NOM : Prénom : Classe : Date :

CI : Grandeurs physiques Cours

ELECTROCINETIQUE
COMPETENCES ET CONNAISSANCES ASSOCIEES
• Modéliser sous une forme graphique une structure, un mécanisme ou un circuit
Circuit électrique
• Déterminer les grandeurs flux (courant) et effort (tension) dans un circuit électrique
Lois de Kirchhoff
Lois de comportement
• Quantifier les performances d’un objet réel ou imaginé en résolvant les équations qui décrivent le
fonctionnement théorique
Méthodes de résolution analytique et numérique

SOMMAIRE
I. Grandeurs physiques électriques ........................................................................................................................................ 2
I.A. Intensité du courant ............................................................................................................................................................................... 2
I.B. Tension ......................................................................................................................................................................................................... 2
I.C. Puissance ..................................................................................................................................................................................................... 2
I.D. Nature des signaux .................................................................................................................................................................................. 2
I.D.1. Valeur moyenne d’un signal ................................................................................................................................................................................. 2
I.D.2. Signaux continus ........................................................................................................................................................................................................ 3
I.D.3. Signaux alternatifs et périodiques..................................................................................................................................................................... 3
II. Lois fondamentales de l’électricité .................................................................................................................................... 5
II.A. Convention générateur/récepteur ................................................................................................................................................. 5
II.B. Lois de Kirchhoff ..................................................................................................................................................................................... 5
II.B.1. Loi des mailles ........................................................................................................................................................................................................... 5
II.B.2. Loi des nœuds ............................................................................................................................................................................................................ 5
II.C. Principe de superposition................................................................................................................................................................... 6
III. Résistors ..................................................................................................................................................................................... 6
III.A. Loi d’Ohm ................................................................................................................................................................................................. 6
III.B. Résistances équivalentes................................................................................................................................................................... 7
III.C. Pont diviseur de tension .................................................................................................................................................................... 8
III.D. Résistances variables.......................................................................................................................................................................... 8
IV. Semi-conducteurs ................................................................................................................................................................... 9

1ERE SI 1/12
I. GRANDEURS PHYSIQUES ELECTRIQUES
I.A. INTENSITE DU COURANT
𝑖 𝑖
L'intensité 𝒊 en A (Ampère) correspond au débit d'électrons circulant entre
2 points d'un circuit électrique.

Les intensités entrantes et sortantes d’un dipôle (composants électriques à 2 bornes) sont égales.

I.B. TENSION
La tension 𝑼 en V (Volt) est une différence de 2 potentiels 𝑈BA = 𝑉B − 𝑉A 𝑈CB = 𝑉C − 𝑉B
électriques 𝑉.
A B C
Le potentiel électrique correspond à la quantité d'électrons se
trouvant en un point d'un circuit électrique, donc la tension
correspond à la différence entre les quantités d'électrons se trouvant 𝑈CA = 𝑉C − 𝑉A = 𝑈CB + 𝑈BA
en 2 points du circuit.

I.C. PUISSANCE
En électricité, la puissance 𝑷 en W (Watt) se calcule selon la formule suivante, en fonction de la tension
𝑈 en V et l’intensité 𝑖 en A :
𝑷 = 𝑼×𝒊

I.D. NATURE DES SIGNAUX

I.D.1. VALEUR MOYENNE D’UN SIGNAL

Méthode 1 Méthode 2

La valeur moyenne 𝒔𝒎𝒐𝒚 d'un signal électrique La valeur moyenne 𝒔𝒎𝒐𝒚 d'un signal électrique
𝑠(𝑡) peut se déterminer graphiquement en 𝑠(𝑡) peut se déterminer graphiquement en
utilisant les aires entre la courbe du signal et l’axe égalisant les aires entre la courbe du signal et la
des abscisses. valeur moyenne.
𝑨𝒊𝒓𝒆𝒔(𝒕)>𝟎 − 𝑨𝒊𝒓𝒆𝒔(𝒕)<𝟎 𝑨𝒊𝒓𝒆𝒔(𝒕)>𝒔𝒎𝒐𝒚 = 𝑨𝒊𝒓𝒆𝒔(𝒕)<𝒔𝒎𝒐𝒚
𝒔𝒎𝒐𝒚 =
∆𝒕

7 7
6 6
5 ∆𝑡 5
4 4
3 3
Signal s (t )

Signal s (t )

2 2
1 1
0 0
-1 0 0.5 1 1.5 2 -1 0 0.5 1 1.5 2
-2 -2
-3 -3
-4 -4
-5 -5
Temps t en s Temps t en s

1ERE SI 2/12
I.D.2. SIGNAUX CONTINUS
On parle de courant continu (en anglais DC, Direct Current) lorsque l’intensité du courant a toujours le
même signe, c’est-à-dire que les électrons circulent toujours dans le même sens. Par extension, un signal
continu a toujours le même signe, mais il n’est pas forcément constant.
𝐸
SOURCE IDEALE DE TENSION :
Une source idéale de tension est un dipôle qui fournit une tension constante, quelle
que soit l’intensité qu’elle délivre.

Les 3 représentations suivantes sont équivalentes :

Symbole réservé aux 𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 0 = 𝑉𝐶𝐶

piles et aux batteries Masse (potentiel de
− + référence supposé
égal à 0 V) Potentiel 𝑉𝐶𝐶

𝑉𝐶𝐶

SOURCE IDEALE DE COURANT :

𝑖
Une source idéale de courant est un dipôle qui fournit une intensité constante, quelle
que soit sa tension de fonctionnement.

I.D.3. SIGNAUX ALTERNATIFS ET PERIODIQUES

On parle de courant alternatif (en anglais AC, Alternating Current) lorsque l’intensité du courant change
de signe, c’est-à-dire que les électrons circulent alternativement dans les deux sens. Par extension, un
signal alternatif est alternativement positif et négatif.

Les signaux alternatifs peuvent être périodiques et/ou symétriques, mais pas nécessairement.

1 1
𝑇 = 0,001 s ⇒𝑓= = = 1000 Hz
𝑇 0,001
15

10
𝐴 = 10

5
Signal s (t )

2𝐴 = 20

0
0 0.0005 0.001 0.0015 0.002
𝐴 = 10

-5

-10

-15
Temps t en s

Signal Sinusoïdal Signal Triangle Signal Créneau

1ERE SI 3/12
FREQUENCE ET PERIODE DANS LE CAS DE SIGNAUX PERIODIQUES :

La période 𝑻 en s (seconde) d'un signal électrique correspond à la durée d'un motif élémentaire du signal.

La fréquence 𝒇 en Hz (Hertz) d'un signal électrique correspond au nombre de fois que le motif
élémentaire du signal se reproduit par seconde.
𝟏
𝒇=
𝑻

AMPLITUDE DANS LE CAS DE SIGNAUX SYMETRIQUES :

Dans le cas d’un signal symétrique (par rapport à la valeur moyenne), son amplitude 𝑨 se mesure par
l’écart entre la valeur maximale et la valeur moyenne, ou par l’écart entre la valeur moyenne et la valeur
minimale. Son unité dépend du type de signal mesuré.

𝑨 = 𝒔𝒎𝒂𝒙 − 𝒔𝒎𝒐𝒚 = 𝒔𝒎𝒐𝒚 − 𝒔𝒎𝒊𝒏

On utilise parfois l’amplitude crête à crête qui correspond à 𝟐𝑨 = 𝒔𝒎𝒂𝒙 − 𝒔𝒎𝒊𝒏 .

VALEURS MOYENNES ET EFFICACES :

Cas de signaux sinusoïdaux (formules différentes pour les autres types de signaux)
Signal sinusoïdal sans décalage Signal sinusoïdal avec décalage 𝐵 (offset)
𝑇 𝑇
20 20

15 15

10 10
Signal s (t )
Signal s (t )

5 5 𝒔𝒎𝒐𝒚
0 𝒔𝒎𝒐𝒚 0
0 0.0005 0.001 0 0.0005 0.001
-5 -5

-10 -10

-15 -15
Temps t en s Temps t en s

𝑡 𝑡
𝑠(𝑡) = 𝐴 ⋅ sin (2𝜋 ⋅ ) 𝑠(𝑡) = 𝐴 ⋅ sin (2𝜋 ⋅ ) + 𝐵
𝑇 𝑇
𝑠𝑚𝑜𝑦 = 0 𝑠𝑚𝑜𝑦 = 𝐵 ≠ 0

𝐴 𝐴2
𝑠𝑒𝑓𝑓 = 𝑠𝑒𝑓𝑓 = √ + 𝐵2
√2 2

La valeur efficace d'un signal correspond à la tension continue qui aurait le même effet énergétique
(même efficacité) sur le fonctionnement d'un récepteur de type résistance.

La valeur efficace d’un signal peut être lue avec un voltmètre en mode DC (courant continu) si sa
composante continue est nulle (valeur moyenne nulle). Si le signal a une composante continue non nulle,
le voltmètre ne lira que la valeur efficace de la composante sinusoïdale (sans tenir compte de la valeur
moyenne).

1ERE SI 4/12
SOURCE IDEALE DE TENSION ALTERNATIVE :
𝐸
Une source idéale de tension alternative est un dipôle qui fournit une tension
alternative idéale, quelle que soit l’intensité qu’elle délivre.
∼
II. LOIS FONDAMENTALES DE L’ELECTRICITE
II.A. CONVENTION GENERATEUR/RECEPTEUR 𝐸
𝑖
Pour un dipôle fonctionnant en mode générateur (sources de tension,
batteries, piles...), la tension et l'intensité du courant sont orientés dans le
même sens. On parle de composant actif. 𝑈2 𝑈1
𝑖2 𝑖1
Pour un dipôle fonctionnant en mode récepteur (résistance, ampoule...), la
tension et l'intensité du courant sont orientés en sens contraire. On parle de
𝑖3
composant passif.

Lorsque l’on étudie un circuit électrique, la première chose à faire est de

flécher les tensions et les intensités. 𝑈3

Une méthode de fléchage possible consiste à :

• commencer par flécher l’intensité des composants générateurs en fonction de leur tension ;
• flécher ensuite l’intensité des composants récepteurs en fonction de l’intensité des composants
générateurs ;
• pour finir, flécher les tensions des composants récepteurs en fonction de leur intensité.

II.B. LOIS DE KIRCHHOFF

II.B.1. LOI DES MAILLES
La somme algébrique des tensions le long d’une maille est nulle.
𝐸
Dans la maille parcourue dans le sens ABEF, on a : 𝑖
𝐹 𝐴
𝑬 − 𝑼𝟏 − 𝑼𝟐 = 𝟎 ⟹ 𝑬 = 𝑼𝟏 + 𝑼𝟐
𝑈2 𝑈1
Dans la maille parcourue dans le sens ACDF, on a : 𝑖2 𝑖1
𝐸 𝐵
𝑬 − 𝑼𝟑 = 𝟎 ⟹ 𝑬 = 𝑼𝟑 𝑖3
𝐷 𝐶
Dans la maille parcourue dans le sens BCDE, on a :
𝑈3
−𝑼𝟑 + 𝑼𝟏 + 𝑼𝟐 = 𝟎 ⟹ 𝑼𝟑 = 𝑼𝟏 + 𝑼𝟐

II.B.2. LOI DES NŒUDS

La somme algébrique des intensités des courants entrants dans un nœud est égale à la somme des
intensités des courants sortants du nœud.

Au nœud B, on a :
𝒊 = 𝒊𝟏 + 𝒊𝟑
Au nœud E, on a :
𝒊𝟐 + 𝒊𝟑 = 𝒊

1ERE SI 5/12
II.C. PRINCIPE DE SUPERPOSITION
On considère un circuit contenant plusieurs sources agissant simultanément. Chaque tension (ou
intensité) de ce circuit peut être calculée par la somme des tensions (ou des intensités) générées lorsque
chaque source agit seule. Les autres sources sont remplacées par un court-circuit (un fil) s’il s’agit d’un
générateur de tension, ou par un circuit ouvert s’il s’agit d’un générateur de courant.

𝐸1 𝑈1 𝐸1 𝑈1 ′
𝑖1 𝑖1 ′

𝑈3 𝑈3 ′ 𝑈3 ′′
𝑖3 𝑖3 ′ 𝑖3 ′′
= +
𝑖2 𝑖2 ′ 𝑖2 ′′

𝐸2 𝑈2 𝑈2 ′ 𝐸2 𝑈2 ′′

On a ainsi par exemple :

𝑼𝟑 = 𝑼𝟑 ′ + 𝑼𝟑 ′′

𝒊𝟑 = 𝒊𝟑 ′ + 𝒊𝟑 ′′

III. RESISTORS
Un résistor (ou conducteur ohmique, également appelé résistance par abus de langage) est un dipôle passif
qui oppose une résistance au passage du courant.

III.A. LOI D’OHM

La tension 𝑈 en V aux bornes d'un résistor de résistance 𝑹 en Ω (Ohm) est proportionnelle à l'intensité
du courant 𝑖 en A qui le parcourt :

𝑼 =𝑹⋅𝒊 𝐸

On a ainsi par exemple : 𝑖

𝑈1 = 𝑅1 ⋅ 𝑖1 𝑈2 𝑈1
𝑈2 𝑖2 𝑖1
𝑖2 =
𝑅2 𝑅2 𝑅1
𝑖3
𝑈3 𝑅3
𝑅3 =
𝑖3
𝑈3

1ERE SI 6/12
Lorsque l’intensité évolue au cours du temps, la tension lui reste tout le temps proportionnelle, comme le
montre le graphique suivant.

10 0.01
9
8 0.008
7

Intensité en A
Tension en V

6 0.006
5
4 0.004
3
2 0.002
1
0 0
0 0.5 1 1.5 2
Temps t en s

Tension U(t) en V Intensité i(t) en A

On a ainsi par exemple :

𝑈 4 𝑈 8
à𝑡 =1𝑠 ∶𝑅 = = = 2000 Ω à𝑡 =2𝑠 ∶𝑅 = = = 2000 Ω
𝑖 0,002 𝑖 0,004

𝑅 a bien une valeur constante, 𝑈 et 𝑖 sont proportionnels.

III.B. RESISTANCES EQUIVALENTES

RESISTANCES EQUIVALENTES EN SERIE :
En série (chaque composant est traversé par la même intensité) les résistances s'additionnent :

𝑹𝒆𝒒 = ∑ 𝑹𝒊

On a ainsi par exemple : 𝑈2 𝑈1 𝑈𝑒𝑞1 = 𝑈1 + 𝑈2

𝑖1 𝑖1 𝑖1
𝑅𝑒𝑞1 = 𝑅1 + 𝑅2
𝑅2 𝑅1 𝑅𝑒𝑞1

RESISTANCES EQUIVALENTES EN DERIVATION :

En dérivation (chaque composant a la même tension à ses bornes) les conductances 𝐺 (inverses des
résistances) s'additionnent :

𝟏 𝟏
𝑮𝒆𝒒 = ∑ 𝑮𝒊 ⟺ =∑
𝑹𝒆𝒒 𝑹𝒊

On a ainsi par exemple : 𝑈 𝑈

1 1 1 𝑖1 𝑖𝑒𝑞2 = 𝑖1 + 𝑖3
𝐺𝑒𝑞2 = 𝐺𝑒𝑞1 + 𝐺3 ⟹ = +
𝑅𝑒𝑞2 𝑅𝑒𝑞1 𝑅3 𝑅𝑒𝑞1 𝑅𝑒𝑞2
𝑅𝑒𝑞1 ⋅ 𝑅3
⟹ 𝑅𝑒𝑞2 = 𝑖3
𝑅𝑒𝑞1 + 𝑅3
𝑅3

1ERE SI 7/12
III.C. PONT DIVISEUR DE TENSION
La tension aux bornes d'une résistance est égale au rapport de la résistance étudiée à la somme des
résistances en série multiplié par la différence de potentiel (tension) du montage :

𝑹𝟏 𝑹𝟐 𝑖′ ≈ 0
𝑼𝟏 = ⋅ 𝑼 et 𝑼𝟐 = ⋅𝑼
𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 𝑈2 𝑈1
𝑖1 𝑖1
𝑈1 𝑈2 𝑈
(Démonstration ∶ 𝑖1 = = = )
𝑅1 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2 𝑅2 𝑅1

Cette formule est utilisée pour déterminer les tensions d’un montage 𝑈 = 𝑈1 + 𝑈2
lorsque l’on ne connaît pas les intensités.

Elle est également utilisable s’il y a un câble entre les deux résistances, à condition que l’intensité qui
parcours ce câble soit nulle ou négligeable (cas du câblage sur une carte Arduino par exemple).

III.D. RESISTANCES VARIABLES

Nom Symbole Propriété
Montage potentiométrique :

𝑅 𝑟
𝐴 𝐵
𝑃 = 𝑟 + 𝑅 = 𝑐𝑡𝑒 𝐶
Potentiomètre 𝐴 𝐵
Montage à résistance variable :
𝐶
0 ≤ 𝑅𝐴𝐵 = 𝑅𝐴𝐶 = 𝑅 ≤ 𝑃
𝐴 𝐵
𝐶

Une thermistance est un résistor dans la

Thermistance
résistance varie avec la température.

Une photorésistance est un résistor dans la

Photorésistance
résistance varie avec la luminosité.

1ERE SI 8/12
IV. SEMI-CONDUCTEURS
Un semi-conducteur est un matériau qui a une conductivité électrique intermédiaire entre celle des
isolants et celles des métaux. Le matériau semi-conducteur le plus utilisé en électronique est le silicium.

Les semi-conducteurs comme le silicium sont :

• des isolants presque parfait à 25°C, en effet :
o un atome de silicium comporte 4 électrons sur son orbite de valence ;
o un cristal de silicium est composé d’atomes de silicium, chaque atome créant avec 4 atomes
voisins une liaison covalente ;
o de ce fait le cristal de silicium est naturellement très stable électriquement, c’est-à-dire isolant ;

Si Si Si Si Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si Si Si P Si Si B Si

Si Si Si Si Si Si Si Si Si

Formation d’une Dopage de type N

Atome de silicium Dopage de type P
liaison covalente avec un atome de
avec 4 électrons Cristal de silicium avec un atome de
entre 2 atomes de phosphore : un
périphériques bore : un trou
silicium électron libre

• des conducteurs lorsqu’ils sont dopés (et/ou lorsque l’on augmente la température), en effet :
o le dopage consiste à remplacer certains atomes de silicium par des atomes comportant 3 ou 5
électrons de valence ;
o ces atomes pentavalents ou trivalents sont nommés impuretés ;
o le dopage N (par des atomes pentavalents d’arsenic, d’antimoine ou de phosphore) permet de
faire apparaître un électron libre (charge négative) ;
o le dopage P (par des atomes trivalents de bore, de gallium ou d’aluminium) permet de faire
apparaître un trou (charge positive) ;
o c’est l’existence de trous ou d’électrons libres qui va favoriser la circulation du courant électrique
et donc de permettre au matériau de devenir conducteur ;
o le taux d’impureté permet donc de contrôler la conductivité.

En pratique on utilise des jonctions P-N :

• une zone dopée P est mise en contact avec une zone
dopée N ;
• à la jonction, les électrons libres voisins de la zone
Dopage Dopage Dopage Dopage Dopage Dopage Dopage Dopage
N N N N P P P P

dopée N remplissent les trous voisins de la zone dopée

P;
Dopage Dopage Dopage Dopage Dopage Dopage Dopage Dopage
N N N N P P P P

• il se créé ainsi une zone de déplétion, dans laquelle

on ne trouve plus de porteurs de charge libres
Dopage Dopage Dopage Dopage Dopage Dopage Dopage Dopage
N N N N P P P P

Zone dopée N Déplétion Zone dopée P

(électrons ou trous), et qui résistera donc au passage
du courant.

Si des électrons supplémentaire tentent de franchir la jonction :

• dans le sens P vers N, le passage est impossible, puisque la zone dopée N est chargée négativement ;
• dans le sens N vers P, le passage des électrons est possible s’ils ont assez d’énergie pour franchir la
jonction (tension de seuil).

Attention le sens de circulation des électrons est le sens inverse du sens conventionnel du courant
électriques.

1ERE SI 9/12
La diode est l’illustration directe de la jonction P-N :
• dopage P pour l’anode A ;
• dopage N pour la cathode K.

Nom Symbole Propriété

La diode ne laisse passer le courant que dans un seul sens.

𝑖𝑑 𝑖𝑑

𝑈𝑐

𝑈𝑑 𝑈𝑠 𝑈𝑑

𝑈𝑑
Diode 𝑖𝑑 Caractéristique idéale Caractéristique parfaite
K A

Lorsque la tension 𝑈𝑑 aux bornes de la diode est inférieure à

la tension de seuil 𝑈𝑠 , elle est bloquée et 𝑖𝑑 = 0.
Lorsque la tension 𝑈𝑑 est égale à la tension de seuil 𝑈𝑠 , elle
est passante de l’anode (A) vers la cathode (K) et 𝑖𝑑 > 0.
Si on applique une tension 𝑈𝑑 inférieure à la tension de
claquage 𝑈𝑐 , la diode devient inutilisable.
Pour les diodes au silicium 𝑈𝑠 ≈ 0,6 𝑉.

La DEL a un fonctionnement identique à la diode (avec une

tension de seuil 𝑈𝑠 plus élevée), et en plus elle émet de la
lumière lorsqu'elle est traversée par un courant.
0.02
Intensité iD e n A

0.015

0.01

0.005
DEL
0
0 1 2 3 4
Tension UD en V

LED rouge LED verte LED bleue

Caractéristique réelle

La tension de seuil 𝑈𝑠 est plus élevée pour une Del que pour
diode de redressement.

1ERE SI 10/12
 Ces transistors sont commandés en courant à la base. Ils peuvent fonctionner en tout ou
rien (mode bloqué ou saturé), mais également en mode amplificateur de courant (non
étudié). Ils sont obtenus à partir de silicium dopé N et P.

𝑖𝐶

Collecteur
𝑖𝐶

Base 𝑖𝐵
𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐸
NPN

𝑉𝐵𝐸 𝑖𝐸
Emetteur

Symbole et caractéristique idéale d’un transistor NPN

Lorsque le courant à la base 𝑖𝐵 est suffisant, le NPN est saturé, et il se comporte
comme un contact fermé entre le collecteur et l’émetteur (𝑖𝐶 > 0 et 𝑉𝐶𝐸 = 0).
Lorsque le courant à la base 𝑖𝐵 est nul, le NPN est bloqué, et il se comporte comme
un contact ouvert entre le collecteur et l’émetteur (𝑖𝐶 = 0 et 𝑉𝐶𝐸 > 0).

𝑖𝐶

Emetteur
Transistors

Bipolaires

𝑉𝐸𝐵 𝑖𝐸

Base 𝑖𝐵
𝑉𝐸𝐶
𝑉𝐸𝐶
PNP

𝑖𝐶
Collecteur

Symbole et caractéristique idéale d’un transistor PNP

Lorsque le courant à la base 𝑖𝐵 est suffisant, le PNP est saturé, et il se comporte
comme un contact fermé entre le collecteur et l’émetteur (𝑖𝐶 > 0 et 𝑉𝐸𝐶 = 0).
Lorsque le courant à la base 𝑖𝐵 est nul, le PNP est bloqué, et il se comporte comme
un contact ouvert entre le collecteur et l’émetteur (𝑖𝐶 = 0 et 𝑉𝐶𝐸 > 0).

𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶

Emetteur
𝑉𝐸𝐵 𝑖𝐸
𝑅𝐿𝐸𝐷 𝑅𝐵
Base 𝑖𝐵
En général l’émetteur 𝑉𝐸𝐶
d’un NPN est relié à la Tension issu d’un
masse. microcontrôleur
Collecteur 𝑖𝐶
𝑖𝐶 Collecteur
𝑅𝐵
Base 𝑖𝐵
𝑉𝐶𝐸 𝑅𝐿𝐸𝐷
Tension issu d’un En général l’émetteur
microcontrôleur d’un PNP est relié au
𝑉𝐵𝐸 𝑖𝐸
Emetteur potentiel haut.

1ERE SI 11/12
 Ces transistors sont commandés en tension à la grille. Ils peuvent fonctionner en tout ou
rien (mode bloqué ou saturé).

𝑖𝐷

Drain
𝑖𝐷

Grille
Canal N

𝑉𝐷𝑆

Source

Symbole et caractéristique idéale d’un MOSFET canal N

Son fonctionnement est similaire au transistor NPN, il se comporte comme un contact
fermé (transistor saturé) lorsque la tension 𝑉𝐺𝑆 est suffisante, et comme un contact
ouvert (transistor bloqué) lorsque cette tension est nulle.

𝑖𝐷

Source
MOSFET

Grille
Canal P

𝑉𝑆𝐷
𝑖𝐷
Drain

Symbole et caractéristique idéale d’un MOSFET canal P

Son fonctionnement est similaire au transistor PNP, il se comporte comme un contact
fermé (transistor saturé) lorsque la tension 𝑉𝑆𝐺 est nulle, et comme un contact
ouvert (transistor bloqué) lorsque cette tension est suffisante.

𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶
Source

𝑅𝐿𝐸𝐷
Grille
En général la source
d’un MOSFET canal N Tension issu d’un
est reliée à la masse. Drain
microcontrôleur 𝑖𝐷
𝑖𝐷 Drain

Grille
𝑅𝐿𝐸𝐷
En général la source
Tension issu d’un d’un MOSFET canal P
microcontrôleur
Source
est reliée au potentiel
haut.

1ERE SI 12/12