des
conducteurs en HF

Fil multibrins isols (fil de Litz)

Tubes
Traitement de surface (dorure, argenture)
Prvoir une paisseur 5 fois paisseur
de peau

Inductances dun
metteur de
50kW, ralises
en tube de
cuivre argent.

Inductances en HF

En HF: R dpend de , influence des capacits parasites

7

Schma quivalent dune

inductance en HF
L

Facteur de qualit
Q = L/R
R= f()
Rsonance
LC = 1

Une inductance prsente une frquence de rsonance

propre au-del de laquelle son comportement devient
capacitif (impdance diminue avec la frquence)
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circuits magntiques
Lutilisation dun
noyau magntique
permet de rduire le
nombre de spires
pour une inductance
donne, donc les
pertes par effet Joule.

Btonnet

Pot ferrite

Tore

Pertes dans les circuits

magntiques
Il existe deux types de pertes dans les
noyaux magntiques:
Les pertes par hystrsis
proportionnelles la frquence
Les pertes par courants de Foucault
proportionnelles au carr de la frquence
10

Condensateurs en HF
Un condensateur est caractris par:
Sa capacit
Sa tolrance
Sa tension de service
Son coefficient de temprature

Mais aussi par:

Ses pertes (dilectrique et armatures) ESR
Sa frquence de rsonance propre ESL
11

Pertes dilectriques
I

jVcC

Dans un condensateur rel le courant et la

tension ne sont pas parfaitement en quadrature.
Langle est appel angle de perte.
On caractrise les pertes dilectriques par
Tg = 1/RpC
Rp reprsente la rsistance de pertes
Vc

Vc/Rp
Diagramme des courants

Rp
Modle de condensateur
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Rsistance srie quivalente ESR

En hautes frquences, on doit galement
tenir compte des pertes dues aux
connexions et aux mtallisations.
On modlise lensemble des pertes par
une rsistance srie appele ESR
La puissance dissipe dans un
condensateur parcouru par un courant I
est P = ESR . Ieff
13

Frquence de rsonance dun

condensateur
Linductance L des connexions nest pas
ngligeable en hautes frquences.
Elle constitue avec la capacit C du
condensateur un circuit rsonant srie
dont la frquence de rsonance est
f =

1
2 LC

Au dessus de sa frquence de rsonance un condensateur se comporte

comme une inductance (limpdance augmente avec la frquence)
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Schma quivalent dun condensateur

en hautes frquences
L

ESR

Facteur de qualit
Q = 1/tg
Q = 1/ESRC
Rsonance
LC = 1

f =

1
2 LC
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Diodes Schottky
Contact mtal-semiconducteur
Conduction uniquement par des lectrons

Faible seuil de conduction ( 0,3V)

Capacit inverse rduite
Trs grande rapidit
Utilisations: dtecteurs, mlangeurs
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Diode PIN
P+

N+

Se comporte en HF comme une rsistance

pure fonction du courant direct qui la traverse:

48
RHF ()
I (mA)
Utilisations: Attnuateurs variables, Commande
Automatique de Gain, Commutation HF
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Diode Varicap
Jonction PN dont on utilise la capacit de
jonction en polarisation inverse:
k
C
(VR + 0,5) n

0,33<n<0,75 selon technologie

C
5 < Max <15
C
Min
VR

Utilisations: Oscillateurs contrls en tension VCO,

Circuits accords (tuner TV), etc
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Transistor bipolaire
Modle basse frquence
h11
Collecteur
Base
1/h22
h12 v2
h21 ib
Emetteur

Emetteur

Collecteur
Base
Emetteur
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Transistor bipolaire
Modle haute frquence (hybrid-pi)
B'
B

C
Rbb'

Cb'c
Rb'e

Cb'e

Ib =

Ro

gm.Vb'e
E

La prsence de la capacit Cbc implique une raction de la

sortie sur lentre et vice versa
20

Constitution dun transistor

RF de puissance

21

Transistor bipolaire RF

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Modle RF du transistor bipolaire

Lb

Lc

C'

B'

B
Rbb'

Cb'c
Rb'e

Cb'e

Ro
gm.Vb'e

Rs

Rsistance
de charge

E'
Le

E
E

En hautes frquences, on doit tenir compte de linductance

des fils de connexion entre la puce et le botier
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Transformation de Miller
I2

I1

I2

I1

Y
V1

V2

I 1 = Y (V1 V2 ) = YV1(1
K=V2/V1

I2 = Y (V2 V1 ) = YV 2 (1

Y1

V1

V2
) = YV1(1 K )
V1

Y2

V2

I1 = Y1 V1

Y1 = Y (1 - K)

V1
1
) = YV2 (1 )
V2
K
Y2 = Y(1

I2 = Y2 V2
1
)
K

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Effet Miller
Application de la transformation de Miller
au modle hybrid-pi
Lb

Lc

C'

C
Rbb'
Rb'e

CT

Ro
gm.Vb'e

E'
Le

La capacit Cbc est ramene en parallle avec Cbe et

sa valeur est multiplie par le gain en tension de ltage
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Impdance dentre
B

LT

B'
Rbb'

Zin

Rb'e

CT

En hautes frquences, limpdance dentre dun transistor bipolaire est

toujours ractive et constitue un filtre passe-bas qui limite la rponse aux
frquences leves.
26

Impdance de sortie
C

B'
B
Rg

Rbb'

Cb'c
Cb'e

Rb'e

Zout

Ro

gnrateur
Transformation de Miller

C
Lo
Co

Ro

Zout

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Exemple: BLU99

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Transistor effet de champ

JFET

Drain
N

P
P

Gate

Source

ID IDss ( 1 -VGS/VP)
IDss = ID (Vgs=0)
Vp = Vgs(Id=0)
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MOSFET
VGS

Gate
Drain

Source
SiO2
N

Canal

P
Substrat

ID = K (V GS V th30)

Modle HF du MOSFET
Gat e

Dr ai n
Cgd

Vgs

g m Vgs

Ro

Cgs

Vds

Miller

Sour ce

Rg

Gat e

Dr ai n

g m Vgs

Ve
Cgs

R' L

Vs

Ceq

Source

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Exemple
Amplificateur MOSFET
+VDD

R2

RD

D
Rg

C1

C3

G
S

Ve

R1

RS

RL
C2

Vs

G = Vs/Ve = -100
Rg = 50
Cgd = 1pF
Cgs = 10pF

Faire un schma quivalent

Frquence de coupure haute?
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Exemple
+VDD

R2

G = Vs/Ve = -100
Rg = 50
Cgd = 1pF
Cgs = 10pF

RD

D
C1

Rg

C3

G
S

Ve

R1

RS

RL

Vs

C2

Frquence de coupure haute

Schma quivalent
Rg

Gat e

Dr ai n

g m Vgs

Ve
Cgs

Ceq = Cgd (1 - K) = 1 (1-(-100)) = 101 pF

Ceq

Source

fH =
R' L

Vs

1
2 (Ceq + cgs)R g

fH = 28,7MHz

33

Transistor bipolaire
Le premier transistor 1947

Un transistor RF de puissance

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