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Si
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trou libre
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ND NA
-
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B -
A tom e dopant
Atome dopant Si
Si np(0)
ionisé
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expVF/VT
Si
Si Si
Si Si
Si expVF/VT npo
pno
n p n
Isolant de grille / oxyde
EC qVD2
qVD1 source grille drain
Eg EC
EC
EF EF
Eg
Eg N+ N+
EV
EV substrat p
Emetteur Base Collecteur
canal n induit par le champ
Juin 2003
Groupe Microélectronique/IETR, Université de Rennes 1, Campus de Beaulieu, Bât 11B, 35042 Rennes Cedex
Tél : (+33) (0)2.23.23.60.71 Fax : (+33) (0)2.23.23.56.57 email : olivier.bonnaud@univ-rennes1.fr
AVANT-PROPOS
Ce cours, constitué de deux parties, est destiné aux étudiants de 1ère et 2ème année de SUPELEC
et vient à la suite de l’enseignement de Mécanique Quantique .
L’objectif de ce cours est d’aborder la physique du semiconducteur et des dispositifs
électroniques afin de comprendre les bases du fonctionnement des composants microélectroniques
qui constituent les briques des circuits intégrés ou des cartes utilisés dans pratiquement tous les
systèmes électroniques d’aujourd’hui (informatique, télécommunications, électronique embarquée,
etc…). La connaissance des principes de base, ces derniers comprenant la physique du solide, la
statistique et la physique du semiconducteur, constitue un atout et une nécessité au niveau
ingénieur. La connaissance du comportement physique des composants et dispositifs électroniques
permet de mieux appréhender les performances des circuits électroniques qui sont toujours limitées
par les composants qui les constituent. Par ailleurs, il est raisonnable de prévoir que dans le cadre
de leur vie professionnelle, quel que soit le domaine effectif d’activités, les futurs ingénieurs
auront au minimum à dialoguer avec les fabricants de circuits intégrés s’ils n’en conçoivent ou
fabriquent pas eux-même ou les équipementiers qui fabriquent des cartes électroniques. Il faut
donc acquérir à la fois le vocabulaire et les principes fondamentaux de cette discipline.
L’approche physique utilisée est inhabituelle puisqu’il est nécessaire de raisonner avec des
concepts nouveaux et avec des ordres de grandeur des paramètres physiques énormément
différents. De plus, bien que ramenée à des concepts de base, la physique utilisée est suffisamment
complexe pour essayer en permanence d’en simplifier l’approche afin d’aboutir à des solutions
analytiquement accessibles. La combinaison des ordres de grandeurs très différents et des
équations comportant de nombreux termes permettent la prise d’hypothèses simplificatrices à
condition d’en bien connaître les tenants et les aboutissants. Ce document cherche à simplifier la
présentation tout en insistant sur des explications et comparaisons à des fins pédagogiques ;
d’autres documents, beaucoup plus complets, existent dans la littérature (cf bibliographie) et
permettent d’approfondir cette approche.
La physique du semiconducteur et des dispositifs est donc d’une approche, a priori, difficile
mais qui donne habituellement une ouverture d’esprit fortement appréciée. Un minimum
d’investissement personnel et une attention particulière aux propos et analogies émis en cours
permettent en général aux élèves-ingénieurs SUPELEC de bien assimiler cet enseignement.
Olivier BONNAUD
SOMMAIRE
1ERE PARTIE
2EME PARTIE
CHAPITRE I
ELEMENTS DE CRISTALLOGRAPHIE
Ce premier chapitre apporte des informations de base sur la cristallographie qui doivent
permettre de comprendre la structure et ses conséquences sur le comportement des électrons
dans un cristal. En effet, les dispositifs électroniques que nous étudierons à la fin de ce cours,
mettent en jeu le déplacement des électrons dans un cristal semiconducteur. Il s’agit donc de
se définir un vocabulaire précis qui permettra aux spécialistes de dispositifs de se repérer.
Pour de faibles énergies d’agitation thermique des atomes, c’est-à-dire aux basses
températures (cette notion sera précisée plus loin), un grand nombre d’atomes peuvent se lier
entre eux tout en respectant les symétries des orbitales. Les atomes étant identiques, dans une
première approche, la distance inter-atomique étant constante, une structure périodique se
constitue de proche en proche. Cet arrangement constitue le cristal.
Parallèlement, pour continuer à respecter le principe d’exclusion de Pauli, la création de
nombreuses liaisons chimiques va multiplier le nombre de niveaux d’énergie. Intuitivement,
du fait que nous sommes partis de niveaux d’énergie discrets d’un seul atome, nous allons
successivement dédoubler ces niveaux, qui restent à des valeurs très voisines. Ainsi dans un
cristal de grande dimension, nous allons trouver des regroupements d’une quasi-infinité de
niveau d’énergie. De la sorte, nous dirons que des bandes d’énergie, correspondant à des
pseudo-continuum se constituent. Le terme pseudo provient de la non-infinité des atomes et
donc de la non-continuité des états d’énergie.
II Réseaux cristallinx
1°) Le cristal
Comme nous venons de l’évoquer, le cristal est un arrangement périodique d’atomes
répondant à un certain nombre de symétries qui sont l’inversion, la rotation, la réflexion dans
un parallélépipède. Nous dénombrons 7 classes de parallélépipèdes ou 7 systèmes cristallins.
Le tableau ci-dessous recense ces systèmes qui sont différentiés par leurs angles et par les
dimensions relatives des cotés.
Ces systèmes sont caractérisés par les paramètres du parallélépipède. Suivant les
considérations de translation (suivant la première diagonale par exemple), nous sommes
amenés à singulariser 14 types d’arrangement du point de vue des symétries qui constituent
les 14 réseaux de Bravais. Nous pouvons noter qu’une forme de base, appelée maille, non
élémentaire permet parfois de mieux décrire les relations de symétrie qu’une maille dite
élémentaire. Le meilleur exemple sera donné plus loin pour le silicium.
Les 14 réseaux de Bravais sont :
- cubique simple, cubique centré et cubique faces centrées,
- tétragonal simple, tétragonal centré,
- orthorhombique simple, orthorhombique centré, orthorhombique faces centrées,
orthorhombique à deux faces centrées,
- trigonal et trigonal hexagonal,
- monoclinique, monoclinique à deux faces centrées,
- triclinique.
Ces réseaux sont bien sûr importants pour représenter des cristaux. La figure 1 présente les
réseaux de base de nombreux cristaux et plus particulièrement ceux qui nous intéressent, à
savoir, le réseau cubique simple, le cubique centré (un atome au centre du cube), et le cubique
faces centrées (un atome sur chaque face du cube).
a
a
a
Figure 1 : réseaux cubique simple, cubique centré et cubique faces centrées. Ces
réseaux sont les trois réseaux de Bravais à base de cubes.
Nous verrons dans la suite qu’une combinaison de cubes faces centrées permet de
représenter un réseau tétraédrique correspondant à celui des principaux semiconducteurs
utilisés en microélectronique.
r
c
r
b
r
a
Figure 2 : Représentation d’une maille construite sur la base d’un parallélépipède
r r r
b , c ,.
défini par les trois vecteurs non colinéaires, a ,
r r r r
- nœud : extrémité du vecteur n : n = ua + vb + wc ,
- rangée : toute droite passant par deux nœuds,
- maille : tout parallélépipède construit sur 3 vecteurs non colinéaires,
- plan réticulaire : tout plan passant par trois nœuds portés par trois vecteurs non
colinéaires,
Parallèlement à un plan réticulaire, il existe par translation d’une combinaison linéaire des
vecteurs de base, une infinité de plans réticulaires. Ils constituent donc une famille de plans
réticulaires. C’est la raison pour laquelle il sera choisi le représentant de cette famille qui se
trouve dans la maille élémentaire portée par les trois vecteurs de base des périodicités.
L’équation d’un plan réticulaire peut s’écrire sous la forme :
t = hx + ky + lz avec h, k, l et t entiers relatifs (1)
Si t = 0, le plan passe par l’origine
Si t = ±1, le plan est le premier plus proche de l’origine.
- indices de Miller : le plan réticulaire est défini par son vecteur directeur qui a les
coordonnées entières suivant les 3 directions de l’espace, h, k, l. Par commodité, on
appellera ce plan (h, k, l).
Les nombres entiers relatifs, h, k, et l sont appelés indice de Miller.
La figure 3 montre la position du plan appelé (2,3,1) qui est représenté en pratique dans la
r r r
maille élémentaire parallélépipédique définie par les vecteurs a , b , c .
z
r1
c
r y
1/3
b1
r
1/2
a
1
x
Figure 3 : exemple de représentation d’un plan réticulaire dans une maille élémentaire. Le plan d’indice (2,3,1)
est représenté dans la première maille élémentaire comme indiqué sur la figure. De ramener la famille de plans à
la première maille permet de simplifier énormément les représentations.
Remarque : le plan réticulaire de la famille (h,k,l), ne peut passer par les points A(h,0,0), B (0,k,0) et C (0,0,l)
que si |h|=|k|=|l|=1. Par exemple, le plan le plus proche de l’origine de la famille repérée par les indices de Miller
(2,3,1), coupe les axes des coordonnées respectivement en 1/2, 1/3, 1 mais correspond aussi à la famille de plans
parallèles à celui coupant les axes en A (3,0,0), B (0,2,0), C (0,0,6).
Propriétés intéressantes :
- le réseau réciproque du réseau réciproque est le réseau direct,
- tant rangée du réseau réciproque est perpendiculaire à la famille des plans réticulaires
de même indice du réseau direct,
r r r r
r * = ha*+ kb * + lc * ⊥ plan (h,k,l) (4)
- la relation entre les volumes des mailles est issue du produit mixte et fait apparaître le
coefficient (2π)3 :
r r
vo*.vo = (2π )3 (5)
IV Zone de Brillouin
Cette zone se détermine dans le réseau réciproque. En effet, la zone de Brillouin va
correspondre au domaine d’influence d’un atome sur les autres atomes voisins. Il faudra
raisonner sur les énergies, et donc en fonction des fonctions d’onde. Intuitivement, plus les
atomes sont éloignés de l’atome considéré, moins ils auront d’influence. Nous allons ainsi
définir des zones d’influence, donc essentiellement avec les plus proches voisins. La notion
même de fonction d’onde, rappelle que la quantité de mouvement est très étroitement liée au
terme spatialement dépendant de la fonction d’onde. L’espace des phases (les vecteurs k) va
en pratique correspondre à celui du réseau réciproque (son origine en fait).
Par définition, la zone de Brillouin, est la maille de Wigner-Seitz correspondante. Cette
maille est déterminée par les plans médiateurs entre les plus proches voisins d’un atome. Pour
simplifier cette présentation, nous pouvons prendre l’exemple d’un réseau bidimensionnel et
carré.
La figure 4 met en évidence la première zone de Brillouin repérée par 1 et la deuxième
zone repérée par 2, délimitées dans ce cas par les médiatrices (des droites).
2
1 2
d
K L
J
Figure 5 : Phénomène de diffraction dans un réseau. Entre deux plans consécutifs, la
différence de chemin optique crée des phénomènes d’interférence dans une direction
donnée.
mais permet de décrire des phénomènes observés, à savoir des bandes d’énergie accessibles et
interdites.
d
θ
Si
Si
Si Si
Pour représenter une suite de tétraèdres qui font des angles entre eux non droits,
directement, cela complique fortement le dessin. En réalité, il est possible, par le jeu des
périodicités de reconstituer le réseau tétraédrique à partir d’un réseau cubique faces centrées.
Pour bien comprendre la construction du réseau nous construisons tout d’abord, figure 6, un
réseau cubique faces centrées. Dans ce réseau, les atomes occupent les 8 sommets du cube
ainsi que le centre de chacune des 6 faces. Pour les deux faces supérieure et inférieure, nous
avons fait apparaître les diagonales pour mieux les repérer sur la figure. Les 4 atomes au
centre des faces verticales (à mi-hauteur) sont reliées par un carré en perspective tracé en
pointillés.
Figure 6 : réseau cubique faces centrées. Nous avons repéré la première diagonale du
cube qui va servir à la construction du réseau complet.
Il est alors facile de détecter le tétraèdre (visible en bas à gauche sur la figure) construit à
partir de l’origine du premier cube, de l’origine du deuxième cube et des trois atomes centrés
sur les faces du premier cube, qui sont alors les plus proches voisins. La structure tétraédrique
peut être ainsi construite pas à pas à partir de ce premier motif. Notons, que nous observons le
début d’un tétraèdre équivalent à partir du deuxième sommet du premier cube (en bas à droite
de la figure).
Une façon simplifier de décrire ce réseau consiste à dire que c’est réseau cubique face
centrée avec un motif élémentaire comportant deux atomes distants d’un quart de la diagonale
principale et dans sa direction.
De cette structure, il est alors possible de repérer les principaux axes cristallographiques
qui seront utilisés en microélectronique.
Un plan réticulaire repéré par les indices (1,0,0) sera perpendiculaire au vecteur de
coordonnées (1,0,0) et sera donc parallèle à la face du cube passant par l’origine et
perpendiculaire au plan du dessin. C’est dans ce plan que seront fabriqués préférentiellement
les transistors MOS.
Un plan réticulaire repéré (1,1,1) passera par les trois sommets du cube les plus proches de
l’origine, comme représenté figure 8. Ce plan passe aussi par les centres des trois faces
construites sur l’origine.
Figure 8 : Repérage d’un plan d’indices (1,1,1). Ce plan est relativement dense
puisqu’il comporte trois sommets du cube et trois atomes au centre des faces. Un
calcul simple montre qu’il contient en moyenne 4 atomes pour la même surface.
CHAPITRE II
Ce chapitre est destiné à apporter des notions utiles à la compréhension des comportements des
électrons dans les cristaux. La périodicité des cristaux implique une répartition des états
énergétiques accessibles par les électrons propres à chaque cristal. Cette approche est nécessaire
pour expliquer plus tard le comportement électrique des dispositifs électroniques.
h2 δ 2ϕ
− + U (x).ϕ(x ) = E ϕ(x )
2m δx2
Dans notre modèle très simplifié, U(x) = 0
h2 δ 2ϕ
− . = E ϕ(x ) ⇒ ϕ(x ) = A exp(ikx) + B exp(−ikx)
2m δx2
En appelant L la dimension du cristal, nous nous retrouvons dans le cas du modèle de puits de
potentiel infini, c’est à dire que les conditions aux limites sont : ϕ(0) = 0 et ϕ(L) = 0
h 2π 2 2
Donc ϕ(x) = A Sinkx avec k = nπ et En = n avec k = 2mE
L 2m L2 h2
Nous retrouvons bien évidemment que l’énergie de l’électron est quantifiée. Dans ce cas, c’est en
raison des limites finies du cristal. Notons que si le cristal est suffisamment grand, donc L très
grand, les états énergétiques représentent un pseudo-continuum. La quantité de mouvement de
l’électron est liée à k. Ainsi :
h2 2
p = hk k = nπ E = k (8)
L 2m
Nous pouvons ainsi représenter E en E
fonction de k, qui est proportionnel à la + +
quantité de mouvement, Figure 10. Nous
dirons que E est représenté dans l’espace des + +
phases (unidimensionnel dans ce cas). Nous
+ +
trouvons ainsi des niveaux d’énergie discrets
+ π+
situés sur une parabole. Nous pouvons de plus − nπ −π + nπ k
L L L L
noter que le changement de k en –k donne le
Figure 10 : Energie en fonction de la quantité de
même résultat pour le niveau d’énergie mouvement (espace des phases). Les niveaux sont
discrets et dépendent de la dimension du cristal. Plus
(même valeur propre). Ceci sera utile dans la le cristal est grand, plus les états énergétiques sont
suite. rapprochés.
Bien qu’intéressant comme première approche, ce modèle ne peut traduire avec suffisamment de
fidélité les phénomènes observés en particulier les bandes d’énergie autorisées et interdites dans le
cristal. Il faut donc tenir compte de la périodicité du potentiel énergétique.
Remarquons que U(x) est réel ce qui signifie que dans le développement en série les deux
composantes imaginaires conjuguées existent simultanément : UG = U-G. Nous pouvons aussi écrire
que : U (x ) = ∑U G CosGx (10)
G
∫0
L
( )
exp i(K − K') x .dx = 0 si K ≠ K'
Ainsi, en multipliant l’équation (12) par exp(-iK’x) et en l’intégrant entre 0 et L, nous obtenons :
h
( )
2 L L L
∫∑ K 2 CK.expi(K − K')x.dx + ∫ ∑∑ UGCK exp i(K +G−K') x .dx = E ∫∑C K expi(K − K')x.dx
2m 0 K 0 G K 0 K
(λ K − E ) CK + ∑U C
G
G K −G = 0 et ψ K (x ) = ∑C
G
K −G expi(K −G ) x (13)
A chaque valeur de G, correspond une fonction d’onde qui dépend de K et que nous noterons
ψK(x). La forme de cette fonction est la suivante :
Cette expression montre que la fonction d’onde est le produit de deux exponentielles, la
première étant périodique en a, la deuxième correspondant à la fonction d’onde de l’électron libre.
La fonction périodique correspond à la modification apportée à la fonction de l’électron libre par le
potentiel périodique. Pour mieux comprendre la suite de valeurs de K et G , traçons ces valeurs sur
un axe, Figure 11 :
0 K1 K 2 Kn-1Kn
2(n−1)π
− 2π 0 2π 4π
2π K
L L L L L
−2π 0 2π
a a G
-G1 0 G1
Figure 11 : représentation des différentes valeurs de K et G issus d’inverses de valeurs
entières.
La périodicité de G est due à la périodicité du réseau cristallin alors que la périodicité de K est
due aux dimensions du cristal (ici unidimensionnel).
° ° °
atome
° °
Figure 12 : Modèle de l’électron quasi-libre : variation de l’énergie potentielle dans le cas
de la méthode des perturbations. Le potentiel varie sinusoïdalement avec la période du
réseau.
La fonction d’onde de l’électron libre n’est donc pas trop perturbée et à partir de l’équation (13),
en prenant pour G les deux valeurs, 0 et G1 nous pouvons écrire :
ψ (x ) = CK expiK x + CK −G1 expi(K −G1 ) x (15)
En se rappelant que UG1 = U-G1 = U1, et que ψΚ et ψ−Κ donnent la même valeur de l’énergie,
nous pouvons établir les deux relations issues de (13) correspondant aux deux composantes de la
fonction d’onde.
⎧ h2
λ
⎪⎧ (λK − E ) CK + U1 CK −G1 = 0
⎪ = K2
⎪ K
2m
⎨ avec ⎨
⎪⎩(λK −G1− E ) CK −G1 + U1 CK = 0
(16)
h
( )
2
⎪λ = K −G1
2
⎪⎩ K −G1 2m
Ce système d’équations à 2 inconnues, CK et CK-G1, ne donne une solution non nulle que si son
déterminant est nul.
⎛⎜ λ − E ⎞⎟ ⎛⎜ λ ⎞ 2
E 2 − ⎛⎜ λK + λK −G1 ⎞⎟ E + λK λK −G1 − U1 = 0
2
K −G1 − E ⎟ − U1 = 0 ⇒
⎝ K
⎠⎝ ⎠ ⎝ ⎠
En remplaçant λK et λK-G1 en fonction de K2 et (K-G1)2, nous obtenons :
h2 ⎛⎜
2⎞
⎛ 2mU1 ⎞ ⎟
E+ − = 1
2 2m ⎜⎜
2 ( 2 ⎛
⎝
) 2 (2 ⎞2
K + K − G1 ± ⎜ K + K − G1 ⎟ + 4 ⎜⎜ 2 ⎟⎟ ⎟
⎠
) (17)
⎝ h ⎠ ⎟
⎝ ⎠
A partir de cette relation (17), nous pouvons analyser les différents niveaux d’énergie, plus
attentivement les valeurs particulières.
G G h2 2
• si K = 1 ⇒ K − G1 = − 1 ⇒ E± = K ± U1 (18)
2 2 2m
Il y a donc un saut d’énergie de valeur égale à 2U1 avec un décalage de –U1 et +U1 par rapport
au cas de l’électron libre.
2
G1 ⎛ 2mU ⎞ 2
• si K << , comme U1 est faible, ⎜ 2 1 ⎟ << G1 . Un développement limité permet
2 ⎝ h ⎠
d’obtenir : E+ =
h2
2m
(K − G1 ) et E− =
2 h2 2
2m
K (19)
Ainsi, pour K faible, E- correspond à l’énergie de l’électron libre, pour K proche G1/2, E- se
décale de -U1.
Pour K faible, G1 – K est proche de G1, E+ correspond à l’énergie de l’électron libre et pour K
proche de G1/2, E+ se décale de +U1. Nous avons la représentation donnée figure 13.
E
électron libre
+ π+
−π −π + π K
a L L a
Figure 13 : Diagramme des phases, E(k), dans le cas d’un cristal unidimensionnel de
périodicité a. Pour k = 2π/a, nous constatons un saut d’énergie, qui éloigne le pseudo-
continuum de la courbe de l’électron libre. Cela signifie qu’il y a une bande d’énergies non
permises ou bande interdite.
Tout l’intérêt de cette résolution réside dans le fait que nous avons démontré, dans le cas le plus
simple possible, la présence d’une bande d’énergies non permises ou bande interdite et qui
correspond à la réalité physique dans les cristaux. En général, L étant très grand devant a, les
niveaux d’énergie discrets tendent vers un pseudo-continuum dans les zones autorisées. Nous
parlons alors de bandes d’énergie permises ; notons que ces niveaux d’énergie sont accessibles
mais pas forcément occupés.
Si nous supposons que l’analyse se situe au niveau des électrons de valence d’un cristal, donc
des électrons permettant les liaisons chimiques, la bande d’énergie permise correspond à la
première zone de Brillouin, zone d’influence des premiers voisins. Notons que dans notre modèle,
nous avons supposé une influence simplifiée du premier voisin puisque nous avons pris pour
potentiel, seulement le premier terme d’un développement en série. Cela laisse supposer, que dans
une résolution plus complète, nous trouverons des formes plus complexes.
IV Conclusion
E E
GaAs Silicium
∆k
Gap direct Gap indirect ----
----
Eg Eg
Le schéma de gauche montre le cas d’une transition directe ; ce cas se rencontre pour le GaAs.
Lors de la transition, l’électron peut émettre un photon dont la longueur d’onde est directement liée
à la distance énergétique. Ce phénomène est utilisé dans tous les composants optiques et émetteurs
de lumière (par exemple les diodes électroluminescentes ou les diodes laser).
Le schéma de droite montre le cas d’une transition indirecte. Pour un électron transitant depuis le
bas de la bande de conduction vers le haut de la bande de valence, il faut à la fois, une modification
de l’énergie et de k. La transition indirecte nécessite donc une modification de la quantité de
mouvement. Cette modification est apportée par un échange de quantité de mouvement avec le
réseau sous forme de vibration (phonons). Cette transition est donc progressive avec le réseau
cristallin et l’émission de photons est multiple et non contrôlée, avec des longueurs d’onde
beaucoup plus grandes que celle correspondant à une transition directe. Il n’y a donc pas de
possibilité de réaliser des composants optiques performants avec ces matériaux. Toutefois nous
verrons que dans le cas du silicium certaines de ses propriétés (essentiellement technologiques) lui
ont permis un développement fulgurant en microélectronique sans pour autant bénéficier de
propriétés optiques intéressantes.
CHAPITRE III
Ce chapitre est destiné à apporter quelques notions de statistique qui seront indispensables à la
compréhension des distributions des porteurs de charge dans les dispositifs électroniques. De plus
amples notions sont disponibles dans les ouvrages indiqués en référence.
Pendant le choc, d’une durée supposée ∆t, qui correspond en pratique au temps moyen entre
deux chocs successifs de molécules avec la paroi, la molécule applique une force Fx, telle que :
Les expressions sont identiques sur les autres parois. Or P est la même sur chaque paroi,
autrement dit nous retrouvons les mêmes expressions quelles que soient les orientations des parois.
v2
vx2 = vy2 = vz2 mais comme v2 = vx2 + vy2 + vz2 vx2 =
3
P = 1 M.N.v2 (23)
3
Ainsi, nous voyons que la pression est directement reliée à la vitesse moyenne des particules
normales à une paroi et qu’elle dépend du nombre de particules et de leur masse.
Nous avons supposé que les molécules pouvaient se déplacer suivant les trois dimensions de
l’espace géométrique, elles possèdent donc trois degrés de liberté. De la formule ci-dessus, il est
habituel de dire que l’énergie dans un ensemble de particules animées par une excitation thermique
est de 1 kT par degré de liberté.
2
avec c constante.
Cette relation sous-entend qu’un certain nombre de molécules passent des énergies E1 et E2 à E’1 et
E’2 . Mais les molécules à ces niveaux d’arrivée peuvent aussi avoir des collisions et passer au
niveau d’énergie de « départ » après le choc. La probabilité d’un tel choc s’exprime par :
p' = c.a(E'1 ).a(E'2 )
Puisque nous ne pouvons pas discerner les chocs à des niveaux différents, les deux relations
expriment le même phénomène et donc les constantes sont égales. De plus, si la probabilité p’ était
différente de p cela signifierait que des niveaux d’énergie sont privilégiés et qu’au bout d’un certain
temps, toutes les molécules se retrouveraient à ces niveaux, ce qui est en contradiction avec une
distribution continue. Le processus inverse est donc égal au processus direct.
p = p' ⇒ a(E1 ).a(E2 ) = a(E'1 ).a(E'2 )
En posant E'1 = E1 − ∆E la conservation de l’énergie donne E'2 = E2 + ∆E et ainsi :
a(E1 ).a(E2 ) = a(E1 − ∆E).a(E2 + ∆E)
soit encore
a(E1 ) a(E2 + ∆E) a(E + ∆E)
= ⇒ = cte ∀E
a(E1 − ∆E) a(E2 ) a(E)
Le terme sous l’exponentiel est négatif afin que la probabilité reste finie quand l’énergie tend vers
l’infini. β est un facteur universel et exp (−βE) est le facteur de Boltzmann.
( )
+∞ +∞ +∞
β 1 = ⎛⎜ 2π ⎞⎟ 2 ⇒
∫ ∫∫
−∞ − ∞ − ∞
A.exp (− M vx2 + vy2 + vz2 dvx . dvy . dvz = 1 ⇒
2 A ⎝ Mβ ⎠
3
Mβ ⎞ 2
A = ⎛⎜ ⎟ (27)
⎝ 2π ⎠
( )
3
f vx + vy + vz = ⎛⎜
⎝
Mβ ⎞ 2
2 π
β
(
⎟ .exp (− 2 M vx2 + vy2 + vz2
⎠
) (28)
Nous pouvons déduire les vitesses quadratiques moyennes en intégrant la vitesse quadratique
multipliée par la fonction de distribution.
( )
+∞ +∞ +∞
vx2 = ∫ ∫ ∫v
− ∞ −∞ −∞
2
x f vx + vy + vz dvx . dvy . dvz = 1
βM
Nous trouvons alors :
N o .E = 3 N o ⇒ E= 3
2 β 2β
Ce résultat lié à l’équation (24) et (25) donne :
Cette relation (30) est la loi de Boltzmann. Cette loi reste valable pour tout système de particules
dont l’ensemble des niveaux d’énergie est accessible sans condition restrictive. Nous verrons dans
la suite que pour les électrons, le principe d’exclusion de Pauli rajoute une condition qui modifie
notablement cette loi.
avec
f x(vx ) = exp (− M vx2
2kT
( ) f (v ) = exp (− 2MkT ( v ) f (v ) = exp (− 2MkT ( v )
y y
2
y z z
2
z
(
La fonction f vx + vy + vz ) et chacune
des fonctions élémentaires dont elle est le Φ
(2πMkT ) 1
2
g(E ) =
⎛ ⎞2 1
2 ⎜ 4 ⎟ (E )2 exp − E
π ⎜ π (kT )3 ⎟ kT
( ) (32)
⎝ ⎠
NdE
( )
2kT NdE
particules
Remarque : g(E) = 0 pour E = 0 et g(E)° tend vers 0 quand E tend vers l’infini ; en effet, le terme en exponentiel
l’emporte largement sur le terme polynomial quand l’énergie E devient suffisamment grande. Si nous calculons la
valeur moyenne de EC par intégration de E.g(E) sur l’ensemble du domaine, nous retrouvons 3/2 kT.
3°) Conclusion
Tout système de particules :
- comprenant un très grand nombre de particules indépendantes,
- pour lequel les particules peuvent prendre toutes les énergies (de 0 à l’infini),
- où la température est constante et uniforme,
- non soumis à des forces extérieures (influence négligeable),
possède une distribution d’énergie cinétique de type Maxwell.
( ) () ( )
2
sin nπ x.sin nπ y.sin nπ z.exp − i E t
3
Bonnaud) : ψ x, t = 2
L L L L h
avec (
E = n2 + p 2 +q 2 ) 2mL
π h
2 2
2
et k 2 = kx2 + k y2 + kz2 = 2mE
h2
()
2
2 3 kz
Le terme en provient de la
L
normalisation de la fonction d’onde. A partir
de cette expression, nous pouvons calculer le
k
nombre de niveaux d’énergie possibles dans
le volume élémentaire correspondant à une
ky
variation dk de k. Cela revient à chercher le
nombre de niveaux d’énergie comprise entre kx
E et E + dE.
Figure 21 : Etats disponibles dans l’espace des phases
(ou des k) liés à la quantification de l’énergie. Chaque
incrément des composantes de k est π/L
Le nombre de valeurs de k est déduit du huitième de volume de la sphère de rayon k (Figure 21).
( )( ) ( )
n(k ) = 1 4πk 3 / π qui est égal au rapport du volume de la sphère de rayon k divisé par le
8 3 L
3
volume occupé par une seule valeur de k ; deux valeurs successives de k diffèrent de π/L sur l’une
de ses composantes kx, ky ou kz. C’est à dire :
() ()
3
L3 L3 ⎛ ⎞2
n(k ) = 1 2 k 3 = 1 2 ⎜ 2mE ⎟ = n(E )
6 π 6 π ⎝ h2 ⎠
Calculons la densité d’états pour laquelle correspondant au nombre d’états dont l’énergie est
comprise entre E et E + dE, par unité de volume :
() ()
3
dn(E ) ⎛ L3 ⎞ L3 ⎛ ⎞ 2 3 12 1
ρ s(E ) = = d ⎜ 1 2 k 3 ⎟ = 1 2 ⎜⎜ 2m ⎟ E 3
dE dE ⎜ 6 π ⎟ 6 π ⎝ h 2 ⎟⎠ 2 L
⎝ ⎠
3
⎛ ⎞ 2 12
ρ s(E ) = 1 2 ⎜ 2m ⎟ E
4π ⎝ h 2 ⎠
Ces états sont occupés par des électrons qui peuvent avoir deux spins différents. La densité d’états
électroniques est ainsi :
3
⎛ ⎞ 2 12
ρ(E ) = 1 2 ⎜ 2m ⎟ E (33)
2π ⎝ h 2 ⎠
(
a(E1 )
1 − a(E1 ) ) (
exp + E1 =
kT
) (
a(E'1 )
1 − a(E'1 )
exp + E'1
kT ) ( )
Les expressions ci-dessus doivent être valables quelles que soient les énergies E1 et E’1 pour une
température donnée. La forme proposée est donc constante. Cette constante peut se mettre par
E
commodité sous la forme : A = exp (− F )
kT
EF est appelé niveau d’énergie de Fermi. Nous donnerons des notions plus physiques de ce niveau
dans la suite.
a(E). E ( )
(1 − a(E)) exp + kT = exp + kT
EF ( )
a(E) = 1
⎛ E − EF ⎞ (36)
1 + exp ⎜ ⎟
⎜ kT ⎟
⎝ ⎠
3
⎛ 2m(2π )2 ⎞ 2
( )
1 3
dN = g(E ).dE = 1 ⎜ ⎟ E 2. 1 . dE .(kT )2
2π 2 ⎜ h2 ⎟ kT ⎛ E − EF ⎞ kT
⎝ ⎠ 1 + exp⎜ ⎟
⎜ kT ⎟
⎝ ⎠
( )
1
dN = 4π3 (2mkT )2 E 2.
3
1 .dE
2h kT ⎛ E − EF ⎞ kT
1 + exp⎜⎜ ⎟⎟
⎝ kT ⎠
Le nombre d’électrons par unité de volume, dN ayant leur énergie comprise entre E et E + dE est
donné par la fonction g(E). La distribution correspondante est appelée distribution de Fermi-Dirac.
La constante EF est déterminée par la condition de normalisation.
∞
∫ dN = ∫ g(E ).dE = N
0
avec N , le nombre total d’électrons libres par unité de volume (densité électronique qui sera plus
tard exprimée en cm-3).
Le calcul de l’intégrale dans le cas général est complexe mais nous pouvons analyser la cas
simple d’un métal à T = 0K . Dans ce cas limite,
Si E < EF alors a(E) = 1 et si E > EF alors a(E) = 0
(kTE ) .dE ( )
1 2
N = 4π3 (2m)2
3 FF 2
Ainsi, ∫
2
⇒ EF = h . 3N 3
(37)
2h 0 2m 8π
Ainsi, EF traduit un niveau de remplissage par les électrons des différents niveaux d’énergie
accessibles. Une notion de ce niveau est donnée par celle d’un niveau d’eau dans un récipient pour
lequel le liquide se trouve presque à coup sûr au dessous-du niveau. S’il y a des vaguelettes à
l’interface air-eau, qui traduiraient une agitation thermique, la probabilité de présence passe
progressivement de 1 à 0.
Représentons maintenant de façon approchée cette fonction lorsque |E - EF| » kT
⎛ E − EF ⎞
E − EF >>kT ⇒ a(E) =≈ 1 = exp⎜⎜ − ⎟⎟ << 1 (38)
⎛ E − EF ⎞ ⎝ kT ⎠
exp⎜⎜ ⎟
⎝ kT ⎟⎠
Cette courbe montre que pour des valeurs élevées de l’énergie situées au dessus de EF, la
probabilité d’occupation de Fermi se ramène à celle de Boltzmann. Dans l’autre situation :
⎛ E − EF ⎞
exp⎜⎜ ⎟
⎝ kT ⎟⎠ ⎛ E − EF ⎞
EF − E >>kT ⇒ 1 − a(E) =≈ = exp⎜⎜ ⎟ << 1 (39)
⎛ E − EF ⎞ ⎝ kT ⎟⎠
1 + exp⎜⎜ ⎟⎟
⎝ kT ⎠
1 1
a(E) Boltzmann Boltzmann 1 - a(E)
exp⎛⎜ − E − EF ⎞⎟ exp⎛⎜ E − EF ⎞⎟
1/2 ⎝ kT ⎠ ⎝ kT ⎠ 1/2
0 0
EF E EF E
Figure 23 : approximation de Boltzmann pour des Figure 24 : approximation de Boltzmann pour des
énergies supérieures à celle du niveau de Fermi. énergies inférieures à celle du niveau de Fermi.
Dans la suite, nous essayerons au maximum de simplifier les calculs à partir de ces
approximations, l’intégration mettant en oeuvre la relation (36) aboutissant à des fonctions tabulées.
Les lois étant exponentielles, il suffira de quelques kT d’écart dans les énergies pour pouvoir
appliquer avec une précision suffisante ces approximations.
CHAPITRE IV
I Bandes d’énergie
Octet
Électrons liés
Noyau
De façon simplifiée, nous pouvons donner une image de la structure par une représentation
coplanaire comme proposée figure 1, sachant qu’elle est en générale tridimensionnelle et dans ce
cas tétraédrique.
Dans cette représentation, les atomes mettent en jeu pour chacun d’entre eux, quatre électrons de
leur couche périphérique pour former un octet, structure électronique la plus stable. Dans ce cas, le
diagramme d’énergie à l’aspect représenté figure 26, la bande de valence étant complètement
pleine et la bande de conduction complètement vide ; tous les électrons sont impliqués dans les
liaisons chimiques.
Bande de conduction
0 vide
Bande de valence
Énergie
Niveaux de cœur
On obtient ce même type de diagramme d’énergie pour des matériaux constitués de façon
stœchiométrique à partir d’éléments de la colonne III et de la colonne V du tableau de Mendéléev
ou de la colonne II et de la colonne VI. Il s’agit par exemple de GaAs, InP, CdS, ZnS, CdTe, etc…
Puisque ces matériaux à T = 0K n’ont aucun électron disponible pour circuler dans le cristal, ces
matériaux sont isolants.
Si la distance énergétique entre la bande de valence et la bande de conduction n’est pas trop
grande, par excitation thermique (apport d’énergie) certains électrons pourront quitter la bande de
valence et passer dans la bande de conduction, et donc participer à la conduction du matériau. Ces
électrons quittent un état lié pour passer dans un état dit quasi-libre (les électrons restent à
l’intérieur du matériau). Le matériau sera appelé semiconducteur si le gap, ou la distance
énergétique entre la bas de la bande de conduction et le sommet de la bande de valence, n’est pas
trop grand, c’est-à-dire inférieur à 2,5eV. C’est le cas des matériaux Ge, Si, GaAs, InP. Si le Gap
est supérieur à 2,5eV, le matériau est considéré électriquement isolant.
En conclusion, le semiconducteur sera un matériau isolant à 0K mais qui pourra conduire à des
températures voisines de la température ambiante.
Pour connaître la distribution des états énergétiques des électrons, il faut analyser l’effet de ces
collisions.
a) statistique de Fermi-Dirac
Comme cela a été vu dans les chapitres précédents, nous allons rappeler la probabilité pour un
électron d’occuper un niveau d’énergie E.
En considérant la statistique de collision entre les électrons et les atomes, en supposant qu’à
l’équilibre thermodynamique le processus direct, départ d’un électron de la bande de valence, vers
la bande de conduction, est égal au processus inverse, retour de la bande de conduction vers la
bande valence, et en tenant compte du fait que les électrons sont des Fermions qui obéissent au
Principe d’exclusion de Pauli, nous avons démontré au chapitre III que la statistique de transfert
s’exprime par :
f(E) = 1
( )
(36)
1 + exp E − EF
kT
dans laquelle E est le niveau d’énergie considéré, EF est le niveau particulier appelé niveau de
Fermi. EF correspond au niveau statistique moyen occupé à l’équilibre thermodynamique par
l’ensemble des porteurs. La représentation de f(E) est celle donnée par la figure 27 (figure 22 du
chapitre III). Si la température décroît, la variation autour de EF est d’autant plus abrupte. f(E) tend
très rapidement vers 1 pour les énergies inférieures à EF et très rapidement vers 0 pour les énergies
supérieures à EF. Notons que si E = EF, f(E) = 1/2
f(E)
0K
1/2
T2>T1
0 T1
EF E
b) Approximation de Maxwell-Boltzmann
Nous verrons dans la suite que pour faire des calculs analytiques il est nécessaire de faire des
approximations de la fonction de Fermi que nous rappelons ici.
Analysons le terme en E − EF ;
kT
kT
( )
Si E− EF > qq kT, exp E − EF >>1, f(E) =
1+exp
1
E − EF
≈
(exp
1
E − E F
≈ exp − E − EF (38)
) kT ( ) ( )
kT kT
kT
( )
Si EF − E > qq kT, exp E − EF << 1, f(E) =
1+exp
1
E − EF
≈ 1−exp E − EF
( kT ) (
(39) )
kT
On voit ainsi que dès que la différence énergétique est de quelques kT par rapport à EF, la
fonction de Fermi tend vers 0 ou vers 1 très rapidement puisque exponentiellement.
En première approximation (grossière), on dira que tous les niveaux d’énergie situés au-
dessous du niveau de Fermi sont remplis alors que tous ceux au-dessus sont vides. Mais attention,
une variation même apparemment très faible de la quantité de porteurs libres peut complètement
changer le comportement électrique du matériau considéré. Il faudra donc connaître parfaitement le
nombre absolu d’électrons dans les couches et leur variation relative pour appréhender les
phénomènes de conduction.
Bande de conduction
apport
EC
EF Transfert d’un
électron
EV déficit
Bande de valence
0 1/2 1 f(E)
Densité d’états d’énergie
Figure 28 : Influence de la température sur la distribution des électrons dans les bandes de
valence et de conduction. Les électrons ayant quitté la bande de valence, et donc leur état
lié, atteignent la bande de conduction.
isolant même à la température ambiante. Par contre, si Eg est inférieur à 2,5 eV, le nombre de
porteurs de charge n’est plus vraiment négligeable et le matériau devient semiconducteur.
II Porteurs de charge
lacune intermédiaire
En faisant le bilan, cela revient à avoir déplacé la lacune d’électron. L’absence d’électron dans
la bande de valence va s’appeler un trou et le phénomène s’appeler conduction par trous. En
effet, sous l’action d’un champ électrique extérieur, l’électron va se déplacer dans le sens inverse du
champ électrique. Ainsi, dans la bande de conduction, les électrons « remontent » le champ
électrique. Dans la bande de valence, le matériau étant globalement neutre, l’absence d’un
électron confère à la zone de départ (environnement de la lacune) une charge équivalent positive
qui provient de la non-compensation de la charge du noyau due aux protons. Sous l’action du
champ électrique, les électrons liés vont avoir tendance à se déplacer dans le sens de la remontée du
champ électrique, en laissant derrière eux une charge positive correspondant à la lacune. Ainsi, les
lacunes vont se déplacer dans le sens du champ et correspondent donc au déplacement d’une
charge positive dans le même sens que le champ électrique.
En conclusion, la conduction par champ électrique dans le matériau pourra se faire à deux
niveaux :
- pour les électrons de la bande de conduction qui remontent le champ électrique appliqué,
- par les trous de la bande de valence qui se déplacent dans le même sens que le champ
électrique.
Notons que du fait que les charges équivalentes sont de signe opposé, les courants équivalents
résultants seront dans le même sens en s’ajoutant. La figure 6 décrit très simplement ce phénomène.
Champ électrique
Jn
déplacement e-
Bande de conduction
déplacement Jp
+ Bande de valence
Si on analyse le bas de la bande de conduction, la concavité est orientée vers le haut, c’est-à-dire
∂2E
que est positif. Ainsi, m est positif et dépend du rayon de courbure de la courbe E(k) au point
∂k 2
considéré. Suivant l’axe cristallographique considéré, la forme de la courbe est différente, la
courbure aussi et donc m pourra varier. La figure 31 donne un exemple de diagramme de phase
pour le silicium. Les courbures peuvent être différentes et les masses effectives associées aussi.
∂2E
Si on analyse le sommet de la bande de valence, est négatif et la masse effective calculée
∂k 2
de l’électron est alors négative. En réalité, il faut corriger ce propos en se rappelant le principe
fondamental de la dynamique : Fext=qζ=mγ. Changer le signe de m revient tout simplement à
changer le signe de la charge électrique ; autrement dit, le déplacement d’un électron au sommet de
la bande de valence, correspond au déplacement d’une charge positive de masse effective
dépendant de l’orientation cristallographique du déplacement.
E
Silicium
électrons de
conduction ----
----
Eg
++++
++++
trous lourds
trous légers
L <111> Γ <100> X
Vecteurs d’onde
Figure 31 : Représentation schématique du diagramme des phases pour le silicium. On peut
remarquer que suivant les orientations cristallographiques, les concavités sont différentes et
donc les masses effectives. Dans le cas du silicium, le gap, Eg est indirect, c’est-à-dire que le
bas de la bande de conduction et le sommet de la bande de valence ne coïncident pas
(d’après Chelikowski and Cohen).
Dans le silicium, pour un déplacement des charges électrons et trous dans la direction <111>, la
masse de l’électron au repos étant me, les masses effectives sont les suivantes :
- électrons : m*n = 0,9 me,
- trous : m*p = 0,5 me,
3°) Concentrations des porteurs quasi-libres dans les bandes d’énergie. Densités d’états
électroniques.
Dans le cas de l’approximation parabolique des courbes E(k) au voisinage des extrema, c’est-à-
dire au minimum de la bande de conduction et au maximum de la bande de valence, les densités
d’états énergétiques (densité d’électrons ou de trous) ont déjà été calculées dans le cours de
mécanique quantique et s’expriment par les relations suivantes :
3/ 2
⎛ 2m* ⎞
B.C. dNC (E) = 1 2 ⎜⎜ 2C ⎟⎟
2π ⎝ h ⎠
(E −E )
C
1/ 2
dE (41)
3/ 2
⎛ 2m* ⎞
B.V. dNV (E) = 1 2 ⎜⎜ 2V
2π ⎝ h
⎟⎟ (E −E )
V
1/ 2
dE (42)
⎠
en se rappelant que l’on a fait un changement d’origine pour les énergies, EC pour la bande de
conduction et EV pour la bande de valence, et que le nombre total de places disponibles pour les
électrons dans les bandes tient compte du fait que sur un même niveau d’énergie on peut placer
deux électrons de spin différents.
Ces densités d’états énergétiques correspondent au nombre total de places disponibles dans
chacune des bandes par unité de volume et par niveau d’énergie. Pour connaître le nombre effectif
de porteurs qui occuperont les bandes, il faut tenir compte de la probabilité d’occupation de ces
niveaux par les porteurs.
Remarque : sans la simplification de f(E), la résolution aboutit sur des fonctions elliptiques de Fermi qui ne sont pas
intégrables analytiquement et qui sont tabulées. La démonstration est alors beaucoup plus complexe. C’est ce qui se
passera quand les simplifications ne seront plus acceptables, par exemple lorsque EF devient égal ou supérieur à EC.
E − EC
En posant x = avec x=0 pour E=EC, l’équation ci-dessus devient :
kT
3/ 2 ∞
⎛ 2m* ⎞ ⎛ E −E ⎞
n = 1 2 .⎜⎜ 2C ⎟⎟ exp⎜ − C F ⎟⋅(kT ) ∫ x1/ 2 exp(− x ).dx
3/ 2
2π ⎝ h ⎠ ⎝ kT ⎠ 0
( ) ( )
∞ ∞
L’intégrale peut aussi s’écrire : I = ∫ u.exp −u 2 .2u.du = ∫ 2u 2.exp −u 2 .du
0 0
On peut remarquer que cette dernière intégrale est aussi le résultat de l’intégration par partie de :
∞
I = ∫ exp(−u 2 ).du = π
0
2
En remplaçant ce résultat dans l’expression de n on obtient :
3/ 2
⎛ 2m* ⎞ ⎛ E −E ⎞
n = 1 2 .⎜⎜ 2C ⎟⎟ exp⎜ − C F ⎟ (kT ) π
3/ 2
2π ⎝ h ⎠ ⎝ kT ⎠ 2
3/ 2
⎛ kTmC* ⎞ ⎛ E −E ⎞
n = 2.⎜⎜ ⎟⎟ exp⎜ − C F ⎟
⎝ 2πh ⎠ kT ⎠
2
⎝
Expression que l’on note aussi sous la forme :
⎛ E −E ⎞
n = NC ⋅exp⎜ − C F ⎟ (43)
⎝ kT ⎠
avec NC correspondant au nombre total de place par unité de volume effectivement occupées par les
électrons au niveau d’énergie équivalent EC. NC est appelé densité d’états électroniques dans la
bande de conduction et s’exprime donc par :
3/ 2
⎛ kTmC* ⎞
NC = 2 ⎜⎜ 2 ⎟
⎟ (44)
⎝ 2πh ⎠
p = ∫ NV (E).(1− f(E)).dE
−∞
EV 3/ 2 ⎛ ⎞
⎛ 2m* ⎞ ⎜ ⎟
p = ∫ 1 2 .⎜⎜ 2V (E −E ) 1
( )
1/ 2
2π ⎝ h
⎟⎟ ⎜1 − ⎟ dE
1+exp E − EF
V
−∞ ⎠ ⎜ ⎟
⎝ kT ⎠
Comme dans l’intégration, E < EV et qu’en général EV < EF < EC, on peut simplifier f(E) sous la
forme :
f(E) = 1 ≈ 1 − exp E − EF ( )
1 + exp E − EF
kT
(
kT
)
et donc
kT
( ⎝
)
⎛ E −E ⎞
1− f(E) ≈ exp E − EF = exp⎜ − V
⎛ E −E ⎞
⎟ exp⎜ − F V ⎟
kT ⎠ ⎝ kT ⎠
En remplaçant 1-f(E) par son expression ainsi que NV(E) nous obtenons :
3/ 2 EV
⎛ 2m* ⎞ ⎛ E −E ⎞ ⎛ EV − E ⎞
p = 1 2 .⎜⎜ 2V ∫(E − E )
1/ 2
⎟⎟ exp⎜ − F V ⎟ exp⎜⎜ − ⎟.dE
⎟
2π ⎝ h ⎠ ⎝ kT ⎠ −∞
V
⎝ kT ⎠
En menant le calcul de la même façon que pour n, nous déduisons l’expression de p, après le
E −E
changement de variable : x = − V
kT
3/ 2 ∞
⎛ 2m* ⎞ ⎛ E −E ⎞
p = 1 2 .⎜⎜ 2V ⎟⋅(kT ) ∫ x1/ 2 exp(− x ).dx
3/ 2
⎟⎟ exp⎜ − F V
2π ⎝ h ⎠ ⎝ kT ⎠ 0
Nous retrouvons ainsi exactement la même intégrale que précédemment, et donc nous arrivons au
résultat suivant :
3/ 2
⎛ 2m* ⎞ ⎛ E −E ⎞
p = 1 2 ⎜⎜ 2V ⎟⎟ exp⎜ − F V ⎟ (kT ) π
3/ 2
2π ⎝ h ⎠ ⎝ kT ⎠ 2
3/ 2
⎛ kTmV* ⎞ ⎛ E −E ⎞
p = 2 ⎜⎜ ⎟⎟ exp⎜ − F V ⎟
⎝ 2π h kT ⎠
2
⎠ ⎝
Expression que l’on note aussi sous la forme :
⎛ E −E ⎞
p = NV ⋅exp⎜ − F V ⎟ (45)
⎝ kT ⎠
avec NV correspondant au nombre total de places par unité de volume effectivement occupées par
les trous au niveau d’énergie équivalent EV. NV est appelé densité d’états électroniques dans la
bande de valence et s’exprime donc par :
3/ 2
⎛ kTmV* ⎞
NV = 2 ⎜⎜ ⎟⎟ (46)
⎝ 2πh
2
⎠
On peut remarquer que les densités d’états électroniques dans les bandes ne dépendent que de la
température et de la masse effective des porteurs électrons ou trous. Comme ces masses effectives
ont toujours le même ordre de grandeur, cela signifie que NC et NV seront toujours du même ordre
de grandeur à une température donnée quel que soit le matériau semiconducteur. En pratique, ces
densités d’états on une valeur de quelques 1019cm-3 à 300K.
Remarque : il ne faut pas confondre densités d’états énergétiques et densités d’états électroniques, ces dernières tenant
compte de l’occupation des niveaux d’énergie par les électrons.
p = n = ni (47)
⎛ E ⎞
K = p ⋅ n = ni2 = NC NV exp⎜ − g ⎟ et donc p ⋅ n = ni2 (48)
⎜ kT ⎟
⎝ ⎠
Notons que cette relation reste toujours valable dans le matériau semiconducteur tant que celui-ci
est à l’équilibre thermodynamique ; cette relation sera utilisée en permanence dans la suite. On peut
donc exprimer la concentration intrinsèque par :
⎛ E ⎞
ni = NC NV ⋅exp⎜ − g ⎟ (49)
⎝ 2kT ⎠
Dans cette relation on constate que la concentration intrinsèque dépend très fortement de la
température. C’est la loi exponentielle qui l’emporte largement sachant que les densités d’états ne
dépendent de la température qu’avec une puissance 3/2. Pour avoir des ordres de grandeur, dans le
cas du silicium, à T = 0K, ni = 0 cm-3, à T = 300K, ni = 1,6.1010 cm-3 et à T = 1300K,
ni = 2,5.1017 cm-3. Les variations sont donc très importantes ce qui explique le très grand
⎛ E ⎞
ni2 = NC NV exp⎜ − g ⎟ (50)
⎝ kT ⎠
b) Position du niveau de Fermi dans un matériau intrinsèque
Pour déterminer la position du niveau de Fermi on repart des équations (43) et (45) donnant les
concentrations d’électrons et de trous :
⎛ E −E ⎞ ⎛ E −E ⎞
n = NC ⋅exp⎜ − C F ⎟ p = NV ⋅exp⎜ − F V ⎟
⎝ kT ⎠ ⎝ kT ⎠
puisque p = n, à partir de ces deux équations nous obtenons :
⎛ E −E ⎞ ⎛ E −E ⎞
NC ⋅exp⎜ − C F ⎟ = NV ⋅exp⎜ − F V ⎟
⎝ kT ⎠ ⎝ kT ⎠
⎛N ⎞
ln⎜ C ⎟ = 1 (−EF + EV + EC − EF ) = 1 (EV + EC −2EF ) d’où
⎝ NV ⎠ kT kT
EV + EC ⎛N ⎞
EF = + kT ln⎜ V ⎟ (51)
2 ⎜N ⎟
⎝ C⎠
Si Si Si
Electron libre
Octet
Si P + e-
Atome dopant Si
ionisé positivement
Si Si Si
Si Si Si
Octet
Atome dopant B- e
-
ionisé négativement Si Si
trou libre
Si Si Si
D ⇔ D+ + e−
Du point de vue statistique, si cette réaction se produit facilement dans le matériau considéré, c’est
que l’énergie d’ionisation de l’atome donneur est relativement faible. En d’autres termes, l’écart
énergétique entre un électron lié à l’atome donneur et ce même électron quasi-libre dans le cristal,
c’est-à-dire situé dans le bas de la bande de conduction, sera relativement faible. On peut alors
exprimer le nombre d’atomes ionisés ou plus exactement leur concentration, en fonction du nombre
total d’atomes ou de leur concentration, ND, introduits dans le cristal. Cette concentration tient
compte de la statistique d’occupation d’un niveau d’énergie par un fermion et des échanges
possibles entre le niveau de l’électron lié et celui de la bande de conduction. Cette concentration
d’atomes donneurs ionisés, ND+ s’exprime par :
N D+ = N D 1 (52)
⎛ E −E ⎞
1 + 2 exp⎜ F D ⎟
⎜ kT ⎟
⎝ ⎠
ED est le niveau d’énergie donneur, c’est-à-dire le niveau d’énergie statistique auquel se trouve
l’électron lié à l’atome dopant. Le facteur pré-exponentiel, 2, est appelé facteur de dégénérescence
et provient du choix possible ou non de spins différents dans l’échange énergétique : dans le cas
d’un départ de l’atome, le spin de l’électron peut être quelconque, alors que pour le retour, le spin
est imposé par le nuage électronique existant.
Dans le cas d’un atome accepteur, nous pouvons mener un raisonnement analogue, et nous
pouvons écrire la relation d’ionisation suivante :
A + e− ⇔ A−
Du point de vue statistique, si cette réaction se produit facilement dans le matériau considéré, c’est
que l’énergie d’ionisation de l’atome accepteur est relativement faible. En d’autres termes, l’écart
énergétique entre un électron lié à l’atome accepteur et ce même électron lié au cristal de
semiconducteur, c’est-à-dire situé au sommet de la bande de valence, sera relativement faible. On
peut alors exprimer la concentration des atomes ionisés en fonction de la concentration totale
d’atome dans le cristal, NA. Cette concentration tient compte de la statistique d’occupation d’un
niveau d’énergie par un fermion et des échanges possibles entre le niveau de l’électron lié et celui
de la bande de valence. Cette concentration d’atomes donneurs ionisés, NA- s’exprime par :
N A− = N A 1 (53)
⎛ E −E ⎞
1 + 2 exp⎜ A F ⎟
⎜ kT ⎟
⎝ ⎠
EA est le niveau d’énergie accepteur, c’est-à-dire le niveau d’énergie statistique auquel se trouve
l’électron lié à l’atome dopant. Le facteur pré-exponentiel, 2, est toujours le facteur de
dégénérescence et provient du choix possible ou non de spins différents dans l’échange énergétique.
N D+ + pn = nn (54)
En raisonnant à température ambiante, si l’élément ajouté a effectivement le comportement de
dopant, pratiquement tous les atomes de cet élément sont ionisés, c’est-à-dire ND+ ≈ ND. Par
ailleurs, nous avons vu que le produit p.n était toujours égal au carré de la concentration
intrinsèque, ni2, à l’équilibre thermodynamique. Nous avons donc :
pn . nn = ni2
L’équation de neutralité devient :
ni2
ND + = nn
nn
6474 8 6474 8
charges+ charges−
d’où
nn2 − N D.nn − ni2 = 0
équation qui admet une solution du type :
N D + N D2 + 4ni2
nn = (55)
2
ni2
Ainsi, si ND>>ni alors : nn = N D et pn = (56)
ND
Pour donner un exemple classique à 300K, on suppose une concentration de dopant de 1017cm-3, la
concentration intrinsèque étant de 1,6 1010cm-3 et la concentration totale d’atomes de silicium étant
de 5.1022cm-3 ; ce dernier calcul se fait à partir du nombre d’Avogadro, de la masse molaire et de la
densité du silicium (2,7g/cm3). La concentration en électrons est alors de 1017cm-3 et la
concentration en trous de 1,6.103cm-3. On voit bien dans ce cas que le décalage des concentrations
est énorme puisque les électrons sont cent trillions de fois plus nombreux que les trous alors qu’ils
étaient en quantité identique au départ.
En conclusion, dans un semiconducteur de type n affirmé,
- les électrons sont majoritaires,
- la concentration en électrons est pratiquement égale à la concentration de dopant,
- les trous sont minoritaires.
N A− + n p = p p (57)
nous avons vu que le produit p.n était toujours égal au carré de la concentration intrinsèque, ni2, à
l’équilibre thermodynamique. Nous avons donc :
pn . nn = ni2
L’équation de neutralité devient :
ni2
NA + = pp
pp
6474 8 6474 8
charges− charges+
N A + N A2 + 4ni2
pp = (58)
2
ni2
Ainsi, si NA>>ni alors : pp = N A et np = (59)
NA
d) cas général
Dans le cas général, les deux types de dopants peuvent exister simultanément dans le matériau.
C’est en fait ce qui se passe en pratique pour des raisons purement technologiques. Le
semiconducteur est toujours globalement neutre et la somme des charges positives est égale à celle
des charges négatives. En faisant le bilan des charges présentes, il y a des électrons, des trous et des
ions accepteurs et donneurs.
N A− + n = p + N D+ (60)
6474 8 6474 8
charges− charges+
Le semiconducteur sera de type n ou de type p , si à la température considérée, la concentration en
donneurs ionisés ou en accepteurs ionisés respectivement est la plus grande (le plus nombreux
l’emporte).
(N −N A ) + (N − N A ) + 4ni2
2
D D
Si ND>NA nn = (61)
2
(N −ND ) + (N − N D ) + 4ni2
2
A A
Si NA>ND pp = (62)
2
Nous pouvons remarquer que si les concentrations des donneurs et accepteurs sont identiques, le
matériau à un comportement intrinsèque. Si mathématiquement ce résultat est facilement
accessible, physiquement il est quasi impossible puisqu’il faudrait des précisions énormes sur les
concentrations des atomes dopants pour espérer avoir un comportement intrinsèque. Puisque la
concentration d’atomes de silicium est de 5.1022cm-3, pour avoir un comportement intrinsèque il
faut que la différence des concentrations soit inférieure à ni, c’est-à-dire à 1010cm-3. Il faut donc une
précision ou une pureté chimique du silicium supérieure à mille milliardièmes pour espérer
contrôler le procédé, ce qui n’est jamais atteint !
Il faut se rappeler qu’à 300K, kT=26meV, et que le niveau de Fermi se décale donc de 60meV
chaque fois que le dopage est multiplié par 10 (nous dirons que la variation est de 60meV par
décade).
reste dans la bande interdite, c’est-à-dire que le dopage reste inférieur à la densité d’états
électroniques dans les bandes (NC et NV) ; dans le cas contraire, on dit que le semiconducteur est
dégénéré.
N D+ = N D 1
⎛ E −E ⎞
1 + 2 exp⎜ F D ⎟
⎜ kT ⎟
⎝ ⎠
N A− = N A 1
⎛ E −E ⎞
1 + 2 exp⎜ A F ⎟
⎜ kT ⎟
⎝ ⎠
N A− + n = p + N D+ (60)
La détermination de EF peut alors se faire graphiquement dans un diagramme semi-
logarithmique pour aller rapidement, sachant qu’un calcul analytique est toujours possible.
Les équations ci-dessus s’écrivent aussi : ln[ ] neutralité
NV NC
EF − EV p n
ln p = ln NV − ND +
kT ND
-
N A
NA
EC − EF
ln n = ln NC −
kT
⎛ ⎞ ni
⎜ E − E ⎟
ln N D+ = ln N D − ln⎜1 + 2exp F D
⎟
⎜ kT ⎟
⎝ ⎠
EV EA Ei EFEDEC
⎛ ⎞
⎜ E − EF ⎟
ln N A− = ln N A − ln⎜1 + 2exp A ⎟ Figure 37 : détermination graphique de la position du
⎜ kT ⎟ niveau de Fermi dans un semiconducteur. En vérifiant
⎝ ⎠ l’équation d’électro-neutralité, on détermine facilement
EF. Les droites inclinées ont une pente proportionnelle à
Dans ce diagramme, l’échelle étant semi- 1/kT
logarithmique, on raisonne comme dans le
cas d’un diagramme de Bode (somme des
courbes asymptotiques).
Les pentes des courbes résultantes dans les domaines où elles varient exponentiellement sont en
1/kT et dépendent donc directement de la température. On peut résoudre l’équation de neutralité
directement sur le graphe en cherchant l’intersection des courbes de la somme des charges positives
(p et ND+) et de la somme des charges négatives (n et NA-). Nous constatons aisément que la
position de EF dépendra de la température, les pentes variant en 1/kT.
Nous pouvons noter que si le dopage de type N est prépondérant, c’est le cas de la figure 37, le
niveau de Fermi se trouve proche de la bande de conduction. Le niveau de Fermi se retrouvera au
niveau ED lorsque la température sera égale à la température de Fermi, TF, située autour de 100K.
Pour des températures élevées, plusieurs centaines de degrés Celsius (autour de 1000K), les pentes
diminuant, le niveau de Fermi se déplace vers le milieu de la bande interdite. Lorsque n et p
atteignent la valeur supérieure de ND et NA, le matériau retrouve un comportement intrinsèque
(température Ti). Cet aspect sera très important dans la fabrication des circuits intégrés mais aussi
dans les dispositifs fonctionnant à très haute température (tête de forage par exemple).
E E
E
Figure 38 : Evolution du nombre de porteurs dans les
bandes d’énergie en fonction de la nature du dopage et
de la concentration des porteurs. La première figure
Bande de conduction B.C. correspond au semiconducteur intrinsèque, la deuxième
e-
EC au dopage de type n et la dernière au dopage de type p.
EF e- Lorsque le niveau de Fermi est près de la bande de
conduction, la concentration des électrons augmente et
Type n celle des trous diminue. Le phénomène est contraire du
h+
coté de la bande de valence. La distribution des porteurs
h+ dans les bandes obéit toujours à la statistique de Fermi-
EV
Dirac.
Bande de valence B.V.
0 1/2 1 f(E)
Densité d’états d’énergie
2°) Génération-lumineuse
En envoyant des photons d’énergie suffisante, au moins égale à celle du gap, on peut créer une
paire électron-trou (cf. cours de mécanique quantique). On peut alors définir un terme de
génération lumineuse par GL, qui est une concentration de porteurs créés par unité de volume et
unité de temps (cm-3.s-1). Nous allons ainsi imposer un excès de porteurs dans le cristal par rapport
à l’équilibre thermodynamique tant que cette génération se produira. En stoppant l’envoi de
photons, le matériau aura tendance à retourner progressivement à l’équilibre thermodynamique.
Dans un élément de volume donné, si ce phénomène est seul à intervenir, nous pouvons écrire :
∂n = +G ∂p
L (65) = + GL (66)
∂t ∂t
La figure 40 montre de façon détaillée les différents mécanismes possibles. Un piège peut
capturer un électron de la bande de conduction ou émettre un électron vers cette bande. Un piège
peut capturer un trou en envoyant un électron vers la bande de valence ou émettre un trou en
récupérant un électron de valence qui laisse un trou derrière lui. Ces échanges se font en obéissant à
la statistique de Fermi-Dirac. Le processus complet de génération met en jeu une émission d’un
trou et une émission d’un électron (transit de la bande de valence vers la bande de conduction) alors
que la recombinaison met en jeu la capture d’un électron puis d’un trou (transit de la bande de
conduction vers la bande de valence).
complète entre les bandes de valence et de conduction, le trajet se fera par les niveaux pièges
puisque la probabilité de transiter entre les bandes et les pièges est sans commune mesure
supérieure à la transition directe bande à bande. Les niveaux pièges vont donc servir de marche-
pied aux porteurs. La position la plus efficace pour les pièges pour permettre cette transition sera
située en milieu de bande interdite ; pour comprendre simplement ceci, 2 marches de moyenne
hauteur sont plus faciles à gravir par un être humain qu’une très petite et une très grande, cette
dernière représentant la difficulté !
B.C.
e- EC
avant e- e- Et
h+ e-
EV
B.V.
B.C.
e- EC
après e- e- Et
h+
EV
B.V.
Figure 40 : Mécanismes de génération-recombinaison assistés par pièges. La transition
s’effectue via un piège qui échange un électron avec la bande de conduction ou avec la
bande de valence. Dans ce dernier cas l’électron se recombine avec un trou ou crée un trou
en quittant la bande de valence. Ces échanges sont conditionnés par la statistique de Fermi-
Dirac. Pour avoir une probabilité importante de transfert, le niveau piège doit être situé en
milieu de bande interdite. Pour déterminer le taux de recombinaison génération, il faut
exprimer les quatre processus présentés, émissions et captures des trous et électrons.
Ainsi, en ne considérant que les pièges situés en milieu de bande interdite, qui seront les plus
efficaces, on peut déterminer le taux de recombinaison-génération résultant, U, qui traduit la
variation de la concentration de porteurs (électrons ou trous) par unité de temps ; il faut pour cela
exprimer les quatre processus présentés, émissions et captures des trous et électrons. Nous ne
donnons ici que les résultats de ce calcul relativement long qui suppose des simplifications
supplémentaires et qui aboutit à :
p.n − ni2
U = 1 (67)
τo
p + n + 2ni
avec τo, durée de vie des porteurs,
Cela signifie que la génération thermique est compensée par la recombinaison et donc que le
bilan de la recombinaison-génération est nul.
pn.N D − ni2
U = 1
τo
pn + N D + 2ni
comme ND >> pn et ND >> ni
⎛ .n2 ⎞ pn − pno
U = 1 ⎜⎜ pn − i ⎟⎟ ou encore U = (68)
τo ⎝ ND ⎠ τo
Ceci signifie que la disparition des porteurs en excès est proportionnelle à l’écart des
concentrations par rapport à l’équilibre thermodynamique. On peut donner un exemple pratique :
ND = 1017 cm-3, τo = 10-7 s, ni2 = 2.1020 cm-6, pno = 2.103 cm-3, pn = 1010 cm-3,
alors U = 1017 cm-3.s-1
Dans cette expression, le signe moins (U négatif) traduit le phénomène de génération de paires
électron-trou alors que dans la formule (68) le signe plus (U positif) traduit un phénomène de
recombinaison.
Dans le chapitre suivant, nous allons utiliser et appliquer l’ensemble de ces résultats pour
analyser les phénomènes de transport dans un semiconducteur.
CHAPITRE V
e- e-
déplacement
effectif
Figure 41 : Déplacement statistique des électrons dans le semiconducteur et effet du champ
électrique sur ces déplacements. Le mouvement erratique est perturbé par la présence du
champ. Le déplacement effectif peut être de plusieurs ordres de grandeurs plus faible que le
déplacement réel des électrons.
Vitesse (cm/s)
107
représentée figure 42. Pour les forts champs Silicium
électriques, la vitesse sature et tend en pente µ
106
pratique vers la vitesse thermique.
L’explication simplifiée de cette limite est
que les trajectoires entre chocs sont 105
102 104 106
suffisamment incurvées pour prendre la Champ électrique (kV/cm)
direction du champ mais que l’énergie Figure 42 : variation de la vitesse des électrons dans le
apportée entre ces chocs (et donc sur le libre silicium et le germanium. Pour les champ faible, la
pente correspond à la mobilité. Pour les champs forts, la
parcourt moyen) est négligeable par rapport à vitesse tend vers une limite qui est la vitesse thermique.
Il peut être noté que le GaAs présente une meilleure
l’énergie thermique. Pour les très forts
mobilité (rapport 5 environ) et une survitesse qui est
champs électriques, nous verrons que d’autres exploitée dans certains composants très rapides (HF)
(d’après Jacobini et al., Smith et al., Ruch et al.).
phénomènes interviennent.
Pour les faibles champs électriques, la courbe réelle est linéarisée et la pente définit la mobilité
des électrons, µn.
r r r r
v = µn. E v = − µn.E
Ainsi,
r r
jn = (−q).n.(−)µn. E
r r
jn = qnµn.E (70)
De façon tout à fait analogue, il est possible de définir la mobilité des trous (déplacement des
électrons liés). L’expression de la densité de courant de trous est alors la suivante en se rappelant
que les trous se déplacent dans le même sens que le champ électrique :
r r
j p = qpµ p.E (71)
Ces deux densités de courant sont en fait des courants de dérive dans le champ électrique. Dans
certains ouvrages, ces densités de courant sont appelées courant de conduction, ce qui est un
pléonasme et une terminologie non appropriée pour traduire le phénomène. Nous verrons dans ce
chapitre que d’autres phénomènes permettent la conduction.
r r
Il peut être noté que nous retrouvons la loi d’Ohm, j =σ.E pour chacun des deux types de
porteur. σ est la conductivité.
On peut donc définir une conductivité pour les électrons, σn, et une conductivité pour les trous,
σp, comme suit :
σ n = qnµn σ p = qpµ p
mobilité (cm2/Vs)
perturbation du réseau cristallin va entraîner 300K
une modification de la mobilité. Tout µn Silicium
particulièrement, l’ajout d’atomes dopants 103
crée des distorsions dans le cristal et affecte la
µp
mobilité qui diminue lorsque le niveau de
dopage augmente. La figure 43 montre la
102
variation des mobilités des électrons et des 1014 1015 1016 1017 1018 1019
trous en fonction du niveau de concentration concentration d’impuretés (cm-3)
d’impureté ou de dopage, dans le silicium. Figure 43 : Variation de la mobilité des électrons et des
trous dans le silicium à 300K en fonction de la
Notons que c’est la quantité totale d’atomes concentration d’impuretés ou de dopants. La mobilité
dopants qui intervient et non pas le dopage décroît avec le niveau de dopage. Notons que c’est la
concentration totale d’impuretés dans le cristal qui doit
effectif (après compensation éventuelle). intervenir en pratique (d’après Beadle, Plummer, and
Dans un cristal de silicium quasi-pur, à 300K, Tsai).
Il peut être noté, que même pour des très forts dopages, la résistivité du semiconducteur, bien
qu’ayant fortement diminué, reste très supérieure à celle d’un métal dont l’ordre de grandeur est le
µΩ.cm.
résistivité (Ω.cm)
L’écart à la linéarité en échelle logarithmique 300K
10-2
est due à la variation des mobilités en type-p Silicium
fonction du niveau de dopage. Lorsque le 100 type-n
dopage atteint le niveau 1016 cm-3, la
probabilité d’une interaction avec un atome 10-2
dopant durant le libre parcourt moyen
10-4
augmente fortement ; en effet, à ces niveaux, 1012 1014 1016 1018 1020
on trouve un atome dopant à peu près tous les concentration de dopants (cm-3)
100 atomes du réseau soit autour de 200 Å, Figure 44 : variation de la résistivité en fonction du
niveau de dopage pour le silicium à 300K. La non-
qui est l’ordre de grandeur du libre parcourt linéarité en échelle logarithmique est due à la
moyen. modification des mobilités lorsque le dopage atteint
1016 cm-3 (d’après Beadle, Plummer, and Tsai).
Cette loi est très générale et s’applique aussi bien aux électrons et trous qu’aux atomes ou aux
ions (cf. cours de technologie microélectronique intégrée, O. Bonnaud)
jn = + qDn dn (75)
dx dx x
Dn est le coefficient de diffusion des Figure 46 : Mouvement des électrons par mécanisme de
électrons. Ce coefficient est positif. Par diffusion. La densité de courant est de sens opposé à
celui des électrons.
convention, la densité de courant est de sens
opposé au déplacement des électrons.
Les électrons se déplaçant vers les x positifs, la charge étant négative, et le gradient de
concentration étant négatif, la densité de courant est négative.
j p = − qDp
dp
(76) p jp
dx
Dp est le coefficient de diffusion des trous.
mouvement
Ce coefficient est positif. Par convention, la
des trous
densité de courant est de même sens que celui dp
du déplacement des trous. Les trous se dp/dx <0
déplaçant vers les x positifs, le gradient de
concentration étant négatif, et la charge étant dx x
positive, la densité de courant résultante est
Figure 47 : Mouvement des trous par mécanisme de
positive. diffusion. La densité de courant de trous est dans le
même sens que celui du déplacement des trous.
Les coefficients de diffusion, Dn et Dp, s’expriment en général en cm2/s. Dans ces unités, elles
sont de l’ordre de grandeur de l’unité, Dn étant toujours un peu supérieur à Dp. Nous expliquerons
ce résultat plus loin dans ce chapitre.
dp
j p = − qDp + qpµ p.E (78)
dx
j = jn + j p (79)
Remarques : ces équations restent valables tant que le matériau semiconducteur reste homogène, et
la température constante à travers la structure. Elles sont modifiées quand le dopage, le gap ou la
température varient. Le modèle est ici unidimensionnel ; il permet des calculs analytiques pas trop
complexes. Il est bien évidemment possible de créer un gradient vectoriel.
IV Relation d’Einstein
Il s’agit d’établir une relation entre le coefficient de diffusion des porteurs et leur mobilité. Cette
corrélation est intuitive puisque les phénomènes ont une origine commune, à la fois thermique et
statistique.
A l’équilibre thermodynamique, le courant total, pour un type de porteur, est obligatoirement nul
(sinon nous pourrions créer du courant sans fournir d’énergie !). Considérons le courant total
d’électrons exprimé par la relation (77) :
⎛ E −E ⎞ B.C.
n= NC ⋅exp⎜ − C F ⎟ ⇒ dn = − 1 dEC EC(x)
⎜ kT ⎟ n kT dϕ
⎝ ⎠
dx
La variation de EC, est directement reliée à EF
la variation du potentiel électrostatique
x
(l’énergie est le produit de la charge par le
EV(x)
potentiel). B.V.
Nous obtenons ainsi :
q
dEC = − qdϕ ⇒ dn = dϕ Figure 48 : Variation de potentiel dans le matériau. Le
n kT
niveau d Fermi étant constant à l’équilibre
thermodynamique, toute la variation se retrouve au
niveau des bandes de valence et de conduction. Du
point de vue schématique, les bandes sont "inclinées".
Des deux expressions de dn/n, nous déduisons alors aisément la relation d’Einstein :
Dn = kT
µn q
On peut appliquer, par analogie, strictement le même raisonnement pour la densité de courant de
trous, et retrouver la même formule entre Dp et µp.
Dp
Relation d’Einstein : Dn = = kT = VT (80)
µn µp q
VT est le potentiel thermodynamique.
V Equations de continuité
Dans un semiconducteur, hors équilibre thermodynamique, nous pouvons déterminer dans un
modèle unidimensionnel, en un point, le taux de variation de la concentration des porteurs
(électrons et trous) en fonction du temps.
Dans l’élément de volume d’épaisseur dx,
représenté figure 49, si le flux entrant F(x) est
supérieur au flux sortant F(x+dx), la F(x) F(x+dx)
concentration de porteurs augmente (le
niveau monte dans le réservoir si l’apport par
le robinet est supérieur au débit de la bonde dx
de sortie !). De plus, dans cet élément de
Figure 49 : Principe de variation de concentration dans
volume, il est possible de générer des paires un élément de volume décrivant l’équation de
de porteurs par des photons, de taux de continuité.
génération GL.ou d’en faire disparaître sur
place par recombinaison, de taux U.
C’est l’équivalent de la pluie et de l’évaporation, respectivement, quand nous considérons un
réservoir. Ainsi, l’expression générale de la variation de flux d’une espèce donnée est la suivante :
∂t dx
( )
∂C = − dF + GL − U (81)
∂t
( )
∂n = + 1 dJ n + GL − n − n po
q dx τn
∂p p − pno
= − 1 ⎛⎜ dJ p ⎞⎟ + GL −
∂t q ⎝ dx ⎠ τp
En remplaçant Jn et Jp par leurs expressions, nous obtenons :
Equation de continuité pour les électrons
2
∂n = + Dn ∂ n + µn ∂ (nξ ) + GL − n − n po (82)
∂t ∂x 2 ∂x τn
VI Equation de Poisson
Dans un semiconducteur, l’équation de Poisson, issue des équations de Maxwell, reste bien
évidemment valable. Nous nous limiterons au modèle unidimensionnel :
2
concentration de
∂V ρ charge en C/cm3
=− (84)
∂x 2 ε rε o
permittivité du
Laplacien
en V/cm2 semiconducteur en F/cm
Dans cette équation, ρ est une concentration de charges totales, exprimée en coulomb par
centimètre cube. Dans un semiconducteur, dopé par les deux types de dopant, la concentration de
charge totale tient compte des porteurs libres et des atomes ou impuretés ionisés :
ρ = q(p – n + ND+ - NA-) (85)
Dans de nombreux cas, pour aboutir à une solution analytique, il faudra simplifier cette
expression en comparant les différentes concentrations.
Remarque : Des charges dues à des pièges peuvent être incorporées dans cette équation. Dans le cas de pièges à
électrons, ils sont neutres ou chargés négativement lorsqu’ils sont actifs ; les pièges à trous seront quant à eux neutres
ou chargés positivement.
dEFp
j p = µ p.p. (87)
dx
Il faut remarquer dans ces équations, que le courant est directement proportionnel à la mobilité,
à la concentration de porteurs mis en jeu, et au gradient de potentiel de Fermi. Ce gradient tient
compte à la fois d’une possible variation du potentiel électrostatique créant un champ électrique
(composante de conduction), mais aussi d’un gradient de concentration (composante de dérive).
L’avantage de cette formulation est importante pour traiter les semiconducteurs non homogènes, les
hétéro-jonctions, super-réseaux, etc….qui ne pourront pas être étudier de façon approfondie dans le
cadre de ce cours.
Il faut remarquer, qu’à l’équilibre thermodynamique EFn = EFp, ce qui signifie que les deux
populations sont en équilibre entre elles.
Les équations présentées dans ce chapitre vont être toutes mises en œuvre pour traiter les
composants de base que sont les diodes et les transistors bipolaires et à effet de champ. Comme
nous l’avons déjà annoncé, il s’agira de simplifier au maximum leur résolution et la connaissance
des ordres de grandeurs des différentes composantes constituera une approche nouvelle et
nécessaire mais pas toujours facile à mettre en œuvre.
CHAPITRE VI
I Constitution
1°) Réalisation physique et définitions
La jonction PN est physiquement la juxtaposition de deux régions dopées différemment dans un
même cristal semiconducteur. La zone frontière de passage de la région de type n à la région de
type p s’appelle la jonction métallurgique. Lorsque le matériau semiconducteur est le même pour
les deux zones dopées différemment, par exemple du silicium, cette jonction est appelée
homojonction. Quand les matériaux sont différents, c’est le cas dans des composants à base de
composés semiconducteur III-V, on parle d’hétérojonction. Dans ce dernier cas, il faut une
compatibilité des réseaux cristallins, paramètres de maille voisins, pour considérer qu’il y ait
continuité du cristal. Nous nous limiterons dans le cadre de ce cours aux homojonctions.
fonctionnement, autour de la température ambiante, tous les atomes dopants sont ionisés et que les
concentrations des porteurs libres dans les zones dopées de type affirmé (vraiment n ou vraiment p),
étaient quasiment égales aux concentrations des atomes dopants ionisés.
Ainsi, à l’équilibre thermodynamique,
Région n : les électrons sont les porteurs majoritaires, nno = ND,
les trous sont les porteurs minoritaires, pno = ni2/ND,
les dopants sont ionisés positivement,
Région p : les trous sont les porteurs majoritaires, ppo = NA,
les électrons sont les porteurs minoritaires, npo = ni2/NA,
les dopants sont ionisés négativement.
n monocristal p
La figure 51 fait apparaître ces n=ND p=NA
concentrations, au moment de la mise en e- e- e- e- e-
h+ h+ h+ h+
+ + + + + h+
contact fictive et met en évidence qu’une - - - - -
analyse approfondie doit être effectuée au n=ni2/NA
p=ni2/ND
niveau de la jonction métallurgique. h+ e-
n monocristal p
+ +
e- e- e- - h+ - h+
+ + + - h+
e-
e- - h+ e-
+ + +
e- - -
e- + + h+
+ h+ -
h+ - h+
e- + e- h+
+ -
e- - h+ -
e-
Figure 52 : Mouvement des charges au niveau de la jonction. Les électrons très nombreux
en zone n diffusent vers la zone p ou ils sont minoritaires. Les trous de la zone p diffusent
vers la zone n. Les ions immobiles de part et d’autre de la jonction ne sont plus compensés
électriquement par les porteurs libres. Ils créent une zone de charge d’espace.
En supposant que dans la zone de charge d’espace, la concentration de porteurs libres est
négligeable devant la concentration des atomes dopants ionisés, et en appelant xn et xp les abscisses
des limites auxquelles on retrouve le matériau neutre (type n coté n et type p coté p), la neutralité
globale de la structure permet d’écrire :
Q+ = q.S.ND+.xn
Q- = -q.S.NA-.xp
en appelant S, la surface de la jonction étudiée,
Q+, la charge totale de la zone de charge d’espace coté n,
Q-, la charge totale de la zone de charge d’espace coté p,
Comme la charge totale est nulle, Q+ + Q- = 0
c’est-à-dire que :
V = − VT ln N A.2N D
ni
La tension calculée, est la tension de diffusion ou tension de contact, non mesurable
extérieurement, que l’on donne habituellement sous la forme de sa valeur absolue (ne dépend donc
pas de l’orientation choisie pour l’axe des x). Cette tension est toujours orientée de la zone n vers la
zone p. Dans le cas de notre calcul, le signe négatif provient du choix de l’orientation initiale de la
zone n vers la zone p.
E p
n
EC
EC- EF qVD
EC
EF
EV
Eg
qVD EF- EV
EV
A l’équilibre thermodynamique, le niveau de Fermi est toujours constant ou plat. C’est donc EF
la première grandeur à tracer et qui va servir de référence pour les autres niveaux (Figure 53).
L’écart entre les bandes de conduction et de valence reste dans notre modèle en permanence égal
au gap. Il suffit donc de tracer la variation de EC à travers la structure pour en déduire EV, par
exemple. Puisque nous avons vu qu’il existait une différence de potentiel à l’équilibre
thermodynamique, l’écart entre la position de la bande de conduction de part et d’autre (et donc de
la bande de valence) est égal à qVD.
Le diagramme de la figure 28 fait apparaître la hauteur de barrière d’énergie pour les deux types
de porteurs, qui correspond à qVD et qui devront être franchies par les porteurs.
Intuitivement, si l’on souhaite créer un régime de conduction, il faudra abaisser la barrière
d’énergie pour chacun des types de porteur.
Nous verrons plus tard que cette transition se fait suivant une loi exponentielle, et qu’après calcul
complet et complexe, cette approximation est tout à fait acceptable. Cette approximation s’appelle
l’approximation de Schockley.
La figure 54 fait apparaître la répartition des charges dans la zone de charge d’espace appelée
aussi zone désertée.
dξ ρ qN D qN D
Coté n : = = + ⇒ ξ(x) = + x+cte
dx ε rε o ε rε o ε rε o
puisque ξ(-xn) = 0
ξ(x) = +
qN D
ε rε o
(x+ xn ) (92)
dξ ρ qN A qN A
Coté p : = = − ⇒ ξ(x) = − x+cte
dx ε rε o ε rε o ε rε o
puisque ξ(+xp) = 0
ξ(x) = −
qN A
ε rε o
(x− x )
p (93)
n ξ p
A partir du profil de charge de la figure 54,
qNDxn/ερεο ξmax qN x /ε ε
la figure 55 montre la variation du champ A p ρ ο
xp = 2ε r ε o 1 VD
qN A
1 + NA
ND
xn = 2ε rε o 1 VD
qN D N
1+ D
NA
L’extension de la zone de charge d’espace totale, W, est égale à la somme des deux zones en vis-
à-vis. W peut être exprimé en fonction de xp et des dopages :
⎛ ⎞ ⎛ ⎞
W = x p + xn = x p ⎜⎜ 1 + xn ⎟⎟ = x p ⎜⎜ 1 + N D ⎟⎟
⎝ xp ⎠ ⎝ NA ⎠
W = 2ε rε o N A + N D V D (95)
q N A.N D
Si ND >> NA, xn << xp, alors :
W = 2ε rε o 1 V D avec W ≈ xp et xn ≈ W. N A (96)
q NA ND
Ces expressions (56) ci-dessus, montrent qu’il est possible de faire une évaluation rapide de
l’extension de la zone de charge d’espace en ne considérant que la zone la moins dopée. L’erreur
est simplement dans le rapport des concentrations de dopants (par exemple 1%). Une évaluation
rapide montre qu’en fonction du niveau de dopage qui varie entre 1014 et 1020 cm-3, W varie à
l’équilibre thermodynamique entre une centaine d’Angström et quelques microns.
Notons que si une tension, Vapp, est appliquée aux bornes de la jonction, la tension aux bornes de
la zone de charge d’espace devient la somme algébrique de la tension appliquée et de la tension de
diffusion, VD + Vapp. Pour connaître la nouvelle extension de la zone de charge d’espace, il suffit
alors de remplacer dans les expressions (95) ou (96) |VD| par |VD| - Vapp, sachant que Vapp sera
négatif si l’on applique une tension positive sur la zone n et négative sur la zone p (tendance à
augmenter le champ électrique).
électrique. Mais le champ électrique, même de très grande amplitude, ne draine que des porteurs
minoritaires depuis les couches quasi-neutres (électrons dans la zone p et trous dans la zone n), qui
sont comme nous l’avons vu précédemment en quantité extrêmement plus faible que celle des
majoritaires. Les densités de courants résultant ne pourront donc qu’être très faibles, toute autre
considération mise à part.
En conclusion :
- une diminution du champ électrique par application d’une tension positive sur la zone p,
peut créer un courant important : la jonction est polarisée en direct
- une augmentation du champ électrique par application d’une tension positive sur la zone n,
ne crée qu’un très faible courant :la jonction est polarisée en inverse.
ξ initial
ξ appliqué
n p
- +
VF
Figure 56 : Polarisation directe de la jonction pn. Une tension positive est appliquée sur la
zone p. Le champ interne à la jonction est alors diminué. Le courant peut devenir important
en raison de la possibilité de diffusion des porteurs.
3°) Profils de concentrations des porteurs dans les zones quasi-neutres – Densités de
courant
A l’équilibre thermodynamique, nous avons vu que les concentrations des porteurs dans chacune
des deux zones étaient :
n2 coté p : p po ≈ N A ; n po ≈ ni
2
coté n : nno ≈ N D ; pno ≈ i
ND NA
a) Approximation de Boltzmann
Si nous polarisons en direct la jonction, nous favorisons le phénomène de diffusion et donc,
intuitivement, nous augmentons la concentration de porteurs de part et d’autre de la jonction. En
effet, un transit important de porteurs impose une augmentation de niveau (telle une rivière au pied
d’un barrage lorsque le débit de celui-ci augmente). L’augmentation ne sera prépondérante que pour
les porteurs minoritaires, la variation de la concentration des porteurs majoritaires ne pouvant être
que négligeable dans un régime de fonctionnement normal (le niveau supérieur du barrage n’est pas
modifié sensiblement lorsque les turbines fonctionnent).
Le problème va consister à évaluer les concentrations de porteurs minoritaires en limite de zone
de charge d’espace, sous polarisation. Pour cela, nous allons de nouveau partir des équations des
densités de courant (89) et (90) valables à l’équilibre thermodynamique.
jn = + qDn dn + qnµ n.E = 0 (89)
dx
dp
j p = − qDp + qpµ p.E = 0 (90)
dx
Analysons par exemple les deux termes intervenant dans l’équation de la densité de courant
d’électrons en effectuant une évaluation numérique simplifiée.
J ndiff = + qDn dn et J ndér = qnµ n.E
dx
Il suffit de calculer l’un des deux termes. Supposons la jonction en silicium telle que :
NA = 1017 cm-3, ND = 1019 cm-3, Dn = 10 cm2/s,
µn = 260cm2/Vs, ni2 = 2.1020 cm-6, εrεο = 10-12 F/cm
On déduit des différentes relations : VD = 0,96V, W = 0,11µm, ξmax = 1,6.104 V/cm.
En supposant que le gradient de concentration soit le gradient moyen entre –xn et + xp :
dn/dx # ∆n/∆x = (ND-npo)/W
mais (ND-npo)/W # ND/W = 10 /1,1.10-5 = 9.1023 cm-4
19
[ ]
n p(0)
VD − VF = VT ln dn N D
n
en appelant np(0), la concentration des électrons en limite de zone de charge d’espace du coté p
(cela revient à décaler l’origine de l’axe des abscisses en x = xp).
n p(0)
VD − VF = VT ln et compte tenu de la relation (91) VD = VT ln N D
ND n po
n=ND p=NA
np(0)
pn(0)
x expVF/VT
x expVF/VT
npo=ni2/NA
pno=ni2/ND
Jonction métallurgique
Figure 57 : Porteurs majoritaires et minoritaires dans la jonction pn sous polarisation
directe. Les concentrations des porteurs minoritaires de l’équilibre thermodynamique ont été
multipliées par exp(VF/VT) aux limites de la zone de charge d’espace.
Ayant déterminé les concentrations aux limites, il faut alors déterminer le profil de concentration
des porteurs dans les zones quasi-neutres. Pour y parvenir, il faut considérer les équations de
continuité pour les électrons et pour les trous.
Dans un premier temps, nous allons simplifier l’approche en considérant les hypothèses
simplificatrices suivantes :
- pas de génération lumineuse, GL = 0,
- les recombinaisons sont négligeables, U = 0,
- le champ électrique est nul à l’extérieur de la zone de charge d’espace, c’est-à-dire dans les
zones quasi-neutres, ξ = 0,
- le régime est stationnaire ; pas de variation en fonction du temps.
Les équations de continuité pour les électrons et les trous, relations (82) et (83), se simplifient
fortement et deviennent :
2
∂n = + Dn ∂ n = 0 ⇒ ∂2 n
= 0
∂t ∂x 2 ∂x2
∂p ∂ p
2
∂2 p
= + Dp 2 = 0 ⇒ = 0
∂t ∂x ∂x 2
Il faut intégrer ces deux dernières équations différentielles du second ordre (très simples !). Pour
cela il faut connaître deux conditions limites pour chacune d’elles. Nous savons ce qui se passe en
limite de zone de charge d’espace, il faut donc une autre condition limite pour chacune d’elle.
Nous allons considérer qu’au niveau des contacts avec les zones quasi-neutres qui
correspondent aux connexions avec la source de polarisation, donc aux limites extérieures des zones
n et p, la concentration des porteurs minoritaires correspond à celle de l’équilibre
thermodynamique. Une autre façon de présenter cette hypothèse est de considérer que les contacts
métalliques avec le semiconducteurs sont infiniment recombinants ; en d’autres termes cela signifie
que si le contact est ohmique, les échanges entre le métal, qui contient une concentration de
porteurs très supérieure au semiconducteur, et les zones n et p sont quasiment instantanée.
En appelant Wn et Wp la largeur des zones quasi-neutres, respectivement, comme indiqué sur la
figure 58, nous pouvons très rapidement intégrer les équations différentielles.
d 2n
Ainsi, = 0 ⇒ dn = cte ⇒ n(x) = ax + b (équation d’une droite).
dx 2 dx
Ce segment de droite passe par deux points déjà déterminés. En effectuant le changement de
variable adéquat, x = 0 en x = xp, l’équation de la droite devient :
n po − n p(0)
n(x) = x + n p(0)
Wp
En modifiant l’axe des x de façon appropriée, il est possible de la même manière de déduire le
profil de concentration des trous dans la région n (translation de W).
pn(0) − pno
p(x) = x + pn(0)
Wn
Connaissant le profil de concentration des deux types de porteurs, il est possible d’en déduire les
densités de courant, puisque dans les zones quasi-neutres, la composante de dérive est nulle (champ
nul) et que seule subsiste la composante de diffusion (Figure 58).
n pn(x) np(x) p
n=ND p=NA
np(0)
pn(0)
expVF/VT
npo=ni2/NA
pno=ni2/ND
-xn +xp x
Wn Wp
Figure 58 : Profils de concentration des porteurs dans la jonction polarisée en direct en
considérant les recombinaisons négligeables dans les zones quasi-neutres. Dans une échelle
linéaire, le profil de concentration est linéaire. Attention, cette représentation est
trompeuse ! puisque pour pouvoir les représenter, les niveaux des concentrations sont
supposés être en échelle logarithmique. Il y a donc superposition de deux échelles
différentes, l’une logarithmique, l’autre linéaire !
⎛ ⎞
⎡ dp ⎤ p (0) − pno p ⎜ VF ⎟ (102)
J p = − qD p ⎢ ⎥ = −q D p n = − qD p no ⎜ exp − 1⎟
⎣ dx ⎦ x =0 Wn Wn ⎜ VT ⎟
⎝ ⎠
Le signe négatif provient de l’orientation de l’axe des abscisses, les électrons se déplaçant vers
les x positifs, la densité de courant est orientée vers les x négatifs. Ainsi, il est habituel de donner
les expressions des densités de courant en valeur absolue. Nous rappelons aussi que nous avons
translaté les axes pour simplifier l’expression des profils de concentrations des porteurs
minoritaires.
La densité de courant totale est la somme des deux types de courants injectés (les porteurs se "
croisent " dans la zone de charge d’espace). En appelant JF la densité de courant totale :
B B
⎛ n ⎞ ⎛ ⎞
⎜ po p ⎟ ⎜ VF ⎟
J F = J n + J p = − q ⎜ Dn + D p no ⎟ ⎜ exp − 1⎟
⎜ Wp Wn ⎟⎠ ⎜ VT ⎟
⎝ ⎝ ⎠
expression qui peut aussi s’écrire sous la forme :
⎛ n2 n2 ⎞⎟ ⎛ ⎞
⎜ ⎜ VF ⎟
J F = q ⎜ Dn i + Dp i ⎟ ⎜ exp − 1⎟
⎜ Wp N A Wn N D ⎟⎠ ⎜ V ⎟
⎝ ⎝ T ⎠
⎛ ni2 ni2 ⎞⎟ ⎛ ⎞
⎜ ⎜ VF ⎟ (103)
IF = qS ⎜ Dn + Dp ⎟ ⎜ exp − 1⎟
⎜ WpN A W N ⎟ ⎜ VT ⎟
⎝ n D ⎠ ⎝ ⎠
ou encore
⎛ V ⎞ ⎛ n2 n2 ⎞⎟
⎜ ⎟ avec ⎜ (104)
I F = Iσ ⎜ exp F − 1⎟ Iσ = qS ⎜ Dn i + Dp i ⎟
⎜ VT ⎟ ⎜ Wp N A Wn N D ⎟⎠
⎝ ⎠ ⎝
Ainsi, la densité de courant (ou le courant total) circulant à travers la jonction pn varie
exponentiellement en fonction de la tension appliquée. L’aspect exponentiel provient de la
variation exponentielle des concentrations injectées en limite de zone de charge d’espace qui
évoluent comme la statistique de Boltzmann.
Nous n’avons fait aucune hypothèse particulière sur le signe de la polarisation VF. Si VF est B B B B
négatif, tout le raisonnement effectué reste valable, mais dans ce cas l’exponentielle (d’un nombre
négatif) tend vers 0. Les concentrations en limite de zone de charge d’espace deviennent inférieures
aux concentrations de l’équilibre thermodynamique, et les pentes étant inversées, les densités de
courant sont aussi inversées. Très rapidement, le courant total tend vers Iσ et l’expression (104) B B
devient :
I F = − Iσ
Iσ est appelé courant de saturation ; c’est le courant inverse de la diode à jonction pn sous
B B
n=ND p=NA
npo=ni2/NA
pno=ni2/ND
np(0)
expVF/VT
pn(0)
-xn +xp x
Wn Wp
Figure 59 : Profils de concentrations des porteurs dans la jonction pn polarisée en inverse.
Par rapport à la polarisation directe, les pentes sont inversées. Il faut se rendre compte dans
cette représentation que np(0) et pn(0) sont pratiquement nuls (échelle logarithmique pour les
B B B B
Nous pouvons écrire les équations (101) et (102) sous une autre forme qui sera utilisée
notamment dans l’étude du transistor bipolaire.
ni2 ⎛ ⎞ ni2 ⎛⎜ ⎞
⎜ VF ⎟ VF ⎟
J n = qDn ⎜ exp − 1⎟ = q ⎜ exp − 1⎟
N A.W p ⎜⎝ VT ⎟
⎠
GB ⎜
⎝ VT
⎟
⎠
ni2 ⎛ ⎞ ni2 ⎛⎜ ⎞
⎜ VF ⎟ VF ⎟
J p = qD p ⎜ exp − 1⎟ = q ⎜ exp − 1⎟
N D.Wn ⎜ VT ⎟ GE ⎜ VT ⎟
⎝ ⎠ ⎝ ⎠
GE et GB sont appelés nombres de Gummel respectivement pour les régions n et p qui
B B B B
définissons par Ln et Lp les longueurs de diffusion des électrons et des trous respectivement dans les
B B B B
2
Ln = Dnτ n d’où Ln = Dnτ n (104)
2
L p = D pτ p d’où Lp = D pτ p (105)
d 2n n − n po d 2u u
2
= 2
⇒ 2
= 2
dx Ln dx Ln
d2p p − pno d 2v v
= ⇒ =
dx 2 Lp
2 dx 2 Lp
2
Ces équations différentielles s’intègrent en tenant compte des deux conditions limites déjà
rencontrées dans la résolution précédente, à savoir :
n p(0) = n po exp VF et np(Wp) = npo
VT
B B B B B B
⎛ ⎞ ⎛ ⎞
u = A.exp⎜⎜ − x ⎟⎟ + B.exp⎜⎜ + x ⎟⎟
⎝ Ln ⎠ ⎝ Ln ⎠
Nous obtenons une expression analogue pour v. Ces expressions se transforment après
remplacement de A et B et quelques manipulations par :
Wp − x
⎛ ⎞ sh Ln
u = n p(x) − n po = ⎜⎜ n p(0) − n po ⎟⎟
⎝ ⎠ sh
Wp
Ln
Wn − x
⎛ ⎞ sh L p
v = pn(x) − pno = ⎜⎜ pn(0) − pno ⎟⎟
⎝ ⎠ shWn
Lp
En tenant compte des expressions de np(0) et de pn(0) :
B B B B
Wp − x
sh ⎛ ⎞
n p(x) − n po = n po Ln ⎜ expVF − 1⎟ (106)
⎜ ⎟
sh
Wp ⎝ VT ⎠
Ln
Wn − x
sh ⎛ ⎞
pn(x) − pno = pno
Lp ⎜ expVF − 1⎟ (107)
⎜ ⎟
shWn ⎝ VT ⎠
Lp
Le profil de concentration des porteurs est donc dans le cas le plus général en fonction
"chaînette" qui donnerait dans une échelle linéaire l’aspect de la figure 60. Sur cette figure, le profil
représenté est tracé dans une échelle linéaire, pour simplifier la représentation. Il faut toujours avoir
à l’esprit que la variation des valeurs absolues est de plusieurs décades ; c’est ce qui justifie la
combinaison des deux types d’échelle.
n pn(x) np(x) p
n=ND p=NA
np(0)
pn(0)
expVF/VT
npo=ni2/NA
pno=ni2/ND
-xn +xp x
Wn Wp
Figure 60 : Profil de concentration de porteurs dans une jonction pn polarisée en direct et
pour laquelle les recombinaisons interviennent dans les régions quasi-neutres. L’aspect en
chaînette présenté correspond à une représentation en échelle linéaire de la variation.
A partir de ces profils de concentration, nous pouvons calculer les densités de courant de
diffusion comme précédemment en faisant l’hypothèse que seule subsiste la composante de dérive
pour chaque type de porteur.
J n = qDn dn
dx
[ ]x=0
J p = − qD p ⎡⎢ ⎤⎥
dp
⎣ dx ⎦ x=0
n po W ⎛ V ⎞
Jn = −qDn coth p ⎜ exp F − 1⎟ (108)
Ln Ln ⎜ ⎟
⎝ VT ⎠
pno ⎛ V ⎞
Jp = −qD p coth Wn ⎜ exp F − 1⎟ (109)
Lp Lp ⎜ ⎟
⎝ VT ⎠
Expressions qui peuvent être écrites en faisant apparaître les nombres de Gummel GE et GB. B B B B
n2 ⎛⎜ V ⎞
⎟ N .Ln Wp
J n = q i ⎜ exp F − 1⎟ GB = A th (110)
GB ⎜ VT ⎟ Dn Ln
⎝ ⎠
n2 ⎛⎜ V ⎞
⎟ N D.Lp Wn
J p = q i ⎜ exp F − 1⎟ GE = th (111)
GE ⎜ VT ⎟ Dp Lp
⎝ ⎠
Pour les relations (108) à (111) deux cas limite peuvent se présenter :
- la longueur de diffusion est grande devant les dimensions de la zone considérée,
- la longueur de diffusion est petite devant les dimensions de la zone considérée.
Il faut noter que les lois sont exponentielles ; la notion de grand et petit dans ce cas signifie
qu’un rapport 3 à 5 dans un sens ou dans l’autre est suffisant !
⎛ ⎞
u = A.exp⎜⎜ − x ⎟⎟ = n p(x) − n po
⎝ Ln ⎠
expression qui permet de retrouver le profil. Nous retrouvons facilement l’expression de la densité
de courant d’électrons.
Dans le cas de la diode longue, la densité de courant est calculée en x = 0. En effet, puisqu’il y a
recombinaison dans la couche, les électrons disparaissent progressivement et sont remplacés par
des trous. La densité de courant totale injectée étant due aux électrons en x = 0 se retrouve
entièrement sous forme d’une densité de courant de trous au contact, en x =Wp La pente étant
l’image de la densité de courant de diffusion, il est clair sur la figure 62 que la densité de courant
d’électrons diminue quand x augmente et qu’elle tend vers 0.
La notion de diode courte, diode longue ou ni courte ni longue est à appliquer aux deux types de
porteurs. Il est ainsi possible d’avoir une diode courte pour les électrons et une diode longue pour
les trous, par exemple. La figure 63 montre cette situation.
Wn Ln 0 Wp x
Figure 63 : profils des concentrations d’électrons et de trous dans le cas du modèle diode
courte pour les électrons et diode longue pour les trous.
Jn
Jp
W = 2ε rε o 1 ⎛⎜ V − V ⎞⎟ ou encore W = 2ε r ε o 1 ⎛ ⎞
⎜⎜ VD + VR ⎟⎟
q N A ⎜⎝ D F⎟
⎠ q NA ⎝ ⎠
lorsque la tension appliquée est inverse et pour une zone p moins dopée. Nous définissons alors la
capacité par unité de surface par :
CS = ε r ε o = 1 qN ε r ε o
A
1 en F/cm2 (116)
W 2
VD + VR
Cette capacité varie en VR-1/2 dès que VR>> VD. Cette capacité est celle qui apparaît dans le
schéma électrique équivalent de la diode à jonction pn. Cette variation est exploitée dans la
réalisation des diodes "varicap".
électron précurseur
+
+
-
e
e-
e- +
e-
Figure 66 : Phénomène d’ionisation par impact. L’électron précurseur accéléré crée une
paire électron-trou (à gauche de la figure) qui discriminée par le champ permet une nouvelle
ionisation par le trou accéléré partant à droite et ainsi de suite. L’effet cumulatif s’appelle
avalanche par multiplication (par impact).
b) Effet Zener
Dans le cas où l’étendue de la zone de fort champ électrique est plus faible que dans le cas
précédent (inférieure à 100 Å), le champ électrique peut être plus élevé sans générer une ionisation
par impact. Mais lorsque le champ atteint 1MV/cm, il y a alors rupture des liaisons par effet
tunnel entre atomes voisins et donc émission d’une paire électron-trou. Le nombre de paires peut
croître très fortement et les courants générés aussi. C’est aussi un phénomène cumulatif.
Dans les diodes au silicium la transition effet Zener/effet d’avalanche se produit pour des
tensions autour de 6V, cette transition dépendant des niveaux de dopage des deux couches n et p.
Les faibles tensions correspondent à l’effet Zener pur, les fortes à l’avalanche. Expérimentalement,
les deux effets dépendent différemment de la température.
Remarque : les électroniciens ont pris l’habitude d’appeler diode Zener des diodes qui servent de référence de tension
lorsqu’elles sont suffisamment polarisées en inverse. Pour les fortes tensions, ce n’est pas en réalité l’effet Zener qui
intervient mais l’effet d’avalanche.
IF effet tunnel
E EC
effet tunnel diode «classique»
pente négative
EF EV
EC
0 VF
EV
Figure 68 : caractéristique électrique de la diode tunnel.
Sous faible polarisation la conduction est importante.
Quand la barrière d’énergie est suffisamment abaissée,
la transition tunnel n’est plus possible et la
Figure 67 : Diagramme d’énergie à l’équilibre caractéristique prend une forme de diode classique. Le
thermodynamique d’une diode tunnel. Les deux zones changement de régime crée une zone à résistance
sont très dopées et le niveau de Fermi se retrouve dans dynamique négative.
les bandes d’énergie. A faible polarisation, la
conduction peut se produire par effet tunnel.
3°) Photodiodes
La jonction pn est mise en conduction par génération lumineuse apportée par un faisceau de
photons d’énergie suffisante pour créer des porteurs (cf. figure 69). Les paires électron-trou sont
discriminées par le champ électrique de la zone de charge d’espace. Les porteurs sont alors drainés
vers le circuit extérieur. La lumière est alors convertie en courant. L’application la plus connue est
la cellule photovoltaïque. Il faudra bien sûr optimiser la capture des photons et la récupération des
porteurs de charge pour obtenir un rendement de conversion acceptable.
n+
ZCE n-
p+
EC
q(VD1-VA)
Emetteur
Base
Figure 70 : Injection d’électrons dans la zone p et recombinaisons radiatives des électrons. Il
faut bien sûr contrôler la sortie des photons pour obtenir une bonne efficacité.
CHAPITRE VII
LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
I Constitution
n p n
ou
p n p
J1 J2
Figure 71 : Représentation très schématique d’un transistor bipolaire. Les deux types de
structures npn ou pnp sont possibles. La partie centrale est appelée la base.
Le fait d’avoir deux jonctions très rapprochées confère à la structure des propriétés autres que la
simple juxtaposition de deux jonctions pn tête-bêche. Pour cela il faut s’assurer qu’il n’y a pas
rupture du réseau cristallin et que la distance entre les jonctions métallurgiques soit de l’ordre de
grandeur ou plus faible que la longueur de diffusion des porteurs dans la couche centrale. Cela va
imposer des contraintes technologiques et donner un rôle spécifique à chacune des zones encadrant
la zone centrale appelée la base. En d’autres termes, la structure bipolaire n’est pas simplement
réversible. En technologie silicium classique, une coupe de la structure peut être celle représentée
figure 72.
Emetteur
n+
p Base
p
n Collecteur
Figure 72 : Représentation très schématique d’une coupe d’un transistor bipolaire au niveau
des jonctions. La zone en surface est appelée émetteur et la zone profonde, collecteur,
terminologie qui sera justifié plus loin.
La zone en surface qui sera en général très dopée est appelée émetteur. La zone située au-
dessous de la base est appelée collecteur. Nous justifierons simplement cette terminologie plus loin
dans le chapitre. Emetteur et collecteur sont donc réalisés dans un même cristal et ont le même type
de dopage, mais pas forcément le même type de dopant ni le même niveau de concentration. Les
deux jonctions sont respectivement appelées émetteur-base et base-collecteur.
Dans les circuits électroniques, les C C
symboles utilisés pour les deux types de n p
transistors sont donnés figure 73. La flèche B NPN B PNP
indiquée entre la base et l’émetteur est p n
n p
orientée dans le sens passant de la jonction pn
E E
correspondante, donc toujours orientée de p
Figure 73 : Représentation des transistors npn et pnp.
vers n. La flèche entre l’émetteur et la base est dans le sens
passant de la jonction émetteur-base.
1018
P
Collecteur
Emetteur
1016
Base
N-
1014
0 1 2 4 5 6
Profondeur (x 0,1µm)
Figure 74 : Profils de dopage. Les dopages sont très différents dans les différentes zones. En
général, l émetteur est très dopé, la base moins dopée et le collecteur dopé en deux parties
au moins.
La zone très dopée du collecteur se justifie par la minimisation de la résistance interne de cette
couche, les performances électriques du transistor dans ses applications en dépendant très
fortement. En effet, dans les circuits intégrés à base de transistors bipolaires, pour éviter les courts-
circuits entre les différents transistors et pour isoler les couches entre elles, la structure est assez
complexe et ressemble à celle présentée figure 75. Le contact collecteur est "remonté" en surface et
nécessite donc une zone d’accès très dopée pour minimiser les pertes dans le circuit électronique du
collecteur.
B E C
p p+
n+
Figure 75 : Représentation schématique d’une coupe d’un transistor dans un circuit intégré.
L’agencement des zones est lié aux besoins d’isolation électrique et d’interconnexion des
composants.
Ainsi, la structure est essentiellement tridimensionnelle, mais pour simplifier l’étude théorique
et bien comprendre les mécanismes fondamentaux, nous nous limiterons à un modèle
unidimensionnel dont l’orientation est perpendiculaire aux plans parallèles des jonctions
métallurgiques émetteur-base et base-collecteur.
n p n
EC qVD2
qVD1
Eg EC
EC
EF EF
Eg
Eg
EV
EV
Emetteur Base Collecteur
Pour simplifier, nous considérons les dopages constants ce qui signifie que les jonctions seront
considérées abruptes. Ce diagramme d’énergie représenté figure 76 sera exploité plus loin en
régime de conduction.
II Principe de fonctionnement
Emetteur
Base
EV
Collecteur
Attention, dans ce cas, les niveaux de Fermi pour les électrons et les trous ne sont plus
identiques. Nous allons toujours supposer qu’au niveau des contacts (émetteur et collecteur) le
matériau semiconducteur retrouve l’équilibre thermodynamique grâce aux échanges de porteurs
avec le métal. Cela signifie que les pseudo-niveaux de Fermi se rejoignent. Dans la zone de charge
d’espace de la jonction émetteur-base, l’injection crée des excès de porteurs, ce qui laisse supposer
que le niveau EFn est au-dessus du niveau EFp (chacun des niveaux se rapproche de la bande des
porteurs respectifs). Dans le cas de la jonction collecteur-base, c’est l’effet contraire qui se produit
(désertion accentuée par la polarisation inverse).
La variation des pseudo-niveaux de Fermi se fera essentiellement dans les zones où les porteurs
sont en faible quantité, donc dans les zones où ils sont minoritaires (le courant étant constant, la
diminution de la concentration est compensée par la variation du gradient du pseudo-niveau de
Fermi (formules (86) et (87)).
La différence entre les deux niveaux de Fermi des majoritaires correspond à la polarisation
externe appliquée. Dans le diagramme de la figure 50, le potentiel (ou l’énergie) de l’émetteur est
pris comme référence. La différence totale (entre les deux contacts extrêmes) correspond à la
somme algébrique des différences de potentiel appliquées à la jonction émetteur-base et à la
jonction collecteur-base.
Ce diagramme d’énergie fait clairement apparaître la diminution de la hauteur de barrière
d’énergie pour les électrons injectés dans la base et l’augmentation de la chute d’énergie pour les
mêmes électrons au niveau de la jonction collecteur-base. Par contre, pour les trous de la base, la
hauteur de barrière a fortement augmenté. Pratiquement aucun trou de la base ne pourra, a priori,
rejoindre le collecteur.
3°) Effet transistor. Bilan des injections. Nécessité d’une base courte.
Nous avons vu que dans le cas de la jonction pn polarisée en direct que si celle-ci est
dissymétrique, (par exemple de type n+p, alors la densité de courant injectée dans la région p est
très supérieure à celle injectée dans la région n. Le but de la structure est de récupérer cette densité
de courant injectée par l’émetteur dans la base, par l’intermédiaire d’un champ électrique(créé par
la polarisation inverse de la jonction collecteur-base) dans le collecteur.
Emetteur Base Collecteur
n=ND p=NA
ξ n=NDC
np(0) champ
pn(0)
pnoC=ni2/NDC
2
npo=ni /NA
pno=ni2/ND
Donc si tout va bien, dans le cas d’un transistor npn, le courant collecteur va être très voisin du
courant d’électrons injecté par l’émetteur. La figure 78 donne un aperçu du phénomène. Dans la
suite nous allons analyser les principaux phénomènes et paramètres limitant ce transfert.
Sur la figure 78, JpE est la densité de courant injectée dans l’émetteur, JnB injectée dans la base
et JnC dans le collecteur. La jonction collecteur-base étant polarisée en inverse, la densité de courant
qui la traverse est négligeable lorsqu’il n’y a pas d’injection JnC. Si cette dernière existe (injection
pilotée), le champ électrique capte (ou happe) tous les électrons pour les propulser (ou envoyer)
vers le collecteur, qui les collecte (origine du nom !), l’émetteur ayant émis ces porteurs.
La densité de courant de trous injectée dans l’émetteur ne peut provenir que de la base, puisque
le collecteur n’injecte pas de trous dans la base.
Ainsi, l’effet transistor consiste à :
- injecter un faible courant dans la base depuis l’extérieur qui polarise la jonction émetteur-
base,
- injecter des électrons dans la base depuis l’émetteur, la densité de courant étant beaucoup
plus grande que celle des trous injectés dans l’émetteur,
- récupérer la majeure partie des électrons dans le collecteur grâce au champ électrique et donc
piloter un courant fort dans le collecteur.
On appellera gain en courant le rapport entre le courant collecteur et celui injecté depuis le
contact de base dans la base.
Cet effet ne sera possible que si la base est suffisamment courte. En effet, la densité de
courant de diffusion, JnB augmente lorsque les dimensions de la base diminue. De plus, si la base est
trop, longue, par rapport à la longueur de diffusion des porteurs (ici les électrons), la densité de
courant disparaît dans la base sans atteindre le collecteur. Le courant collecteur (et donc JnC) est
alors quasiment nul.
Pour résumer, l’effet transistor apparaît lorsque :
- la jonction émetteur-base est dissymétrique, l’émetteur étant beaucoup plus dopé que la
base,
- l’épaisseur de la base est faible par rapport à la longueur de diffusion des porteurs dans la
base,
- la jonction émetteur-base est polarisée en direct,
- la jonction collecteur-base est polarisée en inverse.
Remarques : sur la figure 51 nous n’avons pas fait apparaître explicitement l’effet de la polarisation inverse de la
jonction collecteur-base. Cette polarisation a tendance à diminuer la concentration en électrons minoritaires à la limite
de la ZCE du coté base. Mais il faut se rappeler que nous combinons sur ce graphe des échelles linéaires et
logarithmiques. En fait la pente donnée dans une échelle linéaire n’est pas affectée par cette polarisation qui diminue la
valeur de npo. Que cette concentration soit égale par exemple à 104cm-3 ou à 10-20cm-3 ne modifie en rien la valeur
effective de la pente qui est par exemple de (1014 – 104) / WB, soit 1014 / WB.
contact à comparer à JpE injecté. Le modèle diode longue a ainsi tendance à accroître la pente du
profil et donc à augmenter le courant base sans pour autant augmenter le courant collecteur.
Base
Figure 79 : Représentation schématique des différentes densités de courant prenant en
compte les recombinaisons et générations dans les différentes zones du transistor npn en
régime normal de conduction. Les densités de courant d’émetteur, collecteur et base
correspondent à la somme algébrique de ces courants.
Une autre façon de représenter les différentes densités de courant et la variation de leur
amplitude relative est donnée par la figure 80. Il faut être attentif au fait que les électrons se
déplacent dans le sens contraire de celui des densités de courant. Au contact d’émetteur, la densité
de courant totale est maximale. Les électrons injectés par l’émetteur traversent toute la structure
avec des pertes dues essentiellement aux recombinaisons des trous dans l’émetteur, des porteurs
dans la jonction émetteur-base, des électrons dans la base. La densité de courant au contact de base
correspond à l’ensemble des flux de trous qui alimentent les recombinaisons et qui sont injectés
dans l’émetteur. Une petite fraction provient du collecteur et diminue légèrement la densité totale
fournie par le contact de base.
In I ne I nC
I ne- I nC
Emetteur I pe Collecteur
IE I rec I poC I noC IC
IG
Base
IB
Ainsi, pour obtenir un grand gain en courant, il est nécessaire d’avoir une jonction émetteur-
base très dissymétrique de manière à obtenir un rapport d’injection important.
γ = 12 (121)
n G
1+ iE2 B
niBGE
IC
Elles sont principalement constituées de la
C
caractéristique IC(VCE) avec IB comme IB B
paramètre, et de IC (IB) avec VCE comme
paramètre. Au premier ordre, ces E VCE
VBE
caractéristiques ont l’aspect de la figure 83.
IE
Notons que les constructeurs rajoutent en
général les paramètres hybrides associés (h21
Figure 82 : Grandeurs électriques à considérer dans un
et h22 principalement) qui correspondent aux montage en émetteur-commun. L’émetteur est la borne
commune.
pentes des caractéristiques en basse
fréquence. .
Le courant IC est piloté par le courant IB. Le transistor ayant des caractéristiques « plates » en
sortie, il se comporte comme une source de courant, puisque IC ne dépend pas de VCE.
IE
IB3>IB2
pente β
IB2>IB1
IB1
IB VCE
Ces caractéristiques sont en effet idéalisées, les caractéristiques réelles doivent tenir compte des
effets physiques tels que :
- la génération- recombinaison dans les différentes zones,
- le courant inverse de la jonction collecteur-base,
- la modulation des extensions des zones de charge d’espace qui modifie notamment
l’épaisseur de la base effective et donc de l’injection dans la base,
- la quantité de porteurs injectés par rapport aux porteurs majoritaires déjà présents (dopage),
- l’influence du champ électrique dans les zones de charge d’espace,
- la température : la puissance dissipée dans les transistors provoque un échauffement
important au niveau des jonctions ; cet échauffement modifie les propriétés du matériau
semi-conducteur.
La suite du cours va consister à analyser quelques-uns uns de ces effets.
Ce cas est fréquemment rencontré dans les transistors bipolaires intégrés puisque l’émetteur est
en général très dopé, la durée de vie des porteurs minoritaires y est très faible et donc la longueur de
diffusion souvent du même ordre de grandeur, voire plus faible, que l’épaisseur de l’émetteur.
Ainsi, le courant injecté est augmenté (la pente augmente) mais l’aspect au moins aussi
important vient du fait qu’une partie du courant injecté par l’émetteur vers le collecteur disparaît sur
le parcours.
En se rappelant que le courant est un courant de diffusion, nous avons :
Wp − x
J n = qDn dn
dx x=0
[ ]
avec np (x) − n po = (n p(x) − n po )
sh
Ln
Wp
sh
Ln
et avec JnE = Jn(x=0) et JnC = Jn(x=WB), on définit le facteur de transport dans la base par :
J
αT = nC
J nE
Wp − x
ch
J n = qDn dn = qDn (n p(x) − n po ) Ln ⎛− 1 ⎞
⎜ ⎟
dx W
sh p ⎝ Ln ⎠
Ln
J n (WB )
ainsi αT = = 1 (122)
J E (0) W
ch B
Ln
En fait, une autre approche pour expliquer ce résultat est de considérer que les pseudo-niveaux
de Fermi restent constants dans la zone de charge d’espace, ce qui correspond à l’approximation de
Boltzmann. En utilisant l’expression du taux de génération-recombinaison de la formule (67), nous
obtenons :
p.n − ni2
U = 1
τo
p + n + 2ni
Nous allons nous situer dans le cas le plus défavorable pour la recombinaison, à savoir une
valeur maximale pour U. Au dénominateur, nous avons la somme de deux termes dont le produit est
constant. Ce dénominateur sera minimal et donc U maximal, lorsque ces deux termes seront égaux.
Ainsi :
V
exp BE − 1
V VT
p = n = ni exp BE U = 1 ni2
2VT τo ⎛ V ⎞
2ni ⎜⎜ exp BE + 1⎟⎟
⎝ 2VT ⎠
Dès que la tension appliquée à la jonction, VBE, est supérieure à quelques VT,
V
U max = 1 ni exp BE (124)
2τ o 2VT
La densité de courant associée à cette recombinaison s’exprime par le produit du taux de
recombinaison par le volume considéré, J rec = qU maxW
qni W V
J rec = exp BE (125)
2τ o 2VT
Remarque : W, l’extension de la zone de charge d’espace, varie aussi en fonction de la tension appliquée (en racine
carré) mais la loi exponentielle est prépondérante dans le comportement de cette densité de courant. Cela est vérifié
expérimentalement.
Base Collecteur
np(0)
∆WB IC
Effet Early
W
W’
Jne IB3
WB J’ne
WB’ IB2
npo
IB1
VCE
Figure 86 : La modification de l’extension de la zone de charge d’espace du coté base,
modifie le gradient de concentration et donc l’injection des électrons (dans ce cas). Cet effet
se traduit sur la caractéristique de sortie par une pente positive.
La jonction émetteur-base polarisée en direct va alors injecter des électrons en retour dans la
base qu’ils traversent pour atteindre la zone de champ électrique élevé de la jonction collecteur-
base. La conservation du courant total dans la structure imposé par le circuit extérieur, fait que le
champ électrique peut alors être plus faible, la quantité de porteurs ayant très fortement augmenté.
Il y a en fait un phénomène d’amplification du courant au niveau de la jonction émetteur-base.
Le champ électrique plus faible conduit extérieurement à une tension plus faible, appelée LVCEo.
C’est cette valeur qui est observée sur la caractéristique de sortie du transistor en forte polarisation.
En connectant la base à une source de courant extérieure fournissant un courant IB, le
phénomène s’entretient pour une tension encore plus faible comme le montre la caractéristique
IC(VCE) de la figure 88. Pour augmenter la tenue en tension du transistor, il faut modifier le profil du
champ électrique de manière à augmenter l’intégrale (donc la tension) tout en évitant de dépasser la
valeur critique du champ maximal.
IE
Comme le gradient du champ électrique
est proportionnel à la densité de charges (et IB3
donc au dopage) d’après l’équation de IB2
Poisson, en diminuant le dopage de la zone la
moins dopée, l’intégrale est bien augmentée IB1 IB=0
comme le montre la figure 89. Le dopage
diminuant, on augmente les dimensions de la LVCE LVCEoLVCBo VCE
zone la moins dopée pour permettre Figure 88 : Evolution de la caractéristique de sortie
l’augmentation de l’extension de la zone de pour des fortes tensions. Pour IB=0, le claquage se
produit à une tension LVCBo, beaucoup plus grande que
charge d’espace. la valeur de LVCEo dès que le phénomène s’entretient par
injection depuis l’émetteur.
Cette zone dopée à environ 1014cm-3
(dopage très faible) peut atteindre plusieurs ξ Collecteur
Base
centaines de microns dans le cas des ξmax=ξc
transistors de puissance haute tension peu dopé
NDC-
(quelques milliers de Volts). Afin d’éviter des NA
très dopé
problèmes liés à la résistance série d’une zone
NDC++
très peu dopée, le collecteur est alors
-xB 0 xC- x
constitué de deux zones dopées différemment.
La dimension de la zone la moins dopée est Figure 89 : Profil du champ électrique de la jonction
collecteur-base pour laquelle le collecteur est constitué
définie par les besoins de l’utilisation en de deux zones dopées différemment. La zone
fonctionnement nominal (la zone de charge faiblement dopée permet d’augmenter la tenue en
tension (intégrale plus grande).
d’espace atteint la limite du fort dopage).
ni2 exp V = N N A2
A ⇒ Vinj = VT ln (126)
NA VT ni2
Exemple numérique : ni2 = 2,5.1020cm-6, VT = 26 mV
si NA = 1,6.1018cm-3, Vinj = 0,90 V
si NA = 1,6.1016cm-3, Vinj = 0,78 V
Vbn Vinj
Potentiel appliqué (VBE)
Figure 91 : Variation du gain en courant en fonction du niveau de tension base-émetteur
appliquée. A bas niveau, le phénomène prépondérant est la recombinaison dans la jonction
émetteur-base, à fort niveau , la forte injection dans la base.
100
NA=4.1017cm-3
60 5.1017
40
7.1017
1018
20
0
1018 1019 1020 1021
Dopage d’émetteur ND (cm-3)
Figure 92 : Variation du gain d’un transistor bipolaire npn en fonction du dopage
d’émetteur, le dopage de base étant pris comme paramètre. Le maximum du gain est
toujours obtenu pour des dopages d’émetteur voisins de 1020cm-3, c’est-à-dire en début de
dégénérescence (d’après O. Bonnaud et al., SSED, 1983).
Compte tenu des variations des paramètres en fonction du dopage tels que la mobilité, la durée
de vie des porteurs et la variation de la largeur de la bande interdite (pour les très forts dopages), la
figure 65 montre qu’il existe en général un dopage optimal pour lequel le gain est maximal pour un
dopage d’émetteur voisin de 1020cm-3. Cette dernière valeur sera en général celle choisie dans les
transistors fortement intégrés. Pour ces niveaux de dopage il faut remarquer que l’approximation de
Boltzmann n’est plus valable puisque le semiconducteur est dégénéré. Toutefois c’est un terme
correctif qu’il faut apporter.
A ce même niveau de dopage, la relation d’Einstein devient aussi une approximation. Il faudrait
utiliser, pour être plus précis, un développement limité du rapport Dn/µn en fonction du dopage.
Le dopage de la base conditionne la valeur du gain sur la figure 92. Attention, un faible dopage
et donc un fort gain en courant aura des conséquences sur d’autres grandeurs électriques telles que
le claquage, l’effet Early, la réponse en fréquence, etc…
En conséquence, en fonction de l’application, c’est-à-dire du cahier des charges, les niveaux de
dopages et les épaisseurs des couches seront prédéterminées. Il ne sera effectivement pas possible
d’atteindre simultanément, une forte tension, une forte puissance, un fort gain et une réponse en très
haute fréquence
CHAPITRE VIII
Nous allons étudier dans ce chapitre le transistor MOS. Ce type de transistor apparut réellement
au début des années 1960 bien que son principe ait été proposé dès le début du 20ème siècle. C’est la
maîtrise technologique des procédés appliqués au silicium à la place du germanium et plus
particulièrement la mise en œuvre des oxydes minces de silicium qui a permis le développement
fabuleux de cette technologie.
I Constitution
1°) Réalisation physique
La structure Métal/Isolant/Semiconducteur ou Métal/Oxyde/Semiconducteur, que l’on nomme
plus communément MOS, est basée sur la commande par une polarisation sur une électrode isolée
de porteurs libres dans une zone peu dopée (a priori). La modulation du nombre de porteurs permet
d’établir un canal de conduction entre deux zones conductrices correspondant à des zones
semiconductrices très dopées.
La figure 93 présente une coupe schématique de la structure. L’électrode de commande
s’appelle grille, les deux autres source et drain. Cette terminologie sera justifiée dans la suite. La
grille est constituée d’une couche isolante de très faible épaisseur, en général de l’oxyde de
silicium, SiO2, surmontée d’une couche très conductrice telle qu’un métal ou dans le cas des
circuits intégrés du silicium très dopé (cf. cours de technologie microélectronique, O. Bonnaud).
Les zones de semiconducteur de source et drain sont recouvertes d’une couche métallique
permettant d’établir un bon contact électrique avec les circuits extérieurs.
Isolant de grille / oxyde
N+ N+
substrat p
Pour que sans polarisation de grille le courant circulant entre les deux électrodes source et drain
soit négligeable, la zone de canal à l’équilibre thermodynamique doit être de type opposé aux zones
de source et drain afin d’avoir, quel que soit le sens de la polarisation entre ces deux zones, une
jonction polarisée en inverse et qui est donc bloquante ; la structure est équivalente à deux diodes
tête-bêche. Ainsi, si les source et drain sont de type n comme représentées figure 93, alors la zone
sous la grille isolée est de type p.
Par l’action d’une polarisation sur le contact de grille par rapport à la zone semiconducteur, il se
crée un champ électrique qui va agir sur la zone semiconductrice sous l’oxyde. Pour assurer une
conduction, il faut dans l’exemple de la figure 93 que des électrons viennent prendre la place des
trous. Il se crée dans ces conditions un canal induit de type n. L’application d’une polarisation
positive sur la grille conduira à cet effet. Le transistor est nommé dans ces conditions MOS de type
n ou plus simplement NMOS.
Puisque au repos le transistor de la figure 93 ne conduit pas, nous dirons qu’il est de type
normalement non-conducteur, normally off en anglais.
N+ canal n N+
substrat p
canal n existant au repos
Figure 94 : Coupe schématique d’un transistor NMOS normalement conducteur. La
présence d’une couche dopée n de très faible épaisseur sous l’oxyde de grille permet
d’assurer la conduction lorsque aucune tension n’est appliquée sur la grille.
Les figures 93 et 94 concernent des transistors à canal n. Nous pouvons remplacer par analogie
le dopage de type n des zones de sources et de drain par un dopage de type p, et le dopage du
substrat de type p par du type n et éventuellement celui du canal en surface par du type p. Nous
créons dans ce cas des transistors PMOS soit normalement non-conducteur, soit normalement
conducteur. Il existe donc 4 types de transistors MOS.
De façon symbolique, une flèche apparaît entre le substrat et le canal. Cette flèche est orientée
dans le sens passant de la jonction pn fictive substrat-canal. Par exemple, dans le cas du NMOS
normally off, la flèche est orientée dans le sens substrat-canal.
NMOS N+ N+ D
normalement G
non conducteur substrat p S
NMOS D
N+ canal n N+ G
normalement S
conducteur substrat p
PMOS P+ canal p P+ D
normalement G
substrat n S
non conducteur
PMOS D
P+ canal p P+ G
normalement S
conducteur substrat n
II Principe de fonctionnement
Nous allons analyser le principe de fonctionnement des transistors à grille isolée en prenant
l’exemple d’un transistor MOS normalement non-conducteur et en considérant les couches idéales.
Nous verrons plus loin en détail ce que cela signifie.
S G D
A l’équilibre thermodynamique, il existe
en permanence une zone de charge d’espace
entre le drain et la zone de substrat, ainsi N+ N+
qu’entre la source et le substrat (figure 96).
substrat p
Il faudra être attentif aux extensions de
ces zones qui doivent bien sûr être inférieures Figure 96 : Transistor NMOS à l’équilibre
thermodynamique. Les deux diodes présentent des
à la distance entre les jonctions zones de charges d’espace habituelles.
métallurgiques pour éviter de mettre en court-
circuit les zones de source et de drain.
Remarque : au niveau du substrat, la structure source-substrat-drain (npn) a l’aspect d’un transistor bipolaire. Puisqu’il
n’y a aucune polarisation directe des jonctions source-substrat ou drain- substrat, le substrat qui pourrait jouer le rôle de
la base n’est pas alimenté et ne provoque donc aucune injection ; il n’y a donc pas d’effet transistor bipolaire, dans ces
conditions.
concentration en trous initiale du substrat : partie foncée du canal entre les deux zones dopées N+
sur la figure 98.
G
Dans ces conditions, nous dirons qu’il y a S
ξ
D
G
Cela revient à diminuer le champ S
ξ
D
Différence de potentiel et résistance fixées, signifient que le courant traversant le canal, IDS, est
constant à VGS donnée (I = U/R). La caractéristique électrique est alors horizontale et a l’allure de la
figure 103. Nous dirons que le transistor est en régime de saturation.
Pour un VGS donné, la caractéristique de
sortie comprend ainsi trois zones IDS
significatives :
- le régime ohmique,
VGS>Vth
- le régime intermédiaire,
- la saturation.
Le point de saturation dépend de la valeur
VDS
de VGS puisqu’il apparaît pour VGS – VDS
Figure 103 : Lorsque la tension de drain rend la
= Vth. Cette valeur de VDS s’appelle tension différence de potentiel entre grille et drain inférieure à
de saturation VDSsat. la tension de seuil, le courant sature.
EC EC
EC EC
EF EF EF EF
EV EV
EV EV
En appliquant la statistique de Boltzmann, le niveau de Fermi est situé entre la bande de valence
et la bande de conduction :
qψ ⎞ qψ ⎞
n = no ⋅exp⎛⎜ + ⎟ et p = po ⋅exp⎛⎜ − ⎟ (127)
⎝ kT ⎠ ⎝ kT ⎠
le changement de signe provenant de l’orientation des énergies.
En remplaçant les expressions précédentes dans l’équation de Poisson, nous obtenons :
d 2ψ q ⎛ ⎛ qψ ⎞− n exp⎛ + qψ ⎞ ⎞
= − ⎜ no − po + po exp⎜ − ⎟ o ⎜ kT ⎟ ⎟
dx 2
εr εo ⎝ ⎝ kT ⎠ ⎝ ⎠⎠
Il est clair que la résolution de cette équation n’est pas triviale. Il faut utiliser un facteur
dψ dψ d 2ψ 1 d ⎛⎜ dψ ⎞⎟ . De plus, sachant que le champ dérive du
2
dx ⎜⎝ dx ⎟⎠ ε r ε o ⎜⎝
⎜ kT ⎟
⎝ ⎠ po ⎜⎝
⎜ kT ⎟
⎝ ⎠ ⎟ ⎟ dx
⎠⎠
Cette équation peut être alors intégrée entre les limites de la zone de charge d’espace, donc de 0
à W.
ψ(W)
[ ]
⎛ dψ ⎞ = (− ξ )2 W = ⎡ 2kTpo ⎛⎜ exp⎛ − qψ ⎞ + qψ + no ⎛⎜ exp⎛ + qψ ⎞ − qψ ⎞⎟ ⎞⎟⎤
2
⎜ dx ⎟ ⎢ ⎜ kT ⎟ kT ⎜ kT ⎟ kT ⎟ ⎟⎥
⎝ ⎠ 0
⎢⎣ ε r ε o ⎜⎝ ⎝ ⎠ po ⎜⎝ ⎝ ⎠ ⎠ ⎠⎥⎦ψ(0)
dψ
or en x = W, ψ = 0 et − =ξ=0
dx
dψ
et en x = 0, ψ = ψs et − = ξs
dx
2kTpo ⎛⎜ ⎛ qψ s ⎞ qψ s ⎛ ⎛ qψ s ⎞ qψ s ⎞⎟ ⎞⎟
(− ξ )
s
2
=
εr εo ⎜
− exp⎜ − ⎟+1− + no ⎜ 1 − exp⎜ +
po ⎜
⎟+
kT ⎟ ⎟
(128)
⎝ ⎝ kT ⎠ kT
⎝ ⎝ kT ⎠
⎠ ⎠
2kTpo 2kTpo (2kT )2 qpo q
Le terme en peut s’écrire sous la forme =
εr εo εr εo q 2
2ε r ε o kT
qpo q
Le deuxième terme de cette égalité contient l’expression qui est homogène à
2ε r ε o kT
l’inverse d’une longueur au carré. Nous noterons :
LD = 2ε r ε o kT (129)
qpo q
appelée longueur de Debye. Notons que cette longueur a exactement la même forme que celle d’une
extension de zone de charge d’espace pour laquelle le potentiel serait le potentiel
thermodynamique.
Remarque : dans certains ouvrages, la longueur de Debye est définie sans le nombre 2. La différence est dans le rapport
racine de 2 et perd en partie son analogie. Nous verrons l’aspect intéressant de notre choix un peu plus loin.
Des expressions (88) et (89) nous pouvons exprimer le champ électrique à l’interface oxyde-
semiconducteur, en valeur absolue :
1
⎛ ⎛ qψ ⎞ qψ s ⎛ ⎛ qψ s ⎞ qψ s ⎞⎟ ⎞⎟
2
Cette expression du champ électrique en surface (relation 91) est très importante car elle va
permettre d’évaluer la valeur de la charge en surface en appliquant le théorème de Gauss et en
déduire dans la suite la capacité équivalente vue depuis la grille de la structure MOS.
A partir du théorème de Gauss nous pouvons exprimer la charge par unité de surface :
Qs = − ε r ε oξ s ⇒ Qs = ± 2ε r ε o kT F(ψ s , no )
qLD po
Nous allons analyser dans la suite en fonction des différents régimes imposés par la tension de
grille l’expression de cette charge.
Remarque : dans la fonction F, le rapport no/po est une valeur très faible qui correspond au rapport des concentrations
des porteurs minoritaires à celui des majoritaires. Si NA = 1016cm-3, po = 1016cm-3 et no = ni2/NA~ 104 cm-3, no/po ~ 10-14.
qψ s
Le terme exponentiel en facteur dans F, deviendra du même ordre de grandeur quand − sera égal à 1014, c’est-à-
kT
dire en pratique pour ψ s = 2ϕ p . Autrement dit no = ni2 = exp⎛⎜ − 2qϕ p ⎞⎟
po N A2 ⎝ kT ⎠
a) Régime d’accumulation
⎛ qψ s ⎞
Dans l’expression de Qs, ψs > 0, Qs > 0, seul le terme en exp⎜ − ⎟ subsiste dans F. Ainsi :
⎝ kT ⎠
⎛ qψ s ⎞
Qs = + 2ε r ε o kT exp⎜ − ⎟ (133)
qLD ⎝ 2kT ⎠
En appelant ps la concentration en surface, c’est-à-dire à l’interface oxyde-semiconducteur,
⎛ qψ s ⎞
ps = po exp⎜ − ⎟ l’expression de la charge devient en remplaçant LD par son expression :
⎝ kT ⎠
Qs = + 2qε r ε o kT ps (134)
q
Cette forme est intéressante car elle met en évidence l’importance de la concentration en surface
dans l’expression de la charge qui traduit aussi une loi exponentielle en fonction du potentiel de
surface.
⎛ qψ s ⎞
Qs = − 2ε r ε o qpo ⎜⎜ − 1⎟⎟ (136)
kT
⎝ ⎠
⎛ qψ s ⎞
Qs = − 2ε r ε o qpo ⎜⎜ − 1⎟⎟ (137)
kT
⎝ ⎠
⎛ qψ s ⎞ no
Qs = − 2ε r ε o kT exp⎜ ⎟ (138)
qLD ⎝ 2kT ⎠ po
⎛ qψ s ⎞
Sachant que ns = no exp⎜ ⎟,
⎝ kT ⎠
Qs = + 2qε r ε o kT ns (139)
q
L’aspect intéressant de cette dernière expression est que nous retrouvons exactement le même
type d’expression que dans la cas de l’accumulation (formule 94) mais en changeant le type de
porteurs de charge ; dans notre exemple d’une structure sur substrat p, nous changeons ps en ns. Il
est clair que la structure a été inversée par rapport à la situation de départ.
e) Variations de Qs en fonction de ψs
La figure 84 montre la variation de la charge en fonction du potentiel de surface. Il faut se
rappeler que celui-ci dépend directement de la polarisation appliquée sur la grille. Cette charge
augmente très fortement en valeur absolue dans les régimes d’accumulation et de forte inversion
et varie très peu entre. Puisque cette charge compense l’effet de la tension appliquée sur la
grille, cela aura pour conséquence que dans les régimes extrêmes, la tension appliquée sur la
grille pourra être relativement importante.
Qs
8°) Variation de ψs en fonction de la
exp(-qΨs/2kT)
polarisation de grille
La tension appliquée sur la grille par
EFs=Ei
rapport au substrat est la somme de la chute désertion inversion
de potentiel dans l’oxyde, Vo, et de la chute de 0 ϕp 2qϕp Ψs
accumulation
potentiel dans le semiconducteur ψs.
VG = Vo + ψs -exp(qΨs/2kT)
forte inversion
La chute de potentiel dans l’oxyde
considéré parfait correspond à la circulation Figure 112 : Variation de la charge en fonction du
potentiel à l’interface oxyde semiconducteur dans le cas
du champ électrique, c’est-à-dire : d’un substrat de type p. En régime d’accumulation ou
|Vo| = |d.ξox| de forte inversion la variation est très rapide.
A l’interface oxyde-semiconducteur, le Ψs
vecteur déplacement électrique est continu. 2qϕp forte inversion
εox.ξox = εSi.ξs inversion
εSi ξ + ψs ϕp
VG = Vo + ψs VG = d désertion
ε ox S
ξ s = A 2ε r ε o ψ s =
qN 2qN A
ψs
ε r ε o qN A εr εo
εSi 2qN Aψ + ψs
VG = d
ε ox ε r ε o
s
Vth = d
εSi 2qN A 2ϕ + 2ϕ (140)
ε ox ε r ε o
p p
Dans la zone de canal quand celui-ci existe, nous supposons que le mécanisme de conduction
prépondérant est de type dérive dans le champ électrique transverse, ξy. L’expression du courant
inclue donc le champ électrique, la mobilité des porteurs, la charge du canal par unité de surface, et
la largeur du canal, Z (non visible sur la coupe de la figure 115). La longueur du canal est L.
dψ
I D = − Z µn QI ζ y et ζ y = −
dy
I D = Z µn Co VG − Vth − ψ(y)( dψ
dy
)
En intégrant cette équation tout le long du canal entre 0 et L, le potentiel variant de 0 à VD,
∫ (V )
L VD
∫I
0
D dy = Z µn Co
0
G − Vth − ψ dψ
⎢⎣
(
I D L = Z µn Co ⎡ VG − Vth VD − VD ⎤
2
2 ⎥⎦
)
L ⎣⎢
(
I D = Z µn Co ⎡ VG − Vth VD − VD ⎤
2
2 ⎥⎦
) (144)
L’expression du courant trouvée ici est très simplifiée mais donne un bon aperçu de l’équation
de la caractéristique du transistor. Sans les approximations, la résolution est beaucoup plus
compliquées.
Dans le calcul ci-dessus, nous avons supposé que le canal existe sur toute la longueur L en
régime limite. Lorsque VDS = VGS – Vth, le point de pincement du canal apparaît au niveau du drain.
Cette situation correspond au début de la saturation du courant ; le courant de saturation sera noté
IDsat.
VDsat = VG – Vth
⎡ ⎤
( )
2
−
( )
⎢ 2 VG Vth ⎥
I Dsat = Z µn Co ⎢ VG − Vth − ⎥
L 2
⎢ ⎥
⎣ ⎦
(V )
2
G − Vth
I Dsat = Z µn Co (145)
L 2
Ainsi, nous déterminons le courant de saturation qui ne dépend que de la différence entre la
tension de grille et la tension de seuil.
Il faut cependant remarquer que pour la tension de grille très légèrement inférieure ou égale à la
tension de seuil, le courant n’est pas nul. Pour connaître le comportement électrique au-dessous du
seuil, il faut reprendre les équations qui déterminent la quantité effective des porteurs (dans notre
cas les électrons) dont la concentration est inférieure à la concentration de dopant mais est loin
d’être nulle (1017cm-3 par exemple). Dans ces conditions, nous déterminons la caractéristique de
transfert sous le seuil, le courant pouvant varier sur une bonne dizaine de décades pour atteindre la
valeur du courant inverse d’une des deux jonctions drain-canal ou source-canal.
10-6 « pente » S
en V/décade
10-8
10-10
10-12
10-14
-2 -1 0 1 2 3
VGS(V)
Figure 116 : Caractéristique de transfert typique d’un transistor NMOS intégré. Le courant
drain-source varie sur une dizaine de décade pour une variation de l’ordre du volt pour la
tension de grille.
De plus en surface, certaines espèces peuvent réagir avec l’autre phase. Dans le cas de l’air, des
réactions d’oxydation, d’adsorption d’atomes (carbone, etc.) ou de molécules (eau, composés
organiques, etc.) sont possibles.
CHAPITRE IX
Nous allons étudier dans ce chapitre le transistor à effet de champ à jonction : Junction Field
Effect Transistor (JFET). Cette structure est de la même famille que le transistor MOS à savoir que
le courant est piloté par une polarisation sur une électrode qui sera aussi dans ce cas la grille du
dispositif. Le principe est alors la modulation de l’épaisseur d’une zone conductrice constituée par
un matériau semiconducteur qui peut être désertée par l’extension d’une zone de charge d’espace
pilotée par l’application d’une tension. Cette zone de charge d’espace existe par la présence d’une
jonction pn. Cette jonction sera polarisée en inverse pour jouer sur l’extension de la zone de charge
d’espace.
I Constitution
La partie conductrice du transistor est constituée d’un barreau semiconducteur de type n ou p. Si
cette zone est de type n, nous dirons que le transistor est à canal n, si elle est de type p, à canal p. La
figure 89 donne l’exemple d’un transistor à canal n. La zone conductrice, le canal, est limitée du
coté supérieur par la zone de charge d’espace de la jonction grille/canal et du coté substrat par une
jonction. Le canal est donc confiné entre deux zones de type opposé. En technologie silicium, pour
laquelle il est très difficile d’obtenir un substrat isolant, il faudra s’assurer que cette jonction
inférieure reste polarisée négativement afin de minimiser tout courant de fuite par le substrat.
De façon analogue au transistor MOS, S G D
nous définissons les trois électrodes par
source (S), grille (G) et drain (D). Nous
justifierons plus loin l’origine de ces P+
+ N+
N
dénominations. Pour minimiser les effets de Z.C.E.
N
résistance en série avec les électrodes les canal
Z.C.E.
extrémités du canal sont en général très
dopées. Il faudra donc réaliser substrat P
technologiquement cet assemblage de Figure 117 : Coupe schématique d’un transistor à effet
couches dans des dimensions suffisamment de champ à jonction à canal N. La jonction grille-canal
est très dissymétrique pour permettre de commander
faibles pour permettre un bon pilotage de la l’extension de la zone de charge d’espace (Z.C.E.) dans
conduction. La grille commande par effet de la zone de canal, et donc de moduler la section de
conduction. Sous les contacts de source et de drain, le
champ (électrostatique) la largeur du canal et semiconducteur est très dopé afin de minimiser la
donc la section de conduction de ce canal. Il résistance de ces zones. Le substrat de type P dans ce
cas est moins dopé que la zone de canal pour que la
est alors clair que la résistance équivalente Z.C.E. s’étende essentiellement du coté du substrat. Ce
substrat peut être épitaxié (P+/P-)
entre la source et le drain va être modulée par
la polarisation de grille.
Le substrat de type P dans ce cas est moins dopé que la zone de canal pour que la Z.C.E.
s’étende essentiellement du coté du substrat. L’effet de la polarisation de drain, qui intervient
comme une polarisation inverse de la jonction drain substrat, est alors minimisé dans la région du
canal. En pratique, le substrat est constitué de deux zones, la première relativement bien dopée et la
deuxième, en surface, peu dopée par la technique de croissance épitaxiale (cf. cours de technologie
microélectronique intégrée).
II Symboles
Pour le tracé des circuits électroniques impliquant des JFET, les conventions adoptées sont les
suivantes. La flèche apparaissant sur la connexion de grille est orientée dans le sens passant de la
jonction pn ; vers le canal (depuis la grille) pour un canal n, depuis le canal (vers la grille) pour un
canal p.
Canal n Canal
D D
G G
S S
La pente diminue jusqu’à la disparition du canal du coté du drain. La structure atteint le régime
de pincement du canal. Cette situation se produit lorsque la différence de potentiel totale entre le
drain et la grille atteint la valeur de la tension de cut-off, notée Vp.. A partir de cette limite, il faut
analyser comment est assurée la conduction du transistor .
h=
q ND
(
2ε r ε o V − V
D GS ) (147)
G = qN D µ n
a Z ⎛⎜
L ⎜
1 − 2ε rε o V − V
q a2N D
D GS ( )⎞⎟⎟ (148)
⎝ ⎠
Il est clair qu’à partir de cette expression, la conductance décroît quand VGS est de plus en plus
négative, jusqu’à atteindre une valeur nulle lorsque le terme sous la racine est égal à 1. Cette
situation correspond à VGS = Vp. En effet, si h = a,
q N D a2 N AND
Vp = VD − avec VD = kT ln (149)
2ε r ε o q ni2
NA est dans cette expression le dopage de la zone P de grille.
La relation (147) indique que la conductance est indépendante de la tension drain-source, et
l’application de la relation linéaire d’Ohm entre IDS et VDS permet d’écrire tout simplement :
⎛ ⎞
I DS = G VDS = qN D µn
aZ
L
⎜1 −
⎜ q a2 N D
D GS(
2ε r ε o V − V ⎟ V
⎟ DS
)
⎝ ⎠
En utilisant la relation (109), nous simplifions la notation de cette équation :
aZ
⎛
⎜ (V ⎞
− VGS ⎟ )
I DS = G VDS = qN D µn ⎜1 −
(V )
D
⎟ VDS (150)
D − Vp
L ⎜ ⎟
⎝ ⎠
Nous avons ainsi pu rendre compte de la région linéaire correspondant aux courbes de la figure
91, le transistor se comportant comme une résistance ajustable. Cette propriété est exploitée dans
les circuits pour réaliser des résistances qui occupent une surface beaucoup plus faible qu’avec une
couche simplement dopée sur laquelle des contacts sont réalisés.
Le courant de grille, peut être considéré comme nul dans le circuit puisqu’il correspond au
courant inverse de la jonction grille-canal.
h(x ) =
q ND
(
2ε r ε o V − V + V ( x )
D GS G )
qui peut aussi s’écrire :
h(x ) = a
(V D )
− VGS + VG (x )
(151)
VD − Vp
Remarque : Le canal est toujours pincé si h(L) = a, pour un Vp donné. Notons que si nous voulons conserver la valeur
de Vp, il faudra augmenter le dopage de la couche si l’épaisseur du canal diminue. Ceci sera rechercher dans les
structures fortement intégrées.
V =VDS
⎛ 3
⎞
I DS
⎜ ⎛
L = q a Z N D µn ⎜ V − ⎜ 2
⎜3 q ND
(
2ε r ε o V − V
D GS
⎞2 ⎟
+ VG (x ) ⎟
⎟
⎟
)
⎜ ⎝ ⎠ ⎟
⎝ ⎠V =0
Cette équation peut être transformée en faisant apparaître Vp et en remplaçant VG(x) par ses
limites :
⎛ ⎛
( ) ⎞⎟⎟ (V + V − V ) ⎞⎟⎟
3
⎜ ⎜⎜ VD − VGS 2 3
⎜
2
= q N D µn a Z ⎜VDS + 2 ⎝ ⎠ − 2 D DS GS
I DS ⎟
(V −V ) (V − V ) ⎟⎟
1 1 (152)
L ⎜ 3 2
3 2
p p
⎜
D D
⎝ ⎠
Cette expression, un peu lourde quoique très simplifiée quant aux hypothèses, indique
clairement la perte de linéarité dès que VDS n’est plus négligeable devant les autres tensions
appliquées. Nous retrouvons ainsi le comportement de la figure 93. Un développement limité
permet de revenir à l’expression (110).
⎛ 2 ⎞
( )
3
⎜
(V − V
) − V ⎟
1 p
D DSsat
I DS = q N D µn a Z ⎜VDSsat + 2 VD − Vp 2 − 2 ⎟
( )
1
L ⎜ 3 3 ⎟
VD − Vp 2
⎝ ⎠
En remplaçant VDSsat par son expression en fonction de VD et Vp, nous transformons cette
relation :
(
⎛
⎜1
)
VD − VGS ( ⎜ )
⎛ VD − VGS ⎞ 2 ⎞
⎟
3
⎟
I DS = q N D µn a
( )
Z VD − Vp ⎜ − + ⎜2
⎜ VD − Vp ⎟ ⎟⎟
⎟ (155)
L ⎜ 3 VD − Vp 3
⎝ ⎝ ⎠ ⎠
Cette dernière relation donne la valeur du courant de saturation correspondant aux conditions de
la figure 123. Pour des tensions de drain supérieures, cette équation peut être modifiée en tenant
compte du déplacement de la zone de pincement dans le canal. Par ce biais, il est possible de
déterminer l’admittance de sortie et l’effet Early.
Remarque : toute la théorie proposée est fondée sur la modulation de la zone de charge d’espace d’une jonction PN. En
pratique, il est aussi possible de réaliser une jonction à partir d’un contact métal sur un semi-conducteur. Si la tension de
diffusion (built-in potential en anglais) est en général plus faible, et le courant inverse plus élevé, le principe reste
strictement identique. Cela correspond aux transistors dits MESFET, MEtal Semiconductor Field Effect Transistor,
utilisés en électronique rapide, notamment à base de GaAs en raison de l’absence de charges stockées de porteurs
minoritaires comme dans le cas des transistors bipolaires.
CHAPITRE X
LA DIODE METAL-SEMICONDUCTEUR
DIODE SCHOTTKY
Nous allons étudier dans ce chapitre le contact métal-semiconducteur qui est très utilisé dans
tous les dispositifs microélectroniques. Suivant la nature du métal et du semiconducteur, ce contact
peut aboutir soit à un contact dit ohmique, autrement dit dont la résistance est négligeable par
rapport à celles des couches mises en jeu, soit à un contact redresseur. C’est la maîtrise de ces deux
aspects principaux, mettant en jeu des phénomènes physiques très différents qui va conduire notre
approche.
I Constitution
La diode métal semiconducteur est constituée d’un contact établi entre un métal et un
semiconducteur, en général dopé. C’est le plus vieux dispositif électronique connu, datant de la fin
du 19ème siècle, les premiers redresseurs solides et les premiers postes à galène étant par exemple
basés sur cette structure. La première théorie de fonctionnement, proposée par Bethe, ne remonte
cependant qu’à 1938.
La structure de base est un contact direct
N- N+
entre un métal et un semiconducteur, peu
métal
dopé, tel que représenté figure 97. semiconducteur
Le contact électrique du semiconducteur est aussi réalisé avec un métal. Dans ce cas, il faut un
contact ohmique. La présence des deux types de contacts sur la même structure fait apparaître la
différence de comportement, a priori. Nous allons en premier lieu ne nous intéresser qu’à la
structure simple entre un métal et un semiconducteur, moyennement dopé.
135
Chapitre 6 : La diode métal-semiconducteur : la diode Schottky
EC EC
EF EF
EV EV
Figure 98 : Diagramme d’énergie d’un métal et d’un semiconducteur de type n faiblement dopé avant contact et après
contact. Après contact, si les niveaux du vide sont décalé, une courbure de bande apparaît.
Le contact est ensuite réalisé comme présenté figure 98. Le principe qui en régit l’établissement
physique est l’alignement des niveaux de Fermi du métal et du semiconducteur, puisque la structure
est à l’équilibre thermodynamique.
Loin du contact, aussi appelé jonction, du coté semiconducteur, les niveaux des bandes de
valence, de conduction et du vide, Ev, Ec et Evide conservent leur position respective par rapport à
EF. Le métal, restant une équipotentielle, approximation toujours valable si les densités de courant
circulant dans la diode ne sont pas trop élevées, le niveau d’énergie du vide est continu au contact.
Mais si les niveaux de départ du métal et du semiconducteur sont différents, c’est-à-dire, si les
travaux de sortie respectifs, Φm et Φs, sont différents, ce qui est le cas en général, une courbure de
bande apparaît essentiellement dans le semiconducteur, prés de la zone de contact.
Remarque : La continuité du niveau du vide admet l’hypothèse qu’il n’existe aucune charge à l’interface, qui pourraient
être due à des pièges. Les charges surfaciques pourraient créer une discontinuité du potentiel.
Deux situations peuvent alors se rencontrer en fonction de la différence des travaux de sortie,
comme analysé ci-dessous.
136
Chapitre 6 : La diode métal-semiconducteur : la diode Schottky
électronique dans le métal, l’extension de la zone de charge d’espace coté métal s’effectue sur une
fraction de monocouche atomique.
E
métal semiconducteur
vide
vide
qΦm qΦs
EC
qΦb
EF
EV
Figure 99 : Diagramme des bandes d’énergie dans le cas d’une diode Schottky. Le travail de
sorite du métal est supérieur à celui du semiconducteur. Une hauteur de barrière, qFb, se
crée au contact métal-semiconducteur.
EF
EV
Figure 100 : Diagramme des bandes d’énergie dans le cas où le travail de sorite du métal est
supérieur à celui du semiconducteur. Une hauteur de barrière, qFb, se crée au contact métal-
semiconducteur.
137
Chapitre 6 : La diode métal-semiconducteur : la diode Schottky
la conduction est limitée par le volume du semiconducteur et non pas par le contact. Nous
n’étudierons pas en détail ce cas dans la suite puisque le contact ne limite pas la conduction.
vide
V
qΦB qVbio
EC
EF
EV
Figure 101 : Diagramme des bandes d’énergie faisant apparaître la tension de diffusion Vbio.
Cette différence de potentiel correspond à la hauteur de barrière vue par les électrons de la
bande de conduction pour passer dans le métal. La hauteur de barrière effective est qΦB.
Remarque : Cette hypothèse est bien évidemment fausse en limite de zone lorsque la concentration des porteurs libres
avoisine celle des ions dopants. Dans ce cas il faut intégrer complètement l’équation et nous retrouvons la formule (92)
de Kingston Neustader (cf. chap 8)
ξ(x) = +
qN A
ε rε o
(x−W ) (117)
138
Chapitre 6 : La diode métal-semiconducteur : la diode Schottky
qN D ⎡ x2 ⎤
V(x) = . − + cte
ε rε o ⎢⎣ 2 ⎥⎦
W x
2
qN D W 2ε rε o Vbio
Vbio = W =
ε rε o 2 qN D
En ne négligeant plus la concentration des porteurs libres dans la zone de charge d’espace,
l’application de la fonction Kingston-Neustader (92) permet d’ajouter le terme correctif et d’arriver
à:
W = 2ε rε o ⎛ Vbio − kT ⎞ (118)
qN D ⎜⎝ q ⎟⎠
Remarque : Ce terme correctif peut prendre de l’importance lorsque la hauteur de barrière Vbio est relativement faible,
c’est à dire inférieure à 0,3V à 300K.
La valeur de cette extension de zone de charge d’espace est du même ordre de grandeur que
dans le cas d’une jonction pn puisque les tensions de diffusion restent en général autour de quelques
dixièmes de volts : elle dépend aussi très fortement du dopage. Elle s’étend ainsi entre quelques
dizaine de nanomètres et quelques microns
Dans le cas d’une polarisation de la structure, en appliquant une tension V sur le métal par
rapport au semiconducteur, nous supposons que tout le raisonnement précédent reste valable,
notamment que la concentration équivalente de porteurs traversant la structure reste faible par
rapport à la concentration d’atomes dopants ionisés. Si la tension appliquée, V, est positive, cela
revient à diminuer le champ interne et donc à diminuer la différence de potentiel totale. La formule
(118) devient simplement :
W = 2ε rε o ⎛ Vbio − V − kT ⎞
⎜ (119)
qN D ⎝ q ⎟⎠
Ainsi, de façon analogue à la jonction pn, l’extension de la zone de charge d’espace diminue si
une tension négative est appliquée sur la zone n.
Qsc = qN DW = qN D 2ε rε o ⎛ Vbio − kT ⎞
⎜ q ⎟⎠
qN D ⎝
139
Chapitre 6 : La diode métal-semiconducteur : la diode Schottky
qN Dε r ε o
CSC = = ε r εo (121)
⎛
2⎜ Vbio − V ⎟ ⎞ W
⎝ ⎠
A partir de cette expression, nous pouvons extraire la variation de l’inverse du carré de la
capacité en fonction de la tension appliquée, V.
2⎛⎜ Vbio − V ⎞⎟
1 = ⎝ ⎠ (122)
CSC
2
qN Dε r ε o
Cette formule est importante car elle montre qu’en traçant l’inverse du carré de la capacité en
fonction de la tension, (qu’il est possible de faire varier), la variation de la pente de la courbe est
directement proportionnelle au dopage (Figure 102).
1/CSC2
pente –2/qNDεrεo
Vbio V
Figure 102 : Variation du carré de l’inverse de la capacité en fonction de la tension. La
pente de la courbe permet de déterminer la valeur de la concentration de dopant et la
hauteur de barrière à l’équilibre thermodynamique.
Dans le cas d’une concentration variable de dopage, ce qui est très souvent le cas, il est possible
de tracer l’inverse de la variation de cette pente.
−2 1
ND = (123)
qε r ε o d⎛⎜1/C 2 ⎞⎟/ dV
⎝ SC ⎠
Cette technique est appliquée pour la détermination ou la vérification des profils de dopage en
cours de fabrication des composants et circuits. La réalisation d’un simple contact sur des cellules
de test incluses dans les plaquettes permet cette vérification.
140
Chapitre 6 : La diode métal-semiconducteur : la diode Schottky
métal
force attractive coulombienne (figure 103). x
0 F e-
q2 1 =− 1 q2
F =−
4πε o (2x )2
16πε o 2
x
q2 q2
∫
x
− E(x) = Fdx = + 1 E(x ) = − 1
∞ 16πε o x2 16πε o x
Cette énergie correspond à l’énergie potentielle de l’électron, référencé à l’infini. Sous l’action
d’un champ électrique appliqué, ξ(x), l’énergie potentielle totale est :
q2 E
∫
x
E p( x ) = − 1 + q ξ (x)dx 0 xm x
16πε o x 0
type -1/x
En considérant, pour simplifier le calcul,
le champ appliqué constant, et orienté suivant ∆E pente –qxξ
les x négatifs, l’énergie potentielle devient :
q2
E p( x ) = − 1 + qξ x
16πεo x
Ep(x)
Cette énergie est la somme de deux
termes. Il est ainsi possible de représenter sa
variation en fonction de x (figure 104).
Figure 104 : Variation de l’énergie potentielle de
l’électron devant un plan métallique et en présence d’un
champ électrique interne (ou appliqué) constant.
Par rapport à la hauteur de barrière d’énergie maximale, la présence d’un électron devant le plan
entraîne un abaissement de barrière ∆E. Cet abaissement de barrière peut être calculé simplement
dans les conditions simplificatrices présentées. A partir de la détermination de la position du
maximum de Ep(x), il est possible de déduire sa valeur et donc ∆E.
q2
E p(x ) = − 1 + qξ x
16πε o x
dE p(x ) en x = xm
q2 1 − qξ x = 0 q
=0 xm =
dx 16πε o x2 16πε oξ
qξm
∆E = 2ξ(xm).xm = (124)
4πεo
141
Chapitre 6 : La diode métal-semiconducteur : la diode Schottky
Cet abaissement de barrière va bien évidemment se retrouver lorsque l’électron est localisé dans
le semiconducteur devant le métal.
142
Chapitre 6 : La diode métal-semiconducteur : la diode Schottky
Nous pouvons distinguer 4 processus de transport à travers la jonction. Nous les présentons
dans le cas d’un semiconducteur de type n, c’est à dire que nous allons analyser principalement le
transfert des électrons qui sont les porteurs majoritaires depuis la zone de type n vers le métal.
142
Chapitre 6 : La diode métal-semiconducteur : la diode Schottky
143
Chapitre 6 : La diode métal-semiconducteur : la diode Schottky
De tous ces quatre processus, celui auquel nous allons le plus nous intéresser est le premier,
puisqu’il sera dominant en régime de conduction direct lorsque l’effet tunnel est négligeable.
De façon pratique, la théorie thermoïonique s’applique plus aux cas où les électrons ont une
forte mobilité dans le semiconducteur, la théorie de la diffusion aux cas où les électrons ont une
144
Chapitre 6 : La diode métal-semiconducteur : la diode Schottky
faible mobilité dans le semiconducteur (goulot d’étranglement !). Dans le cas le plus général, nous
pourrons appliquer une combinaison des deux, appelée théorie mixte.
⎛ qΦ B ⎞
⎟⎟ exp⎛⎜
qV ⎞
qui s’écrit aussi : J SC →m = A* T 2 exp⎜⎜ − ⎟ (126)
⎝ kT ⎠ ⎝ kT ⎠
La constante A* correspond à la constante de Richardson, déjà vue dans le cas d’une émission
par une cathode chauffée (cas d’un tube électronique).
Ce calcul peut être mené différemment, si nous acceptons d’emblée, la statistique de Boltzmann
en exprimant directement la densité de courant en fonction des porteurs d’énergie supérieure ou
égale au sommet de la barrière.
Considérons l’équilibre thermodynamique. La concentration s’exprime à partir de la statistique
de Boltzmann en se référençant au bas de la bande de conduction et en considérant que la densité
d’états électroniques dans la bande de conduction est NC. Dans la zone quasi neutre, no = ND,
expression qui permet de déterminer la position du niveau de Fermi.
145
Chapitre 6 : La diode métal-semiconducteur : la diode Schottky
⎛ E − E ⎞ E
⎜ C F ⎟ métal semiconducteur
no = N D = NC exp⎜ −
⎜ kT ⎟⎟
⎝ ⎠
Concentration
Dans la zone de charge d’espace, avec une vth
courbure vers le haut, la concentration nso
qΦB qVbio
diminue en fonction de la variation du EC
ND
potentiel énergétique : EF EF
Cette concentration peut être reliée à la
concentration en électrons sans polarisation, à EV
l’équilibre thermodynamique, au même point,
nso. A l’équilibre thermodynamique, la
Figure 111 : Concentrations des électrons en fonction
hauteur de barrière est qΦB, éventuellement du niveau énergétique à l’équilibre thermodynamique.
corrigée de q∆ΦB, pour les électrons situés au A l’interface, la concentration est nso qui correspond à
un écart énergétique de qΦB.
niveau de Fermi (cf figure 111).
⎛ qΦ B ⎞ métal semiconducteur
nso = NC exp⎜⎜ − ⎟⎟ E
⎝ kT ⎠ vth
qV nso
La concentration au même point de la ns
qΦB EC
structure, ns, sous la polarisation « directe » ND
de potentiel, V, qui aura donc tendance à qV EF
abaisser la barrière (figure 112), va suivre EF
aussi la loi de Boltzmann et s’écrire : EV
ns = nso exp⎛⎜
qV ⎞
⎟
⎝ kT ⎠
Figure 111 : Concentrations des électrons en fonction
du niveau énergétique sous polarisation directe. La
barrière s’est abaissée de qV.
La densité de courant injectée par le semiconducteur vers le métal peut s’exprimer par :
J SC →m = q ns vth
avec vth, la vitesse thermique suivant la direction x, ns la concentration en électrons en surface, du
coté du semiconducteur, c’est à dire au sommet de la courbure de bande en limite de zone de charge
d’espace, sous polarisation. Cette concentration est celle qui correspond aux porteurs dont l’énergie
est au moins égale à celle du sommet de la barrière et donc la composante de vitesse vx orientée
vers le métal permet le transfert.
⎛ qΦ B ⎞
⎟⎟ exp⎛⎜
qV ⎞
J SC →m = q vth NC exp⎜⎜ − ⎟ (127)
⎝ kT ⎠ ⎝ kT ⎠
Notons qu’en remplaçant vth et NC par leurs expressions, nous retrouvons l’expression de la
formule (126).
A l’équilibre thermodynamique, le courant total est nul, c’est à dire que le flux d’électrons
injecté par le semiconducteur vers le métal doit être égal au flux inverse. Cela donne pour les
densités de courant :
146
Chapitre 6 : La diode métal-semiconducteur : la diode Schottky
J SC →m + J m→SC = 0
Nous avons donc la valeur de la densité de courant injectée par le métal à partir de la formule
(127) en prenant V=0. Cette valeur va rester la même sous polarisation compte tenu des hypothèses
initiales. Ainsi, nous pouvons exprimer le courant total de la diode par :
⎛ qΦ B ⎞ ⎛⎜ ⎛ qV ⎞ ⎞
J = q vth NC exp⎜⎜ − ⎟⎟ exp⎜ ⎟ − 1⎟ (128)
⎝ kT ⎠ ⎜⎝ ⎝ kT ⎠ ⎟
⎠
⎛ qΦ B ⎞ ⎛⎜ ⎛ qV ⎞ ⎞
⎟
J = A* T 2 exp⎜⎜ − ⎟⎟ exp⎜ ⎟ − 1 (129)
⎝ kT ⎠ ⎜ ⎝ kT ⎠ ⎟
⎝ ⎠
Dans cette expression, il est clair que plus la hauteur de barrière sera importante, plus le courant
inverse (ou de saturation) sera faible, plus le courant direct sera faible pour une même polarisation.
Notons que A* = 120A/cm2 à 300K si nous considérons m* = me (masse de l’électron au repos).
147
Chapitre 6 : La diode métal-semiconducteur : la diode Schottky
discontinuité à l’interface comme représenté figure 112. Nous pouvons prendre une vitesse de
collection équivalente, vc, et la densité de courant s’exprime par :
J = q ⎛⎜ ns − no ⎞⎟ vc
⎝ ⎠
La vitesse de collection est inférieure à la vitesse thermique. Les phénomènes intervenants dans
cette limitation sont la mobilité dans la Z.C.E. mais aussi la réflexion quantique, la présence
d’oxyde natif d’interface, etc….).
métal semiconducteur
E
thermoionique EC
EF
qV
diffusion
EF
EV
Figure 112 : Variation du niveau de Fermi dans la cas d’une conduction mixte ; variation
dans la zone de charge d’espace et discontinuité à l’interface.
Remarque : nous n’aborderons pas dans le cadre de ce cours les problèmes liés aux états d’interface. Il est clair que leur
présence peut affecter fortement les phénomènes de conduction comme il l’a été mentionné pour les transistors MOS.
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