1.

Introduction aux Microsystèmes

Un MEMS (Micro Electro Mechanical System) est un système microélectronique
composé d’éléments électroniques analogiques et numériques mais aussi d’éléments
électromécaniques destinés à assurer des fonctions de capteurs ou d’actionneurs.
L’électronique est fabriquée en utilisant les procédés de fabrication des circuits intégrés (par
exemple CMOS, Bipolaire, BICMOS), tandis que les parties mécaniques sont fabriquées à
l’aide de procédés qui éliminent certaines parties du wafer ou ajoutent de nouvelles couches
structurelles pour former le dispositif mécanique. Le concept “micromechanics” fait
référence à l’utilisation du silicium comme matériau mécanique et/ou à l’application de la
technologie avancée des circuits intégrés pour fabriquer des structures mécaniques de très
petites dimensions. L’association de la microélectronique sur silicium avec la technologie de
micro-usinage a rendu possible la réalisation de systèmes sur puce complets.

1.1. Un peu d’histoire

L’histoire des microsystèmes sur silicium remonte au milieu des années 50 grâce à la
découverte par C. S. Smith de la forte piézorésistivité du silicium et du germanium. En 1961,
Pfann propose une solution technologique (par diffusion) pour réaliser des capteurs
piézorésistifs sur silicium. Un an plus tard naît le premier capteur de pression à membrane
silicium et jauges piézorésistives, réalisé par Tufte et al. de la société Honeywell. Dès lors, les
microcapteurs de pression silicium se développent ; les premières industrialisations ont lieu
dans les années 1970. Par la suite, d’autres microstructures sont étudiées et industrialisées
aux Etats Unis : systèmes d’alignement de fibres optiques (Western Electric - 1974), tête
d’impression thermique (Texas Instrument - 1977), réseaux d’aiguilles à jet d’encre (IBM -
1977), détecteurs thermiques (Hewlett Packard - 1980). Les Etats Unis ont largement
bénéficié de l’important pôle de la “ Silicon Valley ” dans ce domaine. L’Europe et le Japon se
sont lancés plus tardivement dans la course, avec plus de dix années de retard sur les Etats
Unis. Ils ont grandement participé au développement de nouvelles techniques, comme par
exemple le procédé LIGA (développement initié à Karlsruhe en Allemagne).

Ces dernières années, l’effort s’est porté, dans le domaine des microcapteurs, sur le
développement de nouvelles technologies compatibles avec la micro-électronique
“ standard ”. Le but est de permettre la réalisation sur la même tranche de silicium du
capteur et de l’ensemble des composants de traitement du signal. On peut alors réaliser des
capteurs ou réseaux de capteurs dit “ intelligents ”, ou par exemple transformer un
ensemble de capteurs de “ mauvaise qualité ” en capteur très performant grâce aux
méthodes de séparation de sources.

1
 1.2. Réalisations industrielles actuelles
Les microsystèmes existants et à venir sont répertoriés dans le tableau suivant par type
d’application (les cases grisées indiquent une application qui ne devrait être mise sur le
marché que dans les années à venir) :

Microsystème Objet commercialisé Entreprise (pays)

Applications péri-
informatiques
Rétine intelligente souris Logitech (USA)
Micro-buses en silicium impression jet d’encre
Baltea Disk (I), Hewlett
Packard (USA), Canon (J),
Xerox (USA)
Capteurs magnétiques têtes de lecture disques durs IBM (USA)
Silicium
Capteurs CMOS P.C. caméra VVL (UK), C-CAM (B), Kodak
(USA), Intel (USA)
Microbobines impression magnétique Nipson (F), CSEM (CH)
Micromagnétisme et optique Disques magnéto-optiques Sharp (J), Philips (NL)
intégrée
Sécurité automobile

Accéléromètre capteurs “ airbag ” (coussins SensoNor (N), Nippondenso

d’air) (J), Motorola (USA)
Microfusible silicium airbag inflator Davey Bickford (F), SDI (USA)
Radar IR, télémètrie anticollision Thomson (F), Daimler Benz
(D), Fiat (I)
Capteurs pression et contrôle roue Michelin (F), SensoNor (N)
température
Capteurs IR, CMOS, capteurs détection passager, vigilance Temic (D), Interlink (L)
pression flexibles
Administration de substances

Capteurs de pression, inhalateurs Boehringer Ingelheim (D)

injecteurs
Capteurs pression, pompes externes jetables Debiotech (CH), MiniMed
microvalves (USA)
Capteurs non invasifs, patchs actifs Tildem (F), Alza (USA), BD
microvalves (USA)
Capteurs pression, pompes implantables Tricumed (D)
microvalves, microcapillaires
Capteurs, microvalves pilules intelligentes Gastrotarget (USA)

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 Le marché actuel des microsystèmes pour le domaine biomédical est dominé par les
capteurs de pression sanguine. Malgré tous les efforts réalisés, le marché des microsystèmes
biomédicaux risque de se développer relativement lentement, du fait des contraintes très
fortes propres au secteur médical : nécessité d’essais cliniques, contraintes très importantes
pour la fabrication et les tests des produits, biocompatibilité du microsystème une fois
encapsulé. Néanmoins, huit domaines d’applications sont très prometteurs :

• systèmes de diagnostiques pour des utilisations en milieu hospitalier : cathéters,

méthodes de mesures non invasives telles que les électrocardiogrammes.
• pour une utilisation à domicile, sondes ou capteurs jetables permettant par exemple de
mesurer le taux de glucose pour les diabétiques. Ces sondes jetables devraient permettre
une meilleure distribution des médicaments, et une plus grande autonomie des patients.
• systèmes de délivrance de médicaments liquides tels que micropompes, externes ou
internes, les micropompes internes nécessitant un contrôle à distance, et une faible
consommation électrique (afin de ne pas avoir à intervenir trop souvent pour changer les
piles …).
• surveillance continue, pour notamment le suivi de l’action d’un traitement, avec par
exemple la mesure de la pression sanguine, ou le contrôle de dialyse.
• stimulation électrique localisée : pour soulager la douleur, pour stimuler le coeur
(pacemaker), ou stimulations nerveuses pour éviter les crises d’épilepsie.
• prothèses et organes artificiels : l’application principale des microsystèmes dans ce
domaine sera très certainement les prothèses auditives.
• systèmes d’analyse : analyses d’ADN (les microsystèmes permettant notamment
d’accélérer considérablement les tests), tests virologiques.
• chirurgie invasive : le recours à des micro éléments devrait permettre une réduction
importante de l’utilisation de la chirurgie standard.

1.3. Le Silicium comme matériau sensible

Le matériau essentiel des microsystèmes reste le silicium que nous connaissons bien
dans ses caractéristiques de semi-conducteur appliqué à la microélectronique et que l’on
redécouvre avec d’excellentes propriétés mécaniques et d’innombrables possibilités de
combinaisons pour réaliser des fonctions optiques, chimiques ou biochimiques. Le tableau 1
compare les propriétés mécaniques de l’acier et du silicium. Ajoutons à cette comparaison
chiffrée le caractère cristallin du silicium qui permet d’assurer une totale reproductibilité de
ses propriétés. Les deux aspects les plus importants sont la piézorésistivité et la dépendance
de la résistivité avec la température. De nombreux microsystèmes sont réalisés grâce à ces
deux effets présents dans le silicium polycristallin. On peut citer par exemple les jauges
piézorésistives en silicium polycristallin pour la grande majorité des capteurs de pression
réalisés par micro-usinage de volume. Par contre la dépendance de la résistivité d’un
matériau en fonction de la température est utilisée depuis de nombreuses années pour
réaliser des capteurs. Cette dépendance se mesure de façon usuelle grâce au TCR
(Temperature Resistivity Coefficient), qui est le rapport de la variation relative de résistance
sur la variation de température, mesuré généralement autour d’une température de
référence de 0°C. Les métaux ont un TCR positif et de l’ordre de 5 x 10-3 /K, relativement

3
constant avec la température. Les semiconducteurs ont eux un TCR négatif, bien plus élevé
que les métaux, mais qui présente l’inconvénient d’être très fortement dépendant de la
température. Le platine est le métal le plus communément utilisé, car il a, en plus d’un TCR
élevé, une résistivité très linéaire avec la température.

Une autre comparaison globale des propriétés mécaniques peut être effectuée entre le
silicium monocristallin et le silicium polycristallin :

Silicium monocristallin Silicium polycristallin

Module d’Young 190 GPa <111> 160 GPa
coefficient de Poisson 0.262 maximum (pour <111>) 0.23
Contrainte résiduelle aucune variable selon la méthode de
dépôt et les cycles thermiques
Résistance à la rupture 6 GPa de 0.8 à 2.4 GPa (pour du
silicium polycristallin non dopé)
densité 2.32 2.32

2. La technologie MEMS

Il existe deux familles de technologies MEMS qui se démarquent : le micro-usinage en

surface et en volume et le procédé LIGA qui permet de réaliser des microsystèmes Hybrides.

2.1. Le micro-usinage en surface

Le micro-usinage en surface (Surface micromachining) est la technique de gravure sélective

consistant à enlever sélectivement une des couches pré-déposée, cette couche est appelée
couche sacrificielle (couche à sacrifier). Tout d’abord la couche sacrificielle est déposée sur le
substrat. Une couche de matériau destinée à la réalisation de la partie par exemple
mécanique, appelée couche structurelle, est ensuite déposée sur la couche sacrificielle.
Finalement la couche sacrificielle est enlevée par micro-gravure pour laisser la partie
mécanique suspendue. L’exemple le plus utilisé est celui qui consiste à sacrifier des couches

4
de SiO2 (dioxyde de silicium qui est un isolant) pour réaliser des couches de silicium
polycristallin suspendues comme le montre le procédé de la figure 1. L’enlèvement de la
couche de SiO2 au travers d’une fenêtre pratiquée dans le silicium est un procédé très
performant de réalisation de microcapteurs de pression.

Fig. 2. Exemple de structure micro-usinée par gravure

en surface (micromoteur, source SANDIA National
Labs)

Fig.1. Micro-usinage en surface

2 .2. Micro-usinage de volume du silicium

Le micro-usinage de volume du silicium consiste à graver des structures
tridimensionnelles dans un substrat de silicium. On utilise pour cela généralement :

a)- Une gravure humide, avec des solutions chimiques de gravure adaptées.

On distingue deux types: la gravure isotrope (selon toutes les directions) et la gravure
anisotrope (selon une direction). Dans le premier cas, la gravure à lieu à la même vitesse
selon toutes les directions cristallographiques du silicium, alors que le deuxième cas
présente des directions préférentielles de gravure, fréquemment utilisée, la vitesse de
gravure varie suivant l'orientation des plans attaqués et la sélectivité de la solution de
gravure (KOH, TMAH, EDP…voir tableaux suivants). A titre d’exemple, voici trois types de
géométrie que l’on peut obtenir par gravure anisotrope.

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 Gravure de substrat <100> Gravure de substrat <110> Gravure de substrat <111>
Petite ouverture : Cas d’un substrat parfaitement
masque
orienté :
à la gravure

Si mono

Grande ouverture : Cas d’un substrat désorienté : NB : la gravure de substrat

<111> est rarement utilisée.
110

111

Les substrats <100> sont les plus couramment utilisés car ils permettent la réalisation des
principaux microsystèmes (notamment microcapteurs de pression).

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Lors de la réalisation de microsystèmes par usinage de volume du silicium, on utilise
généralement des produits de gravure anisotropes. Ils ont en effet permis de résoudre le
problème de contrôle latéral de la gravure. La gravure anisotrope est généralement plus
lente que la gravure isotrope, elle nécessite par conséquent des températures bien plus
élevées : les vitesses de gravure sont de l’ordre du micromètre par minute à des
températures usuelles de l’ordre de la centaine de degrés Celsius. On voit donc qu’il faut
plusieurs heures pour graver un trou débouchant dans un wafer de silicium usuel (épaisseur
de l’ordre de 300 µm). La structure que l’on obtient par gravure anisotrope dépend de
différents paramètres, dont les plus importants sont : l’orientation cristalline du substrat, la
taille du motif défini dans le matériau de masquage, et sa géométrie, son alignement avec
les directions cristallines du substrat, et bien sûr, le produit de gravure utilisé. En effet, si la
plupart des produits de gravure gravent plus rapidement la direction cristallographique
< 100 >, les vitesses de gravure des directions < 110 > et < 111 > dépendent du produit de
gravure, de sa concentration, de la température, de l’âge de la solution, etc. Le tableau ci-
dessous récapitule les différentes solutions chimiques usuellement utilisées :

Température Vitesse Vitesses Matériau

Produit de usuelle de de gravure Remarques utilisé comme
gravure d’utilisation gravure <100> / masque de
dans la <111> gravure
directio
n <100>
Potasse : 85°C 1.4 400 Produit Si3N4 (n’est pas
KOH dans eau, µm/min. µm/min. incompatible avec la attaqué)
ajout d’alcool micro-électronique,
isopropylique production de bulles SiO2 (28 Å/min.)
(mouillant) d’hydrogène lors de
la gravure qui
peuvent augmenter
la rugosité de
surface

EDP 115°C 1.25 35 µm/min. Toxique, préserver SiO2 (2-5 Å)

µm/min. de l’oxygène,
Ethyl Diamine solution qui vieillit Si3N4 (1 Å/min.)
rapidement
Pyrocatéchole Ta, Au, Cr, Ag, Cu
TMAH 115°C 3 12.5 à 50 Compatible micro- LPCVD Si3N4
Hydroxyde µm/min. µm/min. électronique, peu SiO2 (vitesse de
De Tétra de rugosité après gravure quatre
Methyl gravure fois plus faible
Ammonium que celle du plan
<100> du
silicium)

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 Fig. 3. Micro-usinage en volume

Fig. 4. Exemple de réalisation en micro-usinage en volume compatible CMOS :

structures suspendues

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 b- La gravure sèche :

Cette technique est en réalité une technique de gravure « plasma » dans laquelle
interviennent à la fois les effets de bombardement par des ions et la réaction chimique.
On la dénomme R.I.E. (Reactive Ion Etching) ou gravure réactive ionique.
Le réacteur est composé de deux électrodes qui génèrent les espèces réactives dans celui-ci
à partir d’un générateur radiofréquence et des gaz injectés pour graver la couche de surface

Les principaux gaz utilisés dans les gravures sèches sont indiqués dans le tableau suivant :

Matériau à graver Silicium SiO2 Siliciure

SF6 CHF3 CFCl3
gaz CF4 + O2 CF4 + O2 CF2Cl2
HF CF4 + H2 CCl4
CFCl3 SiCl4 SF6
Les solutions chimiques les plus couramment utilisées sont données par la table C.I en
fonction de la nature des couches à graver.

Matériau Mélange d’attaque

Silicium monocristallin (Si-mono) N2H4 (65%) + H2O (35%)

Silicium polycristallin (Si-poly) HNO3 + HF

Dioxyde de silicium (sio2) HF + NH4F + H2O

Nitrure de silicium (Si3N4) H3PO4

Aluminium (Al) H3PO4 + HNO3 + acide acétique + H20

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c. La technique de gravure LIGA

LIGA (Lithographie, Galvanoformung, Abformung) est l’acronyme donné par ses

fondateurs du centre de recherche de Karlsruhe en Allemagne à un procédé de fabrication
de microstructures. Les pièces réalisées en 3 étapes (lithographie, électrodéposition et
moulage) sont en matériaux plastiques et peuvent atteindre jusqu’à 1 mm d’épaisseur pour
des dimensions latérales minimales de 0,2 μm. La force de la technologie LIGA est de pouvoir
créer des micromécanismes très précis développant des puissances mécaniques
satisfaisantes irréalisables avec les procédés de fabrication microélectroniques. Cette
technologie a donné naissance à de nombreuses applications et notamment dans le
domaine médical à des outils de microchirurgie.Le LIGA présente l’inconvénient majeur
d’être coûteux .

Fig. 5. : Etapes principales du procédé LIGA

Fig.6. : Exemple de réalisation par LIGA : micro-engrenage

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3. Applications de la technologie MEMS

Il existe énormément de prototypes de MEMS, MOEMS (Micro Opto Electro

Mechanical System), BIOMEMS…; peu ont cependant franchi la phase d'industrialisation.
Nous donnons en exemple quelques applications MEMS qui démontrent pourtant le fort
potentiel des microtechnologies.

a. Fluidique

Les têtes à jet d'encre fonctionnent avec des technologies MEMS depuis les années
80. L'optimisation des micropompes permet de réaliser des caractères toujours plus fins et
nets. Mais ces pompes trouvent aussi une application dans le médical, où elles peuvent par
exemple être utilisées pour l'injection sous-cutanée d'insuline à faible dose. La technique
d'usinage en volume est ici souvent utilisée associée au wafer bonding.

Fig. 7. Principe de la micropompe

b. Mécanique

Les capteurs de pression existent sur le marché depuis longtemps. Une différence de
pression entraîne la déformation d'une membrane qui peut être mesurée. On en déduit la
pression extérieure au MEMS. Les accéléromètres sont une application plus récente dont le
succès est aussi très important, notamment dans le domaine de l'automobile, où ils sont
utilisés pour commander l'ouverture des airbags en cas de choc et supplantent tous les
autres systèmes. Analog Devices utilise l'usinage en surface pour son ADXL [Fig. 8].

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 Fig. 8. Accéléromètre réalisé en usinage de surface

c. Optique

L'application mise en avant pour les MOEMS est la DLP de Texas Instruments (Digital
Light Processing). Son ambition est tout simplement de remplacer les écrans conventionnels
de télévision ou d'ordinateur par un ensemble de micromiroirs, associés chacun à un pixel
[Fig. 9]. Leur intérêt est le faible encombrement du moniteur et une résolution de qualité
numérique. Ce système est déjà utilisé dans des salles de cinéma par ce que l'on appelle des
projecteurs numériques. Les films ne sont plus sur bandes, mais sur des supports
d'informations numériques. Ce nouveau marché est, comme celui de l'automobile, des plus
prometteur.

▪ Micro-miroir
▪ Switch optique
▪ Cavité optique

Fig. 9. La technologie DLP de Texas Instrument

d. Applications Radio-Fréquence (RF)

Le marché des télécommunications motive les entreprises impliquées dans les MEMS
car il est souvent rentable à court terme, mais il ne connaît pas encore de succès industriel
impliquant un MEMS. Les développements dans ce domaine concernent notamment les
capacités, les inductances, les transformateurs, les filtres et les microrelais. Ces systèmes ne
comportent pas forcément de parties mécaniques, mais le terme de microsystèmes s'élargit
de plus en plus et englobe aujourd'hui l'ensemble des systèmes réalisés à partir de
microtechnologies.

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▪ Switch RF
▪ Filtres, antennes
▪ Composants
passifs variables

4. La photolithographie (insolation)

4.1. La lithographie

La lithographie ressemble à la technique de réalisation des circuits imprimés selon les

trois étapes suivantes :

- Application d’une couche de résine photosensible,

- Exposition optique pour imprimer l’image du masque sur la résine,

- Immersion du substrat dans une solution aqueuse de développement, pour dissoudre la

résine exposée, et rendre ainsi visible l’image latente.

Fig. 12. Les étapes du procédé de photolithographie.

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La résine est étalée par une technique de centrifugation. On utilise pour cela une tournette qui aspire
la plaquette afin qu'elle ne soit pas éjectée et qui permet, grâce à un réglage de la vitesse de rotation
et de l'accélération, d'étaler uniformément la résine.

Tournette pour étalement de résine photosensible

4.2 .Développement et révélation

Après une oxydation et différents nettoyages, on étale la résine photosensible sur la

plaquette à l'aide de la tournette. La résine est ensuite séchée (on élimine les produits les
plus volatiles) puis insolée à travers le masque. Les motifs sont alors révélés par un
révélateur. Après rinçage, une cuisson durcit la résine qui peut alors résister aux attaquants
chimiques tels que l'acide fluorhydrique. La gravure humide par le HF attaque la couche
d'oxyde non protégée par la résine. La résine est ensuite retirée de la surface par un solvant
chimique puissant tel que l'acétone.

5. Principales techniques de dépôt sur substrat

L'appellation couche mince est réservée à des films d'épaisseur micronique ou

submicronique. Les principales méthodes utilisées pour fabriquer des couches minces sous
vide font appel à la technique de dépôt en phase vapeur chimique (CVD pour Chemical
Vapor Deposition) et de dépôt en phase vapeur physique (PVD pour Physical Vapor
Deposition).

CVD: Low Pressure : Avec la méthode CVD, il est possible de déposer des matériaux
métalliques, diélectriques et composites.

• < 10 Pa
• Excellent purity
• Low stress
• High temperature
• Low deposition rate

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Le dépôt physique en phase vapeur (ou PVD pour l'anglais physical vapor deposition) : est
un ensemble de méthodes de dépôt sous vide de films minces.

• Évaporation directe : Évaporation sous vide (ou évaporation thermique)

• pulvérisation cathodique (sputtering) : les particules de métal sont séparées de leur
substrat par bombardement ionique.

PVD: Sputtering

Les particules de métal sont séparées de

leur substrat par bombardement ionique.

• Basé sur le bombardment ionique

• Application à tous les materiaux
• Offre excellente adhesion

PVD: Evaporation Thermique

• Low working pressure

• Low surface damage

• Faster than sputtering
• Limited material

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Exercice corrigé : Les étapes technologiques de fabrication d’une microsonde
simple sont développées ci-après de façon simplifiée : Ce travail concerne une
partie de la thèse de M Laghrouche qui consiste en la réalisation d’un capteur de
flux et qui peut mesurer d’autres paramètres comme la température, l’humidité
la vitesse et la direction du flux et l’accélération grâce à la méthode
calorimétrique.

Schéma simplifié de l’étape Description Remarques particulières

technologique

Si3N4
0,3 µm
dépôt PECVD de nitrure de
silicium

Si3N4
0,3 µm
photolithographie
MASQUE 1 S’assurer de la bonne sélectivité
définition de la cavité, gravure de la solution de gravure entre
du Si3N4 en humide le nitrure et le silicium
vue de
dessus

profil
théorique
oxydation humide • durée de l’oxydation et
température à ajuster pour
formation de la cavité en silice « remplir » la cavité d’(oxyde
(0,5 µm) de silicium
profil
réel
• phénomène du bec d’oiseau

Paramètres d’implantation

dépôt de silicium polycristallin (dose et énergie) sont à ajuster

Si Poly
1 µm LPCVD (1 µm) en fonction du dopage souhaité

dopage par implantation

ionique de Bore, et recuit
d’implantation

16
 photolithographie

MASQUE 2 Attention à la fin de gravure .

Si Poly
1 µm

et gravure RIE du silicium S’assurer de la non gravure du

polycristallin nitrure sous-jacent

vue de
dessus

Aluminium dépôt d’aluminium ( 1,7 µm)

1,7 µm
par pulvérisation cathodique ou
évaporation

photolithographie

MASQUE 3

et gravure humide de
l’aluminium
vue de
dessus

Couverture des puces avec de la

résine
photolithographie

MASQUE 1

protection des puces sauf la

cavité en vue de la gravure
humide de libération des fils

découpe des puces à la scie

17
 diamantée

gravure HF / FNH4 de la silice de

la cavité et libération du fil en
silicium polycristallin problème de tenue de la résine

temps de gravure de l’ordre de Attention, risque de collage

30 minutes, (sticking)

Température du bain : 30°C de fils libérés par force de

capillarité

Exemple d’un capteur de température et de débit de fluide en technologie MEMS

Exercice à faire/ En s’inspirant du cours et de l’exemple précédant faite une description

technologique d’un capteur de pression en technologie MEMS

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