République Algérienne Démocratique et Populaire

MINISTERE DE L'ENSIEGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA RECHERCHE

SCIENTIFIQUE

• UNIVERSITE MOHAMED KHAIDER BISKRA

• FACULTE DES SCIENCES ET SCIENCES DE L'INGENIEUR.
• DEPARTEMENT D'ELECTRONIQUE.
•

:RAPPORT DE TP N°2

Présenté par: Proposé et dirigé par :

• Dahane Abderrahim
• Gazzel Hichem
• Djella Samir

1
 INTRODUCTION

• La diode est le semi-conducteur de base : on ne peut pas combiner du

silicium dopé plus simplement.

Son fonctionnement macroscopique est assimilable à celui d'un interrupteur

commandé qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens.

• Cette propriété lui ouvre un champ d'applications assez vaste en électronique.

C'est la diode qui va permettre de redresser le courant alternatif issu du secteur
et autoriser la fabrication d'alimentations stabilisées qui sont obligatoires dans
la plupart des montages électroniques. On conçoit donc que si ce composant
est basique, ainsi que son fonctionnement, il n'en n'est pas moins
fondamental !
• Dans la catégorie des diodes, on trouve aussi des diodes de régulation, dites
diodes zéner, qui ont un comportement de source de tension. Cette propriété
va permettre d'élaborer autour de ce composant simple toute une série de
montages délivrant une ou plusieurs tensions continues.
• La fonction diode a existé bien avant l'arrivée du silicium : on utilisait alors des
diodes à vide (les lampes) dont le fonctionnement était basé sur l'effet
thermoélectronique. Le silicium a apporté les avantages suivants : coût,
fiabilité, encombrement, simplicité d'utilisation

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 Etude Théorique

1 – La diode : un dipôle non linéaire

1.1 – Diode idéale

• C’est un dipôle électrique unidirectionnel dont les bornes sont
l’anode (A) et la cathode (K).

• En polarisation directe c’est-à-dire si UA > UK la résistance de

La diode est nulle. Elle se comporte alors comme un interrupteur fermé.

• En polarisation inverse (UA < UK), on a : R = ∞ . La diode est

équivalente à un interrupteur ouvert.

- Une diode idéale ne dissipe donc aucune puissance.

1.2 – Diode réelle à semi-conducteur

L’anode est la zone "P" d’une jonction "P-N". La zone de type "N" est la
cathode. En polarisation inverse, le courant inverse est très faible
mais il croît rapidement avec la température de la jonction. P

• En polarisation directe, au-delà de la tension de seuil (VS ≈0,6 VU pour le silicium),

la diode est conductrice. On peut définir en chaque
U seuilpoint P de la caractéristique une résistance statique (trait bleu) :nA
RS = V/I et une résistance dynamique (trait vert) : rD = dV/dI. Fig. 2

Au-delà de la tension de seuil, la résistance dynamique est sensiblement constante.

3
1.3 – Association de diodes
• En série : la caractéristique du dipôle équivalent s’obtient graphiquement en
considérant que la
tension aux bornes de l’ensemble est la somme des tensions aux bornes des
deux diodes. (Fig. 3)
• On peut aussi utiliser cette construction pour étudier l’association d’une diode
avec un autre
dipôle passif comme par exemple une résistance pure.

• En parallèle : on peut utiliser une construction analogue en considérant cette

fois qu’il y à additivité des courants dans les deux dipôles. L’association en
parallèle des deux diodes ne présente.
- aucun intérêt pratique car tout le courant traverse la diode dont la tension de
seuil est la plus faible.

1.4 – Point de fonctionnement d’une diode

• On utilise la droite de charge du générateur. L’intersection de cette droite avec

la caractéristique de la diode donne le point de fonctionnement.

4
:Redressement simple alternance -- 1.5

Dans notre étude on supposera qu’on a une diode idéal ie. V0=0
.(e(t)=Vmax sin(wt
A K

I
e (t) R V R

• pour l’alterance (+) :

(VA>0 VK=0 (la masse
 VA-VK>0 => la diode conduit
• pour l’alternance (-):
VA<0 VK=0
 VA-VK<0 => la diode ne conduit pas => VS=0.

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 Etude Pratique

Manipulation °1 :
A K

Ve R Vs
v e m ax = 6 V
f = 1 KHz , R=1kΩ

2. Le signal de sortie :

6
5

<-> < ->

∆ t = 0 .0 2 m s ∆ t = 0 .0 2 m s
-6

3. La fonction de transfert :

Vs
4.

2 * 2 .6

2 * 3 .2 Ve
0 .4
<->

Manipulation °2 :

6
 A K

I
R
Ve Vs
E v e m ax = 6 V
f = 1 KHz , R=1kΩ
Pour E=0 :

V Pour E = 0 V Vs

2 * 2 .6
2 * 2 .6

-0 .2 * 1 .2 0 .2 *1 .2
t
2 * 3 .2 Ve
2 * 0 .2

∆ t = 0 .0 2 m s

V Pour E = 3 V Vs

2 * 2 .6
2 * 2 .6

-0 .2 *0 .8 0 .2 * 0 .8
t

2 * 3 .2 2 * 1.6 Ve

Vs
V Pour E = 6 V

2 * 2 .6

t
2 * 3 .2 Ve
2 * 3 .2

Manipulation °3 :

7
 R
D 1 D 2
Ve Vs
v e m ax = 6 V
f = 1 KHz , R= 1kΩ
E1 E2 E1 = 5 V , E2 = 3 V

3.1 Le signal de sortie :

Vs

V 2 * 2 .8
2 * 2 .8

-0 .2 * 1 .2 0 .2 *1 .2
t 2 * 1.2 2 * 1.2 2 * 3 .2 Ve
2 * 0 .2

3.2 Charger La polarité :

V Vs

2 * 2 .8
2 * 2 .8

-0 .2 * 1 .2 0 .2 * 1 .2 2 * 1.7
t
2 * 3 .2 Ve
2 *1 .8
2 * 1.8

Manipulation °4 :

8
 D 1

D 2 Vs
Ve
R
E v e m ax = 6 V
f = 1 KHz , R= 1kΩ
4.2 Relever le signal de sortie :
V P our E = 4 V Vs

2 * 2 .6
2 * 2 .6

t
2 * 1.8 Ve

V Pour E = 6 V Vs
6

t
6 Ve

V P our E = 8 V Vs
8

t
8 Ve

9
CONCLUSION

1
0
FIN

1
1