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PLAN
1. Les amplificateurs
2. Les transistors Bipolaires
2.1. Définition
2.2. La commutation
2.3. L’amplification
3. Les transistors à effet de champs
3.1. Définition
3.2. La commutation
3.3. L’amplification
4. Comparaison des deux technologies
5 Les applications
5.1. La génération de courant
5.2. La charge active
5.3. La paire différentielle
5.4. L’amplification de puissance
5.5. L’amplificateur opérationnel
5.6. L’alimentation linéaire
5.7. L’adaptation de tension
5.8. Les montages non linéaires
Fabrice Mathieu 1
1. Les amplificateurs
PLAN
1. Les amplificateurs
2. Les transistors Bipolaires
2.1. Définition
2.2. La commutation
2.3. L’amplification
3. Les transistors à effet de champs
3.1. Définition
3.2. La commutation
3.3. L’amplification
4. Comparaison des deux technologies
5 Les applications
5.1. La génération de courant
5.2. La charge active
5.3. La paire différentielle
5.4. L’amplification de puissance
5.5. L’amplificateur opérationnel
5.6. L’alimentation linéaire
5.7. L’adaptation de tension
5.8. Les montages non linéaires
Fabrice Mathieu 2
1. Les amplificateurs
Le quadripôle d’un amplificateur peut être déterminé par les différentes matrices classiques
(admittance, impédance et hybride)
Zin, Av, Ai et Zout peuvent être exprimé avec les paramètres des différentes matrices.
Important :
- Faire attention au sens des courants
- Vérifier si l’étude du quadripôle est effectuée à vide ou en charge.
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1. Les amplificateurs
Fabrice Mathieu 4
2. Les transistors bipolaires
PLAN
1. Les amplificateurs
2. Les transistors Bipolaires
2.1. Définition
2.2. La commutation
2.3. L’amplification
3. Les transistors à effet de champs
3.1. Définition
3.2. La commutation
3.3. L’amplification
4. Comparaison des deux technologies
5 Les applications
5.1. La génération de courant
5.2. La charge active
5.3. La paire différentielle
5.4. L’amplification de puissance
5.5. L’amplificateur opérationnel
5.6. L’alimentation linéaire
5.7. L’adaptation de tension
5.8. Les montages non linéaires
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2. Les transistors bipolaires
2.1. Définition
Transistor NPN Transistor PNP
C E
B B
IC = I B
E C I E = IC + I B
−VBE
V V
VBE
I C = I S 1 + CE e VT
− 1 − I C = I S 1 + CE e VT
− 1 VT =
kT
VA
VA
q
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2. Les transistors bipolaires
2.2. La commutation
Le transistor bipolaire est très utilisé en commutation. Le principe de base peut être
représenté par le montage inverseur.
Vcc Condition de blocage (interrupteur ouvert) I b = 0 Vbe Vbesat
IC
Condition de saturation (interrupteur fermé) I b
min
Vcesat VCEbloqué
Ron = 5 Roff = 108
Ic I CEcutoff
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2. Les transistors bipolaires
2.3. L’amplification
Différentes classes d’amplificateurs
La polarisation
Pour fonctionner en amplificateur, un transistor doit être alimenté de façon à ce qu’il soit en
régime linéaire. Pour cela un circuit de polarisation doit lui être appliqué.
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2. Les transistors bipolaires
2.3. L’amplification
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2. Les transistors bipolaires
2.3. L’amplification
Modèle petit signal simplifié
Autour du point de polarisation, si les signaux d’amplification sont faibles (pas de distorsion),
on linéarise le fonctionnement avec le montage suivant
dVBE V
Avec : rbe = Rin = T
dI B IC
dVCE V A + VCE
rce = Rout = =
dI C IC
dI C I
Et gm la transconductance : gm = C ; g m vbe = ib
dVBE VT
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2. Les transistors bipolaires
2.3. L’amplification
Modèle petit signal réel
Effet Miller : l'influence du gain d'un amplificateur inverseur sur ses propres caractéristiques d'entrée.
(dans le cas d'un amplificateur non-inverseur, le même effet conduit à la génération d'impédances négatives).
Conséquences : Diminutions de l’impédance d’entrée et de la bande passante du montage
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2. Les transistors bipolaires
(rce // RC // RU ) ( + 1)(rce // RE // RU ) 1 1
AV = − AV = − AV = g m + (rce // RC // RU )
rbe rbe + ( + 1)(rce // RE // RU ) rce
1 rbe
Re = R p // rbe Re = R p // (rbe + ( + 1)(rce // RE // RU )) Re =
gm
RS = RC // rce RC RS = rce // RE //
(RG // R p ) + rbe
RS = RC // (rce + (g m rce + 1)(rbe // RE // RG ))
+1
IC VT VA + VCE
gm = rbe = rce =
Avec : R p = R1 // R2 , VT , IC , IC
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2. Les transistors bipolaires
Conclusions
Le montage en émetteur commun est utilisé en amplificateur. Par contre, pour améliorer ses caractéristiques
d’entrée et de sortie, on peut lui associer un montage en collecteur commun en amont et en aval.
Le montage à base commune est peu utilisé. Cependant, il apporte un intérêt dans les montages à haute
fréquence, car l’effet de la capacité Miller est fortement diminué, ce qui permet une bande passante plus
importante.
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3. Les transistors à effet de champs
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1. Les amplificateurs
2. Les transistors Bipolaires
2.1. Définition
2.2. La commutation
2.3. L’amplification
3. Les transistors à effet de champs
3.1. Définition
3.2. La commutation
3.3. L’amplification
4. Comparaison des deux technologies
5 Les applications
5.1. La génération de courant
5.2. La charge active
5.3. La paire différentielle
5.4. L’amplification de puissance
5.5. L’amplificateur opérationnel
5.6. L’alimentation linéaire
5.7. L’adaptation de tension
5.8. Les montages non linéaires
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3. Les transistors à effet de champs
3.1. Définition
Il existe plusieurs types de transistors à effet de champs. Les deux types les plus utilisés sont:
les transistors JFET à canal N et P et les transistors MOSFET à enrichissement et à
appauvrissement à canal N ou P. Soit 6 types de transistors.
Le JFET
C’est un transistor FET à jonction. Le canal de conduction
correspond à la région n, encadrée par deux région p
connectées à l’électrode de grille. Cette grille sert à polariser la
jonction pn en inverse de façon à moduler la largeur du canal.
Le JFET conduit si VGS V p , Vp est la tension de pincement
(pinch voltage), c’est une tension inverse négative.
Cette tension est très peu reproductible d’un transistor à l’autre.
2
V VDS
I D = I DSS 1 − GS 1 +
Vp V AJ
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3. Les transistors à effet de champs
3.1. Définition
Le JFET
Le courant de grille IG correspond au courant de fuite de la jonction pn, il n’est donc
pas complètement nul. Cependant il est négligeable comparé au courant de base
existant dans le bipolaire.
La tension VAJ est un effet comparable à la tension d’Early, elle est due à la modulation
de la longueur du canal de conduction par la tension VDS. (~150V)
Canal N Canal P
I 2
gm = D =− I DSS . I D repos
VGS VDSconst VP
V V + VDS
rds = DS = AJ
I D VGS const ID
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3. Les transistors à effet de champs
3.1. Définition
Le MOSFET
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3. Les transistors à effet de champs
3.1. Définition
Le MOSFET
(
I D = K 2(VGS − VT )VDS − VDS
2
)
1 W
Avec VGS > VT et VDS < VGS -VT K= eff Cox
2 L
Régime saturé (Mode pentode) µeff : Mobilité des porteurs dans le canal
2 V Cox : Capacité du condensateur de grille
I D = K (VGS − VT ) 1 + DS
VA W : Largeur du canal
Avec VGS > VT et VDS > VGS -VT L : Longueur du canal
I DSS = K .VT2
ID
VA : Tension d’Early VA = − VDS
I D
DS V
V
GS
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3. Les transistors à effet de champs
3.2. La commutation
Le transistor MOS est très utilisé en commutation. Son énorme intérêt d’avoir un courant de
grille quasiment nul, donc un courant de commande nul.
Dans ce cas, les paramètres importants sont les temps de commutation à l’ouverture et à la
fermeture ainsi que la résistance en circuit ouvert Roff et en circuit fermé Ron.
Ron : correspond à la résistance du canal en conduction.
VDS 1
Elle dépend donc beaucoup de la technologie utilisée Ron =
I D 2 K (VGS − VT )
Elle est de quelque dixième d’ohm à quelque dizaines d’ohm. VDS 0
I D 2 ID
gm = 2 K .I D
VGS VGS − VT
VDS VA + VDS
rds =
I D ID
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3. Les transistors à effet de champs
1
AV = 1 g m RL
AV = − g m (rds // RL ) − g m RL 1 AV =
1+ 1 + g m RS
g m RL
1
Re = Re = Re =
gm
1 1
RS = RL // rds RL RS = // RL RS = rds (1 + g m RS )
gm gm
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4. Comparaison des deux technologies
PLAN
1. Les amplificateurs
2. Les transistors Bipolaires
2.1. Définition
2.2. La commutation
2.3. L’amplification
3. Les transistors à effet de champs
3.1. Définition
3.2. La commutation
3.3. L’amplification
4. Comparaison des deux technologies
5 Les applications
5.1. La génération de courant
5.2. La charge active
5.3. La paire différentielle
5.4. L’amplification de puissance
5.5. L’amplificateur opérationnel
5.6. L’alimentation linéaire
5.7. L’adaptation de tension
5.8. Les montages non linéaires
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4. Comparaison des deux technologies
Généralités
- En commutation, résistance série faible - Résistances Ron faible (plus forte que le
si Ic important. bip mais moins dépendante du courant).
- Tension d’early Ic = f(Vbe) non plat dans - Effet Early existant mais moins marqué que le bip
la zone linéaire.
- Impédance d’entrée faible (vue de la base). - Impédance d’entrée très forte (vue de la grille).
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4. Comparaison des deux technologies
Fabrice Mathieu 24
5. Les applications
PLAN
1. Les amplificateurs
2. Les transistors Bipolaires
2.1. Définition
2.2. La commutation
2.3. L’amplification
3. Les transistors à effet de champs
3.1. Définition
3.2. La commutation
3.3. L’amplification
4. Comparaison des deux technologies
5 Les applications
5.1. La génération de courant
5.2. La charge active
5.3. La paire différentielle
5.4. L’amplification de puissance
5.5. L’amplificateur opérationnel
5.6. L’alimentation linéaire
5.7. L’adaptation de tension
5.8. Les montages non linéaires
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5. Les applications
Points Importants :
- la stabilité Rc Rc
- l’égalité des courants
Transistors identiques
I I I I I I
V- V-
Valeur du courant :
Vbase − V− − Vbe + 1
I=
Re
! Attention !
I I I I I I
Sensible à la température
Vbase Vbase
kT I c
Vbe ln
q Is
+ 1 k I c T 2 .10 −3
I ln . T Re Re Re Re Re Re
q I s Re Re V- V-
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5. Les applications
! Attention !
Il faut respecter la symétrie parfaite des transistors
Utiliser des composants spécifiques
Utiliser des élevés 2Vbe 2
kT I c
ln Potentiel flottant
q Is
Compensation en température Vcom +
+
Rcom
1
Iin
Iout
I out I in
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5. Les applications
Elle est utilisée dans la majeure partie du temps pour limiter l’utilisation des résistances qui sont très
difficilement intégrables dans les circuits intégrés.
Elles augmentent également le gain d’amplification en jouant sur la résistance dynamique.
V+
AV − (RC // rce ) − g m .RC − 40.RC I C si RC I C 6V ; I C 2mA
rbe 2
AV −240 et rs RC 3k
u
Il faut que l’impédance vue du collecteur soit très forte, avec une polarisation identique.
Fabrice Mathieu 28
5. Les applications
AV
IC
(RC // rce ) = I C rce = I C VA = VA 3000
VT VT 2 VT 2 I C 2VT
On peut donc charger une branche d’amplification sans résistance en améliorant le gain d’amplification.
Ceci, en pilotant la polarisation de la branche d’amplification en intégrant un miroir de courant.
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5. Les applications
! Attention !
Ceci n’est vrai que pour de très petites variations autour du point de polarisation VE1-VE2< VT
Fabrice Mathieu 30
5. Les applications
E+
Q2
Vin Vout1
Vin
RL1
100
Q3
0
E-
RD1
E+
Vout1
Q4
D1
Vin Vout2
D2
Q5 RL2
RD2
0 Vout2
E-
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5. Les applications
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5. Les applications
Vin
Vout = Vz+Vbe
Régulateur
Vz
Vin
Vout = Vreg+Vbe
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5. Les applications
Montages Inverseurs
VCC2
VCC2
Vérifier que le courant de sortie soit compatible Vérifier que la tension Vgs(th) soit inférieur à VCC1
Faible consommation
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5. Les applications
! Attention !
Amplificateur logarithmique
Très sensible à la température
Utiliser des circuit monolithiques compensés
+ Respecter les niveaux de tensions compatibles
R -
kT Vin
Iin Vout − ln
Vin q R.I s
Multiplieur (Mixeur)
Amplificateur anti-logarithmique
ou exponentiel
+
-
R
- V1
+
+
+ +
Vin q -
Vout − R.I s exp Vin -
+
k.T
V2 Vout K .V1.V2
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Annexes
Bibliographie
Cours d’électronique analogique très complet : http://philippe.roux.7.perso.neuf.fr/