Les transistors bipolaires

1.Notion et caractéristiques :
1.1.Présentation :
Un transistor bipolaire est constitué de deux jonctions PN, on peut distinguer donc deux
types de structure: PNP et NPN

Pour un transistor bipolaire PNP (respectivement NPN), on vérifie toujours en valeurs

arithmétiques : 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 et 𝐼𝐶 = β. 𝐼𝐵 avec β >>1 dans la zone de
fonctionnement linéaire.

1.2.Caractéristiques statiques :
Les caractéristiques statiques d'un transistor bipolaire sont :
𝑉𝐵𝐸 = f(𝐼𝐵) à 𝑉𝐶𝐸= cte.
𝑉𝐵𝐸= f(𝑉𝐶𝐸) à 𝐼𝐵= cte.
𝐼𝐶 = f(IB) à 𝑉𝐶𝐸= cte.
𝐼𝐶 = f(𝑉𝐶𝐸) à 𝐼𝐵= cte.
Ces caractéristiques sont données par les constructeurs :

2.Limitation en puissance :
Le transistor bipolaire comme tout composant électronique ne peut dissiper qu'une
puissance bien déterminée.

1
Cette puissance est donnée par Ie constructeur.

La puissance dissipée dans le transistor est : 𝑃 = 𝑉𝐵𝐸. 𝐼𝐵 + 𝑉𝐶𝐸. 𝐼𝐶

La droite de charge ne doit pas couper l'hyperbole de dissipation maximale, pour ne pas
avoir un point de repos dans la zone interdite (zone hachurée).

3.Fonctionnement en régime dynamique :

Dans ce régime , on remplace le transistor bipolaire par le schéma équivalent suivant :

avec : chaque tension continue va être remplacé par une tension nulle ( relier à la masse )

et chaque condensateur va être remplacé par un fil

NB :

𝑉𝑠 𝑖𝑠
𝐴𝑣 = 𝑉𝑒
, 𝐴𝑖 = 𝑖𝑒

𝑉𝑒 𝑉𝑠
𝑅𝑒 = 𝑖𝑒
, 𝑅𝑠 = 𝑖𝑠
(lorsque 𝑉𝑒 = 0)