SAVIGNON Edouard-2007

THESE
présentée
A L’UNIVERSITE D’ORLEANS
pour obtenir le grade de
DOCTEUR DE L’UNIVERSITE D’ORLEANS
Discipline : PHYSIQUE DES PLASMAS
par
tel-00458689, version 1 - 22 Feb 2010
SAVIGNON Edouard
Modélisation et étude d’une décharge filamentaire

à basse intensité et haute-pression dans l’argon
Soutenue le : Vendredi 25 mai 2007
MEMBRES DU JURY :
- Prof. Bernard HELD, Université de Pau (France) Rapporteur,
- Prof. Bartholomej POKRZYWKA, ENS Cracovie (Pologne) Rapporteur,
- Prof. Charles DE IZARRA, Université d’Orléans (France)
- Prof. Olivier VALLEE, Université d’Orléans (France)
- Dr. Hab. Michel PENNANEAC’H, Université d’Orléans (France) Directeur de thèse

- Dr. Hab. Stéphane PELLERIN, Université d’Orléans (France) co-Directeur de thèse
1
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2
Remerciements
Le travail présenté dans cette thèse a été effectué au LASEP (Laboratoire

d’Analyse Spectroscopique et Energétique des Plasmas) de la Faculté des
Sciences d’Orléans (Antenne de Bourges).
Les sentiments n’étant pas des grandeurs mesurables, on ne peut les exprimer
que par des mots dont le choix devrait dépendre de l’intensité desdits
sentiments. Or je suis incapable de trouver des mots qui puissent rendre
compte de la profondeur et de la sincérité de ma gratitude.
C’est pourquoi, je me limite à écrire ici simplement et sincèrement ce qui suit :
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Je remercie messieurs les professeurs O.VALLEE et C. DE IZARRA de m’avoir

permis de travailler dans leur laboratoire.
Je remercie également monsieur M.PENNANEAC’H d’avoir assuré la direction de
cette thèse ainsi que messieurs J.CHAPELLE et S.PELLERIN pour l’aide et les
conseils qu’ils n’ont cessé de me prodiguer. Sans leur encadrement et leur
patience, je n’aurais certainement jamais été en mesure de mener à bien ce
travail.
J’exprime également toute ma gratitude à messieurs les membres du jury qui
ont bien voulu consacrer une partie de leur temps à l’examen et à la critique de
cette thèse.
Enfin j’associe à mes remerciements tous les étudiants que j’ai fréquentés
depuis que je suis retourné, pour le plaisir et après avoir fait valoir mes droits
à la retraite, dans les amphithéâtres de la faculté des sciences. Leur
disponibilité, leur cordial accueil et, souvent, leur aide m’ont à tout instant
permis de croire que l’on peut rester jeune aussi longtemps que les ailes de
l’espérance sont encore capables de supporter le poids de l’expérience.
3
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TABLE DES MATIERES
REMERCIEMENTS .....................................................................................................................................................3
TABLE DES MATIERES.............................................................................................................................................5
LISTE DES FIGURES ..................................................................................................................................................9
LISTE DES TABLES ....................................................................................................................................................10
CHAPITRE PREMIER. INTRODUCTION..........................................................................11
I. Introduction ........................................................................................................................................................... 12
II. Bibliographie ......................................................................................................................................................... 14
CHAPITRE DEUXIEME. TRAVAUX ET RESULTATS EXPERIMENTAUX RELATIFS

AUX DECHARGES FILAMENTAIRES A FAIBLE INTENSITE ET HAUTE PRESSION
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DANS L’ARGON............................................................................................................15
I. Introduction ........................................................................................................................................................... 16
II. Dispositif expérimental [1].................................................................................................................................... 16
III. Principaux résultats expérimentaux .................................................................................................................... 16

III.1. Aspect de la décharge, diamètre et densité de courant [2]............................................................................. 16
III.2. Détermination du champ électrique [1] ......................................................................................................... 18
III.3. Température du gaz [2].................................................................................................................................. 19
III.4. Vitesse de déplacement des perles [1] .......................................................................................................... 19
IV. Références bibliographiques ................................................................................................................................ 20
CHAPITRE TROISIEME. STRUCTURE ELECTRONIQUE DE L’ATOME D’ARGON

NEUTRE (AR I) – NIVEAUX EFFECTIFS PROBABILITES DE TRANSITION .............21
I. Niveaux d’énergie de Ar I..................................................................................................................................... 22
II. Niveaux d’énergie effectifs.................................................................................................................................... 23
III. Probabilités de transition associées aux niveaux effectifs .................................................................................. 24
CHAPITRE QUATRIEME. PROCESSUS COLLISIONNELS ET RADIATIFS MIS EN JEU

.......................................................................................................................................27
I. Processus collisionnels .......................................................................................................................................... 28

I.1. Ionisation par choc électronique des différents niveaux d’énergie de l’Argon neutre................................... 28
I.2. Recombinaison à trois corps, le troisième corps étant un électron ................................................................ 29
I.3. Formation des ions moléculaires A2+ ............................................................................................................. 31
I.4. Recombinaison dissociative des ions A2+ ...................................................................................................... 32
I.5. Excitation par collisions électroniques .......................................................................................................... 33
I.5.a. Excitation entre deux niveaux i et j (i>j) .................................................................................................. 33
I.5.b. Excitation entre deux niveaux effectifs L et K .......................................................................................... 34
I.6. Désexcitation par collisions électroniques..................................................................................................... 35
5
I.6.a. Désexcitation entre deux niveaux i et j ..................................................................................................... 35
I.6.b. Désexcitation entre deux niveaux effectifs L et K..................................................................................... 35
II. Processus radiatifs................................................................................................................................................. 37

II.1. Emission spontanée de rayonnement ............................................................................................................. 37
II.2. Absorption de rayonnement........................................................................................................................... 37
II.2.a. Coefficient d’absorption spectral d’une raie ............................................................................................. 37
II.2.b. Profil Doppler – Epaisseur optique et facteur de fuite des raies de résonance.......................................... 38
II.2.c. Cas d’un profil lorentzien ......................................................................................................................... 39
i/ Epaisseur optique du centre du profil d’une raie....................................................................................... 40
ii/ Intensités et probabilités de transition des raies auto-absorbées. .............................................................. 41
iii/ Profil des raies auto-absorbées.................................................................................................................. 44
II.3. Recombinaison radiative ............................................................................................................................... 45
III. Conclusion.............................................................................................................................................................. 46
III.1. Recombinaison à trois corps et recombinaison radiative des ions A+ ............................................................ 46
III.2. Recombinaison dissociative des ions A2+ et recombinaison à trois corps des ions A+ .................................. 46
III.3. Recombinaison dissociative et dissociation des ions A2+ par le processus inverse du processus de formation
....................................................................................................................................................................... 47

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CHAPITRE CINQUIEME. MODELE COLLISIONNEL-RADIATIF DU FILAMENT DE

PLASMA ........................................................................................................................49
I. Introduction ........................................................................................................................................................... 50
II. Equations de conservation.................................................................................................................................... 51

II.1. Particules chargées ........................................................................................................................................ 51
II.1.a. Electrons ................................................................................................................................................... 51
II.1.b. Ions A+ ...................................................................................................................................................... 51
II.1.c. Ions moléculaires A2+................................................................................................................................ 51
II.1.d. Neutralité électrique.................................................................................................................................. 52
II.2. Atomes excités............................................................................................................................................... 52
II.2.a. Etablissement des équations de conservation ........................................................................................... 52
i/ Pour les niveaux effectifs inférieurs K = 2 et K = 3, ................................................................................. 52
ii/ Pour les niveaux effectifs K (4 ≤ K ≤ 9),................................................................................................... 53
iii/ Cas particulier du niveau K = 7 (niveau 2p2) ............................................................................................ 53
II.2.b. Niveau effectif N = 2 ................................................................................................................................ 53
II.2.c. Niveau effectif N = 3 ................................................................................................................................ 54
II.2.d. Niveau effectif N = 4 ................................................................................................................................ 54
II.2.e. Niveau effectif N = 5 ................................................................................................................................ 54
II.2.f. Niveau effectif N = 6 ................................................................................................................................ 54
II.2.g. Niveau effectif N = 7 ................................................................................................................................ 54
i/ On ne tient pas compte du peuplement du niveau N = 7 par la recombinaison dissociative. ................... 54
ii/ On tient compte du peuplement du niveau N = 7 par la recombinaison dissociative. .............................. 54
II.2.h. Niveau effectif N = 8 ................................................................................................................................ 54
II.2.i. Niveau effectif N = 9 ................................................................................................................................ 55
II.3. Energie des électrons ..................................................................................................................................... 55
r
II.3.a. Puissance gagnée par les électrons dans le champ électrique ∈ .............................................................. 55
II.3.b. Puissance transférée des électrons vers les atomes et les ions par collisions élastiques ........................... 55
II.3.c. Puissance perdue par les électrons au cours des collisions inélastiques d’excitation et d’ionisation des
atomes ....................................................................................................................................................... 56
i/ Puissance Pi perdue par unité de volume par les électrons au cours des collisions inélastiques
d’excitation et d’ionisation sans tenir compte du peuplement partiel des niveaux 2p2 (N = 7) à partir de la
recombinaison dissociative des ions A2+................................................................................................... 56
ii/ Puissance P’i perdue par unité de volume par les électrons au cours des collisions inélastiques
d’excitation et d’ionisation en tenant compte du peuplement partiel des niveaux 2p2 (N = 7) à partir de la
recombinaison dissociative des ions A2+................................................................................................... 57
II.3.d. Puissance perdue par les électrons au cours de la recombinaison dissociative des ions A2+..................... 58
6
III. Equation d’état ...................................................................................................................................................... 58
IV. Détermination des principales grandeurs caractéristiques du filament de plasma......................................... 59

IV.1. Détermination des températures des particules lourdes To et des électrons Te ............................................... 59
IV.1.a. On ne tient pas compte du peuplement partiel du niveau 2p2 (N = 7) par la recombinaison dissociative
des ions A2+ ............................................................................................................................................... 59
IV.1.b. Prise en compte du peuplement partiel du niveau 2p2 (N = 7) par la recombinaison dissociative des ions
A2+ ............................................................................................................................................................. 59
IV.2. Détermination de la densité électronique Ne .................................................................................................. 60
IV.3. Détermination de la densité des ions A+ et A2+ .............................................................................................. 61
IV.3.a. Ions A+ ...................................................................................................................................................... 61
IV.3.b. Ions A2+ ..................................................................................................................................................... 61
IV.4. Expression de la neutralité électrique ............................................................................................................ 61
IV.5. Récapitulation des équations et caractérisation du plasma ............................................................................ 62
IV.5.a. Les grandeurs connues à partir de l’expérimentation................................................................................ 62
IV.5.b. Les grandeurs inconnues au nombre de 14 ............................................................................................... 62
IV.5.c. Les équations au nombre de 14................................................................................................................. 62
i/ Huit équations indépendantes relatives aux niveaux K = 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 permettant le calcul des
rapports Dk=Nk/N1 ..................................................................................................................................... 62
ii/ Equation permettant le calcul du rapport To/Te = F(Te,To,Ne) ................................................................... 63
iii/ Equation relative à la densité électronique................................................................................................ 64
iv/ Equation d’état .......................................................................................................................................... 64
v/ Equation relative à la densité des ions A2+ ................................................................................................ 65
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vi/ Equation relative à la densité des ions A2+ ................................................................................................ 65

vii/ Equation exprimant la neutralité électrique .............................................................................................. 65
IV.5.d. Principe du calcul...................................................................................................................................... 65
V. Influence de la diffusion........................................................................................................................................ 65
V.1. Cas des ions atomiques A+............................................................................................................................. 66
V.1.a. Disparition des ions A+ par diffusion :...................................................................................................... 66
V.1.b. Disparition des ions A+ pour former les ions A2+: .................................................................................... 66
V.2. Disparition des ions moléculaires A2+ ........................................................................................................... 66
V.2.a. Disparition des ions moléculaires A2+ par diffusion ambipolaire ............................................................. 66
V.2.b. Disparition des ions A2+ par recombinaison dissociative.......................................................................... 66
V.3. Disparition des électrons................................................................................................................................ 67
V.3.a. Disparition des électrons par diffusion ambipolaire ................................................................................. 67
V.3.b. Disparition des électrons par recombinaison dissociative......................................................................... 67
VI. Références bibliographiques ................................................................................................................................ 68
CHAPITRE SIXIEME. CARACTERISATION DU PLASMA ..............................................69
I. Introduction ........................................................................................................................................................... 70
II. Probabilités de transition d’un plasma uniforme absorbant............................................................................. 70
III. Détermination des grandeurs caractéristiques du plasma................................................................................. 73

III.1. Equations utilisées ......................................................................................................................................... 73
III.1.a. Les huit équations relatives au calcul des rapports de la population des états excités k à celle du
fondamental. ............................................................................................................................................. 73
III.1.b. L’équation relative au calcul du rapport To/Te .......................................................................................... 74
III.1.c. Equation reliant la densité électronique Ne à la densité du courant J et au champ électrique ∈ ............... 74
III.1.d. Equation d’état permettant le calcul de la densité N1 des atomes dans l’état fondamental ....................... 74
III.1.e. Densité des ions ........................................................................................................................................ 74
III.1.f. Equation exprimant la neutralité électronique .......................................................................................... 75
III.2. Résolution des équations ............................................................................................................................... 75
III.2.a. Plasma optiquement épais......................................................................................................................... 75
III.2.b. Plasma optiquement mince ....................................................................................................................... 75
III.2.c. Plasma partiellement absorbant ................................................................................................................ 75
III.3. Résultats ........................................................................................................................................................ 76
III.3.a. Modèle prenant en compte l’ensembles des niveaux 4p et 4s................................................................... 76
i/ Caractérisation de la décharge et comparaison avec l’expérience ............................................................ 76
7
ii/ Répartition des niveaux d’énergie. Graphique de Boltzmann................................................................... 77
iii/ Caractérisation de la décharge pour diverses conditions de fonctionnement ............................................ 79
III.3.b. Utilisation de modèles plus simples.......................................................................................................... 83
i/ Modèle à trois niveaux (niveau fondamental et niveaux 4s)..................................................................... 83
ii/ Modèle à un niveau d’énergie................................................................................................................... 84
IV. Caractéristique Ne = f(Te) à To = cte ...................................................................................................................... 85

IV.1. Equations utilisées ......................................................................................................................................... 85
IV.1.a. Neutralité électrique.................................................................................................................................. 85
IV.1.b. Equation d’état .......................................................................................................................................... 85
IV.1.c. Expression de N1 et Ne en fonction de Te et To ....................................................................................... 85
IV.2. Tracé de la caractéristique Ne = f(Te) à To = Cte ............................................................................................ 86
V. Conclusion .............................................................................................................................................................. 93
CHAPITRE SEPTIEME. CONCLUSION GENERALE.......................................................95
I. Conclusion générale .............................................................................................................................................. 96
II. Références bibliographiques .............................................................................................................................. 100
CHAPITRE HUITIEME. ANNEXES .................................................................................101

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Annexe I. Probabilités de transition associées aux niveaux effectifs N = 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 ..................................... 103

Annexe II. Coefficients d’ionisation par choc électronique CN∞ Coefficient de recombinaison à trois corps (le 3ème corps
étant un électron) C∞ N Coefficients d’excitation CLK et de désexcitation CKL par choc électronique .......... 107
Annexe III. Elargissement des raies par effet de pression Elargissements de Van der Waals et Résonnant................... 117
I. Elargissement des raies spectrales dans le cas du potentiel d’interaction de Van der Waals....................... 118
II. Elargissement résonnant .............................................................................................................................. 119
III. Références bibliographiques........................................................................................................................ 120
Annexe IV. Energie mise en jeu par les électrons pour l’excitation et l’ionisation des atomes d’Argon ........................ 121
I. Bilan des états excités.................................................................................................................................. 122
I.1. Le peuplement des états excités s’effectue uniquement à partir des collisions électroniques................. 122
I.2. Effet de la recombinaison dissociative des ions A2+ sur le peuplement d’un état excité ........................ 123
II. Puissance mise en jeu pour l’ionisation et l’excitation.......................................................................................... 123
II.1. Puissance mise en jeu par unité de volume par les électrons pour l’ionisation....................................... 123
II.2. Puissance mise en jeu par unité de volume par les électrons pour l’excitation des différents niveaux
del’atome ................................................................................................................................................ 123
II.3. Puissance totale Pi mise en jeu par unité de volume par les électrons pour l’ionisation et l’excitation des
différents niveaux d’énergie de l’atome.................................................................................................. 123
Annexe V. Equation de transfert de rayonnement - Intensité spectrale d’une raie émise par une lame de plasma
uniforme ...................................................................................................................................................... 125
Annexe VI. Calcul de la puissance rayonnée par un plasma partiellement absorbant .................................................... 127
i/ 1 ≥ b ........................................................................................................................................................ 128
ii/ b > 1 ........................................................................................................................................................ 129
8
LISTE DES FIGURES
Figure 1 : Dispositif expérimental 17
Figure 2 : Exemple d’image de la décharge éclatant dans l’argon – Ondes d’ionisation 17
Figure 3 : Champ électrique ∈ en fonction de la densité de courant J 18
Figure 4a : Signaux enregistrés par les photodiodes en fonction du temps 19
Figure 4b : Vitesse de déplacement des ‘perles’ en fonction du champ électrique ∈ 19
Figure 5 : Schéma des niveaux d’énergie de Ar I 22
Figure 6 : Niveau d’énergie effectif N 23
Figure 7 : Transition entre niveaux effectifs 24
Figure 8 : Schéma énergétique de l’atome 29
Figure 9 : Excitations entre niveaux i et j 33
Figure 10 : Excitations entre deux niveaux effectifs K et L 35
Figure 11 : Profil de la raie en fonction de ν’ 36
Figure 12 : Emission spontannée de rayonnement 37
Figure 13 : Coefficient d’absorption spectral d’une raie 37
Figure 14 : Lame de plasma uniforme 41
Figure 15 : Intensité spectrale d’une raie auto-absorbée 41
Figure 16 : Variations de Kij en fonction de τ(ν0’) 42
Figure 17 : Variation de ∆ν’ / ∆ν en fonction de τ(ν0’) 44
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Figure 18 : Plasma cylindrique uniforme de diamètre d et de longueur infinie 71

Figure 19 : Graphes de Boltzmann 78
Figure 20 : Caractérisation de la décharge pour diverses conditions de fonctionnement 80
Figure 21 : Allures des courbes Ne = F(α) et Ne = G(α) pour To et Te données 87
Figure 22 : Ne = f(Te) à To = Cte; Cas n°1 87
Figure 26 : Construction de la caractéristique du plasma Ne = F(Te) à To = Cte 89
Figure 27 : Caractéristiques du plasma Ne = f(Te) pour diverses valeurs T0 de température des lourds 90
Figure 28 : Température électronique maximale (Te)m en fonction de la température T0 des lourds 93
Figure 29 : Niveaux d’énergie et Définition de En* 119
Figure 30 : Atome à 4 niveaux d’énergie 122
Figure 31 : Intensité spectrale de rayonnement d’une lame de plasma uniforme 126
9
LISTE DES TABLES
Tableau 1: Variations du diamètre d en fonction du courant I 18
Tableau 2: Caractéristiques des niveaux effectifs utilisés 24
Tableau 3: Probabilités de transition entre niveaux effectifs 24
Tableau 4: Valeurs de ξN, αN, β N et σN∞ pour les niveaux effectifs 1 ≤ N ≤ 9 29
Tableau 5: Comparaison des différentes valeurs de C∞0 31
Tableau 6: Valeurs de kc selon la formule de Beulens [5] 31
Tableau 7: Comparaison des différentes valeurs de β 33
Tableau 8: Paramètres des raies de résonance de l’Argon 39
Tableau 9: Variations de Kij en fonction de τ(ν0’) 42
Tableau 10: Epaisseurs optiques τ(ν0’) et Probabilités de transition A’ij, en fonction de la température To 43
Tableau 11: Probabilités de transition A’KL associées aux niveaux effectifs K et L [4 ≤ K ≤ 9 et L = 2;3] 44
Tableau 12: Variation de ∆ν’ / ∆ν en fonction de τ(ν0’) 44
Tableau 13: Valeurs du coefficient R en fonction du paramètre τ0=k(ν’0).d 73
Tableau 14: Grandeurs caractéristiques de la décharge dans la cas d’un plasma partiellement absorbant 76
Tableau 15: Grandeurs caractéristiques de la décharge dans la cas d’un plasma optiquement mince 76
Tableau 16: Caractéristiques de la décharge en fonction du courant I – Plasma partiellement absorbant – Avec
prise en compte du peuplement du niveau N=7 par recombinaison dissociative de A2+ 79
Tableau 17: Caractéristiques de la décharge en fonction du courant I – Plasma partiellement absorbant – Sans
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prise en compte du peuplement du niveau N=7 par recombinaison dissociative de A2+ 79

Tableau 18: Grandeurs caractéristiques de la décharge - Modèle à trois niveaux d’énergie 84
Tableau 19: Grandeurs caractéristiques de la décharge - Modèle à un niveau d’énergie 84
Tableau 20: Probabilité de transition associée aux différents niveaux effectifs 104
Tableau 21: Valeurs des Coefficients CN∞, C∞ N, CLK et CKL pour N = 1..9 108
Tableau 22: Valeurs de S et R pour différentes valeurs de l’épaisseur optique τ0 129
Tableau 23: Valeurs de α0, S1, S2 et R pour différentes valeurs de l’épaisseur optique τ0 > 5 130
Tableau 24: Récapitulatif des valeurs de R pour différentes valeurs de l’épaisseur optique τ0 131
10
Chapitre I - Introduction
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Chapitre Premier.
Introduction
11
I. Introduction
Les arcs électriques à forte puissance ont été, et sont encore, beaucoup étudiés ; en revanche, les
décharges dites « filamentaires », obtenues dans les gaz rares à très faible intensité (I < 1 A) et à
haute pression (pression atmosphérique et pressions supérieures), qui se situent entre l’arc
électrique et la décharge luminescente, sont encore fort mal connues.
Les premières expériences qui ont été réalisées dans l’Argon [1] montrent que ces décharges ont les
caractéristiques suivantes :
- Très faible diamètre d (quelques dixièmes de millimètre),
- Chute de tension aux électrodes (∆V > 100 Volts) et champ électrique élevé (E ~ 10 kV/m),
- Grande différence de température entre les électrons (Te ~ 10 000 K) et les particules lourdes
(To ~ 1 500 K).
Par ailleurs, elles sont le siège d’ondes d’ionisation qui se propagent de l’anode vers la cathode avec
des vitesses de l’ordre de la dizaine de mètres par seconde, fonction de l’intensité du courant I et de
la pression p.
La connaissance des processus physiques mis en jeu dans ces milieux peut apporter des
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informations intéressantes concernant, par exemple, l’amorçage et l’établissement des décharges à

forte intensité ou la propagation des ondes d’ionisation qui ont été observées.
Par suite de la présence d’espèces moléculaires ionisées et excitées, elles peuvent aussi présenter de
l’intérêt pour la réalisation de lasers à excimers.
Ces décharges sont essentiellement caractérisées par la présence d’ions moléculaires A2+ dont la
recombinaison dissociative est le principal processus de disparition des électrons [2].
Une première modélisation (2), effectuée en ne considérant que le niveau fondamental et les
niveaux métastables et résonnants de l’Argon a permis de déterminer approximativement les valeurs
des principales grandeurs caractéristiques de la décharge (température électronique, températures
des particules lourdes, densité électronique, densité des ions atomiques A+et moléculaires A2+,
densité des niveaux résonnants et métastables).
L’étude des principaux mécanismes de création et de disparition des électrons et des ions A+ dans
cette décharge (2) a mis en évidence :
- La formation des ions moléculaires A2+, favorisée par les pressions élevées et les basses
températures des atomes et leur recombinaison dissociative qui est le principal processus de
disparition des électrons ;
- L’importance des niveaux métastables et résonnants dont l’ionisation par choc électronique est
la principale source de création des électrons.
Dans ce travail, on présente un modèle de plasma plus élaboré, qui prend en compte non seulement
les niveaux 4s, comprenant les niveaux métastables (1s3, 1s5) et résonnants (1s2, 1s4), mais
également l’ensembles des niveaux 4p (2p1, 2p2, 2p3, 2p4, 2p5, 2p6, 2p7, 2p8, 2p9, 2p10) soit au total
15 niveaux avec le fondamental.
Les sections efficaces d’excitation et de désexcitation par collisions électroniques que nous avons
utilisées pour l’ensemble de ces niveaux, ont été calculées numériquement par K.Bartschat et
V.Zeman en 1998 [3] et sont en bon accord avec les valeurs expérimentales obtenues par les
chercheurs de l’équipe de l’Université du Wisconsin ; les valeurs des sections efficaces proposées
par ces auteurs sont probablement les plus fiables qu’il est actuellement possible de trouver dans la
littérature scientifique .
12
Pour un certain nombre d’états 4p, notamment le niveau 2p2, en plus du peuplement par chocs
électroniques à partir des autres niveaux, on doit tenir compte d’un peuplement relativement
important qui provient de la recombinaison des ions A2+ suivant lé réaction :
A2+ + e → A* + A
L’accroissement de la population de ce niveau facilement ionisable qui en résulte est en mesure de
produire une augmentation substantielle de la densité électronique dont il faut tenir compte dans la
modélisation.
Pour le peuplement des niveaux 4s et le dépeuplement des niveaux 4p, on doit considérer, en plus
des collisions électroniques, l’émission des raies issues des niveaux 4p (transitions 4p – 4s ) qui
sont partiellement absorbées par le plasma.
Par suite de la très forte absorption des raies de résonance, on néglige le dépeuplement des niveaux
résonnants (1s2, 1s4), dû à l’émission spontanée de photons résonnants vers le fondamental.
Par ailleurs, compte tenu de l’importance des processus volumiques, mis en jeu pour la création et
la disparition des différentes particules chargées du plasma, par rapport à la diffusion, on se place
dans le cas d’un filament plasma uniforme.
Ce mémoire comprend, en plus des chapitres d’introduction et de conclusion, cinq chapitres
principaux :
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- Le chapitre II rassemble les différents résultats expérimentaux actuellement connus sur les
décharges filamentaires fonctionnant dans l’Argon à la pression atmosphérique.
- Au chapitre III, on présente l’ensemble des niveaux excités de l’Argon utilisés dans le modèle
et regroupés en niveaux effectifs avec le calcul des probabilités de transition associées aux
transitions optiquement permises à partir de ces derniers.
- Au chapitre IV, on inventorie et compare les différents processus collisionnels et radiatifs mis
en jeu dans la décharge.
- Le chapitre V est consacré, d’une part, à l’élaboration du modèle collisionnel-radiatif à partir
des équations de conservation des particules et de l’énergie et, d’autre part, à la présentation de
la méthode de résolution de équations utilisées.
- Au chapitre VI, on envisage la caractérisation du plasma en fonction de la valeur des différents
paramètres physiques qui conditionnant le comportement de la décharge en tenant compte en
particulier de l’absorption partielle par le plasma des raies isues des niveaux 4p.
13
II. Bibliographie
(1) F. Richard, J.M. Cornier, S. Pellerin, V. Dalaine et J. Chapelle, « Periodic light perturbation
in an Argon discharge at atmospheric pressure », J. High Temp. Mat. Proc. 2-1 (1998) 15-
24.
(2) E. Savignon, S. Pellerin et J. Chapelle, « Etude d’un filament de plasma à haute pression
dans l’Argon. Application à la détermination des coefficients d’ionisation du niveau
fondamental et des niveaux métastables des atomes de gaz rares », Congrès PAMO – JSM
2002. Société française de Physique. Bourges, 01/04 Juillet 2002 (p. 118).
(3) K. Bartschat et V. Zeman. V. Phys. Rev. A 59 R 2552 (1999).
Il existe sur Internet un ensemble complet de valeurs des sections efficaces d’excitation par
collisions électroniques entre le niveau fondamental et les niveaux 4s et 4p de l’Argon, calculées
par les auteurs.
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14
Chapitre II - Résultats expérimentaux
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Chapitre Deuxième.
Travaux et résultats expérimentaux relatifs aux décharges filamentaires

à faible intensité et haute pression dans l’Argon
15
I. Introduction
Il existe actuellement très peu de publications relatives aux propriétés caractéristiques des décharges
filamentaires à très faibles intensités (I ~ 10-3 A) et haute pression (pression atmosphérique et
pressions supérieures) dans les gaz rares.
Les quelques résultats expérimentaux ayant servi de support à ce travail de modélisation et
présentés dans les paragraphes qui suivent ont été obtenus dans l’Argon par une équipe du
laboratoire GREMI (Groupe de Recherche sur l’énergétique des milieux ionisés) de l’Université
d’Orléans [1] et [2].
II. Dispositif expérimental [1]

Une décharge en courant continu à faible intensité (0 < I < 15 mA) est réalisée à la pression
atmosphérique dans une enceinte étanche, contenant de l’argon, entre deux électrodes cylindriques
en cuivre (diamètre Φ ~ 1 mm) (Figure 1)
Le courant est limité à une valeur donnée en utilisant une résistance R convenable.(typiquement
R = 0,5 MΩ), montée en série avec un générateur de haute tension (0 ≤ E ≤ 6 kV) alimentant la
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décharge.
La distance l entre les électrodes est réglable (0 ≤ l ≤ 20 mm) à l’aide d’une vis micrométrique. La
décharge est amorcée en écartant les électrodes préalablement mises en contact.
La chute de tension ∆V aux électrodes et le champ électrique E sont obtenus à partir du tracé de la
courbe de la tension V aux bornes des électrodes, en fonction de la distance l, l’intensité I du
courant étant maintenue constante [V = f(l) à I = Cte].
Le diamètre d et la longueur l de la décharge, la vitesse et les conditions de propagation des ondes
d’ionisation (Figure 2) sont déterminés au moyen d’une caméra rapide et d’un dispositif à
photodiodes.
Cette caméra est constituée par un intensificateur d’image couplé par fibres optiques à une matrice
de photodiodes ; elle peut fonctionner soit en mode simple prise de vue avec un temps de pose τ1
(50 ns < τ1 < 1000 ns), soit en double prise de vue avec un intervalle de temps τ2 séparant chaque
image (0 < τ2 < 1 ms).
III. Principaux résultats expérimentaux

III.1. Aspect de la décharge, diamètre et densité de courant [2]
L’aspect de la décharge se présente sous forme d’un ensemble de zones brillantes (perles) séparées
par des espaces sombres (montré sur la Figure 2).
La longueur l et le diamètre d de la colonne de plasma ont été déterminés à partir des photographies
de la décharge prises au moyen de la caméra rapide.
Dans le cas de la figure 2, d ~ 0,2 mm et l = 5 mm.
La densité du courant J s’obtient à partir de l’intensité I du courant par la relation :
4I
J=
π d2
16
5
V
3
4
1 1 : DC generator
gas 2 : vessel
R
3 : copper electrodes
4 : photo-diodes
5 : high-speed camera
Figure 1 : Dispositif expérimental
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Figure 2 : Exemple d’image de la décharge éclatant dans l’argon – Ondes d’ionisation

(Cinématographie rapide – Cathode en bas de l’image)
17
Dans le Tableau 1, on a porté les variations du diamètre d et de la densité de courant J en fonction

du courant I.
I [A] d [m] J [A.m-2]

4,8.10-3 2,47.10-4 1.105
-3 -4
5,8.10 2,22.10 1,5.105
-3 -4
6,8.10 2,03.10 2,1.105
-3 -4
7,8.10 1,95.10 2,6.105
8,8.10-4 1,93.10-4 3,1.105
-3 -4
10.10 1,91.10 3,5.105
-3 -4
11.10 1,90.10 3,9.105
Tableau 1: Variations du diamètre d en fonction du courant I
On vérifie que, par suite de l’attraction entre elles des lignes de courant, le diamètre d de la
décharge décroît à mesure que l’intensité I du courant augmente.
III.2. Détermination du champ électrique [1]

Pour obtenir le champ électrique ∈ dans la colonne de plasma, la tension de décharge V est tracée
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en fonction de la distance inter-électrodes l en maintenant le courant I constant. Dans les conditions

expérimentales de la décharge , la courbe ainsi obtenue est une droite.
La chute de tension ∆V aux électrodes (typiquement ∆V ~ 200 V) est alors déterminée par
extrapolation à l’origine (l = 0) et le champ électrique ∈, pour une intensité I correspondant à une
densité du courant J, est déduit de la pente de la droite par la relation :
V − 200
∈ =
l
La variation du champ électrique ∈ en fonction de la densité de courant J est présentée sur la Figure
3.
18000
16000
Champ électrique ∈ [V/m]
14000
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
50000 100000 150000 200000 250000 300000 350000 400000 450000 500000
2
Densité de courant J [A/m ]
Figure 3 : Champ électrique ∈ en fonction de la densité de courant J
18
III.3. Température du gaz [2]

Une estimation de la température du gaz a été réalisée par spectroscopie moléculaire en utilisant la
bande d’émission OH (A²Σ+, υ=0) → OH (X²Π, υ’=0) à 306,357 nm du radical OH provenant de la
présence sous forme d’impureté de vapeur d’eau dans l’argon.
La méthode utilisée est basée sur la comparaison point par point du spectre expérimental avec un
spectre simulé [2] et donne une température proche de l’axe (r = 0,1 mm) de l’ordre de
To = 1400 K, pour un courant I = 7 mA et un champ électrique ∈ = 8000 V/m.
III.4. Vitesse de déplacement des perles [1]

Le déphasage des signaux enregistrés par deux photodiodes (Figure 1) placés devant la colonne de
plasma, montre que le déplacement des perles s’effectue toujours de l’anode vers la cathode. La
vitesse de déplacement des perles dépend de la valeur du champ électrique ∈ de la décharge ; la
Figure 4b montre que cette vitesse est une fonction croissante de ∈.
160
140
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120
Signal photodiode [u.a.]
100
80
60
40
20
0
0 10 20 30 40 50 60 70
µ s]
Temps [µ
Figure 4a : Signaux enregistrés par les photodiodes en fonction du temps

120
100
Vitesse de déplacement des 'perles' [m/s]
80
60
40
20
0
6000 7000 8000 9000 10000 11000 12000
Champ électrique ∈ [V/m]
Figure 4b : Vitesse de déplacement des ‘perles’ en fonction du champ électrique ∈
19
IV. Références bibliographiques

(1) F. Richard, J.M. Cornier, S. Pellerin, V. Dalaine et J. Chapelle, « Periodic light perturbation
in an Argon discharge at atmospheric pressure », J. High Temp. Mat. Proc. 2-1 (1998) 15-
24.
(2) S. Pellerin, J.M. Cormier, F. Richard, K. Musiol & J. Chapelle « Spectroscopic diagnostic
method using the OH band spectrum », J.Phys.D. 29.3 (1996) 726 – 739.
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20
Chapitre III - Structure électronique de l’atome d’argon neutre; Niveaux effectifs et Probabilités de transition
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Chapitre Troisième.
Structure électronique de l’atome d’argon neutre (Ar I) – Niveaux effectifs

Probabilités de transition
21
I. Niveaux d’énergie de Ar I
L’argon neutre comporte deux séries de niveaux d’énergie correspondant à deux cœurs différents de
nombres quantiques internes respectifs
Jc = 3/2 et J’c = 1/2
et à deux limites d’ionisation
E∞ = 127110 cm-1 et E’∞ = 128540 cm-1.
La série principale correspond à Jc = 3/2 (Figure 5).
Dans le cadre de ce travail, pour ne pas avoir à résoudre un nombre démesuré d’équations
statistiques, nous nous sommes limités au niveau fondamental, aux niveaux 4s (niveaux métastables
et résonnants) et aux niveaux 4p, soit au total 15 niveaux (Figure 5)
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Figure 5 : Schéma des niveaux d’énergie de Ar I
22
II. Niveaux d’énergie effectifs

Dans chaque série, les niveaux énergétiquement proches les uns des autres sont regroupés en un
seul niveau qui constitue le niveau effectif [1].
Le poids statistique du niveau effectif est la somme des poids statistiques des niveaux composants
et son énergie est la moyenne des énergies des niveaux, pondérées par leur poids statistique.
La population du niveau effectif est la somme des populations des niveaux composants.
Les populations des différents niveaux appartenant à un même niveau effectif sont, compte tenu des
très faibles écarts énergétiques qui les séparent, proportionnelles à leurs poids statistiques.
Considérons le niveau effectif N, constitué par n niveaux énergétiquement très proches les uns des
autres (Figure 6).
____________________________ n
____________________________
____________________________ j
N ____________________________ i
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____________________________
____________________________ 1
Figure 6 : Niveau d’énergie effectif N
- gN, σN et EN = hc.σN désignent respectivement le poids statistique, le nombre d’onde et

l’énergie du niveau effectif N.
- gi, σi et Ei = hc.σi désignent le poids statistique, le nombre d’onde et l’énergie d’un niveau i
appartenant au niveau N.
n ∑g σ i i
gN = ∑g
i =1
i σN = i
gN
EN = hc.σN
- NN : population du niveau effectif N

- Ni et Nj : populations des niveaux i et j composants du niveau N.
n
NN = ∑N
i =1
i Ni/Nj = gi/gj et Ni/NN = gi/gN
Les niveaux effectifs de Ar I, utilisés dans ce travail, sont répertoriés dans le Tableau 2.
Les niveaux effectifs N = 2 et N = 3 sont constitués par les niveaux métastables et résonnants de
chacune des séries de niveaux de Ar I (Jc = 3/2 et J’c = 1/2)
23
Niveau Nombre d’onde σN [cm-1]

Constitution Poids statistique Population
Effectif Energie EN=hc.σN [eV]
σ2 = (g1s4 σ1s4 + g1s5 σ1s5) / g2 = 93372
N=2 1s4 , 1s5 g2 = g1s4 + g1s5 = 8 N2= N1s4 + N1s5
E2 = 11,577
σ3 = (g1s2 σ1s2 + g1s3 σ1s3) / g3 = 95189
N=3 1s2 , 1s3 g3 = g1s2 + g1s3 = 4 N3= N1s2 + N1s3
E3 = 11,802
σ4= σ2p10 = 104102
N=4 2p10 g4 = g2p10 = 3 N4 = N2 p10
E4 = 12,907
σ = (g2p6 σ2p6 + g2p7 σ2p7 + g2p8 σ2p8
2p6 , 2p7 g5 = g2p6 + g2p7 + g2p8 5 N5 = N2p6 + N2p7
N=5 + g2p9 σ2p9) / g5 = 105789
2p8 , 2p9 + g2p9 = 20 + N2p8 + N2p9
E5 = 13,116
σ6 = (g2p3 σ2p3 + g2p4 σ2p4) / g6 =107231
N=6 2p3 , 2p4 g6 = g2p3 + g2p4 = 8 N6 = N2p3 + N2p4
E6 = 13,295
σ7= σ2p2 = 107496
N=7 2p2 g7 = g2p2 = 3 N7 = N2p2
E7 = 13,328
σ8= σ2p5 = 107054
N=8 2p5 g8 = g2p5 = 1 N8 = N2p5
E8 = 13,273
σ9 = σ2p2 = 108723
N=9 2p1 g9 = g2p1 = 1 N9 = N2p1
E9 = 13,480
Tableau 2: Caractéristiques des niveaux effectifs utilisés
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III. Probabilités de transition associées aux niveaux effectifs

Soient K et L deux niveaux effectifs entre lesquels existent des transitions optiques (Figure 7). La
dépopulation du niveau K par émission spontanée de rayonnement vers le niveau L s’écrit :
dN K dN g
= ∑ i = ∑ Aij N i = ∑ i Aij N K = AKL N K
dt i dt i, j i, j g K
g
avec AKL = ∑ i Aij : probabilité de transition associée aux niveaux effectifs K et L.
ij g K
On a calculé (voir Annexe I et Tableau 3) l’ensemble des probabilités de transition correspondant

aux transitions optiquement permises à partir des niveaux effectifs N = 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 et 9 [2].
________________________________
________________________________
________________________________ i K
________________________________
________________________________
________________________________
________________________________ j L
________________________________
Figure 7 : Transition entre niveaux effectifs
A21 = A31 = A42 = A52 = A62 = A72 = A82 = A92 =

4,4625.107 s-1 3,825.108 s-1 2,72.107 s-1 3,4065.107 s-1 8,16.106 s-1 8,7.106 s-1 4,3.107 s-1 2,41.105 s-1
A43 = A53 = A63 = A73 = A83 = A93 =
1,42.106 s-1 2,47.106 s-1 2,81.107 s-1 2,95.107 s-1 1,9.104 s-1 4,72.107 s-1
Tableau 3: Probabilités de transition entre niveaux effectifs
24

(1) K. Katsonis, « Etude statistique et cinématique des plasmas d’argon en dehors de l’équilibré
thermodynamique local », Thèse de doctorat de l’Université Paris Sud d’Orsay 20 avril 1976
(2) NIST Atomic Spectra Database Data, http://physics.nist.gov

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26
Chapitre IV – Processus collisionnels et radiatifs mis en jeu
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Chapitre Quatrième.
Processus collisionnels et radiatifs mis en jeu
27
I. Processus collisionnels
I.1. Ionisation par choc électronique des différents niveaux d’énergie de
l’Argon neutre
AN + e → A+ + e + e
- AN : Atome d’argon dans l’état N,
- A+ : Ion d’argon une seule fois ionisé dans l’état fondamental.
Le nombre de collisions ionisantes, par unité de volume et de temps NN∞ s’écrit :
NN∞ = CN∞(Te) NN Ne [en m-3.s-1] (1)
- NN : densité des atomes dans l’état N [en m-3]
- Ne : densité électronique [en m-3]
- CN∞(Te) : coefficient d’ionisation du niveau N, fonction de la température électronique Te.
Le coefficient d’ionisation se met sous la forme
∞
C N∞ (Te ) = ∫ QN∞ (v ) v f (v ) dv [en m3.s-1] (2)
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vo
- f(v) : fonction de distribution des vitesses des électrons, supposée maxwellienne.

3/ 2
 m   m v2 
f (v ) = 4 π v 2   exp −  (3)
 2 π k Te   2 k Te 
- m = 9,109534×10-31 kg : masse de l’électron,
- k = 1,38066×10-23 J.K-1 : constante de Boltzmann,
- Te : température électronique.
- QN∞(v) : section efficace d’ionisation du niveau N pour des électrons de vitesse v.
Plusieurs auteurs (H.W.Drawin et K.Katsonis [1], Y.Raizer [2], J.Vlcek [3] ont proposé des
formules pour le calcul de QN∞(υ). Dans le cadre de ce travail, on utilisera l’expression la plus
récente proposée par J.Vlcek [3]
 EH  1  E   E 
QN∞ (v) = 4 π a02  ∞  ξ N α N 2  − 1 ln1,25 β N  (4)
 E N∞  E  E N∞   E N∞ 
- ao = 5,2917706×10-11 m : rayon de l’atome de Bohr,
- EN∞ : Energie d’ionisation du niveau N de l’Argon associé au nombre d’onde σN∞,, tel que
EN∞ = hc σN∞ (Cf Tableau 4)
H H
- E ∞ : Energie d’ionisation de l’atome d’hydrogène (E ∞=13,6058 eV) correspondant au
nombre d’onde
σH∞ = 1,097373177×107 m-1
- c = 2,9979246×108 m.s-1 : vitesse de la lumière dans le vide,
- h = 6,626176×10-34 J.s : constante de Planck,
- E=½mυ2 : Energie cinétique de l’électron de vitesse υ.
- vo : vitesse de l’électron correspondant à l’énergie d’ionisation du niveau N (EN∞=½mv02)
- ξN : nombre d’électrons sur le niveau N intervenant pour l’ionisation,
- αN, βN : coefficients caractéristiques de la section efficace d’ionisation du niveau N.
Dans ces conditions, CN∞(Te) se met sous la forme :
28
ξ N α N ψ N (Te )
C N∞ (Te ) = 5,449778.10 −6 3/ 2
[m3s-1] (5)
T e
 1 ∞
avec ψ N (Te ) =
1 −  exp(− U N∞ x ) ln (1,25 β N x ) dx
∫ (6)
1
 x
E E
x= et U N∞ = N∞
E N∞ kTe
Les valeurs de ξN, αN, βN et σN∞ sont répertoriées dans le Tableau 4 pour l’ensemble des niveaux
effectifs 1 ≤ N ≤ 9. Les valeurs de CN∞(Te) corespondantes sont tabulées dans l’annexe II en
fonction de la température électronique Te (10000 K ≤ Te ≤ 16000 K).
N ξN αN βN σN∞ [m-1]
1 6 0,50 1 1,27587×107
2 1 0,35 4 3,37380×106
3 1 0,35 4 3,33351×106
4 1 0,45 4 2,30080×106
5 1 0,39 4 2,13210×106
6 1 0,39 4 2,13090×106
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7 1 0,39 4 2,10440×106
8 1 0,32 4 2,00560×106
9 1 0,32 4 1,98170×106
Tableau 4: Valeurs de ξN, αN, β N et σN∞ pour les niveaux effectifs 1 ≤ N ≤ 9
∞ _______________________
_______________________ n
_______________________
_______________________ i
N _______________________
_______________________ 2
_______________________ 1
1 _______________________
Figure 8 : Schéma énergétique de l’atome
I.2. Recombinaison à trois corps, le troisième corps étant un électron

On considère la recombinaison à trois corps sur un niveau effectif N, constitué par n niveaux réels
très proches énergétiquement les uns des autres [Cf Figure 8].
La recombinaison sur le niveau réel i s’effectue suivant le schéma réactionnel suivant :
A+ + e + e → Ai + e
Si N∞i et N∞N désignent respectivement le nombre de recombinaisons par unité de temps et de
volume sur le niveau réel i et sur le niveau effectif N (Figure 8), on a :
N ∞N = ∑ N ∞i avec N ∞i = N e2 N + C∞i (Te ) (7)
i
29
- N+ : densité des ions A+ appartenant à la série du niveau N.

- C∞i(Te) coefficient de recombinaison à trois corps sur le niveau i.
Par suite,
N ∞N = N e2 N + ∑ C∞ i (Te ) = N e2 N + C∞ N (Te ) avec C∞ N = ∑ C (T ) ∞i e (8)
i i
La fonction de distribution des vitesses électroniques étant maxwellienne, on peut établir, à partir du
bilan détaillé, une relation entre le coefficient d’ionisation par choc électronique à partir du niveau i
(Ci∞) et le coefficient de recombinaison à trois corps sur le niveau i (C∞i).
gi h3  E 
C∞ i = Ci ∞ exp + i ∞ 
2 g + (2 π m k Te )3/ 2
 kTe 
(9)
Les niveaux i constituant le niveau effectif N étant très proches les uns des autres, on a
Ei∞ ≈ EN∞, Ci∞ ≈ CN∞,
ce qui permet d’écrire :
n
∑g i
h3  EN ∞  n
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C∞ N = C N ∞ i =1
exp  avec g N = ∑ g i
2 g+ (2 π m k Te )3/ 2
 k Te  i =1
gN h3 E 
soit C∞ N = C N ∞ exp N ∞ 
2 g + (2 π m k Te )3/ 2
 k Te 
(10)
6 -1
Numériquement, en exprimant C∞N(Te) en [m .s ]:
g exp(U N ∞ )
C∞ N = 4,141368.10 −22 C N ∞ N (11)
2 g + (Te )3 / 2
EN ∞
avec UN∞ =
k Te
+
- g = 4 pour N appartenant à la série de cœur Jc = 3/2
- g+ = 2 pour N appartenant à la série de cœur Jc = 1/2
Les valeurs de C∞N(Te) sont tabulées en fonction de Te (10 000 K ≤ Te ≤ 16 000 K) dans l’annexe II
Le coefficient de recombinaison à trois corps total C∞0, qui tient compte de la recombinaison sur les
9 niveaux effectifs (15 niveaux réels) pris en considération, s’écrit :
2 1 2 2 1 1 2 1
C∞ o = C∞ 1 + C ∞ 2 + C ∞ 3 + C∞ 4 + C∞ 5 + C ∞ 6 + C ∞ 7 + C∞ 8 + C∞ 9
3 3 3 3 3 3 3 3
Les coefficients 2/3 et 1/3 correspondent respectivement aux séries de cœurs Jc = 3/2 et Jc = 1/2
Dans l’intervalle de températures 10 000 K ≤ Te ≤ 16 000 K, C∞0 peut être obtenu avec une
précision supérieure à 2.10-3 à l’aide de la formule :
− 1, 21
−39  Te 
C∞ o = 6,74.10   [en m6.s-1] (12)
 1000 
Y.Raizer [4] propose pour le calcul de C∞0, une relation de la forme :
−9 / 2
−35  Te 
C∞ o = 5,2.10   [en m6.s-1] (13)
 1000 
30
Dans le Tableau 5, on compare pour diverses températures, les valeurs de C∞0 calculées à partir du
modèle à 9 niveaux effectifs à celles déduites des formules (12) et (13).
C∞0 [m6 s-1] C∞0 [m6 s-1] C∞0 [m6 s-1]

Te (K) Valeurs déduites du modèle Formule (12) Formule (13)
à 9 niveaux effectifs D’après Y.Raizer [4]
12 000 3,327.10-40 3,333.10-40 7,24.10-39
-40
13 000 3,026.10 3,025.10-40 5,05.10-39
14 000 2,767.10-40 2,765.10-40 3,62.10-39
15 000 2,543.10-40 2,544.10-40 2,65.10-39
-40
16 000 2,350.10 2,353.10-40 1,98.10-39
Tableau 5: Comparaison des différentes valeurs de C∞0
Les valeurs de Y.Raizer qui tiennent compte des recombinaisons sur la totalité des niveaux de
l’atome sont beaucoup plus importantes et décroisent plus rapidement en fonction de la température
électronique Te.
I.3. Formation des ions moléculaires A2+

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Les ions moléculaires A2+ jouent un rôle très important dans les plasmas de décharge à haute
pression faiblement ionisés et dans le fonctionnement des lasers à examers.
Ils se forment suivant une réaction à trois corps du type :
A+ + A + A → A2+ + A (14)
+
Le nombre d’ions moléculaires A2 produits par unité de volume et de temps suivant la réaction (14)
est :
N ( A → A ) = kc NA2 NA+
+ +
2
- NA+ et NA sont respectivement les densités des ions argon une fois ionisé A+ et des atomes
d’argon neutre A.
- kc : coefficient de formation des ions moléculaires A2+.
- kc(To): est fonction de la température To des particules lourdes ; ses valeurs sont encore mal
connues.
Suivant Y.Raizer [4], à la température ambiante (To = 300 K), kc varie entre 1,5.10-43 m6.s-1 et
3,9.10-43 m6.s-1.
Beulens [5] qui tient compte de la formation des ions A2+ dans les régions périphériques d’un arc
électrique fonctionnant dans l’argon à la pression atmosphérique utilise pour kc la formule suivante :
kc = 2,26.10-43 exp(-To/Tr) [en m6.s-1] (15)
où Tr : température de référence correspondant à une énergie de 1 eV (Tr = 11604,5 K). Dans le
domaine de température (300 K ≤ To ≤ 3000 K), les valeurs de kc déduites de la relation (15) sont
portées dans le Tableau 6. On vérifie que dans l’intervalle de température (1000 K – 2500 K), les
variations du coefficient kc ne sont pas extrêmement importantes (20 %).
To [K] 300 500 1000 1500 2000 2500 3000

6 -1 -43 -43 -43 -43 -43
kc [m s ] 2,20.10 2,16.10 2,07.10 1,98.10 1,90.10 1,82.10-43 1,75.10-43
Tableau 6: Valeurs de kc selon la formule de Beulens [5]
Kenzo, Hiraoka et Toshiharu Mori [6] ont mesuré le coefficient kc de formation des ions
moléculaires Ar2+ dans le domaine des basses températures (55 K ≤ To ≤ 300 K). Pour To = 300 K,
31
ils obtiennent kc = 2,3.10-43 [m6.s-1] : Cette valeur de kc est très proche de celle qui a été proposée à
cette température par Beulens (Cf Tableau 6) : kc = 2,2.10-43 m6s-1.
Pour la suite de ce travail, nous adoptons pour le calcule de kc la formule (15), soit
kc = 2,26.10-43 exp(-To/11604,5) [en m6.s-1] (15)
Le processus inverse peut être important, en particulier lorsque la température des particules lourdes
est élevée :
A2+ + A → A+ + A + A (16)
Par unité de temps et de volume, le nombre de dissociations des ions A2+ suivant ce mécanisme est :
N ( A+ → A+ ) = k d N A+ N A
2 2
+
- NA2+ : densité des ions A2
- kd : coefficient de dissociation, fonction de la température To des particules lourdes.
J.J.Beulens [5] propose pour kd l’expression suivante :
7/2
−17  To 
k d = 5.10   [en m3.s-1] (17)
 Tr 
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avec Tr = 11604,5 K.
I.4. Recombinaison dissociative des ions A2+

Le mécanisme de recombinaison dissociative des ions A2+ est caractérisé par la réaction :
A2+ + e → A + A* (18)
- A : atome dans l’état fondamental ;
- A* : atome excité sur un ou plusieurs niveaux 4p de l’Argon, probablement le niveau 2p2,
(E2p2 = 13,328 eV) [7], [8], niveau de départ des raies 6965,43 Ǻ (2p2 → 1s5), 7272,93 Ǻ
(2p2 → 1s4), 7724,24 Ǻ (2p2 → 1s3), et 8264, 52 Ǻ (2p2 → 1s2).
Par unité de volume et de temps, le nombre de recombinaisons dissociatives N(A2+→A) s’écrit :
N ( A+ → A ) = β N A+ N e
2 2
- Ne : densité électronique ;
- β : coefficient de recombinaison dissociatif qui dépend de la température électronique Te.
Shiu et Biondi [9] ont proposé en 1978, d’après les valeurs de β qu’ils avaient mesurées dans des
post-décharges, l’expression suivante :
−0 , 61
 Te 
β = 9,1.10 −13   [en m3.s-1] (19)
 300 
Cette formule donne, dans le domaine des températures électroniques (10000 K ≤ Te ≤ 14000 K)
des valeurs de β très voisines (à 5 % près) (Tableau 7) de celles obtenues à partir d’une expression
établie antérieurement (1972) par Hasted [10].
−0 , 61
 Te 
β = 9,1.10 −13   [en m3.s-1] (20)
 300 
32
T [K] β [m3/s] β [m3/s]

Formule (19) Formule (20)
Selon Shiu et Biondi [9] Selon Hasted [10]
10 000 1,07.10-13 1,08.10-13
-13
11 000 1,01.10 1,03.10-13
12 000 0,96.10-13 0,98.10-13
-13
13 000 0,91.10 0,95.10-13
-13
14 000 0,87.10 0,91.10-13
Tableau 7: Comparaison des différentes valeurs de β
I.5. Excitation par collisions électroniques

I.5.a. Excitation entre deux niveaux i et j (i>j)
Le processus d’excitation par collisions
_____________________ E_____
électroniques du niveau inférieur j (Energie Ej,
poids statistique gj) vers le niveau supérieur i
(Energie Ei, poids statistique gi) correspond à la i ________________ Ei, gi
½ m v²
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relation suivante :
Aj + e(v) → Ai + e(v’) (21)
- v : vitesse de l’électron avant le choc j ________________ Ej, gj _________
- v’ : vitesse de l’électron après le choc
- Eij = Ei – Ej : différence d’énergie entre les 1 ________________ E1 = 0
niveaux i et j. Figure 9 : Excitations entre niveaux i et j
La conservation de l’énergie implique :

½mv² = ½mv’² + Eij avec ½mv’² < ½mv²
L’électron perd de l’énergie au cours de la collision ; la collision est dite inélastique.
Par unité de temps et de volume, le nombre de transitions j→i par choc électronique s’écrit :
∞
N j→i = N e N j ∫ Q ji (v ) v f (v ) dv = N e N j C ji (22)
v0
avec
- Cji : coefficient d’excitation de j→i par collision électronique :
∞
C ji = ∫ Q ji (v ) v f (v ) dv
v0
- vo : vitesse de l’électron telle que ½mv0²=Eij

- Qji(v) : section efficace d’excitation de j→i pour des électrons de vitesse v ; en particulier, on a
Qji(v) = 0 pour v ≤ vo
- f(v) : fonction de distribution des vitesses des électrons
- Nj : densité des atomes sur le niveau j
Dans le cas maxwellien,
3/ 2
 m   mv 2 
f (v ) = 4πυ 2
 exp −  ,
 2π k Te   2kTe 
et Cji qui est fonction de la température électronique Te, se met sous la forme :
33
3/ 2
2  m   mv 2 
C ji (Te ) =
∞
  ∫ Q ji (v) v exp −  v dv
2
(23)
π  kTe  vo
 2kTe 
Plusieurs auteurs, H.W.Drawin [11], K.Katsonis [1], J.Vlcek [3], ont proposé des expressions pour
le calcul des sections efficaces Qji(υ) des transitions par choc électronique entre les différents
niveaux d’énergie de l’Argon.
Plus récemment (1998), en utilisant une méthode de matrice R de Breit-Pauli, K.Bartschat et
V.Zeman [12], [13], (14] ont calculé numériquement les sections efficaces Qji(υ) pour les transitions
entre deux quelconques niveaux appartenant aux quinze premiers niveaux d’énergie de l’Argon
(niveau fondamental, niveaux 4s et 4p).
Pour une transition dont le niveau de départ est le niveau j, on considère un électron de vitesse v,
dont l’énergie E, rapportée au niveau fondamental, de l’atome (Figure 9) est :
E = Ej + ½ mv²
Eij 1 mv 2 E − Ej
On pose : U ij = , x = = .
kTe 2 Eij Eij
Dans ces conditions, on a
Q ji (v ) = a02 q ji ( x )
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- ao est le rayon de l’atome de Bohr (ao = 5,2917706×10-11 m) ;

- qji(x) a été tabulée en fonction de x par K. Bartschat et V. Zeman [15].
Les valeurs des sections efficaces ainsi calculées en fonction de l’énergie E de l’électron incident
sont en général en bon accord avec les résultats expérimentaux obtenus par l’équipe du Wisconsin
(Piech, Boffard et al. [16])
En utilisant la formule (23), on obtient pour Cji(Te) l’expression suivante :
2
4ao2 1 Eij
C ji (Te ) = ψ ji (Te ) (24)
2π m k 3 / 2 Te3 / 2
x q ji ( x ) exp(− U ij x ) dx
∞
avec ψ ji (Te ) = ∫ (25)
1
Eij2
Numériquement : C ji (Te ) = 9,12626209.10 28 3/ 2
ψ ji (Te ) [en m3.s-1] (26)
T
e
I.5.b. Excitation entre deux niveaux effectifs L et K

Par unité de volume et de temps, le nombre NL→K de transitions par collision électronique du niveau
effectif inférieur L vers le niveau effectif supérieur K s’écrit (Figure 10) :
Nj gj
N L→K = ∑ N j N e C ji (Te ) avec =
j ,i NL gL
gj
N L→ K = N e N L ∑ C ji (Te )
j ,i gL
soit finalement N L→K = N e N L CLK (Te ) (27)
gj
avec C LK (Te ) = ∑g C ji (Te ) (28)
j ,i L
34
Les valeurs de CLK(Te) sont tabulées (voir annexe II) en fonction de la température électronique Te
dans l’intervalle (10000 K ≤ Te ≤ 16000 K), avec L < K, L et K ∈ {1, 2, 3, …, 8, 9}.
_______________________
_______________________ i
K _______________________
_______________________
_______________________
_______________________ j
L _______________________
_______________________
Figure 10 : Excitations entre deux niveaux effectifs K et L
I.6. Désexcitation par collisions électroniques

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I.6.a. Désexcitation entre deux niveaux i et j

Dans le cas de la désexcitation par choc électronique du niveau supérieur i vers le niveau inférieur j
(figure 2) on a :
Ai + e(v) → Aj + e(v’) (29)
La conservation de l’énergie implique :
½mv’² = ½mv² + Eij avec ½mv’² > ½mv²
L’électron gagne de l’énergie au cours du choc ; la collision est dite super élastique.
Par unité de volume et de temps, le nombre de passages de i→j par choc électronique s’écrit :
∞
N i→ j = N e N i ∫ Qij (v ) v f (v ) dv = N e N j Cij (30)
0
∞
avec Cij = ∫ Qij (v ) v f (v ) dv
0
- Cij : Coefficient de désexcitation de i→j par collision électronique

Dans le cas d’une distribution maxwellienne des vitesses des électrons, le bilan détaillé permet
d’établir une relation simple entre Cij(Te) et Cji(Te).
Cij (Te ) = j exp(U ij ) C ji (Te )

g
(31)
gi
Cij(Te) peut se déduire simplement de Cji(Te) en utilisant l’expression (31).
I.6.b. Désexcitation entre deux niveaux effectifs L et K

Par unité de volume et de temps, le nombre de transitions par collisions électroniques du niveau
effectif supérieur K vers le niveau effectif inférieur L s’écrit (Figure 3) :
N K →L = ∑ N e N i Cij (Te )
N g
avec i = i
i, j NK gK
35
gj
d’où N K →L = N e N i ∑ Cij (Te ) = N e N L CKL (Te ) (32)
i, j gK
C KL (Te ) = ∑ Cij (Te )

gi
avec (33)
i, j gK
Les valeurs de CKL(Te) sont tabulées en fonction de la température électronique Te dans l’intervalle
(10000 K ≤ Te ≤ 16000 K), avec K > L, K et L ∈ {1, 2, 3, …, 8, 9} (voir Annexe II).
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Figure 11 : Profil de la raie en fonction de ν’
36
II. Processus radiatifs

II.1. Emission spontanée de rayonnement
Par unité de temps et de volume, le nombre de passages par émission spontanée de rayonnement du
niveau effectif supérieur K vers le niveau effectif inférieur L, s’écrit :
K → L ) = AKL N K
N (ém . sp .
(34)
- NK : population du niveau effectif K.
- AKL : probabilité de transition associée aux niveaux effectifs K et L (voir Chapitre III,
paragraphe III) :
g
AKL = ∑ Aij i
i, j gK
- Aij : probabilité de transition correspondant à l’émission spontanée d’un photon de fréquence ν
entre les niveaux i et j (Figure 12).
Les probabilités de transition AKL correspondant aux transitions optiques à partir des niveaux
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effectifs N = 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 et 9 sont répertoriées dans l’annexe I.
_______________________
_______________________ i
K _______________________
_______________________
hν
_______________________
_______________________ j
L _______________________
_______________________
Figure 12 : Emission spontannée de rayonnement
II.2. Absorption de rayonnement

II.2.a. Coefficient d’absorption spectral d’une raie
Le coefficient d’absorption spectral d’une raie
Ni i _________________ Ei, gi
de fréquence ν (hν = Ei– Ej) (Figure 13) s’écrit :
k(ν’) = χν F(ν’,T) hν
- χν : coefficient d’absorption total de la raie.
- F(ν’,T) : fonction profil de la raie (Figure Nj j _________________ Ej, gj
11), avec
+∞
∫ F (ν ' , T ) dν ' = 1
−∞ N1 1 _________________ E1=0, g1=1
Figure 13 : Coefficient d’absorption spectral

d’une raie
37
hν  g j Ni 
χν = (B ji N j − Bij Ni ) = hν B ji N j 1 −
 g N 
 (35)
c c  i j 
- Bji : probabilité d’absorption d’un photon de fréquence ν.
- Bij : probabilité d’émission induite d’un photon de fréquence ν.
Il existe entre Aij, Bij et Bji les relations suivantes :
Aij 8π hν 3
= et gi Bij = gi Bji (36)
Bij c3
Par ailleurs, la probabilité d’émission spontanée Aij s’exprime en fonction de la force d’oscillateur fji
par la relation
gj 2π e 2 ν 2
Aij = f ji (37)
gi m c3 ε 0
A l’aide des relations (36) et (37) on obtient :
π e2 N j  g j Ni 
χν = f ji 1 − 
m c 4π ε 0  g i N j 
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π e2  g N 
et k (ν ') = f ji N j 1 − j i  F (ν ' , T ) (38)
4πε 0 mc  g i N j 

II.2.b. Profil Doppler – Epaisseur optique et facteur de fuite des raies de résonance.
Les raies de résonance correspondant aux transitions (1s4-1po) et (1s2-1po) sont essentiellement
élargies par effet Doppler. Dans ce cas :
2
  ν '−ν 0 
exp −  
  ∆ν D 
F (ν ' , T ) = (39)
π ∆ν D
ν0 2kT
avec ∆ν D =
c M
- M : masse de l’atome émetteur,
- νo : fréquence centrale du profil correspondant à la longueur d’onde λo.
Au centre de la raie (ν’ = νo),
F (ν 0 , T ) =
1 c M
=
π ∆ν D ν0 2π kT
Le coefficient d’absorption k(νo) au centre de la raie s’écrit :
e 2λ 0
g j Ni  π M 
k (ν 0 ) = f ji 
Nj 1− (40)
4πε 0 mc 2kT  g i N j 
N g j Ni
Dans le cas du filament de plasma d’Argon étudié i ≈ 10 −5 et << 1 . D’où :
Nj gi N j
e 2λ 0 πM
k (ν 0 ) = f ji Nj (41)
4πε 0 mc 2kT
38
L’épaisseur optique τ(νo) au centre de la raie est :

λ0e 2 πM
τ (ν 0 ) = k (ν 0 ) R = f ji Nj R (42)
4πε 0 mc 2kT
- R : Rayon du filament de plasma.
Holstein [17] a calculé le facteur de fuite pour les raies élargies par effet Doppler. Pour les fortes
épaisseurs optiques au centre de la raie (cas du rayonnement de résonance), le facteur de fuite se
met sous la forme :
1
gν = (43)
τ (ν 0 ) π ln τ (ν 0 )
Les paramètres caractérisant les raies de résonance de l’Argon sont rassemblés dans le Tableau 8 ci-
dessous.
Transition Longueur d’onde Force Probabilité de Epaisseur opt. au Facteur de fuite

d’oscillateur transition centre de la raie
i→j λ [Ǻ] f A [s-1] τ(νo) Gν
8
1s4→1po 1066,66 0,061 1,19.10 3861 5.10-5
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1s2→1po 1048,22 0,254 5,1.108 15797 1,15.10-5

Tableau 8: Paramètres des raies de résonance de l’Argon
Les épaisseurs optiques τ(νo) et les facteurs de fuite gν sont calculés à une pression p = 1 bar pour
une température des atomes To = 2000 K, une densité des atomes No ≈ 3,6.1024 m-3 et un rayon
R = 1.10-4 m.
On vérifie (voir Tableau 8) que les facteurs de fuite des raies de résonance sont extrêmement faibles
( ≈ 10 -5), ce qui justifie l’hypothèse de leur entière réabsorption par le plasma.
II.2.c. Cas d’un profil lorentzien

Pour le filament de plasma étudié dans ce travail, les raies correspondant aux transitions (4p – 4s)
sont essentiellement élargies au cours des collisions que fait l’atome émetteur avec les autres
atomes du plasma.
Dans ce cas, le profil des raies est lorentzien de la forme :
F (ν ') =
1 (∆ν / 2 ) (44)
π (ν '−ν 0 + γ )2 + (∆ν / 2)2
- νo : fréquence de la raie émise par l’atome non perturbé ;
- ∆ν : largeur totale de la raie à mi hauteur du maximum, fonction de densité No des atomes et de
leur température To ;
- γ : déplacement du maximum de la raie qui dépend de No et de To
- ν’0=ν0-γ : fréquence correspondant au centre du profil de la raie perturbée.
L’auto-absorption des raies par le plasma est responsable de deux effets importants qu’il convient
de prendre en considération :
- La diminution des intensités des raies émises,
- L’élargissement supplémentaire du profil des raies.
39
i/ Epaisseur optique du centre du profil d’une raie

L’épaisseur optique au centre du profil d’une raie est un paramètre important qui permet de calculer
l’intensité et l’élargissement supplémentaire de la raie auto-absorbée.
Le coefficient d’absorption k(ν’0) au centre de la raie correspondant à la transition entre les niveaux
i et j (Figure 13) est :
k (ν 0 ') = χν F (ν '0 )
π e2  g N 
F (ν 0 ') =
2
avec χν = f ji N j 1 − j i  et
4πε 0 mc  g i N j  π ∆ν
e2  g N 
soit : k (ν 0 ') = f ji N j 1 − j i  (45)
2πε 0 mc ∆ν  g i N j 
L’épaisseur optique au centre de la raie pour une épaisseur d de plasma s’écrit :
e2  g N 
τ (ν 0 ') = f ji N j d 1 − j i  (46)
2πε 0 mc ∆ν  g i N j 
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Compte tenu de la relation qui existe entre fji et Aij (formule 37), τ(ν’0) peut encore s’écrire :
 λ  N j  g j Ni 
2
τ (ν 0 ') =
gi
Aij   d 1 −  (47)
gj  2π  ∆ν  g i N j 
Pour le calcul de la largeur à mi hauteur ∆ν [18], on doit considérer séparément les transitions qui
aboutissent sur les niveaux métastables (1s3, 1s5) et les transitions qui aboutissent sur les niveaux
résonnants (1s2, 1s4).
- Pour les raies dont le niveau final est métastable (1s3, 1s5), l’élargissement du profil est
essentiellement de type Van der Waals ; dans ce cas ∆ν peut se mettre sous la forme :
∆ν v = K v T03 / 10 N 0 (48)
Kv est une constante qui dépend de la structure électronique des niveaux i et j caractérisant la
transition (cf. Annexe III).
- Lorsque le niveau final est un niveau résonnant (1s2, 1s4), on doit tenir compte d’un
élargissement supplémentaire, dit « résonnant », qui correspond aux collisions avec transfert
d’excitation entre le niveau résonnant et le niveau fondamental (A + A* → A* + A) qui s’écrit :
∆νr = Kr No (49)
Kr : constante proportionnelle à la longueur d’onde et à la force d’oscillateur de la raie de
résonance issue des niveaux 1s2 ou 1s4 (cf. Annexe III).
Les épaisseurs optiques de l’ensemble des raies (4p - 4s) ont été calculées (Tableau 10) à partir des
expressions des constantes Kv et Kr répertoriées dans l’annexe III. La température To et les densités
des particules (No, N1s2, N1s3, N1s4 , N1s5) utilisées dans ce calcul et qui correspondent à des
caractéristiques typiques du filament de plasma, sont les suivantes :
To = 2000 K, No = 3,6.1024 m-3
N1s2 / No = 2.10–5 N1s4 / No = 3.10-5
N1s3 / No = 7.10– 6 N1s5 / No = 5.10-5
avec d = 2.10–4 m
Les raies qui aboutissent sur le niveau 1s2 sont presque uniquement élargies par effet résonnant,
alors que les élargissements Van der Waals et résonnants sont à peu près identiques pour les raies
retombant sur le niveau 1s4.
40
Un certain nombre de ces raies sont fortement auto-absorbées avec des épaisseurs optiques
supérieures à 2 (voir Tableau 10) et l’hypothèse du plasma optiquement mince pour l’ensemble des
transitions (4p - 4s) ne se justifie pas ; on doit donc prendre en compte l’auto-absorption du plasma
qui se traduit par une diminution des intensités des raies émises avec une décroissance des
probabilités de transition.
ii/ Intensités et probabilités de transition des raies auto-absorbées.

On considère une lame de plasma uniforme d’épaisseur d (Figure 14) et une raie correspondant à la
transition entre les niveaux i et j (hν = Ei–Ej).
L’intensité spectrale I2(ν’) (Figure 15) de la raie auto-absorbée relative à une fréquence ν’ de son
profil, émise suivant a direction x’x, s’écrit après intégration de l’équation de transfert de
rayonnement (voir annexe V) :
1 − exp(− τ (ν ')) 
I 2 (ν ') = I1 (ν ')   (50)
 τ (ν ') 
- I1(ν’) : Intensité spectrale de la raie non auto-absorbée
hν
I1 (ν ') = Aij N i d F (ν ') (51)
4π
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- F(ν’) : profil lorentzien de la raie non auto-absorbée.
F (ν ') =
1 (∆ν 2)
π (ν '−ν 'o )2 + (∆ν 2)2
- τ(ν’) = k(ν’).d : épaisseur optique pour la fréquence ν’ du profil. Pour le plasma optiquement
mince τ(ν’) → 0 et d’après l’expression (50) :
I2(ν’) = I1(ν’)
Figure 14 : Lame de plasma uniforme Figure 15 : Intensité spectrale d’une raie auto-
absorbée
On pose
 1 − exp(− τ (ν ')) 
y (ν ') =   ≤1 (52)
 τ (ν ') 
D’après les relations (50), (51) et (52), l’intensité spectrale I2(ν’) de la raie auto-absorbée s’écrit :
hν
I 2 (ν ') = Aij N i d y (ν ') F (ν ') (53)
4π
L’intensité totale de la raie auto-absorbée est :
+∞ hν +∞
I2 = ∫ I 2 (ν ') dν ' = Aij N i d ∫ y (ν ') F (ν ') dν ' (54)
−∞ 4π −∞
41
I2 peut se mettre sous la forme :

hν
I2 = A'ij N i d (55)
4π
+∞
avec A'ij = K ij Aij et K ij = ∫ y (ν ') F (ν ') dν ' (56)
−∞
où Kij est un facteur correctif qui tient compte de l’absorption de la raie.

+∞
Compte tenu du fait que y(ν’)≤1 et que ∫ F (ν ') dν ' = 1, Kij est inférieur ou au plus égal à l’unité
−∞
et A’ij ≤ Aij.
Tout se passe, pour l’intensité totale I2 de la raie auto-absorbée, comme si elle était émise par un
plasma optiquement mince uniforme avec une probabilité de transition A’ij inférieure ou au plus
égale à Aij (formule 55).
Dans le cas d’un profil de Lorentz, d’après les expressions (37), (38) et (44), l’épaisseur optique
τ(ν’) s’écrit :
τ (ν 'o )
τ (ν ') = (57)
  ν ' −ν 'o 
2

 1+ 
 
 
  ∆ν 2  
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- τ(ν0’) : épaisseur optique au centre de la raie

λ
2
 Nj  g N 
τ (ν 'o )
g
= i Aij  ij
 d 1 − j i  (47)
 ∆ν
gj  2π
 g i N j 
- ∆ν: largeur totale à mi-hauteur du profil de Lorentz de la raie non absorbée.
Les formules (44), (52) et (56) montrent que le facteur correctif Kij peut s’exprimer en fonction de
l’épaisseur optique τ(ν0’) au centre de la raie. Les variations de Kij en fonction de τ(ν0’) sont portées
sur le Tableau 9 et la Figure 16. On note que, pour une épaisseur optique
τ(ν0’) = 4,5 Kij = 0,5 et A’ij = Aij/2.
1,0
τ(ν0’) Kij
0,9
0 1
0,8
0,2 0,952
0,5 0,885 0,7
1 0,800 0,6
1,5 0,731
0,5
2 0,674
Kij
3 0,587 0,4
4 0,525 0,3
5 0,478
0,2
6 0,441
0,1
7 0,412
8 0,388 0,0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
9 0,368
10 0,351 τ(ν'0)
Tableau 9: Variations de Kij Figure 16 : Variations de Kij en fonction de τ(ν0’)
en fonction de τ(ν0’)
42
Transition λ gi gj Aij ∆ν / N0 ∆ν / Nj τ(ν0’) Kij A’ij

[Å] [s-1] [m3.s-1] [m3.s-1] [s-1]
2p10 –1s5 9122,97 3 5 0,212.108 7,38.10-16 1,476.10-11 3,63 0,55 1,16.107
2p10 –1s4 9657,78 3 3 0,060.108 1,709.10-15 5,697.10-11 0,49 0,88 5,28.106
2p10 –1s3 10470,10 3 1 0,0117.108 7,377.10-16 1,054.10-10 0,185 0,95 1,11.106
2p10 –1s2 11488,10 3 3 0,0025.108 4,757.10-15 2,378.10-10 0,007 1 2,5.105
2p9–1s5 8115,31 7 5 0,366.108 8,402.10-16 1,680.10-11 4,02 0,525 1,92.107
2p8–1s5 8014,79 5 5 0,096.108 8,518.10-16 1,704.10-11 1,83 0,675 6,5.106
2p8–1s4 8424,65 5 3 0,233.108 1,826.10-15 6,087.10-11 2,29 0,65 1,51.107
2p8–1s2 9784,50 5 3 0,0161.108 4,877.10-15 2,438.10-10 0,05 1 1,61.106
2p7–1s5 7723,76 3 5 0,057.108 8,873.10-16 1,775.10-11 0,59 0,87 4,96.106
2p7–1s4 8103,69 3 3 0,277.108 1,862.10-15 6,207.10-11 4,95 0,48 1,33.107
2p7–1s3 8667,94 3 1 0,0280.108 8,872.10-16 1,267.10-10 0,25 0,95 2,66.106
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2p7–1s2 9354,22 3 3 0,0115.108 4,914.10-15 2,457.10-10 0,02 1 1,15.106

2p6–1s5 7635,11 5 5 0,274.108 8,988.10-16 1,798.10-11 4,51 0,5 1,37.107
2p6–1s4 8006,16 5 3 0,0468.108 1,874.10-15 6,247.10-11 0,40 0,90 4,2.106
2p6–1s2 9224,50 5 3 0,059.108 4,926.10-15 2,463.10-10 0,17 0,95 5,6.106
2p4–1s5 7147,04 3 5 0,0065.108 8,582.10-16 1,716.10-11 0,06 1 6,5.105
2p4–1s4 7471,17 3 3 0,00025.108 1,832.10-15 6,109.10-11 0,001 1 2,5.104
2p4–1s3 7948,18 3 1 0,196.108 8,580.10-16 1,226.10-10 1,53 0,73 1,43.107
2p4–1s2 8521,44 3 3 0,147.108 4,884.10-15 2,442.10-10 0,22 0,95 1,4.107
2p3–1s5 7067,22 5 5 0,0395.108 8,7015.10-16 1,740.10-11 0,57 0,875 3,46.106
2p3–1s4 7383,98 5 3 0,087.108 1,845.10-15 6,15.10-11 0,65 0,860 7,48.106
2p3–1s2 8408,21 5 3 0,244.108 4,896.10-15 2,45.10-10 0,59 0,870 2,12.107
2p2–1s5 6965,43 3 5 0,067.108 8,875.10-16 1,775.10-11 0,56 0,875 5,86.106
2p2–1s4 7272,93 3 3 0,020.108 1,86.10-15 6,2.10-11 0,086 1 2.106
2p2–1s3 7724,21 3 1 0,127.108 8,856.10-16 1,265.10-10 0,91 0,81 1,03.107
2p2–1s2 8264,52 3 3 0,168.108 4,912.10-15 2,455.10-10 0,24 0,95 1,60.107
2p5–1s4 7514,65 1 3 0,430.108 1,938.10-15 6,46.10-11 0,635 0,86 3,7.107
2p5–1s2 8577,95 1 3 0,19.105 4,990.10-15 2,495.10-10 0,00009 1 1,9.104
2p1–1s4 6677,28 1 3 0,00241.108 1,957.10-15 6,523.10-11 0,003 1 2,41.105
2p1–1s2 7503,87 1 3 0,472.108 5,010.10-15 2,505.10-10 0,17 0,97 4,58.107
Tableau 10: Epaisseurs optiques τ(ν0’) et Probabilités de transition A’ij,
en fonction de la température To
43
Pour l’ensemble des transitions optiques (4p – 4s), les épaisseurs optiques τ(ν0’) au centre des
profils et les probabilités de transition A’ij, tenant compte de l’absorption des raies par le plasma,
sont répertoriées dans le Tableau 10 pour To = 2000 K et Te = 11300 K.
Les probabilités de transition
gi
A' KL = ∑g
i, j
A'ij
k
associées aux niveaux effectifs K et L avec 4 ≤ K ≤ 9 et L = 2;3, sont rassemblées dans le Tableau
11.
A’42 = 1,7.107s-1 A’52 = 1,93.107s-1 A’62 = 7,09.106s-1 A’72 = 7,86.106s-1 A’82 = 3,7.107s-1 A’92 = 2,41.105s-1
A’43 = 1,36.106s-1 A’53 = 2,37.106s-1 A’63 = 2,39.107s-1 A’73 = 2,63.107s-1 A’83 = 1,9.104s-1 A’93 = 4,58.107s-1
Tableau 11: Probabilités de transition A’KL associées aux niveaux effectifs K et L [4 ≤ K ≤ 9 et L = 2;3]
iii/ Profil des raies auto-absorbées

L’intensité spectrale d’une raie auto-absorbée (formule 53) peut se mettre sous la forme :
hν
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I 2 (ν ') = A' ij N i d F ' (ν ') (58)

4π
y (ν ')F (ν ')
avec F ' (ν ') = (59)
K ij
F’(ν’) est le profil de la raie auto-absorbée. On vérifie que
+∞
∫ F ' (ν ') dν ' = 1 .
−∞
Le profil F’(ν’) et la largeur totale à mi-hauteur ∆ν’ sont des fonctions de l’épaisseur optique τ(ν0’)
au centre du profil.
La variation du rapport ∆ν’ / ∆ν de la largeur à mi-hauteur du profil auto-absorbé à la largeur à mi-
hauteur du profil lorentzien (Tableau 12) est représentée en fonction de τ(ν0’) sur la Figure 17.
2,0
τ(ν0’) ∆ν’ / ∆ν
1,9
0 1
1,8
0,2 1,06
1,7
0,5 1,15
1 1,30 1,6
∆(ν')/∆(ν)
1,5 1,45 1,5

2 1,6
1,4
Tableau 12: Variation de
∆ν’ / ∆ν en fonction de τ(ν0’) 1,3
1,2
1,1
1,0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0
τ(ν'0)
Figure 17 : Variation de ∆ν’ / ∆ν en fonction de τ(ν0’)
44
II.3. Recombinaison radiative

Un ion A+dans l’état fondamental capture un électron de vitesse v pour former un atome excité sur
le niveau i avec émission d’un photon hνi suivant la réaction :
A++ e → Ai + hνi
avec hνi = (E∞ - Ei) + ½ mv2
- E∞ , Ei : Energie d’ionisation et énergie du niveau i de l’atome rapportée au fondamental.
Par unité de volume et de temps, le nombre d’ions A+ et d’électrons qui disparaissent par
recombinaison radiative est :
NA+→Ai = R∞i NA+ Ne (60)
- +
R∞i : Coefficient de recombinaison radiative de l’ion A sur le niveau i de l’atome A.
Par unité de volume et de temps, le nombre d’ions A+ qui se recombinent sur l’ensemble des
niveaux de l’atome sera :
N A+ → A = ∑R
i
∞i N A + N e = R∞ 0 N A + N e
où R∞0 est le coefficient de recombinaison radiative total :

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R ∞ 0 = ∑ R ∞i (61)
i
K.Katsonis [1] a calculé en fonction de la température T les coefficients R∞N de recombinaison

radiative sur les différents niveaux effectifs de l’Argon (N = 1, 2, 3, 4, 5, …) ainsi que le coefficient
de recombinaison radiative total R∞0. Il a établi, pour R∞0, R∞2, R∞3 … [exprimés en m3.s-1] les
formules analytiques empiriques suivantes :
1.10 −18
R∞ 0 =
[
6,093.10 −3 + 9,68.10 −5 T + 8,94.10 −8 T ] T
(62)
1,416.10 −12 (15362 + T )

R∞ 2 =
[ ]
(63)
2,8.10 +10 + 4,57.105 T + T 2 T
7, 08.10 −13 (15362 + T )

R∞ 3 =
[ ]
(64)
2, 08.1010 + 4,47.105 T + T 2 T
Y.Raizer [19] propose pour le calcul de R∞0, l’expression suivante :
−3 / 4
−18  Te 
R∞ 0 = 1,7.10   [en m3.s-1] (65)
 1000 
Pour Te = 12000 K, on obtient :
- R∞0 = 5,1.10-19 m3.s-1 à partir de la formule (52) de K.Katsonis.
- R∞0 = 2,6.10-19 m3.s-1 à partir de la formule (55) de Y.Raizer.
Les valeurs de R∞0 , déduites de ces deux expressions sont du même ordre de grandeur.
45
III. Conclusion
Il est intéressant de comparer les différents processus mis en jeu dans la disparition des ions et des
électrons pour des valeurs typiques des températures et des densités des différentes particules du
filament de plasma.
Te = 12000 K, To = 2000 K,
NA = 3,6.1024 m-3, Ne = 1,2.1020 m-3,
N A = 1.1020 m-3,
+ N A = 2.1019 m-3
+
2
III.1. Recombinaison à trois corps et recombinaison radiative des ions A+

La recombinaison à trois corps est prépondérante par rapport à la recombinaison radiative pour des
densités électroniques telles que :
C∞ 0 N A + N e2 > R∞ 0 N A + N e ,
R∞ 0
soit Ne > (66)
C∞ 0
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En utilisant les relations (13) et (65) de Y.Raizer pour C∞0 et R∞0, on obtient à Te = 12000 K
Ne > 3,6.1019 m-3
Dans le cas du filament de plasma (Ne ≈ 1020 m-3), la recombinaison radiative reste toujours
inférieure à la recombinaison à trois corps pour la disparition des électrons.
III.2. Recombinaison dissociative des ions A2+ et recombinaison à trois

corps des ions A+
La recombinaison dissociative des ions A2+ devient plus importante pour la disparition des électrons
que la recombinaison à trois corps des ions A+ lorsque :
β N A N e > C∞ 0 N A N e2 ,
+ +
2
N A+ C∞ 0
soit 2
> Ne (67)
N A+ β
A partir de l’expression (19) de Biondi pour le calcul de β et de l’expression (13) de Y.Raizer pour
C∞0 , on obtient à T = 12000 K et Ne = 1,2.1020 m-3 :
N A+
2
> 9.10 −6
N A+
Ce résultat montre clairement qu’un quantité très faible d’ions moléculaires A2+ dans le plasma peut
être responsable à elle seule de l’entière disparition des électrons par recombinaison dissociative, ce
qui est le cas du filament de plasma avec :
N A+
2
≅ 0,2
N A+
46
III.3. Recombinaison dissociative et dissociation des ions A2+ par le

processus inverse du processus de formation
Considérons donc la recombinaison dissociative et la dissociation des ions A2+ par le processus
inverse du processus de formation (Cf paragraphe I.3) :
A2+ + A → A+ + A + A
La recombinaison dissociative des ions A2+ est prépondérante par rapport au processus dissociatif
pour :
β N A N e > kd N A N A ,
+ +
2 2
kd
Soit Ne > NA (68)
β
En utilisant l’expression (17) de J.J.Beulens pour kd et l’expression (19) de Biondi pour β, la
condition (68) est réalisée à Te = 12000 K et To = 2000 K pour :
Ne > 4.1018 m-3
Cette condition est largement remplie pour le filament de plasma avec
Ne ≈ 1,2.1020 m-3
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En conclusion, les principaux processus collisionnels et radiatifs qui vont déterminer l’état du
plasma sont les suivants :
- L’ionisation par choc électronique à partir du fondamental et des états excités :
AN + e → A+ + e + e
- La formation des ions moléculaires A2+:
A+ + A + A → A2+ + A
- La recombinaison dissociative des ions A2+:
A2+ + e → A* + A
- L’excitation et la désexcitation des atomes par collision électronique :
Ak + e ↔ AL + e
- Emission des raies partiellement absorbées par le plasma à partir des niveaux 4p (transitions
4p - 4s)
- Absorption totale du rayonnement de résonance.
47

(1) K. Katsonis, Thèse « Etude statistique et cinématique des plasmas d’Argon en dehors de
l’équilibre thermodynamique local » - Paris Sud Orsay 20/04/1976
(2) Y. Raizer, « Gas Discharge Physics » éd. Springer (1997) p. 53.
(3) J. Vlcek, J. Phys. D. Appl. Phys. 22 (1989) 623 – 631.
(5) J. J. Beulens, Thèse « Surface modification using cascade arc plasma source » - Université
technique d’Eindhoven – 6 mars 1992.
(6) Kenzo Hiraoka et Toshiharu Mori, J. Chem. Phys. 90 (12) (1989).
(7) L. Frommhold and M.I. Biondi, Phys. Rev. 185, 244 (1969).
tel-00458689, version 1 - 22 Feb 2010
(8) G. E. Veatch, H. J. Oskam, Phys. Rev. A1 1498 (1970).
(9) Y. J. Shiu and M. I. Biondi, Phys. Rev. A17 868 (1978).
(10) J. B. Hasted « Physics of Atomic Collisions » (Butterworth & Co. Publishers Ltd, London)
1972.
(11) H. W. Drawin, « Collision and transport Cross Sections » - Rapport EUR – CEA – FC 383.
Fontenay aux Roses – édition révisée 1967.
(12) V. Zeman and K. Bartschat, J. Phys. B 30, 4609 (1998).
(13) V. Zeman, K. Bartschat, C. Noren and J. W. Mc Conkey, Phys. Rev. A 58 1275 (1998).
(14) K. Bartschat and V. Zeman, Phys. Rev. A 59 2552 (1999).
(15) K. Bartschat and V. Zeman. Phys. Rev. A 59 2552 (1999). A full set of data (also
umpublished) was downloaded from authors’ web page as was described in this rapid
communication.
(16) G. A. Piech, J. B. Boffard, M. F. Gehrke, L. W. Anderson and C. C. Lin, Phys. Rev.

Lett. 81 – 309 (1998).
(17) T. Holstein in Plasma Diagnostics éd. W. Lochte – Holgreven North - Holland publishing
company (1968) p.219.
(18) P. Ranson, Thèse « Contribution à l’étude du rayonnement des plasmas d’Argon

faiblement ionisés. Spectre de raies. Rayonnement de recombinaison et Bremsstrahlung
électron – atome » - Université d’Orléans, 9 février 1978.
48
Chapitre V - Modèle collisionnel-radiatif du filament de plasma
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Chapitre Cinquième.
Modèle collisionnel-radiatif du filament de plasma
49
I. Introduction
Pour le modèle du plasma qui est élaboré, on prend en compte le niveau fondamental, les niveaux
4s comprenant les niveaux métastables (1s3, 1s5), résonnants(1s2, 1s4) et l’ensemble des niveaux 4p
(2p1, 2p2, 2p3, 2p4, 2p5, 2p6, 2p7, 2p8, 2p9, 2p10) soit au total quinze niveaux réels répartis sur neuf
niveaux effectifs (Cf. Chapitre Troisième, paragraphe II).
Les sections efficaces d’excitation et de désexcitation par collisions électroniques de chacun de ces
niveaux ont été calculées numériquement par K.Bartschat et V.Zeman en 1998 (Cf. Chapitre
Quatrième, paragraphes I.5 et I.6) et sont en bon accord avec les résultats expérimentaux obtenus
par les chercheurs de l’équipe du Wisconsin.
Dans les conditions de fonctionnement du filament de plasma (pression atmosphérique, faible
température des atomes et des ions), la formation des ions moléculaires A2+ est importante et doit
être prise en compte, la recombinaison dissociative des ions A2+ surpassant de très loin tous les
autres processus responsables de la disparition des électrons (recombinaison radiative et
recombinaison à trois corps).
La création des électrons et des ions A+ résulte de l’ionisation par choc électronique du niveau
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fondamental et essentiellement des atomes excités sur les niveaux 4s et 4p.

Pour un certain nombre d’états 4p, notamment le niveau 2p2 (cf. Chapitre Quatrième, paragraphe
I.4), en plus du peuplement par collisions électroniques à partir des autres niveaux, on doit tenir
compte d’un peuplement relativement important qui provient de la recombinaison dissociative des
ions A2+ suivant la réaction
A2+ + e → A* + A
Pour le peuplement des niveaux 4s, en même temps que les collisions électroniques, on doit
considérer les raies issues des niveaux 4p qui sont partiellement absorbées par le plasma (Cf.
Chapitre Quatrième, paragraphe II.2.c).
Par suite de la très forte absorption des raies de résonance émises à partir des niveaux 4s (1s2, 1s4),
on peut négliger le dépeuplement de ces derniers dû à l’émission spontanée des photons résonnants
vers le niveau fondamental (cf. Chapitre Quatrième, paragraphe II.2.b).
Par ailleurs, compte tenu de l’importance des processus volumiques mis en jeu pour la création et la
disparition des différentes particules du plasma (électrons, ions A+, ions moléculaires A2+, atomes
excités) par rapport à la diffusion, on fait l’hypothèse du filament de plasma uniforme ; la validité
de cette hypothèse est vérifiée en fin de chapitre.
50
II. Equations de conservation

II.1. Particules chargées
II.1.a. Electrons
Les électrons sont produits par choc électronique à partir des différents niveaux d’énergie de
l’atome d’Argon et ils disparaissent essentiellement par recombinaison dissociative des ions A2+ ;
en négligeant la recombinaison radiative et la recombinaison à trois corps, le troisième corps étant
un électron, on obtient l’équation :
 9 
N e ∑ N I C I ∞  − β Ne N A + = 0 (1)
 I =1  2
Création par ionisation collisionnelle Disparition par recombinaison

des niveaux de l’Argon dissociative des ions A2+
- Ne : densité électronique.
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- NI : densité des atomes excités sur le niveau effectif I.

- NA2+ : densité des ions moléculaires A2+.
- CI∞(Te) : coefficient d’ionisation du niveau effectif I, fonction de la température électronique Te
(cf. Chapitre Quatrième, paragraphe I.1 ; et annexe II).
- β(Te) : coefficient de recombinaison dissociative des ions A2+, fonction de la température
électronique Te (Cf. Chapitre Quatrième, paragraphe I.4).
II.1.b. Ions A+
Les ions A+ disparaissent en donnant naissance aux ions A2+ par une réaction à trois corps (cf.
Chapitre Quatrième, paragraphe I-3) :
+
A+ + A + A → A2 + A
On peut écrire dans ce cas :
9 
N e ∑ N I C I ∞  − k c N 12 N A+ = 0 (2)
 I =1 
Création des ions A+ par ionisation Disparition des ions A+ pour
collisionnelle des niveaux de l’Argon former les ions A2+
- N1 : densité des atomes dans l’état fondamental.

- NA+ : densité des ions A+.
- kc(To) : coefficient de formation des ions moléculaires A2+, fonction de la température To des
atomes (cf. Chapitre Quatrième, paragraphe I.3).
II.1.c. Ions moléculaires A2+

Pour les ions moléculaires A2+, l’équation de conservation se met sous la forme :
k c N 12 N A+ − β Ne N A + = 0 (3)
2
Création des ions A2+ Disparition des ions A2+

à partir des ions A+ par recombinaison dissociative
51
II.1.d. Neutralité électrique

La neutralité électrique du plasma implique l’égalité entre les charges positives et négatives qui
s’écrit dans ce cas :
Ne = N A + N A+ +
2
(4)
II.2. Atomes excités

II.2.a. Etablissement des équations de conservation
Les processus pris en compte pour le peuplement des niveaux effectifs de l’atome d’Argon sont :
- Les collisions électroniques à partir des niveaux inférieurs (chocs inélastiques) et des niveaux
supérieurs (chocs super élastiques).
- Pour les niveaux 4s (N = 2 et 3), l’émission des raies issues des niveaux 4p (transitions 4p–4s),
pour lesquelles le plasma est plus ou moins absorbant.
- Pour le niveau 2p2 (N = 7), la recombinaison dissociative des ions A2+sur ce niveau.
- Les processus qui interviennent pour le dépeuplement d’un niveau sont :
- Les collisions électroniques à partir de ce niveau vers les niveaux inférieurs (collisions super
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élastiques) et vers les niveaux supérieurs (collisions inélastiques).

- Ionisation du niveau par choc électronique.
- Dépeuplement des niveaux 4p par émission de raies partiellement absorbées vers les niveaux 4s
(transition 4p–4s).
i/ Pour les niveaux effectifs inférieurs K = 2 et K = 3,

L’équation de conservation d’un niveau K se met sous la forme :
9
N e ∑ ( N I C IK − N K C KI ) + ∑A JK NJ − N K N e C K∞ = 0 (5)
I ≠K J =4
Peuplement et Dépeuplement Peuplement du Ionisation du niveau

du niveau K par collisions niveau K à partir K par choc électronique
électroniques des transitions issues
des niveaux 4p
- CIK(Te) : coefficient d’excitation (I < K) ou de désexcitation (I > K) du niveau I vers le niveau

K, fonction de la température électronique Te (cf. Chapitre Quatrième, paragraphes I.5.b et
I.6.b ; et annexe II).
- CKI(Te) : coefficient de désexcitation (I < K) ou d’excitation (I > K) du niveau K vers le niveau
I, fonction de la température électronique Te
- AJK : probabilité d’émission spontanée correspondant aux raies émises à partir des niveaux 4p
(4 ≤ J ≤ 9) sur les niveaux K et tenant compte de l’autoabsorption(cf. Chapitre Quatrième,
paragraphe II, et annexe VI).
- CK∞(Te) : coefficient d’ionisation du niveau K par choc électronique, fonction de la température
électronique (cf. Chapitre Quatrième, paragraphe I.1 ; et annexe II).
52
ii/ Pour les niveaux effectifs K (4 ≤ K ≤ 9),

L’équation de conservation d’un niveau K s’écrit :
N e ∑ ( N I C IK − N K C KI ) − N e N K C K∞ − ( AK 3 + AK 2 )N K = 0 (6)
I ≠K
Peuplement et Dépeuplement Ionisation du niveau Dépeuplement du niveau

du niveau K par collisions K par choc électronique K à partir des transitions
électroniques optique vers les niveaux 4s
- AK3 et AK2 : probabilités d’émission spontanée correspondant aux raies partiellement absorbées
issues du niveau K et aboutissant sur les niveaux 3 et 2 (cf. Chapitre Troisième, paragraphe III ;
et annexe I).
iii/ Cas particulier du niveau K = 7 (niveau 2p2)

En plus des collisions électroniques, ce niveau peut être peuplé à partir de la recombinaison
dissociative des ions A2+ suivant la réaction :
*
A2+ + e → A2 p2 + A
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Par unité de volume et de temps, le nombre d’états excités K = 7 produits par cette réaction est :
β Ne N A +
2
En utilisant la relation (1) qui exprime la conservation des électrons, on a :

 9

β N e N A = N e ∑ N I C I ∞ 
+
2
 I =1 
Compte tenu de ce peuplement supplémentaire, l’équation de conservation du niveau K = 7 peut se
mettre sous la forme :
[ ]
N e ∑ N I (C I 7 + C I ∞ ) − N 7 C 7 I − ( A73 + A72 )N 7 = 0 (7)
I ≠7
En posant C I' 7 = C I 7 + C I ∞ ,
on peut encore écrire :
[ ]
N e ∑ N I C I' 7 − N 7 C 7 I − ( A73 + A72 )N 7 = 0 (8)
I ≠7
En posant DI =
NI
(D1 = 1)
N1
et en ordonnant les différents termes des équations (5), (6) et (8) par rapport à DI, on obtient :
II.2.b. Niveau effectif N = 2

D2 C 2 − D3C32 − D4 C 42
*
− D5C52
*
− D6C 62
*
− D7 C72
*
− D8C82
*
− D9C92
*
= C12 (9)
A42 A A
avec C 2 = C 2 ∞ + ∑ C 2 I , C 42
*
= C 42 + *
, C52 = C52 + 52 , C 62
*
= C 62 + 62
I ≠2 Ne Ne Ne
A72 A A
*
C 72 = C 72 + *
, C82 = C82 + 82 , C92
*
= C92 + 92
Ne Ne Ne
53
II.2.c. Niveau effectif N = 3

− D2 C 23 + D3C3 − D4 C 43
*
− D5C53
*
− D6 C 63
*
− D7 C 73
*
− D8 C83
*
− D9 C93
*
= C13 (10)
A43 A A
avec C3 = C3 ∞ + ∑ C3 I , C 43
*
= C 43 + *
, C53 = C53 + 53 , C 63
*
= C 63 + 63
I ≠3 Ne Ne Ne
A73 A A
*
C 73 = C 73 + *
, C82 = C82 + 82 , C 93
*
= C 93 + 93
Ne Ne Ne
II.2.d. Niveau effectif N = 4

− D2 C 24 − D3C34 + D4 C 4* − D5C54 − D6C 64 − D7 C 74 − D8C84 − D9 C94 = C14 (11)
A43 + A42
avec C 4* = C 4 ∞ + ∑ C 4 I +
I ≠4 Ne
II.2.e. Niveau effectif N = 5

− D2 C 25 − D3C35 − D4C 45 + D5C5* − D6 C65 − D7 C 75 − D8C85 − D9C95 = C15 (12)
A53 + A52
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avec C5* = C5 ∞ + ∑ C5 I +
I ≠5 Ne
II.2.f. Niveau effectif N = 6

− D2C26 − D3C36 − D4C46 − D5C56 + D6C6* − D7C76 − D8C86 − D9C96 = C16 (13)
A63 + A62
avec C6* = C6 ∞ + ∑ C6 I +
I ≠6 Ne
II.2.g. Niveau effectif N = 7
i/ On ne tient pas compte du peuplement du niveau N = 7 par la

recombinaison dissociative.
− D2 C 27 − D3C37 − D4 C 47 − D5C57 − D6C 67 + D7 C 7* − D8C87 − D9C97 = C17 (14)
A73 + A72
avec C7* = C7 ∞ + ∑ C 7 I +
I ≠7 Ne
ii/ On tient compte du peuplement du niveau N = 7 par la recombinaison

dissociative.
− D2 C ' 27 − D3C '37 − D4C ' 47 − D5C '57 − D6C '67 + D7 C '*7 − D8C '87 − D9 C '97 = C '17 (15)
avec C '17 = C17 + C1∞ , C ' 27 = C 27 + C 2 ∞ , C '37 = C37 + C3 ∞ , C ' 47 = C 47 + C 4 ∞ , C '57 = C57 + C5 ∞ ,
A73 + A72
C ' 67 = C 67 + C 6 ∞ , C '*7 = ∑ C7 I + , C '87 = C87 + C8 ∞ , C '97 = C97 + C9 ∞
I ≠7 Ne
II.2.h. Niveau effectif N = 8

− D2 C 28 − D3C38 − D4C 48 − D5C58 − D6C 68 − D7 C78 + D8C8* − D9C98 = C18 (16)
A83 + A82
avec C8* = C8 ∞ + ∑ C8 I +
I ≠8 Ne
54
II.2.i. Niveau effectif N = 9

− D2 C 29 − D3 C39 − D4 C49 − D5 C59 − D6 C69 − D7 C79 − D8 C8 + D9 C9* = C19 (17)
A93 + A92
avec C9* = C9∞ + ∑ C9 I +
I ≠.9 Ne
II.3. Energie des électrons

En régime permanent et pour un plasma uniforme, l’équation de conservation de l’énergie des
électrons s’écrit :
P∈ = Pe + Pi + Pr (18)
r
- P∈ : puissance gagnée par unité de volume par les électrons dans le champ électrique ∈ .
- Pe : puissance transférée par unité de volume des électrons vers les particules lourdes (atomes
et ions) au cours des collisions élastiques.
- Pi : puissance perdue par unité de volume par les électrons au cours des collisions inélastiques
d’excitation et d’ionisation avec les atomes.
- Pr : puissance perdue par unité de volume par les électrons au cours de la recombinaison
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dissociative des ions A2+.

r
II.3.a. Puissance gagnée par les électrons dans le champ électrique ∈ .
r
Par unité de volume, la puissance Pe gagnée par les électrons dans le champ électrique ∈ est :
P∈ = σ ∈2 (19)
- σ : conductibilité électrique.
D’après Devoto, on a dans le cas de l’Argon [1] :
σ = G Ne (20)
3 e2 πm 1
avec G= (21)
4 m 8kTe N AQeo (Te ) + N eQei (Te )
Qeo (Te ) et Qei (Te ) sont les sections efficaces de collision électron-atome et électron-ion
Qeo(Te) = 4.10–24 (Te – 882,5) [en m2] (22)
Qei(Te) = 13,1.10–16 exp(-4,8.10– 4 Te) [en m2] (23)
Dans nos conditions expérimentales
NA Qeo(Te) >> Ne Qei(Te)
En exprimant NA en fonction de la pression p et de la température To des particules lourdes
(p ~ kNATo - cf. paragraphe III), G s’écrit :
3 2 kπ To
G= e (24)
4 8mTe p Qeo (Te )
II.3.b. Puissance transférée des électrons vers les atomes et les ions par collisions
élastiques
Par unité de volume, la puissance Pe transférée des électrons vers les particules lourdes (atomes et
ions) par les collisions élastiques est :
Pe = C (Te – To) (25)
55
avec
4mkN e
(ν eo + ν ei )
C= (26)
M
νeo et νei désignent respectivement les fréquences de collisions des électrons avec les atomes et les
ions.
ν eo = Qeo υ N A et ν eo = Qeo υ N A
où la vitesse moyenne des électrons est donnée par
8kTe
υ =
πm
Dans le cas du filament de plasma étudié : νeo >> νei . Dans ces conditions, et en utilisant la relation
p = k NA T0, on obtient :
4mpN e Qeo 8kTe
C = (27)
MTo πm
II.3.c. Puissance perdue par les électrons au cours des collisions inélastiques
d’excitation et d’ionisation des atomes
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i/ Puissance Pi perdue par unité de volume par les électrons au cours des
collisions inélastiques d’excitation et d’ionisation sans tenir compte du
peuplement partiel des niveaux 2p2 (N = 7) à partir de la recombinaison
Cf Annexe IV
9
Pi = N e E1∞ ∑ N I C I∞ + ∑ N K AKL (EK − EL ) (28)
I =1 K ,L
avec K>L, K ∈ {4,5,6,7,8,9} et L ∈ {2,3}

- Le premier terme de (28) :
9
N e E1∞ ∑ N I C I∞
I =1
représente la puissance mise en jeu par les électrons pour l’ionisation des atomes à partir des
différents niveaux excités, sachant que pour pouvoir ioniser un état I, les électrons ont dû
fournir l’énergie EI de ce niveau.
- Le deuxième terme de (28) :
9
Pi = N e E1∞ ∑ N I C I∞ + ∑ N K AKL (E K − E L )
I =1 K,L
correspond à la puissance émise par les raies (transition K → L) non absorbée par le plasma et
donc perdue pour les électrons.
Pour la résolution des équations, il est commode de mettre l’expression (28) sous la forme :
Pi = N e N 1 α * (Te , N e ) E1 ∞ (29)
9
DK  (E K − E 3 )AK 3 + (E K − E 2 )AK 2 
en posant : α * (Te , N e ) = α (Te , N e ) + ∑   (30)

K =4 N e  E1 ∞ 
9
NI
avec α (Te , N e ) = ∑ D I C I ∞ et DI = , D1 = 1 (31)
I =1 N1
56
Les valeurs numériques des énergies EK, E3, E2 et des probabilités de transition AK3 et AK2 pour le
plasma optiquement mince sont répertoriées dans les Tableau 2 et Tableau 3 du Chapitre Troisième.
 2,3867.106 
C1 ∞ + D2C2 ∞ + D3C3∞ + D4 C4 ∞ + +
 Ne 
 4,8343.106   3,5385.106 
D5 C5 ∞ +  + D6 6∞
C + +
 Ne   Ne 
α * (Te , N e ) = [en m3s-1] (32)
 3,8087.10   6
4,6129.10  6
D7 C7 ∞ +  + D8 C8 ∞ + +
 Ne   Ne 
 5,0358.106 
D9 C9 ∞ + 
 Ne 
ii/ Puissance P’i perdue par unité de volume par les électrons au cours des
collisions inélastiques d’excitation et d’ionisation en tenant compte du
peuplement partiel des niveaux 2p2 (N = 7) à partir de la recombinaison
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Cf Annexe IV
Dans ce cas, on doit retrancher dans l’expression de Pi (28), le terme β NA2+ Ne E7 qui représente la
puissance nécessaire pour l’excitation partielle des niveaux 2p2 (N = 7) provenant de la
recombinaison dissociative des ions A2+ et qui n’est plus mise en jeu par les électrons.
Pi ' = Pi − β N A+ N e E7 (33)
2
Sachant par ailleurs que :

9
β N A N e = ∑ Ne N I CI ∞
+
2
[Cf formule (1)]
I =1
P’i se met sous la forme :

9
P 'i = N e (E1∞ − E7 )∑ N I C I∞ + ∑ N K AKL (E K − E L ) (34)
I =1 K ,L
avec K>L, K ∈ {4,5,6,7,8,9} et L ∈ {2,3}

P’i peut encore s’écrire :
P'i = N e N 1 α ' * (Te , N e )(E1∞ − E 7 ) (35)
9  (E K − E 3 ) AK 3 + (E K − E 2 )AK 2 
α ' * (Te , N e ) = α (Te , N e ) + ∑
DK
en posant :
K =4 N e

 (E1∞ − E7 ) 

(36)
9
N
avec α (Te , N e ) = ∑ D I C I ∞ et DI = I , D1 = 1 (31)
I =1 N1
Numériquement, pour le plasma optiquement mince α '* (Te , N e ) s’écrit :
57
 1,5157.10 7 
C1∞ + D2C 2 ∞ + D3C3∞ + D4 C 4 ∞ + +
 Ne 
 3,0700.10 7   2,2471.10 7 
D5 C5 ∞ +  + D C
6  6∞ + +
 Ne   Ne 
α '* (Te , N e ) = [en m3s-1] (37)
 2,4187.10   7
2,9294.10  7
D7 C7 ∞ +  + D8 C8 ∞ + +
 Ne   Ne 
 3,1979.10 7 
D9 C9 ∞ + 
 Ne 
II.3.d. Puissance perdue par les électrons au cours de la recombinaison dissociative

des ions A2+
Par unité de volume, la puissance Pr perdue par les électrons au cours de la recombinaison
dissociative des ions A2+ s’écrit :
3
Pr = kTe β N A+ N e (38)
2 2
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En utilisant la relation
9
β N A N e = ∑ N e N I CI ∞ ,
+
2
I =1
on a encore :
9
= N e N 1 α (Te , N e ) kTe
3 3
Pr =
2
kTe N e ∑N C
I =1
I I∞
2
(39)
III. Equation d’état

Selon la loi de Dalton, relative à l’additivité des pressions partielles, la pression p dans le plasma se
met sous la forme :
[(
p = N A + N A+ + N A+ To + N eTe
2
) ]
où To désigne la température des particules lourdes, Te celle des électrons, et NA la densité des
atomes :
9
NA = ∑ NI
I =1
Cette relation peut encore s’écrire :

p = k [ AN 1To + N e (To + Te )]
9
avec A = ∑ DI (40)
I =1
Dans le cas du filament de plasma étudié, les populations des différents états excités et des
particules chargées (électrons, A+, A2+) sont toujours très inférieures à celle du fondamental.
NI N N + N A+
≅ 10 −5 , e ≅ 10 −5 , A ≅ 10 −5 , 2
≤ 10 −5 , N A ≅ N 1 et p ≅ kN1T0 (41)
N1 N1 N1 N1
58
IV. Détermination des principales grandeurs caractéristiques du

filament de plasma
IV.1. Détermination des températures des particules lourdes To et des
électrons Te
L’équation (18) de conservation de l’énergie permet d’établir, compte tenu des expressions (19),
(25), (29) ou (35) une relation relativement simple entre To et Te sous la forme :
= F (To , Te , N e )
To
Te
où la fonction F(T0, Te, Ne) ne dépend que faiblement de To.
IV.1.a. On ne tient pas compte du peuplement partiel du niveau 2p2 (N = 7) par la

recombinaison dissociative des ions A2+
Dans ces conditions, on a :
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σ ∈2 = C (Te − To ) + α *(Te , N e ) N e N1 E1 ∞ + α (Te , N e ) N e N1

3
kTe (42)
2
avec :
Eq.(20) : σ = G Ne
3 2 kπ To
Eq.(24) : G= e
4 8mTe pQeo (Te )
4mpN e Qeo (Te ) 8kTe
Eq.(27) : C=
MTo πm
9
DK  (E K − E3 ) AK 3 + (E K − E 2 )AK 2 
Eq.(30) : α * (Te , N e ) = α (Te , N e ) + ∑  
K =4 N e  E1 ∞ 
9
N
Eq.(31) : α (Te , N e ) = ∑ D I C I ∞ et DI = I , D1 = 1
I =1 N1
A partir des relations (42), (20), (24), (25) et (41), on établit l’expression du rapport To/Te :
1/ 2
p 4Qeo  32mQeo  α E1 ∞  3 α kTe  8m 
*
To  To
= F (To , Te , N e ) =  1 −  + 1 + 
 2 α * E  π 
(43)
e∈ 3  Mπ  (kTe )
3/ 2
Te  Te  1∞  
Numériquement le dernier membre de cette relation se met sous la forme :
1/ 2
p   T  α*  α Te 
7,2070.10 Qeo 1,3970.10 − 4 Qeo 1 − o
18
 + 75,2449 3 / 2 1 + * 
5 
(44)
∈   Te  Te  α 1,2238.10 
avec Qeo = 4.10 −24 [Te − 882,5] [en m2]
IV.1.b. Prise en compte du peuplement partiel du niveau 2p2 (N = 7) par la

recombinaison dissociative des ions A2+
Dans ce cas l’équation de conservation de l’énergie (18) s’écrit :
59
σ ∈2 = C (Te − To ) + α ' * (Te , N e )N e N 1 (E1 ∞ − E7 ) +α (Te , N e )N e N 1 kTe

3
(45)
2
σ et C se calculent à l’aide des formules (24) et (27).
9
DK  (E K − E3 )AK 3 + (E K − E 2 )AK 2 
α ' * (Te , N e ) = α (Te , N e ) + ∑   (36)
K =4 N e  (E1∞ − E7 ) 
9
NI
α (Te , N e ) = ∑ D I C I ∞ et DI = , D1 = 1 (31)
I =1 N1
On établit l’expression du rapport To/Te en utilisant les formules (45), (24), (25) et (41).
= F (To ,Te , Ne ) =
To
Te
p 4Qeo  32mQeo  To  α '*(E1∞ − E7 )  3 α

1/ 2
kTe  8m  (46)
=  1 −  + + 
( )  π 
1
e ∈ 3  Mπ  Te  (kTe )3/ 2 
 2 α '* E1 ∞ − E7  
Numériquement le dernier membre s’écrit :
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1/ 2
p   T  α '*  α Te 
7,2070.10 Qeo 1,3970.10 −4 Qeo 1 − o  + 11,8487 3 / 2 1 +
18

4  (47)
∈   Te  Te  α '* 1,9271.10 
IV.2. Détermination de la densité électronique Ne

La densité de courant J s’exprime en fonction du champ électrique ∈ par l’expression :
J = σ∈ (48)
J = I / πR2
- I : intensité du courant de décharge, R : rayon du filament de plasma.
- σ : conductibilité électrique.
σ = G Ne (20)
3 2 kπ To
et G= e (24)
4 8 mTe pQeo (Te )
avec Qeo (Te ) = 4.10 −24 (Te − 882,5) [en m2] (22)
On obtient, à partir de (48) :
T
p e Qeo (Te )
4 8m J
Ne = (49)
3e 2 kπ ∈ To
Numériquement :
T
p e (Te − 882,5) [en m-3]
J
N e = 8,5162.1010 (50)
∈ To
60
IV.3. Détermination de la densité des ions A+ et A2+

IV.3.a. Ions A+
En utilisant la relation (2) qui exprime la conservation des ions, on obtient :
N α (Te , N e )
N A+ = e (51)
N1 kc (To )
9
NI
α (Te , N e ) = ∑ D I C I ∞ et DI = , D1 = 1
I =1 N1
- kc : coefficient de formation des ions A2+ (cf. Chapitre IV, paragraphe I-3, formule 15).
 − To 
kc = 2,26.10 −43 exp  [m6.s-1]
 11604,5 
IV.3.b. Ions A2+

La relation (1) de conservation des électrons permet d’écrire :
α (Te , N e )
N A+ = N 1
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(52)
2
β (To )
- β(Te) : coefficient de recombinaison dissociative des ions A2+ (cf. Chapitre IV, paragraphe I-4,
formule 19)
−0 , 6 1
 Te 
β (Te ) = 9,1.10 −13
  [m3.s-1]
 300 
IV.4. Expression de la neutralité électrique

N e = N A+ + N A+ (4)
2
N A+ N A+
soit + 2
=1
Ne Ne
En utilisant les relations (51) et (52), l’expression (4) se met sous la forme :
1 α (Te , N e ) N1 α (Te , N e )
+ = 1 (53)
N1 kc (To ) N e β (Te )
61
IV.5. Récapitulation des équations et caractérisation du plasma

IV.5.a. Les grandeurs connues à partir de l’expérimentation
- J : densité du courant.
- ∈ : champ électrique.
- p : pression.
IV.5.b. Les grandeurs inconnues au nombre de 14

- Te : température des électrons,
- To: température des particules lourdes,
- Ne : densité des électrons,
- NA+ : densité des ions A+,
- NA2+ : densité des ions A2+,
- NI : densité des neuf niveaux effectifs I (1 ≤ I ≤ 9)
IV.5.c. Les équations au nombre de 14

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i/ Huit équations indépendantes relatives aux niveaux K = 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9

permettant le calcul des rapports Dk=Nk/N1
- Lorsqu’on ne tient pas compte du peuplement du niveau N = 7 par la recombinaison
dissociative des ions A2+, ces équations s’écrivent :
+ D2 C2 – D3 C32 – D4 C*42 – D5 C*52 – D6 C*62 – D7 C*72 – D8 C*82 – D9 C*92 = C12 (9)
* * * * * *
– D2 C23 + D3 C3 – D4 C 43 – D5 C 53 – D6 C 63 – D7 C 73 – D8 C 83 – D9 C 93 = C13 (10)
*
– D2 C24 – D3 C34 + D4 C 4 – D5 C54 – D6 C64 – D7 C74 – D8 C84 – D9 C94 = C14 (11)
*
– D2 C25 – D3 C35 – D4 C45 + D5 C 5 – D6 C65 – D7 C75 – D8 C85 – D9 C95 = C15 (12)
*
– D2 C26 – D3 C36 – D4 C46 – D5 C56 + D6 C 6 – D7 C76 – D8 C86 – D9 C96 = C16 (13)
*
– D2 C27 – D3 C37 – D4 C47 – D5 C57 – D6 C67 + D7 C 7 – D8 C87 – D9 C97 = C17 (14)
*
– D2 C28 – D3 C38 – D4 C48 – D5 C58 – D6 C68 – D7 C78 + D8 C 8 – D9 C98 = C18 (16)
*
– D2 C29 – D3 C39 – D4 C49 – D5 C59 – D6 C69 – D7 C79 – D8 C89 + D9 C 9 = C19 (17)
A42 A52 A62

C2 = C2 ∞ + ∑ C2I *
C 42 = C 42 + *
C 52 = C 52 + *
C 62 = C 62 +
I ≠2 Ne Ne Ne
A72 A82 A92

*
C 72 = C 72 + *
C82 = C82 + *
C 92 = C 92 +
Ne Ne Ne
A43 A53 A63

C3 = C3 ∞ + ∑ C3I *
C 43 = C 43 + *
C 53 = C 53 + *
C 63 = C 63 +
I ≠3 Ne Ne Ne
A73 A83 A93

*
C 73 = C 73 + *
C83 = C83 + *
C93 = C93 +
Ne Ne Ne
A43 + A42 A53 + A52

C 4* = C 4 ∞ + ∑ C 4 I + C5* = C5 ∞ + ∑ C5 I +
I ≠4 Ne I ≠5 Ne
62
A63 + A62 A73 + A72

C 6* = C 6∞ + ∑ C 6 I + C 7* = C 7 ∞ + ∑ C 7 I +
I ≠4 Ne I ≠7 Ne
A83 + A82 A93 + A92

C8* = C8 ∞ + ∑ C8 I + C9* = C9 ∞ + ∑ C9 I +
I ≠8 Ne I ≠9 Ne
- Si on prend en compte de la recombinaison dissociative des ions A2+ pour le peuplement du

niveau 2p2 (N = 7), alors l’équation (14) doit être remplacée par l’équation (15).
− D2C27
'
− D3C37' − D4C47
'
− D5C57' − D6C67' + D7C7'* − D8C87' − D9C97' = C17' (15)
C17' = C17 + C1∞ '

C 67 = C 67 + C 6∞
A73 + A72
'
C 27 = C 27 + C 2 ∞ C7'* = C7' − C1∞ = ∑ C7 I +
I ≠7 Ne
C 37' = C 37 + C 3∞ C87' = C87 + C8 ∞

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'
C 47 = C 47 + C 4 ∞ C 97' = C 97 + C 9 ∞
C57' = C57 + C5 ∞
ii/ Equation permettant le calcul du rapport To/Te = F(Te,To,Ne)

- Si on ne tient pas compte du peuplement du niveau N = 7 par la recombinaison
dissociative des ions A2+, on a
1/ 2
To p   T  α*  α Te 
= 7.2070.1018 Qeo 1,3970.10 − 4 Qeo 1 − o  + 75,2449 3 / 2 1 + * 
5 
(44)
Te ∈   Te  Te  α 1,2238.10 
9
DK  (E K − E3 ) AK 3 + (E K − E 2 )AK 2 
α * (Te , N e ) = α (Te , N e ) + ∑   (30)

K =4 N e  E1 ∞ 
9
NI
α (Te , N e ) = ∑ D I C I ∞ et DI = , D1 = 1 (31)
I =1 N1
Qeo(Te) = 4.10–24 (Te – 882,5) [en m2] (22)
- En tenant compte du peuplement du niveau N = 7 par la recombinaison dissociative des
ions A2+, il vient
1/ 2
To p   T  α '*  α Te 
= 7.2070.1018 Qeo 1,3970.10 − 4 Qeo 1 − o  + 11,8487 3 / 2 1 + '*  (47)
∈  α 1,9271.10
4
Te   Te  Te 
9  (E K − E3 ) AK 3 + (E K − E 2 ) AK 2 
α ' * (Te , N e ) = α (Te , N e ) + ∑
DK
K =4 N e

 (E1∞ − E7 ) 

(36)
9
N
α (Te , N e ) = ∑ D I C I ∞ et DI = I , D1 = 1 (31)
I =1 N1
Qeo(Te) = 4.10–24 (Te – 882,5) [en m2] (22)
63
Les probabilités de transition AK3 et AK2 qui interviennent dans les expressions de α* et α’*
dépendent de l’autoabsorption des raies (4p – 4s) par le plasma (Cf. Chapitre Quatrième, paragraphe
II ; et Annexe VI)
Pour le plasma optiquement mince, les probabilités de transition AK3 et AK2 sont répertoriées dans le
Tableau 3 du Chapitre Troisième.
Dans ce cas α*(Te,Ne) et α’*(Te,Ne) s’écrivent respectivement :
 2,3867.10 6 
C1 ∞ + D2 C 2 ∞ + D3C 3 ∞ + D4 C 4 ∞ + +
 Ne 
 3,5205.10 6   3,5385.10 6 
D5 C 5 ∞ +  + D6 C 6 ∞ + +
 Ne   Ne 
α * (Te , N e ) = [en m3.s-1] (32)
 3,8087.10  6
4,6129.10  6
D7 C 7 ∞ +  + D8 C8 ∞ + +
 Ne   Ne 
 5,0358.10 6 
D9 C 9 ∞ + 
 Ne 
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 1,5157.10 7 
C1 ∞ + D2 C 2 ∞ + D3 C 3 ∞ + D4 C 4 ∞ + +
 Ne 
 2,2357.10 7   2,2472.10 7 
D5 C 5 ∞ +  + D6 C 6 ∞ + +
 Ne   Ne 
α '*(Te , N e ) = [en m3.s-1] (37)
 2,4187.10   7
2,9295.10  7
D7 C 7 ∞ +  + D8 C8 ∞ + +
 Ne   Ne 
 3,1980.10 7 
D9 C 9 ∞ + 
 Ne 
Pour le plasma complètement opaque, AK3 = AK2 = 0
α * (Te , N e ) = α '*(Te , N e ) = α (Te , N e )
Lorsque le plasma est partiellement absorbant, les probabilités de transition AK3 et AK2 qui tiennent
compte de l’autoabsorption des raies sont fonctions des températures To et Te et de la densité
électronique Ne.
iii/ Equation relative à la densité électronique

T
p e (Te − 882,5) [en m-3]
J
N e = 8,5162.1010 (50)
∈ To
iv/ Equation d’état

9
p = kAN 1T0 + k N e (Te + To ) avec A = ∑ DI (40)
I =1
p − kN e (Te + To )
N1 = [en m-3] (51)
kATo
64
v/ Equation relative à la densité des ions A2+

N α (Te , N e )
N A+ = e [en m-3] (52)
N1 k c (To )
vi/ Equation relative à la densité des ions A2+

α (Te , N e )
N A+ = N 1 [en m-3] (53)
2
β (To )
vii/ Equation exprimant la neutralité électrique

1 α (Te , N e ) N 1 α (Te , N e )
+ = 1 (54)
N 1 k c (To ) N e β (Te )
IV.5.d. Principe du calcul

On se donne au départ une température électronique Te ; à l’aide des équations relatives aux
populations des niveaux excités (9), (10), (11), (12), (13), (14) ou (15), (16) et (17), de l’équation
concernant le rapport To/Te (44) ou (47) et de l’équation de la densité électronique (50), on
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détermine par itération DK (K = 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9), To et Ne.

On en déduit les valeurs de N1, NA+, et NA2+ à partir des équations (51), (52) et (53).
- Si la température électronique Te, choisie au départ, est la bonne température, l’équation (54)
qui exprime la neutralité électrique doit être satisfaite.
- Dans le cas contraire, on recommence le calcul avec une autre température électronique jusqu’à
ce que l’équation de la neutralité électrique soit vérifiée1.
V. Influence de la diffusion
Pour la caractérisation du plasma de la décharge filamentaire on suppose que le plasma est
uniforme ; cette hypothèse, dont nous allons vérifier le bien-fondé, est justifiée par l’importance des
processus volumiques de création et de disparition des différentes particules mises en jeu par
rapport à la diffusion.
Pour évaluer l’effet de la diffusion, on envisage une distribution parabolique des densités des
particules de la forme :
  2r  2 
N (r ) = N (0 ) 1 −    (55)
  d  
- d : diamètre de la colonne,
- N(r) : densité des particules au rayon r,
- N(0) : densité des particules au centre de la colonne (r = 0),
Par unité de temps, le nombre de particules qui s’échappent par diffusion de l’unité de volume est :
 dN   1 d  dN  16 D N (0 )
  = −D  r  = (56)
 dt  diff  r dr  dr  d2
1
Les calculs ayant été faits à l’aide du tableur Excel, nous nous sommes servis, en fait, de la fonction dite « valeur cible » dudit
tableur, ce qui nous a permis d’éviter des tâtonnements fastidieux et d’obtenir directement, par un processus d’itération
automatique, programmé dans la fonction précitée, les diverses réponses cherchées.
65
V.1. Cas des ions atomiques A+

Le coefficient de diffusion ambipolaire Da des ions A+ [2] [3] s’écrit :
Te To
Da = 1,2.10−22 (57)
p Qio (To )
Qio(To) est la section efficace de collision ion-atome
Qo
Qio = 1/ 8
avec Qo = 8,5.10-19 m-2
 kTo 
 
 e 
Dans nos conditions expérimentales, T0 = 1500 K, Te = 11300 K, Ne = 2.1020 m-3. Il vient alors :
NA+ = 1020 m-3 ; NA2+ = 5.1019 m-3 ; N1 = 5.1024 m-3 ; d = 2.10-4 m ; p = 105 Pa ; Da = 4,8.10-4 m2.s-1 ;
V.1.a. Disparition des ions A+ par diffusion :

 dN A+ 
  = 2,9.1025 m-3.s-1
 dt  diff
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V.1.b. Disparition des ions A+ pour former les ions A2+:

 dN A+ 
  = 7,5.1026 m-3.s-1
 dt  form.A2+
 dN A+   dN A+ 
  >>  
 dt  form. A2+  dt  diff
La disparition des ions atomiques A+ pour former les ions moléculaires A2+ par une réaction à trois
corps est nettement plus importante que la diffusion (facteur 25).
V.2. Disparition des ions moléculaires A2+

V.2.a. Disparition des ions moléculaires A2+ par diffusion ambipolaire
 dN A2+ 
  = 1.1025 m-3.s-1
 dt 
  diff
V.2.b. Disparition des ions A2+ par recombinaison dissociative

 dN A2+ 
  = β N A+ N e
 dt  2
  rec.diss .
−0 , 61
 Te 
avec β = 9,1.10 −13
  [en m3.s-1]
 300 
 dN A2+ 
  =1.1027 m-3.s-1
 dt 
  rec.diss.
Le processus de recombinaison dissociative est de loin le processus dominant pour la disparition des
ions A2+.
66
V.3. Disparition des électrons

V.3.a. Disparition des électrons par diffusion ambipolaire
 dN e 
  = 3,8.1025 m-3.s-1
 dt  diff
V.3.b. Disparition des électrons par recombinaison dissociative

 dN e 
  = 1.1027 m-3.s-1
 dt  rec. diss .
 dN e   dN e 
  >>  
 dt  rec. diss .  dt  diff
Le processus de recombinaison dissociatif des ions A2+ est encore le processus le plus important
pour la disparition des électrons.
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67
VI. Références bibliographiques

(1) R.S. Devoto Phys. Fluids 9 (1966) p. 1230.
(2) Y. Raizer « Gas Discharge Physics » éd. Springs (1997)
(3) W. Cramer J . Chem. Phys. 26 (1957) 1272

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68
Chapitre VI - Caractérisation du Plasma
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Chapitre Sixième.
Caractérisation du plasma
69
I. Introduction
L’expérimentation (voir Chapitre Deuxième) fournit, à une pression donnée, les quatre principaux
paramètres qui caractérisent le fonctionnement de la décharge, à savoir :
- le diamètre d du plasma,
- le courant I de la décharge,
- le champ électrique ∈,
- la pression p.
A partir de ces données et dans l’hypothèse d’un plasma uniforme, l’utilisation de l’ensemble des
équations établies au chapitre V (paragraphe IV-5) permet de remonter aux principales grandeurs
caractéristiques du plasma au nombre de 14 :
- la température des électrons : Te,
- la température des particules lourdes : To,
- la densité des électrons : Ne,
- la densité des ions atomiques A+ : NA+,
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- la densité des ions moléculaires A2+ : NA2+,

- la densité des atomes excités et dans l’état fondamental : NI avec 1 ≤ I ≤ 9 (9 niveaux effectifs),
La résolution de ces équations nécessite la connaissance des probabilités de transition Ak2 et Ak3,
associées aux niveaux effectifs qui doivent éventuellement tenir compte de l’absorption des raies
issues des niveaux 4p par le plasma.
Pour un plasma optiquement mince, Ak2 et Ak3 sont déterminées au chapitre III à partir des valeurs
des probabilités de transitions Aij des raies (4p – 4s).
Dans le cas d’un plasma optiquement épais (Aij = 0) avec Ak2 = Ak3 = 0.
Le calcul des probabilités de transition à considérer pour un plasma uniforme partiellement
absorbant est plus complexe et fait l’objet du paragraphe suivant.
On montre, dans ce cas, que le plasma se comporte comme un plasma uniforme optiquement mince,
mais avec des probabilités de transitions plus faibles.
II. Probabilités de transition d’un plasma uniforme absorbant

On considère un plasma cylindrique uniforme de diamètre d et de longueur infinie (Figure 18),
caractérisé par les paramètres géométriques suivants :
r
l = OM = OP + PM
 OP = d sin α (cos α i + sin α j )
r r
avec  r
 PM = h k
r r r r
soit l = d sin α cos α i + d sin ²α j + h k ⇒ l = d ² sin ²α + h ²
r r
HM = d sin α cos α i + j d (sin ²α − 1 / 2)
r
l. j d sin ²α
cos θ = =
l l
r
l.HM d sin ²α
cos Φ = =
lHM l
70
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Figure 18 : Plasma cylindrique uniforme de diamètre d et de longueur infinie
L’intensité I’ d’une raie de fréquence ν, rayonnée dans la direction X’X en présence d’absorption
au point O de la surface latérale du cylindre s’écrit (chapitre IV paragraphe II–2–3–2) :
I’ = K I (1)
- I : intensité de la raie rayonnée dans la direction X’X au point O sans absorption :
I = ε.l (2)
- ε : coefficient d’émission de la raie :
hν
ε=
N i Aij
4π
- l : longueur de plasma traversé par le rayonnement suivant la direction X’X.
- K : facteur correctif qui tient compte de l’absorption de la raie.
Dans le cas d’un profil de la raie lorentzien, on a montré au Chapitre Quatrième (paragraphe II.2.c)
que K peut s’exprimer en fonction de l’épaisseur optique τ(ν’0) au centre de la raie et se mettre avec
une bonne approximation sous la forme :
1
K= avec a = 0,2 (3)
1 + aτ (ν 'o )
avec τ(ν’0) = k(ν’0). l
2
 h 
et l = d sin α 1 +   (4)
 d sin α 
En posant τ0 = k(ν’0).d , K s’écrit :
1
K= (5)
2
 h 
1 + aτ o sin α 1 +  
 d sin α 
71
La puissance dP’ de rayonnement, émise au point O par unité de surface dans l’angle solide dΩ
autour de la direction X’X est :
d dα dh cos Φ
dP’ = I’ dΩ cosθ avec dΩ = (6)
l2
d sin ²α
et cos θ = cos Φ = (7)
l
En utilisant les expressions (1), (2), (3), (4), (5), (6) et (7), dP’ se met sous la forme
ε sin α dα dh
dP' = (8)
  h 2    h  
3 /2 2
1 +    1 + aτ o sin α 1 +  
  d sin α     d sin α  

La puissance P’, émise par unité de surface au point O dans l’angle solide 2π s’écrit :
 
 
 
π  +∞ dh 
P' = ε ∫ sin α ∫  dα
−∞
  h 2   2 
o 3 / 2
  h  
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 1 +    1 + aτ o sin α 1 +   
   d sin α     d sin α   

En posant
+∞ dh
F (α ) = ∫ (9)
−∞
  h  2

3/ 2
  h  
2
1 +    1 + aτ o sin α 1 +   
  d sin α   
  d sin α  

π
P' = ε ∫ sin α F (α ) dα (10)
o
Dans le cas du plasma optiquement mince (τo=0), F(α) est égal à Fo(α) avec
+∞ dh
F0 (α ) = ∫ = 2 d sinα
−∞ 3/ 2
  h 2 
1 +   
  d sin α  
La puissance P, émise par unité de surface au point O dans l’angle solide 2π est alors :
P = π.ε.d (11)
Cette valeur de P peut s’obtenir directement en calculant la puissance de rayonnement émise à
travers S vers l’extérieur du cylindre :
π d 2h
soit × 4π ε = π d h P , d’où P = π ε d
4
Compte tenu de l’expression (10), P’ se met sous la forme :
P' = π ε ' d
π
∫ F (α ) sin α dα
avec ε' = ε o
(12)
πd
soit ε’=R.ε et A’ij=R.Aij avec
72
π
∫ F (α ) sin α dα
R=
o
(13)
πd
En remarquant que F(α) ≤ Fo(α), on vérifie que le coefficient R reste toujours inférieur ou tout au
plus égal à l’unité (R ≤ 1)
Donc tout se passe pour la puissance P’, émise en présence d’absorption, comme si le plasma était
optiquement mince, à condition de prendre des probabilités de transition A’ij=R.Aij , inférieures aux
probabilités de transition réelles (R ≤ 1).
Les calculs de F(α) et du coefficient R sont effectués dans l’annexe VI.
Les valeurs de R, calculées en fonction du paramètre τ0 = k(ν’0).d, sont réunies dans le Tableau 13.
τ0 0 0,2 0,5 1 1,5 2 3 4 5 6 7 8 9 10
R 1 0,951 0,890 0,807 0,739 0,683 0,595 0,528 0,475 0,433 0,396 0,365 0,339 0,317
R
1 0,951 0,890 0,807 0,740 0,683 0,594 0,527 0,474 0,431 0,395 0,365 0,339 0,317
Eq.(14)
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R
1 0,961 0,910 0,833 0,769 0,714 0,625 0,555 0,500 0,455 0,417 0,384 0,357 0,333
Eq.(15)
Tableau 13: Valeurs du coefficient R en fonction du paramètre τ0=k(ν’0).d
R peut s’obtenir en fonction de τ0 avec une très bonne approximation à l’aide de la formule
approchée :
1
R= (14)
1 + 0,2391574 (τ o )
0 , 9542760
On vérifie également que les valeurs de R sont relativement proches (∆R/R ≤ 5%) de celles du
coefficient K (formule 3) correspondant à une longueur d’absorption égale au diamètre d du
cylindre, soit :
1
R= (15)
1 + 0,2τ o
III. Détermination des grandeurs caractéristiques du plasma

III.1. Equations utilisées
( Voir Chapitre Cinquième, paragraphe IV.5)
III.1.a. Les huit équations relatives au calcul des rapports de la population des états
excités k à celle du fondamental.
N
Dk = k (0 ≤ k ≤9)
N1
Dans le cas du plasma opaque (probabilités de transition nulles), les rapports Dk ne dépendent que
de la température électronique Te.
Pour le plasma optiquement mince ou partiellement absorbant, Dk est fonction de Ne et de Te.
73
III.1.b. L’équation relative au calcul du rapport To/Te

Ce rapport se déduit de la conservation de l’énergie (Chapitre Cinquième, paragraphe IV.1).
Dans le cas général (prise en compte du peuplement du niveau N = 7 par la recombinaison
dissociative des ions A2+) il s’écrit :
1/ 2
To p   T  α '*  α Te 
= 7,2070.1018 Qeo 1,397.10 − 4 Qeo 1 − o  + 11,8487 3 / 2 1 + 
4 
(16)
Te ∈   Te  Te  α '* 1,9271.10 
∞
NI
α (Te , N e ) = ∑ C I∞ D I avec D I =
I =1 N1
9
Dk  (E k − E 2 )Ak 2 + (E k − E3 )Ak 3 
α '*(Te , N e ) = α (Te , N e ) + ∑  
k =4 N e  (E1∞ − E7 ) 
Les valeurs des probabilités de transition Ak3 et Ak2 à utiliser dans l’expression de α’*(Te,Ne)
tiennent compte éventuellement de l’absorption des raies correspondant aux transitions (4p – 4s) par
le plasma. Dans le cas d’un plasma optiquement épais, Ak2 = Ak3 = 0 et α’*(Te)= α(Te)
A titre de comparaison, il est intéressant de déterminer le rapport To/Te, lorsqu’on ne prend pas en
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compte le peuplement du niveau N = 7 par la recombinaison dissociative des ions A2+. Dans ce cas,
le rapport To/Te se met sous la forme :
1/ 2
To p   T  α*  α Te 
= 7,2070.1018 Qeo 1,397.10 − 4 Qeo 1 − o  + 75,2449 3 / 2 1 +  (17)
∈  α * 1,2238.10
5
Te   Te  Te 
9
Dk  (E k − E 2 )Ak 2 + (E k − E3 )Ak 3 
avec α * (Te , N e ) = α (Te , N e ) + ∑  
k =4 N e  E1∞ 
III.1.c. Equation reliant la densité électronique Ne à la densité du courant J et au

champ électrique ∈
T
p e (Te − 882,5) [en m-3]
J
N e = 8,5162.1010 (18)
∈ To
III.1.d. Equation d’état permettant le calcul de la densité N1 des atomes dans l’état
fondamental
p − k N e (Te + To ) 9
N1 = avec A = ∑ DI (19)
k A To I =1
III.1.e. Densité des ions

N e α (Te , N e )
N A+ = (20)
N1 k c (To )
α (Te , N e )
et N A+ = N1 (21)
2
β (Te )
−0 , 61
 Te 
avec β (Te ) = 9,1.10 −13
  [en m3/5]
 300 
 To 
et k c (To ) = 2,26.10 −43 exp −  [en m6.s-1]
 11604,5 
74
III.1.f. Equation exprimant la neutralité électronique

1 α (Te , N e ) N α (Te , N e )
+ 1 = 1 (22)
N1 k c (To ) N e β (Te )
III.2. Résolution des équations

La résolution de l’ensemble des équations permettant d’obtenir les grandeurs caractéristiques du
plasma (densités du fondamental et des états excités, densité électronique , densités des ions A+ et
A2+, température électronique Te, température des particules lourdes To) est effectuée par ordinateur
en utilisant le tableur Excel.
En allant du plus simple au plus compliqué, on envisage successivement le cas du plasma
optiquement épais, le cas du plasma optiquement mince et le cas du plasma partiellement absorbant.
III.2.a. Plasma optiquement épais

Les probabilités de transition Ak2 et Ak3 (4 ≤ k ≤ 9) sont nulles ; dans ce cas, les rapports Dk (k = 2,
3, …., 8, 9) ne dépendent que de la température électronique Te.
On se donne, au départ une température électronique Te à partir de laquelle on calcule les huit
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rapports Dk, ainsi que les coefficients α(Te)=α*(Te)=α’*(Te). Les relations (16) ou (17) et (18)
permettent d’obtenir T0 et Ne.
La densité du fondamental N1, les densités NA+ et NA2+ des ions A+et A2+ se déduisent
respectivement des relations (19), (20) et (21). Si la température électronique Te choisie au départ
est la « bonne température », l’équation (22) exprimant la neutralité électronique du plasma est
vérifiée ; dans le cas contraire, on envisage une autre température électronique et cela jusqu’à ce
que la relation (22) soit satisfaite.
III.2.b. Plasma optiquement mince

Les probabilités de transition Ak2 et Ak3 (4 ≤ k ≤ 9) sont connues ; cependant, le calcul des
paramètres du plasma est plus compliqué que précédemment, car dans ce cas, les rapports Dk sont
fonctions de Te et Ne .
On se donne une température électronique Te; à l’aide des huit équations concernant les rapports Dk,
de l’équation relative au rapport To/Te (16) ou (17) et de la relation relative à la densité électronique
(18), on détermine par itération l’ensemble des rapports Dk, To et Ne. On en déduit ensuite les
valeurs de N1, NA+ et NA2+ à partir des équations (19), (20) et (21). La température électronique Te
est la « bonne température », lorsque l’équation (22), relative à la neutralité électrique du plasma,
est satisfaite.
III.2.c. Plasma partiellement absorbant

On a montré dans ce cas (voir paragraphe II du présent chapitre ) que le plasma se comporte comme
un plasma optiquement mine ; mais avec des probabilités de transition plus faibles dont les valeurs
dépendent des grandeurs caractéristiques du plasma (To, Te, Ne). A partir des températures (To)o,
(Te)o et de la densité électronique (Ne)o du plasma optiquement mince, on calcule les probabilités de
transition (formule 13) correspondant à l’absorption des raies par le plasma. On détermine ensuite
en utilisant les probabilités de transition ainsi obtenues les températures (To)1, (Te)1 et la densité
(Ne)1, lesquelles conduisent à des nouvelles probabilités de transition et à des nouvelles valeurs des
températures (To)2, (Te)2 et de densité électronique (Ne)2.
Le calcul converge rapidement et on obtient, après un petit nombre d’itérations (3 ou 4), les
températures et les densités des différentes particules du plasma partiellement absorbant avec une
très bonne précision (10-3).
75
III.3. Résultats
III.3.a. Modèle prenant en compte l’ensembles des niveaux 4p et 4s
i/ Caractérisation de la décharge et comparaison avec l’expérience

On envisage d’abord le cas d’une décharge filamentaire dans l’Argon pour laquelle la température
To des particules lourdes est connue expérimentalement.
Cette décharge fonctionne à la pression atmosphérique (p = 1 bar) dans les conditions suivantes :
- Courant de décharge : I = 7.10-3 A,
- Diamètre de la colonne de plasma : d = 2.10-4 m,
- Champ électrique : ∈ = 8000 V/m.
La température To = 4000 K a été mesurée par spectroscopie moléculaire à partir à partir de la
bande d’émission du radical OH [(A2Σ+,ν=0)→(X2π,ν’=0)]
La résolution de l’ensemble des équations rassemblées dans le paragraphe précédent (III.1), permet
de déterminer les grandeurs caractéristiques de la décharge dans différentes situations : plasma
partiellement absorbant (Tableau 14) et plasma optiquement mince (Tableau 15).
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Dans chaque cas, on étudie l’effet du peuplement partiel du niveau N = 7 par la recombinaison
Plasma partiellement absorbant
Le peuplement partiel du niveau N = 7 par la recombinaison dissociative des ions A2+ est pris en compte
Te To N e NA + NA 2 + 1N 2N 3N 4N 5N 6N 7N 8N 9N
20 -3 20 -3 19 -3 24 -3 20 -3 20 -3 19 -3 19 -3 19 -3 19 -3 18 -3 18 -3
K K 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m
11260 1411 1,85 1,43 4,09 5,13 2,95 1,21 1,90 9,84 3,23 1,49 3,87 3,01
Le peuplement partiel du niveau N = 7 par la recombinaison dissociative des ions A2+ n’est pas pris en compte
Te To N e NA + NA 2 + N 1 N 2 N 3 N 4 N 5 N 6 N 7 N 8 N 9
20 -3 20 -3 19 -3 24 -3 20 -3 20 -3 19 -3 19 -3 19 -3 19 -3 18 -3 18 -3
K K 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m
12850 1907 1,69 1,44 2,57 3,80 1,05 0,433 0,735 3,82 1,26 0,440 1,55 1,45
Tableau 14: Grandeurs caractéristiques de la décharge dans la cas d’un plasma partiellement
absorbant
Plasma optiquement mince
Le peuplement partiel du niveau N = 7 par la recombinaison dissociative des ions A2+ est pris en compte
20 -3 20 -3 19 -3 24 -3 20 -3 20 -3 19 -3 19 -3 19 -3 19 -3 18 -3 18 -3
K K 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m
11280 1544 1,7 1,36 3,50 4,69 2,90 1,13 1,61 7,98 2,73 1,26 3,28 2,54
Le peuplement partiel du niveau N = 7 par la recombinaison dissociative des ions A2+ n’est pas pris en compte
20 -3 20 -3 19 -3 24 -3 20 -3 20 -3 19 -3 19 -3 19 -3 19 -3 18 -3 18 -3
K K 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m 10 m
12830 1933 1,66 1,41 2,47 3,74 1,10 0,436 0,712 3,60 1,23 0,427 1,50 1,40
Tableau 15: Grandeurs caractéristiques de la décharge dans la cas d’un plasma optiquement mince
76
Le cas du plasma partiellement absorbant avec prise en compte du peuplement partiel du niveau
N = 7 par la combinaison dissociative des ions A2+, permet d’obtenir une valeur de la température
des particules lourdes To = 1411 K (Tableau 14) très proche de celle qui a été mesurée
(To = 1400 K) à partir du spectre moléculaire de OH.
On note des différences significatives entre les différentes grandeurs caractéristiques du plasma
suivant le cas envisagé ; on peut vérifier notamment que le peuplement partiel du niveau N = 7 par
la combinaison dissociative est un processus relativement important qui doit être pris en compte
pour décrire exactement le plasma ; pour des conditions identiques de fonctionnement de la
décharge, ce processus qui favorise l’ionisation permet d’obtenir pour des températures des
électrons et des particules lourdes plus faibles, des densités de particules chargées et d’états excités
plus importants (Cf. Tableau 14 et Tableau 15).
Par ailleurs, l’autoabsorption des raies correspondant aux transitions (4p – 4s), même relativement
faible, est aussi un facteur à ne pas sous estimer, par exemple pour un plasma optiquement mince
(Tableau 15), Te = 11280 K, To = 1544 K et Ne = 1,7.1020 m-3, alors que pour le plasma
partiellement absorbant (Tableau 14), Te = 11260 K, To = 1411 K et Ne = 1,85.1020 m-3,
ii/ Répartition des niveaux d’énergie. Graphique de Boltzmann

Sur la Figure 19, on a tracé le graphique de Boltzmann yI=Log(NI/gI) en fonction du nombre d’onde
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σI du niveau I) pour le plasma partiellement absorbant et optiquement mince avec ou sans

peuplement partiel du niveau N = 7 par la recombinaison dissociative des ions A2+.
Dans le cas d’un plasma en équilibre thermodynamique à la température T, le graphique de
Boltzmann se réduit à une droite, dont la pente est inversement proportionnelle à la température T.
N N hcσ I
y I = Log I = Log 1 −
gI g1 kT
Sur la Figure 19, on vérifie, pour le peuplement partiel du niveau N = 7 par la recombinaison
dissociative des ions A2+, que les points relatifs aux niveaux s (2, 3) et 4p (4,5 6, 8, 9), excepté
N = 7, sont situés sur des droites dont les pentes correspondent à des températures bien inférieures à
la température électronique Te : pour le plasma optiquement mince T = 8169 K alors que
Te = 11280 K (Cf. Traits continus sur la Figure 19.a), et T = 8664 K avec Te = 11260 K pour le
plasma absorbant (Cf. Traits continus sur la Figure 19.b).
On obtient des résultats analogues lorsqu’on ne prend pas en compte le peuplement partiel du
niveau N = 7 par la recombinaison dissociative des ions A2+ ; pour le plasma optiquement mince
T = 9051 K alors que Te = 12830 K (Cf. Pointillés sur la Figure 19.a), et T = 9321 K pour
Te = 12850 K pour le plasma absorbant (Cf. Pointillés sur le Figure 19.b).
Ce résultat, qui est important pour l’expérimentation, montre qu’il s’agit en fait d’un pseudo
équilibre de Boltzmann qui correspond à une température T, bien inférieure à la température
électronique Te.
On constate également, sur la Figure 19, que le peuplement partiel du niveau N = 7 par la
recombinaison dissociative des ions A2+, augmente notablement les populations des états 4s et 4p ;
en particulier, les points figuratifs des niveaux 4s sont très proches (légèrement au dessus) de la
droite d’équilibre de Boltzmann correspondant à la température électronique Te.
Par suite de l’émission des raies à partir des niveaux 4p, qui sont ainsi dépeuplés au profit des
niveaux 4s, les populations des niveaux 4p restent inférieures à celles de l’équilibre
thermodynamique à la température électronique Te et cela d’autant plus que le plasma est moins
absorbant.
77
On observe également que, dans le cas du peuplement partiel du niveau N = 7 par la recombinaison
dissociative des ions A2+, le point représentatif de N = 7 se situe nettement au dessus de la droite du
pseudo équilibre de Boltzmann passant par les autres points caractéristiques des niveaux 4p.
a/ Plasma optiquement mince

46
45
Te=12830K
yI=Log(NI/gI)
44
Te=11280K
43
T=8169K
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42
T=9051K
41
92000 94000 96000 98000 100000 102000 104000 106000 108000 110000
-1
σ [cm ]
b/ Plasma absorbant
46
45
Te=12850K
yI=Log(NI/gI)
44
Te=11260K
43
T=8664K
42
T=9321K
41
92000 94000 96000 98000 100000 102000 104000 106000 108000 110000
-1
σ [cm ]
Figure 19 : Graphes de Boltzmann
∆) et Sans (
Avec (∆ ) peuplement de N=7 par recombinaison dissociative des ions A2+
78
iii/ Caractérisation de la décharge pour diverses conditions de

fonctionnement
Les températures des électrons et des particules lourdes (Te et To), les densités des particules
chargées (Ne, NA2+, NA+), les densités des atomes dans l’état fondamental et des états excités 4s et
4p sont répertoriées dans le Tableau 16 et le Tableau 17, et tracées, en fonction du courant I de
décharge (4.10-3 A < I < 11.10-3 A) sur les Figure 20.a à Figure 20.e pour le plasma partiellement
absorbant, avec et sans prise en compte du peuplement de N = 7 par la recombinaison dissociative
des ions A2+.
Dans les deux cas, la température électronique Te reste pratiquement constante et indépendante du
courant de décharge ; par contre la température To des particules lourdes augmente d’une manière
significative (facteur de l’ordre de 2) en passant des basses intensités (I ~ 4,8.10-3 A) aux fortes
intensités (I ~ 11.10-3 A).
De même, on observe une croissance rapide avec I de la densité électronique Ne (Ne ~ I²) et de la
densité NA+ des ions A+ alors que la densité NA2+ des ions moléculaires A2+ diminue.

Avec prise en compte du peuplement de N = 7 par la recombinaison dissociative des ions A2+
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I E Te To Ne NA + NA 2 + N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 N9
mA V/m K K 10.19m-3 10.19m-3 10.19m-3 10.19m-3 10.19m-3 10.19m-3 10.19m-3 10.19m-3 10.19m-3 10.19m-3 10.18m-3 10.18m-3
4,8 15000 11220 866 7,18 2,35 4,83 8,36 49,60 20,2 2,25 11,1 3,36 1,47 3,88 2,85
5,8 10000 11280 1252 11,3 6,93 4,20 5,78 35,3 14,5 1,94 9,84 3,12 1,41 3,67 2,78
6,8 7500 11240 1504 17,4 13,8 3,66 4,82 27,3 11,2 1,72 8,85 2,90 1,33 3,47 2,67
7,8 6500 11200 1604 23,2 19,8 3,42 4,51 24 9,86 1,62 8,45 2,81 1,30 3,39 2,65
8,8 6000 11180 1658 28,0 24,8 3,21 4,37 22,5 9,23 1,58 8,28 2,77 1,29 3,36 2,65
10 5500 11150 1711 34,3 31,2 3,16 4,23 20,8 8,55 1,52 8,01 2,70 1,27 3,29 2,61
11 5000 11120 1799 39,9 37,2 2,72 4,02 19 7,81 1,42 7,50 2,54 119 3,11 2,47
Tableau 16: Caractéristiques de la décharge en fonction du courant I – Plasma partiellement
absorbant – Avec prise en compte du peuplement du niveau N=7 par recombinaison dissociative de A2+

Sans prise en compte du peuplement de N = 7 par la recombinaison dissociative des ions A2+
I E Te To Ne NA + NA 2 + N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 N9
mA V/m K K 10.19m-3 10.19m-3 10.19m-3 10.19m-3 10.19m-3 10.19m-3 10.19m-3 10.19m-3 10.19m-3 10.19m-3 10.18m-3 10.18m-3
4,8 15000 12770 1106 6,89 2,89 3,99 6,55 23,1 9,35 1,15 5,67 1,76 0,59 2,67 1,81
5,8 10000 12870 1629 10,7 7,65 3,03 4,44 14,3 5,85 0,858 4,36 1,40 0,481 1,69 1,54
6,8 7500 12800 1999 16,1 13,8 2,33 3,62 9,89 4,06 0,677 3,51 1,16 0,402 1,41 1,32
7,8 6500 12740 2180 20,9 18,9 2,02 3,32 8,16 3,36 0,599 3,13 1,04 0,366 1,29 1,21
8,8 6000 12700 2279 24,9 23 1,90 3,18 7,31 3,02 0,559 2,94 0,986 0,347 1,22 1,15
10 5500 12660 2401 29,9 28,3 1,60 3,01 6,50 2,69 0,517 2,74 0,923 0,826 1,15 1,09
11 5000 12600 2538 34,4 33 1,42 2,85 5,77 2,39 0,47 2,49 0,843 0298 1,05 1,00
Tableau 17: Caractéristiques de la décharge en fonction du courant I – Plasma partiellement
absorbant – Sans prise en compte du peuplement du niveau N=7 par recombinaison dissociative de A2+
79
Les populations du fondamental et des états excités subissent d’abord une décroissance rapide aux
faibles intensités et plus lente ensuite aux fortes intensités.
L’ensemble de ces résultats peut s’expliquer assez facilement à partir des relations (17), (18), (19),
(20) et (21) qui caractérisent le fonctionnement de la décharge, sachant que la densité de courant J
croît en même temps que I, alors que le champ électrique ∈ diminue.
Dans ces conditions, la température électronique restant sensiblement constante, les formules (17) et
(18) montrent que Ne et To augmentent nécessairement avec I, entraînant, d’après (19) la
décroissance de N1 ; il en résulte la croissance de NA+, proportionnelle à Ne et inversement
proportionnelle à N1 (formule 20) et la décroissance de NA2+ (formule 21) et des densités NI des
états excités (NI = DI.N1), proportionnelle à N1.
Il convient également de souligner l’importance du peuplement partiel du niveau N = 7 à partir de
la recombinaison dissociative des ions A2+ qui se traduit par un accroissement substantiel des
populations de particules chargées et excitées pour des températures électroniques et des particules
lourdes nettement inférieures.
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Figure 20 : Caractérisation de la décharge pour diverses conditions de fonctionnement

[Symboles pleins ∼ avec niveau N = 7 ; Symboles vides ∼ sans N = 7]
14000
12000
10000
Température [K]
8000
6000
4000
2000
0
4 5 6 7 8 9 10 11 12
I [mA]
) et Température des lourds To (
a/ Température électronique Te ( )
80

50
40
Densité [10 m ]
30
-3
19
20
10
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0
4 5 6 7 8 9 10 11 12
I [mA]
b/ Densités des particules chargées : Ne, NA+ et ∆ NA2+
50
40
Densité [10 m ]
30
-3
19
20
10
0
4 5 6 7 8 9 10 11 12
I [mA]
c/ Densités des états excités : ∆ N2, N3 et N4
81

12
10
8
Densité [10 m ]
-3
19
4
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0
4 5 6 7 8 9 10 11 12
I [mA]
d/ Densités des états excités : N5, N6 et ∆ N7
0,5
0,4
Densité [10 m ]
0,3
-3
19
0,2
0,1
0,0
4 5 6 7 8 9 10 11 12
I [mA]
e/ Densités des états excités : ∆ N8 et N9
82
III.3.b. Utilisation de modèles plus simples
i/ Modèle à trois niveaux (niveau fondamental et niveaux 4s)

Les niveaux 4s se réduisent aux deux niveaux effectifs 2 et 3 , caractérisés par les rapports
N N
D2 = 2 et D3 = 3 .
N1 N1
Les niveaux 4p n’étant pas pris en compte le peuplement partiel du niveau N = 7 par la
recombinaison dissociative des ions A2+ et l’auto-absorption des raies correspondant aux transitions
(4p – 4s) n’interviennent pas.
D2 et D3 obéissent aux équations suivantes :
D2 C2 ─ D3 C32 = C12 (23)
─D2 C23 + D3 C3 = C13 (24)
avec C2 = C21 + C23 + C2∞ et C3 = C31 + C32 + C3∞
Le rapport To/Te se met plus simplement sous la forme :
1/ 2
To p   T  α  Te 
Qeo 1.397.10 − 4 Qeo 1 − o
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= 7,2070.1018  + 75,2449 3 / 2 1 +  ( 25)

Te ∈   Te  T  1,2238.10
5

avec α = C1∞ + C 2∞ D 2 + C 3∞ D3 et Qeo (Te ) = 4.10 −24 (Te − 882,5) [en m-2]
L’équation permettant d’obtenir la population de l’état fondamental s’écrit :
p − kN e (Te + To )
N1 = (19)
kATo
avec A = 1 + D2 + D3
Les autres équations, relatives à la densité électronique et à la densité des ions, sont inchangées.
T
p e (Te − 882,5) [en m-3]
J
N e = 8,5162.1010 (18)
∈ To
N e α (Te )
N A+ = [en m-3] (20)
N 1 kc(To )
α (Te )
et N A+ = N 1 [en m-3] (21)
2
β (Te )
Pour I = 7.10-3 A et ∈ = 8000 V/m, à une pression p = 1 bar, les valeurs des différentes grandeurs
caractéristiques de la décharge, obtenues dans le cadre du modèle à trois niveaux, sont répertoriées
dans le Tableau 18 et comparées aux valeurs calculées en tenant compte des niveaux 4p avec
absorption partielle des raies issues de ces niveaux et peuplement de N = 7 par la recombinaison
a/ Modèle à 3 niveaux (fondamental + niveaux 4s)

Te (K) To (K) Ne (m-3) NA+ (m-3) NA2+ (m-3) N1 (m-3) N2 (m-3) N3 (m-3)
13670 1784 2,3.1020 2.1020 3.1019 4.1024 4,9.1020 2,1.1020
83
b/ Modèle à 9 niveaux (fondamental et niveaux 4s et 4p) - Plasma partiellement

absorbant et peuplement de N = 7 par la recombinaison dissociative des ions A2+
Te (K) To (K) Ne (m-3) NA+ (m-3) NA2+ (m-3) N1 (m-3) N2 (m-3) N3 (m-3)
11260 1411 1,85.1020 1,43.1020 4,09.1019 5,13.1024 2,95.1020 1,21.1020
Tableau 18: Grandeurs caractéristiques de la décharge - Modèle à trois niveaux d’énergie

[I = 7.10-3 A, є = 8000 V/m, p = 1 bar]
Les valeurs des différents paramètres de la décharge, calculées en utilisant le modèle à 3 niveaux
qui ne prend pas en compte les états 4p, présentent des différences relativement importantes avec
les valeurs obtenues à partir du modèle le plus performant élaboré précédemment (absorption des
raies issues des niveaux 4p et peuplement partiel du niveau N = 7 par la recombinaison dissociative
des ions A2+).
C’est ainsi que l’on note des écarts de l’ordre de 50 % sur la densité des états 4s, de 30 % pour NA+
et NA2+, de 20 % pour les températures (Te et To), de 10 % sur la densité électronique Ne.
Ces écarts résultent essentiellement du supplément d’ionisation apporté par la prise en compte des
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niveaux 4p dans le modèle à 9 niveaux.
ii/ Modèle à un niveau d’énergie

Dans ce modèle très simple, seul le niveau fondamental est pris en compte. Le rapport To/Te, les
populations N1 du niveau fondamental, les densités électroniques Ne, les densités des ions NA+ et
NA2+ se calculent respectivement à partir des expressions (25), (19), (18), (20) et (21) avec :
α(Te) = C1∞ et A = 1.
Pour I = 7.10-3 A et є = 8000 V/m, on obtient à une pression p = 1 bar.
Te (K) To (K) Ne (m-3) NA+ (m-3) NA2+ (m-3) N1 (m-3)
17445 2175 2,39.1020 2,14.1020 0,25.1020 3,33.1024

Tableau 19: Grandeurs caractéristiques de la décharge - Modèle à un niveau d’énergie
Les valeurs répertoriées dans le Tableau 19 sont très différentes de celles présentées dans le Tableau
18 ; ces différences importantes s’expliquent en remarquant que dans le modèle à un niveau
d’énergie, la production d’électrons provient uniquement de l’ionisation du niveau fondamental ;
pour une même température électronique, elle est donc beaucoup plus faible que celles qui
interviennent dans les deux modèles précédents qui prennent en compte, en plus du fondamental, les
niveaux 4s ou même les niveaux 4s et 4p.
84
IV. Caractéristique Ne = f(Te) à To = cte

IV.1. Equations utilisées
IV.1.a. Neutralité électrique
N e = N A+ + N A +
2
Ne α
Densité des ions atomiques : N A+ = (20)
N1 k c
α
Densité des ions moléculaires : N A+ = N 1 (21)
2
β
En portant les expressions de NA+ et de NA2+ dans l’équation de neutralité électrique, on établit une
relation entre Ne et N1.
N α α
Ne = e + N1 ,
N1 k c β
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α 1
soit N e = N1 (23)
β α 
1 − 
 k c N1 
On remarque que le rapport (α/kc.N1) doit toujours rester inférieur à l’unité pour que la neutralité
électrique soit satisfaite :
α
< 1.
k c N1
IV.1.b. Equation d’état

[ ( )
p = k ( N 1 + N 2 + N 3 + ... N 9 )To + N A+ + N A+ To + N e Te
2
]
En posant
N2 N N
D2 = , D3 = 3 , ⋅ ⋅ ⋅ , D9 = 9 et A = 1 + D2 + D3 + ⋅ ⋅ ⋅ + D9 ,
N1 N1 N1
p k − N e (Te + To )
on obtient : N1 = (19)
ATo
IV.1.c. Expression de N1 et Ne en fonction de Te et To

En remplaçant dans l’équation (19), la densité électronique Ne par son expression en fonction de N1
(formule (23)), on aboutit à une équation du second degré en N1 de la forme :
 α Te + To  α p p α
N12 ATo 1 +  − N1  ATo +  + = 0 (24)
 β ATo   kc k  k kc
La résolution de cette équation donne deux solutions pour N1
85
p α
 +
 p α  4 pα 2 (Te + To )
ATo  ±  − ATo  1 −
 k kc   k kc  βkk c  p αAT  2
 − o

 k k 
N1 =
c
(25)
 α Te + To 
2 ATo 1 + 
 β ATo 
La relation (19) permet ensuite de déterminer à partir de (25) l’expression de Ne en fonction de Te et
T o.
 
 
p 
1 + 2
α e o
T + T  αATo  p αATo 
 − 
4 pα 2 (Te + To ) 
±  −  1 − 
k β ATo   k c k kc  β kk c  p αATo 
2

 − 
 
 k kc  
Ne = (26)
 α Te + To 
2(Te + To )1 + 
 β ATo 
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La formule (26) montre que la caractéristique Ne = f(Te) à To donnée est constituée de deux
branches :
- - la branche des basses densités électroniques correspondant à l’expression
 
 
p
1 + 2
α Te + To  αATo  p αATo 
 − 
4 pα 2 (Te + To ) 
+  −  1 − 
k β ATo   k c k kc  β kk c  p αAT  2 
 − o

 k k 
  c  
Ne = (27)
 α Te + To 
2(Te + To )1 + 
 β ATo 
- - la branche des densités électroniques élevées définie par l’expression
 
 
p
1 + 2
α Te + To  αATo  p αATo 
 − 
4 pα 2 (Te + To ) 
−  −  1 − 
k β ATo   k c k kc  β kk c  p αATo 
2

 − 
 
 k kc  
Ne = (28)
 α Te + To 
2(Te + To )1 + 
 β ATo 
IV.2. Tracé de la caractéristique Ne = f(Te) à To = Cte

Le tracé de cette caractéristique est largement facilité par la construction de la courbe Ne = F(α)
(équations 27 et 28) où le paramètre α est considéré comme une variable indépendante et les
températures Te et To fixées.
α est défini par l’expression suivante (Chapitre Cinquième, paragraphe II.3.c) :
α ( N e , Te ) = C1∞ (Te ) + D2 (N e , Te )C2∞ (Te ) + D3 ( N e , Te )C3∞ (Te ) + ⋅ ⋅ ⋅ + D9 ( N e , Te )C9∞ (Te )
Dans le cas général (plasma transparent ou partiellement absorbant où Aij ≠ 0 ), α est une fonction
croissante de Ne et Te qui s’obtient, pour une valeur de Ne et Te donnée, en résolvant le système des
86
huit équations permettant de déterminer les rapports D2, D3, …, D9 (Chapitre Cinquième,
paragraphe IV.5.c). On désigne par Ne = G(α) la courbe associée aux variations de α en fonction de
Ne à Te = Cte ; on note que cette courbe est indépendante de la température des lourds To ; α ne
dépend que de Te lorsque le plasma est optiquement épais pour toutes les transitions (4p – 4s) avec
Aij = 0. Dans ce cas la courbe Ne = G(α) est une droite verticale dont l’abscisse est déterminée par
la valeur de α pour la température Te. Les courbes Ne = F(α) et Ne = G(α), pour To et Te données,
ont la forme indiquée sur la Figure 21.
Les deux branches de la courbe Ne = F(α) se rejoignent au point Q (tangente verticale)
correspondant à la valeur de α qui annule le radical
1−
4 pα 2 (Te + To ) .
β k kc  p α A T  2
 − o

 k k c 
Il existe deux valeurs de α qui remplissent cette
condition :
p k
αm = . (29)
 A To p ATo (Te + To ) 
 +2 
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 kc β k kc ATo 
et
p k
α 'm = (30)
 ATo p ATo (Te + To ) 
 −2  Figure 21 : Allures des courbes Ne = F(α) et
 kc β k kc ATo  Ne = G(α) pour To et Te données
Seule la première de ces deux valeurs, αm, qui permet d’obtenir Ne > 0, est à retenir. La densité
électronique correspondante est :
2
 p  kc
(N e )m =  
1
(31)
 k A To  β  p kc (Te + To )  p kc (Te + To )
 1+ 
 k β ATo A To  k β ATo A To
L’intersection des courbes Ne = F(α) et Ne = G(α), pour To et Te données, permet de déterminer la

densité électronique du plasma correspondant à ces températures.
Pour une température To fixée, plusieurs cas sont à envisager :
Premier cas :
La température (Te)1 est telle que les courbes Ne = F(α) et
Ne = G(α) présentent deux points d’intersection, P11 et P21
(Figure 22), situés respectivement sur la branche inférieure et
sur la branche supérieure de Ne = F(α) (équations 27 et 28).
Figure 22 : Ne = f(Te) à To = Cte;

Cas n°1
87
Deuxième cas :
Pour la température électronique (Te)2 > (Te)1 (Figure 23), le
point d'intersection P22 coïncide avec le point Q à tangente
verticale de la courbe Ne = F(α). Les valeurs α22 du
paramètre α et (Ne)22 de la densité électronique sont
respectivement égales à αm et (Ne)m obtenues avec Te=(Te)2
(formules 29 et 31).

Cas n°2
Troisième cas :
Pour une température électronique (Te)3 > (Te)2 (Figure 24),
les deux points d'intersection P13 et P23 sont situés sur la
branche inférieure de la courbe Ne = F(α), définie par
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l’équation (27).

Cas n°3
Quatrième cas :
Pour une température électronique (Te)4 > (Te)3 (Figure 25),
les deux courbes Ne = F(α) et Ne = G(α) sont tangentes en
Po4 ; les deux points d’intersection P14 et P24 sont confondus
en Po4 auquel correspond une seule densité électronique
(Ne)o4.

Cas n°4
Dernier cas :
Aux température plus élevées (Te > (Te)4), les deux courbes
ne se coupent plus et il n’est alors plus possible d’attribuer
une densité électronique Ne au plasma, correspondant à la
température To des particules lourdes.
Les densités électroniques déterminées sur les Figure 22 à Figure 25, permettent de construire la
caractéristique du plasma Ne = F(Te) à To = Cte (Figure 26). Les deux branches de cette
caractéristique, caractérisant respectivement les basses et les hautes densités électroniques, se
88
raccordent au point Mo4 avec une tangente verticale ; ce point correspond à la température
électronique maximale (Te)m = (Te)4 qu’il est possible d’atteindre pour une température donnée To
des particules lourdes.
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Figure 26 : Construction de la caractéristique du plasma Ne = F(Te) à To = Cte
L’existence de cette température électronique maximale est due à l’augmentation du coefficient α

avec Te qui ne permet plus de réaliser la neutralité électrique pour Te > (Te)m
Par ailleurs, on constate que, sur la branche supérieure de la caractéristique, la densité électronique
Ne augmente alors que la température électronique décroît. Ce résultat, quelque peu surprenant,
s’explique en remarquant que dans cette région à forte densité électronique, la pression p s’écrit
simplement par p = Ne k(Te+T0), le terme k N1 A T0 étant négligeable devant le terme Ne k(Te+T0).
Il est important de remarquer que, pour les densités électroniques élevées (Ne > 1022 m-3, voir
Chapitre Quatrième, paragraphe I.2), la recombinaison dissociative des ions A2+ n’est plus le
principal processus de la disparition des électrons. On doit tenir compte, également, de la
disparition des ions A+ par recombinaison à trois corps, le troisième corps étant un électron.
De même, aux basses densités électroniques (Ne < 1018 m-3, voir Chapitre Quatrième, paragraphe
I.3), il est nécessaire de prendre en considération la dissociation thermique des ions A2+. Ces deux
derniers processus limitent respectivement du côté des hautes températures et des basses
températures la caractéristique Ne = f(Te) à To = Cte, tracée en ne considérant que la recombinaison
dissociative comme seul processus de disparition des électrons et des ions A2+.
Les caractéristiques du plasma, Ne = f(Te) pour les températures des particules lourdes To = 1000 K,
1200 K, 1400 K, 1600 K, 1800 K et 2000 K sont présentées sur les Figure 27(a) à Figure 27(f) pour
le plasma optiquement mince, partiellement absorbant et épais ; on a également tracé les variations
de la température électronique maximale (Te)m en fonction de To (Figure 28) dans le cas du plasma
partiellement absorbant.
Pour une température To, on vérifie que la température électronique Te qui permet d’obtenir une
densité électronique Ne donnée est d’autant plus faible que le plasma est absorbant ; il en est de
même pour la température électronique maximale (Te)m.
89
Figure 27 : Caractéristiques du plasma Ne = f(Te) pour diverses valeurs T0 de température des lourds
[ Valeurs ‘normales’ des Aij ; ∆ Valeurs’ modifiées’ des Aij ; Aij=0 ]
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a/ T0 = 1000 K - p = 105 Pa
b/ T0 = 1200 K
90
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c/ T0 = 1400 K
d/ T0 = 1600 K
91
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e/ T0 = 1800 K
f/ T0 = 2000 K
92
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Figure 28 : Température électronique maximale (Te)m en fonction de la température T0 des lourds
V. Conclusion
Dans ce chapitre, on a montré que dans un plasma cylindrique uniforme, il est possible de tenir
compte simplement de l’auto absorption des raies en utilisant des probabilités de transition
A’ij = R Aij inférieures aux probabilités de transition réelles Aij, le coefficient R (R < 1) étant une
fonction de l’épaisseur optique τo = k(νo’).d au centre de la raie pour une épaisseur de plasma égale
au diamètre d de la colonne.
La détermination dans différentes situations des principales caractéristiques du plasma (température
électronique, température des particules lourdes, densité des particules chargées, densités des
atomes dans l’état fondamental et dans les états excités ) a permis de mettre en évidence deux
processus particulièrement importants qui doivent être pris en compte pour la caractérisation de ce
type de milieu plasmagène :
- Le peuplement partiel du niveau N = 7 à partir de la recombinaison dissociative des ions
moléculaires A2+,
- L’auto absorption par le plasma des raies issues des niveaux 4p,
En tenant compte de ces deux processus, on obtient une température des particules lourdes
To = 1411 K, très proche de celle (To = 1400 K) qui a été déterminée expérimentalement à partir du
spectre moléculaire OH.
Par ailleurs, que le plasma soit optiquement mince ou absorbant, le tracé de la caractéristique
Ne = f(Te) à To = Cte, montre que pour une température donnée To des particules lourdes, la
température électronique Te ne peut en aucun cas dépasser une valeur maximale (Te)m qui décroît à
mesure que To augmente [Cf. Figure 28].
93
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94
Chapitre VII - Conclusion Générale
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Chapitre Septième.
Conclusion Générale
95
I. Conclusion générale
Compte tenu des difficultés (très petit diamètre, faible densité électronique) rencontrées pour le
diagnostic des décharges filamentaires à faible intensité et forte pression dans les gaz rares, très peu
de travaux expérimentaux ont été réalisés à ce jour sur ces milieux plasmagènes ; aussi était-il
intéressant d’envisager un modèle capable, à partir de la connaissance du petit nombre de
paramètres qui conditionnent le fonctionnement de la décharge (intensité du courant, champ
électrique, diamètre, pression) de déterminer les principales grandeurs physiques (températures des
électrons et des particules lourdes, densités des électrons et des ions atomiques et moléculaires,
densités des états excités) caractérisant le plasma.
Par ailleurs, la modélisation a aussi le mérite de pouvoir comparer l’importance relative des divers
processus physiques mis en jeu.
Pour construire notre modèle, nous avons pris en compte l’ensemble des niveaux 4s (métastables et
résonnants) et des niveaux 4p, soit au total 15 niveaux en comptant le fondamental.
Par commodité, les niveaux énergétiques proches sont regroupés en niveaux effectifs, au nombre de
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neuf.
L’étude détaillée des principaux mécanismes de création et de disparition des électrons intervenant
dans ce type de décharge a mis en évidence le rôle fondamental joué par les ions moléculaires A2+
de l’argon dont la formation est favorisée par la basse température et la haute pression du milieu.
- Ils se forment à partir des ions atomiques A+, par une réaction à 3 corps, du type :
A+ + A + A → A2+ + A
- Ils disparaissent par recombinaison dissociative suivant la réaction :
A2+ + e → A* + A
A* est un atome excité sur un niveau 4p (2p2) qui, en ayant ensuite la possibilité d’être facilement
ionisé par choc électronique, constitue une source supplémentaire non négligeable d’électrons.
En particulier, ce processus explique probablement la faible décroissance de la densité électronique
observée le long des jets laminaires de chalumeau à plasma d’argon [1].
Pour les densités électroniques Ne ≤ 1022 m-3, ce qui est le cas de la décharge filamentaire étudiée
(Ne ≈ 2.1020 m-3), la recombinaison dissociative est plus importante pour la disparition des électrons
que la recombinaison à trois corps (le troisième étant un électron) ou la recombinaison radiative.
La recombinaison dissociative des ions A2+ est également prépondérante par rapport à la
dissociation thermique
A2+ + A → A+ + A + A ,
processus inverse de la formation des ions A2+, pour des densités électroniques Ne > 5.1018 m-3 ;
cette condition est largement satisfaite pour le filament de plasma.
L’ionisation se fait par chocs électroniques essentiellement à partir des niveaux 4s et 4p plus
facilement ionisables que le fondamental.
Le calcul du nombre d’électrons produits par unité de volume et de temps (Chapitre Quatrième,
paragraphe II.1) montre qu’il est possible de se ramener à à un modèle à un seul niveau d’énergie
(le fondamental) à condition de remplacer le coefficient d’ionisation C1∞ de ce niveau par un
coefficient d’ionisation α(Te, Ne), plus important et de la forme :
α = C1 ∞ + D2 C 2 ∞ + D3C 3 ∞ + .....DI C I ∞ + ..... + .....D9 C 9 ∞
96
NI
avec DI =
N1
Dans nos conditions expérimentales, cette relation indique que la production d’électrons à partir de
l’ionisation des états 4s (N = 2 et 3) est environ 100 fois plus grande que celle en provenance du
niveau fondamental (N = 1), alors que l’ionisation à partir des états 4p (4 ≤ N ≤ 9) est environ 500
fois plus importante.
Les sections efficaces d’excitation par choc électronique à partir du niveau fondamental et de
chacun des niveaux 4s et 4p vers les niveaux supérieurs, ont été calculées numériquement en
fonction de l’énergie de l’électron incident par K.Bartschat et V.Zeman, en utilisant une méthode de
matrice R de Breit – Pauli [2].
Les valeurs des sections efficaces ainsi calculées, sont en général en accord satisfaisant avec les
valeurs expérimentales obtenues par une équipe de physiciens (Piech, Boffard et al.) [3], travaillant
dans le domaine des processus collisionnels à l’Université du Wisconsin ; elles sont certainement
beaucoup plus précises que celles qui ont été jusqu’à maintenant déduites de formules semi-
empiriques n’ayant pas une justification physique très rigoureuse.
Le coefficient d’excitation Cji(Te), entre un niveau inférieur j et le niveau supérieur i est obtenu par
intégration numérique de la section efficace sur la fonction de distribution des vitesses
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électroniques, supposée maxwellienne.

Les raies rouges de l’Argon correspondant aux transitions (4p – 4s), caractérisées par des
probabilités de transition Aij importantes, sont en général assez fortement absorbées par le plasma ;
on a montré à partir de l’équation de transfert du rayonnement que dans le cas d’une colonne
cylindrique uniforme, tout se passe pour le calcul de l’intensité d’une raie auto absorbée , comme si
elle était émise par un plasma optiquement mince avec une probabilité de transition Aij’ = Rij.Aij
inférieure ou au plus égale à la probabilité de transition réelle Aij ; le coefficient Rij (Rij ≤ 1) est
fonction uniquement de l’épaisseur optique τ0 = k(νo’).d au centre de la raie pour une épaisseur de
plasma égale au diamètre d de la colonne.
Les raies de résonance issues du niveau 4s, très fortement absorbées par le plasma, n’interviennent
pas dans le dépeuplement de ces niveaux par émission spontanée de photons résonnants vers le
fondamental.
Les équations de conservation des particules chargées (électrons, ions atomiques et moléculaires) et
des atomes excités (2 ≤ N ≤ 9), l’équation de conservation de l’énergie des électrons, l’équation
d’état du plasma, l’équation exprimant la neutralité électrique et l’équation relative à l’expression
de la densité de courant en fonction du champ électrique, permettent à partir des valeurs des
paramètres qui définissent le fonctionnement de la décharge (intensité, diamètre, champ électrique,
pression) de déterminer l’ensemble des grandeurs caractéristiques du plasma (températures des
électrons et des particules lourdes, densités des électrons et des ions atomiques et moléculaires,
densités du fondamental et des états excités).
La résolution de l’ensemble de ces équations au nombre de 14 est effectuée par approximations
successives. Tous les cas de figure, en allant du plasma optiquement mince au plasma optiquement
épais, ont été envisagés.
- La caractérisation du plasma optiquement épais est la plus simple à réaliser ; dans ce cas, les
probabilités de transition Ak2 et Ak3 (4 ≤ N ≤ 9) sont nulles et les rapports
N
DI = I (2 ≤ I ≤ 9)
N1
ne dépendent que de la température électronique Te.
97
- Pour la plasma optiquement mince, les probabilités de transition sont bien connues, mais la
résolution du système d’équations est rendue difficile par le fait que les rapports DI sont
fonctions, à la fois de Te et Ne, ce qui nécessite une double itération pour le calcule de Te, Ne et
To.
- La détermination des grandeurs caractéristiques du plasma est encore plus complexe dans le cas
du plasma partiellement absorbant ; on sait en effet que ce type de plasma se comporte comme
un plasma optiquement mince, mais avec des probabilités de transition plus faibles qui
dépendent à la fois de Ne, Te et To.
A partir des valeurs des températures (Te)o et (To)o et de la densité électronique (Ne)o du plasma
optiquement mince, on calcule les probabilités de transition (Ak2)o et (Ak3)o correspondant à
l’absorption du plasma ; en utilisant ces probabilités de transition, on détermine ensuite les
nouvelles valeurs des températures (Te)1 et (To)1 et de la densité électronique (Ne)1, qui permettent
d’obtenir de nouvelles valeurs des probabilités de transition (Ak2)1 et (Ak3)1, lesquelles conduisent à
leur tour à de nouvelles valeurs de températures (Te)2 et (To)2 et de densité électronique (Ne)2 et ainsi
de suite ; le calcul converge après un petit nombre d’itérations (3 ou 4) vers les températures et les
densités des différentes particules du plasma partiellement absorbant.
L’étude de la colonne de plasma dans différentes situations a mis en évidence le rôle
particulièrement important joué par deux processus pour la caractérisation du plasma :
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- le peuplement partiel du niveau N = 7 (2p2) par la recombinaison dissociative des ions

moléculaires A2+ qui produit un accroissement substantiel des populations des particules
chargées et excitées pour des températures des électrons et des particules lourdes plus basses.
- l’auto absorption par le plasma des raies issues des niveaux 4p.
La prise en compte de ces deux processus permet d’obtenir une température des particules lourdes
To = 1411 K très proche de celle (To = 1400 K) qui a été déterminée expérimentalement à partir du
spectre moléculaire du radical OH provenant de la vapeur d’eau présente comme impureté dans
l’Argon.
Par ailleur, le tracé du graphique de Boltzmann montre que les points figuratifs des niveaux 4s et 4p
sont situés sur une droite dont la pente correspond à une température T = 8664 K, bien inférieure à
la température électronique Te = 11260 K.
Ce résultat, important pour l’expérimentation, montre en fait qu’on est en présence d’un pseudo
équilibre de Boltzmann qui correspond à une température T qui peut être très différente de la
température électronique Te.
Le comportement de la décharge a été également étudié en fonction du courant I dans un domaine
d’intensité variant de 4.10-3 A à 11.10-3 A.
La température électronique Te reste pratiquement constante et indépendante du courant I, alors que
la densité des électrons Ne, des ions atomiques NA+ et la température To des particules lourdes
augmentent d’une manière importante avec I ; il en résulte une décroissance des populations du
fondamental, des états excités et des ions moléculaires A2+, produits en plus petit nombre par suite
de l’accroissement de To.
Enfin le tracé de la caractéristique Ne = f(Te) à To = Cte qui comprend deux branches se raccordant
en un point à tangente verticale, montre que pour une température To donnée des particules lourdes,
la température électronique Te ne peut en aucun cas dépasser une valeur maximale (Te)m qui décroît
à mesure que To augmente.
- La branche inférieure de cette caractéristique correspond aux faibles densités électroniques où
Ne est fonction croissante de Te.
- Pour les fortes densités électroniques de la branche supérieure, Ne est, au contraire, une
fonction croissante de Te ; ce résultat, assez inattendu, est peut-être à rapprocher des
98
observations de certains expérimentateurs qui ont constaté que les perles disparaissent lorsque
le courant I de la décharge augmente et dépasse une certaine valeur pour laquelle la densité
électronique est élevée.
Nous souhaitons que l’ensemble des résultats qui ont été obtenus dans ce travail puissent être
confrontés prochainement à l’expérience et guider les travaux expérimentaux sur l’étude des
décharges à basse intensité et haute pression dans les gaz rares (Argon, Néon, Krypton, Xénon).
Ces résultats ouvrent des perspectives intéressantes non seulement sur le plan fondamental, mais
également pour les applications comme par exemple :
- l’amorçage des décharges à haute intensité dans les gaz rares,
- l’étude des arcs électriques dans les gaz rares en cours de décroissance,
- la réalisation de lasers à excimers,
- le calcul des caractéristiques des plasmas de Xénon actuellement utilisés pour la propulsion des
satellites.
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99
II. Références bibliographiques

(1) P.Ranson, Thèse « Contribution à l’étude du rayonnement des plasmas d’Argon faiblement
ionisés, spectre de raies, rayonnement de recombinaison et de Bremsstrahlung électrons-
atomes ». Université d’Orléans, 9 février 1978.
(2) K.Bartschat et V.Zeman. V. Phys. Rev. A 59 R 2552 (1999).

Il existe sur Internet un ensemble complet de valeurs des sections efficaces d’excitation par
collisions électroniques entre le niveau fondamental et les niveaux 4s et 4p de l’Argon ;
calculées par les auteurs.
(3) G.A.Piech, J.B.Boffard, M.F.Gehrke, L.W.Anderson and C.C.Lin., Phys. Rev. Lett. 81, 309
(19998).
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Annexes
101
Annexes
Chapitre Huitième.
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Annexes
102
Annexes
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Annexe I.
Probabilités de transition associées aux niveaux effectifs N = 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9
g n
AKL = ∑ i Aij et gN = ∑g i
ij g K i =1
103
Annexes
Tableau 20: Probabilité de transition associée aux différents niveaux effectifs

a/ Niveau effectif N = 2 {1s4, 1s5} ; g1s4=3, g1s5=5 ; g2=8
Transition λ [Å] A1s4 1po [s-1] g1s4 Probabilités de transition à partir de N = 2
1s4 1po 1066,66 0,119×109 3 A21 = A1s4-1po.g1s4/g2 A21 = 4,4625×107 s-1
b/ Niveau effectif N = 3 {1s2, 1s3} ; g1s2=3, g1s3=1 ; g3=4

Transition λ [Å] A1s2 1po [s-1] g1s2 Probabilités de transition à partir de N = 3
1s2 1po 1048,22 0,510×109 3 A31 = A(1s2-1po).g1s2/g3 A31 = 3,825×108 s-1
c/ Niveau effectif N = 4 {2p10} ; g2p10=3 ; g4=3

Transition λ [Å] A2p10 1sn [s-1] g2p10 Probabilités de transition à partir de N = 4
2p10 1s5 9122,97 0,212×108 3

A42 = A(2p10-1s5)+A(2p10-1s4)
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2p10 1s4 9657,78 0,060×10 8

3 A42 = 2,72×107 s-1
2p10 1s3 10470,1 0,117×107 3 A43 = A(2p10-1s3)+A(2p10-1s2)

A43 = 1,42×106 s-1
2p10 1s2 11488,1 0,025×107 3
d/ Niveau effectif N = 5 {2p9, 2p8, 2p7, 2p6, } ; g2p9=7, g2p8=5, g2p7=3, g2p6=5 ; g5=20
Transition λ [Å] A2pn 1sn [s-1] g2pn Probabilités de transition à partir de N = 5
2p9 1s5 8115,31 0,366×108 7
2p8 1s5 8014,79 0,096×108 5
2p8 1s4 8424,65 0,233×108 5 A52 = A(2p9-1s5) . g2p9 / g5

+ [A(2p8-1s5)+A(2p8-1s4)] . g2p8 / g5
2p8 1s2 9784,50 0,161×107 5
+ [A(2p7-1s5)+A(2p7-1s4)] . g2p7 / g5
2p7 1s5 7723,76 0,057×108 3 + [A(2p6-1s5)+A(2p6-1s4)] . g2p6 / g5
A52 = 3,4065.107 s-1
2p7 1s4 8103,69 0,277×108 3
A53 = A(2p8-1s2) . g2p8 / g5
2p7 1s3 8667,94 0,280×107 3
+ [A(2p7-1s3)+A(2p7-1s2)] . g2p7 / g5
2p7 1s2 9354,22 0,115×107 3 + A(2p6-1s2) . g2p6 / g5
A53 = 2,47.106 s-1
2p6 1s5 7635,11 0,274×108 5
2p6 1s4 8006,16 0,468×107 5
2p6 1s2 9224,50 0,059×108 5
104
Annexes
Tableau 20: Probabilité de transition associée aux différents niveaux effectifs

e/ N = 6 {2p4, 2p3} ; g2p4=3, g2p3=5 ; g6=8
Transition λ [Å] A2pn 1sn [s-1] g2pn Probabilités de transition à partir de N = 6
2p4 1s5 7147,04 0,065.107 3
7471,17 0,025×106 3 A62 = [A(2p4-1s5)+A(2p4-1s4)] . g2p4 / g6

+ [A(2p3-1s5)+A(2p3-1s4)] . g2p3 / g6
2p4 1s3 7948,18 0,196×108 3 A62 = 8,159375.106 s-1
2p4 1s2 8521,44 0,147×108 3
A63 = [A(2p4-1s3)+A(2p4-1s2)] . g2p4 / g6
2p3 1s5 7067,22 0,395×107 5 + A(2p3-1s2) . g2p3 / g6
A63 = 2,81125.107 s-1
2p3 1s4 7383,98 0,087×108 5
2p3 1s2 8408,21 0,244×108 5

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f/ Niveau effectif N = 7 {2p2} ; g2p2=3 ; g7=3

2p2 1s5 6965,43 0,067×108 3
A72 = A(2p2-1s5)+A(2p2-1s4)
2p2 1s4 7272,93 0,020×10 8
3 A72 = 8,70×106 s-1
2p2 1s3 7724,21 0,127×108 3 A73 = A(2p2-1s3)+A(2p2-1s2)

A73 = 2,95×107 s-1
2p2 1s2 8264,52 0,168×108 3
g/ Niveau effectif N = 8 {2p5} ; g2p5=1 ; g8=1

2p5 1s4 7514,65 0,430×108 1 A82 = A(2p5-1s4) A82 = 0,430×108 s-1
0,190×105
2p5 1s2 8577,95 (Drawin) 1 A83 = A(2p5-1s2) A83 = 0,190×105 s-1
h/ Niveau effectif N = 9 {2p1} ; g2p1=1 ; g9=1

2p1 1s4 6677,28 0,241×106 1 A92 = A(2p1-1s4) A92 = 2,41×105 s-1
2p5 1s2 7303,87 0,472×108 1 A93 = A(2p1-1s2) A93 = 4,72.107 s-1
105
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Annexes
106
Annexes
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Annexe II.
Coefficients d’ionisation par choc électronique CN∞

Coefficient de recombinaison à trois corps (le 3ème corps étant un électron) C∞ N
Coefficients d’excitation CLK et de désexcitation CKL par choc électronique
N, K, L ∈ {1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9}
[ 10000 K ≤ Te ≤ 16000 K ]
107
Annexes
Tableau 21: Valeurs des Coefficients CN∞, C∞ N, CLK et CKL pour N = 1..9
Tableau 21.a. Transitions par collisions électroniques à partir de N = 1 - Recombinaison à 3 corps (le troisième corps étant un électron) sur N = 1
T(K) C12 m3/s C13 m3/s C14 m3/s C15 m3/s C16 m3/s C17 m3/s C18 m3/s C19 m3/s C1∞ m3/s C∞1 m6/s
10000 1,248E-20 9,420E-21 4,883E-22 2,210E-21 8,368E-22 2,687E-22 2,034E-22 1,959E-21 1,495E-22 4,843E-43
10200 1,622E-20 1,242E-20 6,523E-22 3,011E-21 1,146E-21 3,690E-22 2,800E-22 2,722E-21 2,173E-22 4,765E-43
10400 2,089E-20 1,622E-20 8,617E-22 4,055E-21 1,550E-21 5,007E-22 3,809E-22 3,736E-21 3,112E-22 4,691E-43
10600 2,664E-20 2,097E-20 1,126E-21 5,401E-21 2,073E-21 6,717E-22 5,123E-22 5,067E-21 4,400E-22 4,619E-43
10800 3,368E-20 2,686E-20 1,458E-21 7,121E-21 2,745E-21 8,914E-22 6,816E-22 6,798E-21 6,142E-22 4,549E-43
11000 4,223E-20 3,412E-20 1,869E-21 9,297E-21 3,597E-21 1,171E-21 8,976E-22 9,024E-21 8,472E-22 4,482E-43
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11200 5,253E-20 4,297E-20 2,376E-21 1,203E-20 4,670E-21 1,524E-21 1,171E-21 1,186E-20 1,156E-21 4,417E-43
11400 6,485E-20 5,370E-20 2,994E-21 1,542E-20 6,008E-21 1,965E-21 1,513E-21 1,544E-20 1,560E-21 4,355E-43
11600 7,949E-20 6,662E-20 3,743E-21 1,960E-20 7,663E-21 2,511E-21 1,939E-21 1,993E-20 2,084E-21 4,294E-43
11800 9,678E-20 8,206E-20 4,644E-21 2,473E-20 9,695E-21 3,183E-21 2,463E-21 2,549E-20 2,757E-21 4,235E-43
12000 1,171E-19 1,004E-19 5,721E-21 3,096E-20 1,217E-20 4,003E-21 3,105E-21 3,235E-20 3,616E-21 4,178E-43
12200 1,408E-19 1,221E-19 7,000E-21 3,848E-20 1,517E-20 4,996E-21 3,885E-21 4,075E-20 4,700E-21 4,123E-43
12400 1,683E-19 1,475E-19 8,508E-21 4,750E-20 1,877E-20 6,192E-21 4,827E-21 5,094E-20 6,059E-21 4,070E-43
12600 2,001E-19 1,772E-19 1,028E-20 5,825E-20 2,307E-20 7,622E-21 5,956E-21 6,323E-20 7,750E-21 4,018E-43
12800 2,366E-19 2,117E-19 1,234E-20 7,098E-20 2,818E-20 9,322E-21 7,301E-21 7,797E-20 9,839E-21 3,967E-43
13000 2,784E-19 2,516E-19 1,473E-20 8,599E-20 3,421E-20 1,133E-20 8,895E-21 9,554E-20 1,240E-20 3,919E-43
13200 3,259E-19 2,975E-19 1,750E-20 1,036E-19 4,129E-20 1,369E-20 1,077E-20 1,164E-19 1,553E-20 3,871E-43
13400 3,799E-19 3,500E-19 2,068E-20 1,241E-19 4,955E-20 1,645E-20 1,297E-20 1,409E-19 1,931E-20 3,825E-43
13600 4,408E-19 4,100E-19 2,431E-20 1,478E-19 5,915E-20 1,966E-20 1,554E-20 1,696E-19 2,387E-20 3,780E-43
13800 5,094E-19 4,781E-19 2,844E-20 1,753E-19 7,025E-20 2,337E-20 1,851E-20 2,031E-19 2,932E-20 3,736E-43
14000 5,863E-19 5,551E-19 3,313E-20 2,068E-19 8,303E-20 2,764E-20 2,195E-20 2,420E-19 3,582E-20 3,693E-43
14200 6,721E-19 6,419E-19 3,843E-20 2,429E-19 9,766E-20 3,254E-20 2,590E-20 2,869E-19 4,352E-20 3,652E-43
14400 7,676E-19 7,394E-19 4,438E-20 2,841E-19 1,144E-19 3,813E-20 3,042E-20 3,386E-19 5,259E-20 3,611E-43
14600 8,736E-19 8,485E-19 5,106E-20 3,308E-19 1,333E-19 4,449E-20 3,557E-20 3,978E-19 6,324E-20 3,572E-43
14800 9,909E-19 9,701E-19 5,852E-20 3,836E-19 1,548E-19 5,170E-20 4,142E-20 4,653E-19 7,567E-20 3,534E-43
15000 1,120E-18 1,105E-18 6,682E-20 4,431E-19 1,790E-19 5,982E-20 4,803E-20 5,420E-19 9,013E-20 3,496E-43
15200 1,262E-18 1,255E-18 7,603E-20 5,098E-19 2,062E-19 6,896E-20 5,549E-20 6,288E-19 1,069E-19 3,460E-43
15400 1,418E-18 1,421E-18 8,621E-20 5,845E-19 2,367E-19 7,919E-20 6,386E-20 7,267E-19 1,262E-19 3,424E-43
15600 1,589E-18 1,603E-18 9,744E-20 6,679E-19 2,707E-19 9,061E-20 7,324E-20 8,367E-19 1,484E-19 3,389E-43
15800 1,774E-18 1,804E-18 1,098E-19 7,605E-19 3,085E-19 1,033E-19 8,369E-20 9,600E-19 1,737E-19 3,355E-43
16000 1,977E-18 2,024E-18 1,233E-19 8,631E-19 3,505E-19 1,174E-19 9,532E-20 1,098E-18 2,027E-19 3,322E-43
108
Annexes
Tableau 21.b. Transitions par collisions électroniques à partir de N = 2, Recombinaison à 3 corps (le troisième corps étant un électron) sur N = 2
10000 1,069E-15 5,494E-14 2,128E-14 8,252E-14 1,241E-14 2,961E-15 3,399E-15 4,416E-16 8,811E-16 4,681E-41
10200 1,068E-15 5,466E-14 2,207E-14 8,596E-14 1,296E-14 3,095E-15 3,560E-15 4,582E-16 9,763E-16 4,577E-41
10400 1,067E-15 5,438E-14 2,285E-14 8,942E-14 1,351E-14 3,231E-15 3,723E-15 4,747E-16 1,078E-15 4,478E-41
10600 1,067E-15 5,410E-14 2,363E-14 9,289E-14 1,407E-14 3,368E-15 3,887E-15 4,909E-16 1,185E-15 4,383E-41
10800 1,067E-15 5,383E-14 2,442E-14 9,637E-14 1,463E-14 3,505E-15 4,053E-15 5,070E-16 1,299E-15 4,291E-41
11000 1,067E-15 5,356E-14 2,520E-14 9,987E-14 1,519E-14 3,643E-15 4,221E-15 5,229E-16 1,419E-15 4,202E-41
tel-00458689, version 1 - 22 Feb 2010
11200 1,067E-15 5,329E-14 2,598E-14 1,034E-13 1,576E-14 3,782E-15 4,389E-15 5,386E-16 1,545E-15 4,117E-41
11400 1,067E-15 5,302E-14 2,676E-14 1,069E-13 1,633E-14 3,922E-15 4,559E-15 5,541E-16 1,678E-15 4,035E-41
11600 1,067E-15 5,275E-14 2,754E-14 1,104E-13 1,690E-14 4,063E-15 4,730E-15 5,693E-16 1,817E-15 3,956E-41
11800 1,068E-15 5,248E-14 2,831E-14 1,139E-13 1,747E-14 4,203E-15 4,902E-15 5,843E-16 1,963E-15 3,879E-41
12000 1,069E-15 5,222E-14 2,909E-14 1,174E-13 1,805E-14 4,345E-15 5,074E-15 5,991E-16 2,115E-15 3,805E-41
12200 1,069E-15 5,196E-14 2,986E-14 1,209E-13 1,863E-14 4,486E-15 5,248E-15 6,137E-16 2,273E-15 3,734E-41
12400 1,070E-15 5,170E-14 3,063E-14 1,245E-13 1,920E-14 4,628E-15 5,423E-15 6,280E-16 2,438E-15 3,665E-41
12600 1,071E-15 5,145E-14 3,139E-14 1,280E-13 1,978E-14 4,771E-15 5,598E-15 6,420E-16 2,608E-15 3,598E-41
12800 1,072E-15 5,119E-14 3,215E-14 1,315E-13 2,036E-14 4,913E-15 5,773E-15 6,558E-16 2,785E-15 3,534E-41
13000 1,074E-15 5,094E-14 3,291E-14 1,350E-13 2,094E-14 5,056E-15 5,950E-15 6,694E-16 2,969E-15 3,471E-41
13200 1,075E-15 5,069E-14 3,367E-14 1,385E-13 2,152E-14 5,199E-15 6,126E-15 6,827E-16 3,158E-15 3,410E-41
13400 1,076E-15 5,045E-14 3,442E-14 1,420E-13 2,210E-14 5,341E-15 6,304E-15 6,957E-16 3,354E-15 3,352E-41
13600 1,078E-15 5,020E-14 3,517E-14 1,455E-13 2,268E-14 5,484E-15 6,481E-15 7,085E-16 3,555E-15 3,295E-41
13800 1,079E-15 4,996E-14 3,591E-14 1,490E-13 2,326E-14 5,627E-15 6,659E-15 7,211E-16 3,762E-15 3,239E-41
14000 1,081E-15 4,972E-14 3,665E-14 1,524E-13 2,384E-14 5,770E-15 6,837E-15 7,334E-16 3,976E-15 3,185E-41
14200 1,082E-15 4,949E-14 3,739E-14 1,559E-13 2,442E-14 5,912E-15 7,015E-15 7,455E-16 4,195E-15 3,133E-41
14400 1,084E-15 4,925E-14 3,812E-14 1,594E-13 2,500E-14 6,055E-15 7,193E-15 7,573E-16 4,419E-15 3,083E-41
14600 1,086E-15 4,902E-14 3,885E-14 1,628E-13 2,557E-14 6,197E-15 7,372E-15 7,689E-16 4,649E-15 3,034E-41
14800 1,087E-15 4,879E-14 3,958E-14 1,662E-13 2,615E-14 6,339E-15 7,550E-15 7,802E-16 4,885E-15 2,986E-41
15000 1,089E-15 4,856E-14 4,030E-14 1,697E-13 2,673E-14 6,481E-15 7,729E-15 7,914E-16 5,126E-15 2,939E-41
15200 1,091E-15 4,834E-14 4,101E-14 1,731E-13 2,730E-14 6,623E-15 7,907E-15 8,022E-16 5,372E-15 2,894E-41
15400 1,092E-15 4,812E-14 4,172E-14 1,765E-13 2,787E-14 6,764E-15 8,085E-15 8,129E-16 5,624E-15 2,850E-41
15600 1,094E-15 4,790E-14 4,243E-14 1,798E-13 2,844E-14 6,905E-15 8,264E-15 8,233E-16 5,881E-15 2,807E-41
15800 1,096E-15 4,768E-14 4,313E-14 1,832E-13 2,901E-14 7,046E-15 8,442E-15 8,335E-16 6,142E-15 2,765E-41
16000 1,098E-15 4,746E-14 4,383E-14 1,866E-13 2,958E-14 7,186E-15 8,619E-15 8,435E-16 6,408E-15 2,725E-41
109
Annexes
Tableau 21.c. Transitions par collisions électroniques à partir de N = 3. Recombinaison à 3 corps (le troisième corps étant un électron) sur N = 3
10000 2,124E-15 1,411E-13 9,176E-15 5,644E-14 5,811E-14 2,002E-14 1,537E-15 5,789E-15 9,519E-16 4,783E-41
10200 2,141E-15 1,397E-13 9,398E-15 5,847E-14 6,044E-14 2,089E-14 1,577E-15 6,076E-15 1,054E-15 4,677E-41
10400 2,159E-15 1,384E-13 9,616E-15 6,050E-14 6,278E-14 2,176E-14 1,617E-15 6,366E-15 1,162E-15 4,576E-41
10600 2,176E-15 1,370E-13 9,832E-15 6,253E-14 6,513E-14 2,264E-14 1,656E-15 6,659E-15 1,276E-15 4,478E-41
10800 2,194E-15 1,357E-13 1,004E-14 6,455E-14 6,748E-14 2,352E-14 1,694E-15 6,956E-15 1,397E-15 4,384E-41
11000 2,213E-15 1,345E-13 1,025E-14 6,657E-14 6,983E-14 2,441E-14 1,732E-15 7,255E-15 1,525E-15 4,294E-41
tel-00458689, version 1 - 22 Feb 2010
11200 2,231E-15 1,333E-13 1,046E-14 6,858E-14 7,219E-14 2,530E-14 1,768E-15 7,557E-15 1,659E-15 4,207E-41
11400 2,249E-15 1,321E-13 1,066E-14 7,059E-14 7,455E-14 2,620E-14 1,804E-15 7,862E-15 1,800E-15 4,123E-41
11600 2,268E-15 1,309E-13 1,085E-14 7,259E-14 7,691E-14 2,709E-14 1,839E-15 8,169E-15 1,948E-15 4,042E-41
11800 2,286E-15 1,298E-13 1,105E-14 7,458E-14 7,927E-14 2,799E-14 1,873E-15 8,479E-15 2,102E-15 3,963E-41
12000 2,305E-15 1,287E-13 1,124E-14 7,657E-14 8,162E-14 2,890E-14 1,906E-15 8,790E-15 2,263E-15 3,888E-41
12200 2,324E-15 1,276E-13 1,143E-14 7,855E-14 8,398E-14 2,980E-14 1,938E-15 9,103E-15 2,431E-15 3,815E-41
12400 2,343E-15 1,265E-13 1,161E-14 8,052E-14 8,633E-14 3,071E-14 1,970E-15 9,418E-15 2,605E-15 3,744E-41
12600 2,361E-15 1,255E-13 1,180E-14 8,248E-14 8,868E-14 3,161E-14 2,001E-15 9,735E-15 2,785E-15 3,676E-41
12800 2,380E-15 1,245E-13 1,197E-14 8,444E-14 9,103E-14 3,252E-14 2,031E-15 1,005E-14 2,972E-15 3,610E-41
13000 2,399E-15 1,235E-13 1,215E-14 8,638E-14 9,337E-14 3,343E-14 2,060E-15 1,037E-14 3,165E-15 3,546E-41
13200 2,418E-15 1,225E-13 1,232E-14 8,831E-14 9,570E-14 3,433E-14 2,089E-15 1,069E-14 3,365E-15 3,484E-41
13400 2,437E-15 1,216E-13 1,249E-14 9,024E-14 9,803E-14 3,524E-14 2,117E-15 1,101E-14 3,571E-15 3,424E-41
13600 2,455E-15 1,207E-13 1,266E-14 9,215E-14 1,004E-13 3,615E-14 2,144E-15 1,134E-14 3,783E-15 3,365E-41
13800 2,474E-15 1,198E-13 1,283E-14 9,405E-14 1,027E-13 3,705E-14 2,171E-15 1,166E-14 4,001E-15 3,309E-41
14000 2,492E-15 1,189E-13 1,299E-14 9,594E-14 1,050E-13 3,796E-14 2,196E-15 1,198E-14 4,226E-15 3,254E-41
14200 2,511E-15 1,180E-13 1,315E-14 9,782E-14 1,073E-13 3,886E-14 2,222E-15 1,231E-14 4,456E-15 3,200E-41
14400 2,529E-15 1,172E-13 1,330E-14 9,969E-14 1,096E-13 3,976E-14 2,246E-15 1,263E-14 4,692E-15 3,149E-41
14600 2,548E-15 1,164E-13 1,346E-14 1,015E-13 1,118E-13 4,066E-14 2,270E-15 1,296E-14 4,933E-15 3,098E-41
14800 2,566E-15 1,155E-13 1,361E-14 1,034E-13 1,141E-13 4,156E-14 2,293E-15 1,328E-14 5,181E-15 3,049E-41
15000 2,584E-15 1,148E-13 1,376E-14 1,052E-13 1,164E-13 4,246E-14 2,316E-15 1,361E-14 5,433E-15 3,002E-41
15200 2,602E-15 1,140E-13 1,390E-14 1,070E-13 1,186E-13 4,335E-14 2,338E-15 1,393E-14 5,692E-15 2,956E-41
15400 2,619E-15 1,132E-13 1,405E-14 1,089E-13 1,209E-13 4,425E-14 2,359E-15 1,426E-14 5,955E-15 2,911E-41
15600 2,637E-15 1,124E-13 1,419E-14 1,106E-13 1,231E-13 4,514E-14 2,380E-15 1,459E-14 6,224E-15 2,867E-41
15800 2,655E-15 1,117E-13 1,433E-14 1,124E-13 1,253E-13 4,602E-14 2,401E-15 1,491E-14 6,498E-15 2,824E-41
16000 2,672E-15 1,110E-13 1,447E-14 1,142E-13 1,275E-13 4,691E-14 2,420E-15 1,524E-14 6,776E-15 2,782E-41
110
Annexes
Tableau 21.d. Transitions par collisions électroniques à partir de N = 4. Recombinaison à 3 corps (le troisième corps étant un électron) sur N = 4
10000 5,205E-16 2,671E-13 4,542E-14 4,079E-13 5,337E-14 1,492E-14 8,651E-15 9,044E-15 1,078E-14 4,588E-41
10200 5,184E-16 2,687E-13 4,535E-14 4,087E-13 5,354E-14 1,499E-14 8,687E-15 9,160E-15 1,158E-14 4,483E-41
10400 5,163E-16 2,702E-13 4,529E-14 4,094E-13 5,370E-14 1,506E-14 8,719E-15 9,271E-15 1,241E-14 4,382E-41
10600 5,144E-16 2,717E-13 4,523E-14 4,101E-13 5,384E-14 1,513E-14 8,747E-15 9,378E-15 1,326E-14 4,285E-41
10800 5,125E-16 2,733E-13 4,518E-14 4,107E-13 5,397E-14 1,518E-14 8,773E-15 9,480E-15 1,413E-14 4,192E-41
11000 5,106E-16 2,748E-13 4,512E-14 4,113E-13 5,408E-14 1,524E-14 8,795E-15 9,578E-15 1,503E-14 4,103E-41
tel-00458689, version 1 - 22 Feb 2010
11200 5,089E-16 2,762E-13 4,507E-14 4,118E-13 5,417E-14 1,528E-14 8,814E-15 9,671E-15 1,595E-14 4,016E-41
11400 5,072E-16 2,777E-13 4,501E-14 4,122E-13 5,425E-14 1,532E-14 8,831E-15 9,760E-15 1,690E-14 3,933E-41
11600 5,056E-16 2,792E-13 4,496E-14 4,126E-13 5,432E-14 1,536E-14 8,845E-15 9,846E-15 1,786E-14 3,853E-41
11800 5,040E-16 2,806E-13 4,491E-14 4,129E-13 5,438E-14 1,539E-14 8,857E-15 9,927E-15 1,885E-14 3,775E-41
12000 5,025E-16 2,821E-13 4,486E-14 4,133E-13 5,442E-14 1,542E-14 8,867E-15 1,000E-14 1,985E-14 3,701E-41
12200 5,010E-16 2,835E-13 4,481E-14 4,135E-13 5,446E-14 1,544E-14 8,874E-15 1,008E-14 2,088E-14 3,629E-41
12400 4,995E-16 2,849E-13 4,477E-14 4,137E-13 5,449E-14 1,546E-14 8,880E-15 1,015E-14 2,192E-14 3,559E-41
12600 4,981E-16 2,863E-13 4,472E-14 4,139E-13 5,450E-14 1,547E-14 8,883E-15 1,022E-14 2,298E-14 3,491E-41
12800 4,968E-16 2,876E-13 4,468E-14 4,141E-13 5,451E-14 1,549E-14 8,885E-15 1,028E-14 2,406E-14 3,426E-41
13000 4,954E-16 2,890E-13 4,463E-14 4,142E-13 5,451E-14 1,550E-14 8,885E-15 1,034E-14 2,515E-14 3,363E-41
13200 4,941E-16 2,904E-13 4,459E-14 4,143E-13 5,450E-14 1,550E-14 8,884E-15 1,040E-14 2,626E-14 3,302E-41
13400 4,929E-16 2,917E-13 4,455E-14 4,144E-13 5,448E-14 1,550E-14 8,881E-15 1,045E-14 2,738E-14 3,243E-41
13600 4,916E-16 2,930E-13 4,451E-14 4,144E-13 5,446E-14 1,550E-14 8,876E-15 1,050E-14 2,852E-14 3,185E-41
13800 4,904E-16 2,943E-13 4,447E-14 4,144E-13 5,443E-14 1,550E-14 8,871E-15 1,055E-14 2,967E-14 3,130E-41
14000 4,892E-16 2,956E-13 4,443E-14 4,144E-13 5,439E-14 1,550E-14 8,864E-15 1,060E-14 3,083E-14 3,076E-41
14200 4,880E-16 2,969E-13 4,439E-14 4,144E-13 5,435E-14 1,549E-14 8,855E-15 1,064E-14 3,201E-14 3,023E-41
14400 4,868E-16 2,982E-13 4,435E-14 4,143E-13 5,430E-14 1,548E-14 8,846E-15 1,068E-14 3,320E-14 2,972E-41
14600 4,857E-16 2,994E-13 4,432E-14 4,142E-13 5,425E-14 1,547E-14 8,836E-15 1,072E-14 3,439E-14 2,923E-41
14800 4,846E-16 3,007E-13 4,428E-14 4,141E-13 5,419E-14 1,545E-14 8,824E-15 1,076E-14 3,560E-14 2,875E-41
15000 4,835E-16 3,019E-13 4,425E-14 4,140E-13 5,413E-14 1,544E-14 8,812E-15 1,079E-14 3,682E-14 2,828E-41
15200 4,824E-16 3,031E-13 4,421E-14 4,138E-13 5,407E-14 1,542E-14 8,799E-15 1,083E-14 3,804E-14 2,783E-41
15400 4,813E-16 3,043E-13 4,418E-14 4,137E-13 5,400E-14 1,540E-14 8,785E-15 1,086E-14 3,927E-14 2,739E-41
15600 4,802E-16 3,055E-13 4,415E-14 4,135E-13 5,392E-14 1,538E-14 8,770E-15 1,088E-14 4,052E-14 2,696E-41
15800 4,791E-16 3,067E-13 4,412E-14 4,133E-13 5,385E-14 1,536E-14 8,755E-15 1,091E-14 4,176E-14 2,654E-41
16000 4,781E-16 3,079E-13 4,408E-14 4,131E-13 5,377E-14 1,534E-14 8,739E-15 1,093E-14 4,302E-14 2,613E-41
111
Annexes
Tableau 21.e. Transitions par collisions électroniques à partir de N = 5. Recombinaison à 3 corps (le troisième corps étant un électron) sur N = 5
10000 4,559E-16 1,956E-13 5,301E-14 7,668E-14 8,926E-14 2,469E-14 1,594E-14 9,387E-15 1,369E-14 3,047E-40
10200 4,608E-16 1,968E-13 5,329E-14 7,649E-14 8,943E-14 2,480E-14 1,598E-14 9,452E-15 1,463E-14 2,977E-40
10400 4,657E-16 1,979E-13 5,356E-14 7,630E-14 8,958E-14 2,491E-14 1,601E-14 9,515E-15 1,560E-14 2,909E-40
10600 4,706E-16 1,991E-13 5,383E-14 7,611E-14 8,973E-14 2,501E-14 1,604E-14 9,575E-15 1,660E-14 2,844E-40
10800 4,755E-16 2,002E-13 5,410E-14 7,593E-14 8,987E-14 2,511E-14 1,607E-14 9,632E-15 1,761E-14 2,782E-40
11000 4,804E-16 2,014E-13 5,437E-14 7,574E-14 9,000E-14 2,520E-14 1,609E-14 9,687E-15 1,865E-14 2,722E-40
tel-00458689, version 1 - 22 Feb 2010
11200 4,853E-16 2,025E-13 5,463E-14 7,555E-14 9,012E-14 2,529E-14 1,612E-14 9,740E-15 1,971E-14 2,664E-40
11400 4,902E-16 2,036E-13 5,489E-14 7,536E-14 9,024E-14 2,537E-14 1,614E-14 9,791E-15 2,080E-14 2,609E-40
11600 4,950E-16 2,047E-13 5,515E-14 7,518E-14 9,034E-14 2,545E-14 1,616E-14 9,839E-15 2,190E-14 2,555E-40
11800 4,999E-16 2,058E-13 5,541E-14 7,499E-14 9,045E-14 2,553E-14 1,618E-14 9,886E-15 2,302E-14 2,503E-40
12000 5,047E-16 2,069E-13 5,566E-14 7,481E-14 9,054E-14 2,560E-14 1,620E-14 9,931E-15 2,417E-14 2,453E-40
12200 5,094E-16 2,080E-13 5,591E-14 7,463E-14 9,063E-14 2,567E-14 1,621E-14 9,973E-15 2,533E-14 2,405E-40
12400 5,141E-16 2,091E-13 5,616E-14 7,444E-14 9,071E-14 2,574E-14 1,623E-14 1,001E-14 2,650E-14 2,358E-40
12600 5,188E-16 2,102E-13 5,641E-14 7,426E-14 9,079E-14 2,580E-14 1,624E-14 1,005E-14 2,769E-14 2,313E-40
12800 5,235E-16 2,112E-13 5,665E-14 7,408E-14 9,086E-14 2,586E-14 1,625E-14 1,009E-14 2,890E-14 2,270E-40
13000 5,280E-16 2,123E-13 5,689E-14 7,390E-14 9,093E-14 2,592E-14 1,626E-14 1,013E-14 3,012E-14 2,228E-40
13200 5,326E-16 2,133E-13 5,713E-14 7,372E-14 9,099E-14 2,598E-14 1,627E-14 1,016E-14 3,135E-14 2,187E-40
13400 5,370E-16 2,143E-13 5,736E-14 7,355E-14 9,105E-14 2,603E-14 1,628E-14 1,020E-14 3,260E-14 2,147E-40
13600 5,414E-16 2,154E-13 5,760E-14 7,337E-14 9,111E-14 2,608E-14 1,629E-14 1,023E-14 3,386E-14 2,109E-40
13800 5,458E-16 2,164E-13 5,783E-14 7,319E-14 9,115E-14 2,613E-14 1,629E-14 1,026E-14 3,513E-14 2,072E-40
14000 5,501E-16 2,174E-13 5,806E-14 7,302E-14 9,120E-14 2,618E-14 1,630E-14 1,029E-14 3,641E-14 2,036E-40
14200 5,543E-16 2,184E-13 5,828E-14 7,284E-14 9,124E-14 2,622E-14 1,630E-14 1,032E-14 3,770E-14 2,001E-40
14400 5,584E-16 2,194E-13 5,851E-14 7,267E-14 9,128E-14 2,627E-14 1,631E-14 1,034E-14 3,900E-14 1,967E-40
14600 5,625E-16 2,203E-13 5,873E-14 7,250E-14 9,131E-14 2,631E-14 1,631E-14 1,037E-14 4,030E-14 1,934E-40
14800 5,665E-16 2,213E-13 5,895E-14 7,233E-14 9,134E-14 2,634E-14 1,631E-14 1,039E-14 4,162E-14 1,902E-40
15000 5,705E-16 2,223E-13 5,917E-14 7,216E-14 9,137E-14 2,638E-14 1,631E-14 1,042E-14 4,294E-14 1,871E-40
15200 5,743E-16 2,232E-13 5,938E-14 7,199E-14 9,139E-14 2,642E-14 1,631E-14 1,044E-14 4,427E-14 1,840E-40
15400 5,781E-16 2,242E-13 5,960E-14 7,182E-14 9,141E-14 2,645E-14 1,631E-14 1,046E-14 4,560E-14 1,811E-40
15600 5,819E-16 2,251E-13 5,981E-14 7,165E-14 9,142E-14 2,648E-14 1,631E-14 1,048E-14 4,694E-14 1,782E-40
15800 5,855E-16 2,260E-13 6,002E-14 7,149E-14 9,144E-14 2,651E-14 1,631E-14 1,050E-14 4,829E-14 1,754E-40
16000 5,891E-16 2,270E-13 6,022E-14 7,132E-14 9,145E-14 2,654E-14 1,631E-14 1,052E-14 4,964E-14 1,727E-40
112
Annexes
Tableau 21.f. Transitions par collisions électroniques à partir de N = 6. Recombinaison à 3 corps (le troisième corps étant un électron) sur N = 6
10000 5,245E-16 8,964E-14 1,639E-13 3,140E-14 2,698E-13 1,071E-13 2,110E-14 2,039E-14 1,373E-14 2,440E-40
10200 5,306E-16 9,006E-14 1,648E-13 3,122E-14 2,693E-13 1,072E-13 2,112E-14 2,044E-14 1,467E-14 2,384E-40
10400 5,366E-16 9,048E-14 1,657E-13 3,105E-14 2,689E-13 1,073E-13 2,113E-14 2,049E-14 1,564E-14 2,330E-40
10600 5,426E-16 9,090E-14 1,666E-13 3,088E-14 2,684E-13 1,073E-13 2,114E-14 2,053E-14 1,664E-14 2,278E-40
10800 5,486E-16 9,132E-14 1,674E-13 3,071E-14 2,679E-13 1,074E-13 2,115E-14 2,057E-14 1,766E-14 2,228E-40
11000 5,545E-16 9,174E-14 1,683E-13 3,054E-14 2,675E-13 1,075E-13 2,116E-14 2,061E-14 1,870E-14 2,180E-40
tel-00458689, version 1 - 22 Feb 2010
11200 5,604E-16 9,216E-14 1,692E-13 3,037E-14 2,670E-13 1,075E-13 2,117E-14 2,064E-14 1,977E-14 2,134E-40
11400 5,662E-16 9,258E-14 1,700E-13 3,020E-14 2,666E-13 1,076E-13 2,117E-14 2,067E-14 2,085E-14 2,089E-40
11600 5,719E-16 9,300E-14 1,709E-13 3,003E-14 2,661E-13 1,077E-13 2,118E-14 2,069E-14 2,196E-14 2,046E-40
11800 5,775E-16 9,342E-14 1,717E-13 2,987E-14 2,657E-13 1,077E-13 2,119E-14 2,072E-14 2,308E-14 2,005E-40
12000 5,831E-16 9,384E-14 1,725E-13 2,970E-14 2,653E-13 1,077E-13 2,119E-14 2,074E-14 2,423E-14 1,965E-40
12200 5,885E-16 9,426E-14 1,734E-13 2,954E-14 2,649E-13 1,078E-13 2,119E-14 2,076E-14 2,539E-14 1,926E-40
12400 5,939E-16 9,468E-14 1,742E-13 2,938E-14 2,644E-13 1,078E-13 2,120E-14 2,078E-14 2,656E-14 1,889E-40
12600 5,992E-16 9,510E-14 1,750E-13 2,922E-14 2,640E-13 1,078E-13 2,120E-14 2,079E-14 2,776E-14 1,853E-40
12800 6,044E-16 9,552E-14 1,758E-13 2,906E-14 2,636E-13 1,078E-13 2,120E-14 2,080E-14 2,897E-14 1,818E-40
13000 6,095E-16 9,593E-14 1,766E-13 2,890E-14 2,632E-13 1,078E-13 2,120E-14 2,081E-14 3,019E-14 1,784E-40
13200 6,146E-16 9,635E-14 1,774E-13 2,875E-14 2,628E-13 1,079E-13 2,121E-14 2,082E-14 3,143E-14 1,751E-40
13400 6,195E-16 9,676E-14 1,782E-13 2,859E-14 2,624E-13 1,079E-13 2,121E-14 2,083E-14 3,267E-14 1,719E-40
13600 6,243E-16 9,717E-14 1,790E-13 2,844E-14 2,621E-13 1,079E-13 2,121E-14 2,083E-14 3,394E-14 1,689E-40
13800 6,291E-16 9,758E-14 1,798E-13 2,829E-14 2,617E-13 1,079E-13 2,120E-14 2,084E-14 3,521E-14 1,659E-40
14000 6,337E-16 9,798E-14 1,806E-13 2,814E-14 2,613E-13 1,079E-13 2,120E-14 2,084E-14 3,649E-14 1,630E-40
14200 6,382E-16 9,839E-14 1,813E-13 2,799E-14 2,609E-13 1,078E-13 2,120E-14 2,084E-14 3,778E-14 1,602E-40
14400 6,427E-16 9,879E-14 1,821E-13 2,784E-14 2,605E-13 1,078E-13 2,120E-14 2,084E-14 3,908E-14 1,575E-40
14600 6,470E-16 9,919E-14 1,829E-13 2,769E-14 2,602E-13 1,078E-13 2,120E-14 2,084E-14 4,039E-14 1,549E-40
14800 6,512E-16 9,959E-14 1,836E-13 2,755E-14 2,598E-13 1,078E-13 2,119E-14 2,083E-14 4,171E-14 1,523E-40
15000 6,554E-16 9,999E-14 1,844E-13 2,741E-14 2,594E-13 1,078E-13 2,119E-14 2,083E-14 4,303E-14 1,498E-40
15200 6,594E-16 1,004E-13 1,851E-13 2,727E-14 2,591E-13 1,077E-13 2,119E-14 2,082E-14 4,436E-14 1,474E-40
15400 6,634E-16 1,008E-13 1,858E-13 2,713E-14 2,587E-13 1,077E-13 2,118E-14 2,082E-14 4,570E-14 1,450E-40
15600 6,672E-16 1,012E-13 1,866E-13 2,699E-14 2,583E-13 1,077E-13 2,118E-14 2,081E-14 4,704E-14 1,427E-40
15800 6,710E-16 1,015E-13 1,873E-13 2,685E-14 2,580E-13 1,077E-13 2,117E-14 2,080E-14 4,839E-14 1,405E-40
16000 6,746E-16 1,019E-13 1,880E-13 2,672E-14 2,576E-13 1,076E-13 2,117E-14 2,079E-14 4,974E-14 1,383E-40
113
Annexes
Tableau 21.g. Transitions par collisions électroniques à partir de N = 7, Recombinaison à 3 corps (le troisième corps étant un électron) sur N = 7
10000 4,667E-16 5,955E-14 1,581E-13 2,431E-14 2,068E-13 2,971E-13 2,186E-14 1,553E-14 1,459E-14 9,361E-41
10200 4,733E-16 5,984E-14 1,594E-13 2,420E-14 2,068E-13 2,972E-13 2,184E-14 1,551E-14 1,558E-14 9,145E-41
10400 4,798E-16 6,014E-14 1,605E-13 2,409E-14 2,068E-13 2,972E-13 2,182E-14 1,550E-14 1,660E-14 8,937E-41
10600 4,862E-16 6,043E-14 1,617E-13 2,398E-14 2,068E-13 2,972E-13 2,179E-14 1,548E-14 1,765E-14 8,738E-41
10800 4,925E-16 6,073E-14 1,629E-13 2,386E-14 2,068E-13 2,972E-13 2,176E-14 1,545E-14 1,871E-14 8,546E-41
11000 4,987E-16 6,102E-14 1,641E-13 2,375E-14 2,067E-13 2,972E-13 2,173E-14 1,543E-14 1,980E-14 8,361E-41
tel-00458689, version 1 - 22 Feb 2010
11200 5,048E-16 6,131E-14 1,652E-13 2,363E-14 2,067E-13 2,972E-13 2,170E-14 1,540E-14 2,092E-14 8,184E-41
11400 5,107E-16 6,161E-14 1,664E-13 2,352E-14 2,067E-13 2,971E-13 2,166E-14 1,537E-14 2,205E-14 8,013E-41
11600 5,166E-16 6,190E-14 1,675E-13 2,340E-14 2,066E-13 2,971E-13 2,162E-14 1,533E-14 2,321E-14 7,848E-41
11800 5,224E-16 6,219E-14 1,687E-13 2,328E-14 2,066E-13 2,970E-13 2,158E-14 1,530E-14 2,438E-14 7,688E-41
12000 5,281E-16 6,247E-14 1,698E-13 2,316E-14 2,065E-13 2,970E-13 2,153E-14 1,526E-14 2,558E-14 7,535E-41
12200 5,336E-16 6,276E-14 1,709E-13 2,304E-14 2,064E-13 2,969E-13 2,149E-14 1,522E-14 2,679E-14 7,386E-41
12400 5,390E-16 6,305E-14 1,720E-13 2,292E-14 2,064E-13 2,968E-13 2,144E-14 1,518E-14 2,802E-14 7,243E-41
12600 5,444E-16 6,333E-14 1,731E-13 2,280E-14 2,063E-13 2,967E-13 2,139E-14 1,514E-14 2,926E-14 7,105E-41
12800 5,496E-16 6,361E-14 1,742E-13 2,268E-14 2,062E-13 2,966E-13 2,134E-14 1,509E-14 3,052E-14 6,971E-41
13000 5,547E-16 6,390E-14 1,752E-13 2,256E-14 2,061E-13 2,965E-13 2,129E-14 1,505E-14 3,179E-14 6,841E-41
13200 5,596E-16 6,418E-14 1,763E-13 2,244E-14 2,060E-13 2,964E-13 2,124E-14 1,500E-14 3,308E-14 6,715E-41
13400 5,645E-16 6,445E-14 1,774E-13 2,232E-14 2,059E-13 2,963E-13 2,119E-14 1,495E-14 3,438E-14 6,594E-41
13600 5,693E-16 6,473E-14 1,784E-13 2,220E-14 2,058E-13 2,962E-13 2,113E-14 1,490E-14 3,569E-14 6,476E-41
13800 5,739E-16 6,501E-14 1,795E-13 2,208E-14 2,057E-13 2,960E-13 2,108E-14 1,486E-14 3,701E-14 6,361E-41
14000 5,784E-16 6,528E-14 1,805E-13 2,196E-14 2,056E-13 2,959E-13 2,102E-14 1,481E-14 3,834E-14 6,251E-41
14200 5,828E-16 6,555E-14 1,815E-13 2,185E-14 2,055E-13 2,958E-13 2,096E-14 1,475E-14 3,968E-14 6,143E-41
14400 5,871E-16 6,582E-14 1,825E-13 2,173E-14 2,054E-13 2,956E-13 2,090E-14 1,470E-14 4,103E-14 6,039E-41
14600 5,913E-16 6,609E-14 1,835E-13 2,161E-14 2,052E-13 2,954E-13 2,084E-14 1,465E-14 4,239E-14 5,937E-41
14800 5,954E-16 6,635E-14 1,845E-13 2,149E-14 2,051E-13 2,953E-13 2,078E-14 1,460E-14 4,376E-14 5,839E-41
15000 5,994E-16 6,662E-14 1,855E-13 2,138E-14 2,050E-13 2,951E-13 2,072E-14 1,455E-14 4,513E-14 5,743E-41
15200 6,033E-16 6,688E-14 1,865E-13 2,126E-14 2,049E-13 2,950E-13 2,066E-14 1,449E-14 4,651E-14 5,650E-41
15400 6,070E-16 6,714E-14 1,875E-13 2,115E-14 2,047E-13 2,948E-13 2,060E-14 1,444E-14 4,789E-14 5,560E-41
15600 6,107E-16 6,740E-14 1,884E-13 2,104E-14 2,046E-13 2,946E-13 2,054E-14 1,439E-14 4,928E-14 5,472E-41
15800 6,142E-16 6,765E-14 1,894E-13 2,092E-14 2,044E-13 2,944E-13 2,048E-14 1,433E-14 5,067E-14 5,386E-41
16000 6,177E-16 6,791E-14 1,903E-13 2,081E-14 2,043E-13 2,942E-13 2,041E-14 1,428E-14 5,207E-14 5,302E-41
114
Annexes
Tableau 21.h. Transitions par collisions électroniques à partir de N = 8, Recombinaison à 3 corps (le troisième corps étant un électron) sur N = 8
10000 9,945E-16 1,867E-13 3,391E-14 3,969E-14 3,837E-13 1,635E-13 6,154E-14 3,192E-14 1,506E-14 1,397E-41
10200 1,012E-15 1,883E-13 3,366E-14 3,952E-14 3,832E-13 1,637E-13 6,156E-14 3,191E-14 1,604E-14 1,365E-41
10400 1,030E-15 1,899E-13 3,342E-14 3,935E-14 3,826E-13 1,639E-13 6,157E-14 3,189E-14 1,704E-14 1,334E-41
10600 1,048E-15 1,914E-13 3,318E-14 3,917E-14 3,821E-13 1,641E-13 6,157E-14 3,185E-14 1,806E-14 1,304E-41
10800 1,065E-15 1,929E-13 3,295E-14 3,900E-14 3,816E-13 1,642E-13 6,155E-14 3,181E-14 1,911E-14 1,275E-41
11000 1,082E-15 1,945E-13 3,272E-14 3,882E-14 3,810E-13 1,644E-13 6,153E-14 3,176E-14 2,017E-14 1,247E-41
tel-00458689, version 1 - 22 Feb 2010
11200 1,099E-15 1,960E-13 3,250E-14 3,864E-14 3,805E-13 1,645E-13 6,149E-14 3,171E-14 2,125E-14 1,221E-41
11400 1,116E-15 1,975E-13 3,228E-14 3,845E-14 3,799E-13 1,647E-13 6,145E-14 3,165E-14 2,235E-14 1,195E-41
11600 1,133E-15 1,990E-13 3,206E-14 3,827E-14 3,793E-13 1,648E-13 6,140E-14 3,158E-14 2,347E-14 1,170E-41
11800 1,149E-15 2,005E-13 3,185E-14 3,808E-14 3,788E-13 1,649E-13 6,134E-14 3,150E-14 2,461E-14 1,146E-41
12000 1,166E-15 2,019E-13 3,164E-14 3,790E-14 3,782E-13 1,650E-13 6,127E-14 3,143E-14 2,576E-14 1,123E-41
12200 1,182E-15 2,034E-13 3,144E-14 3,771E-14 3,776E-13 1,651E-13 6,119E-14 3,134E-14 2,692E-14 1,101E-41
12400 1,198E-15 2,049E-13 3,124E-14 3,752E-14 3,771E-13 1,652E-13 6,111E-14 3,125E-14 2,810E-14 1,080E-41
12600 1,213E-15 2,063E-13 3,104E-14 3,733E-14 3,765E-13 1,653E-13 6,102E-14 3,116E-14 2,929E-14 1,059E-41
12800 1,229E-15 2,077E-13 3,085E-14 3,714E-14 3,759E-13 1,654E-13 6,093E-14 3,106E-14 3,049E-14 1,039E-41
13000 1,244E-15 2,092E-13 3,066E-14 3,696E-14 3,754E-13 1,655E-13 6,083E-14 3,096E-14 3,171E-14 1,019E-41
13200 1,259E-15 2,106E-13 3,047E-14 3,677E-14 3,748E-13 1,656E-13 6,073E-14 3,086E-14 3,293E-14 1,000E-41
13400 1,274E-15 2,120E-13 3,029E-14 3,658E-14 3,742E-13 1,656E-13 6,062E-14 3,076E-14 3,417E-14 9,823E-42
13600 1,288E-15 2,134E-13 3,011E-14 3,639E-14 3,736E-13 1,657E-13 6,050E-14 3,065E-14 3,541E-14 9,646E-42
13800 1,303E-15 2,148E-13 2,993E-14 3,620E-14 3,731E-13 1,657E-13 6,038E-14 3,054E-14 3,666E-14 9,475E-42
14000 1,317E-15 2,161E-13 2,976E-14 3,602E-14 3,725E-13 1,658E-13 6,026E-14 3,042E-14 3,792E-14 9,309E-42
14200 1,331E-15 2,175E-13 2,959E-14 3,583E-14 3,719E-13 1,658E-13 6,013E-14 3,031E-14 3,919E-14 9,148E-42
14400 1,344E-15 2,189E-13 2,942E-14 3,564E-14 3,713E-13 1,659E-13 6,000E-14 3,019E-14 4,046E-14 8,992E-42
14600 1,358E-15 2,202E-13 2,925E-14 3,546E-14 3,707E-13 1,659E-13 5,987E-14 3,007E-14 4,174E-14 8,840E-42
14800 1,371E-15 2,216E-13 2,909E-14 3,527E-14 3,702E-13 1,659E-13 5,973E-14 2,995E-14 4,302E-14 8,692E-42
15000 1,384E-15 2,229E-13 2,893E-14 3,509E-14 3,696E-13 1,659E-13 5,959E-14 2,982E-14 4,431E-14 8,549E-42
15200 1,397E-15 2,242E-13 2,877E-14 3,491E-14 3,690E-13 1,660E-13 5,945E-14 2,970E-14 4,561E-14 8,410E-42
15400 1,409E-15 2,255E-13 2,861E-14 3,472E-14 3,684E-13 1,660E-13 5,930E-14 2,958E-14 4,690E-14 8,274E-42
15600 1,422E-15 2,268E-13 2,846E-14 3,454E-14 3,678E-13 1,660E-13 5,915E-14 2,945E-14 4,820E-14 8,143E-42
15800 1,434E-15 2,281E-13 2,831E-14 3,436E-14 3,673E-13 1,660E-13 5,900E-14 2,932E-14 4,950E-14 8,015E-42
16000 1,446E-15 2,293E-13 2,816E-14 3,419E-14 3,667E-13 1,660E-13 5,885E-14 2,919E-14 5,081E-14 7,890E-42
115
Annexes
Tableau 21.i. Transitions par collisions électroniques à partir de N = 9. Recombinaison à 3 corps (le troisième corps étant un électron) sur N = 9
10000 1,218E-14 3,178E-14 1,584E-13 5,275E-14 2,761E-13 2,013E-13 5,558E-14 4,059E-14 1,593E-14 2,856E-41
10200 1,245E-14 3,159E-14 1,601E-13 5,273E-14 2,759E-13 2,010E-13 5,534E-14 4,038E-14 1,696E-14 2,789E-41
10400 1,273E-14 3,139E-14 1,617E-13 5,271E-14 2,757E-13 2,006E-13 5,509E-14 4,017E-14 1,800E-14 2,726E-41
10600 1,300E-14 3,120E-14 1,634E-13 5,268E-14 2,755E-13 2,003E-13 5,485E-14 3,995E-14 1,907E-14 2,664E-41
10800 1,327E-14 3,101E-14 1,650E-13 5,264E-14 2,753E-13 1,999E-13 5,459E-14 3,973E-14 2,016E-14 2,605E-41
11000 1,353E-14 3,082E-14 1,666E-13 5,259E-14 2,751E-13 1,996E-13 5,434E-14 3,951E-14 2,126E-14 2,549E-41
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11200 1,380E-14 3,064E-14 1,682E-13 5,253E-14 2,749E-13 1,992E-13 5,408E-14 3,929E-14 2,239E-14 2,494E-41
11400 1,406E-14 3,045E-14 1,698E-13 5,247E-14 2,747E-13 1,988E-13 5,382E-14 3,907E-14 2,354E-14 2,442E-41
11600 1,432E-14 3,027E-14 1,713E-13 5,239E-14 2,744E-13 1,984E-13 5,356E-14 3,884E-14 2,470E-14 2,391E-41
11800 1,458E-14 3,008E-14 1,729E-13 5,232E-14 2,742E-13 1,981E-13 5,330E-14 3,861E-14 2,588E-14 2,342E-41
12000 1,484E-14 2,990E-14 1,744E-13 5,223E-14 2,739E-13 1,977E-13 5,303E-14 3,839E-14 2,708E-14 2,295E-41
12200 1,509E-14 2,972E-14 1,760E-13 5,214E-14 2,737E-13 1,973E-13 5,277E-14 3,816E-14 2,829E-14 2,250E-41
12400 1,534E-14 2,954E-14 1,775E-13 5,205E-14 2,734E-13 1,969E-13 5,250E-14 3,793E-14 2,951E-14 2,206E-41
12600 1,559E-14 2,937E-14 1,790E-13 5,195E-14 2,731E-13 1,965E-13 5,224E-14 3,770E-14 3,075E-14 2,163E-41
12800 1,583E-14 2,919E-14 1,804E-13 5,184E-14 2,729E-13 1,961E-13 5,197E-14 3,748E-14 3,200E-14 2,122E-41
13000 1,607E-14 2,902E-14 1,819E-13 5,173E-14 2,726E-13 1,957E-13 5,171E-14 3,725E-14 3,326E-14 2,083E-41
13200 1,631E-14 2,885E-14 1,834E-13 5,162E-14 2,723E-13 1,953E-13 5,144E-14 3,702E-14 3,453E-14 2,044E-41
13400 1,655E-14 2,868E-14 1,848E-13 5,150E-14 2,720E-13 1,949E-13 5,118E-14 3,679E-14 3,581E-14 2,007E-41
13600 1,678E-14 2,851E-14 1,862E-13 5,138E-14 2,717E-13 1,945E-13 5,091E-14 3,657E-14 3,710E-14 1,971E-41
13800 1,701E-14 2,834E-14 1,877E-13 5,126E-14 2,714E-13 1,941E-13 5,065E-14 3,634E-14 3,839E-14 1,936E-41
14000 1,724E-14 2,818E-14 1,891E-13 5,113E-14 2,711E-13 1,937E-13 5,039E-14 3,611E-14 3,970E-14 1,902E-41
14200 1,746E-14 2,802E-14 1,905E-13 5,100E-14 2,708E-13 1,933E-13 5,012E-14 3,589E-14 4,101E-14 1,869E-41
14400 1,768E-14 2,786E-14 1,918E-13 5,086E-14 2,705E-13 1,929E-13 4,986E-14 3,567E-14 4,233E-14 1,837E-41
14600 1,790E-14 2,770E-14 1,932E-13 5,073E-14 2,702E-13 1,925E-13 4,960E-14 3,544E-14 4,365E-14 1,806E-41
14800 1,811E-14 2,754E-14 1,946E-13 5,059E-14 2,699E-13 1,921E-13 4,935E-14 3,522E-14 4,498E-14 1,776E-41
15000 1,833E-14 2,739E-14 1,959E-13 5,044E-14 2,696E-13 1,917E-13 4,909E-14 3,500E-14 4,631E-14 1,746E-41
15200 1,854E-14 2,723E-14 1,972E-13 5,030E-14 2,692E-13 1,913E-13 4,883E-14 3,478E-14 4,764E-14 1,718E-41
15400 1,874E-14 2,708E-14 1,986E-13 5,015E-14 2,689E-13 1,909E-13 4,858E-14 3,457E-14 4,898E-14 1,690E-41
15600 1,894E-14 2,693E-14 1,999E-13 5,000E-14 2,686E-13 1,905E-13 4,833E-14 3,435E-14 5,032E-14 1,663E-41
15800 1,914E-14 2,678E-14 2,012E-13 4,985E-14 2,683E-13 1,901E-13 4,808E-14 3,414E-14 5,167E-14 1,637E-41
16000 1,934E-14 2,664E-14 2,025E-13 4,970E-14 2,679E-13 1,897E-13 4,783E-14 3,392E-14 5,301E-14 1,611E-41
116
Annexes
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Annexe III.
Elargissement des raies par effet de pression

Elargissements de Van der Waals et Résonnant
117
Annexes
I. Elargissement des raies spectrales dans le cas du potentiel

d’interaction de Van der Waals
Dans le cas d’un potentiel d’interaction de Van der Waals entre l’atome émetteur et l’atome
perturbateur :
V(r) = - C6 / r6
la largeur totale de la raie à mi hauteur ∆νV se met sous la forme [1], [2], [3], [4] :
 ∆C 6 
2/5
∆ν V = 1,29   υ 3/5 N0 [en s-1] (1)

 h 
- N0 : densité des atomes perturbateurs.
- υ : vitesse moyenne des perturbateurs dans le système du centre de masse.
8kT0
υ = (2)
πµ
- T0 : température des perturbateurs.
- µ : masse réduite [µ = M1 M2/(M1+M2)]. Pour M1=M2=M, µ=M/2.
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∆C6 est donné par l’expression :

α
∆ C6 = [ < pi2 > − < p 2j > ] (3)
(4 π ε 0 )2
où la polarisabilité α du perturbateur s’exprime en fonction de l’indice de réfraction n du gaz par la
relation :
(n − 1)
α = 2ε 0 (4)
N
(n-1) et N étant respectivement la réfractivité et la densité des atomes du gaz prises dans les mêmes
conditions de température et de pression. Pour l’Argon α = 1,84×10–40 MKSA.
<pi2> et <pj2> sont respectivement les moments dipolaires carrés moyens de l’atome excité sur le
niveau supérieur et sur le niveau inférieur de la transition. Ils s’écrivent sous la forme :
< p2 > =
e 2 n *2
2
[
5n *2 +1 − 3l(l + 1) a02 (5) ]
-11
- aO = 5,292×10 m : rayon de l’atome de Bohr.
- l : nombre quantique azimutal (l=0 pour l’état s, l=1 pour l’état p).
- n* : nombre quantique effectif, relié à l’énergie En* du niveau n rapportée à la limite
d’ionisation par l’expression :
hc
En* = − RA (6)
n*²
avec En* = −(E∞ − E n ) (Cf.
Figure 29).
- RA : constante de Rydberg relative à l’atome A de masse M :
R∞
RA = (7)
1+ m M
- R∞ = 109737,8 cm-1 : constante de Rydberg (M = ∞).
118
Annexes
E∞ _____________________________ ∞
En*
En _____________________________ n
E1=0 _____________________________ 1
Figure 29 : Niveaux d’énergie et Définition de En*
De l’expression (6) on tire :

RA
n* = (8)
E∞ − E n
où RA, E∞ et En sont exprimés en [cm-1]. A partir des formules (1) et (2), le rapport ∆νV/N0 peut se
mettre sous la forme :
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∆ν V
= KV T00,3 s-1 m3
N0
 ∆ C6 
2/5
8k
avec KV = 1,29   (9)
 h  πµ
KV est une constante qui dépend de la structure électronique des niveaux i et j, qui caractérisent la
transition, et de la masse réduite émetteur – perturbateur.
Le potentiel d’interaction de Van der Waals [V(r) = - C6 / r6] donne généralement des largeurs de
raie trop importantes ; l’utilisation du potentiel de Lennard-Jones :
V(r) = - C6 / r6 + C12 / r12
permet d’obtenir des largeurs proches des valeurs expérimentales.
II. Elargissement résonnant

Lorsque le niveau de départ ou d’arrivée d’une transition est un niveau résonnant (niveaux 1s2 et 1s4
dans le cas de l’Argon), on doit tenir compte d’un élargissement supplémentaire, appelé
« élargissement résonnant ».
Cet élargissement est dû aux collisions avec transfert d’excitation entre un atome dans l’état
fondamental A et un atome excité A* sur un niveau résonnant.
A + A*→A* + A
La largeur de la raie à mi hauteur ∆νv correspondant à ce processus s’écrit [1], [2], [3], [4] :
e2
∆ν r = 0,72 λ jf f fj N 0 [en s-1] (10)
8ε 0 mc
soit :
∆ν υ
= Kυ [en m3.s-1]
N0
119
Annexes
e2
avec K r = 0 , 72 λ jf f fl (11)
8ε 0 mc
où λjf et ffj sont, respectivement, la longueur d’onde et la force d’oscillateur de la raie de résonance
issue du niveau j (1s2, 1s4).
On montre que les raies qui aboutissent sur le niveau résonnant 1s2 sont presque uniquement
élargies par effet résonnant, alors que pour les raies qui retombent sur le niveau résonnant 1s4 , les
contributions à l’élargissement de l’effet Van der Waals et de l’effet résonnant sont à peu près
équivalentes.
III. Références bibliographiques

(1) O. Vallée, thèse de 3ème cycle - Université d’Orléans
(2) P. Ranson, Thèse « Contribution à l’étude du rayonnement des plasmas d’Argon faiblement
ionisés. Spectre de raies. Rayonnement de recombinaison et Bremsstrahlung électron –
atome » - Université d’Orléans, 9 février 1978.
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(3) O. Vallée, P. Ranson, J. Chapelle, J.Q.S.R.T. 18 327 (1977)
(4) O. Vallée, P. Ranson, P. Combis, J. Chapelle, J. Phys. B 20 589 (1977)
120
Annexes
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Annexe IV.
Energie mise en jeu par les électrons

pour l’excitation et l’ionisation des atomes d’Argon
121
Annexes
On considère un atome à 4 niveaux d’énergie (Figure 30) avec possibilité d’émission de raies non
absorbées correspondant aux transitions (4 –1), (4 – 2), (4 – 3), (3 – 1), (3 – 2) et (2 –1).
∞ ______________________________________ E1∞
4 _______________________________________ E4 N4
hν43
3 _______________________________________ E3 N3
hν42 hν32
2 _______________________________________ E2 N2
hν41 hν31
hν21
1 ______________________________________ E1=0 N1
Figure 30 : Atome à 4 niveaux d’énergie
On se place dans le cas d’un régime stationnaire.
I. Bilan des états excités

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I.1. Le peuplement des états excités s’effectue uniquement à partir des

collisions électroniques
I.1.1. Equation bilan pour le niveau 2
Ne(N1C12 – N2C21) + Ne(N3C32 – N2C23) + Ne(N4C42 – N2C24) – NeN2C2 ∞
+ A42N4 + A32N3 – A21N2 = 0
soit
Ne(N1C12 – N2C21) = Ne(N2C23 – N3C32) + Ne(N2C24 – N4C42) + NeN2C2 ∞
+ A21Ne – A32N3 – A42N4 (1)

+ A43N4 – (A31 + A32)N3 = 0
soit
+ (A32 + A31)N3 – A43N4 (2)

- N4 (A43 + A42+ A41)= 0
soit
+ N4(A41 + A42 + A43) = 0 (3)
122
Annexes
I.2. Effet de la recombinaison dissociative des ions A2+ sur le peuplement

d’un état excité
Pour le peuplement du niveau n = 3, en plus des collisions électroniques, on tient compte de la
recombinaison dissociative des ions A2+ :
A2+ + e → A + A*
Par unité de temps et de volume, le nombre d’états excité provenant de la recombinaison
dissociative des ions A2+ est :
β N A+ N e = Ne(N1 C1 ∞ + N2 C2 ∞+ N3 C3 ∞+ N4 C4 ∞) (4)
2
Dans ces conditions, l’équation bilan du niveau n = 3 s’écrit :

Ne(N1C13 – N3C31) + Ne(N2C23 – N3C32) + Ne(N4C43 – N3C34)
- NeN3C3 ∞ – (A31+A32)N3+ A43N4+ β N A+ N e = 0
2
soit
Ne(N1C13 – N3C31) = Ne(N3C32 – N2C23)+Ne(N3C34 – N4C43)+NeN3C3 ∞
+ (A31+A32)N3 -A43N4 -βNA2+Ne (5)
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II. Puissance mise en jeu pour l’ionisation et l’excitation

II.1. Puissance mise en jeu par unité de volume par les électrons pour
l’ionisation
Pi ion = NeN1C1 ∞E∞ + NeN2C2 ∞(E1∞– E2) + NeN3C3 ∞(E1∞– E3) + NeN4C4 ∞(E1∞– E4) (6)
II.2. Puissance mise en jeu par unité de volume par les électrons pour
l’excitation des différents niveaux del’atome
Pi ex = Ne(N1C12 -N2C21)E2 + Ne(N1C13 – N3 C31)E3 + Ne(N1C14 – N4C41)E4
+ Ne(N2C23 – N3C32)(E3-E2) + Ne(N2C24 – N4C42)(E4-E2) +
+ Ne(N3C34 – N4C43) (E4-E3) (7)
II.3. Puissance totale Pi mise en jeu par unité de volume par les électrons
pour l’ionisation et l’excitation des différents niveaux d’énergie de
l’atome
Pi = Pi ion + Pi ex
soit :
Pi = NeN1C1 ∞E∞ + NeN2C2 ∞(E1∞– E2) + NeN3C3 ∞(E1∞– E3) + NeN4C4 ∞(E1∞– E4)
+ Ne(N1C12 -N2C21)E2+ Ne(N1C13 – N3 C31)E3 + Ne(N1C14 – N4C41)E4+ Ne(N2C23 –N3C32)(E3-E2)
+ Ne(N2C24 – N4C42)(E4-E2) + Ne(N3C34 – N4C43)(E4-E3) (8)
II.3.1. La recombinaison dissociative n’intervient pas sur le peuplement des niveaux

d’énergie
En remplaçant dans la formule (8) les termes Ne(N1C12 -N2C21), Ne(N1C13 –N3C31) et Ne(N1C14 –
N4C41) par les expressions (1), (2) et (3) on obtient :
Pi = Ne(N1C1∞ + N2C2 ∞+ N3C3 ∞+ N4C4 ∞)E1∞ + N2 A21E2+ N3 A31E3+ N4 A41E4
123
Annexes
+N3A32(E3 -E2) + N4A42(E4 -E2) + N4A43(E4 -E3) (9)

Le terme [ Ne (N1C1∞ + N2 C2∞ + N3 C3∞ + N4C4∞) E1∞ ] représente la puissance mise en jeu par les
électrons pour l’ionisation de l’atome à partir des différents niveaux excités, sachant que pour
pouvoir ioniser un état excité i, les électrons ont dû fournir l’énergie d’excitation Ei de ce niveau.
Le terme [ N2A21E2+N3A31E3+N4A41E4+N3A32(E3-E2)+N4A42(E4-E2)+N4A43(E4-E3) ] correspond à la
puissance émise parles raies et perdue pour les électrons.
Cette expression de la puissance se généralise facilement pour un atome à n niveaux d’énergie ;

n
Pi = N e E1∞ ∑N C i i∞ + ∑ N k Akl (E k − El ) (10)
i =1 k ,l
avec k>l ; k et l ∈ {1, 2, ... n}

Pour les neuf niveaux effectifs de l’atome d’Argon, la puissance Pi mise en jeu par les électrons
pour l’ionisation et l’excitation s’écrit en l’absence du peuplement d’un ou plusieurs niveaux par
recombinaison dissociative des ions A2+ :
9
Pi = N e E1∞ ∑N C + ∑ N K AKL (E K − E L ) (11)
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I I∞
I =1 K ,L
avec K>L ; K ∈ {4, 5, 6, 7, 8, 9} et L ∈ {2, 3}
II.3.2. Prise en compte du peuplement du niveau n = 3 par la recombinaison

dissociative des ions A2+
Dans ce cas, on remplace le terme [ Ne(N1C13 – N3C31) ]dans l’expression de Pi (8) par l’expression
(5), qui tient compte du peuplement partiel du niveau n = 3 par la recombinaison dissociative des
ions A2+
P’i = Ne(N1C1∞ + N2C2 ∞+ N3C3 ∞+ N4C4 ∞)E1∞ + N2 A21E2+ N3 A31E3+
N4 A41E4+N3A32(E3 -E2) + N4A42(E4 – E2) + N4A43(E4 -E3) – β N A+ N e E3 (12)
2
On remarque que cette nouvelle expression de P’e s’obtient en retranchant de la formule (8), la
puissance nécessaire pour l’excitation des niveaux n = 3 provenant de la recombinaison dissociative
des ions A2+, c’est-à-dire le terme (– β NA2+ Ne E3).
Compte tenu de (4) :
Β NA2+ Ne = Ne (N1 C1∞ + N2 C2∞+ N3 C3∞+ N4 C4∞)
et
P’i = Ne(N1C1∞ + N2 C2 ∞+ N3 C3 ∞+ N4 C4 ∞)(E1∞ - E3 ) + N2 A21E2+ N3 A31E3+
N4 A41E4+N3A32(E3 -E2) + N4A42(E4 – E2) + N4A43(E4 -E3) (13)
Dans le modèle du filament de plasma à neuf niveaux effectifs, on envisage le peuplement partiel
du niveau 2p2 (N = 7) de l’Argon par la recombinaison dissociative des ions A2+ ; dans ces
conditions P’i s’écrit :
9
Pi = N e (E1∞ − E 7 ) ∑ N I C I ∞ + ∑ N K AKL (E K − E L ) (14)
I =1 K ,L
avec K>L ; K ∈ {4, 5, 6, 7, 8, 9} et L ∈ {2, 3}
124
Annexes
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Annexe V.
Equation de transfert de rayonnement - Intensité spectrale d’une raie émise par

une lame de plasma uniforme
125
Annexes
Soit I(ν,x) l’intensité spectrale du rayonnement émise suivant la direction x’x à l’abscisse x d’une
lame de plasma uniforme d’épaisseur d (Cf. Figure 31).
Si ε(ν) et k(ν) désignent respectivement les coefficients d’émission et d’absorption du plasma, la
conservation de l’énergie implique :
d I (ν , x )
= ε (ν ) − k (ν ) I (ν , x ) (1)
dx
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Figure 31 : Intensité spectrale de rayonnement d’une lame de plasma uniforme
Après intégration de l’équation (1) et sachant que I(ν,x) = 0, on obtient

ε (ν )
I (ν , x ) = [1 − exp(− k (ν )x )] (2)
k (ν )
Dans le cas du plasma optiquement mince : k(ν) → 0 , et

I (ν , x ) = ε (ν ). x
avec, en x = d, I (ν , d ) = ε (ν ).d ≡ I 1 (ν ) (3)
Dans le cas général, k(ν) ≠ 0 , et en x = d, on a, d’après (2) :

ε (ν )
I (ν , d ) = [1 − exp(− k (ν )d )]
k (ν )
soit, en posant I2(ν)≡I(ν,d) et τ(ν)≡k(ν).d : épaisseur optique de la lame de plasma
1 − exp (− τ (ν )) 
I 2 (ν ) = I 1 (ν )   (4)
 τ (ν ) 
126
Annexes
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Annexe VI.
Calcul de la puissance rayonnée par un plasma partiellement absorbant
127
Annexes
La puissance P’ rayonnée vers l’extérieur par unité de surface d’un cylindre de plasma s’écrit
(Chapitre Sixième, paragraphe II) :
π
P' = ε ∫ sin α F (α )dα ,
0
+∞ dh
avec F (α ) = ∫
−∞
  h   2 3/ 2   h  
2
1 +    1 + aτ 0 sin α 1 +   
  d sin α     d sin α  
h
En posant tgγ = ,
d sin α
F(α) s’écrit :
+π / 2 cos 2 γ
F (α ) = d sin α ∫ dγ = d sin α J
−π / 2 (cos γ + aτ 0 sin α )
+π / 2 cos 2 γ
avec J =∫ dγ et b = aτ 0 sin α
−π / 2 (cos γ + b )
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J peut encore s’écrire :

J = 2 − bπ + 2b 2 J '
π /2 dγ
avec J '= ∫
0 cos γ + b
α variant entre O et π, b est toujours positif ou nul (b ≥ 0).
En posant t = tg (γ 2)
J’ se met sous la forme:
2 1 dt
J '= ∫
b −1  2 1 + b 
0
t − 
 1− b 
Pour le calcul de J’, deux cas sont à envisager :
i/ 1 ≥ b
Cette condition est toujours réalisée pour a.τ0 ≤ 1, soit τ0 ≤ 5 (a = 0,2).
Dans ce cas
1 1 + 1 − b2  2b 2  1 + 1 − b2 
J '= Log   et J = 2 − bπ + Log  
1− b 2  b  1 − b2  b 
   
 2b 2 1 + 1 − b2 
F (α ) = d sin α J = d sin α 2 − bπ + = Log  
 1 − b2  b 
 
π  2b 2 1 + 1 − b2 
et P ' = εd ∫ sin 2 α 2 − bπ + Log   dα
0
 1 − b2  b 
 
128
Annexes
  1 + 1 − (ατ sin α )2  
 sin 4 α Log  0  
  ατ 0 sin α  
P ' = π ε d 1 − aτ 0 + (aτ 0 ) ∫
4 2 2 π   dα  = π ε ' d
 3 π 0
1 − (aτ 0 sin α )
2 
 
 
 
ε’ = R.ε et A’ij = R.Aij
avec :
 1 + 1 − (aτ sin α )2 
sin α Log 
4 0 
 aτ 0 sin α 
R = 1 − aτ 0 + (aτ 0 ) ∫
4 2 2 π   dα
3 π 0
1 − (aτ 0 sin α )
2
L’intégrale
 1 + 1 − (aτ sin α )2 
sin α Log  
4 0
 aτ 0 sin α 
S =∫
π   dα
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1 − (aτ 0 sin α )
0 2
est calculée numériquement pour différentes valeurs de τ0 (τ0 ≤ 5) (voir Tableau 22)
τ0 0 0,2 0,5 1 1,5 2 3 4 5

S 0 4,7409 3,6713 2,8799 2,4333 2,1287 1,7240 1,4594 1,2696
R 1 0,951 0,890 0,807 0,739 0,683 0,595 0,528 0,475
Tableau 22: Valeurs de S et R pour différentes valeurs de l’épaisseur optique τ0
ii/ b > 1
2 1 dt b +1
b −1 ∫
J '= ave >0
0  b +1 b −1
t 2+  
 b −1 
donc
2 b −1
J '= Arctg
b2 −1 b +1
et
4b 2 b −1
J = 2 − bπ + Arctg
b2 −1 b +1
 4b 2 b −1
F (α ) = d sin α J = d sin α 2 − bπ + Arctg 
 b2 −1 b +1
Lorsque a.τ0 > 1, soit τ0 > 5, le paramètre b = a.τ0.sinα peut, suivant la valeur de α, être supérieur
ou inférieur à l’unité.
Désignons par αo, l’angle α tel que
129
Annexes
1
sin α o =
ατ o
- Pour α < αo, b<1
 2b 2 1+ 1− b2 
avec F1 (α ) = d sin α 2 − bπ + Log  
 1− b2  b 
 
- Pour α > αo, b>1
 4b 2 b −1
avec F2 (α ) = d sin α 2 − bπ + Arctg 
 b2 −1 b +1
Dans ces conditions, la puissance P’ rayonnée vers l’extérieur par unité de surface, s’écrit :
 4 sin 4 α 1 + 1 − (aτ 0 sin α ) 
2
α
1 − aτ 0 + (aτ 0 )2 ∫ 0
4
Log dα + 
 3 π 0
1 − (aτ 0 sin α )
2 a τ 0 sin α 
P '=π ε d  
8 π
4
α τ α − 
 (aτ 0 ) ∫ α
/ 2 sin a sin 1
dα
2 0
Arctg 
π (aτ 0 sin α )2 + 1 aτ 0 sin α + 1
 
0
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avec
 α0 sin 4 α 1 + 1 − (aτ 0 sin α ) 2 
∫ Log dα + 
4 4  0 1 − (aτ 0 sin α ) 2 aτ 0 sin α 
R = 1 − aτ 0 + ( aτ 0 ) 
2

3 π  π /2 sin 4 α aτ 0 sin α − 1 
2∫ α 0 Arctg dα 
 (aτ 0 sin α ) − 1
2 aτ 0 sin α + 1 
Les valeurs numériques des intégrales
α0 sin 4 α 1 + 1 − (aτ 0 sin α )
S1 = ∫ Log dα ,
0
1 − (aτ 0 sin α ) 2 aτ 0 sin α
π /2 2 sin 4 α aτ 0 sin α − 1
S 2' = ∫ Arctg dα
α0
(aτ 0 sin α ) 2 − 1 aτ 0 sin α + 1
et de R, sont répertoriées pour différentes valeurs de τ0 (τ0 > 5) dans le Tableau 23.
τ0 6 7 8 9 10
α0 9,8511.10-1 7,9560.10-1 6,7513.10-1 5,8903.10-1 5,2360.10-1
S1 1,3215.10-1 5,3804.10-2 2,5870.10-2 1,3809.10-2 7,9473.10-3
S2 4,3122.10-1 4,5227.10-1 4,3396.10-1 4,0781.10-1 3,8160.10-1
R 0,433 0,396 0,365 0,339 0,317
Tableau 23: Valeurs de α0, S1, S2 et R pour différentes valeurs de l’épaisseur optique τ0 > 5
Les valeurs de R en fonction de τ0 sont récapitulées dans le Tableau 24. On vérifie que R peut être
calculé en fonction de τ0 avec une très bonne approximation à l’aide de la formule approchée :
1
R=
1 + 0,2391574(τ 0 ) 0,9542760
130
Annexes
R
τ0 R
(valeur approchée)
0 1 1
0,2 0,951 0,951
0,5 0,890 0,890
1 0,807 0,807
1,5 0,739 0,740
2 0,683 0,683
3 0,595 0,594
4 0,528 0,527
5 0,475 0,474
6 0,433 0,431
7 0,396 0,395
8 0,365 0,365
9 0,339 0,339
10 0,317 0,317
Tableau 24: Récapitulatif des valeurs de R pour différentes valeurs de l’épaisseur optique τ0
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Annexes
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133
Titre Modélisation et étude d’une décharge filamentaire à basse intensité et haute-pression dans l’argon
Mots clés Plasma, Décharge filamentaire, Argon, Ions moléculaires A2+, Recombinaison dissociative
Résumé Les décharges filamentaires obtenues dans l’Argon et les gaz rares, à faible intensité (I < 1 A) et haute
pression (pression atmosphérique et pressions supérieures) sont caractérisées par un petit diamètre
(quelques dixièmes de millimètre), un champ électrique élevé (E ≈ 10 kV/m) et une grande différence de
température entre les électrons (Te ≈ 10000 K) et les atomes (T0 ≈ 1500 K). Pour étudier ces décharges
encore mal connues, intermédiaires entre l’arc électrique et la décharge luminescente, nous avons élaboré
un modèle capable, à partir de la connaissance d’un petit nombre de paramètres qui conditionnent le
fonctionnement de la décharge (intensité du courant, champ électrique, diamètre, pression) de déterminer
les principales grandeurs physiques (températures des électrons et des atomes, densités des électrons et
des ions atomiques et moléculaires, densités des états excités) caractérisant le plasma ; ce modèle a été
construit à partir des équations de conservation des particules chargées, des atomes excités et de l’énergie
des électrons en prenant en compte l’ensemble des niveaux 4s et 4p de l’argon dont les sections efficaces
d’excitation et d’ionisation par chocs électroniques sont bien connues. Le principal processus de
disparition des électrons est la recombinaison dissociative des ions moléculaires A2+ (A2+ + e → A* + A)
dont la formation par une réaction à trois corps (A+ + A + A → A2+ + A) est favorisée par la basse
température et la haute pression du milieu ; les atomes excités A* sur un niveau 4p facilement ionisable,
provenant de la recombinaison des ions A2+ permettent d’obtenir des densités électroniques importantes à
des températures électroniques et atomiques relativement basses ; on a également pris en comte
l’absorption partielle par le plasma des raies rouges de l’Argon issues des niveaux 4p. L’étude de ces
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décharges présente de l’intérêt sur le plan tant fondamental qu’appliqué (amorçage des décharges à haute
intensité, caractérisation des régions périphériques des arcs électriques, lasers à excimers).
Title Model and study of filament discharges with weak intensity and high pressure in argon.
Keywords Plasma, Filament discharge, Argon, molecular ions A2+, Dissociative recombinaison
Abstract Argon and noble gas filament discharges with weak intensity (I < 1 A) and high pressures (atmospheric
and higher pressures) are characterized by a little diameter (about tenth millimeter), high electric field
(E ≈ 10 kV/m) and a large temperature difference between electrons (Te ≈ 10000 K) and atoms
(T0 ≈ 1500 K). To study these not well known discharges which are situated between arc and glow
discharges, we have elaborated a model able to determine the chief physical parameters of the plasma
(electrons and atoms temperatures, electrons, atomic and molecular ions, excited atoms densities) from
the knowledge of elements only in small numbers governing discharge working (current instensity,
electric field, diameter, pressure). This model is built from particles and electrons energy conservation
taking all the 4s and 4p Argon levels into account whose excitation and ionization cros sections by
electron impact are well known. The chief process of electron loss is the dissociative recombination of
molecular ions A2+ (A2+ + e → A* + A) whose formation by a conversion reaction
(A+ + A + A → A2+ + A) is favoured by the low temperature and high pressure of the gas. The excited
atoms A* proceeding from A2+ dissociative recombination on easily ionized 4p levels allow to have
important electronic densities for relatively low temperatures of electrons and atoms. We have also
considered the plasma absorption of red Argon lines starting from 4p levels. The study of these discharges
is interesting not only for the foundamental field but also for applications (starting of high intensity
discharges, diagnostic of arc outer regions, excimers lasers).
Discipline – spécialité doctorale Physique des plasmas
Intitulé et adresse du laboratoire

LASEP : Laboratoire d’Analyse Spectroscopique et d’Energétique des Plasmas – UPRES EA 3269
Université d’Orléans, Faculté des Sciences – Site de Bourges
Rue Gaston Berger, B.P.4043 - 18028 Bourges Cedex (France)
tél (33) [0]2 48 27 27 30 / couriel : LASEP@univ-orleans.fr
134

SAVIGNON Edouard-2007

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THESE

Discipline : PHYSIQUE DES PLASMAS

Modélisation et étude d’une décharge filamentaire

Soutenue le : Vendredi 25 mai 2007

- Dr. Hab. Michel PENNANEAC’H, Université d’Orléans (France) Directeur de thèse

Le travail présenté dans cette thèse a été effectué au LASEP (Laboratoire

Je remercie messieurs les professeurs O.VALLEE et C. DE IZARRA de m’avoir

CHAPITRE PREMIER. INTRODUCTION..........................................................................11

II. Bibliographie ......................................................................................................................................................... 14

CHAPITRE DEUXIEME. TRAVAUX ET RESULTATS EXPERIMENTAUX RELATIFS

II. Dispositif expérimental [1].................................................................................................................................... 16

III. Principaux résultats expérimentaux .................................................................................................................... 16

IV. Références bibliographiques ................................................................................................................................ 20

CHAPITRE TROISIEME. STRUCTURE ELECTRONIQUE DE L’ATOME D’ARGON

I. Niveaux d’énergie de Ar I..................................................................................................................................... 22

II. Niveaux d’énergie effectifs.................................................................................................................................... 23

III. Probabilités de transition associées aux niveaux effectifs .................................................................................. 24

IV. Références bibliographiques ................................................................................................................................ 25

CHAPITRE QUATRIEME. PROCESSUS COLLISIONNELS ET RADIATIFS MIS EN JEU

I. Processus collisionnels .......................................................................................................................................... 28

II. Processus radiatifs................................................................................................................................................. 37

IV. Références bibliographiques ................................................................................................................................ 48

CHAPITRE CINQUIEME. MODELE COLLISIONNEL-RADIATIF DU FILAMENT DE

II. Equations de conservation.................................................................................................................................... 51

IV. Détermination des principales grandeurs caractéristiques du filament de plasma......................................... 59

vi/ Equation relative à la densité des ions A2+ ................................................................................................ 65

VI. Références bibliographiques ................................................................................................................................ 68

CHAPITRE SIXIEME. CARACTERISATION DU PLASMA ..............................................69

II. Probabilités de transition d’un plasma uniforme absorbant............................................................................. 70

III. Détermination des grandeurs caractéristiques du plasma................................................................................. 73

IV. Caractéristique Ne = f(Te) à To = cte ...................................................................................................................... 85

CHAPITRE SEPTIEME. CONCLUSION GENERALE.......................................................95

I. Conclusion générale .............................................................................................................................................. 96

II. Références bibliographiques .............................................................................................................................. 100

CHAPITRE HUITIEME. ANNEXES .................................................................................101

Annexe I. Probabilités de transition associées aux niveaux effectifs N = 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 ..................................... 103

Figure 18 : Plasma cylindrique uniforme de diamètre d et de longueur infinie 71

prise en compte du peuplement du niveau N=7 par recombinaison dissociative de A2+ 79

informations intéressantes concernant, par exemple, l’amorçage et l’établissement des décharges à

(3) K. Bartschat et V. Zeman. V. Phys. Rev. A 59 R 2552 (1999).

Travaux et résultats expérimentaux relatifs aux décharges filamentaires

II. Dispositif expérimental [1]

III. Principaux résultats expérimentaux

Figure 2 : Exemple d’image de la décharge éclatant dans l’argon – Ondes d’ionisation

Dans le Tableau 1, on a porté les variations du diamètre d et de la densité de courant J en fonction

I [A] d [m] J [A.m-2]

III.2. Détermination du champ électrique [1]

en fonction de la distance inter-électrodes l en maintenant le courant I constant. Dans les conditions

Figure 3 : Champ électrique ∈ en fonction de la densité de courant J

III.3. Température du gaz [2]

III.4. Vitesse de déplacement des perles [1]

Figure 4a : Signaux enregistrés par les photodiodes en fonction du temps

Figure 4b : Vitesse de déplacement des ‘perles’ en fonction du champ électrique ∈

IV. Références bibliographiques

Structure électronique de l’atome d’argon neutre (Ar I) – Niveaux effectifs

Figure 5 : Schéma des niveaux d’énergie de Ar I

II. Niveaux d’énergie effectifs

Figure 6 : Niveau d’énergie effectif N

- gN, σN et EN = hc.σN désignent respectivement le poids statistique, le nombre d’onde et

- NN : population du niveau effectif N

Niveau Nombre d’onde σN [cm-1]

III. Probabilités de transition associées aux niveaux effectifs

On a calculé (voir Annexe I et Tableau 3) l’ensemble des probabilités de transition correspondant

A21 = A31 = A42 = A52 = A62 = A72 = A82 = A92 =