Rapport Zied Weslati 2016

REPUBLIQUE TUNISIENNE
Ministère de l’Enseignement Supérieur et

de la Recherche Scientifique
Université de Gabès
Ecole Nationale d’Ingénieurs de Gabès ‫المدرسة الىطنية للمهندسين بقابس‬

Département de Génie Electrique-Automatique ‫أوتىماتيك‬-‫قسم الهندسة الكهربائية‬
PROJET DE FIN D’ETUDES

Présenté en vue de l’obtention du
Diplôme National d’Ingénieur en

Génie Electrique - Automatique
Réalisé par :
Weslati zied
Sujet :
Amélioration d’un prototype de dépôt en couche mince par la

technique d’immersion ‘’dip-coating’’
Soutenu le 23/06/2016 Devant le jury composé de :
M. Ahmed ZOUINKHI Président (professeur adjoint à ENIG)

M. Messaoud AMAIRI Rapporteur (professeur adjoint à ENIG)
M. Hassen DAHMAN Encadrant (Maitre de conférences à ENIG)
Année Universitaire : 2015-2016

Dédicaces
Je dédie ce travail de projet de fin d’études,
A mes très chers parents, pour leur amour,
leurs sacrifices et leurs patiences infinie,
A mon cher frère sami, ma soeur nada,
A tous mes amis (Zeiri Ghassen, Bdhaifi ELMuzzammel,
Trimech Adnen, Chermiti Raed, Fayçel Sallaoui,
Ben romdhane Omar, Toujani Akrem,) et mes proches,
A tous ceux qui m’aiment et que j’aime .

Remerciements
Je tiens à remercier vivement mon encadreur le professeur Mr Hassen Dahman pour son aide,
son disponibilité, son précieux conseil et son bienveillante directive pendant toute la durée de
mon projet de fin d’étude. Vous m’avez appris à travailler avec méthode et efficacité veuillez
trouver ici l’expression de ma profonde reconnaissance.
Je voudrais remercier Mr Ahmed Zouinkhi, pour l’honneur qu’il me fait en acceptant d’être le
président de jury.
Mr Messaoud Amairi, je vous exprime ma profonde gratitude pour avoir accepter de juger mon
travail. Qu’elle trouve ici l’expression de mon profond respect.
Mes remerciements s’adressent également à tous les enseignants à l’ENIG pour leur collaboration
et soutien durant nos études.
Finalement, je tiens à remercier tous ceux qui de près ou de loin, ont contribué à
l’accomplissement de ce travail.
Sommaire
Introduction générale.................................................................................................................. 1
Chapitre 1 : Etude bibliographique ............................................................................................ 2
1. Introduction : .......................................................................................................................... 3
2. Les couches minces :.............................................................................................................. 3
2.1. Notion de couches minces : ............................................................................................. 3
2.2. Techniques de fabrication de couches minces :............................................................... 3
2.2.1. Elaboration de couches minces sous vide :............................................................... 4
2.2.1.1. Evaporation thermique :......................................................................................... 4
2.2.1.2. Ablation laser (PLD Pulse Laser Deposition):....................................................... 5
2.2.1.4. Dépôts par pulvérisation cathodique (Sputtering): ................................................ 5
2.2.2. Elaboration de couches minces sans vide : ............................................................... 6
2.2.2.1. L‟électrodéposition : .............................................................................................. 6
2.2.2.2. Le dépôt par spray- pyrolyse :................................................................................ 7
2.2.2.3. Le dépôt en bain chimique :................................................................................... 8
2.2.2.4.1. Spin-coating ou centrifugation :.......................................................................... 9
2.2.2.4.2. Trempage-retrait « Dip-coating » ..................................................................... 10
3. Conclusion :.......................................................................................................................... 13
Chapitre 2 : Etude technique .................................................................................................... 14
1. Introduction : ........................................................................................................................ 15
2. Description de la station existante :...................................................................................... 15
2.1. Présentation des caractéristiques actuelles : .................................................................. 15
2.2. Objectifs désirés : .......................................................................................................... 15
3. Solution proposée :............................................................................................................... 16
3.1. Description du fonctionnement : ................................................................................... 16
3.2. Logigramme de cycle de fonctionnement: .................................................................... 17
4. Description des matériels : ................................................................................................... 19
4.1. Carte de commande : ..................................................................................................... 19

4.1.1. Présentation de la carte Arduino uno :.................................................................... 19
4.1.2. Hardware :............................................................................................................... 20
4.1.3. Software : ................................................................................................................ 20
4.1.4. Organisation de la carte : ........................................................................................ 20
4.1.5. Les E/S : ................................................................................................................. 21
4.2. Carte de puissance : ....................................................................................................... 22
4.2.1. Différents types des cartes de puissance :............................................................... 22
4.2.1.1. Carte de puissance à base de MOSFET : ............................................................. 22
4.2.1.2. Carte de puissance à base de L298 : .................................................................... 22
4.2.1. Choix de la carte de puissance :.............................................................................. 23
4.2.3. Carte de commande de la température - Carte d‟arbitrage : ................................... 23
5. Les thermocouples : ............................................................................................................. 24
5.1. Principe :........................................................................................................................ 24
5.1.1. Critères de choix d'un thermocouple : .................................................................... 25
5.2. Circuit d‟amplification pour le thermocouple : ............................................................. 25
6. Carte d‟alimentation :........................................................................................................... 27
7. logiciel labview : .................................................................................................................. 28
7.1. Généralités :................................................................................................................... 28
7.2.1 Palette de commandes :............................................................................................ 30
7.2.2 Palette de fonctions :................................................................................................ 31
7.3. Les structures de contrôles : .......................................................................................... 31
8. partie mécanique : ................................................................................................................ 33
8.1. Système vis écrou : ........................................................................................................ 33
8.2. Les accouplements :....................................................................................................... 34
8.2.1. Définition : .............................................................................................................. 34
8.2.2. Différent type d‟accouplement : ............................................................................ 35
9. Conclusion :.......................................................................................................................... 36
Chapitre 3 : Mise en œuvre pratique ........................................................................................ 37
1. Introduction : ........................................................................................................................ 38
2. partie mécanique : ................................................................................................................ 38
2.1. Assemblage du système vis écrou avec le moteur :....................................................... 38
2.2. Fixation du coussinet sur le bâti : .................................................................................. 38
2.3. Fixation des moteurs :.................................................................................................... 39
2.4. Fixation de la butée fin de course :................................................................................ 39
2.5. Plateau porte source :..................................................................................................... 40
3. Partie électrique :.................................................................................................................. 40
3.1. Carte de puissance : ....................................................................................................... 40
3.1.1. Schéma ARES :....................................................................................................... 41
3.1.2 .Carte finale :............................................................................................................ 41
3.2.1. Carte avec relais :.................................................................................................... 42
3.2.2. Schema ARES :....................................................................................................... 42
3.2.3 .Carte finale :............................................................................................................ 43
3.3.1. Carte d‟alimentation :.............................................................................................. 43
3.3.2. Schema ARES:........................................................................................................ 43
3.3.3. Carte finale :............................................................................................................ 44
4. Etalonnage du thermocouple :.............................................................................................. 44
5. Régulation de la température :.............................................................................................. 45
5.1. Boucle de régulation :.................................................................................................... 45
5.2. Résultat de la régulation tout ou rien : ........................................................................... 45
5.3. Procédure de fin de cycle :............................................................................................. 46
6. Interface graphique :............................................................................................................. 47
6.1. Commande manuelle : ................................................................................................... 47
6.2. Supervision et commande via l‟interface Graphique : .................................................. 47
7. Conclusion :.......................................................................................................................... 51
Conclusion générale ................................................................................................................. 52
Références bibliographique...................................................................................................... 53
Annexe ..................................................................................................................................... 5
Liste des figures
Figure 1. 1 : Principe de l‟évaporation thermique...................................................................... 4
Figure 1. 2 : Principe de l‟ablation laser. ................................................................................... 5
Figure 1. 4 : Principe de la pulvérisation ionique....................................................................... 6
Figure 1. 5 : Exemple d‟un procédé d‟électrodéposition de cuivre............................................ 7
Figure 1. 6 : Dépôt par Spray-Pyrolyse : Pulvérisation par un système pneumatique classique.
.................................................................................................................................................... 8
Figure 1. 7 : Dépôt par spray-pyrolyse avec atomiseur ultrasonique......................................... 8
Figure 1. 8 : Dépôt en bain chimique. ........................................................................................ 9
Figure 1. 9 : Les 4 étapes de dépôt par la technique spin-coating.............................................. 9
Figure 1. 10 : Les étapes de la technique dip-coating. ............................................................. 11
Figure 1. 11 : Schéma de la formation de la couche lors du retrait du substrat. ...................... 11
Figure 1. 12 : Influence du séchage et traitement thermique sur la porosité des couches

minces....................................................................................................................................... 12
Figure 2. 1 : Schéma représentatif de la station. ...................................................................... 16
Figure 2. 2 : logigramme décrivant le cycle de fonctionnement de la station.......................... 18
Figure 2. 3 : Composition de la carte Arduino uno. ................................................................. 21
Figure 2. 4 : E/S du microcontrôleur........................................................................................ 21
Figure 2. 5 : pont h a MOSFET................................................................................................ 22
Figure 2. 6 : circuit L298.......................................................................................................... 23
Figure 2. 7 : carte d‟arbitrage et de commande........................................................................ 23
Figure 2. 8 : Schéma de principe d'un thermocouple. .............................................................. 25
Figure 2. 9 : Brochage d‟AD620. ............................................................................................. 25
Figure 2. 10 : Brochage de LF351............................................................................................ 26

Figure 2. 11 : Brochage de TLO81........................................................................................... 26
Figure 2. 12 : Brochage d‟AD595. ........................................................................................... 26
Figure 2. 13 : Schéma de boitier de l‟amplificateur AD595. ................................................... 27
Figure 2. 14 : Montage d‟amplification à base d‟un amplificateur AD 595. ........................... 27
Figure 2. 15 : Schéma de montage de la carte d‟alimentation de la station. ............................ 28
Figure 2. 16 : Les pages face avant et diagramme d‟un programme Labview......................... 30
Figure 2. 17 : Palette de commandes........................................................................................ 31
Figure 2. 18 : Palette de fonctions............................................................................................ 31
Figure 2. 19 : La structure “For“. ............................................................................................. 32
Figure 2. 20 : La structure “While“.......................................................................................... 32
Figure 2. 21 : La structure “sequence“..................................................................................... 32
Figure 2. 22 : Exemple de la structure “condition“.................................................................. 33
Figure 2. 23 : système vis-écrou............................................................................................... 34
Figure 2. 24 : Table XY. .......................................................................................................... 34
Figure 2. 25 : Tour.................................................................................................................... 34
Figure 2. 26 : joint de cardan.................................................................................................... 35
Figure 2. 27 : joint d‟Oldham................................................................................................... 35
Figure 2. 28 Accouplement rigide............................................................................................ 36
Figure 3. 1 : Accouplement rigide............................................................................................ 38
Figure 3. 2 : Fixation du coussinet. .......................................................................................... 38
Figure 3. 3 : Fixation moteur 1................................................................................................ 39
Figure 3. 4 : Fixation moteur 2................................................................................................. 39
Figure 3. 5 : Fixation butée fin de course................................................................................. 40
Figure 3. 6 : Plateau porte source............................................................................................. 40
Figure 3. 7 : Schéma ISIS de la carte de puissance de moteur................................................. 41
Figure 3. 8 : Schéma ARES. .................................................................................................... 41

Figure 3. 9 : Carte finale........................................................................................................... 41
Figure3. 10 : Schema ISIS........................................................................................................ 42
Figure3.11 : Schema ARES. .................................................................................................... 42
Figure 3. 12 : Carte réelle......................................................................................................... 43
Figure3.13 : Schema ISIS......................................................................................................... 43
Figure3.14 : Schéma ARES. .................................................................................................... 43
Figure3.15 : Carte finale........................................................................................................... 44
Figure 3. 16 : Courbe d‟étalonnage du thermocouple.............................................................. 44
Figure 3. 17 : Boucle de régulation sous Labview. .................................................................. 45
Figure 3. 18: Résultat de la régulation tout ou rien. ................................................................. 46
Figure 3. 19: Boucle de régulation sous Labview. ................................................................... 46
Figure 3. 20 : Résultat de contrôle de la température............................................................... 47
Figure 3. 21 : Face avant du programme.................................................................................. 48
Figure 3. 22 : Initialisation. ...................................................................................................... 49
Figure 3. 23 : Configuration de nombre de cycle..................................................................... 49
Figure 3. 24 : Configuration des temps et des températures de séchage et de recuit. .............. 50
Figure 3. 25 : Evolution de la température............................................................................... 50
Figure 3. 26 : Contrôle de la position du substrat. ................................................................... 51

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Introduction générale
Les matériaux peuvent être présentés sous différentes formes, massif, poudre, ou en couche
minces. Maintenant il est possible de les avoir sous la forme nanométrique. Les couches
minces sont fortement utilisées dans des domaines comme l‟électronique, l'optoélectronique,
les capteurs ...
Les technologies basées sur l'exploitation des propriétés spécifiques des couches minces se
sont fortement développées à la fin du 20ème siècle et sont devenues l'une des voies les plus
prometteuses pour le développement de nouveaux capteurs.
L'une des principales difficultés d'emploi des couches minces concerne la reproductibilit é de
leurs caractéristiques.
Diverses méthodes d‟élaboration de couche minces dont les précurseurs pouvant être sous des
formes solides ou liquides sont utilisées, parmi lesquelles on trouve :
L‟évaporation thermique, la pulvérisation cathodique, le spin coating, le spray pyrolise ….,
Dans ce travail on s‟est intéressé à l‟élaboration des couches minces sur des substrats en verre
ordinaire par la méthode connue sous le nom de "Dipcoating" qui est basée sur le principe
d‟immersion-retrait d'un substrat dans une solution liquide contenant les précurseurs et le
solvant adéquats. Elle est reconnue par sa simplicité et sa facilité de mise en œuvre.
Ce projet de fin d études s‟intéresse à l'amélioration d‟un prototype expérimental de cette
technique utilisant deux fours, l'un sert au préchauffage éventuel des sources, l'autre sert au
séchage et au recuit de la couche, deux moteurs à courant continu pour l‟entraînement du
porte échantillon et la rotation de la plate forme porte sources.
Les cycles de dépôt, de séchage et de recuit sont supervisés par un programme écrit en
langage graphique.
Dans le premier chapitre, une étude bibliographique dans laquelle on présente des exemples
de techniques d`élaboration de couches minces.
Dans le deuxième chapitre, nous décrivons les parties de la station réalisée, en particulier la
commande des moteurs adoptés et les moyens assurant la régulation de la température.
Dans le dernier chapitre, une étude expérimentale expliquant les différentes étapes pratiques
de la réalisation englobant la commande des moteurs à courant continu, la régulation de la
température du four et la programmation du cycle de fonctionnement de la station sera
présentée.
Enfin nous terminerons par une conclusion générale et présenterons quelques perspectives.
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Chapitre 1 : Etude bibliographique
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1. Introduction :
Dans ce chapitre nous commencerons dans un premier temps par des généralités sur les
couches minces, par suite nous décrirons les méthodes d‟élaboration utilisées pour leurs
synthèses.
2. Les couches minces :

2.1. Notion de couches minces :
Une couche mince d'un matériau donné est un élément de ce matériau dont l'une des
dimensions (épaisseur), a été fortement réduite, de telle sorte qu'elle s'exprimera
habituellement en nanomètres. Cette très faible distance entre les deux surfaces limite entraîne
une perturbation de la majorité des propriétés physiques [1]. L‟essentielle différence entre le
matériau à l'état de couche mince et à l‟état massif est en effet liée au fait que, dans l'état
massif, on néglige, généralement avec raison, le rôle des limites dans les propriétés, tandis
que, dans une couche mince, ce sont au contraire les effets liés aux surfaces limites qui
peuvent être prépondérants.
Lorsque l'épaisseur d'une couche mince dépassera un certain seuil, l'effet d'épaisseur
deviendra minime et le matériau retrouvera les propriétés bien connues du matériau massif.
La seconde caractéristique d'une couche mince est que, quelle que soit la technique utilisée
pour sa synthèse, elle est toujours solidaire d'un support (substrat) sur lequel elle est déposée.
Il est connu que le substrat peux avoir une grande influence sur les propriétés de la couche
déposée. Ainsi une couche mince d'un même matériau, de même épaisseur pourra avoir des
propriétés physiques sensiblement différentes et cela selon la nature du substrat, qu‟il soit
isolant tel que le verre, ou un substrat monocristallin de silicium, par exemple.
Il faut noter, quelque soit la technique d‟élaboration utilisée, une couche mince est souvent
fortement polluée lors de sa fabrication par les molécules gazeuses environnantes, et cela va
évidemment avoir une influence sur ses propriétés physiques.
On peut s‟attendre alors que selon la technique employée, le résultat obtenu pourra donc
être sensiblement différent.
2.2. Techniques de fabrication de couches minces :

Les méthodes d‟élaboration de couches minces sont nombreuses et variées [2].
Le choix d‟une technique particulière de synthèse dépend de plusieurs facteurs. Nous citons
en outres : le matériau à déposer, la nature du substrat et l‟application désirée [3].
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2.2.1. Elaboration de couches minces sous vide :

Le principe est de déposer une couche d‟un matériau sur un substrat dans une enceinte sous
vide. On distingue plusieurs techniques parmi les quels on peut citer : l‟évaporation
thermique, la pulvérisation cathodique (sputtering) et l‟Ablation laser.
2.2.1.1. Evaporation thermique :

L‟évaporation thermique est une méthode d‟élaboration des couches minces sous vide très
utilisée pour l‟élaboration de couches minces absorbantes destinées pour des applications
photovoltaïque par exemple.
Elle consiste à évaporer sous vide un matériau à déposer, en le chauffant à haute température,
telle que la pression de vapeur soit supérieure à la pression restante dans le bâti à vide.
Ensuite, la condensation des molécules de vapeur conduit à la formation d‟une couche mince
sur un substrat [4]. Un tel dispositif d‟évaporation par chauffage résistif (effet Joule) est
représenté sur la Figure 1.1.
Figure 1. 1 : Principe de l‟évaporation thermique.
Afin de contrôler l'épaisseur des couches déposées, on utilise une balance à quartz.
Le principe de celle-ci consiste à détecter la dérive de la fréquence d'oscillation du quartz par
la modification de sa masse lors de la croissance de la couche déposée (le dépôt s'effectue
aussi sur le quartz). C'est donc une mesure électrique qu'il faut bien évidemment étalonner.
A chaque nouvelle expérience, la fréquence de référence est définie de nouveaux. En
mesurant le décalage de fréquence en fonction du temps, on peut aussi déterminer la vitesse
de croissance des couches déposées.
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Parmi les inconvénients de cette méthode d‟élaboration on cite :

 Difficultés de déposer des alliages.
 Faible adhérence.
 Dépôts poreux et non uniformes.
2.2.1.2. Ablation laser (PLD Pulse Laser Deposition):
Cette technique d‟élaboration consiste à apporter suffisamment d'énergie (très concentrée) sur
un matériau jouant le rôle de cible à l'aide d'un faisceau laser puissant. Les atomes pulvérisés
viennent se déposer en partie sur un substrat placé en face de la cible. Afin d'améliorer
l'homogénéité des couches déposées, le substrat subit un mouvement de rotation [5].
Figure 1. 2 : Principe de l‟ablation laser.
2.2.1.4. Dépôts par pulvérisation cathodique (Sputtering):

La pulvérisation cathodique permet de réaliser le dépôt de n'importe quel matériau solide,
aussi bien diélectrique que métallique. Les atomes généralement d‟Argon sont ionisés ensuite
accélérés par un potentiel négatif très élevé où se trouve le substrat [6].
En général, les couches minces obtenues par cette technique sont denses et homogènes. Il est
possible de contrôler l‟épaisseur de la couche en jouant sur quelques paramètres tels que la
température du substrat ou la puissance du plasma par exemple.
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Figure 1. 3 : Principe de la pulvérisation ionique.
Les techniques déjà présentées nécessitent un vide dans la chambre de dépôt, cependant
d‟autres méthodes permettent l‟obtention des couches minces dans un environnement ne
nécessitant pas le vide, comme par exemple les techniques, coating, dip coating, spray
pyrolyse.
2.2.2. Elaboration de couches minces sans vide :
2.2.2.1. L’électrodéposition :
La technique d‟électrodéposition ou de galvanisation s‟effectue en plusieurs étapes.
Les substrats sont :
 nettoyées dans différents bassins de composition variable.
 plongées dans plusieurs bassins de traitement.
Un rinçage à l‟eau entre le nettoyage et le traitement est souvent nécessaire afin d‟éviter la
mise en contact de substances chimiques non compatibles et la contamination des bassins.
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Figure 1. 4 : Exemple d‟un procédé d‟électrodéposition de cuivre.
La pièce à recouvrir par électrodéposition est placée dans un bassin contenant un sel
métallique en solution. Elle est connectée au pôle négatif d‟une source d‟électricité, tandis que
l‟autre pôle est relié à une électrode constituée par le métal à déposer. Sous l‟action du
courant électrique, les ions métalliques se déposent sur l‟objet et forment une pellicule
métallique.
Les métaux les plus fréquemment utilisés pour l‟électrodéposition sont l‟étain, le cadmium, le
Chrome, le cuivre, l‟argent, le plomb et le zinc.
2.2.2.2. Le dépôt par spray- pyrolyse :

Une solution contenant les différents constituants du matériau à déposer est vaporisée, en
fines gouttes, soit par un système pneumatique classique ou par un atomiseur utilisant un
générateur à ultrasons. Ces systèmes permettent de transformer la solution en un jet de
gouttelettes très fines de quelques dizaines de μm de diamètre. Le jet arrive sur la surface des
substrats chauffés, à une température suffisante pour permettre la décomposition des produits
dissouts dans le solvant et activer les réactions susceptibles de produire le matériau désiré.
A ces températures, certains produits des réactions seront immédiatement éliminés (des
éléments volatils), il ne reste donc que le composé à déposer sur le substrat.
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Figure 1. 5 : Dépôt par Spray-Pyrolyse : Pulvérisation par un système pneumatique classique.
Figure 1. 6 : Dépôt par spray-pyrolyse avec atomiseur ultrasonique.
2.2.2.3. Le dépôt en bain chimique :

La méthode de dépôt en bain chimique est l'une des méthodes les moins coûteuses utilisées
pour déposer des couches minces de nanomatériaux.
Cette méthode n‟utilise aucun matériel coûteux en plus c‟est une technique facilement
adaptable à différentes configurations géométriques. Elle peut être utilisée pour le traitement
de grandes surfaces et en grandes séries et pour un processus de dépôt en continu. Le dépôt
par bain chimique est réalisé à partir d‟une réaction chimique produite dans une solution
aqueuse qui aboutit à la précipitation d‟une couche mince sur un substrat. Un inconvénient
majeur de cette technique est le rejet de la solution restante après chaque dépôt.
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Figure 1. 7 : Dépôt en bain chimique.
2.2.2.4.1. Spin-coating ou centrifugation :

La technique spin-coating consiste à réaliser, par centrifugation, une couche mince à partir
d'une solution déposée sur un substrat selon un cycle de rotation bien défini. La préparation
d'une couche passe donc par quatre phases essentielles :
-Le dépôt de la solution sur le substrat.
-L'accélération : c'est le début de la rotation. Cette étape provoque l'écoulement du liquide
vers l'extérieur du substrat.
- La rotation uniforme : cette phase permet l'éjection de l'excès du sol sous forme de
gouttelettes et la diminution de l'épaisseur du film de façon uniforme.
- L'évaporation : durant cette étape, le substrat tourne toujours à une vitesse constante et
l'évaporation des solvants les plus volatils est dominante ce qui diminue l'épaisseur du film
déposé [7].
Ces 4 étapes de dépôt d'une couche mince sont schématisées sur la figure 1.9.
Figure 1. 8 : Les 4 étapes de dépôt par la technique spin-coating.
Où w est la vitesse de la rotation du substrat.

Cette technique a l'avantage d'être facilement mise en œuvre. Elle permet également la
réalisation des couches d'excellente qualité sur des substrats plans de dimensions de l'ordre de
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quelques cm2. L'épaisseur déposée dépend de différents paramètres comme le montre la

relation empirique :
Avec :
- A une constante sans unité.
- η la viscosité de la solution en Kg.m−1.s−1.
- ω la vitesse de rotation du substrat en rad.s−1.
- ρ la densité du sol en Kg.m−3.
- e le taux d'évaporation. Dans la plupart des applications, e est proportionnel à la racine
carrée de la vitesse de rotation.
2.2.2.4.2. Trempage-retrait « Dip-coating »

C'est la technique employée dans ce travail.
Cette technique présente de nombreux avantages. Parmi les plus significatifs soulignons la
haute qualité optique, le contrôle de la composition et de la microstructure du matériau utilisé
dans des applications diverses. Parmi celles-ci, citons les couches optiques et protectrices, les
cellules solaires, les systèmes photo catalytiques, les capteurs et les guides d‟onde.
Cette technique comme pour les autres basées sur la solution, offre la possibilité d‟introduire
des dopants (ZnO, Cds …) sous la forme de composés solubles de type organométallique ou
de sels inorganiques, et ceci d‟une manière très homogène sans phénomène d‟agrégation. Elle
demande moins d'équipement et elle est donc moins coûteuse.
Son principe est illustré sur la figure 1.10.
Il consiste à immerger le substrat dans la solution et à le retirer dans des conditions très
contrôlées et stables pour obtenir un film d'épaisseur régulière. En effet, lors du retrait le
liquide va s'écouler sur le substrat. A la fin de l'écoulement, le substrat sera recouvert d'un
film uniforme.
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Figure 1. 9 : Les étapes de la technique dip-coating.
Lors de la remontée du substrat beaucoup de phénomènes physico-chimiques se produisent ; il

s‟agit de changements structuraux du film déposé, l'évaporation des solvants, la condensation
et les forces capillaires.
La figure 1.11 montre ces différents phénomènes :
Figure 1. 10 : Schéma de la formation de la couche lors du retrait du substrat.
La bonne qualité des dépôts dépend de la vitesse d‟immersion et de retrait et de la stabilité du

bécher car l‟ensemble doit être dépourvu de toute vibration de façon à ce que la surface de la
solution reste stable durant le dépôt.
La plus légère perturbation pendant cette étape peut provoquer des défauts dans le film.
Cette étape du dépôt et de la formation des gels est suivie par deux autres opérations : le
séchage et le traitement thermique ou recuit.

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La température de séchage est proche de 100 °C, elle dépend du type du solvant et a pour but
d l‟éliminer de la couche. La figure 1.12 montre l'influence de température de séchage sur la
qualité de la couche.
Après le séchage, le gel subit un traitement thermique de recuit destiné à le transformer en un
film dense.
Ces deux opérations nécessaires à l‟obtention de couches minces de bonne qualité, changent
les propriétés structurales des matériaux utilisés ; c‟est pourquoi une étude approfondie de ces
opérations est nécessaire, afin d‟obtenir les meilleures films possibles. Si le séchage se fait à
une température fixe pour un solvant donné, les recuits sont réalisés sur une large gamme de
température et de durées de maintient variables.
Figure 1. 11 : Influence du séchage et traitement thermique sur la porosité des couches

minces.
Le séchage des couches minces :

Le séchage de la couche déposée est une étape très importante qui peut influencer les
caractéristiques du matériau déposé; elle correspond à l‟évaporation des solvants résiduels par
diffusion à travers les pores.
Le traitement thermique des couches minces :
Les couches minces sont amorphes après l'opération de séchage. Or les utilisations de ces
matériaux est souvent basées sur leurs propriétés à l'état cristallin, Il faudrait donc leur faire
subir un traitement thermique approprié afin d‟améliorer leur cristallinité.
Le traitement thermique ou recuit, permet d'une part l'élimination des espèces organiques
résiduelles après séchage, et d'autre part la densification du matériau par cristallisation.

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3. Conclusion :
Nous avons présenté quelques techniques d'élaboration de couche minces ainsi que les
paramètres pouvant influencer les qualités de la couche finale lors d'un dépôt par dip coating.
Dans ce qui suit on va présenter la conception et la réalisation de notre station de dépôt en
couche mince par la technique de „‟Dip coating‟‟.

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Chapitre 2 : Etude technique

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1. Introduction :
Dans ce chapitre, on va présenter l‟état actuel de la station de dépôt en couche mince par
la technique d‟immersion '' Dip-coating'', ensuite, on va proposer les objectifs visés par ce
travail.
Le reste du chapitre sera consacré à l‟explication de la solution proposé.
On présentera les généralités de la partie commande et la partie opérative tout en
indiquant les choix qui on été proposés en relation avec les fonctionnalités désirées de la
station.
2. Description de la station existante :

La version précédente de la station comporte deux moteurs d‟essuie-glace à aimant
permanant alimenté par une tension 12 V continu, un module KUSB-3100 pour
l‟acquisition des données et la commande, ainsi qu‟un régulateur de température de type
MICROCOR IIIA.
La supervision de la station existante est assurée par un programme écrit en langage
graphique.
2.1. Présentation des caractéristiques actuelles :

Les résultats obtenus avec cette station sont caractérisés par :
 une vitesse d‟immersion fixe assez élevée de l‟ordre de 1.2 mm/s insuffisante pour
obtenir des couches de qualité convenable et ceci malgré l‟utilisation d‟un réducteur de
vitesse.
 Le cycle se fait seulement sur une seule solution.
2.2. Objectifs désirés :

Pour surpasser les problèmes présentés dans la partie précédente on se propose de :
 Diminuer d‟avantage la vitesse lors de l‟immersion.

 Le cycle se fait sur plus qu‟une solution.
 Eviter les chocs thermiques.
 La commande et la supervision se fait via une interface moins cher de type Arduino.

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3. Solution proposée :
La bonne qualité des dépôts dépend de la stabilité du moteur et de sa vitesse et de la
stabilité du bécher car l‟ensemble doit être dépourvu de toute vibration de façon à ce que
la surface de la solution reste immobile durant le dépôt.
Dans la figure 2.1, nous présentons le schéma synoptique de la nouvelle version de la
station.
Figure 2. 1 : Schéma représentatif de la station.
3.1. Description du fonctionnement :

Tout d‟abord en commence par une sélection de la solution chimique à déposé sur le substrat,
qui se trouve sur un plateau porte source, entrainé en rotation par un moteur à courant continu
grâce à une butée de fin cours fixée sur la carcasse.
A prés la sélection de la solution, le substrat est entrainée en mouvement vertical montée
descente avec une vitesse de l‟ordre de 0.5mm/s par un moteur à courant continu par
l‟intermédiaire d‟un système vis- écrou.
Juste avant la phase d‟immersion, la vitesse du substrat est réduite à 47µm/s.
Notons que la vitesse d‟immersion est un paramètre important pour l‟obtention des couches
homogènes de bonne qualité.
A prés cette phase, le substrat va subir une phase de séchage dans un four basé sur des lampes
halogènes, placé à enivrant 12 cm au dessus du plateau porte sources.
Le choix de la température de séchage dépend principalement du type de solvant utilisé et
éventuellement la viscosité de la solution.

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Les durées des temps de trempage et de séchage sont des paramètres de dépôt, choisies par
l‟opérateur.
Le cycle de trempage et de séchage peut être répété plusieurs fois. Ensuite, l‟échantillon subit
un recuit durant un temps et à une température choisis par l‟operateur et qui dépendent de la
nature de matériaux afin d‟obtenir la couche finale.
La température de recuit qui peut être variable selon le degré de cristallinité désiré.
3.2. Logigramme de cycle de fonctionnement:

Les opérations de la station sont réalisées par le logigramme suivant :
On notera k : nombre de cycle, tr : temps de trempage, ts : temps de séchage, tre :

temps de recuit, Ts : température de séchages et Tr : température de recuit.

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Figure 2. 2 : logigramme décrivant le cycle de fonctionnement de la station.
Le cycle de fonctionnement est le suivant :

 Au départ l‟utilisateur doit fixer, le mode de fonctionnement (Automatique ou
manuel), les températures de séchage et de recuit ainsi que le temps nécessaire pour
chaque opération et le nombre de solutions utilisées ainsi que le nombre de cycle.
 Descente de la lame substrat vers le bécher et trempage durant tr.
 Montée vers le four de séchage.

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 Répétition des opérations précédentes selon le nombre de cycle choisi.

 Recuit de la couche finale a une température Tr durant tre .
 Sortie de la lame du four si T≤40 °C.
 Fin.
4. Description des matériels :

4.1. Carte de commande :
La carte de commande joue le rôle de l‟intermédiaire entre l‟interface graphique et la station, ,
elle assure l‟acquisition des paramètres et la commande du système.
Il doit être capable de traiter des signaux électriques issus des capteurs et de générer les
signaux de commande, dans notre cas une carte Arduino uno peut accomplir cette tache dont
les caractéristiques principales sont :
 Prix réduit
 La station ne nécessite pas une carte d‟acquisition de très grande précision
 Nombre d‟entrée sortie suffisant pour notre fonctionnement
 Compatible avec labview
 Un quartz de 16 Mhz
 Leur facilite de mise en œuvre
Pour les raisons prédites, le choix est fait sur la carte Arduino uno.
4.1.1. Présentation de la carte Arduino uno :
La famille Arduino est apparue en 2006 sous forme d‟une carte programmable avec un port
série. Puis de nouvelles versions sont apparues, toujours aussi simples, avec différents
formats: petites, grandes, plus puissantes, plus économiques, avec USB, avec Ethernet,
compatible Androïde, etc. Le modèle UNO de la société ARDUINO est une carte
électronique dont le cœur est un microcontrôleur ATMEL de référence ATMega328.
Le microcontrôleur ATMega328 est un microcontrôleur 8bits de la famille AVR dont la
programmation peut être réalisée en langage.
Intérêt principal des cartes ARDUINO (d‟autres modèles existent) est leur facilite de mise en
œuvre. ARDUINO fournit un environnement de développement s‟appuyant sur des outils
open source. Le chargement du programme dans la mémoire du microcontrôleur se fait de
façon très simple par port USB. En outre, des bibliothèques de fonctions clé en main sont

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également fournies pour l‟exploitation d‟entrées-sorties courantes : gestion des E/S TOR,
gestion des convertisseurs ADC, génération de signaux PWM, exploitation de bus TWI/I2C,
exploitation de servomoteurs ... Voici ses caractéristiques principales pour le modèle le plus
courant seront détailles dans les paragraphes qui suivent :
4.1.2. Hardware :
Cote Hardware, on peut citer les caractéristiques suivantes :
. Une carte de 5.5 cm sur 7 cm
. Un microcontrôleur Atmel AVR 8bits
. Des connecteurs pour toutes les entrées et sorties, numériques et/ou analogiques
. Des composants permettant l‟utilisation du port USB en programmation et en
Communication
. Un connecteur USB type B (standard carre)
. Un connecteur d‟alimentation (voir plus bas pour les détails)
. Un poids de 25 g
4.1.3. Software :
Cote Software, on peut citer les caractéristiques suivantes :
. Un environnement de programmation unique regroupant éditeur de code compilation et deug
. Un langage C/C++ avec des simplifications pour les débutants, compatible avec d‟autres
sources
. Des bibliothèques de code open source permettant d‟´etendre les fonctionnalités du
microcontrôleur
4.1.4. Organisation de la carte :
La Figure (2.3) présente les différentes parties de la carte.

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Figure 2. 3 : Composition de la carte Arduino uno.

4.1.5. Les E/S :
Une carte Arduino Uno comporte les ports suivants :
Figure 2. 4 : E/S du microcontrôleur.
 14 Entrées/Sorties logiques (port ou “ pin Digital ” de 0 `a 13).

 série asynchrone (avec 0 sur Rx et 1 sur Tx) : les pins 0 et 1 ne seront donc pas
utilisables.
 2 Interruptions externes sur 2 et 3.
 13 Sorties couplées a une LED sur la carte.
 6 Entrées analogiques (A0 à A5) E/S numériques.
 6 Sorties “ Analogiques.
 6 PWM sur les pins 3,5, 6, 9, 10 et 11[8].
L‟Arduino Uno propose jusqu‟a six sorties PWM directes, correspondant a deux
Timers 8 bits et un Timer 16 bits, avec chacun deux comparateurs.

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4.2. Carte de puissance :

La carte de puissance (pont en H) est une structure électronique servant à contrôler la polarité
aux bornes d'un dipôle. Il est composé de quatre éléments de commutation généralemen t
disposés schématiquement en une forme de H d'où le nom. Les commutateurs peuvent être
des relais, des transistors, ou autres éléments de commutation en fonction de l'application
visée. Cette structure se retrouve dans plusieurs applications de l'électronique de puissance
incluant le contrôle des moteurs, les convertisseurs et hacheurs, ainsi que les onduleurs.
4.2.1. Différents types des cartes de puissance :

Le choix sera fait entre une carte de puissance à base de MOSFET et une autre à base de
L298.
4.2.1.1. Carte de puissance à base de MOSFET :

Les transistors MOSFET sont mieux adaptés pour l‟utilisation d‟un pont en H. Leur chute de
tension à leur borne est plus faible, leur commutation est plus rapide que les transistors J -fet et
le courant supporté par le transistor est plus important. Leur résistance résiduelle lorsqu‟ils
sont saturés est assez faible et limitée donc la puissance dissipée. Comme pour les transistors
bipolaires, on utilise des MOSFET à canal P pour les transistors du haut et des MOSFET à
canal N pour les transistors du bas comme le montre la figure 2.5.
Figure 2. 5 : pont h a MOSFET.
4.2.1.2. Carte de puissance à base de L298 :

Le double pont en H L298N, montré dans la figure 2.6, est un circuit intégré de 15
pattes capable d‟accepter des signaux logiques en haute tension (jusqu‟à 50V) et à courant

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important (jusqu‟à 2A) pour l‟objectif de commander un relai, un solénoïde, un moteur DC ou

un moteur pas à pas bipolaire.
Figure 2. 6 : circuit L298.
4.2.1. Choix de la carte de puissance :

Lors du démarrage il y a un pic au niveau de courant qui peut dépassée 2 A, donc pour ce
raison on choisi de travailler avec pont H a MOSFET.
4.2.3. Carte de commande de la température - Carte d’arbitrage :
Figure 2. 7 : carte d‟arbitrage et de commande.
La carte proposée a deux raisons de réalisation :
 Carte de commande de la température :

Ce montage permet de commander l‟ouverture et la fermeture des lampes halogènes pour soit
augmenter ou diminuer la température de four, en effet l‟action de transistor Q1 maintient le

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relais RL1 excité ce qui engendre la fermeture de son contact d‟où les lampes sont
alimentées.si un niveau bas est appliqué à la base de transistor Q1 alors il y aura relâchement
de contact et puis les lampes deviennent éteintes. On a utilisé ce montage comme option pour
la régulation tout ou rien de la température.
 Carte d’arbitrage :
Notre station comporte deux moteurs, l‟un sert à entrainer l‟échantillon verticalement,
l‟autre permet de choisir la solution à déposer par une rotation horizontale. Puisque les deux
moteurs ne fonctionnement pas de manière simultanée durant toutes les opérations, nous
avons opté pour l‟utilisation d‟un seul hacheur, un système basé sur un relais permet
l‟aiguillage entre les deux.
5. Les thermocouples :
En physique, les thermocouples sont utilisés pour la mesure de température. Ils sont bon
marché et permettent la mesure dans une grande gamme de températures. Leur principal
défaut est leur précision : il est relativement difficile d'obtenir des mesures avec une erreur
inférieure à 0,1 °C - 0,2 °C.
La mesure de température par des thermocouples est basée sur l'effet Seebeck qui se
manifeste par l'apparition d'une force électromotrice (f.e.m) produite par la différence de
température par rapport à une jonction de référence généralement placée dans la glace.
Il existe plusieurs type de thermocouple, nous avons utilisé un thermocouple de type k vue sa
couverture de la plage de température de travaille ainsi que sa disponibilité au laboratoire.
5.1. Principe :
Le thermocouple de type K est formé par deux alliages de type chromel-allumel. Si on réunit
à une extrémité deux fils métalliques de natures différentes et que l'on élève la température de
cette extrémité, il apparaît une tension eAB aux extrémités restées libres. Il est possible de
déterminer la température de l'extrémité chauffée à partir de la mesure de eAB grâce a
l‟utilisation d un tableau de conversion.
Pour ce genre de thermocouple dans une grande plage de température, nous avons environ
40µV/°C.
La figure 2.8 présente le schéma de principe d un thermocouple

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Figure 2. 8 : Schéma de principe d'un thermocouple.
5.1.1. Critères de choix d'un thermocouple :

- Domaine de température à mesurer.
- Sensibilité du couple.
- Résistance à la corrosion.
- Prix.
5.2. Circuit d’amplification pour le thermocouple :

Vue les faibles valeurs des f.e.m issues du thermocouple (dans la gamme de température de
travaille, cette valeur ne dépasse pas 2 mV à 400 °C) et vue la résolution de la carte utilisée
(de l‟ordre de 5 mV), l‟utilisation d un amplificateur est alors nécessaire.
Plusieurs type d‟amplificateur en circuits intégré peuvent être parmi les quels on cite :
 AD620
Figure 2. 9 : Brochage d‟AD620.
AD620 est un amplificateur de grande précision d'instrumentation qui exige seulement une
résistance externe afin de maintenir la valeur de gains entre 1 et 1000.

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 LF351
Figure 2. 10 : Brochage de LF351.
Le LF351 est un amplificateur opérationnel à JFET à grande vitesse avec une tension d‟entrée
intérieurement équilibrée. Le dispositif exige un bas approvisionnement de courant alors qu‟il
maintient une large bande de gain.
 TLO81
Figure 2. 11 : Brochage de TLO81.
Le TLO81 est un amplificateur opérationnel à base de transistors bipolaires et JFET dans un

circuit intégré monolithique. Il est caractérisé par une bonne protection interne contre les
courts circuits ainsi qu‟une basse polarisation d‟entrée et une sensibilité tension-température
réglée.
 AD595
Figure 2. 12 : Brochage d‟AD595.

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D‟après sa fiche technique, l‟amplificateur utilisé à une résolution de 10 mV/ °C, ce qui est
adopté pour notre projet, par exemple pour une tension Vout = 1V on peut déduire que la
température est égale à 100 °C.
Figure 2. 13 : Schéma de boitier de l‟amplificateur AD595.
En utilisant cet amplificateur, on a proposé le montage d‟amplification suivant :
Figure 2. 14 : Montage d‟amplification à base d‟un amplificateur AD 595.
6. Carte d’alimentation :
Notre station a besoin d‟une alimentation qui comporte l‟alternatif et le continu, dont :
 Une source continue de 5 V / 2 A : pour l‟alimentation de l‟AOP AD595.

 Une source continue de 12 V / 2 A : pour l‟alimentation des relais.
 Une source alternative de 230 V / 5 A : pour l‟alimentation de four.
Pour satisfaire à ce besoin on a proposé le montage présenté dans la figure :

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Figure 2. 15 : Schéma de montage de la carte d‟alimentation de la station. L‟alimentation
classique basée sur un régulateur de tension de la famille 78XX présente un

inconvénient, en effet le courant de sortie ne dépasse pas 1 A, alors en utilisant un transistor
de puissance 2N3055 dont la base est s alimentée par la sortie du régulateur permet
d'augmenter le courant de sortie de l'alimentation.
7. logiciel labview :
Un programme écrit en langage graphique (Labview) assure l‟acquisition des paramètres et
la commande de la station.
Labview est un environnement qui permet de créer une interface graphique pour la
gestion de la station. La disponibilité d‟une bibliothèque Arduino et la facilité de mise en
ouvre d‟une interface graphique d‟une part, et la facilité de gérer les signaux d‟entré sortie
justifie l‟utilisation de ce type de programmation graphique
7.1. Généralités :
Labview (Laboratory Virtual Instrument Engineering Workbench) [9] est un logiciel de la
société National Instruments qui permet de configurer facilement des instruments, piloter
des Manipulations, recueillir et traiter des données. Toute application Labview est appelée
un instrument virtuel que nous noterons VI. Le mode de programmation est graphique
(appelé Langage G) mais il est basé sur la notion de programmation orientée objet. Le

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contrôle est effectué par flux de données (les opérations contenues dans un bloc seront
exécutées quand toutes les données seront présentes à l'entrée du bloc qui représente un
nœud du graphe).
Pour chaque instrument ou bus ou carte d'acquisition, il existe une bibliothèque de
programmes de configuration qui fournit la face avant de l'instrument et converti les
commandes et les mesures. Labview permet ainsi de commander par programmation
des manipulations et de recueillir et traiter les données.
Un VI est représenté des trois manières complémentaires suivantes que l'on utilise
généralement dans cet ordre lors de la conception.
• La face avant qui est interactive parce qu'elle simule la face d'un instrument physique.
Elle comporte des contrôles (interrupteurs, curseurs...c'est à dire des entrées) et des
indicateurs (écrans, cadrans, voyants ...des sorties).
• A chaque VI correspond un bloc diagramme. Il décrit le traitement des données à

effectuer entre les commandes et les indicateurs. On le construit en langage G. C'est la
solution graphique d'un problème de programmation. Ce diagramme correspond au
code source du traitement interne à l'appareil.
• L'icône/Connecteur facultatif qui permet de remplacer le VI par une icône et de le

connecter à d'autres VI. En effet tout VI peut être un sous VI d'un VI plus complexe
(comme un sous programme, une fonction ou une procédure dans un programme
textuel).

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Figure 2. 16 : Les pages face avant et diagramme d‟un programme Labview.
7.2. Les palettes :

En Labview, toute la programmation se passe de façon graphique, il n‟y a pas de syntaxe à
connaître (pas de Begin, end, for, etc.). Quand on débute, on commence souvent par créer la
face-avant, puis on passe au diagramme pour représenter la logique du programme.
Nous verrons par la suite qu‟il est souvent plus rapide de faire l‟inverse (sauf pour le vi
correspondant à ce qui sera montré finalement à l‟utilisateur).
7.2.1 Palette de commandes :

Le « Control Palette » n'a d'utilité que vis à vis de la fenêtre « Front Panel ». Cette palette
propose un choix de divers objets graphiques portants sur des structures de données
différentes.
On trouvera de quoi composer des « faces avants » d'instruments, constituées d'objets
numériques, booléens, chaînes de caractères, tableaux, et divers objets de visualisation
graphiques, etc.
Les différentes options de la « palette de contrôle » sont :
· Les indicateurs et contrôles associés aux données numériques (thermomètres, vumètres,
jauges...),
· Les indicateurs et contrôles booléens (interrupteurs, bouton poussoir, LED...)
· Indicateurs et contrôles de chaînes de caractères
· Les indicateurs et contrôles liés aux menus déroulants

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· Les indicateurs et contrôles associés aux tableaux et clusters (regroupement de données sous
la forme d‟une seule variable)
· Les graphes : permettent de représenter différents type de graphes possibles
Figure 2. 17 : Palette de commandes.
7.2.2 Palette de fonctions :

Elle s'affiche lorsqu'on visualise le bloc diagramme (figure II.6). Chaque icône contient
également des sous palettes. Elle permet de placer des nœuds (opérateurs, VIs, constantes...)
dans le bloc diagramme.
Figure 2. 18 : Palette de fonctions.
7.3. Les structures de contrôles :

Lors d‟expérimentations, il est indispensable de contrôler le début, la fin et le nombre
d‟exécutions d‟une application sinon elle débute immédiatement avec run, s‟exécute le plus
rapidement possible et se termine avec stop sous notre contrôle.
Labview dispose des boucles For et While comme en programmation classique.
La boucle For :

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Figure 2. 19 : La structure “For“.

La boucle While :
Figure 2. 20 : La structure “While“.
La structure séquence :
Figure 2. 21 : La structure “sequence“.

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La structure condition : (Case structure)
Figure 2. 22 : Exemple de la structure “condition“.
8. partie mécanique :
Dans cette patrie il y a changement au niveau de la transmission du mouvement (d‟un système
réducteur avec poulie vers un système vis écrou) pour des raisons de vitesse durant la phase
d‟immersion. Pour éviter le phénomène de flexion au niveau de l‟axe on ajoute un coussinet
pour le guidage en rotation aussi pour éviter la flexion qui est fixé sur le bâti.
Pour assembler l‟axe du moteur avec l‟axe on utilise un accouplement rigide.
L‟ajout d‟une butée de fin course pour la détection de la position du bécher par apport au
substrat.
8.1. Système vis écrou :
Le système vis-écrou, est un mécanisme d'entraînement en translation, Il se compose :
 d'une tige filetée entraînée en rotation autour d'un axe fixe par rapport au bâti de la
machine.
 d'une pièce comportant un filetage intérieur, la noix (ou écrou), guidée en translation par
rapport au bâti.
Lorsque la vis tourne, la noix est entraînée en translation.
C'est donc un mécanisme de transformation de mouvement utilisant le principe de la vis et de

l'écrou, c'est-à-dire la liaison hélicoïdale. En général il permet la transformation d'un
mouvement de rotation en un mouvement de translation. C'est par exemple le dispositif le
plus communément adopté sur les étaux, et autres pressoirs mais aussi les crics.

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Figure 2. 23 : système vis-écrou
Exemples d’application :
Figure 2. 24 : Table XY.
Figure 2. 25 : Tour.
8.2. Les accouplements :
8.2.1. Définition :
En mécanique, un accouplement est un dispositif de liaison entre deux arbres en rotation,

permettant la transmission du couple.

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Il permet éventuellement un certain désalignement (accouplement élastique, joint de

cardan...), autorise des décalages angulaires (accouplement hydraulique...) et peut être
temporairement inactif (embrayage, crabotage).
Un accouplement mécanique peut être un accouplement élastique, un accouplement à

membranes, un accouplement à denture.
8.2.2. Différent type d’accouplement :
 Le joint de cardan :
Le cardan simple n‟est homocinétique que si les arbres sont alignés (ce qui n‟a pas un grand
intérêt…).
Figure 2. 26 : joint de cardan.
 Le joint d’Oldham :
Il transmet un couple entre deux arbres parallèles pouvant présenter un désalignement radial.
Il n‟est pas adapté aux désalignements axiaux.
Figure 2. 27 : joint d‟Oldham.
 Accouplement rigide :
Il ne permet aucun défaut d‟alignement des arbres. La conséquence est que cela va
inévitablement augmenter les charges sur les paliers des guidages. C'est le type
d'accouplement retenu dans notre projet.

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Figure 2. 28 Accouplement rigide.
9. Conclusion :
Dans ce chapitre, après avoir présenté la station existante, on a présenté la solution proposée
et les différentes parties en justifiant les choix faits. Dans le chapitre suivant, on s'intéressera à
la réalisation pratique et les essais réels réalisés.

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Chapitre 3 : Mise en œuvre pratique

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1. Introduction :
Dans ce chapitre, on va présenter les parties mécanique, électrique, les différents essais faits et
les différentes solutions proposées pour assurer le bon fonctionnement de la station.
2. partie mécanique :
2.1. Assemblage du système vis écrou avec le moteur :
Le choix de l‟accouplement est très nécessaire pour garantir le bon fonctionnement du
système aussi pour obtenir des bons résultats.
Dans ce projet on a choisit de travailler avec un accouplement rigide (voir figure 3.1), il ne
permet aucun défaut d‟alignement des arbres, cependant les charges sur les paliers de guidage
sont augmentées.
Figure 3. 1 : Accouplement rigide.
2.2. Fixation du coussinet sur le bâti :

Le coussinet est utilisé pour le guidage en rotation du vis, aussi pour éviter le phénomène de
la flexion au niveau du vis comme le montre la figure 3.2.
Figure 3. 2 : Fixation du coussinet.

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2.3. Fixation des moteurs :

La fixation des moteurs avec le bâti se fait avec des vis écrou de diamètre 4 mm avec un
support pour bien maintenir la bonne position (figures 3.3, 3.4).
Figure 3. 3 : Fixation moteur 1.
De même pour le moteur qui est assemblé avec le plateau la fixation est de type vis écrou.
Figure 3. 4 : Fixation moteur 2.
2.4. Fixation de la butée fin de course :

La butée fin de course est un contact ouvert au repos utilisé pour détecter la présence du
bécher au dessous du substrat avec une position bien déterminée placée directement au
dessous de la lame porte échantillon comme le montre la photo de la figure3.5.

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Figure 3. 5 : Fixation butée fin de course.
2.5. Plateau porte source :

L‟utilisation du plateau porte source permet de travailler éventuellement sur plus qu‟une
solution dans le cas où on a besoin d‟un système multicouches hétérogène ou une structure
électronique.
Figure 3. 6 : Plateau porte source.
3. Partie électrique :
3.1. Carte de puissance :
Les moteurs électriques ont besoin des courants importants par rapport à la sortie d‟une
carte Arduino. Un moteur ne marcherait pas si on le branchait directement à la sortie de la
carte. La première fonction du pont en H est fournir de forts courants aux moteurs en
permettant leur contrôle par la carte Arduino. Une autre fonction est de pouvoir inverser la
tension aux bornes du moteur pour inverser le sens de rotation.

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Figure 3. 7 : Schéma ISIS de la carte de puissance de moteur.
3.1.1. Schéma ARES :
Figure 3. 8 : Schéma ARES.
3.1.2 .Carte finale :
Figure 3. 9 : Carte finale.

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3.2.1. Carte avec relais :

On utilise la carte à base des relais pour faire la sélection entre les deux moteurs, aussi pour la
régulation de température lorsque on est besoin d‟une régulation tous ou rien.
Figure3. 10 : Schema ISIS
3.2.2. Schema ARES :
Figure3.11 : Schema ARES.

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3.2.3 .Carte finale :
Figure 3. 12 : Carte réelle.

3.3.1. Carte d’alimentation :
Figure3.13 : Schema ISIS.

3.3.2. Schema ARES:
Figure3.14 : Schéma ARES.

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3.3.3. Carte finale :
Figure3.15 : Carte finale.
4. Etalonnage du thermocouple :
L‟étalonnage de l‟ensemble « thermocouple et AD595 » a été effectué par l‟installation
d‟un voltmètre à la sortie de l‟amplificateur AD595 pour mesurer la tension qui va être
appliquée à l‟entrée analogique de la carte Arduino.
Le résultat est présenté dans la figure 3.16.
T (°C)
330
300
270
240
210
180
150
120
90
60
30
0 0,250,5 0,75 1 1,25 1,5 1,75 2 2,25 2,5 2,75 3 3,25 3,5 3,75 U (V)
Figure 3. 16 : Courbe d‟étalonnage du thermocouple.

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5. Régulation de la température :
5.1. Boucle de régulation :
Pour mettre en ouvre la régulation de température un programme sous Labview à été réalisé
comme indique la figure 3.17:
Figure 3. 17 : Boucle de régulation sous Labview.
 La lecture de température se fait à travers une entrée analogique (AN0) de la carte

Arduino.
 La régulation est assurée grâce à un relais commandé via une sortie numérique (7) de
la carte Arduino.
5.2. Résultat de la régulation tout ou rien :

La figure 3 . 1 8 montre le résultat obtenu pour une consigne de 100 ºC, Le résultat
semble satisfaisant.

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Figure 3. 18: Résultat de la régulation tout ou rien.
On remarque qu‟il ya un dépassement de trois degrés, les pics sont dues à l‟ouverture et
à la fermeture du relais puisqu‟on est en mode tout ou rien qui présente une source de non
linéarité.
5.3. Procédure de fin de cycle :

Dans un but d‟éviter un choc thermique ayant des conséquences néfaste sur la qualité de la
couche finale, l‟échantillon ne sort du four qu‟après avoir atteint la température ambiante, il
pourra ensuite être retiré du porte substrat. La figure 3.19 montre le suivie de ces étapes.
Figure 3. 19: Boucle de régulation sous Labview.
La courbe présentée dans la figure 3.20 montre le suivie de la température du four et l‟instant
du retrait de la lamme du porte substrat.

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Figure 3. 20 : Résultat de contrôle de la température.

On remarque qu‟il ya un dépassement de trois degrés, les pics sont dues à l‟ouverture et
à la fermeture du relais puisqu‟on est en mode tout ou rien, on applique une consigne de
150 °C ; on observe l‟évolution progressive de la température.
Lorsque on attient la consigne, la carte Arduino envoie les commandes de fermeture et

ouverture des contacts de relais pour garder la valeur de la température constante pendant
une durée bien déterminée (temps de séchage ou temps de recuit).
Après la dernière phase du recuit, le substrat est maintenu dans le four jusqu‟à ce que la
température atteigne une valeur proche de l'ambiante afin de protéger le substrat contre les
chocs thermiques.
6. Interface graphique :
Afin de donner à l'opérateur le maximum de flexibilité et dans le cas d'une panne
électronique, on a proposé deux modes de fonctionnement de la station : manuelle et
automatique.
6.1. Commande manuelle :

La commande manuelle se fait à travers des boutons fixés sur la face avant de la station.
6.2. Supervision et commande via l’interface Graphique :

La commande du système peut se faire à travers l‟interface graphique créée dans
l'environnement Labview. Cette interface permet aussi, le suivi des cycles de fonctionnement

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et la position du substrat dans chaque phase, l‟évolution de température durant les phases de
séchage et de recuit.
La figure 3.21 montre les différentes parties de l‟interface :
Figure 3. 21 : Face avant du programme.
Notre interface contient plusieurs options pour bien gérer le fonctionnement de notre station.
On expliquera par la suite les différentes parties de notre interface :
 Initialisation
Initialement on commence par choisir le nombre de solutions utilisées dans ce dépôt et

donner la différence entre le niveau du liquide dans la source (becher) et le bas du substrat
afin d'appliquer avec précision la longueur d'immersion de la lamme dans le liquide.

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Figure 3. 22 : Initialisation.
 Configuration de nombre de cycle
A prés l‟initialisation, on introduit le nombre de cycle pour chaque solution, dans notre cas on
a choisi de travailler sur une ou éventuellement sur deux solution.
Deux indicateurs lumineux rappellent le nombre de solution choisie, un indicateur d'erreur
(ERROR) s‟allume lorsque le nombre de solution choisi est différent de 1 ou 2.
Figure 3. 23 : Configuration de nombre de cycle.
 Configuration des temps et des températures de séchage et de recuit
Maintenant, dans ce bloc (figure 3.24) on fixe les temps d‟immersion, de séchage et de recuit
ainsi que les cosignes des températures de séchage et de recuit.

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Figure 3. 24 : Configuration des temps et des températures de séchage et de recuit.
 Contrôle de la température
Le suivie de la température durant le fonctionnement de la station est donner par le bloque

située dans la figure au dessous :
Figure 3. 25 : Evolution de la température.
 Contrôle de la position du substrat
Notre interface permet de contrôlée la position du substrat dans les phases d‟immersion,
séchage et recuit.

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Figure 3. 26 : Contrôle de la position du substrat.
7. Conclusion :
Dans ce chapitre nous avons détaillé les différentes parties de la station à savoir une
description mécanique outre les cartes électroniques, ainsi que les différentes boucles de
régulation de la température et les résultats des essais, et la face avant du programme avec
interprétation des différents blocs. On a réussi en modifiant le mode d'entrainement vertical de
l'échantillon de réduire la vitesse d'immersion de 1.2 mm/s à environ 47 m/s.

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Conclusion générale
Durant la période de réalisation de notre projet, nous avons établi une étude sur les différentes
techniques d'élaboration de couches minces. Par la suite, nous avons focalisé sur la méthode
de 'Dip-coating' en introduisant les différentes possibilités et les choix convenable de nos
besoins matériels et logiciels.
Nous avons réussi à améliorer les performances de la station en mettant l‟accent sur la partie
mécanique et le couplage des moteurs avec les axes de mouvements. En effet l‟entrainement
vertical du la lame est assuré par un moteur à courant continu à accouplement rigide
permettant d‟éviter des vibrations et de diminuer la vitesse d‟entrainement. De plus la
possibilité d‟utiliser plus qu‟une source permettra la fabrication de structures diverses.
Un programme écrit en langage graphique permet de gérer la station et de suivre les
paramètres en temps réel.
Après la réalisation pratique et les tests des différentes cartes électroniques nécessaires, nous
affirmons que nous avons achevé nos buts, en effet on a réussi à diminuer la vitesse
d'immersion de 1,2 mm/s à environ 47µm/s paramètre important pour obtenir des couches
minces de bonne qualité.
Ce projet a été très bénéfique puisque nous avons acquis de nouvelles connaissances
concernant la commande des moteurs à courant continu et le travail avec des nouvelles
plateformes, et d‟autres acquis au niveau de la programmation et l'interfaçage graphique.
En perspective, nous espérons que la machine sera asservie en position. On note aussi qu'il
sera possible de diminuer d'avantage la vitesse d'immersion en se servant d'un moteur pas à
pas de grande précision.

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Références bibliographique
[1] D.L.Smith, „Thin-Film Deposition: Principales and Practice‟, McGraw-Hill Professional,
France (1995).
[2]H. Benelelmadjat, Mémoire de mastère en physique de l‟université Mentouri-Constantine,

Algérie (2007).
[3]J.P.Boilot, F.Chaput, L.Malier, A.Brun, Y.Lévy et J.-P.Galaup, Images de la Physique 44

(1998).
[4]F.Tchelibou, A. Boyer et J.p.Cheron, Journal de physique II, 3 (1993) 1003.
[5] http://www.andor.com/learning-academy/pulsed-laser-deposition-an-introduction-to-
pulsed-laser-deposition - 21 / 06 / 2016
[6] https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00638786Thèse de l‟Université Jean Monnet de Saint-

Etienne, France (2008).
[7] W.R. Saleh, N.M. Saed, W.A.Mohammed Alwan, Advances in Materials Physics and
Chemistry, 2 (2012) 11.
[8] Site officiel: www.arduino.cc.
[9] Site officiel de National Instruments: www.ni.com.

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Annexe

a Monolithic Thermocouple Amplifiers
with Cold Junction Compensation
AD594/AD595
FEATURES FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
Pretrimmed for Type J (AD594) or
Type K (AD595) Thermocouples –IN –ALM +ALM V+ COMP VO FB
Can Be Used with Type T Thermocouple Inputs 14 13 12 11 10 9 8
Low Impedance Voltage Output: 10 mV/ⴗC OVERLOAD
Built-In Ice Point Compensation DETECT
Wide Power Supply Range: +5 V to ⴞ15 V AD594/AD595

+A
Low Power: <1 mW typical
Thermocouple Failure Alarm
Laser Wafer Trimmed to 1ⴗC Calibration Accuracy G G ICE
POINT
Setpoint Mode Operation COMP. –TC
Self-Contained Celsius Thermometer Operation +TC
High Impedance Differential Input

Side-Brazed DIP or Low Cost Cerdip 1 2 3 4 5 6 7
+IN +C +T COM –T –C V–
PRODUCT DESCRIPTION are available at the package pins so that the circuit can be
The AD594/AD595 is a complete instrumentation amplifier and recalibrated for the thermocouple types by the addition of two
thermocouple cold junction compensator on a monolithic chip. or three resistors. These terminals also allow more precise cali-
It combines an ice point reference with a precalibrated amplifier bration for both thermocouple and thermometer applications.
to produce a high level (10 mV/°C) output directly from a ther- The AD594/AD595 is available in two performance grades. The
mocouple signal. Pin-strapping options allow it to be used as a C and the A versions have calibration accuracies of ± 1°C and
linear amplifier-compensator or as a switched output setpoint ± 3°C, respectively. Both are designed to be used from 0°C to
controller using either fixed or remote setpoint control. It can +50°C, and are available in 14-pin, hermetically sealed, side-
be used to amplify its compensation voltage directly, thereby brazed ceramic DIPs as well as low cost cerdip packages.
converting it to a stand-alone Celsius transducer with a low
impedance voltage output. PRODUCT HIGHLIGHTS
The AD594/AD595 includes a thermocouple failure alarm that 1. The AD594/AD595 provides cold junction compensation,
indicates if one or both thermocouple leads become open. The amplification, and an output buffer in a single IC package.
alarm output has a flexible format which includes TTL drive 2. Compensation, zero, and scale factor are all precalibrated by
capability. laser wafer trimming (LWT) of each IC chip.
The AD594/AD595 can be powered from a single ended supply 3. Flexible pinout provides for operation as a setpoint control-
(including +5 V) and by including a negative supply, tempera- ler or a stand-alone temperature transducer calibrated in
tures below 0°C can be measured. To minimize self-heating, an degrees Celsius.
unloaded AD594/AD595 will typically operate with a total sup-
ply current 160 µA, but is also capable of delivering in excess of 4. Operation at remote application sites is facilitated by low
± 5 mA to a load. quiescent current and a wide supply voltage range +5 V to
dual supplies spanning 30 V.
The AD594 is precalibrated by laser wafer trimming to match
the characteristic of type J (iron-constantan) thermocouples and 5. Differential input rejects common-mode noise voltage on the
the AD595 is laser trimmed for type K (chromel-alumel) inputs. thermocouple leads.
The temperature transducer voltages and gain control resistors
REV. C
Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and
reliable. However, no responsibility is assumed by Analog Devices for its
use, nor for any infringements of patents or other rights of third parties One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A.
which may result from its use. No license is granted by implication or Tel: 781/329-4700 World Wide Web Site: http://www.analog.com
otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. Fax: 781/326-8703 © Analog Devices, Inc., 1999
(@ +25ⴗC and VS = 5 V, Type J (AD594), Type K (AD595) Thermocouple,
AD594/AD595–SPECIFICATIONS unless otherwise noted)
Model AD594A AD594C AD595A AD595C
Min Typ Max Min Typ Max Min Typ Max Min Typ Max Units
ABSOLUTE MAXIMUM RATING
+VS to –V S 36 36 36 36 Volts
Common-Mode Input Voltage –VS – 0.15 +VS –VS – 0.15 +VS –VS – 0.15 +VS –VS – 0.15 +VS Volts
Differential Input Voltage –VS +VS –VS +VS –VS +VS –VS +VS Volts
Alarm Voltages
+ALM –VS –VS + 36 –VS –VS + 36 –VS –VS + 36 –VS –VS + 36 Volts
–ALM –VS +VS –VS +VS –VS +VS –VS +VS Volts
Operating Temperature Range –55 +125 –55 +125 –55 +125 –55 +125 °C
Output Short Circuit to Common Indefinite Indefinite Indefinite Indefinite
TEMPERATURE MEASUREMENT
(Specified Temperature Range
0°C to +50°C)
Calibration Error at +25°C1 ⴞ3 ⴞ1 ⴞ3 ⴞ1 °C
Stability vs. Temperature 2 ⴞ0.05 ⴞ0.025 ⴞ0.05 ⴞ0.025 °C/°C
Gain Error ⴞ1.5 ⴞ0.75 ⴞ1.5 ⴞ0.75 %
Nominal Transfer Function 10 10 10 10 mV/°C
AMPLIFIER CHARACTERISTICS
Closed Loop Gain 3 193.4 193.4 247.3 247.3
Input Offset Voltage (Temperature in °C) × (Temperature in °C) × (Temperature in °C) × (Temperature in °C) ×
51.70 µV/°C 51.70 µV/°C 40.44 µV/°C 40.44 µV/°C µV
Input Bias Current 0.1 0.1 0.1 0.1 µA
Differential Input Range –10 +50 –10 +50 –10 +50 mV
Common-Mode Range –VS – 0.15 –VS – 4 –VS – 0.15 –VS – 4 –VS – 0.15 –VS – 4 –VS – 0.15 –VS – 4 Volts
Common-Mode Sensitivity – RTO 10 10 10 10 mV/V
Power Supply Sensitivity – RTO 10 10 10 10 mV/V
Output Voltage Range
Dual Supply –VS + 2.5 +VS – 2 –VS + 2.5 +VS – 2 –VS + 2.5 +VS – 2 –VS + 2.5 +VS – 2 Volts
Single Supply 0 +VS – 2 0 –VS – 2 0 +VS + 2 0 +VS – 2 Volts
Usable Output Current4 ±5 ±5 ±5 ±5 mA
3 dB Bandwidth 15 15 15 15 kHz
ALARM CHARACTERISTICS
VCE(SAT) at 2 mA 0.3 0.3 0.3 0.3 Volts
Leakage Current ⴞ1 ⴞ1 ⴞ1 ⴞ1 µA max
Operating Voltage at – ALM +VS – 4 +VS – 4 +VS – 4 +VS – 4 Volts
Short Circuit Current 20 20 20 20 mA
POWER REQUIREMENTS
Specified Performance +VS = 5, –VS = 0 +VS = 5, –VS = 0 +VS = 5, –VS = 0 +VS = 5, –VS = 0 Volts
Operating5 +VS to –VS ≤ 30 +VS to –VS ≤ 30 +VS to –VS ≤ 30 +VS to –VS ≤ 30 Volts
Quiescent Current (No Load)
+VS 160 300 160 300 160 300 160 300 µA
–VS 100 100 100 100 µA
PACKAGE OPTION
TO-116 (D-14) AD594AD AD594CD AD595AD AD595CD
Cerdip (Q-14) AD594AQ AD594CQ AD595AQ AD595CQ
NOTES
1
Calibrated for minimum error at +25°C using a thermocouple sensitivity of 51.7 µV/°C. Since a J type thermocouple deviates from this straight line approximation, the AD594 will normally
read 3.1 mV when the measuring junction is at 0°C. The AD595 will similarly read 2.7 mV at 0°C.
2
Defined as the slope of the line connecting the AD594/AD595 errors measured at 0°C and 50°C ambient temperature.
3
Pin 8 shorted to Pin 9.
4
Current Sink Capability in single supply configuration is limited to current drawn to ground through a 50 kΩ resistor at output voltages below 2.5 V.
5
–VS must not exceed –16.5 V.
Specifications shown in boldface are tested on all production units at final electrical test. Results from those tests are used to calculate outgoing quality levels. All min and max specifications
are guaranteed, although only those shown in boldface are tested on all production units.
Specifications subject to change without notice.
INTERPRETING AD594/AD595 OUTPUT VOLTAGES compensated signal, the following transfer functions should be
To achieve a temperature proportional output of 10 mV/°C and used to determine the actual output voltages:
accurately compensate for the reference junction over the rated AD594 output = (Type J Voltage + 16 µV) × 193.4
operating range of the circuit, the AD594/AD595 is gain trimmed AD595 output = (Type K Voltage + 11 µV) × 247.3 or conversely:
to match the transfer characteristic of J and K type thermocouples Type J voltage = (AD594 output/193.4) – 16 µV
at 25°C. For a type J output in this temperature range the TC is
51.70 µV/°C, while for a type K it is 40.44 µV/°C. The resulting Type K voltage = (AD595 output/247.3) – 11 µV
gain for the AD594 is 193.4 (10 mV/°C divided by 51.7 µV/°C) Table I lists the ideal AD594/AD595 output voltages as a func-
and for the AD595 is 247.3 (10 mV/°C divided by 40.44 µV/°C). tion of Celsius temperature for type J and K ANSI standard
In addition, an absolute accuracy trim induces an input offset to thermocouples, with the package and reference junction at
the output amplifier characteristic of 16 µV for the AD594 and 25°C. As is normally the case, these outputs are subject to cali-
11 µV for the AD595. This offset arises because the AD594/ bration, gain and temperature sensitivity errors. Output values
AD595 is trimmed for a 250 mV output while applying a 25°C for intermediate temperatures can be interpolated, or calculated
thermocouple input. using the output equations and ANSI thermocouple voltage
Because a thermocouple output voltage is nonlinear with respect tables referred to zero degrees Celsius. Due to a slight variation
to temperature, and the AD594/AD595 linearly amplifies the in alloy content between ANSI type J and DIN FE-CUNI
–2– REV. C
AD594/AD595
Table I. Output Voltage vs. Thermocouple Temperature (Ambient +25°C, VS = –5 V, +15 V)
Thermocouple Type J AD594 Type K AD595 Thermocouple Type J AD594 Type K AD595
Temperature Voltage Output Voltage Output Temperature Voltage Output Voltage Output
°C mV mV mV mV °C mV mV mV mV
–200 –7.890 –1523 –5.891 –1454 500 27.388 5300 20.640 5107
–180 –7.402 –1428 –5.550 –1370 520 28.511 5517 21.493 5318
–160 –6.821 –1316 –5.141 –1269 540 29.642 5736 22.346 5529
–140 –6.159 –1188 –4.669 –1152 560 30.782 5956 23.198 5740
–120 –5.426 –1046 –4.138 –1021 580 31.933 6179 24.050 5950
–100 –4.632 –893 –3.553 –876 600 33.096 6404 24.902 6161
–80 –3.785 –729 –2.920 –719 620 34.273 6632 25.751 6371
–60 –2.892 –556 –2.243 –552 640 35.464 6862 26.599 6581
–40 –1.960 –376 –1.527 –375 660 36.671 7095 27.445 6790
–20 –.995 –189 –.777 –189 680 37.893 7332 28.288 6998
–10 –.501 –94 –.392 –94 700 39.130 7571 29.128 7206
0 0 3.1 0 2.7 720 40.382 7813 29.965 7413
10 .507 101 .397 101 740 41.647 8058 30.799 7619
20 1.019 200 .798 200 750 42.283 8181 31.214 7722
25 1.277 250 1.000 250 760 – – 31.629 7825
30 1.536 300 1.203 300 780 – – 32.455 8029
40 2.058 401 1.611 401 800 – – 33.277 8232
50 2.585 503 2.022 503 820 – – 34.095 8434
60 3.115 606 2.436 605 840 – – 34.909 8636
80 4.186 813 3.266 810 860 – – 35.718 8836
100 5.268 1022 4.095 1015 880 – – 36.524 9035
120 6.359 1233 4.919 1219 900 – – 37.325 9233
140 7.457 1445 5.733 1420 920 – – 38.122 9430
160 8.560 1659 6.539 1620 940 – – 38.915 9626
180 9.667 1873 7.338 1817 960 – – 39.703 9821
200 10.777 2087 8.137 2015 980 – – 40.488 10015
220 11.887 2302 8.938 2213 1000 – – 41.269 10209
240 12.998 2517 9.745 2413 1020 – – 42.045 10400
260 14.108 2732 10.560 2614 1040 – – 42.817 10591
280 15.217 2946 11.381 2817 1060 – – 43.585 10781
300 16.325 3160 12.207 3022 1080 – – 44.439 10970
320 17.432 3374 13.039 3227 1100 – – 45.108 11158
340 18.537 3588 13.874 3434 1120 – – 45.863 11345
360 19.640 3801 14.712 3641 1140 – – 46.612 11530
380 20.743 4015 15.552 3849 1160 – – 47.356 11714
400 21.846 4228 16.395 4057 1180 – – 48.095 11897
420 22.949 4441 17.241 4266 1200 – – 48.828 12078
440 24.054 4655 18.088 4476 1220 – – 49.555 12258
460 25.161 4869 18.938 4686 1240 – – 50.276 12436
480 26.272 5084 19.788 4896 1250 – – 50.633 12524
thermocouples Table I should not be used in conjunction with SINGLE AND DUAL SUPPLY CONNECTIONS
European standard thermocouples. Instead the transfer function The AD594/AD595 is a completely self-contained thermocouple
given previously and a DIN thermocouple table should be used. conditioner. Using a single +5 V supply the interconnections
ANSI type K and DIN NICR-NI thermocouples are composed shown in Figure 1 will provide a direct output from a type J
thermocouple (AD594) or type K thermocouple (AD595) mea-
CONSTANTAN +5V
10mV/8C
suring from 0°C to +300°C.
(ALUMEL)
14 13 12 11 10 9 8 Any convenient supply voltage from +5 V to +30 V may be

OVERLOAD used, with self-heating errors being minimized at lower supply
DETECT
levels. In the single supply configuration the +5 V supply con-
AD594/
AD595
+A
nects to Pin 11 with the V– connection at Pin 7 strapped to
G G ICE power and signal common at Pin 4. The thermocouple wire in-
POINT
+TC COMP. –TC puts connect to Pins 1 and 14 either directly from the measuring
IRON
point or through intervening connections of similar thermo-
1 2 3 4 5 6 7
(CHROMEL) couple wire type. When the alarm output at Pin 13 is not used it
COMMON should be connected to common or –V. The precalibrated feed-
back network at Pin 8 is tied to the output at Pin 9 to provide a
Figure 1. Basic Connection, Single Supply Operation 10 mV/°C nominal temperature transfer characteristic.
of identical alloys and exhibit similar behavior. The upper tem- By using a wider ranging dual supply, as shown in Figure 2, the
perature limits in Table I are those recommended for type J and AD594/AD595 can be interfaced to thermocouples measuring
type K thermocouples by the majority of vendors. both negative and extended positive temperatures.
REV. C –3–
AD594/AD595
CONSTANTAN
+5V TO +30V The printed circuit board layout shown also provides for place-
(ALUMEL) ment of optional alarm load resistors, recalibration resistors and
14 13 12 11 10 9 8 a compensation capacitor to limit bandwidth.
OVERLOAD
DETECT To ensure secure bonding the thermocouple wire should be
AD594/ cleaned to remove oxidation prior to soldering. Noncorrosive
+A
AD595
SPAN OF rosin flux is effective with iron, constantan, chromel and alumel
ICE 5V TO 30V
G G
POINT –TC and the following solders: 95% tin-5% antimony, 95% tin-5%
+TC COMP.
silver or 90% tin-10% lead.
IRON 1 2 3 4 5 6 7
(CHROMEL)
FUNCTIONAL DESCRIPTION
COMMON The AD594 behaves like two differential amplifiers. The out-
0V TO –25V puts are summed and used to control a high gain amplifier, as
shown in Figure 4.
Figure 2. Dual Supply Operation
With a negative supply the output can indicate negative tem- –IN –ALM +ALM V+ COMP VO FB
14 13 12 11 10 9 8
peratures and drive grounded loads or loads returned to positive
voltages. Increasing the positive supply from 5 V to 15 V ex- OVERLOAD
DETECT
tends the output voltage range well beyond the 750°C
temperature limit recommended for type J thermocouples AD594/AD595
+A
(AD594) and the 1250°C for type K thermocouples (AD595).
Common-mode voltages on the thermocouple inputs must remain ICE
G G
within the common-mode range of the AD594/AD595, with a POINT
COMP. –TC
return path provided for the bias currents. If the thermocouple +TC
is not remotely grounded, then the dotted line connections in
Figures 1 and 2 are recommended. A resistor may be needed in 1 2 3 4 5 6 7
this connection to assure that common-mode voltages induced +IN +C +T COM –T –C V–
in the thermocouple loop are not converted to normal mode.

Figure 4. AD594/AD595 Block Diagram
THERMOCOUPLE CONNECTIONS In normal operation the main amplifier output, at Pin 9, is con-
The isothermal terminating connections of a pair of thermo- nected to the feedback network, at Pin 8. Thermocouple signals
couple wires forms an effective reference junction. This junction applied to the floating input stage, at Pins 1 and 14, are ampli-
must be kept at the same temperature as the AD594/AD595 for fied by gain G of the differential amplifier and are then further
the internal cold junction compensation to be effective. amplified by gain A in the main amplifier. The output of the
A method that provides for thermal equilibrium is the printed main amplifier is fed back to a second differential stage in an in-
circuit board connection layout illustrated in Figure 3. verting connection. The feedback signal is amplified by this
stage and is also applied to the main amplifier input through a
summing circuit. Because of the inversion, the amplifier causes
IRON CONSTANTAN
(ALUMEL)
the feedback to be driven to reduce this difference signal to a
(CHROMEL)
small value. The two differential amplifiers are made to match
+T +C and have identical gains, G. As a result, the feedback signal that
must be applied to the right-hand differential amplifier will pre-
+IN –IN
cisely match the thermocouple input signal when the difference
1 14
signal has been reduced to zero. The feedback network is trim-
–ALM
+ALM med so that the effective gain to the output, at Pins 8 and 9, re-
sults in a voltage of 10 mV/°C of thermocouple excitation.
In addition to the feedback signal, a cold junction compensation
voltage is applied to the right-hand differential amplifier. The
compensation is a differential voltage proportional to the Celsius
COMP temperature of the AD594/AD595. This signal disturbs the dif-
7 8
ferential input so that the amplifier output must adjust to restore
the input to equal the applied thermocouple voltage.
COMMON –T
The compensation is applied through the gain scaling resistors
–C V– VOUT V+
so that its effect on the main output is also 10 mV/°C. As a
Figure 3. PCB Connections result, the compensation voltage adds to the effect of the ther-
mocouple voltage a signal directly proportional to the difference
Here the AD594/AD595 package temperature and circuit board between 0°C and the AD594/AD595 temperature. If the thermo-
are thermally contacted in the copper printed circuit board couple reference junction is maintained at the AD594/AD595
tracks under Pins 1 and 14. The reference junction is now com- temperature, the output of the AD594/AD595 will correspond
posed of a copper-constantan (or copper-alumel) connection to the reading that would have been obtained from amplification
and copper-iron (or copper-chromel) connection, both of which of a signal from a thermocouple referenced to an ice bath.
are at the same temperature as the AD594/AD595.
–4– REV. C
AD594/AD595
The AD594/AD595 also includes an input open circuit detector this terminal can be produced with a resistor between –C and
that switches on an alarm transistor. This transistor is actually a –T to balance an increase in +T, or a resistor from –T to COM
current-limited output buffer, but can be used up to the limit as to offset a decrease in +T.
a switch transistor for either pull-up or pull-down operation of If the compensation is adjusted substantially to accommodate a
external alarms. different thermocouple type, its effect on the final output volt-
The ice point compensation network has voltages available with age will increase or decrease in proportion. To restore the
positive and negative temperature coefficients. These voltages nominal output to 10 mV/°C the gain may be adjusted to match
may be used with external resistors to modify the ice point com- the new compensation and thermocouple input characteristics.
pensation and recalibrate the AD594/AD595 as described in the When reducing the compensation the resistance between –T
next column. and COM automatically increases the gain to within 0.5% of the
The feedback resistor is separately pinned out so that its value correct value. If a smaller gain is required, however, the nominal
can be padded with a series resistor, or replaced with an external 47 kΩ internal feedback resistor can be paralleled or replaced
resistor between Pins 5 and 9. External availability of the feedback with an external resistor.
resistor allows gain to be adjusted, and also permits the AD594/ Fine calibration adjustments will require temperature response
AD595 to operate in a switching mode for setpoint operation. measurements of individual devices to assure accuracy. Major
reconfigurations for other thermocouple types can be achieved
CAUTIONS: without seriously compromising initial calibration accuracy, so
The temperature compensation terminals (+C and –C) at Pins 2 long as the procedure is done at a fixed temperature using the
and 6 are provided to supply small calibration currents only. The factory calibration as a reference. It should be noted that inter-
AD594/AD595 may be permanently damaged if they are mediate recalibration conditions may require the use of a
grounded or connected to a low impedance. negative supply.
The AD594/AD595 is internally frequency compensated for feed-
EXAMPLE: TYPE E RECALIBRATION—AD594/AD595
back ratios (corresponding to normal signal gain) of 75 or more.
Both the AD594 and AD595 can be configured to condition the
If a lower gain is desired, additional frequency compensation
output of a type E (chromel-constantan) thermocouple. Tem-
should be added in the form of a 300 pF capacitor from Pin 10
perature characteristics of type E thermocouples differ less from
to the output at Pin 9. As shown in Figure 5 an additional 0.01 µF
type J, than from type K, therefore the AD594 is preferred for
capacitor between Pins 10 and 11 is recommended.
recalibration.
While maintaining the device at a constant temperature follow
AD594/ VO 9 the recalibration steps given here. First, measure the device
AD595 300pF
COMP 10 temperature by tying both inputs to common (or a selected
0.01mF common-mode potential) and connecting FB to VO. The AD594
+V 11
is now in the stand alone Celsius thermometer mode. For this
example assume the ambient is 24°C and the initial output VO
Figure 5. Low Gain Frequency Compensation
is 240 mV. Check the output at VO to verify that it corresponds
RECALIBRATION PRINCIPLES AND LIMITATIONS to the temperature of the device.
The ice point compensation network of the AD594/AD595 Next, measure the voltage –T at Pin 5 with a high impedance
produces a differential signal which is zero at 0°C and corre- DVM (capacitance should be isolated by a few thousand ohms
sponds to the output of an ice referenced thermocouple at the of resistance at the measured terminals). At 24°C the –T voltage
temperature of the chip. The positive TC output of the circuit is will be about 8.3 mV. To adjust the compensation of an AD594
proportional to Kelvin temperature and appears as a voltage at to a type E thermocouple a resistor, R1, should be connected
+T. It is possible to decrease this signal by loading it with a between +T and +C, Pins 2 and 3, to raise the voltage at –T by
resistor from +T to COM, or increase it with a pull-up resistor the ratio of thermocouple sensitivities. The ratio for converting a
from +T to the larger positive TC voltage at +C. Note that type J device to a type E characteristic is:
adjustments to +T should be made by measuring the voltage which
tracks it at –T. To avoid destabilizing the feedback amplifier the r (AD594) =(60.9 µV/°C)/(51.7 µV/°C)= 1.18
measuring instrument should be isolated by a few thousand Thus, multiply the initial voltage measured at –T by r and ex-
ohms in series with the lead connected to –T. perimentally determine the R1 value required to raise –T to that
level. For the example the new –T voltage should be about 9.8 mV.
The resistance value should be approximately 1.8 kΩ.
1 +IN +T 3
AD594/ The zero differential point must now be shifted back to 0°C.
14 –IN AD595 This is accomplished by multiplying the original output voltage
COM 4
8 FB VO by r and adjusting the measured output voltage to this value
9 VO –T 5
by experimentally adding a resistor, R2, between –C and –T,
Pins 5 and 6. The target output value in this case should be
about 283 mV. The resistance value of R2 should be approxi-
Figure 6. Decreased Sensitivity Adjustment mately 240 kΩ.
Changing the positive TC half of the differential output of the Finally, the gain must be recalibrated such that the output VO
compensation scheme shifts the zero point away from 0°C. The indicates the device’s temperature once again. Do this by adding
zero can be restored by adjusting the current flow into the nega- a third resistor, R3, between FB and –T, Pins 8 and 5. VO should
tive input of the feedback amplifier, the –T pin. A current into now be back to the initial 240 mV reading. The resistance value
REV. C –5–
AD594/AD595
of R3 should be approximately 280 kΩ. The final connection THERMAL ENVIRONMENT EFFECTS
diagram is shown in Figure 7. An approximate verification of The inherent low power dissipation of the AD594/AD595 and
the effectiveness of recalibration is to measure the differential the low thermal resistance of the package make self-heating
gain to the output. For type E it should be 164.2. errors almost negligible. For example, in still air the chip to am-
bient thermal resistance is about 80°C/watt (for the D package).
At the nominal dissipation of 800 µW the self-heating in free air
1 +IN COM 4 is less than 0.065°C. Submerged in fluorinert liquid (unstirred)
14 –IN
the thermal resistance is about 40°C/watt, resulting in a self-
+T 3
R1
heating error of about 0.032°C.
AD594/
AD595 +C 2 SETPOINT CONTROLLER
–C 6 The AD594/AD595 can readily be connected as a setpoint
9 VO R2 controller as shown in Figure 9.
8 FB –T 5
HEATER LOW = > T < SETPOINT

DRIVER TEMPERATURE HIGH = > T > SETPOINT
R3 COMPARATOR OUT
CONSTANTAN SETPOINT
Figure 7. Type E Recalibration HEATER (ALUMEL) +5V VOLTAGE
INPUT
13 12 11 10 9 8
When implementing a similar recalibration procedure for the 14
OVERLOAD 20MV
AD595 the values for R1, R2, R3 and r will be approximately DETECT
(OPTIONAL)
650 Ω, 84 kΩ, 93 kΩ and 1.51, respectively. Power consump- AD594/ +A
FOR
AD595 HYSTERESIS
tion will increase by about 50% when using the AD595 with
type E inputs. G G ICE
POINT –TC
+TC COMP.
Note that during this procedure it is crucial to maintain the
IRON
AD594/AD595 at a stable temperature because it is used as the (CHROMEL)
1 2 3 4 5 6 7
temperature reference. Contact with fingers or any tools not at TEMPERATURE COMMON
ambient temperature will quickly produce errors. Radiational CONTROLLED
REGION
heating from a change in lighting or approach of a soldering iron
must also be guarded against. Figure 9. Setpoint Controller
The thermocouple is used to sense the unknown temperature
USING TYPE T THERMOCOUPLES WITH THE AD595
and provide a thermal EMF to the input of the AD594/AD595.
Because of the similarity of thermal EMFs in the 0°C to +50°C
The signal is cold junction compensated, amplified to 10 mV/°C
range between type K and type T thermocouples, the AD595
and compared to an external setpoint voltage applied by the
can be directly used with both types of inputs. Within this ambi-
user to the feedback at Pin 8. Table I lists the correspondence
ent temperature range the AD595 should exhibit no more than
between setpoint voltage and temperature, accounting for the
an additional 0.2°C output calibration error when used with
nonlinearity of the measurement thermocouple. If the setpoint
type T inputs. The error arises because the ice point compensa-
temperature range is within the operating range (–55°C to
tor is trimmed to type K characteristics at 25°C. To calculate
+125°C) of the AD594/AD595, the chip can be used as the
the AD595 output values over the recommended –200°C to
transducer for the circuit by shorting the inputs together and
+350°C range for type T thermocouples, simply use the ANSI
utilizing the nominal calibration of 10 mV/°C. This is the centi-
thermocouple voltages referred to 0°C and the output equation
grade thermometer configuration as shown in Figure 13.
given on page 2 for the AD595. Because of the relatively large
nonlinearities associated with type T thermocouples the output In operation if the setpoint voltage is above the voltage corre-
will deviate widely from the nominal 10 mV/°C. However, cold sponding to the temperature being measured the output swings
junction compensation over the rated 0°C to +50°C ambient low to approximately zero volts. Conversely, when the tempera-
will remain accurate. ture rises above the setpoint voltage the output switches to
the positive limit of about 4 volts with a +5 V supply. Figure
STABILITY OVER TEMPERATURE 9 shows the setpoint comparator configuration complete with a
Each AD594/AD595 is tested for error over temperature with heater element driver circuit being controlled by the AD594/
the measuring thermocouple at 0°C. The combined effects of AD595 toggled output. Hysteresis can be introduced by inject-
cold junction compensation error, amplifier offset drift and gain ing a current into the positive input of the feedback amplifier
error determine the stability of the AD594/AD595 output over when the output is toggled high. With an AD594 about 200 nA
the rated ambient temperature range. Figure 8 shows an AD594/ into the +T terminal provides 1°C of hysteresis. When using a
AD595 drift error envelope. The slope of this figure has units single 5 V supply with an AD594, a 20 MΩ resistor from VO to
of °C/°C. +T will supply the 200 nA of current when the output is forced
high (about 4 V). To widen the hysteresis band decrease the
+0.68C
resistance connected from VO to +T.
DRIFT ERROR
0
258C 508C
–0.68C TEMPERATURE OF AD594C/AD595C
Figure 8. Drift Error vs. Temperature

–6– REV. C
AD594/AD595
ALARM CIRCUIT The alarm can be used with both single and dual supplies. It
In all applications of the AD594/AD595 the –ALM connection, can be operated above or below ground. The collector and emit-
Pin 13, should be constrained so that it is not more positive ter of the output transistor can be used in any normal switch
than (V+) – 4 V. This can be most easily achieved by connect- configuration. As an example a negative referenced load can be
ing Pin 13 to either common at Pin 4 or V– at Pin 7. For most driven from –ALM as shown in Figure 12.
applications that use the alarm signal, Pin 13 will be grounded
and the signal will be taken from +ALM on Pin 12. A typical CONSTANTAN
+10V
application is shown in Figure 10. (ALUMEL)
14 13 12 11 10 9 8 10mV/8C
In this configuration the alarm transistor will be off in normal
OVERLOAD
operation and the 20 k pull up will cause the +ALM output on DETECT
Pin 12 to go high. If one or both of the thermocouple leads are AD594/ +A

AD595
interrupted, the +ALM pin will be driven low. As shown in Fig-
G G ICE
ure 10 this signal is compatible with the input of a TTL gate POINT –TC
+TC COMP.
which can be used as a buffer and/or inverter.
IRON 1 2 3 4 5 6 7
(CHROMEL)
+5V
GND
20kV ALARM
ALARM OUT TTL GATE
CONSTANTAN
(ALUMEL) ALARM
RELAY –12V
14 13 12 11 10 9 8 10mV/8C
OVERLOAD
DETECT
AD594/ +A Figure 12. –ALM Driving A Negative Referenced Load

AD595
G G ICE The collector (+ALM) should not be allowed to become more
POINT –TC
+TC COMP. positive than (V–) +36 V, however, it may be permitted to be
IRON
more positive than V+. The emitter voltage (–ALM) should be
1 2 3 4 5 6 7
(CHROMEL) constrained so that it does not become more positive than 4
GND volts below the V+ applied to the circuit.
Figure 10. Using the Alarm to Drive a TTL Gate Additionally, the AD594/AD595 can be configured to produce
(“Grounded’’ Emitter Configuration) an extreme upscale or downscale output in applications where
an extra signal line for an alarm is inappropriate. By tying either
Since the alarm is a high level output it may be used to directly of the thermocouple inputs to common most runaway control
drive an LED or other indicator as shown in Figure 11. conditions can be automatically avoided. A +IN to common
connection creates a downscale output if the thermocouple opens,
V+
while connecting –IN to common provides an upscale output.
LED
CELSIUS THERMOMETER
CONSTANTAN 270V The AD594/AD595 may be configured as a stand-alone Celsius
(ALUMEL) 10mV/8C
14 13 12 11 10 9 8
thermometer as shown in Figure 13.
OVERLOAD
DETECT
+5V TO +15V
AD594/ +A OUTPUT
AD595 14 13 12 11 10 9 8 10mV/8C
ICE OVERLOAD
G G DETECT
POINT –TC
+TC COMP.
AD594/ +A
IRON AD595
1 2 3 4 5 6 7
(CHROMEL) ICE
G G
POINT –TC
COMMON COMP.
+TC
Figure 11. Alarm Directly Drives LED 1 2 3 4 5 6 7
A 270 Ω series resistor will limit current in the LED to 10 mA, GND
0 TO –15V
but may be omitted since the alarm output transistor is current
limited at about 20 mA. The transistor, however, will operate in Figure 13. AD594/AD595 as a Stand-Alone Celsius
a high dissipation mode and the temperature of the circuit will Thermometer
rise well above ambient. Note that the cold junction compensa-
Simply omit the thermocouple and connect the inputs (Pins 1
tion will be affected whenever the alarm circuit is activated. The
and 14) to common. The output now will reflect the compensa-
time required for the chip to return to ambient temperature will
tion voltage and hence will indicate the AD594/AD595
depend on the power dissipation of the alarm circuit, the nature
temperature with a scale factor of 10 mV/°C. In this three termi-
of the thermal path to the environment and the alarm duration.
nal, voltage output, temperature sensing mode, the AD594/
AD595 will operate over the full military –55°C to +125°C tem-
perature range.
REV. C –7–
AD594/AD595
THERMOCOUPLE BASICS and to arrange its output voltage so that it corresponds to a ther-
Thermocouples are economical and rugged; they have reason- mocouple referred to 0°C. This voltage is simply added to the
ably good long-term stability. Because of their small size, they thermocouple voltage and the sum then corresponds to the stan-
respond quickly and are good choices where fast response is im- dard voltage tabulated for an ice-point referenced thermocouple.
portant. They function over temperature ranges from cryogenics
to jet-engine exhaust and have reasonable linearity and accuracy. V1' = V1
V1' FOR PROPERLY
V1
Because the number of free electrons in a piece of metal de-
C731g–0–11/99
SCALED V3' = f(T3)
pends on both temperature and composition of the metal, two
pieces of dissimilar metal in isothermal and contact will exhibit Cu Cu
V2
a potential difference that is a repeatable function of tempera- CONSTANTAN CuNi–
ture, as shown in Figure 14. The resulting voltage depends on T3 V3'
the temperatures, T1 and T2, in a repeatable way. T1
V1
IRON
CONSTANTAN
Cu Cu
CONSTANTAN
Figure 15. Substitution of Measured Reference
T1 T2 Temperature for Ice Point Reference
The temperature sensitivity of silicon integrated circuit transis-
IRON tors is quite predictable and repeatable. This sensitivity is
ICE POINT
UNKNOWN
TEMPERATURE REFERENCE exploited in the AD594/AD595 to produce a temperature re-
lated voltage to compensate the reference of “cold” junction of a
Figure 14. Thermocouple Voltage with 0°C Reference thermocouple as shown in Figure 16.
Since the thermocouple is basically a differential rather than
absolute measuring device, a know reference temperature is
required for one of the junctions if the temperature of the other
is to be inferred from the output voltage. Thermocouples made
of specially selected materials have been exhaustively character- T3
ized in terms of voltage versus temperature compared to primary CONSTANTAN
temperature standards. Most notably the water-ice point of 0°C
T1 Cu
is used for tables of standard thermocouple performance.
An alternative measurement technique, illustrated in Figure 15,
is used in most practical applications where accuracy requirements IRON Cu
do not warrant maintenance of primary standards. The reference
junction temperature is allowed to change with the environment Figure 16. Connecting Isothermal Junctions
of the measurement system, but it is carefully measured by some
type of absolute thermometer. A measurement of the thermo- Since the compensation is at the reference junction temperature,
couple voltage combined with a knowledge of the reference it is often convenient to form the reference “junction” by connect-
temperature can be used to calculate the measurement junction ing directly to the circuit wiring. So long as these connections
temperature. Usual practice, however, is to use a convenient and the compensation are at the same temperature no error will
thermoelectric method to measure the reference temperature result.
OUTLINE DIMENSIONS
Dimensions shown in inches and (mm).
TO-116 (D) Package Cerdip (Q) Package

PRINTED IN U.S.A.
0.430 (10.92) 0.77 ±0.015
(19.55 ±0.39)
14 8
0.040
(1.02) R 0.265 0.290 ±0.010 14 8
(6.73) (7.37 ±0.25) 0.310 0.260 ±0.020
1 7 (7.87) (6.6 ±0.51)
1 7
0.300 (7.62)
PIN 1
0.31 ±0.01 PIN 1 REF
(7.87 ±0.25) 0.035 ±0.010
0.700 ±0.010
0.035 ±0.010 (17.78 ±0.25) (0.889 ±0.254) 0.148 ±0.015
(0.89 ±0.25) (3.76 ±0.38)
0.085 (2.16) 0.095 (2.41) 0.180 ±0.030
0.125
0.180 ±0.030 3.175) (4.57 ±0.76)
0.125
(3.18) (4.57 ±0.76) 0.01 ±0.002 MIN 0.010 ±0.001
MIN (0.25 ±0.05) 0.018 SEATING (0.254 ±0.025)
0.032 PLANE 15°
(0.457)
0.047 ±0.007 +0.003 0.100 0.30 (7.62) REF (0.812) 0.100 0°
(1.19 ±0.18) 0.017 –0.002 (2.54) 0.600 (15.24) (2.54)
0.43 +0.08 BSC BSC
( –0.05 ( BSC
–8– REV. C
Résumé:
Nous avons amélioré les performances d’une station de dépôt en couche mince par la
technique de ‘’dip-coating’’. Sur le plan mécanique, l’utilisation des moteurs à courants
continu avec un accouplement rigide et le système vis-écrou, a permis de réduire les vibration
et l’élimination du réducteur de vitesse déjà utilisé auparavant. Il est aussi important de noter
qu’il est possible de faire un dépôt à partir de deux solutions, ouvrant ainsi la voie à la
fabrication éventuelle des structures électroniques multicouches. Un programme écrit en
langage graphique permet de gérer la station et de suivre les paramètres surtout la température
de l’échantillon en temps réel.
Mots clés :
dip-coating, couche mince, vitesse d’immersion, régulations de température.
Abstract:
We have improved the performance of a deposition station by thin layer technique '' dip
coating '. Mechanically, the use of continuous current motors with a rigid coupling and the
screw-nut system, reduced vibration and removing the gearbox previously used. It is also
important to note that it is possible to make a deposit from two solutions, paving the way for
the eventual manufacture of multilayer electronic structures. A program written in graphic
language used to manage the station and follow the parameters above the temperature of the
sample in real time.
Keywords:
Dip-coating, thin layer, sink rate, temperature controls.

Rapport Zied Weslati 2016

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REPUBLIQUE TUNISIENNE

Ministère de l’Enseignement Supérieur et

Ecole Nationale d’Ingénieurs de Gabès ‫المدرسة الىطنية للمهندسين بقابس‬

PROJET DE FIN D’ETUDES

Diplôme National d’Ingénieur en

Amélioration d’un prototype de dépôt en couche mince par la

Soutenu le 23/06/2016 Devant le jury composé de :

M. Ahmed ZOUINKHI Président (professeur adjoint à ENIG)

Année Universitaire : 2015-2016

Je dédie ce travail de projet de fin d’études,

A mes très chers parents, pour leur amour,

leurs sacrifices et leurs patiences infinie,

A mon cher frère sami, ma soeur nada,

A tous mes amis (Zeiri Ghassen, Bdhaifi ELMuzzammel,

Trimech Adnen, Chermiti Raed, Fayçel Sallaoui,

Ben romdhane Omar, Toujani Akrem,) et mes proches,

A tous ceux qui m’aiment et que j’aime .

Chapitre 1 : Etude bibliographique ............................................................................................ 2

2. Les couches minces :.............................................................................................................. 3

2.1. Notion de couches minces : ............................................................................................. 3

2.2. Techniques de fabrication de couches minces :............................................................... 3

2.2.1. Elaboration de couches minces sous vide :............................................................... 4

2.2.1.1. Evaporation thermique :......................................................................................... 4

2.2.1.2. Ablation laser (PLD Pulse Laser Deposition):....................................................... 5

2.2.1.4. Dépôts par pulvérisation cathodique (Sputtering): ................................................ 5

2.2.2. Elaboration de couches minces sans vide : ............................................................... 6

2.2.2.1. L‟électrodéposition : .............................................................................................. 6

2.2.2.2. Le dépôt par spray- pyrolyse :................................................................................ 7

2.2.2.3. Le dépôt en bain chimique :................................................................................... 8

2.2.2.4.1. Spin-coating ou centrifugation :.......................................................................... 9

2.2.2.4.2. Trempage-retrait « Dip-coating » ..................................................................... 10

Chapitre 2 : Etude technique .................................................................................................... 14

2. Description de la station existante :...................................................................................... 15

2.1. Présentation des caractéristiques actuelles : .................................................................. 15

2.2. Objectifs désirés : .......................................................................................................... 15

3. Solution proposée :............................................................................................................... 16

3.1. Description du fonctionnement : ................................................................................... 16

3.2. Logigramme de cycle de fonctionnement: .................................................................... 17

4. Description des matériels : ................................................................................................... 19

4.1. Carte de commande : ..................................................................................................... 19

4.1.2. Hardware :............................................................................................................... 20

4.1.3. Software : ................................................................................................................ 20

4.1.4. Organisation de la carte : ........................................................................................ 20

4.1.5. Les E/S : ................................................................................................................. 21

4.2. Carte de puissance : ....................................................................................................... 22

4.2.1. Différents types des cartes de puissance :............................................................... 22

4.2.1.1. Carte de puissance à base de MOSFET : ............................................................. 22

4.2.1.2. Carte de puissance à base de L298 : .................................................................... 22

4.2.1. Choix de la carte de puissance :.............................................................................. 23

4.2.3. Carte de commande de la température - Carte d‟arbitrage : ................................... 23

5. Les thermocouples : ............................................................................................................. 24

5.1. Principe :........................................................................................................................ 24

5.1.1. Critères de choix d'un thermocouple : .................................................................... 25

5.2. Circuit d‟amplification pour le thermocouple : ............................................................. 25

6. Carte d‟alimentation :........................................................................................................... 27

7. logiciel labview : .................................................................................................................. 28

7.1. Généralités :................................................................................................................... 28

7.2.1 Palette de commandes :............................................................................................ 30

7.2.2 Palette de fonctions :................................................................................................ 31

7.3. Les structures de contrôles : .......................................................................................... 31

8. partie mécanique : ................................................................................................................ 33

8.1. Système vis écrou : ........................................................................................................ 33

8.2. Les accouplements :....................................................................................................... 34